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KR20080015634A - 평판표시소자의 제조장치 - Google Patents

평판표시소자의 제조장치 Download PDF

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KR20080015634A
KR20080015634A KR1020060077233A KR20060077233A KR20080015634A KR 20080015634 A KR20080015634 A KR 20080015634A KR 1020060077233 A KR1020060077233 A KR 1020060077233A KR 20060077233 A KR20060077233 A KR 20060077233A KR 20080015634 A KR20080015634 A KR 20080015634A
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KR
South Korea
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soft mold
etch resist
display device
thin film
monomer
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KR1020060077233A
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KR101192793B1 (ko
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남연희
김진욱
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엘지.필립스 엘시디 주식회사
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Publication date
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    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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    • G—PHYSICS
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Abstract

본 발명은 포토공정을 사용하지 않고 소프트 몰드를 이용한 패터닝 공정에 의해 박막을 형성함으로써 평판표시소자의 제조공정을 단순화함과 아울러 에치 레지스트에 의해 소프트 몰드의 형태가 변하는 현상을 개선할 수 있는 평판표시소자의 제조장치에 관한 것이다.
이 평판표시소자의 제조장치는 기판 상에 순차적으로 형성된 박막층 및 에치 레지스트와; 상기 에치 레지스트와 접촉하여 상기 박막층 상에 레지스트 패턴을 형성시키기 위한 소프트 몰드를 구비하고, 상기 에치 레지스트는 상기 소프트 몰드에 대한 상기 에치 레지스트의 흡수도가 1.05이하가 되도록 하는 모노머를 포함한다.

Description

평판표시소자의 제조장치{Apparatus for Fabricating Flat Panel Display Device}
도 1은 액티브 매트릭스 타입의 액정표시소자를 나타내는 사시도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 평판표시소자의 제조장치 및 방법을 설명하기 위한 도면.
도 3은 도 2에 도시된 소프트 몰드와 기판의 접촉시 에치 레지스트 용액의 이동을 나타내는 도면.
도 4는 다양한 솔벤트(solvent)에 소프트 몰드 조각을 잠기게 한 후 측정한 실험값을 나타내는 그래프.
도 5a 내지 도 5c는 표 1의 에치 레지스트 수지(ER resin)를 포함한 에치 레지스트 용액 및 소프트 몰드를 이용하여 레지스트 패턴을 형성했을 때, 소프트 몰드의 사용횟수에 따른 소프트 몰드 형태의 변형정도를 나타내는 그래프들.
도 6a 내지 도 7b는 도 5a 내지 도 5c에 나타나는 소프트 몰드의 형태에 따른 레지스트 패턴의 형태를 나타내는 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
131 : 기판 133a : 에치 레지스트용액
133b : 레지스트 패턴 134 : 소프트 몰드
134a : 홈부 134b : 돌출부
132a : 박막 132b : 박막 패턴
본 발명은 평판표시소자에 관한 것으로, 특히 포토공정을 사용하지 않고 패터닝공정을 수행할 수 있는 평판표시소자의 제조장치에 관한 것이다.
최근의 정보화 사회에서 표시소자는 시각정보 전달매체로서 그 중요성이 어느 때보다 강조되고 있다. 현재 주류를 이루고 있는 음극선관(Cathode Ray Tube) 또는 브라운관은 무게와 부피가 큰 문제점이 있다.
평판표시소자에는 액정표시소자(Liquid Crystal Display : LCD), 전계 방출 표시소자(Field Emission Display : FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : PDP) 및 전계발광소자(Electroluminescence : EL) 등이 있고 이들 대부분이 실용화되어 시판되고 있다.
액정표시소자는 전자제품의 경박단소 추세를 만족할 수 있고 양산성이 향상되고 있어 많은 응용분야에서 음극선관을 빠른 속도로 대체하고 있다.
특히, 박막트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하, "TFT"라 한다)를 이용 하여 액정셀을 구동하는 액티브 매트릭스 타입의 액정표시소자는 화질이 우수하고 소비전력이 낮은 장점이 있으며, 최근의 양산기술 확보와 연구개발의 성과로 대형화와 고해상도화로 급속히 발전하고 있다.
이러한 액티브 매트릭스 타입의 액정표시소자는 도 1과 같이 액정층(15)을 사이에 두고 접합된 컬러필터 어레이 기판(22)과 TFT 어레이 기판(23)으로 구성된다. 도 1에 도시된 액정표시소자는 전체 유효화면의 일부를 나타낸 것이다.
컬러필터 어레이 기판(22)은 상부 유리기판(12) 상에 순차적으로 형성된 블랙 매트릭스(11), 컬러필터(13) 및 공통전극(14)을 구비한다. 블랙 매트릭스(11)는 상부 유리기판(12)에 매트릭스 형태로 형성된다. 이러한 블랙 매트릭스(11)는 상부 유리기판(12)의 영역을 컬러필터(13)가 형성되어질 다수의 셀 영역들로 나누고 인접한 셀들간의 광 간섭 및 외부광 반사를 방지한다. 컬러필터(13)는 블랙 매트릭스(11)에 의해 구분된 셀 영역에 적(R), 녹(G), 청(B)색으로 구분되게 형성되어 특정 파장대역의 빛을 투과시킴으로써 컬러표시를 가능하게 한다. 공통 전극(14)은 컬러필터(13) 위에 전면 도포된 투명 도전층으로 액정층(15) 구동시 기준이 되는 공통 전압(Vcom)을 공급한다.
TFT 어레이 기판(23)은 하부 유리기판(16) 상에 상호 교차되게 형성된 데이터라인들(19)과 게이트라인들(18), 그 교차로 정의된 셀 영역마다 형성된 TFT(20) 및 화소 전극(21)을 구비한다. TFT(20)는 게이트라인(18)으로부터의 스캐닝신호에 응답하여 데이터라인(19)으로부터의 데이터 신호를 화소전극(21)으로 공급한다. 투명 도전층으로 형성된 화소전극(21)은 TFT(20)로부터의 데이터 신호를 공급받아 액정층(15)이 구동되게 한다.
유전 이방성을 갖는 액정층(15)은 화소전극(21)의 데이터 신호와 공통전극(14)의 공통전압에 의해 형성된 전계에 따라 회전하여 광 투과율을 조절함으로써 계조가 구현되게 한다.
그리고 액티브 매트릭스 타입의 액정표시소자는 컬러필터 어레이 기판(22)과 TFT 어레이 기판(23)의 액정 대향면들에는 액정층(15)의 초기 배향을 위한 배향막과, 컬러필터 어레이 기판(22)과 TFT 어레이 기판(23)의 셀갭을 일정하게 유지하기 위한 스페이서(미도시)를 추가로 구비한다.
이러한 액티브 매트릭스 타입의 액정표시소자를 제조하기 위한 제조공정은 기판 세정, 기판 패터닝 공정, 배향막형성/러빙 공정, 기판합착/액정주입 공정, 실장 공정, 검사 공정, 리페어(Repair) 공정 등으로 나뉘어진다. 이들 중 기판 패터닝 공정은 컬러필터 어레이 기판의 패터닝 공정과 TFT 어레이 기판의 패터닝 공정으로 나뉘어 실시된다. 이와 같은 기판 패터닝 공정은 다수의 마스크 공정을 이용하여 형성된다. 하나의 마스크 공정은 박막 증착(코팅) 공정, 세정 공정, 포토리소그래피(Photorithography) 공정, 식각 공정, 포토레지스트(Photoresist) 박리 공정, 검사 공정 등과 같은 다수의 공정을 포함한다.
포토리소그래피 공정은 일반적으로 포토레지스트의 도포, 마스크 정렬, 노광, 현상 및 세정을 포함하는 일련의 사진식각공정이다. 그런데 이러한 포토리소그래피 공정은 공정 소요시간이 길고 포토레지스트물질과 스트립 용액의 낭비가 크며 노광장비 등의 고가 장비가 필요한 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 포토공정을 사용하지 않고 패터닝 공정을 수행하여 제조공정을 단순화할 있는 평판표시소자의 제조장치를 제공하는 것이다.
나아가 본 발명의 또 다른 목적은 패터닝 공정을 수행하면서 패터닝 장치의 형태가 변형되는 현상을 개선할 수 있는 평판표시소자의 제조장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 평판표시소자의 제조장치는 기판 상에 순차적으로 형성된 박막층 및 에치 레지스트와; 상기 에치 레지스트와 접촉하여 상기 박막층 상에 레지스트 패턴을 형성시키기 위한 소프트 몰드를 구비하고, 상기 에치 레지스트는 상기 소프트 몰드에 대한 상기 에치 레지스트의 흡수도가 1.05이하가 되도록 하는 모노머를 포함한다.
상기 모노머는 광경화성 모노머이다.
상기 모노머는 DGDMA(diethylene glycol dimetharcylate), HPA(hydroxypropyl arcylate), HPPA(hydroxy phenoxypropyl arcylate), 및 PETIA(pentaerythritol triacrylate) 중 적어도 어느 하나를 포함한다.
상기 모노머는 상기 에치 레지스트 총중량의 30 중량% 내지 95 중량%의 범위내에서 상기 에치 레지스트에 배합된다.
상기 소프트 몰드는 PDMS(Polydimethylsiloxane)를 포함하며, 상기 PDMS의 용해도 상수는 7.3(cal/㎤)1/2이다.
상기 평판표시소자는, 액정표시소자(LCD), 전계 방출 표시소자(FED), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 및 전계발광소자(EL) 중 어느 하나이다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부한 도면들을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 도 2 내지 도 7b를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.
도 2 및 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 평판표시소자의 제조방법은 종래의 포토레지스트 패턴 공정 대신 소프트 몰드(134)를 이용하여 설계자가 원하는 형상의 박막 패턴을 형성할 수 있게 된다.
이러한 소프트 몰드(134)를 이용한 박막 패턴 공정은 박막(132a)이 형성된 기판(131) 상에 에치 레지스트(etch resist) 용액(133a)의 도포공정, 소프트 몰드(134)를 이용한 에치 레지스트층(133)의 패터닝 공정, 박막(132)의 패터닝을 위한 에칭공정, 잔류 에치 레지스트 패턴의 스트립공정 및 검사공정을 포함한다.
기판(131) 상에 형성된 박막(132a)은 평판표시소자의 어레이에 존재하는 금속패턴, 유기물 패턴 및 무기물 패턴으로 이용되는 기본재료로 공지의 도포공정이나 증착공정에 의해 기판(131) 상에 형성된다.
에치 레지스트 용액(133a)은 액상 고분자 전구체 또는 액상 모노머(monomer) 중 적어도 어느 하나인 메인 수지(resin), 활성제(activator), 개시제(initiator), thermal flow 유도체 등을 포함한다.
이와 같은 물질을 포함하는 에치 레지스트 용액(133a)은 노즐 분사, 스핀코팅 등의 도포공정에 의해 박막(132a) 상에 도포된다.
소프트 몰드(134)는 탄성이 큰 고무재료 예컨대, 폴리디메틸실록세인(Polydimethylsiloxane, PDMS), 폴리우레탄(Polyurethane), 크로스 링크드 노볼락 수지(Cross-linked Novolac resin) 등으로 제작되며 기판(131) 상에 잔류시킬 패턴과 대응하는 홈(134a)을 구비한다. 여기서, 홈(134a)과 돌출면(134b)을 가지는 소프트 몰드(134)는 소수성 또는 친수성으로 표면처리된다. 이하, 본 발명에서는 소프트몰드(134)가 소수성인 경우를 상정하여 설명한다.
이 소프트 몰드(134)는 에치 레지스트 용액(133a) 상에 정렬된 후, 박막(132a)과의 접촉이 가능한 정도의 압력 즉, 자신의 자중 정도의 무게만으로 에치 레지스트 용액(133a)에 가압된다.
예를 들어, 소프트 몰드(134)와 유리기판(131) 사이의 압력으로 발생하는 모세관힘(Capillary force)과, 소프트 몰드(134)와 에치 레지스트 용액(132a) 사이의 반발력에 의해 에치 레지스트 용액(133a)이 도 3과 같이 소프트 몰드(134)의 홈(134a) 내로 이동하고 베이킹을 통해 경화된다. 그 결과, 소프트 몰드(134)의 홈(134a) 패턴과 반전 전사된 패턴 형태로 에치 레지스트 패턴(133b)이 박막(132a) 상에 형성된다. 이후, 소프트 몰드(134)와 기판(131)이 분리된 후, 레지스트 습식 식각 공정(Wet etching process)이나 건식 식각 공정(Dry etching process)이 실시 된다. 이 때 에치 레지스트 패턴(133b)은 마스크로 작용하므로 그 에치 레지스트 패턴(133b)의 하부에 위치한 박막(132a)만이 기판(131) 상에 잔류하고 그 이외의 박막(132a)은 제거된다. 이어서, 에치 레지스트 패턴(134b)은 스트립공정에 의해 제거되고 박막 패턴(132b)에 대한 전기적, 광학적 검사를 통해 박막 패턴(132b)의 쇼트(short), 단선 등이 검사된다.
소프트 몰드(134)는 기판(131)과 분리된 후 자외선(UV)과 오존(O3)으로 세정된 다음, 다른 박막(132a)의 패터닝 공정에 재투입된다.
한편, 이러한 소프트 몰드(134) 및 에치 레지스트 용액(133a)를 이용하여 다수번에 걸쳐 패터닝 공정이 실시되는 경우, 에치 레지스트 용액(133a)이 소프트 몰드(134) 내로 흡수되어 소프트 몰드(134)의 형태가 변형되는 스웰링(Swelling) 현상이 발생하게 된다.
이러한, 스웰링 현상은 공정이 진행됨에 따라 소프트 몰드(134)형태의 변형을 가속화시킨다. 변형된 소프트 몰드(134)는 왜곡된 에치 레지스트 패턴(133b)을 형성시키고 결과적으로 왜곡된 박막 패턴(132b)을 형성시킨다.
따라서, 본 발명에서는 에치 레지스트 용액(133a)이 소프트 몰드(134)내로 흡수되는 현상을 개선하여 반복적인 소프트 몰드(134)의 사용에도 소프트 몰드(134)가 변형되는 현상을 개선할 수 있는 방안을 제안한다.
수학식 1을 참조하면, 스웰링 현상은 에치 레지스트 용액(133a)의 용해도 상수(solubility parameter) 및 소프트 몰드(134) 재료의 용해도 상수와 관계가 있음 을 알 수 있다.
χ=(δER -δmold)2 V/RT (χ= Flory-Huggins interaction parameter, δER = 에치 레지스트 용액의 용해도 상수, δmold = 소프트 몰드의 용해도 상수, V = molar volume, R=기체상수, T = 절대온도)
수학식 1에서의 χ 값이 작으면 즉, 소프트 몰드(134)의 δmold값과 에치 레지스트 용액(133a)의 δER값이 유사하면 서로 잘 섞이게 됨으로써 에치 레지스트 용액(133a)이 소프트 몰드(134) 내로 잘 흡수되어 스웰링 현상이 심화된다.
따라서 본 발명에서는 스웰링 현상을 개선하기 위해 소프트 몰드(134)의 δmold값과 에치 레지스트 용액(133a)의 δER값의 차이가 커야 한다.
소프트 몰드(134)의 δmold값과 에치 레지스트 용액(133a)의 δER값의 차이가 크다고 하여도 수학식 2를 만족하는 소프트 몰드(134)에 대한 에치 레지스트 용액(133a)의 흡수도(S : Swelling ratio, 이하 "S값" 이라 함.)가 1.05보다 큰 값을 가지는 경우에는 소프트 몰드(134)의 변형정도가 원형에 비해 200%이상이므로 결과적으로 원하는 레지스트 패턴(133b)을 형성시키지 못하고 레지스트 패턴(133b)의 왜곡을 초래한다.
도 4는 다양한 솔벤트에 소프트 몰드 조각을 잠기게 한 후 측정한 실험값을 나타내는 그래프이다. 일반적으로 소프트 몰드 재료로는 PDMS가 사용되므로 실험 에서느 PDMS조각을 사용하였다. 이 PDMS가 경화된 상태에서의 용해도 상수 값은 약 7.3(cal/㎤)1/2 이다.
도 4의 S값은 PDMS에 대한 솔벤트의 흡수도로서, 수학식 2를 만족하는 값이다.
S = W/W0 (W0는 용액에 잠기기 전 소프트 몰드의 무게, W는 용액에 잠기게 하고 1시간 경과후 소프트 몰드의 무게)
도 4 및 수학식 2를 참조하면, S값이 클수록 PDMS의 무게 변화가 크며, 이는 소프트 몰드 내로 솔벤트가 흡수되는 정도가 크다는 것을 의미한다. 또한, 수학식 1에서와 마찬가지로 도 4에서도 솔벤트의 용해도 상수가 PDMS의 용해도 상수와 비슷한 값을 가질 수록 PDMS내로 솔벤트가 흡수되는 정도가 크다는 것을 알 수 있다.
따라서, 소프트 몰드(134)의 형태가 에치 레지스트 용액(133a)에 의해 변하는 스웰링 현상을 개선하기 위해서는 소프트 몰드(134)의 형성재료와 에치 레지스트 용액(133a)의 용해도 상수 차이가 커야 하며 S값이 작아야 한다.
표 1은 PDMS로 구성된 소프트 몰드(134)와 용해도 상수 차이가 큰 에치 레지스트 용액(133a)의 S값들을 나타낸 것이다.
ER resin 개선전 resin 개선 resin 1 개선 resin 2
S(Swelling ratio) 1.25 1.014 1.0084
또한, 도 5a 내지 도 5c는 표 1의 에치 레지스트 수지(ER resin)를 포함한 에치 레지스트 용액(133a) 및 PDMS로 이루어진 소프트 몰드(134)를 이용하여 레지스트 패턴(133b)을 형성했을 때, 소프트 몰드(134)의 사용횟수에 따른 소프트 몰드형태의 변형정도를 나타내는 그래프들이다. 도 5a 내지 도 5c에서의 측정에 사용된 소프트 몰드(134)의 초기 형태는 홈부(134a)의 깊이가 약 4.6㎛, 홈부(134a)의 선폭이 약 10㎛, 돌출부(134b)의 선폭이 약 100㎛인 것이다.
도 5a 내지 도 5c를 참조하면, 개선 전 에치 레지스트 수지 즉, S 값이 1. 05이상인 에치 레지스트 수지를 포함하는 에치 레지스트 용액(133a)을 이용하여 소프트 몰드(134)로 레지스트 패턴(133b)을 형성할 경우 소프트 몰드(134) 2회 사용후부터 소프트 몰드(134)의 형태가 기존의 형태에서 크게 변형된 것을 알 수 있다. 반면, 개선된 에치 레지스트 수지 즉, S값이 1.05이하인 에치 레지스트 수지를 포함하는 에치 레지스트 용액(133a)을 이용하여 소프트 몰드(134)로 레지스트 패턴(133b)을 형성할 경우 소프트 몰드(134)의 사용횟수와 무관하게 소프트 몰드(134)의 형태를 그대로 유지할 수 있음을 알 수 있다.
도 5a 내지 도 5c에 도시된 소프트 몰드(134)의 변형에 따른 레지스트 패턴(133b)의 차이는 도 6a 내지 도 7b에서도 확인할 수 있다.
도 6a에 도시된 바와 같이 개선 전 에치 레지스트 수지를 포함하는 에치 레지스트 용액(133a)에 의해 변형된 소프트 몰드(134)로 레지스트 패턴(133b)을 형성할 경우 소프트 몰드(134)가 변형된 형태대로 도 6b에 도시된 바와 같이 왜곡된 레지스트 패턴(133b)이 형성되는 것을 알 수 있다.
반면, 도 7a에 도시된 바와 같이 개선된 에치 레지스트 수지 2를 포함하는 에치 레지스트 용액(133a)에 의해 본래의 형태를 유지하는 소프트 몰드(134)로 레지스트 패턴(133b)을 형성할 경우 도 7b에 도시된 바와 같이 작업자가 원하는 레지스트 패턴(133b)이 형성되는 것을 알 수 있다.
따라서 본 발명의 에치 레지스트 용액(133a)은 소프트 몰드(134)의 스웰링 현상을 개선하기 위해 S값이 1.05이하인 것이 바람직하다.
에치 레지스트 용액(133a)의 S값은 에치 레지스트 용액(133a)의 구성 성분인 모노머에 의해 결정된다.
표 2는 소프트 몰드(134)에 대한 에치 레지스트 용액(133a)의 흡수도(S값)가 1.05이하인 범위를 만족하는 물질들을 제시한다.
재료명 흡수도(S)
DGDMA(diethylene glycol dimetharcylate) 1.0377
HPA(hydroxypropyl arcylate) 1.0123
HPPA(hydroxy phenoxypropyl arcylate) 1.0077
PETIA(Pentaerythritol triacrylate) 1.00267
표 2에 나타낸 재료는 S값이 1.05 이하이며 광경화가 가능한 모노머이다. 본 발명의 실시예에 따른 에치 레지스트 용액(133a)은 표 2에 나타낸 재료 중 적어도 어느 하나를 포함한다. 여기서, 표 2에 도시된 재료 중 적어도 어느 하나의 물질이 에치 레지스트(133a)에 포함되는 양은 전체 에치 레지스트 중량의 30 중량% 내지 95 중량% 범위내에서 함유되도록 한다.
이와 같이 소프트 몰드(134)에 대한 에치 레지스트(133a)의 흡수도(S값)가 1.05이하인 모노머를 포함한 에치 레지스트 용액(133a)을 이용하게 되면 레지스트 패턴(133b)을 형성하기 위해 에치 레지스트 용액(133a)과 접촉된 소프트 몰드(134)가 최초의 소프트 몰드(134)의 형태에 대해 변하는 범위가 ±20%이내이므로 구현하고자 하는 레지스트 패턴(133b)의 왜곡 현상을 개선할 수 있다. 이에 따라 레지스트 패턴(133b)에 의해 패터닝 되는 박막 패턴(132b)이 왜곡되어 형성되는 현상을 개선할 수 있으므로 소프트 몰드(134)를 통해 패턴을 형성하는 공정의 안정성을 확보할 수 있다.
이와 같이 본 발명에 따른 평판표시소자의 제조장치는 박막 패턴 형성을 위한 소프트 몰드(134)가 변형되는 현상을 개선시키기 위해 S값이 1.05 이하인 에치 레지스트 물질이 이용된다. 그 결과, 다수번의 소프트 몰드(134)를 이용한 패터닝 공정이 수행되더라고 소프트 몰드(134)의 변형 정도를 개선할 수 있게 됨으로써 소프트 몰드(134)의 수명을 연장시킬 수 있게 된다.
본 발명에 따른 평판 표시소자의 제조장치는 액정표시소자(LCD), 전계 방출 표시소자(FED), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 및 전계발광소자(EL) 등의 평판표시소자의 전극층, 유기물층 및 무기물층 등을 패터닝하기 위한 공정에 적용될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 평판표시소자의 장치는 포토공정이 아닌 소프트 몰드 및 에치 레지스트를 이용하여 박막 패턴을 형성함으로써 제조공정이 단순화된다.
또한, 본 발명에서의 평판표시소자의 제조장치는 소프트 몰드에 대한 에치 레지스트의 흡수도(수학식 2의 S값)을 만족하게 된다. 이러한, 에치 레지스트 물질은 에치 레지스트 용액을 흡수하여 소프트 몰드의 형태가 변형되는 것을 개선할 수 있다.
이와 같이 소프트 몰드가 변형되는 현상이 개선되면, 구현하고자 하는 레지스트 패턴의 왜곡 현상을 개선할 수 있고 레지스트 패턴에 의해 패터닝 되는 박막 패턴이 왜곡되어 형성되는 현상 또한 개선할 수 있으므로 소프트 몰드를 통해 패턴을 형성하는 공정의 안정성을 확보할 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.

Claims (6)

  1. 기판 상에 순차적으로 형성된 박막층 및 에치 레지스트와;
    상기 에치 레지스트와 접촉하여 상기 박막층 상에 레지스트 패턴을 형성시키기 위한 소프트 몰드를 구비하고,
    상기 에치 레지스트는 상기 소프트 몰드에 대한 상기 에치 레지스트의 흡수도가 1.05이하가 되도록 하는 모노머를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 모노머는 광경화성 모노머인것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 모노머는 DGDMA(diethylene glycol dimetharcylate), HPA(hydroxypropyl arcylate), HPPA(hydroxy phenoxypropyl arcylate), 및 PETIA(pentaerythritol triacrylate) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 모노머는 상기 에치 레지스트 총중량의 30 중량% 내지 95 중량%의 범위내에서 상기 에치 레지스트에 배합되는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 소프트 몰드는 PDMS(Polydimethylsiloxane)를 포함하며,
    상기 PDMS의 용해도 상수는 7.3(cal/㎤)1/2인 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 평판표시소자는,
    액정표시소자(LCD), 전계 방출 표시소자(FED), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 및 전계발광소자(EL) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조장치.
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