KR20060092514A - 전자방출 표시장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 애노드 전극에 충전되는 전류가 캐소드 기판측으로 전달되는 것을 차단하며 애노드 전극에 충전되는 전류를 효과적으로 방출할 수 있는 전자방출 표시장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 전자방출 표시장치는 상부에 전자방출 영역이 형성되는 캐소드 기판과, 전자방출 영역으로부터 방출된 전자의 충돌에 의해 발광하는 형광막과 이 형광막에 고전압을 인가하는 애노드 전극 및 캐소드 기판과의 접착을 위해 애노드 전극 외곽에 형성된 절연층을 구비하는 애노드 기판, 및 절연층의 상부에 형성된 오목한 요철부에 일단이 삽입 접합되고 캐소드 기판에 타단이 접합되는 봉착 부재를 포함한다.

전자방출 표시장치, 애노드 기판, 충전 전류, 절연층, 방출 전극

Description

전자방출 표시장치{Electron emission display}

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자방출 표시장치를 나타내는 단면도이다.

도 2는 도 1의 전자방출 표시장치의 애노드 기판을 나타내는 평면도이다.

도 3은 도 2의 A-A'선을 따라 취한 부분 단면도이다.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자방출 표시장치를 나타내는 단면도이다.

도 5는 도 4의 전자방출 표시장치의 애노드 기판을 나타내는 평면도이다.

도 6은 도 5의 B-B'선을 따라 취한 부분 단면도이다.

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 애노드 기판 제작 방법을 나타내는 순서도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

100: 캐소드 기판 110: 배면 기판

120: 제1 전극 130: 제1 절연층

132: 홀 140: 전자방출부

150: 제2 전극 160: 제2 절연층

200: 애노드 기판 210: 전면 기판

212: 유효 영역 220: 애노드 전극

222: 방출 전극 230: 제1 광차폐막

232: 제2 광차폐막 240: 형광막

250: 제3 절연층 300: 스페이서

400: 그리드 전극 500: 봉착 부재

본 발명은 애노드 전극에 충전되는 전류가 캐소드 기판측으로 전달되는 차단하며 애노드 전극에 충전되는 전류를 효과적으로 방출할 수 있는 전자방출 표시장치용 애노드 기판 제작 방법에 관한 것이다.

일반적으로, 전자방출소자(Electron Emission Device)는 캐소드 전극과 게이트 전극 사이에 인가된 전계에 의한 양자 역학적인 터널링 효과(Tunneling effect)에 의해서 캐소드 전극에 전기적으로 접속된 전자방출부로부터 전자를 방출시키는 구조는 가진다. 이러한 전자방출소자는 전자방출부로 열음극을 이용하는 방식과 냉음극을 이용하는 방식이 있다. 냉음극을 이용하는 방식의 전자방출소자로는 FEA(Field Emitter Array)형, SCE(Surface Conduction Emitter)형, MIM(Metal Insulator Metal)형, MIS(Metal Insulator Semiconductor)형, 그리고 BSE(Balli stic electron Surface Emitting)형 등이 알려져 있다.

이러한 전자방출소자를 이용하면, 전자방출 표시장치, 각종 백라이트, 리소그라피용 전자빔 장치 등을 구현할 수 있다. 그 중에서 전자방출 표시장치는, 전자방출소자를 구비하며 전자를 방출하는 캐소드 기판과, 방출된 전자를 형광막에 충돌시켜 발광시키는 애노드 기판으로 구성된다. 캐소드 기판은 캐소드 전극과 게이트 전극이 교차하는 매트릭스 형상으로 교차 영역에 정의되는 다수의 전자방출소자를 구비하고, 애노드 기판은 전자방출소자에서 방출된 전자들에 의해 빛을 내는 형광막과 이 형광막을 향해 전자들이 가속될 수 있도록 형광막에 고전압을 인가하는 애노드 전극을 구비한다.

한편, 종래의 전자방출 표시장치에서 애노드 기판의 형광막에 고전압을 인가하는 애노드 전극은 블랙 매트릭스(black matrix)와 유사한 재료로 형성될 수 있다. 이러한 경우, 종래의 전자방출 표시장치에서는 애노드 기판 제작이 용이하지만, 애노드 전극을 블랙 매트릭스와 유사한 재료로 형성하기 때문에 애노드 전극에 인가되는 전압, 충전 전류의 방출, 진공도 확보 등에 대한 특성 확보에 어려움이 있다는 문제점이 있다.

본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 고려하여 도출된 것으로, 그 목적은 애노드 전극에 충전되는 전류에 의해 장치가 손상되는 것을 방지하고 애노드 전극에 충전되는 전류를 효과적으로 방출할 수 있는 전자방출 표시장치를 제공하는 데 있다.

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 바람직한 측면에 의하면, 상부에 전자방출 영역이 형성되는 캐소드 기판; 상기 전자방출 영역으로부터 방출된 전자의 충돌에 의해 발광하는 형광막과, 상기 형광막에 전압을 인가하는 애노드 전극, 및 상기 캐소드 기판과의 접착을 위하여 상기 애노드 전극 외곽에 형성된 절연층을 구비하는 애노드 기판; 및 상기 절연층의 상부에 형성된 오목한 요철부에 일단이 삽입 접합되고 상기 캐소드 기판에 타단이 접합되는 봉착 부재를 포함하는 전자방출 표시장치를 제공한다.

바람직하게, 상기 절연층은 상기 애노드 전극에 충전되는 전류를 방출하는 인출부를 통해 상기 캐소드 기판으로 전달되는 전류를 차단한다.

또한, 본 발명에 따른 전자방출 표시장치는 상기 절연층 하부에 형성되며 상기 애노드 전극에 충전되는 상기 전류를 방출시키는 방출 전극을 더 포함한다. 이때, 방출 전극은 은(Ag)계 후막 전극이다.

또한, 본 발명에 따른 전자방출 표시장치는 상기 형광막 사이에 형성되는 광차폐막을 추가적으로 포함한다.

또한, 상기 광차폐막은 상기 방출 전극을 덮도록 상기 절연층 하부에까지 연장된다. 또한, 상기 광차폐막은 크롬(Cr)계 박막이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세하게 설명하기로 한다. 이하의 설명에서 어떤 층이 다른 층의 위에 존재한다고 기술될 때, 이는 다른 층의 바로 위에 존재할 수도 있고, 그 사이에 제3의 층이 게재될 수도 있다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되었다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자방출 표시장치를 나타내는 단면도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시에에 따른 전자방출 표시장치는 애노드 전극에 인가되는 고전압과 애노드 전극에 충전되는 전류가 캐소드 기판측으로 전달되는 것을 효과적으로 차단한다. 특히, 애노드 전극에 충전되는 전류를 방출하기 위하여 애노드 전극에 전기적으로 접속되는 인출부를 통해 캐소드 기판측으로 전류가 전달되는 것을 방지한다. 이를 위해, 전자방출 표시장치는 전자방출 영역이 형성된 캐소드 기판(100), 전자방출 영역으로부터 방출된 전자의 충돌에 의해 발광하는 화상형성 영역이 형성된 애노드 기판(200), 이들 두 기판(100, 200) 간의 간격을 유지하는 스페이서(300), 및 캐소드 기판(100)과 애노드 기판(200)을 봉착하는 봉착 부재(500)를 포함하며, 이에 더하여 애노드 기판(200)과 봉착 부재(500) 사이에 형성되는 소정 형상의 절연층을 포함한다. 전자방출 표시장치는 그리드 전극(400)을 추가적으로 포함할 수 있다.

구체적으로, 캐소드 기판(100)은 배면 기판(110), 제1 전극(120), 제1 절연 층(130), 전자방출부(140) 및 제2 전극(150)을 포함한다. 전자방출부(140)는 제1 전극(120) 및 제2 전극(150) 사이에 개재되는 제1 절연층(130)의 홀(132) 내부에 형성되며, 캐소드 전극으로 기능하는 제1 전극(120)에 전기적으로 접속되고, 게이트 전극으로 기능하는 제2 전극(150)과 제1 전극(120)으로부터 형성되는 전계에 의해 전자를 방출시킨다.

전자방출부(140)는 카본계 물질 또는 나노미터(㎚) 사이즈 물질로 이루어진다. 이러한 전자방출부(140)에 사용가능한 물질로는 카본 나노튜브, 그라파이트(graphite), 그라파이트 나노파이버, 다이아몬드상 카본, C₆₀, 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합 물질이 있다.

그리드 전극(400)은 캐소드 기판(100)의 전자방출 영역에서 방출된 전자가 통과하는 홀(420)을 구비하는 메쉬 형태의 도전성 시트로 형성된다. 또한, 그리드 전극(400)은 캐소드 기판(100)과의 사이에 제2 절연층(160)을 개재하고 캐소드 기판(100) 상부에 형성된다. 다른 한편으로, 그리드 전극(400)은 스페이서(300)에 의해 캐소드 기판(100)과 소정 간격을 두고 고정 지지될 수 있다.

애노드 기판(200)은 애노드 전극(220)에 인가되는 고전압 또는 애노드 전극(220)에 충전되는 전류가 캐소드 기판(100)측으로 흘러가지 않도록 적절한 두께의 제3 절연층(250)을 포함한다. 제3 절연층(250)의 상부는 봉착 부재(500), 예컨대, 봉착용 프릿 바의 일단이 용이하게 삽입 접합되도록 오목한 요철 모양으로 형성된다.

또한, 애노드 기판(200)은 투명한 전면 기판(210), 애노드 전극(220) 및 형광막(240)을 포함한다. 여기서, 전면 기판(210) 및 애노드 전극(220)은 투명한 재료로 형성되며, 애노드 전극(220)은 전면 기판(210) 상에 발광 영역을 형성하는 형광막(240)에 고전압을 인가한다. 또한, 애노드 기판(200)은 광차폐막(230)을 추가적으로 포함할 수 있다. 광차폐막(230)은 전면 기판(210)의 유효 영역 내의 발광 영역 사이에 비발광 영역 또는 흑색 영역을 형성한다. 또한, 애노드 전극(220)은 광차폐막(230)과 유사한 재료, 예컨대 크롬(Cr)계 재료로 형성된다. 크롬계 재료는 크롬 및 크롬을 주성분으로 하는 크롬 합금을 포함한다.

도 2는 도 1의 전자방출 표시장치의 애노드 기판을 나타내는 평면도이다. 도 3은 도 2의 A-A'선을 따라 취한 부분 단면도이다.

도 2 및 도 3을 참조하면, 애노드 기판(200)은 투명한 기판(210) 상에 유효 영역(212)을 구비한다. 유효 영역(212)은 형광막(240)이 형성되는 발광 영역과 광차폐막(230)이 형성되는 비발광 영역을 포함한다. 여기서, 발광 영역은 전자방출 표시장치의 화소 영역이 되며 비발광 영역은 화소 영역 사이에 형성되는 흑색 영역이 된다.

보다 구체적으로, 애노드 기판(200)은 전면 기판(210) 상의 유효 영역(212)에 형성되는 애노드 전극(220)과, 애노드 전극(220)에 전기적으로 접속되는 형광막(240), 및 절연층(250)을 포함한다. 또한, 애노드 기판(200)은 광차폐막(230)을 추가적으로 포함할 수 있다.

애노드 전극(220)은 캐소드 기판(도 1의 참조부호 100 참조)으로부터 방출된 전자가 쉽게 충돌할 수 있도록 전자를 가속시키기 위한 고전압을 형광막(240)에 전달한다. 유효 영역(212)에 전면 일체형, 분할형 또는 스트라이프(stripe) 모양으로 형성된다. 이러한 애노드 전극(220)은 애노드 기판의 제작을 용이하게 하기 위하여 광차폐막(230)과 유사한 재료, 예컨대, 크롬(Cr)을 주성분으로 하는 재료로 형성된다.

광차폐막(230)은 애노드 전극(220) 상에 매트릭스(matrix) 또는 스트라이프 모양으로 형성된다. 광차폐막(230)은 크롬(Cr) 박막으로 형성되며 외부 빛을 흡수 및 차단하여 광학적 크로스토크(cross talk)를 방지함으로써 콘트라스트(contrast)가 향상되도록 발광 영역을 형성하는 형광막(240) 사이에 배치된다. 또한, 광차폐막(230)은 그라운드측으로 충전 전류를 방출시키기 위한 인출부(234)를 구비한다.

형광막(240)은 애노드 전극 위에는 스트라이프 또는 도트(dot) 모양의 형광막이 형성된다. 이때, 형광막(240)은 광차폐막(230)의 일부와 중첩되도록 형성될 수 있다.

절연층(250)은 애노드 전극(220)에 충전되는 전류가 인출부(234)와 봉착용 프릿 바와 같은 봉착 부재(도 1의 참조부호 500 참조)를 통해 캐소드 기판측으로 전달되지 않도록 애노드 기판(200)을 절연하기 위한 것이다. 이를 위해, 절연층(250)은 애노드 전극(220)에 인가되는 전압에 따라 애노드 기판(200)과 캐소드 기판(100)을 상호 절연할 수 있는 두께(h)로 형성된다. 또한, 절연층(250)은 애노드 기판(200)과 캐소드 기판(100)을 봉착하는 데 사용되는 봉착용 프릿 바를 용이하게 접합시킬 수 있는 구조로 형성된다. 즉, 도 2에 도시한 바와 같이, 봉착용 프릿 바가 열 공정에 의해 삽입 접합될 수 있도록 절연층(250)의 상부는 오목한 요철부(252)로 형성된다.

상술한 구성에 의하면, 애노드 기판의 애노드 전극에 인가되는 고전압과 애노드 전극에 충전되는 전류가 인출부와 봉착 부재 등을 통해 캐소드 기판측으로 전달되는 것을 방지할 수 있고, 따라서 고압 인가 및 진공도에 대한 안정적으로 확보할 수 있다.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자방출 표시장치를 나타내는 단면도이다.

도 4를 참조하면, 전자방출 표시장치는 애노드 전극에 인가되는 고전압과 애노드 전극에 충전되는 전류가 캐소드 기판측으로 전달되는 것을 차단하면서 애노드 전극에 충전되는 전류를 효과적으로 방출한다. 이를 위해, 전자방출 표시장치는 전자방출 영역이 형성된 캐소드 기판(100), 전자방출 영역으로부터 방출된 전자의 충돌에 의해 발광하는 화상형성 영역이 형성된 애노드 기판(200), 이들 두 기판(100, 200) 간의 간격을 유지하는 스페이서(300), 및 캐소드 기판(100)과 애노드 기판(200)을 봉착하는 봉착 부재(500)를 포함하며, 이에 더하여 애노드 기판(200)과 봉착 부재(500) 사이에 형성되는 소정 형상의 절연층(250) 및 이 절연층(250) 하부에 형성되어 애노드 전극(220)에 충전된 전류를 방출하는 방출 전극(222)을 포함한다. 전자방출 표시장치는 그리드 전극(400)을 추가적으로 포함할 수 있다.

구체적으로, 캐소드 기판(100)은 배면 기판(110), 제1 전극(120), 제1 절연층(130), 전자방출부(140) 및 제2 전극(150)을 포함한다. 전자방출부(140)는 제1 전극(120) 및 제2 전극(150) 사이에 개재되는 제1 절연층(130)의 홀(132) 내부에 형성되며, 캐소드 전극으로 기능하는 제1 전극(120)에 전기적으로 접속되고, 게이트 전극으로 기능하는 제2 전극(150)과 제1 전극(120)에 의해 형성되는 전계에 의해 전자를 방출시킨다.

그리드 전극(400)은 캐소드 기판(100)의 전자방출 영역에서 방출된 전자가 통과하는 홀(420)을 구비하는 메쉬 형태의 도전성 시트로 형성된다. 또한, 그리드 전극(400)은 캐소드 기판(100)과의 사이에 제2 절연층(160)을 개재하고 캐소드 기판(100) 상부에 형성된다.

애노드 기판(200)은 투명한 전면 기판(210), 애노드 전극(220) 및 형광막(240)을 포함한다. 여기서, 전면 기판(210) 및 애노드 전극(220)은 투명한 재료로 형성되며, 애노드 전극(220)은 전면 기판(210) 상에 발광 영역을 형성하는 형광막(240)에 고전압을 인가한다. 또한, 애노드 전극(220)은 광차폐막(230, 232)과 유사한 재료, 예컨대 크롬(Cr)계 재료로 형성된다. 크롬계 재료는 크롬 및 크롬을 주성분으로 하는 크롬 합금을 포함한다.

또한, 애노드 기판(200)은 제1 광차폐막(230)을 포함한다. 제1 광차폐막(230)은 전면 기판(210)의 유효 영역 내의 발광 영역 사이에 비발광 영역 또는 흑색 영역을 형성한다.

또한, 애노드 기판(200)은 애노드 전극(220)에 인가되는 고전압 또는 애노드 전극(220)에 충전되는 전류가 인출부(234)와 봉착 부재(500) 등을 통해 캐소드 기판(100)측으로 흘러가지 않도록 적절한 두께의 제3 절연층(250)을 포함한다. 제3 절연층(250)의 상부는 봉착 부재(500), 예컨대, 봉착용 프릿 바의 일단이 용이하게 고정될 수 있는 모양로 형성된다. 다시 말해서, 제3 절연층(250)의 상부는 봉착 부재(500)가 적절하게 고정 접합할 수 있도록 오목한 요철부(252)로 형성된다. 봉착 부재(500), 예컨대, 봉착용 프릿 바는 열 공정을 통해 제3 절연층(250) 상부에 삽입되어 접합된다.

상술한 제3 절연층(250)의 두께(h)는 수 ㎸ 내지 수십 ㎸의 고전압에 견딜 수 있도록 대략 수십 내지 수백 ㎛로 형성된다. 한편으로, 제3 절연층(250)의 두께는 봉착 상태의 안정적인 유지를 위하여 애노드 전압에 따라 최소 두께로 형성되는 것이 바람직하다.

게다가, 애노드 기판(200)은 앞서 언급한 바와 같이 애노드 전극(220)에 충전되는 전류를 효과적으로 방출하기 위한 방출 전극(222)을 구비한다. 방출 전극(222)은 전면 기판(210) 상에서 제3 절연층(250) 하부에 형성된다. 다시 말해서, 방출 전극(222)은 애노드 기판(200)과 캐소드 기판(100)을 봉착할 때 사용되는 봉착 프릿 바 등의 봉착 부재(500)가 놓여지는 위치에 형성된다. 이것은 방출 전극(222)을 효과적으로 배치함으로써 불필요하게 장치의 크기가 커지지 않도록 한다.

이 경우, 애노드 기판(200)은 제3 절연층(250)의 하부에 형성되는 방출 전극(222)을 덮도록 제1 광차폐막(230)으로 연장되는 제2 광차폐막(232)을 더 포함한다. 제2 광차폐막(232)는, 방출 전극(222)이 후막 공정에 의한 은(Ag) 전극으로 형 성되는 경우, 은(Ag) 확산을 방지하기 위하여 방출 전극(222)을 넓게 덮도록 증착 공정에 의한 크롬(Cr) 박막으로 형성된다.

도 5는 도 4의 전자방출 표시장치의 애노드 기판을 나타내는 평면도이다. 도 6은 도 5의 B-B'선을 따라 취한 부분 단면도이다.

도 5 및 도 6을 참조하면, 애노드 기판(200)은 투명한 전면 기판(210), 애노드 전극(220), 방출 전극(222), 제1 광차폐막(230), 제2 광차폐막(232), 형광막(240) 및 절연층(250)을 포함한다.

구체적으로, 방출 전극(222)은 애노드 기판(200) 상의 유효 영역(212)을 둘러싸도록 형성된다. 방출 전극(222)은 애노드 기판(200) 특히 애노드 전극(220)에 충전되는 전류를 방출시키기 위한 것이다. 방출 전극(222)은 애노드 전극(220)의 충전 전류를 방출시키기 적합한 우수한 도전성 재료, 예컨대, 은(Ag)과 같은 도전성 재료로 형성된다. 은(Ag)을 이용하여 방출 전극(222)을 형성하는 경우, 은(Ag) 확산을 방지하기 위하여 방출 전극(222)은 제2 광차폐막(232)에 의해 넓게 덮혀진다. 그리고 방출 전극(222)은 그라운드측으로 충전 전류를 방출시키기 위한 인출부(234)에 전기적으로 접속된다. 인출부(234)는 제2 광차폐막(232)에 연결된다.

절연층(250)은 방출 전극(222)을 덮는 제2 광차폐막(232) 위에 형성된다. 절연층(250)의 높이(h)는 애노드 전극(220)에 인가되는 전압 레벨이 높은만큼 두껍게 형성된다. 또한, 절연층(250)은 애노드 기판(200)과 캐소드 기판을 봉착하는 봉착 부재가 용이하게 삽입 접합되도록 그 상부에 오목한 요철부(252)를 구비한다.

애노드 전극(220), 제1 광차폐막(230) 및 형광막(240)은 투명 기판(210) 상의 유효 영역(212)을 형성한다. 유효 영역(212)은 형광막(240)으로 형성되는 발광 영역과 발광 영역 사이에서 제1 광차폐막(230)에 의해 형성되는 비발광 영역을 포함한다.

또한, 애노드 전극(220)은 캐소드 기판의 전자방출 영역으로부터 방출된 전자를 가속시키기 위한 고전압을 형광막(240)에 인가한다. 애노드 전극(220)은 유효 영역(212)에 전면 일체형, 분할형 또는 스트라이프(stripe) 모양으로 형성된다.

또한, 제1 광차폐막(230)은 애노드 전극(220) 위에 매트릭스(matrix) 또는 스트라이프 모양으로 형성된다.

또한, 형광막(240)은 애노드 전극(220) 위에 스트라이프 또는 도트(dot) 모양으로 형성된다. 형광막(240)은 제1 광차폐막(230)의 일부와 중첩되도록 형성될 수 있다. 제1 광차폐막(230)은 크롬(Cr) 박막으로 형성되며 외부 빛을 흡수 및 차단하여 광학적 크로스토크를 방지함으로써 콘트라스트가 향상되도록 발광 영역 사이에 배치된다.

상술한 구성에 의하면, 애노드 기판의 애노드 전극에 충전되는 전류가 인출부와 봉착 부재를 통해 캐소드 기판측으로 전달되는 것을 방지하면서 동시에 애노드 전극에 충전되는 전류를 안정적으로 용이하게 방출할 수 있다. 따라서, 고압 인가 환경 및 진공도 환경 등을 안정적으로 확보할 수 있다.

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 애노드 기판 제작 방법을 나타내는 순 서도이다.

도 7을 참조하면, 애노드 전극에 충전되는 전류가 인출부 등을 통해 캐소드 기판측으로 전달되는 것을 방지하면서 애노드 전극에 충전되는 전류를 효과적으로 방출할 수 있는 애노드 기판을 제작하기 위하여, 먼저 투명한 전면 기판 상의 유효 영역에 증착 공정을 통해 애노드 전극을 형성한다(S10). 애노드 전극은 ITO(Indium Tin Oxide)를 이용하여 전면 일체형, 분할형 또는 스트라이프형으로 형성된다.

다음, 유효 영역을 둘러싸도록 방출 전극을 형성한다(S20). 방출 전극은 애노드 전극에 충전되는 전류를 효과적으로 방출하기 위한 것으로, 은(Ag) 재료로 후막 공정에 의해 형성된다.

다음, 유효 영역 내의 애노드 전극 위에 소정 패턴, 예컨대 매트릭스 또는 스트라이프 모양으로 수십 내지 수백㎚ 두께의 제1 광차폐막을 형성한다(S30). 제1 광차폐막을 형성하는 공정을 이용하여 유효 영역 밖에서 방출 전극을 덮는 제2 광차폐막을 형성한다(S40). 제2 광차폐막의 폭은 은(Ag) 확산을 방지하기 위하여 넓게 형성된다.

다음, 애노드 전극 위에 수십㎛ 두께의 형광막을 형성한다(S50). 형광막은 전면 기판측에서 볼 때 화소를 형성하는 형광막과 이 형광막 사이에 제1 광차폐막이 위치되도록 형성된다.

한편, 상술한 실시예에서는 애노드 기판의 구조를 애노드 전극 상에 형성된 형광막으로 설명하였다. 하지만, 본 발명은 그러한 구성으로 한정되지 않고 형광막 위에 금속 박막이 추가적으로 형성되거나 전면 기판 상에 형광막을 사이에 두고 애 노드 전극 기능을 하는 금속 박막이 형성되는 구조를 가질 수 있다. 이러한 경우, 금속 박막은 알루미늄(Al) 박막으로 형성된다.

상술한 실시예에서는 설명의 편의상 게이트 전극이 캐소드 전극 상부에 형성되는 캐소드 기판을 구비한 전자방출 표시장치를 예를 들어 설명하였다. 하지만, 본 발명은 게이트 전극이 캐소드 전극 하부에 형성되는 캐소드 기판을 구비한 전자방출 표시장치에도 용이하게 적용될 수 있다.

이상, 본 발명의 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상의 범위내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능하다.

본 발명에 의하면, 전자방출 표시장치의 애노드 기판의 유효 영역 외곽에 소정 두께의 절연층을 형성하여 애노드 전극에 충전되는 전류가 인출부와 봉착 부재를 통해 캐소드 기판측으로 전달되는 것을 차단한다. 게다가, 전도성이 우수한 은(Ag) 전극을 이용하여 애노드 기판의 유효 영역 외곽에 방출 전극을 형성하면서 유효 영역 내에 형성되는 광차폐막을 이용하여 방출 전극을 안정적으로 지지하도록 함으로써 애노드 전극에 충전되는 전류를 용이하게 방출한다. 따라서, 전자방출 표시장치의 고압 인가 환경과 진공도 환경을 안정적으로 용이하게 확보할 수 있다.

Claims (7)

1. 상부에 전자방출 영역이 형성되는 캐소드 기판;

   상기 전자방출 영역으로부터 방출된 전자의 충돌에 의해 발광하는 형광막과, 상기 형광막에 전압을 인가하는 애노드 전극, 및 상기 캐소드 기판과의 접착을 위하여 상기 애노드 전극 외곽에 형성된 절연층을 구비하는 애노드 기판; 및

   상기 절연층의 상부에 형성된 오목한 요철부에 일단이 삽입 접합되고 상기 캐소드 기판에 타단이 접합되는 봉착 부재를 포함하는 전자방출 표시장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 절연층은 상기 애노드 전극에 충전되는 전류를 방출하는 인출부를 통해 상기 캐소드 기판으로 전달되는 전류를 차단하는 전자방출 표시장치.
3. 제 2 항에 있어서,

   상기 절연층 하부에 형성되며 상기 애노드 전극에 충전되는 상기 전류를 방출시키는 방출 전극을 더 포함하는 전자방출 표시장치.
4. 제 3 항에 있어서,

   상기 방출 전극은 은(Ag)계 후막 전극인 전자방출 표시장치.
5. 제 4 항에 있어서,

   상기 형광막 사이에 형성되는 광차폐막을 추가적으로 포함하는 전자방출 표시장치.
6. 제 5 항에 있어서,

   상기 광차폐막은 상기 방출 전극을 덮도록 상기 절연층 하부에까지 연장되는 전자방출 표시장치.
7. 제 6 항에 있어서,

   상기 광차폐막은 크롬(Cr)계 박막인 전자방출 표시장치.

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