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KR20120080246A - 무극성 질화(알루미늄, 붕소, 인듐, 갈륨) 양자우물 및 이형구조 재료 및 장치 - Google Patents

무극성 질화(알루미늄, 붕소, 인듐, 갈륨) 양자우물 및 이형구조 재료 및 장치 Download PDF

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KR20120080246A
KR20120080246A KR1020127014158A KR20127014158A KR20120080246A KR 20120080246 A KR20120080246 A KR 20120080246A KR 1020127014158 A KR1020127014158 A KR 1020127014158A KR 20127014158 A KR20127014158 A KR 20127014158A KR 20120080246 A KR20120080246 A KR 20120080246A
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KR
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nonpolar
gan
layer
polar
plane
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Application number
KR1020127014158A
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English (en)
Inventor
마이클 디. 크레이븐
스타시아 켈러
스티븐 피. 덴바아아스
탈 마르갈리스
제임스 에스. 스펙
슈지 나카무라
우메쉬 케이. 미슈라
Original Assignee
더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아
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Publication date
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Abstract

무극성 (Al,B,In,Ga)N 양자우물 및 이형구조 재료 및 장치를 성형하기 위한 방법. 무극성 (1120) a면 GaN 층은 MOCVD를 이용하여 r면(1102) 사파이어 기판 위에서 성장된다. 상기 무극성 (1120) a면 GaN 층은 무극성 (Al,B,In,Ga)N 양자우물 및 이형구조 재료 및 장치를 성형하기 위한 템플릿을 포함한다.
본 발명은 캘리포니아대 산타 바바라 고체 조명 및 디스플레이 연구소(SSLDC)의 회원사인 스탠리 전자(Stanley Electric Co., Ltd.), 미쓰비시 화공(Mitsubishi Chemical Corp.), 로옴 전자(Rohm, Co., Ltd.), 크리(Cree, Inc.), 마쓰시다 전공(Matsushita Electric Works), 마쓰시다 전기(Matsushita Electric Industrial Co.), 및 서울 반도체(Seoul Semiconductor Co., Ltd.)의 지원을 받아 이루어졌다.

Description

무극성 질화(알루미늄, 붕소, 인듐, 갈륨) 양자우물 및 이형구조 재료 및 장치{Non-polar (Al,B,In,Ga)N Quantum Well and Heterostructure Materials and Devices}
본 발명은 반도체 재료, 방법 및 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 무극성 (Al,B,In,Ga)N 양자우물 및 이형구조 재료 및 장치에 대한 것이다.
본 출원은 본 명세서 내 참고자료로 편입되는, 대리인 관리번호 제30794.95-US-P1호로서, Michael D.Craven, Stacia Keller, Steven P.DenBaars, Tal Margalith, James S.Speck, Shuji Nakamura, 그리고 Umesh K. Mishra에 의해 2002년 4월 15일자로 출원된, "무극성 질화갈륨계 박막 및 이형구조 재료"로 명칭되고, 출원 계속중이고 일반적으로 할당받는 미합중국 임시특허출원 제60/372,909호에 의한 35 U.S.C. §119(e)에 따른 이익을 향유한다.
*본 출원은 하기의 출원 계속중이고 일반적으로 할당받는 미합중국 실용특허출원:
대리인 관리번호 제30794.100-US-U1호로서, Michael D.Craven와 James S.Speck에 의해 동일자로 출원된, "유기금속 화학 기상 증착법에 의해 성장된 무극성 A면 질화갈륨 박막"으로 명칭된, 일련번호 제__/___,___호; 및
대리인 관리번호 제30794.102-US-U1호로서, Michael D.Craven, Stacia Keller, Steven P.DenBaars, Tal Margalith, James S.Speck, Shuji Nakamura, 그리고 Umesh K.Mishra에 의해 동일자로 출원된, "무극성 질화갈륨 박막의 전위 감소"로 명칭된, 일련번호 제__/___,___호: 와 관련된 것으로서, 상기 출원 모두 본 발명의 참고자료에 편입된다.
본 발명은 University of California(캘리포니아 대학교)와 산타바바라 고체 상태 조명 & 전시 센터(Santa Barbara Solid State Lighting and Display Center)의 회원사인 Stanley Electrics Co. Ltd.(스탠리 전기 주식회사), Mitsubishi Chemical Corp.(미쓰비시 화학 회사), Rohm Co. Ltd.(롬 주식회사), Cree Inc., (크리 회사), Matsushita Electric Industrial Co.(마츠시타 전기 공업 회사) 와 Seoul Semiconductor Co. Ltd.(서울 반도체 주식회사)의 지원을 받았다.
(주: 본 출원은 하나 이상의 참조번호로 본 명세서 전체를 통해 표시된 바와 같이 상당수 다른 특허, 특허출원 및/또는 공보를 참고하였다. 상기 참조번호에 따라 정렬된 상기의 다른 공보 목록은 하기의 "참고문헌"이라 명명된 부분에서 찾을 수 있다. 상기 각각의 공보는 참고문헌으로서 이곳에 통합된다.)
현재 당업계에서 질화(알루미늄,붕소,인듐,갈륨)((Al,B,In,Ga)N) 이형구조(heterostructure) 및 양자우물(quantum well) 구조는 c-면(0001) 층들을 사용한다. Ⅲ-N 박(film)의 총 편극은 자발성 및 압전성(piezoelectric) 편극 기여부로 구성되어 있는데, 모두 부르자이트(wurtzite) 질화물 결정 구조의 단 극성[0001]축으로부터 연유한다. 이형구조 질화물 내의 표면 및 계면에 존재하는 편극 불연속성은 고정 시트 전하와 관계되는데, 이것이 번갈아 전기장을 발생시킨다. 상기 내부 전기장의 정렬이 상기 c-면(0001) 층들의 성장 방향과 일치하기 때문에, 상기 계장(field)은 장치 구조 중 에너지 밴드(energy band)에 영향을 미친다.
양자우물에서, "경사진" 에너지 밴드는 전자와 홀 파장함수를 공간적으로 분리시키는데, 이것이 방사성 전이의 오실레이터 강도를 감소시키고 방출 파장을 적색천이시킨다. 이러한 효과는 양자 국한된 스타크 효과(Quantum confined Stark effect; QCSE)의 발현이고, GaN/(Al,Ga)N 양자우물에 대해서 철저히 분석되어져 왔다. 참고문헌 1-8을 참조하라. 추가적으로, 큰 편극으로 유발되는 계장은 도판트 및 불순물에 의해 부분적으로 가리워져, 그 결과 상기 방출특성을 정확히 조절하기가 어려울 수 있다.
상기 내부 계장은 또한 질화물계 이형구조 트랜지스터의 큰 이동성 시트전하 밀도에 대해 책임이 있다. 비록 상기 큰 2D 전자가스(2DEG)가 매력적이고 장치에 유용하다 할지라도, 상기 편극으로 유발되는 계장, 및 상기 2DEG 자체를, 정확히 제어하기는 어렵다.
무극성 성장이 부르자이트 질화물 반도체에 존재하는 강한 편극으로 유발된 전기장을 회피하는 유력한 수단이다. 편극으로 유발된 전기장은 무극성 성장 방향에 따른 편극 불연속성이 존재하지 않는 까닭으로 무극성 방향(예:[0001]축에 수직)으로 성장된 부르자이트 질화물 반도체에 영향을 미치지 않는다.
최근, 2개 집단에서 무극성 성장 방향에 따른 편극으로 유발된 전기장이 존재하지 않는 가운데 분자선 에피탁시(molecular beam epitaxy; MBE)를 이용하여 무극성 GaN/(Al,Ga)N 다중양자우물(multiple quantum wells; MQWs)을 성장시켰다. Waltereit 등은 γ-LiAlO2(100) 기판 위에 m-면 GaN/Al0 .1Ga0 .9N 다중양자우물을 성장시켰고, Ng는 r면 사파이어 기판 위에 a면 GaN/Al0 .15Ga0 .85N 다중양자우물을 성장시켰다. 참고문헌 9-10을 참조하라.
상기의 결과에도 불구하고, 무극성 GaN 배향의 성장을 재생가능한 방법으로 달성하기는 여전히 어렵다.
본 발명은 무극성 (Al,B,In,Ga)N 양자우물 및 이형구조 재료를 성형하는 방법 및 장치들을 상술한다. 먼저, 무극성
Figure pat00001
a면 GaN 박막을 유기금속 화학 기상 증착법(MOCVD)을 이용하여
Figure pat00002
r면 사파이어 기판 위에 성장시킨다. 상기 무극성
Figure pat00003
a면 GaN 박막은 그 위에 무극성 (Al,B,In,Ga)N 양자우물 및 이형구조 재료 및 장치를 생산하기 위한 템플릿(template)이다.
본 발명의 목적은 무극성
Figure pat00004
a면 GaN 박막을 템플릿으로 사용하여, 무극성 (Al,B,In,Ga)N 양자우물 및 이형구조 재료 및 장치를 생산하기 위한 방법을 제공하기 위한 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따르면, 질화물 반도체소자(nitride semiconductor device)에 있어서, 인듐(Indium)을 함유하는(containing) 하나 이상의 무극성(non-polar) (Al, B, In, Ga)N 양자우물층(quantum well layers)을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체소자가 제공된다.
여기서, 상기 (Al, B, In, Ga)N 양자우물층의 적어도 하나가 InGaN 양자우물층인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 (Al, B, In, Ga)N 양자우물층의 적어도 하나가, 적어도 5나노미터의 두께를 가지며, 피크(peak) 광발광(photoluminescence(PL)) 방출파장(emission wavelwngth)과, PL 방출파장보다 큰 밀도(intensity) 및 2.5nm의 두께를 가지는 무극성 (Al, B, In, Ga)N 양자우물층으로부터 방출되는 광밀도(intensity of light)를 가지는 광(light)을 방출하는(emit) 것을 특징으로 한다.
아울러, 상기 소자는, 발광다이오드(light emitting diode) 또는 레이저 다이오드(laser diode)이며, 상기 발광다이오드 또는 상기 레이저 다이오드의 활성층(active layer)은 하나 이상의 무극성 (Al, B, In, Ga)N 양자우물층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
더욱이, 상기 소자는, 상기 하나 이상의 무극성 (Al, B, In, Ga)N 양자우물층으로부터 형성되는 헤테로구조(heterostructure)를 포함하는 트랜지스터인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 하나 이상의 무극성 (Al, B, In, Ga)N 양자우물층은 무극성 a-면층(a-plane layer)인 것을 특징으로 한다.
아울러, 상기 하나 이상의 무극성 (Al, B, In, Ga)N 양자우물층은 무극성 m-면층(m-plane layer)인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따르면, 질화물 반도체소자에 있어서, 무극성 GaN 기판상에 성장된 하나 이상의 무극성 (Al, B, In, Ga)N층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체소자가 제공된다.
여기서, 상기 무극성 (Al, B, In, Ga)N층은 하나 이상의 양자우물(quantum wells)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 양자우물의 적어도 하나가, 적어도 5나노미터의 두께를 가지며, 피크 광발광(PL) 방출파장과, PL 방출파장보다 큰 밀도 및 2.5nm의 두께를 가지는 무극성 (Al, B, In, Ga)N 양자우물로부터 방출되는 광밀도를 가지는 광을 방출하는 것을 특징으로 한다.
아울러, 상기 양자우물의 적어도 하나는 양자우물층을 포함하는 인듐인 것을 특징으로 한다.
더욱이, 상기 양자우물의 적어도 하나는 InGaN 양자우물인 것을 특징으로 한다.
*또한, 상기 소자는, 상기 무극성 (Al, B, In, Ga)N층이 헤테로구조를 포함하는 것을 특징으로 한다.
아울러, 상기 소자는, 발광다이오드 또는 레이저 다이오드이며, 상기 발광다이오드 또는 상기 레이저 다이오드의 활성층은 상기 하나 이상의 무극성 (Al, B, In, Ga)N층으로부터 형성된 양자우물 또는 헤테로구조를 포함하는 것을 특징으로 한다.
더욱이, 상기 소자는, 상기 하나 이상의 무극성 (Al, B, In, Ga)N층으로부터 형성되는 헤테로구조를 포함하는 트랜지스터인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 하나 이상의 무극성 (Al, B, In, Ga)N층은 무극성 GaN 기판의 a-면 표면(a-plane surface) 상에 성장된 무극성 a-면층(a-plane layer)인 것을 특징으로 한다.
아울러, 상기 하나 이상의 무극성 (Al,B, In, Ga)N층은 상기 무극성 GaN 기판의 m-면 표면(m-plane surface) 상에 성장된 무극성 m-면층(m-plane layer)인 것을 특징으로 한다.
더욱이, 상기 무극성 GaN 기판은 2.6×1010cm-2 보다 작은 스레딩 이탈밀도(threading dislocation desity)를 가지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 무극성 GaN 기판은 3.8×105cm-1 보다 작은 스택 오류밀도(stacking fault desity)를 가지는 것을 특징으로 한다.
아울러, 하나 이상의 무극성 (Al,B, In, Ga)N층은 성장된(grown) 상기 무극성 GaN 기판의 무극성 표면(non-polar surface) 상에 성장되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따르면, 질화물 반도체소자의 제조방법에 있어서, 인듐을 함유하는 하나 이상의 무극성 (Al,B, In, Ga)N 양자우물층을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체소자의 제조방법이 제공된다.
여기서, 상기 성장시키는 단계는, 금속 유기 화학적 기상 증착법(metal organic chemical vapor deposition ; MOCVD)에 의해 성장시키는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 무극성 (Al,B, In, Ga)N 양자우물층은 무극성 GaN 기판상 또는 위에(on or above) 성장되는 것을 특징으로 한다.
아울러, 상기 방법은, 성장된(grown) GaN 기판의 무극성 표면을 얻는(obtaining) 단계와, 상기 성장된 무극성 표면상 또는 위에(on or above) 상기 양자우물층을 성장시키는(growing) 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따르면, 하나 이상의 무극성 (Al,B, In, Ga)N층으로부터 형성된 헤테로 구조를 포함하는 트랜지스터기 제공된다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 무극성
Figure pat00005
a면 GaN 박막을 템플릿으로 사용하여, 무극성 (Al,B,In,Ga)N 양자우물 및 이형구조 재료 및 장치를 생산하기 위한 방법을 제공할 수 있다.
이하, 도면을 참조함에 있어, 도면 내 참조번호는 본 명세서의 대응부분을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 무극성 (Al,B,In,Ga)N 양자우물및 이형구조 재료 및 장치를 형성하기 위한 방법의 각 공정을 도시한 흐름도이고;
도 2는 실온에서 측정된 1.5nm, 2.5nm 및 5.0nm의 공칭 우물폭을 갖는 5 주기 a면 In0 .1GaN/In0 .03GaN 다중양자우물 구조의 광발광(PL) 스펙트럼을 도시한 것이며;
도 3은 여러가지 펌프동력용으로 측정된 5.0nm의 공칭 우물폭을 갖는 a면 In0.03Ga0.97N/In0.1Ga0.9N 다중양자우물 구조의 PL 스펙트럼을 도시한 것이며;
도 4(a)는 위성 최고점(satellite peak)이 선명하게 드러난, 10 주기 Al0.4Ga0.6N/GaN 초격자의 2θ-ω X선 회절주사도를 나타낸 것이며; 그리고
도 4(b)는 도 4(a)에서 특징지어진 초격자의 PL 스펙트럼을 도시한 것이다.
바람직한 실시예에 따른 이하의 상세한 설명에서, 참고문헌은 본 명세서의 일부분을 구성하는 첨부도면에 만들어지고, 본 발명이 구현될 수 있는 특정의 실시예를 설명하는 방식으로 나타낸다. 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 다른 실시예들이 이용되고 구조적인 변화가 있을 수 있을 것으로 이해된다.
개요
본 발명의 목적은 무극성
Figure pat00006
a면 GaN 박막을 템플릿으로 사용하여, 무극성 (Al,B,In,Ga)N 양자우물 및 이형구조 재료 및 장치를 생산하기 위한 방법을 제공하기 위한 것이다.
MOCVD을 이용하여
Figure pat00007
r면 사파이어 기판 위에 장치-품질 무극성
Figure pat00008
a면 GaN 박막의 성장이, 모두 이곳의 참고자료로 편입된, 대리인 관리번호 제30794.95-US-P1호로서, Michael D.Craven, Stacia Keller, Steven P.DenBaars, Tal Margalith, James S.Speck, Shuji Nakamura, 그리고 Umesh K. Mishra에 의해 2002년 4월 15일자로 출원되어, "무극성 질화갈륨계 박막 및 이형구조 재료"라 명칭된, 출원 계속중이고 통상적으로 할당받은 미합중국 임시특허출원 제60/372,909호 뿐만 아니라, 대리인 관리번호 제30794.100-US-U1호로서, Michael D.Craven과 James S.Speck에 의해 동일자로 출원되어, "유기금속 화학 기상 증착법에 의해 성장된 무극성 A면 질화갈륨 박막"이라 명칭된, 출원 계속중이고 통상적으로 할당받은 미합중국 실용특허출원 제__/___,___호에 기술되어 있다.
본 발명은
Figure pat00009
a면 GaN 층들 위에 이어서 수반되는 (Al,B,In,Ga)N 양자우물 및 이형구조의 성장에 초점이 맞추어져 있다. 상기 구조의 발광 특성은 편극으로 유발된 전기장이 그들 전자띠 구조에 영향을 미치지 않으며, 그 결과 편극 없는 구조가 획득되었다는 것을 나타낸다. 편극으로 유발되는 전기장에 영향을 받지 않는 고성능 (Al,B,In,Ga)N계 장치를 실현하는데 있어서 무극성 (Al,B,In,Ga)N 양자우물을 개발시키는 것이 중요하다.
무극성
Figure pat00010
a면 GaN 층들 위에 증착시키기 위해 사용가능한 장치는 UV 및 인접-UV 광검파기 뿐만 아니라, 레이저 다이오드(LD), 발광 다이오드(LED), 공진 캐비티 LED(RC-LED), 수직 캐비티 표면 방출 레이저(VCSEL), 고전자 이동성 트랜지스터(HEMT), 이형접합 양극성 트랜지스터(HBT), 이형접합 계장 효과 트랜지스터(HFET)를 포함한다.
단계별 설명
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 무극성 (Al,B,In,Ga)N 양자우물 및 이형구조 재료 및 장치를 형성하는 방법의 각 단계를 나타낸 흐름도이다. 상기 방법의 공정은 양자우물 및 이형구조에 대해 합금 조성을 달리하는 층의 성장이 이어지는, "템플릿"
Figure pat00011
a면 GaN 층들의 성장을 포함한다.
블록 100은 수직의, 근접하는, 회전하는 디스크인, MOCVD 반응로 내로 사파이어 기판을 적재하는 공정을 나타낸다. 상기 공정을 위해, 사파이어
Figure pat00012
r면의 +/-2˚내에서 결정 방향에 따른 표면을 갖는 적층 준비된(epi-ready) 사파이어 기판은 상용 벤더로부터 얻을 수 있다. 비록 상기 사파이어 기판의 장외(ex-situ) 세척이 사전 예방 조치로서 사용될 수 있을지라도, 상기 MOCVD 반응로에 상기 사파이어 기판을 적재하기 전에 장외(ex-situ) 제작을 수행할 필요는 없다.
블록 102는 장내(in-situ) 고온(>1000℃)에서 상기 사파이어 기판을 어닐링하는 공정을 나타내는 것인데, 이는 상기 기판의 표면의 품질을 원자 규모로 개선한다. 어닐링 이후, 상기 기판의 온도는 이후에 수행되는 저온 결정핵 생성층(nucleation layer) 증착을 위해 저감된다.
블록 104는 상기 사파이어 기판 위에 얇고, 저온, 저압의, 질화물계 결정핵 생성층을 완충층으로서 증착시키는 공정을 나타낸다. 상기 층은 통상적으로 c-면(0001) 질화물 반도체의 이형에피텍셜 성장(heteroepitaxial growth)에 사용된다. 바람직한 실시예에서, 상기 결정핵 생성층은 대략 400-900℃ 및 1 atm에서 증착된 1-100 나노미터(nm)의 GaN을 포함하나, 이에 한정되지 않는다.
상기 결정핵 생성층을 증착시킨 후에, 상기 반응로의 온도가 고온으로 상승되고, 그리고 블록 106은 상기 에피텍셜
Figure pat00013
a면 GaN 층을 대략 1.5μn의 두께로 성장시키는 공정을 나타낸다. 상기 고온 성장 조건은 대략 1100℃의 성장 온도, 0.2 atm 이하의 성장 압력, 분당 30μ㏖의 Ga 유량, 및 분당 40,000μ㏖의 N 유량을 포함하지만, 이에 한정되지는 않으며, 이로써 대략 1300의 V/Ⅲ 비율을 제공한다. 바람직한 실시예에서, Ⅲ족과 Ⅴ족원으로 사용되는 전구체는, 비록 다른 전구체도 사용될 수 있지만, 각각 트리메틸갈륨 및 암모니아이다. 또한, 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서, 성장 조건들을 변경하여 다른 성장속도, 예를 들면, 초당 5와 9Å 사이, 를 산출해 낼 수 있다.
상기 고온 성장 공정이 완료되면, 블록 108은 상기 에피텍셜
Figure pat00014
a면 GaN 층을 질소 초과압력 하에 냉각시키는 공정을 나타낸다.
마지막으로, 블록 110은 무극성
Figure pat00015
a면 GaN 층 위에 성장된, 합금 조성을 달리함으로써 전기적 성질이 다른 무극성 (Al,B,In,Ga)N 층을 나타낸다. 상기 무극성 (Al,B,In,Ga)N 층은 양자우물 및 이형구조를 제작하기 위해 사용된다.
상기 양자우물이 다른 밴드갭의 교대층(alternating layer)을 사용함으로써, 상기 구조의 에너지 밴드 프로파일(energy band profile)에 "우물"(well)이 성형된다. 상기 구조의 정밀한 층수는 원하는 양자우물의 수에 달려 있다. 여기(excitation)가 완료되면, 전도 및 가전자띠의 우물에는 전자 및 홀들이 각각 축적된다. 밴드간(band-to-band) 재결합이 상기 우물층에서 일어나는데, 이는 상태밀도(density-of-states)가 상기의 지점에서 가장 높기 때문이다. 따라서, 원하는 방출 특성과 가용 에피텍셜 성장 능력에 따라 양자우물을 설계할 수 있다.
상기 무극성
Figure pat00016
a면 GaN 층들 위에 성공적으로 성장된 상기 층의 공칭 두께 및 조성은:
8nm Si 도핑된 In0 .03GaN 장벽
1.5, 2.5, 또는 5 nm의 In0 .1GaN 우물
을 포함하나, 이에 한정되지 않는다.
더욱이, 상기의 블록들은 필요시 반복될 수 있다. 일례로, 상기 (In,Ga)N 층들의 무결함을 유지하기 위하여 GaN으로 캡핑된 MQW 구조를 성형하기 위해 블록 110을 5회 반복하였다. 이 예에서, 상기 MQW 구조를 포함하는 상기 층들을 825℃의 온도와 대기압 하에서 MOCVD를 이용하여 성장시켰다.
상기 구조의 발광 특성으로 상기의 편극으로 유발되는 전기장은 상기 밴드 프로파일(band profile)에 영향을 미치지 않으며, 상기 양자우물은 편극이 존재하지 않는 것으로 간주될 수 있다는 것을 알 수 있다. 예를 들면, 도 2는 실온에서 측정된 1.5nm, 2.5nm, 및 5.0nm의 공칭 우물 두께를 갖는 5 주기 a면 In0.1GaN/In0.03GaN MQW 구조의 광발광(PL) 스펙트럼을 나타낸다. 최고점(peak) PL 방출 파장 및 강도는 우물폭이 증가함에 따라 증가한다.
게다가, 도 3은 여러가지 펌프 동력용으로 측정된 5.0nm의 공칭 우물폭을 갖는 a면 In0 .03Ga0 .97N/In0 .1Ga0 .9N MQW 구조의 PL 스펙트럼을 나타낸다. PL 강도는 예상대로 펌프 동력에 따라 증가하는 반면, 상기 최고점 방출 파장은 펌프 동력에 독립적이라는 것으로부터, 상기 밴드 프로파일은 편극으로 유발되는 전기장에 의해 영향을 받지 않는다는 것을 알 수 있다.
(In,Ga)N 양자우물 외에, (Al,Ga)N/GaN 초격자를 함유하는 이형구조를 무극성
Figure pat00017
a면 GaN 층들 위에 또한 성장시킬 수 있다. 예를 들면, 이형구조는 트랜지스터 작동용으로 필요한 전기 채널을 발생시키기 위해 전형적으로 2 개 층, 가장 일반적으로는 GaN 위의 (Al,Ga)N, 으로 구성된다. 상기 초격자층의 두께 및 조성은:
9nm Al0 .4GaN 장벽
11nm GaN 우물
을 포함하나, 이에 한정되지 않는다.
일례로, 11nm GaN 우물층으로 종결되는 10 주기 Al0 .4Ga0 .6N/GaN 초격자를 성형하기 위해 블록 110을 10회 반복하였다. 상기 초격자는 하부 템플릿 층에서 수행된 것과 유사한 조건: ~1100℃ 성장온도, ~0.1 atm 성장 압력, 38 μ㏖/min의 Al 유량, 20 μ㏖/min의 Ga 유량, 그리고 40,000 μ㏖/min의 N 유량, 에서 MOCVD를 이용하여 성장시켰다. 상기 GaN 우물층을 성형하기 위해 상기 Al 유량을 간단하게 중지시켰다. 성공적인 성장 조건은 위에 제공된 값으로 엄격하게 제한되지 않는다. 상기 (In,Ga)N 양자우물과 유사하게, 상술한 초격자의 발광 특성으로 편극장은 상기 구조에 영향을 미치지 않는다는 것을 알 수 있다.
도 4(a)는 선명하게 정의된 위성 최고점(satellite peak)를 드러내는 10 주기 Al0 .4Ga0 .6N/GaN 초격자의 2θ-ω x-선 회절주사도를 보여 주는데 반하여, 도 4(b)는 도 4(a)에서 특징지어진 상기 초격자의 PL 스펙트럼을 도시한다. 상기 편극으로 유발되는 계장이 존재하지 않는 것은 상기 초격자의 3.45 eV(~360nm) 밴드 가장자리(edge) 방출에 의한 것으로 입증되었다. 상기 밴드 가장자리 방출은 c-면 초격자에 존재하는 미묘한 적색천이를 경험하지 못했다.
참고문헌
하기 참고문헌은 참조용으로 여기에 편입시킨다.
1. T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters) 36, L382-5 (1997).
2. P. Lefebvre, A. Morel, M. Gallart, T. Taliercio, J. Allegre, B. Gil, H. Mathieu, B. Damilano, N. Grandjean, and J. Massies, Applied Physics Letters 78, 1252-4 (2001).
3. N. Grandjean, B. Damilano, S. Dalmasso, M. Leroux, M. Laugt, and J. Massies, J. Appl. Phys. 86 (1999) 3714.
4. M. Leroux, N. Grandjean, J. Massies, B. Gil, P. Lefebvre, and P. Bigenwald, Phys. Rev. B 60 (1999) 1496.
5. R. Langer, J. Simon, V. Ortiz, N. T. Pelekanos, A. Barski, R. Andre, and M. Godlewski, Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 3827.
6. P. Lefebvre, J. Allegre, B. Gil, H. Mathieu, N. Grandjean, M. Leroux, J. Massies, and P. Bigenwald, Phys. Rev. B 59 (1999) 15363.
7. I. Jin Seo, H. Kollmer, J. Off, A. Sohmer, F. Scholz, and A. Hangleiter, Phys. Rev. B 57 (1998) R9435.
8. P. Seoung-Hwan and C. Shun-Lien, Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 1981.
9. P. Waltereit, O. Brandt, A. Trampert, H. T. Grahn, J. Menniger, M. Ramsteiner, M. Reiche, and K. H. Ploog, Nature 406 (2000) 865.
10. H. M. Ng, Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 4369.
11. M. D. Craven, S. H. Lim, F. Wu, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 469.
12. O. Brandt, P. Waltereit, and K. H. Ploog, J. Phys. D, Appl. Phys. (UK) 35 (2002) 577.
13. M. Leszczynski, H. Teisseyre, T. Suski, I. Grzegory, M. Bockowski, J. Jun, S. Porowski, K. Pakula, J. M. Baranowski, C. T. Foxon, and T. S. Cheng, Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 73.
14. A. F. Wright, J. Appl. Phys. 82 (1997) 2833.
15. I. H. Tan, G. L. Snider, L. D. Chang, and E. L. Hu, J. Appl. Phys. 68 (1990) 4071.
16. E. Yablonovitch and E.O. Kane, Journal of Lightwave Technology LT-4(5), 504-6 (1986).
결론
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 상세한 설명을 결론 짓는다. 이하에서는 본 발명을 달성하기 위한 일부 대안적인 실시예들을 기술한다.
예를 들면, 무극성 (Al,In,Ga)N 양자우물 및 이형구조 설계, 그리고 MOCVD 성장 조건들을 변경하여 대안적인 실시예들에 사용할 수 있다. 더욱이, 상기 층들의 특정 두께 및 조성은, 성장된 양자우물의 수 외에, 양자우물 구조 설계에 있어서 고유 변수이고, 그리고 본 발명의 대안적인 실시예들에 사용될 수 있다.
게다가, 상기 특정의 MOCVD 성장 조건은 상기 양자우물 구조층의 치수와 조성을 결정한다. 이러한 면에서, MOCVD 성장 조건은 반응로에 의존적이며, 특정의 반응로 설계 간에서 변경될 수 있다. 산업계와 학계에서 현재 사용하는 다양한 반응로 설계와 더불어 상기 공정을 다양하게 변경시키는 것이 가능하다.
본 발명의 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서, 성장온도, 성장 압력, V/Ⅲ 비율, 전구체 유량, 및 원재료와 같은 조건들을 다양하게 변경시키는 것이 가능하다. 계면 품질을 제어하는 것은 상기 공정의 또 다른 중요한 관점이며, 특별한 반응로 설계에 있어서의 유량 변환 능력에 직접적으로 연관되어 있다. 계속해서 상기 성장 조건들을 최적화 한다면 상술한 집적 양자우물층의 보다 정확한 조성 및 두께조절에 이를 것이다.
또한, MOCVD 보다 다수의 다른 성장 방법들을 본 발명에 사용할 수 있을 것이다. 예를 들면, 상기 성장 방법은 또한, 분자선 에피탁시(MBE), 액상 에피탁시(LPE), 하이브리드 기상 에피탁시(HVPE), 승화, 또는 플라즈마-증강 화학 기상 증착법(PECVD)일 수 있다.
게다가, 비록 무극성 a면 GaN 박막을 여기에 기술하였지만, 무극성 m-면 GaN 박막에도 동일한 기술을 적용할 수 있다. 더욱이, GaN 박막 대신에 무극성 InN, AlN, 및 AlInGaN 박막을 생산해 낼 수 있다.
마지막으로, 무극성 GaN 성장에 있어서 사파이어 기판 이외의 기판을 사용할 수 있다. 상기 기판은 실리콘 카바이드, 질화 갈륨, 실리콘, 산화 아연, 보론 나이트라이드, 리튬 알루미네이트, 리튬 니오베이트, 게르마늄, 질화 알루미늄, 및 리튬 갤레이트를 포함한다.
요약하면, 본 발명은 무극성 (Al,B,In,Ga)N 양자우물 및 이형구조 재료 및 장치들을 성형하는 방법을 상술한다. 먼저, 무극성
Figure pat00018
a면 GaN 박막을 MOCVD를 이용하여
Figure pat00019
r면 사파이어 기판 위에 성장시킨다. 상기 무극성
Figure pat00020
a면 GaN 층은 무극성 (Al,B,In,Ga)N 양자우물 및 이형구조 재료 및 장치들을 생산하기 위한 템플릿(template)을 포함한다.
도해와 설명을 목적으로 전술한 하나 이상의 본 발명에 따른 실시예들을 제공하였다. 본 발명을 개시된 정확한 형태대로 철저하게 규명해 내거나 제한하기 위한 의도는 아니다. 상기에서 교시된 것에 의해 다양한 변경과 변형이 가능하다. 본 발명의 범위가 상기 상세한 설명에 의해 제한되는 것은 아니며, 오히려 첨부된 청구범위에 의한다.

Claims (1)

  1. Al, B, Ga 중 적어도 하나와, In 및 N을 포함하는 하나 이상의 무극성(non-polar) 양자우물층(quantum well layers)을 포함하는 질화물 반도체소자.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7361341B2 (en) * 2001-05-25 2008-04-22 Human Genome Sciences, Inc. Methods of treating cancer using antibodies that immunospecifically bind to trail receptors
JP4932121B2 (ja) * 2002-03-26 2012-05-16 日本電気株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体基板の製造方法
US7208393B2 (en) * 2002-04-15 2007-04-24 The Regents Of The University Of California Growth of planar reduced dislocation density m-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
US20030198837A1 (en) * 2002-04-15 2003-10-23 Craven Michael D. Non-polar a-plane gallium nitride thin films grown by metalorganic chemical vapor deposition
WO2004061969A1 (en) * 2002-12-16 2004-07-22 The Regents Of The University Of California Growth of planar, non-polar a-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
WO2005064643A1 (en) 2003-04-15 2005-07-14 The Regents Of The University Of California NON-POLAR (A1,B,In,Ga)N QUANTUM WELLS
US8809867B2 (en) * 2002-04-15 2014-08-19 The Regents Of The University Of California Dislocation reduction in non-polar III-nitride thin films
US6900067B2 (en) * 2002-12-11 2005-05-31 Lumileds Lighting U.S., Llc Growth of III-nitride films on mismatched substrates without conventional low temperature nucleation layers
US7186302B2 (en) * 2002-12-16 2007-03-06 The Regents Of The University Of California Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition
US7427555B2 (en) 2002-12-16 2008-09-23 The Regents Of The University Of California Growth of planar, non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
US7033858B2 (en) * 2003-03-18 2006-04-25 Crystal Photonics, Incorporated Method for making Group III nitride devices and devices produced thereby
US20060276043A1 (en) * 2003-03-21 2006-12-07 Johnson Mark A L Method and systems for single- or multi-period edge definition lithography
US7323256B2 (en) * 2003-11-13 2008-01-29 Cree, Inc. Large area, uniformly low dislocation density GaN substrate and process for making the same
US7198970B2 (en) * 2004-01-23 2007-04-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Technique for perfecting the active regions of wide bandgap semiconductor nitride devices
US7115908B2 (en) * 2004-01-30 2006-10-03 Philips Lumileds Lighting Company, Llc III-nitride light emitting device with reduced polarization fields
US7408201B2 (en) * 2004-03-19 2008-08-05 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Polarized semiconductor light emitting device
US7808011B2 (en) * 2004-03-19 2010-10-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor light emitting devices including in-plane light emitting layers
KR100718188B1 (ko) * 2004-05-07 2007-05-15 삼성코닝 주식회사 비극성 ａ면 질화물 반도체 단결정 기판 및 이의 제조방법
JP5379973B2 (ja) * 2004-05-10 2013-12-25 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 有機金属気相成長法による非極性窒化インジウムガリウム薄膜、ヘテロ構造物およびデバイスの製作
US7504274B2 (en) 2004-05-10 2009-03-17 The Regents Of The University Of California Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition
US20080163814A1 (en) * 2006-12-12 2008-07-10 The Regents Of The University Of California CRYSTAL GROWTH OF M-PLANE AND SEMIPOLAR PLANES OF (Al, In, Ga, B)N ON VARIOUS SUBSTRATES
US8227820B2 (en) * 2005-02-09 2012-07-24 The Regents Of The University Of California Semiconductor light-emitting device
US7956360B2 (en) * 2004-06-03 2011-06-07 The Regents Of The University Of California Growth of planar reduced dislocation density M-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
US9011598B2 (en) * 2004-06-03 2015-04-21 Soitec Method for making a composite substrate and composite substrate according to the method
US20060073621A1 (en) * 2004-10-01 2006-04-06 Palo Alto Research Center Incorporated Group III-nitride based HEMT device with insulating GaN/AlGaN buffer layer
JP4806999B2 (ja) * 2004-11-29 2011-11-02 ソニー株式会社 ＧａＮ系化合物半導体から成る下地層の形成方法
CN101845670A (zh) * 2005-03-10 2010-09-29 加利福尼亚大学董事会 用于生长平坦半极性氮化镓的技术
KR100593936B1 (ko) * 2005-03-25 2006-06-30 삼성전기주식회사 비극성 ａ면 질화갈륨 단결정 제조방법
EP1885918B1 (en) * 2005-05-11 2017-01-25 North Carolina State University Methods of preparing controlled polarity group iii-nitride films
US9153645B2 (en) 2005-05-17 2015-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication
US20070267722A1 (en) * 2006-05-17 2007-11-22 Amberwave Systems Corporation Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication
EP1882268B1 (en) * 2005-05-17 2016-12-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication
US8324660B2 (en) 2005-05-17 2012-12-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication
JP2006324465A (ja) * 2005-05-19 2006-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
TW200703463A (en) * 2005-05-31 2007-01-16 Univ California Defect reduction of non-polar and semi-polar III-nitrides with sidewall lateral epitaxial overgrowth (SLEO)
TWI377602B (en) 2005-05-31 2012-11-21 Japan Science & Tech Agency Growth of planar non-polar {1-100} m-plane gallium nitride with metalorganic chemical vapor deposition (mocvd)
KR101351396B1 (ko) 2005-06-01 2014-02-07 재팬 사이언스 앤드 테크놀로지 에이젼시 반극성 (Ｇａ,Ａｌ,Ｉｎ,Ｂ)Ｎ 박막들, 헤테로구조들, 및소자들의 성장 및 제조에 대한 기술
US8148244B2 (en) * 2005-07-13 2012-04-03 The Regents Of The University Of California Lateral growth method for defect reduction of semipolar nitride films
WO2007014294A2 (en) * 2005-07-26 2007-02-01 Amberwave Systems Corporation Solutions integrated circuit integration of alternative active area materials
US20070054467A1 (en) * 2005-09-07 2007-03-08 Amberwave Systems Corporation Methods for integrating lattice-mismatched semiconductor structure on insulators
US7638842B2 (en) * 2005-09-07 2009-12-29 Amberwave Systems Corporation Lattice-mismatched semiconductor structures on insulators
JP2007080855A (ja) * 2005-09-09 2007-03-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電界効果型トランジスタ
CN100344006C (zh) * 2005-10-13 2007-10-17 南京大学 一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法
EP1788619A3 (en) * 2005-11-18 2009-09-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
JP4807081B2 (ja) * 2006-01-16 2011-11-02 ソニー株式会社 ＧａＮ系化合物半導体から成る下地層の形成方法、並びに、ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法
US20120161287A1 (en) * 2006-01-20 2012-06-28 Japan Science And Technology Agency METHOD FOR ENHANCING GROWTH OF SEMI-POLAR (Al,In,Ga,B)N VIA METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
WO2007084782A2 (en) 2006-01-20 2007-07-26 The Regents Of The University Of California Method for improved growth of semipolar (al,in,ga,b)n
RU2315135C2 (ru) 2006-02-06 2008-01-20 Владимир Семенович Абрамов Метод выращивания неполярных эпитаксиальных гетероструктур на основе нитридов элементов iii группы
WO2007119433A1 (ja) * 2006-03-20 2007-10-25 Kanagawa Academy Of Science And Technology Ｉｉｉ－ｖ族窒化物層およびその製造方法
JP4888857B2 (ja) * 2006-03-20 2012-02-29 国立大学法人徳島大学 Ｉｉｉ族窒化物半導体薄膜およびｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
US7777250B2 (en) 2006-03-24 2010-08-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lattice-mismatched semiconductor structures and related methods for device fabrication
KR100809209B1 (ko) * 2006-04-25 2008-02-29 삼성전기주식회사 비극성 ｍ면 질화물 반도체 제조방법
WO2007133603A2 (en) 2006-05-09 2007-11-22 The Regents Of The University Of California In-situ defect reduction techniques for nonpolar and semipolar (ai, ga, in)n
CN100373548C (zh) * 2006-06-13 2008-03-05 中国科学院上海光学精密机械研究所 铝酸锂晶片上生长非极性GaN厚膜的方法
CN100403567C (zh) * 2006-07-26 2008-07-16 武汉华灿光电有限公司 一种避免或减少蓝绿光发光二极管材料的v-型缺陷的方法
US8173551B2 (en) 2006-09-07 2012-05-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Defect reduction using aspect ratio trapping
WO2008036256A1 (en) * 2006-09-18 2008-03-27 Amberwave Systems Corporation Aspect ratio trapping for mixed signal applications
WO2008039495A1 (en) * 2006-09-27 2008-04-03 Amberwave Systems Corporation Tri-gate field-effect transistors formed by aspect ratio trapping
WO2008039534A2 (en) 2006-09-27 2008-04-03 Amberwave Systems Corporation Quantum tunneling devices and circuits with lattice- mismatched semiconductor structures
WO2008051503A2 (en) 2006-10-19 2008-05-02 Amberwave Systems Corporation Light-emitter-based devices with lattice-mismatched semiconductor structures
US7589360B2 (en) 2006-11-08 2009-09-15 General Electric Company Group III nitride semiconductor devices and methods of making
JP4538596B2 (ja) 2006-11-14 2010-09-08 国立大学法人大阪大学 ＧａＮ結晶の製造方法
WO2008060349A2 (en) * 2006-11-15 2008-05-22 The Regents Of The University Of California Method for heteroepitaxial growth of high-quality n-face gan, inn, and ain and their alloys by metal organic chemical vapor deposition
US8193020B2 (en) * 2006-11-15 2012-06-05 The Regents Of The University Of California Method for heteroepitaxial growth of high-quality N-face GaN, InN, and AlN and their alloys by metal organic chemical vapor deposition
JP2010512660A (ja) * 2006-12-11 2010-04-22 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 無極性および半極性の発光デバイス
TWI533351B (zh) * 2006-12-11 2016-05-11 美國加利福尼亞大學董事會 高效能非極性第三族氮化物光學裝置之金屬有機化學氣相沈積生長
KR100843474B1 (ko) * 2006-12-21 2008-07-03 삼성전기주식회사 Ⅲ족 질화물 단결정 성장방법 및 이를 이용하여 제조된질화물 단결정
GB0702560D0 (en) * 2007-02-09 2007-03-21 Univ Bath Production of Semiconductor devices
US8211723B2 (en) * 2007-02-12 2012-07-03 The Regents Of The University Of California Al(x)Ga(1-x)N-cladding-free nonpolar III-nitride based laser diodes and light emitting diodes
US8237151B2 (en) 2009-01-09 2012-08-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Diode-based devices and methods for making the same
WO2008124154A2 (en) 2007-04-09 2008-10-16 Amberwave Systems Corporation Photovoltaics on silicon
US8304805B2 (en) 2009-01-09 2012-11-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor diodes fabricated by aspect ratio trapping with coalesced films
US7825328B2 (en) 2007-04-09 2010-11-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Nitride-based multi-junction solar cell modules and methods for making the same
KR101488545B1 (ko) * 2007-05-17 2015-02-02 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 Ｉｉｉ 족 질화물 반도체 결정의 제조 방법, ｉｉｉ 족 질화물 반도체 기판 및 반도체 발광 디바이스
US8329541B2 (en) 2007-06-15 2012-12-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. InP-based transistor fabrication
JP4825745B2 (ja) * 2007-07-13 2011-11-30 日本碍子株式会社 非極性面ｉｉｉ族窒化物の製造方法
JP4825746B2 (ja) * 2007-07-13 2011-11-30 日本碍子株式会社 非極性面ｉｉｉ族窒化物の製造方法
JP4825747B2 (ja) * 2007-07-13 2011-11-30 日本碍子株式会社 非極性面ｉｉｉ族窒化物単結晶の製造方法
US8574968B2 (en) * 2007-07-26 2013-11-05 Soitec Epitaxial methods and templates grown by the methods
KR101537300B1 (ko) * 2007-08-08 2015-07-16 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 미스컷 기판들 상에 성장된 평면의 무극성 ｍ-면 Ⅲ족-질화물 막들
KR20100037169A (ko) * 2007-08-08 2010-04-08 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 장파장 방출을 갖는 무극성 ｉｉｉ족 질화물 발광 다이오드들
JP4869179B2 (ja) * 2007-08-10 2012-02-08 三洋電機株式会社 半導体基板およびその製造方法
KR101093588B1 (ko) 2007-09-07 2011-12-15 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 멀티-정션 솔라 셀
KR20100067114A (ko) * 2007-09-19 2010-06-18 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 비극성 및 반극성 질화물 기판들의 면적을 증가하기 위한 방법
US7670933B1 (en) 2007-10-03 2010-03-02 Sandia Corporation Nanowire-templated lateral epitaxial growth of non-polar group III nitrides
KR100998008B1 (ko) * 2007-12-17 2010-12-03 삼성엘이디 주식회사 소자 형성용 기판의 제조방법 및 질화물계 반도체 레이저다이오드의 제조방법
KR101510377B1 (ko) * 2008-01-21 2015-04-06 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 및 수직형 발광 소자의 제조방법
KR20100107054A (ko) 2008-02-01 2010-10-04 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 웨이퍼 비축 절단에 의한 질화물 발광 다이오드들의 광학 편광의 강화
KR20100134577A (ko) * 2008-03-03 2010-12-23 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 질화물 반도체 결정과 그 제조 방법
WO2009110187A1 (ja) * 2008-03-05 2009-09-11 パナソニック株式会社 発光素子
WO2009141724A1 (en) * 2008-05-23 2009-11-26 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Formation of substantially pit free indium gallium nitride
US8183667B2 (en) 2008-06-03 2012-05-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Epitaxial growth of crystalline material
US8274097B2 (en) 2008-07-01 2012-09-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Reduction of edge effects from aspect ratio trapping
CN100565804C (zh) * 2008-07-04 2009-12-02 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 HVPE方法生长氮化镓膜中的SiO2纳米掩膜及方法
US8981427B2 (en) 2008-07-15 2015-03-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Polishing of small composite semiconductor materials
US8673074B2 (en) 2008-07-16 2014-03-18 Ostendo Technologies, Inc. Growth of planar non-polar {1 -1 0 0} M-plane and semi-polar {1 1 -2 2} gallium nitride with hydride vapor phase epitaxy (HVPE)
US7915178B2 (en) 2008-07-30 2011-03-29 North Carolina State University Passivation of aluminum nitride substrates
WO2010023516A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Uv absorption based monitor and control of chloride gas stream
US20100072515A1 (en) 2008-09-19 2010-03-25 Amberwave Systems Corporation Fabrication and structures of crystalline material
CN102160145B (zh) 2008-09-19 2013-08-21 台湾积体电路制造股份有限公司 通过外延层过成长的元件形成
US8253211B2 (en) 2008-09-24 2012-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor sensor structures with reduced dislocation defect densities
KR100988478B1 (ko) 2008-11-12 2010-10-18 전자부품연구원 비극성 또는 반극성 질화물 반도체 기판 및 제조방법
TWI380368B (en) * 2009-02-04 2012-12-21 Univ Nat Chiao Tung Manufacture method of a multilayer structure having non-polar a-plane {11-20} iii-nitride layer
TWI398908B (zh) * 2009-02-27 2013-06-11 Lextar Electronics Corp 半導體層的形成方法
JP5095653B2 (ja) * 2009-03-23 2012-12-12 日本電信電話株式会社 窒化物半導体構造
WO2010114956A1 (en) 2009-04-02 2010-10-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Devices formed from a non-polar plane of a crystalline material and method of making the same
JP5641506B2 (ja) * 2009-04-03 2014-12-17 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 窒化物半導体の結晶成長方法および半導体装置の製造方法
TWI362772B (en) * 2009-05-07 2012-04-21 Lextar Electronics Corp Fabrication method of light emitting diode
CN102460739A (zh) * 2009-06-05 2012-05-16 加利福尼亚大学董事会 长波长非极性及半极性(Al,Ga,In)N基激光二极管
US8629065B2 (en) 2009-11-06 2014-01-14 Ostendo Technologies, Inc. Growth of planar non-polar {10-10} M-plane gallium nitride with hydride vapor phase epitaxy (HVPE)
KR101135950B1 (ko) * 2009-11-23 2012-04-18 전자부품연구원 반도체 소자 및 그 제조 방법
TW201200646A (en) * 2010-03-15 2012-01-01 Univ California Group-III nitride crystal ammonothermally grown using an initially off-oriented non-polar or semi-polar growth surface of a group-III nitride seed crystal
TWI414087B (zh) * 2010-08-16 2013-11-01 Univ Nat Sun Yat Sen 於藍寶石基板上成長非極性面氮化鎵薄膜方法及其發光二極體構造
CN102146585A (zh) * 2011-01-04 2011-08-10 武汉华炬光电有限公司 非极性面GaN外延片及其制备方法
US20130025531A1 (en) * 2011-07-25 2013-01-31 Capano Michael A Methods for modifying crystallographic symmetry on the surface of a silicon wafer
CN103403842A (zh) 2011-08-09 2013-11-20 松下电器产业株式会社 氮化物半导体层生长用结构、层叠结构、氮化物系半导体元件及光源以及它们的制造方法
JP5416754B2 (ja) * 2011-11-15 2014-02-12 フューチャー ライト リミテッド ライアビリティ カンパニー 半導体基板およびその製造方法
US10435812B2 (en) 2012-02-17 2019-10-08 Yale University Heterogeneous material integration through guided lateral growth
WO2013147710A1 (en) * 2012-03-29 2013-10-03 Agency For Science, Technology And Research Iii-nitride high electron mobility transistor structures and methods for fabrication of same
KR20150006444A (ko) 2012-04-16 2015-01-16 센서 일렉트로닉 테크놀로지, 인크 비-균일 다중 양자 우물 구조
JP5891390B2 (ja) 2012-10-05 2016-03-23 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 窒化物半導体構造、積層構造、および窒化物半導体発光素子
KR101998339B1 (ko) * 2012-11-16 2019-07-09 삼성전자주식회사 금속 산화물 반도체의 성장 결정면 제어방법 및 제어된 성장 결정면을 가지는 금속 산화물 반도체 구조물
CN103178171B (zh) * 2013-02-28 2015-08-05 溧阳市宏达电机有限公司 一种高亮度发光二极管
CN103215647A (zh) * 2013-03-27 2013-07-24 上海萃智科技发展有限公司 一种非极性a面GaN薄膜生长方法
KR102140789B1 (ko) 2014-02-17 2020-08-03 삼성전자주식회사 결정 품질 평가장치, 및 그것을 포함한 반도체 발광소자의 제조 장치 및 제조 방법
KR101591677B1 (ko) 2014-09-26 2016-02-18 광주과학기술원 고품위 질화물계 반도체 성장방법
US9668573B2 (en) 2014-11-05 2017-06-06 Larry A. Salani Wine bottle rack-building kit, packaging, and method
JP6569727B2 (ja) 2015-02-23 2019-09-04 三菱ケミカル株式会社 Ｃ面ＧａＮ基板
US11322652B2 (en) * 2015-12-14 2022-05-03 Ostendo Technologies, Inc. Methods for producing composite GaN nanocolumns and light emitting structures made from the methods
US9608160B1 (en) 2016-02-05 2017-03-28 International Business Machines Corporation Polarization free gallium nitride-based photonic devices on nanopatterned silicon
TWI583831B (zh) * 2016-05-31 2017-05-21 國立中山大學 Ｍ面氮化鎵的製備方法
US10896818B2 (en) 2016-08-12 2021-01-19 Yale University Stacking fault-free semipolar and nonpolar GaN grown on foreign substrates by eliminating the nitrogen polar facets during the growth
WO2018217973A1 (en) * 2017-05-26 2018-11-29 Yale University Nitrogen-polar and semipolar gan layers and devices formed on sapphire with a high-temperature a1n buffer
CN109425442B (zh) * 2017-08-22 2020-07-24 北京自动化控制设备研究所 一种原子气室内部温度简易标定方法
US10892159B2 (en) 2017-11-20 2021-01-12 Saphlux, Inc. Semipolar or nonpolar group III-nitride substrates
US10373825B1 (en) * 2018-05-29 2019-08-06 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University Method for manufacturing gallium nitride substrate using core-shell nanoparticle
JP6595731B1 (ja) * 2018-10-26 2019-10-23 株式会社サイオクス 窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板および積層構造体
US11949039B2 (en) 2018-11-05 2024-04-02 King Abdullah University Of Science And Technology Optoelectronic semiconductor device with nanorod array
KR20210125551A (ko) * 2019-02-22 2021-10-18 미쯔비시 케미컬 주식회사 GaN 결정 및 기판
CN110061104B (zh) * 2019-02-28 2020-08-14 华灿光电(苏州）有限公司 氮化镓基发光二极管外延片的制造方法
CN110129765B (zh) * 2019-05-23 2021-04-02 广东省半导体产业技术研究院 一种氮化物半导体材料及其制备方法
CN110517949B (zh) * 2019-07-29 2021-05-11 太原理工大学 一种利用SiO2作为衬底制备非极性a面GaN外延层的方法
CN114784123A (zh) * 2022-03-18 2022-07-22 华南理工大学 非极性a面GaN基紫外光电探测器及其制备方法

Family Cites Families (140)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US372909A (en) 1887-11-08 Method of making dress-forms
JPH033233A (ja) * 1989-05-30 1991-01-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 化合物半導体単結晶薄膜の成長方法
US5290393A (en) * 1991-01-31 1994-03-01 Nichia Kagaku Kogyo K.K. Crystal growth method for gallium nitride-based compound semiconductor
US5633192A (en) * 1991-03-18 1997-05-27 Boston University Method for epitaxially growing gallium nitride layers
JP2540791B2 (ja) * 1991-11-08 1996-10-09 日亜化学工業株式会社 ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
US5306662A (en) * 1991-11-08 1994-04-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Method of manufacturing P-type compound semiconductor
US5432808A (en) * 1993-03-15 1995-07-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Compound semicondutor light-emitting device
US5679152A (en) * 1994-01-27 1997-10-21 Advanced Technology Materials, Inc. Method of making a single crystals Ga*N article
US6958093B2 (en) 1994-01-27 2005-10-25 Cree, Inc. Free-standing (Al, Ga, In)N and parting method for forming same
US6440823B1 (en) 1994-01-27 2002-08-27 Advanced Technology Materials, Inc. Low defect density (Ga, Al, In)N and HVPE process for making same
US5974069A (en) 1994-09-16 1999-10-26 Rohm Co., Ltd Semiconductor laser and manufacturing method thereof
US5777350A (en) * 1994-12-02 1998-07-07 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor light-emitting device
US5670798A (en) * 1995-03-29 1997-09-23 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
JP3599896B2 (ja) * 1995-05-19 2004-12-08 三洋電機株式会社 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の製造方法
JP2839077B2 (ja) 1995-06-15 1998-12-16 日本電気株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JPH09116225A (ja) * 1995-10-20 1997-05-02 Hitachi Ltd 半導体発光素子
JP3816176B2 (ja) * 1996-02-23 2006-08-30 富士通株式会社 半導体発光素子及び光半導体装置
US6072197A (en) * 1996-02-23 2000-06-06 Fujitsu Limited Semiconductor light emitting device with an active layer made of semiconductor having uniaxial anisotropy
US5923950A (en) 1996-06-14 1999-07-13 Matsushita Electric Industrial Co., Inc. Method of manufacturing a semiconductor light-emitting device
US5784187A (en) 1996-07-23 1998-07-21 Lucent Technologies Inc. Wafer level integration of an optical modulator and III-V photodetector
US6177292B1 (en) 1996-12-05 2001-01-23 Lg Electronics Inc. Method for forming GaN semiconductor single crystal substrate and GaN diode with the substrate
JP3488587B2 (ja) * 1997-01-09 2004-01-19 株式会社東芝 昇圧回路及びこれを備えたｉｃカード
JP3139445B2 (ja) * 1997-03-13 2001-02-26 日本電気株式会社 ＧａＮ系半導体の成長方法およびＧａＮ系半導体膜
JPH11191657A (ja) * 1997-04-11 1999-07-13 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
ATE550461T1 (de) * 1997-04-11 2012-04-15 Nichia Corp Wachstumsmethode für einen nitrid-halbleiter
US6069021A (en) 1997-05-14 2000-05-30 Showa Denko K.K. Method of growing group III nitride semiconductor crystal layer and semiconductor device incorporating group III nitride semiconductor crystal layer
JPH10335637A (ja) * 1997-05-30 1998-12-18 Sony Corp ヘテロ接合電界効果トランジスタ
JP3496512B2 (ja) * 1997-06-30 2004-02-16 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
JP3813740B2 (ja) 1997-07-11 2006-08-23 Ｔｄｋ株式会社 電子デバイス用基板
JPH11340580A (ja) 1997-07-30 1999-12-10 Fujitsu Ltd 半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法
US5926726A (en) * 1997-09-12 1999-07-20 Sdl, Inc. In-situ acceptor activation in group III-v nitride compound semiconductors
US6849472B2 (en) * 1997-09-30 2005-02-01 Lumileds Lighting U.S., Llc Nitride semiconductor device with reduced polarization fields
JP3955367B2 (ja) * 1997-09-30 2007-08-08 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー 光半導体素子およびその製造方法
US6201262B1 (en) 1997-10-07 2001-03-13 Cree, Inc. Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure
US6051849A (en) 1998-02-27 2000-04-18 North Carolina State University Gallium nitride semiconductor structures including a lateral gallium nitride layer that extends from an underlying gallium nitride layer
CN1143363C (zh) * 1998-02-27 2004-03-24 北卡罗莱纳州立大学 通过掩模横向蔓生制作氮化镓半导体层的方法及由此制作的氮化镓半导体结构
JP3988245B2 (ja) * 1998-03-12 2007-10-10 ソニー株式会社 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法および半導体装置の製造方法
JPH11346002A (ja) * 1998-04-01 1999-12-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
US6086673A (en) * 1998-04-02 2000-07-11 Massachusetts Institute Of Technology Process for producing high-quality III-V nitride substrates
US6294440B1 (en) * 1998-04-10 2001-09-25 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor substrate, light-emitting device, and method for producing the same
JP3995790B2 (ja) * 1998-04-10 2007-10-24 シャープ株式会社 結晶製造方法
JPH11297631A (ja) 1998-04-14 1999-10-29 Matsushita Electron Corp 窒化物系化合物半導体の成長方法
US6180270B1 (en) * 1998-04-24 2001-01-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Low defect density gallium nitride epilayer and method of preparing the same
US6064078A (en) 1998-05-22 2000-05-16 Xerox Corporation Formation of group III-V nitride films on sapphire substrates with reduced dislocation densities
TW417315B (en) 1998-06-18 2001-01-01 Sumitomo Electric Industries GaN single crystal substrate and its manufacture method of the same
WO1999066565A1 (en) 1998-06-18 1999-12-23 University Of Florida Method and apparatus for producing group-iii nitrides
JP2000058917A (ja) * 1998-08-07 2000-02-25 Pioneer Electron Corp Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法
US6271104B1 (en) * 1998-08-10 2001-08-07 Mp Technologies Fabrication of defect free III-nitride materials
JP2000068609A (ja) 1998-08-24 2000-03-03 Ricoh Co Ltd 半導体基板および半導体レーザ
US6608330B1 (en) * 1998-09-21 2003-08-19 Nichia Corporation Light emitting device
JP3592553B2 (ja) 1998-10-15 2004-11-24 株式会社東芝 窒化ガリウム系半導体装置
WO2000033388A1 (en) 1998-11-24 2000-06-08 Massachusetts Institute Of Technology METHOD OF PRODUCING DEVICE QUALITY (Al)InGaP ALLOYS ON LATTICE-MISMATCHED SUBSTRATES
JP4304750B2 (ja) 1998-12-08 2009-07-29 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
JP3794530B2 (ja) * 1998-12-24 2006-07-05 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子
JP2000216497A (ja) * 1999-01-22 2000-08-04 Sanyo Electric Co Ltd 半導体素子およびその製造方法
JP4097343B2 (ja) 1999-01-26 2008-06-11 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子の製造方法
US6177057B1 (en) * 1999-02-09 2001-01-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Process for preparing bulk cubic gallium nitride
JP3754226B2 (ja) 1999-03-25 2006-03-08 三洋電機株式会社 半導体発光素子
JP3375064B2 (ja) * 1999-04-02 2003-02-10 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体の成長方法
JP3587081B2 (ja) 1999-05-10 2004-11-10 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
JP2001007394A (ja) 1999-06-18 2001-01-12 Ricoh Co Ltd 半導体基板およびその作製方法および半導体発光素子
JP4329166B2 (ja) 1999-06-23 2009-09-09 昭和電工株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体光デバイス
JP2001010898A (ja) 1999-06-24 2001-01-16 Nec Corp 結晶基板およびその製造方法
JP3857467B2 (ja) * 1999-07-05 2006-12-13 独立行政法人科学技術振興機構 窒化ガリウム系化合物半導体とその製造方法
US6265089B1 (en) * 1999-07-15 2001-07-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Electronic devices grown on off-axis sapphire substrate
US6268621B1 (en) * 1999-08-03 2001-07-31 International Business Machines Corporation Vertical channel field effect transistor
US6590336B1 (en) 1999-08-31 2003-07-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Light emitting device having a polar plane piezoelectric film and manufacture thereof
US6455877B1 (en) * 1999-09-08 2002-09-24 Sharp Kabushiki Kaisha III-N compound semiconductor device
JP4424840B2 (ja) * 1999-09-08 2010-03-03 シャープ株式会社 Ｉｉｉ−ｎ系化合物半導体装置
US6398867B1 (en) * 1999-10-06 2002-06-04 General Electric Company Crystalline gallium nitride and method for forming crystalline gallium nitride
US6812053B1 (en) * 1999-10-14 2004-11-02 Cree, Inc. Single step pendeo- and lateral epitaxial overgrowth of Group III-nitride epitaxial layers with Group III-nitride buffer layer and resulting structures
JP2001119066A (ja) * 1999-10-18 2001-04-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
JP2001160656A (ja) 1999-12-01 2001-06-12 Sharp Corp 窒化物系化合物半導体装置
US6515313B1 (en) 1999-12-02 2003-02-04 Cree Lighting Company High efficiency light emitters with reduced polarization-induced charges
KR100388011B1 (ko) * 2000-01-17 2003-06-18 삼성전기주식회사 ＧａＮ박막 ＳＡＷ필터 및 이를 제조하는 방법
US6566231B2 (en) * 2000-02-24 2003-05-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing high performance semiconductor device with reduced lattice defects in the active region
US6596079B1 (en) * 2000-03-13 2003-07-22 Advanced Technology Materials, Inc. III-V nitride substrate boule and method of making and using the same
JP3557441B2 (ja) 2000-03-13 2004-08-25 日本電信電話株式会社 窒化物半導体基板およびその製造方法
US6447604B1 (en) * 2000-03-13 2002-09-10 Advanced Technology Materials, Inc. Method for achieving improved epitaxy quality (surface texture and defect density) on free-standing (aluminum, indium, gallium) nitride ((al,in,ga)n) substrates for opto-electronic and electronic devices
JP3946427B2 (ja) 2000-03-29 2007-07-18 株式会社東芝 エピタキシャル成長用基板の製造方法及びこのエピタキシャル成長用基板を用いた半導体装置の製造方法
JP2001298215A (ja) * 2000-04-14 2001-10-26 Nichia Chem Ind Ltd 発光素子
US6534332B2 (en) * 2000-04-21 2003-03-18 The Regents Of The University Of California Method of growing GaN films with a low density of structural defects using an interlayer
KR20010103998A (ko) * 2000-05-12 2001-11-24 이계안 하이브리드 전기 자동차의 누전 차단장치 및 그 제어방법
JP2001326385A (ja) * 2000-05-16 2001-11-22 Sony Corp 半導体発光素子の製造方法
GB2363518A (en) * 2000-06-17 2001-12-19 Sharp Kk A method of growing a nitride layer on a GaN substrate
JP3968968B2 (ja) * 2000-07-10 2007-08-29 住友電気工業株式会社 単結晶ＧａＮ基板の製造方法
JP4556300B2 (ja) * 2000-07-18 2010-10-06 ソニー株式会社 結晶成長方法
US6680959B2 (en) * 2000-07-18 2004-01-20 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and semiconductor laser
US6610144B2 (en) * 2000-07-21 2003-08-26 The Regents Of The University Of California Method to reduce the dislocation density in group III-nitride films
JP4327339B2 (ja) * 2000-07-28 2009-09-09 独立行政法人物質・材料研究機構 半導体層形成用基板とそれを利用した半導体装置
JP5095064B2 (ja) * 2000-08-04 2012-12-12 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア シリコン基板上に堆積された窒化物層を有する半導体フィルムおよびその製造方法
US6586819B2 (en) * 2000-08-14 2003-07-01 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Sapphire substrate, semiconductor device, electronic component, and crystal growing method
JP2002076521A (ja) 2000-08-30 2002-03-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 窒化物半導体発光素子
JP4154558B2 (ja) 2000-09-01 2008-09-24 日本電気株式会社 半導体装置
JP4416297B2 (ja) * 2000-09-08 2010-02-17 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子、ならびにそれを使用した発光装置および光ピックアップ装置
JP2002094113A (ja) * 2000-09-19 2002-03-29 Sharp Corp Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体発光素子の製造方法
JP2002100838A (ja) * 2000-09-21 2002-04-05 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子とそれを含む光学装置
US7012283B2 (en) 2000-09-21 2006-03-14 Sharp Kabushiki Kaisha Nitride semiconductor light emitting element and optical device containing it
JP2002111134A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Toshiba Corp 半導体レーザ装置
US6649287B2 (en) 2000-12-14 2003-11-18 Nitronex Corporation Gallium nitride materials and methods
US6635901B2 (en) * 2000-12-15 2003-10-21 Nobuhiko Sawaki Semiconductor device including an InGaAIN layer
US6599362B2 (en) * 2001-01-03 2003-07-29 Sandia Corporation Cantilever epitaxial process
US6576932B2 (en) * 2001-03-01 2003-06-10 Lumileds Lighting, U.S., Llc Increasing the brightness of III-nitride light emitting devices
EP1374309A1 (en) 2001-03-30 2004-01-02 The Regents Of The University Of California Methods of fabricating nanostructures and nanowires and devices fabricated therefrom
US6773504B2 (en) * 2001-04-12 2004-08-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Oxygen doping method to gallium nitride single crystal substrate and oxygen-doped N-type gallium nitride freestanding single crystal substrate
RU2296189C2 (ru) * 2001-06-06 2007-03-27 АММОНО Сп.з о.о. Способ и устройство для получения объемного монокристаллического галлийсодержащего нитрида (варианты)
US6627551B2 (en) * 2001-06-06 2003-09-30 United Microelectronics Corp. Method for avoiding microscratch in interlevel dielectric layer chemical mechanical polishing process
US6488767B1 (en) 2001-06-08 2002-12-03 Advanced Technology Materials, Inc. High surface quality GaN wafer and method of fabricating same
US7501023B2 (en) 2001-07-06 2009-03-10 Technologies And Devices, International, Inc. Method and apparatus for fabricating crack-free Group III nitride semiconductor materials
JP4055503B2 (ja) * 2001-07-24 2008-03-05 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
JP4111696B2 (ja) * 2001-08-08 2008-07-02 三洋電機株式会社 窒化物系半導体レーザ素子
US6977953B2 (en) * 2001-07-27 2005-12-20 Sanyo Electric Co., Ltd. Nitride-based semiconductor light-emitting device and method of fabricating the same
JP2003060298A (ja) * 2001-08-08 2003-02-28 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光素子の製造方法と半導体発光素子
US7105865B2 (en) 2001-09-19 2006-09-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. AlxInyGa1−x−yN mixture crystal substrate
JP4388720B2 (ja) * 2001-10-12 2009-12-24 住友電気工業株式会社 半導体発光素子の製造方法
EP1442162B1 (en) 2001-10-26 2009-12-23 AMMONO Sp.z o.o. Substrate for epitaxy
CN1300901C (zh) * 2001-10-26 2007-02-14 波兰商艾蒙诺公司 使用氮化物块状单晶层的发光元件结构
US6617261B2 (en) 2001-12-18 2003-09-09 Xerox Corporation Structure and method for fabricating GaN substrates from trench patterned GaN layers on sapphire substrates
US6969426B1 (en) 2002-02-26 2005-11-29 Bliss David F Forming improved metal nitrides
US7063741B2 (en) * 2002-03-27 2006-06-20 General Electric Company High pressure high temperature growth of crystalline group III metal nitrides
US20030198837A1 (en) 2002-04-15 2003-10-23 Craven Michael D. Non-polar a-plane gallium nitride thin films grown by metalorganic chemical vapor deposition
WO2004061969A1 (en) 2002-12-16 2004-07-22 The Regents Of The University Of California Growth of planar, non-polar a-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
US7208393B2 (en) 2002-04-15 2007-04-24 The Regents Of The University Of California Growth of planar reduced dislocation density m-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
WO2005064643A1 (en) 2003-04-15 2005-07-14 The Regents Of The University Of California NON-POLAR (A1,B,In,Ga)N QUANTUM WELLS
US20060138431A1 (en) * 2002-05-17 2006-06-29 Robert Dwilinski Light emitting device structure having nitride bulk single crystal layer
SG130935A1 (en) 2002-06-26 2007-04-26 Agency Science Tech & Res Method of cleaving gan/sapphire for forming laser mirror facets
JP4201541B2 (ja) 2002-07-19 2008-12-24 豊田合成株式会社 半導体結晶の製造方法及びｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法
US7119359B2 (en) 2002-12-05 2006-10-10 Research Foundation Of The City University Of New York Photodetectors and optically pumped emitters based on III-nitride multiple-quantum-well structures
US6876009B2 (en) * 2002-12-09 2005-04-05 Nichia Corporation Nitride semiconductor device and a process of manufacturing the same
US7186302B2 (en) * 2002-12-16 2007-03-06 The Regents Of The University Of California Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition
US7098487B2 (en) * 2002-12-27 2006-08-29 General Electric Company Gallium nitride crystal and method of making same
US6886375B2 (en) * 2003-06-27 2005-05-03 Paul J. Amo Handcuff restraint mechanism and method of use
US7170095B2 (en) * 2003-07-11 2007-01-30 Cree Inc. Semi-insulating GaN and method of making the same
US6847057B1 (en) * 2003-08-01 2005-01-25 Lumileds Lighting U.S., Llc Semiconductor light emitting devices
US7808011B2 (en) * 2004-03-19 2010-10-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor light emitting devices including in-plane light emitting layers
US7432142B2 (en) 2004-05-20 2008-10-07 Cree, Inc. Methods of fabricating nitride-based transistors having regrown ohmic contact regions
US7303632B2 (en) * 2004-05-26 2007-12-04 Cree, Inc. Vapor assisted growth of gallium nitride
TW200610150A (en) * 2004-08-30 2006-03-16 Kyocera Corp Sapphire baseplate, epitaxial substrate and semiconductor device
JP4883931B2 (ja) * 2005-04-26 2012-02-22 京セラ株式会社 半導体積層基板の製造方法
JP5113330B2 (ja) * 2005-11-30 2013-01-09 ローム株式会社 窒化ガリウム半導体発光素子

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