KR20010024503A

KR20010024503A - 입자의 흐름을 발생하기 위하여 플라즈마 밀도그레디언트를 활용하는 장치 및 방법

Info

Publication number: KR20010024503A
Application number: KR1020007004028A
Authority: KR
Inventors: 존슨웨인엘
Original assignee: 히가시 데쓰로; 동경 엘렉트론 주식회사
Priority date: 1997-10-15
Filing date: 1998-10-15
Publication date: 2001-03-26
Also published as: US6392187B1; EP1038042A1; WO1999019527A2; CN1275938A; CN1103655C; JP2001520433A; WO1999019527A3

Abstract

이온을 가속하기 위하여 밀도 그레디언트를 가지는 플라즈마를 사용하고, 그럼으로써 에너지 이온 및 중성입자의 흐름을 발생하는 장치 및 방법. 플라즈마 그레디언트는 플라즈마에 대한 비균일 자기장을 인가하거나 플라즈마에 비균일 RF소스를 제공함으로써 형성된다. 플라즈마 내에서 전압(즉, 플라즈마 전위)은 플라즈마의 밀도에 의존하고, 플라즈마 그레디언트는 플라즈마 내에서 전기장을 발생하며, 이온을 가속하기 위하여, 예를 들면 기판을 향하여 사용될 수 있다. 이 기술은 종래의 시스템 보다 저에너지의 가속된 입자를 발생하고, 그럼으로써 처리되어질 소재에 대한 손상을 덜 일으킨다. 부가하여, 장치에 의하여 가속된 이온은 종래의 시스템에 의해 가속된 것보다 낮은 속도를 가지기 때문에, 이온의 보다 큰 부분이 처리되어질 소재에 충돌하기 전에 자유전자와 함께 재결합하기 위하여 시간을 가진다. 중성입자가 이온보다 덜 손상을 입히기 때문에, 가속된 입자의 빔에 의해 일으켜진 손상의 양은 더욱 감소된다. 그 결과, 제조 수율은 증가되고, 제조코스트는 감소되고, 개선된 석판 해상도는 가능하고, 그럼으로써 실행을 개선하고 기판 위에서 제조된 회로의 코스트를 감소한다.

Description

입자의 흐름을 발생하기 위하여 플라즈마 밀도 그레디언트를 활용하는 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR UTILIZING A PLASMA DENSITY GRADIENT TO PRODUCE A FLOW OF PARTICLES}

[관련출원에 대한 상호참조]

본 발명은 1997년 10월 15일에 출원된 미국 가출원 No.60/061,857호에 대한 우선권을 주장하는 출원에 관련된다. 가출원의 내용은 이하에 참조로써 편입된다.

많은 전기 디바이스 및 고체상 제조 공정에서, 에너지-전하 또는 에너지-중성 가스 입자는 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 처리하기 위하여 사용된다. 하나의 실행에서, 입자는 유도성 또는 용량성 플라즈마 결합 요소에 의해 동력이 공급된 입자소스 내에서 가스에 발생된 플라즈마에 의해 공급될 수 있다. 도 1은 유도성 플라즈마 결합 요소 즉, 나선형 RF 코일(104)을 포함하는 전형적인 플라즈마 처리시스템을 도해한다. 공지된 유도성 플라즈마 발생시스템은 본 발명의 발명자인 웨인 엘. 존슨에게 발행된 미국 특허번호 5,234,529 호에 개시된다. 그 특허의 내용은 이하에 참조로서 편입된다.

도 1에 도해된 바와 같이, 가스는 가스입구(112)를 통하여 처리실(102)에 공급된다. 출력 임피던스 R₅를 가지는 RF 파워 소스(110)는 차례로 가스를 이온화하는 플라즈마 결합 요소(예를 들면, RF 코일(104))에 RF 파워를 공급하고, 처리실(102)의 입자영역(플라즈마 발생 영역(108))내에서 플라즈마 상태로 그것을 여기(exciting)한다. 임의로, RF 파워는 임피던스 매칭 네트워크(MN)를 통하여 플라즈마 결합 요소에 결합될 수 있다. 얻어진 플라즈마는 하전된 전하(즉, 이온 및 전자) 및 중성입자(중성원자 또는 분자)를 발생한다. 어떤 배열에서, 입자는 기판(예를 들면, 웨이퍼(106))이 설치된 척에 전압을 인가함으로써 가속된다. 가속된 입자는 입자소스(114)의 출력(120)에서 방사된다. 입자는 처리에 사용되거나 기판(106)의 프로세싱을 촉진한다. 예를 들면, 입자는 이온 보조 증착(IAD) 또는 반응성 이온에칭(RIE)을 위해 사용될 수 있다.

도 2는 개략적으로 피막증착소스(202)(예를 들면, 증착소스 또는 스퍼터링 소스)로부터 "첨가 원자"(206)(즉, 피막을 형성하기 위하여 증착된 원자 또는 "첨가된")를 제공함으로써, 웨이퍼(106)와 같은 기판 위에 증착되는 피막(304)에서 증착시스템의 실시예를 나타낸다. 입자소스(114)로부터 에너지 입자(208)의 흐름은 증착 동안 기판(106)을 향하여 배향되고, 입자(208)는 첨가원자(206)와 충돌하고, 그럼으로써 첨가원자에 에너지를 공급한다. 에너지 이온(208)은 첨가원자(206)의 표면 위에 보다 높은 이동성을 가지고, 그래서 첨가원자(206)는 저에너지의 영역(예를 들면, 고체물질에서 보이드가 있는 피막(304)에서의 위치)에 보다 주입되고 부착될 것 같다. 첨가원자(206)의 에너지의 증가는 보다 고품질의 피막을 발생하는 이점이 있다. 예를 들면, 피막은 보다 고밀도, 보다 큰 입자, 보다 소수의 결함을 가진다. 보다 고밀도의 피막은 (a) 보다 높은 도전성(도전성 물질의 경우에), 및 (b) 시간에 대하여 보다 안정한 도전성을 제공하기 때문에 유리할 수 있다. 이 방법에 의해 발생된 유전체 피막은 고체 밀도 유전체 상수에 더 가까운 유전체 상수를 가지며 증가된 유전체 세기를 가진다.

첨가원자의 에너지가 기판온도를 상승함으로써 증가될 수 있을지라도, IAD는 기판온도를 상승하기 위한 필요를 감소한다. 사실상, 이온 충격은 첨가원자 당 에너지의 하나의 전자볼트(eV)의 평균을 가하고, 대략 200℃로 기판온도를 증가시키는 것과 비교되는 효과를 가진다. IAD의 영향은 첨가원자에 부가에너지를 공급함으로써 더욱 증가될 수 있다.

그러나, 너무 많은 에너지의 부가는 처리된 기판 위에 여러 결점을 가질 수 있다. 매우 고에너지의 원자가 사용되면, 피막은 손상을 입을 수 있다, 예를 들면, IAD를 위한 종래의 이온소스는 수천의 전자볼트를 가지는 이온을 제공한다. 그러한 고에너지 이온의 활용은 피막 내에서 이온의 주입을 일으킬 수 있는 장점을 가진다. 주입은 처리가스(예를 들면 이온을 제공하기 위하여 사용된 아르곤)의 흡수를 일으키고, 피막을 열화시킬 수 있다. 열화는 (1)피막의 밀도를 감소함으로써, (2)피막에서 물질의 평균입자크기를 감소함으로써, 또는 (3)피막에서 부가적인 결함을 삽입함으로써 발생된다. 게다가, 깊게 주입된 입자의 부가는 원하는 이동성에 공헌하지 않는다.

반응성 이온에칭은 전자회로를 제조하기 위하여 석판공정(lithographic process)의 부분으로서 사용될 수 있다. RIE 공정은 맥그로우-힐 주식회사에 의해 출판된 피터 반 장(Peter Van Zant)의 마이크로칩 제조-반도체처리에 대한 실무 가이드에 기술된다. 반 장의 2판 및 3판의 내용은 이하에 참조로써 편입된다. 디자인은 기판의 수평면(즉, x 및 y 방향으로)을 가로질러 보다 컴팩트하게 되고, 디자인은 복잡성이 증가하기 때문에, 부가적인 금속 배선 층이 첨가된다(즉, z 방향으로). 이 변화는 접촉갭 및 변화하는 높이의 바이어스 및 보다 높은 종횡비를 처리할 필요를 발생한다. 수반된 문제의 설명은 1994년 8월 발행의 Semiconductor International 잡지에 공개된 "The Interconnect Challenge: Filling Small, High Aspect Ratio Contact Holes"로 명칭된 논문에 기술된다. 이 논문의 내용은 이하에 참조로써 편입된다.

공지된 반응성 이온 에칭시스템에서, 에칭되어질 물질의 피막은 가판 위에 먼저 성장(예를 들면, 산화에 의해서)되거나, 증착(예를 들면, 스퍼터링 또는 증발)된다. 레지스트층은 피막 위에 증착되고 에칭마스크를 형성하기 위하여 원하는 패턴에서 개발되고, 도 3a에 나타난 구조를 얻는다. 기판(예를 들면, 웨이퍼)은 다음에 피막을 에칭하기 위하여 입자소스 내에서 플라즈마에 의해 발생된 이온(1602A)으로 처리된다. 에칭은 에칭이 일어나는 영역에서 기판을 노출시키고, 그럼으로써 기판 위에 패턴된 피막을 방치한다. 레지스트(308)는 다음에 제거되고(예를 들면, 산화물 플라즈마를 사용함으로써), 베어(bare), 패턴된 피막을 방치한다. 도 3a는 기판몸체(302) 위에 피막(304)을 포함하는 기판의 프로세싱을 서술한다. 피막(304)은 좁은 오리피스 또는 슬롯(1602)을 형성하기 위하여 종래의 입자소스로부터 가속된 이온(1602A)에 의해 에칭된다. 에칭이 진행됨에 따라, 전자(1604)는 레지스트층(308)에 끌리고, 부착됨으로써, 이온빔(1602A)을 흐리게 하고 바람직하지 못하게 사이드에칭에 의해 오리피스(1606)를 넓힌다. 부가하여, 상술한 사이드에칭은 도전성 트레이스와 같은 고체 형상의 좁힘을 일으킬 수 있다.

반응성 입자의 종래의 소스가 수천 eV의 에너지로 이온을 발생하기 때문에, 에칭공정의 에칭선택성은 감소될 수 있다(즉, 공정은 성장되거나 증착된 피막의 에칭동안 바람직하지 않게 레지스트를 에치할 수 있다). 심한 경우에, 고에너지 입자는 노출하기 위해 충분한 레지스트를 부식할 수 있고 바람직하지 않게 에칭을 위해 의도되지 않은 피막의 부분을 에치할 수 있다. 흔히, 레지스트는 형상의 가장자리 근처에서 부식되고, 형상이 그의 의도된 크기와 관련하여 감소되어지는 것을 일으킨다. 따라서, 이는 작은 형상을 포함하는 고해상도 패턴의 제조가능성을 감소할 수 있다. 게다가, 고에너지 입자는 기판 몸체 또는 에칭되는 피막 아래의 낮은 피막에서 주입될 수 있고, 그럼으로써 기판 몸체 또는 낮은 피막의 전기적 특징을 열화한다.

본 발명이 바람직하게 다중 및 금속 에칭 처리에 응용될지라도, 아날로그문제는 에칭 고 종횡비가 실리콘 산화물과 같은 유전체물질을 수용할 때 존재한다. 에칭고종횡비홀의 공정은 굽타 등(Gupta et al.,)에 대한 미국특허번호 5,468,339, 10:1 종횡비로 기술된, 발명의 명칭이 "플라즈마 에칭프로세스"; 굽타 등(Gupta et al.,)에 대한 미국특허번호 5,468,340, 발명의 명칭이 "고선택적 고종횡비 산화물 에치방법 및 그 공정에 의해 만들어진 산물"; 윌리(Wylie)에 대한 미국특허번호 5,428,243, 다른 깊이의 홀이 동시에 에칭된, 발명의 명칭이 "자기배열된 심하게 도핑된 콜렉터 영역과 함께 쌍극성 트랜지스터 및 베이스 링크 영역"; 콕스 등(Cox et al.,)에 대한 미국특허번호 4,717,448 호, 발명의 명칭이 "반도체기판에서 깊은 수직 트랜치를 제공하기 위한 반응성 이온 에치 화학"에 더욱 기술된다. 이들 특허의 내용은 이하에 참조로써 편입된다.

이온소스에 대한 광범위한 정보의 비교적 최근의 소스는 Review of Scientific Instruments,Vol.61,No.1, part Ⅱ, 1990년 1월의 특별한 발행이다. 더욱이, 카우푸만(미국특허번호 3,156,0990)은 이온 로켓 엔진으로서 사용하기 위하여 의도된 두 그리드 이온소스를 기술한다. 이케다 등(미국 특허번호 4,243,1981)은 제 1전극은 금속메쉬를 포함하고 제 2전극은 금속판인 평행면 에칭장치를 기술한다. 타깃은 메쉬전극 외부에 위치된다. 어떤 플라즈마는 "메쉬전극의 메쉬를 통하여 누출"되고, 타깃의 표면에 접촉한다. 하퍼 및 가우푸만(미국특허번호 4,259,145)은 10 내지 100 eV의 범위에서 이온 에너지로 이온빔을 형성하기 위하여 단일추출 그리드를 기술한다. 쿠오모 및 하퍼(미국특허번호 4,351,712)는 30 내지 180eV의 이온 에너지 소스범위로, 하퍼 ＆ 가우푸만에 의해 기술된 소스와 유사하게, 이온소스를 기술한다. 오노 및 마쓰오(미국특허번호 4,450,032)는 샤워헤드를 닮은 이온소스를 기술한다. 가속전압은 200 내지 1000 볼트의 범위이다. 마쓰오 및 오노(미국특허번호 4,492,620)는 100V 만큼 낮은 가속전압을 포함하기 위하여 개량된 미국특허번호 4,450,031 에 기술된 장치의 개조를 기술한다. 켈러 및 코울타스(미국특허번호 5,206,516)는 훨씬 많은 에너지빔으로부터 25eV 이온빔을 얻기 위하여 3전극 감속렌즈를 사용한다.

피가체의 "이온층 플라즈마의 실험실 시뮬레이션", AIAA Journ., 11(2),pp. 129-30 (1973)은 단일 그리드 20eV 이온소스를 포함하는 플라즈마 풍동(wind tunnel)을 기술한다. 애스톤 등의 "두 그리드 가속시스템의 이온빔 발산 특징" AIAA Journ. 16(5), pp. 516-24, (1978)은 "두 그리드 가속시스템의 제 1의 포괄적인 연구"에 대하여 기록한다. 불린거의 "반도체 발생공정용 이온 밀링", 고체상기술, pp.66-70, (1977)은 초기 일반 논문에서 반도체 프로세싱의 환경 내에서 이온밀링을 기술한다. 하퍼 등의 "저에너지 이온빔 에칭", J Electrochem Soc: 고체상, 128(5), pp.1077-83, (1981)은 100eV 미만의 빔에너지로 단일 그리드 이온소스를 기술한다. 카우푸만 등의 "이온 머시닝 작동용 이온소스", AIAA Journ., 15(6),pp. 843-47,(1977)은 공업용 밀링용 이온소스를 다룬다. 카우푸만의 "스퍼터링에서 사용된 이온빔소스의 기술", J.Vac.Sci. 테크놀로지, 15(2),pp.272-6, (1978)은 스퍼터링용 이온빔의 사용을 다룬다. 카우푸만의 "넓은 빔 이온소스", Rev.Sci.Instrum., 61(1),pp.230-5,(1990)은 넓은 빔 이온소스를 기술한다. 양쪽 그리드되고 그리드가 덜된 이온소스가 고려된다.

쓰시모토(미국특허번호 4,123,316)는 플라즈마가 플라즈마 처리실에서 플라즈마 출력포트를 통하여 플라즈마 발생 챔버로부터 확산하는 플라즈마 프로세서를 기술한다. 플라즈마 출력 포트로부터 타깃 웨이퍼까지의 간격은 처리실에 남아있는 가스의 중간의 자유통로보다 적다. 증착 과정을 위하여, 플라즈마 발생 챔버 내에서 플라즈마와 타깃 웨이퍼 사이의 전위 차이는 단지 수 볼트이다. 쓰치모토의 "플라즈마 기류 수송방법....", J.Vac.Sci. 테크롤로지, 15(1),pp.70-3(1978)은 플라즈마가 열속도와 함께 발사시키는 것으로부터 타깃까지 플라스마 소스를 기술한다. 쓰치모토에 의한 더 최근의 논문인, 발명의 명칭이 "플라즈마 기류 수송 방법...",15(5),pp.1703-3,(1978) 은 그의 선행(15(1)) 논문에서 기술된 플라즈마 기류의 중립을 고려한다. 쓰치모토의 "플라즈마 기류 수송의 작동 모드 및 그의 광측정....", 17(6), pp.1336-40,(1980)은 부가적인 세목을 제시한다. 쿠오모 및 카우푸만(미국특허번호 4,451,890)은 자기중립 저에너지, 고세기 이온빔을 발생하는 홀(Hall)이온발생기를 기술한다. 양극-음극 전위차이는 30 내지 50 볼트의 범위이다.

이 등(미국특허번호 4,652,795)는 큰 구멍을 통하여 플라즈마 발생 챔버 밖으로의 플라즈마의 통과를 기술한다. 양극 및 음극전압은 독립적으로 변한다. 세키구치 및 미토(미국특허번호 4,664,747)는 플라즈마로부터 복사 및/또는 활성종은 플라즈마 방출 공간 외부에 위치된 타깃으로 이끌린 RF 또는 마이크로파 플라즈마 발생기를 기술한다. 메쉬 추출 전극이 사용될 수 있지만, 추출 전극이 없는 배열도 또한 고려된다. 자로윈 및 볼린거(미국특허번호 5,290,382)는 플라즈마가 플라즈마 챔버로부터 기판까지 하류로 흐르는 것을 통하여 포트 외부와 함께 RF 또는 마이크로파 여기(excited) 유도적으로 결합된 플라즈마 발생기를 기술한다. "상호작용 플랜지"는 활성종을 소비하기 위하여 기판으로부터 공간 분리를 제공하고 그럼으로써 유효한 빔 크로스 섹션을 제어한다.

첸 등(미국특허번호 5,469,955)은 중성빔이 제공될 수 있는 멀티챔버 장치를 기술한다. 플라즈마는 RF 플라즈마 발생챔버에서 발생되고, 하류에서 플라즈마가 정지 플라즈마 챔버로 큰 구멍을 통하여 확산한다. 모조의 중성빔은 제 3의 챔버에서 발생된다. 입자에너지 " 반도체 물질에서 결정격자 손실을 일으키는 하류에"는 가능하다. 모슬히에 의한 "신속한 열/마이크로파 리모트 플라즈마 처리에 의한 MOS게이트의 형성..."IEEE 전자 디바이스 레터, EDL 8(9), PP.421-4, (1987)은 플라즈마가 마이크로파 공동에서 발생된 시스템을 기술한다. 원격조작의 마이크로파 플라즈마는 선택적이고, 제어된 특정 플라즈마 종의 발생을 허용한다.

로고프(미국특허번호 4,090,856)는 부분적으로 경계를 진 영역에서 하나의 동위체를 먼저 선택적으로 이온화함으로써 동위체를 분리한다. 둘러싼 벽을 향하여 하전된 동위체의 양극성 확산은 일어난다. 경계에 인접하고, 바람직한 동위체에서 풍부한 가스는 실질적으로 벽에서 중성화되고 다음에 남아있는 혼합물로부터 분리된다. 첸(미국특허번호 4,297,191) 및 브리지(미국특허번호 4,545,878 및 4,563,258)은 유사하다.

따라서, 저에너지 이온 및 중성입자를 제공할 수 있는 장치 및 방법이 필요하다. 특히, 기판 또는 기판 위에서 피막을 손상하지 않고 기판을 처리하기 위하여, 현저하게 1,000eV 미만의 에너지로 입자의 흐름을 제공할 필요가 있다.

[발명의 요약]

그러므로 본 발명의 목적은 기판을 처리하기 위하여 저에너지 입자빔을 제공할 수 있는 시스템 및 방법을 제공하기 위한 것이다.

본 발명의 하나의 측면에 따라서, 밀도 그레디언트와 함께 플라즈마는 이온을 가속하기 위하여 활용된다. 특히, 본 발명에 따른 입자소스는 바람직한 에너지를 가지고, 그러므로, 바람직한 속도 및/또는 선택성을 가지는 이온을 발생하기 위하여 배열될 수 있다. 선택된 이온속도가 충분히 낮고 처리되어질 기판 사이의 간격과 입자소스가 충분히 크다면, 이온은 기판을 충돌하기 전에 자유전자(즉, 원자와 결합하지 않은 전자)와 함께 재결합하기 위한 충분한 시간을 가질 수 있고, 그럼으로써 가속된(즉, 에너지의)중성입자를 발생한다. 이 결합 공정은 프로세싱 시스템의 전하 변화영역에서 일어난다.

본 발명의 유리한 측면에 따라서, 플라즈마 밀도 그레디언트는 플라즈마로 비균일 자기장을 인가함으로써 발생된다. 플라즈마의 밀도 n_p가 그것에 인가된 자기장에 의존하기 때문에, 그레디언트와 함께 자기장은 밀도 그레디언트와 함께 플라즈마를 제공하기 위해 사용될 수 있다. 플라즈마 밀도 그레디언트는 전기장을 발생하고, 그럼으로써 (1)이온이 발생되고 (2)그것들이 입자소스를 나가는 곳 사이에서 전압을 발생한다. 이 전압은 차례로 이온을 가속한다. 이온의 에너지는 플라즈마 밀도 그레디언트에 의해 발생된 전기장에 의해 유도된 전압에 의존한다. 에너지는 하전된 이온이 중성이온을 부딪칠 때 하전 변화공정에서 나중에 통과된다.

본 발명의 다른 유리한 측면에 따라서, RF 파워의 비균일성은 플라즈마에 인가되고, 그럼으로써 비균일성 플라즈마 밀도 n_p를 발생하고, 차례로 이온을 가속하기 위하여 전기장(및 전기장과 함께 가속된 전압)을 발생한다.

RF 소스와 플라즈마의 이온 사이에서 결합효과를 감소하기 위한 본 발명의 또 다른 목적이 아직 있다. RF 차폐를 통하여 결합을 감소함으로써 이온은 프로세싱 지역을 향하여 아래 방향으로 훨씬 쉽게 향한다. 이는 보다 큰 웨이퍼 프로세싱 균일성을 가능하게 한다. 마찬가지로, 밀도 그레디언트를 제공함으로써, 또한 바이어스된 척을 사용하지 않고 입자가속을 발생하는 것이 가능하다. 이 변화는 RF 코일에 인가된 제 1 RF 소스와 척에 인가된 제 2 RF 소스 사이에서 필요한 협조적인 제어의 양을 감소함으로써 시스템을 간단화한다. 이 간단화는 전체 시스템의 코스트를 감소한다.

본 발명은 기판을 처리하기 위해 사용될 수 있는 입자의 흐름을 제공하기 위하여 플라즈마 밀도 그레디언트를 사용한다. 시스템은 고에너지 입자의 저밀도기류 만큼 효과적으로 기판을 처리하기 위하여 저에너지 입자의 고밀도(즉, 상당히 많은 입자 당 유니트 체적) 흐름을 활용한다. 더욱이, 고밀도기류는 고에너지 입자의 저밀도기류보다 덜 손상을 일으킨다. 그래서 본발명은 종래의 시스템에서 결함을 극복하고 예를 들면 증착피막의 질을 개선함으로써, 상당한 이점을 제공한다. 보다 특별하게, (1)개선된 피막 형태(예를 들면, 보다 적은 힐록(hillock)형성)가 얻어질 수 있고, (2)보다 높고 훨씬 안정한 도전성의 가치가 도전층에서 얻어질 수 있고, 및 (3)전자이동 효과가 감소될 수 있다. 게다가, 피막의 에칭동안 기판 손상은 감소될 수 있고, 적은 디바이스 결함이 얻어진다. 그 결과, 제조수율은 증가하고 제조코스트는 감소된다.

본 발명은 플라즈마 처리실에서 입자의 흐름을 제공하기 위한 시스템, 특히 활성성분의 흐름 및/또는 기판을 처리하기 위하여 에너지 입자를 제공하기 위한 시스템에 관련된다.

본 발명의 보다 완전한 인식과 많은 그의 부수적인 장점은 이하의 발명의 상세한 설명이, 첨부된 도면과 관련하여 고려될 때, 당업자에게 쉽게 명백하게 될 것이며;

도 1은 유도적으로 구동된 플라즈마 시스템의 실시예의 개략적인 도해이다.

도 2는 이온 보조증착(IAD)시스템의 개략적인 도해이다.

도 3a 및 3b는 에너지 이온 및 에너지-중성 입자를 사용하여 피막을 패턴하기 위한 에칭 공정을 추적하는 개략적인 도해이다.

도 4는 본 발명에 따른 자기장 그레디언트를 발생하기 위하여 코일을 유도하는 자기장을 포함하는 플라즈마 프로세싱 시스템의 제 1 실시예의 개략적인 도해이다.

도 5는 본 발명에 따른 입자를 가속하기 위하여 밀도 그레디언트와 함께 플라즈마를 제공하기 위한 디바이스의 개략적인 도해이다.

도 6a는 본 발명에 따른 단일 자기 코일의 자기장패턴의 개략적인 도해이다.

도 6b는 반대 방향으로 흐르는 전류와 함께 두 코일에 의해 발생된 자기장패턴의 개략적인 도해이다.

도 6c는 코일 두 쌍에 의해 발생된 자기장 패턴의 개략적인 도해이고, 한 쌍의 전류는 제 2의 쌍의 전류로부터 반대방향이다.

도 6d는 본 발명에 따라서, 트리밍코일(trimming coil)을 포함하는, 영구자석의 자기장 패턴의 개략적인 도해이다.

도 7은 플라즈마 전압 대 플라즈마의 밀도의 전형적인 그래프이다.

도 8은 본 발명에 따라서 밀도 그레디언트를 발생하기 위하여 도전성 차폐 요소를 포함하는 플라즈마 프로세싱 시스템의 제 2 실시예의 개략적인 도해이다.

도 9는 도전성 차폐 요소에서 플라즈마 밀도 대 슬롯 폭의 그래프이다.

도 10a는 본 발명에 따라서 플라즈마 밀도 그레디언트를 발생하기 위하여 테이퍼된 슬롯을 가지는 도전성 차폐 요소의 실시예의 개략적인 도해이다.

도 10b는 본 발명에 따라서 플라즈마 밀도 그레디언트를 발생하기 위하여 비직선적으로 테이퍼된 슬롯을 가지는 도전성 차폐 요소의 실시예의 개략적인 도해이다.

도 10c는 본 발명에 따라서 플라즈마 밀도 그레디언트를 발생하기 위하여 조정할 수 있는 테이퍼된 슬롯을 가지는 도전성 차폐 요소의 실시예의 개략적인 도해이다.

도 11a는 플라즈마 밀도 대 도전성 차폐 요소의 균일폭의 슬롯을 따른 위치의 전형적인 그래프이다.

도 11b는 플라즈마 밀도 대 도전성 차폐 요소의 슬롯을 따른 위치의 전형적인 그래프이고, 슬롯은 균일 플라즈마 밀도를 제공하기 위하여 비직선의 테이퍼를 가지는 것을 특징으로 한다.; 및

도 11c는 본 발명에 따라서 한 방향으로 플라즈마 밀도 그레디언트를 발생하는 플라즈마 밀도 대 도전성 차폐 요소의 슬롯을 따른 위치의 전형적인 그래프이다.

[바람직한 실시예의 설명]

여러 목적의 구석구석까지 동일하거나 대응하는 부분을 나타내는 참조부호와 같이 도면을 참조하면, 도 4는 본 발명에 따른 플라즈마 프로세싱 시스템을 처리하는 개략적인 도해이다. 시스템은 도 1에 대하여 참조로 기술된 종래의 시스템과 유사하고 가스입구(112), RF코일(104)에 의해 둘러싸인 처리실(102), 및 RF소스(110)를 포함한다. 시스템은 DC코일(504A 및 504B)에 제어 가능한 전류를 인가하기 위하여 두 전류소스(808A 및 808B)를 제어하기 위하여 제어기(802)를 더욱 포함한다. 처리실은 개념적으로 두 영역--플라즈마 발생영역(108) 및 전하 교체 영역(109)을 포함한다. 이온은 중성입자를 발생하기 위하여 전하 교체 영역(109)에서 자유전자와 결합하기 위하여 플라즈마 발생 영역(108)에서 발생된다. 임의의 실시예에서, 전하 교체 영역(109)은 하전된 이온이 흔히 동일 요소의 중성원자로 전하를 교체하는 것을 가능하게 한다. 입자의 에너지 기류를 발생하기 위하여 플라즈마는 에너지화되고 압력 그레디언트는 처리되어질 웨이퍼 또는 기판을 향하여 에너지 입자를 지배하도록 구축된다. 그러나 입자 가속의 대부분은 DC코일(504A 및 504B)에 의해 발생된 자기장에 의해 일으켜진다. 처리실을 보다 길게 만듬으로써, 에너지 입자가 보다 긴 간격(및 그럼으로써 보다 긴 주기)을 위하여 가속되기 때문에 보다 높은 에너지 입자가 발생될 수 있다. 플라즈마 발생 영역(108)의 길이 및 전하 교체 영역(109)은 변화하는 처리 요구를 조정하기 위하여 다른 에너지의 에너지 입자를 제공하기 위하여 변할 수 있다.

도 2의 입자소스(114)는 에너지 입자보조 증착(EPAD) 시스템으로서 배열된 도 4의 시스템에서 사용될 수 있다. 그러한 시스템에서, 피막증착소스(202)는 피막(304)을 공급하기 위하여, "첨가원자"(206)(즉, 원자가 웨이퍼(106)와 같은 기판 위에서 증착되거나, 또는 "첨가된")를 공급한다. 입자소스(114)는 그것이 성장함에 따라서, 부가에너지와 함께 첨가원자(206)를 제공하기 위하여, 피막(304)에 에너지 입자(208)를 공급하고, 그럼으로써 웨이퍼(106) 및/또는 피막(304)위에 표면 이동성을 증가한다. 첨가원자의 증가된 표면 이동성은 피막(304)의 질을 개선한다. 에너지입자(208)는 가속된 이온, 가속된 입자 또는 양 입자 형태의 결합일 수 있다. 더욱이, 어떤 경우에 본 발명에 따라서, 에너지 입자가 첨가원자(206) 및/또는 피막(304)과 함께 반응하지 않는 것이 바람직하다면, 비반응성(즉, 불활성)가스(예를 들면, 아르곤)을 포함하기 위하여 입자소스(114)에 공급된 가스 혼합물이 바람직하다.

EPAD 시스템을 위하여, 종래의 소스에 의해 발생된 입자보다 저에너지를 가지는 입자를 공급하기 때문에, 저에너지 중성을 발생하는 입자소스(114)는 종래의 입자소스를 능가하여 유리하다. 저에너지 소스는 그럼으로써 고에너지 이온 및/또는 중성입자의 주입에 의해 달리 발생되는 손실량을 감소한다. 발명의 입자소스(114)는 저에너지 입자(예를 들면, 첨가원자 당 100eV 미만)를 현저하게 제공할 수 있고, 본 발명의 가속된 입자(208)는 고에너지 입자보다 피막(304)에 덜 주입되어질 것 같다. 저에너지 입자소스(114)는 피막으로 이온의 초과적인 주입을 피함과 동시에, EPAD 및/또는 IAD(예를 들면, 고에너지, 보다 큰 입자 및 적은 결함)의 이익을 제공한다. 게다가, 어떤 공지된 시스템은 입자를 가속하기 위하여 기판을 바이어스 하기 위하여 부가적인 RF소스를 요구하고, 본 발명의 입자소스는 입자를 가속하기 위하여 밀도 그레디언트를 활용하며, 그럼으로써 (1) 부가적인 RF소스 및 (2)기판홀더에 RF소스를 결합하기 위하여 사용된 매칭네트워크 양자를 배제하는 것을 허여한다. 게다가, 저에너지로 에너지 입자를 활용함으로써, 이온은 처리되어질 기판에 도착하기 전에 자유전자와 함께 결합하기 위해 더 많은 시간을 갖는다. 따라서, 가속된 입자의 상당한 부분은 이온에 비하여, 중성입자이고, 피막 또는 기판을 덜 손상한다.

도 2의 입자소스는 도 3b에서 도해된 반응성 에칭 프로세스를 위하여 사용될 수 있다. 본 발명에 따라서, 피막(304)은 기판 몸체(302)의 노출부분을 위하여, 입자소스(114)에 의해 발생된 에너지 중성입자(1602C)의 기류에 대하여 그것을 노출함으로써 에치된다. 입자소스(114)에 공급된 가스 혼합물은 바람직하게는 반응성 가스(예를 들면, Cl)를 포함한다. 공정은 이온빔에칭 및 플라즈마 에칭 양자의 장점을 가지고 우수한 선택비로 반응성 이온 에칭 시스템을 제공한다.

본 발명의 입자소스는 어떤 공지된 소스보다 저에너지 입자를 발생하기 때문에, 보다 적은 손실이 피막(304), 기판몸체(302) 및 레지스트(308)에 일어난다. 첨가원자의 에너지가 보다 낮게 유지함으로써, 회로수행의 보다 적은 열화가 일어나고 고해상도 패턴의 개선된 제조가능성이 제공된다. 게다가, 본 발명에 따라서, 중성입자(1602C)는 특히 도 3b에 도해된 바와 같이, 석판공정의 에칭단계의 해상도를 개선하기 위하여 유리하다. 중성입자의 빔(즉, 중성원자 및/또는 분자)(1602C)은 레지스트 층에 끌리는 전자(1604)에 의해 흐려지지 않는다. 따라서, 피막(304)은 레지스트(308)의 패턴에 대응하여 보다 가깝게 패턴으로 에치된다. 이는 종래의 시스템보다 도다 적은 사이드에칭과 함께 보다 적은 형상의 에칭을 가능하게 한다. 이는 증가된 회로밀도 및 감소된 디바이스 크기의 장점을 제공한다. 증가된 밀도는 웨이퍼 당 보다 많은 회로를 제공하고, 그 결과 회로의 코스트를 감소한다.

도 5는 도 4의 입자소스(114)의 부가적인 세목을 보이는 개략적인 도해이다. 가속된 입자소스(520)는 본 발명의 하나의 실시예에 따라서 기판(106)을 처리하는 입자를 제공하기 위하여 사용된다. 이 실시예에서, 가스의 혼합물(반응성 또는 불활성)은 하나 이상의 가스 탱크에 연결된 하나 이상의 튜브에 의해 공급되고 주입플레이트(506)에서 홀(514)을 통하여 소스(520)에 삽입된다. RF발생기(도시하지 않음)로부터 RF 파워는 이 실시예에서, 나선형 코일의 형태로 유도성 플라즈마 결합요소(104)를 통하여 소스(520)에 결합된다. RF파워는 플라즈마 발생영역(108)에서 플라즈마를 발생한다. DC 자기코일(504)(즉, 전자석)은 주입플레이트(506) 근처에서 보다 집중되고 출력(120)근처에서 덜 집중된 DC 자기장을 제공한다. 보다 특별히, DC 자기코일(504)은 전류 Ⅰ를 운송하고 도 6a에 나타낸 패턴에 유사한 자기장 패턴을 발생한다.

도 6a에 도해된 바와 같이, 자기장은 코일(504)에 가장 가까운 영역에서 가장 세게 되는 경향이 있다. 전자를 트랩(trap)하는 자기장의 경향 때문에, 플라즈마는 보다 센 자기장의 영역에서 보다 밀집하게 되는 경향이 있다. 그 결과, DC 자기코일에 의해 제공된 자기장은 그레디언트(즉, 장(field)은 도 5의 주입플레이트로부터 출력(120)까지 세기가 감소)를 가지기 때문에, 플라즈마는 주입플레이트(506)근처에서 보다 집중되고 출력(120)근처에서 덜 집중된다(즉, 플라즈마 밀도는 주입플레이트로부터 출력(120)까지 음의 그레디언트를 갖는다).

플라즈마 내에서 전위(즉, 전압)는 플라즈마 밀도 n_p(즉, 유니트 체적 당 이온-전자쌍의 수), 플라즈마를 발생하기 위하여 사용된 특정 가스 혼합물, 인가된 자기장, 및 인가된 전기장과 같은 플라즈마 조건에 의존한다. 플라즈마는 양극성 확산으로 알려진 공정에 의해 그것을 포함하는 챔버의 벽이 함께 상호작용하고, 전자는 표면에 끌리고, 그 표면에 부착하고, 차례로 그 표면에 대하여 이온을 끈다. 이온은 유효한 전자와 함께 표면에 도착한 후, 중성 입자(즉, 중성 원자 및/또는 분자)를 형성하기 위하여 전자와 함께 결합한다. 예를 들면, 보다 많은 전자 또는 보다 많은 양이온은 그 표면에 부착하는 것에 의존하여, 표면은 네트 음 또는 양의 표면 전하를 이룬다. 그 결과, 전기장은 도 5의 소스(520)의 내부표면에서 발생되고, 그럼으로써 예를 들면, 부분 플라즈마 밀도에 의존하는 전압을 발생한다. 그 결과, 소스(520)내에서 및 근처의 플라즈마 밀도에서 그레디언트는 주입플레이트(506) 및 기판(106) 사이에 존재하기 위하여 전압차이를 일으키고, 그럼으로써 기판(106)의 방향으로 이온을 가속한다.

도해적으로, 도 7은 플라즈마 밀도 n_p위에 플라즈마 전압 V의 전형적인 의존성을 보이는 그래프이다. 그 그래프에서, 플라즈마 밀도는 증가 하기 때문에, 플라즈마 전위 V는 먼저 n_p증가와 함께 감소하고, 다음에 최소에 도달하고 다음에 플라즈마 밀도의 보다 높은 레벨에서 증가하기 시작한다. V가 n_p에 의존하기 때문에, 플라즈마 밀도에서 그레디언트는 이온을 가속하기 위하여 사용될 수 있는 전기장을 발생한다.

도 5의 실시예에서, 코일(504)에 의해 발생된 DC 자기장은, 주입플레이트(506) 근처의 플라즈마 발생영역(108)의 부분에서 보다 높은 밀도(예를 들면 도 7의 n_p2)와, 음극(508)(그라운드된) 근처의 플라즈마 발생영역(108)의 부분에서 보다 낮은 밀도(예를 들면 도 7의 n_pc)를 가지기 위하여 플라즈마를 일으키고, 그럼으로써 주입플레이트(506)에서 존재하기 위해 보다 높은 전압(예를 들면, 도 7의 V₂) 및 음극(608)에서 존재하기 위해 보다 낮은 전압(예를 들면, 도7에서 0와 동등한 V_c)을 일으킨다. 결국, 주입플레이트(506)는 음극(508)의 전압에 비교된 양의 전압과 함께 자기바이어스된다(즉, 그것을 둘러싸는 플라즈마의 전압을 달성). 그러므로 주입플레이트(506)는 양극으로서 행동한다. 게다가, 플라즈마 밀도는 플라즈마 발생 영역(108)의 외부의 포인트를 위하여 더욱 감소하고, 기판(106) 근처의 플라즈마 밀도(예를 들면, n_p1)는 음극(508) 근처의 플라즈마 밀도(예를 들면, n_pc)보다 낮다. 그러므로, 이 실시예에 따라서, 기판(106)은 음극(508)에 대하여 음으로 자기바이어스된다(예를 들면, 도 7에서 V=V₁). 그 결과, 양이온은 기판(106)에 대하여 플라즈마 영역(108)으로부터 가속되고, 그럼으로써 기판을 처리한다(즉, 기판 위에서 피막을 에칭하거나, 또는 IAD 공정에 공헌). 이 실시예에서, 기판(106) 근처의 플라즈마 밀도 n_p1는 음극(508) 및 주입플레이트/양극(506) 근처의 전압(V_C,V₂)보다 낮은 기판 근처의 전압(V₁)을 얻을 지라도, 다른 경우에, 아직 낮은 플라즈마 밀도(예를 들면, 도 7에서 n_p3)는 사실상 기판을 향하여 음이온을 가속하기 위하여 사용될 수 있는 보다 높은 전압(예들 들면, V₃)을 얻는 것이 이해된다.

도 5의 코일(504)과 같은 단일 DC 코일에 의해 발생된 자기장 그레디언트는 제 1 코일의 전류의 것에 반대의 방위각의 방향으로 흐르는 전류와 함께, 부가적인 DC 코일(즉, 전자석)을 제공함으로써 향상될 수 있다. 이 배열의 실시예는 도 6B에서 개략적으로 도해되고, 하나의 방위각 방향으로 흐르는 전류 Ⅰ₁과 함께 제 1 코일(504A) 및 반대의 방위각 방향으로 흐르는 전류 Ⅰ₂과 함께 제 2 코일(504B)을 포함한다. 두 코일(504A 및 504B)은 서로 같은 축을 가지고 배치되고 간격 d에 의해 분리된다. "버킹 코일"로서 알려진 이 배열은 반대방향으로 흐르는 전류를 활용한다. 도 6b의 실시예에서, 자기장 B는 코일(504A)에 보다 가까운 영역에서 상류 방향 및 코일(504B)에 보다 가까운 영역에서 하류방향으로 배향된다. 대략 코일(504A)와 (504B) 사이에서 중간쯤에, 특히 Ⅰ₁및 Ⅰ₂가 근사하게 동등한 것을 특징으로 하는 경우에, 자기장은 최소장 거대영역(602) 내에서 말소된다. 임의의 실시예에서, 헬름홀쯔 코일(양 코일에서 동일 방향으로 흐르는 전류)은 임의의 자기장 배열을 제공하기 위해 사용될 수 있다.

본 발명에 따라서 버킹 코일의 실시예는 도 6c에 도해된다. 이 배열은 코일(504A 및 504B)에 부가하여 트리밍 코일(604A 및 606B)을 포함한다. 트리밍 코일(604A 및 606B)은 버킹코일에 의해 발생된 자기장 B를 미조정하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들면, 4개의 코일(504A, 504B, 606A, 606B)의 자기장은 최소장 거대영역(602) 내에서 말소하기 때문에, 최소장 거대영역(602)의 위치는 하나 이상의 코일을 통하여 전류를 바꿈으로써 이동될 수 있다. 더욱 특별히, 각 코일(504A 및 504B)에서 일정한 전류를 유지하는 동안, 트리밍 코일(604A 및 606B)의 하나 또는 양자에 공급된 전류는 변할 수 있다.

도 6d에 도해된, 본 발명의 이러한 특징의 부가적인 유리한 측면에 따라서, 자기장(B)은 영구자석(610)에 의해 제공될 수 있고, 도 6a의 코일(504) 또는 도 6B의 코일(504A 및 504B)의 하나 이상을 교체할 수 있다. 부가하여, 또한 도 6d에 도해된 바와 같이, 하나 이상의 영구자석을 사용하는 자기장 그레디언트를 발생하기 위한 배열은 하나 이상의 영구자석(610)에 의해 제공된 자기장의 조정을 허여하기 위하여 트리밍 코일(606)을 더욱 포함할 수 있다. 도 6d의 영구자석(610)은 북극 N 및 양극 S를 가진다. 이 실시예에서, 북극은 트리밍 코일(606)에 인접하게 배치된다. 임의적으로, 양극은 트리밍 코일(606)에 인접하게 배치될 수 있다.

도 8은 본 발명에 따른 플라즈마 프로세싱 시스템의 임의의 실시예의 개략적인 도해이다. 이 실시예는 도전성 차폐 요소(또는 "정전차폐물")(804)와 함께 도 4의 실시예의 DC 코일(504A 및 504B)을 교체한다. 도전성 차폐 요소(804)는 플라즈마 발생 영역(108)의 부분을 차폐하고, 그럼으로써 도전성 차폐 요소(804)에 의해 둘러싸인 영역에서 플라즈마의 밀도를 감소한다. 이 실시예에서, 도전성 차폐 요소(804)는 정점 및 바닥에서 오픈하는 중공의 실린더 형태이다. 도전성 차폐 요소(804)의 높이는 웨이퍼(106) 위에서 실행되어질 프로세싱의 타입에 의해 규정된다. 플라즈마 발생 영역의 보다 높은 부분에 결합된 RF파워의 양을 크게 바꾸지 않으면서, 플라즈마 발생 영역(108)의 보다 낮은 부분에 결합된 RF파워의 양을 감소함으로써, 도전성 차폐 요소(804)는 플라즈마에서 밀도 그레디언트를 일으킨다. 나타난 바와 같이, 보다 높은 밀도는 플라즈마 발생 영역(108)의 보다 낮은 부분과 비교하여 플라즈마 발생 영역의 상부의 부분에서 발생된다. 따라서, 전압은 플라즈마 발생 영역(108)의 정점에서부터 바닥까지 발생되고, 그럼으로써 입자소스(114)의 출력(120)을 향하여 이온을 가속한다. 가속된 이온의 재결합에 의해 발생된 가속된 중성입자 뿐만 아니라, 가속된 이온은, 기판홀더(814)(예를 들면, 정전기척)에 의해 수용되거나 또는 거기에 부착될 수 있는 웨이퍼(106)를 처리하기 위해 사용된다. 도 8의 도전성 차폐 요소(804)가 플라즈마 발생 영역(108)의 바닥부분을 둘러쌈에도 불구하고, 본 발명에 따른 도전성 차폐 요소는 임의적으로, 플라즈마 발생 영역(108)의 정점을 둘러싸고, 그럼으로써 플라즈마 밀도가 플라즈마 발생 영역의 보다 낮은 부분에서 보다 높고 플라즈마 발생 영역의 보다 높은 부분에서 보다 낮게 되는 것을 일으킨다. 플라즈마의 상부 또는 하부 부분 내에서 보다 높은 밀도의 경우에, 양 또는 음의 극성의 전압은 상부로부터 하부 부분까지 존재할 수 있다. 예를 들면, 도 7에 도해된 바와 같이, 하부 플라즈마 밀도(예를 들면, n_p3)는 보다 높은 플라즈마 밀도(예를 들면, n_p1)에 의해 발생된 전압(예를 들면, V₁)보다 큰 전압(예를 들면, V₃)을 발생할 수 있다. 임의적으로, 보다 높은 플라즈마 밀도(예를 들면, n_p2)는 보다 낮은 플라즈마 밀도(예를 들면, n_p1)에 의해 발생된 전압(예를 들면, V₁)보다 큰 전압(예를 들면, V₂)을 발생할 수 있다.

부가하여, 본 발명에 따라서, 도전성 차폐 요소(804)는 RF파워에 의해 도전성 차폐 요소에서 유도된 순환하는 전류를 방해하고, 유도성 플라즈마 결합 요소와 플라즈마 사이에 용량성 결합을 제공하기 위하여 하나 이상의 슬롯과 함께 제공될 수 있다. 그러므로, 슬롯은 플라즈마 및 플라즈마의 특정 부분의 밀도 n_p에 결합된 RF파워의 양을 조정하기 위해 사용될 수 있다. 도 9에 도해된 바와 같이, 슬롯 근처의 플라즈마 밀도 n_p는 슬롯의 폭과 함께 증가하는 경향이 있다. 게다가, 플라즈마 내에서 플라즈마 밀도는 비균일할 수 있고, 비균일성은 도 10a-10c에 도해된 바와 같이, 슬롯의 모양에 의해 영향을 받을 수 있다.

예를 들면, 도 10a에 도해된 바와 같이, 균일한 폭의 슬롯(1002)은 슬롯을 따라서 위치 x와 함께 변하는 플라즈마 밀도 n_p를 발생한다. 이 경우에, n_p는 슬롯(1002)의 말단(x=x₁및 x=x₂) 근처에서 보다 낮다. 균일한 플라즈마 밀도 n_p는 도 10b에 도해된 바와 같이, 비균일한 폭의 슬롯(1002)을 제공함으로써 플라즈마의 부분 내에서 발생될 수 있고, 플라즈마 밀도 n_p대 슬롯을 따라서 위치 x의 윤곽과 함께 그러한 슬롯을 추적한다. 도 10b의 실시예에서, 플라즈마 밀도 n_p는 슬롯의 중앙부분 근처에서 비교적 균일하고, 슬롯의 가장자리 근처에서 단지 비균일하다. 임의적으로, 한 방향으로 밀도 그레디언트와 함께 플라즈마를 발생하기 위하여, 도 10c에 도해된 바와 같이, 테이퍼된 슬롯은 제공될 수 있다. 이 도면에 나타난 실시예에서, 플라즈마 밀도 n_p는 슬롯(1002)의 넓은 부분 근처에서 보다 크고 슬롯의 좁은 부분 근처에서 보다 작다.

도 10c에 나타난 바와 같은 테이퍼된 슬롯은 도 11a에 도해된 바와 같이, 도전성 차폐 요소(804)의 형상으로서 제공될 수 있다. 이 도전성 차폐 요소(804)는 플라즈마 밀도의 그레디언트를 제공하기 위하여 도 8의 특정 소스(114)에서 활용될 수 있다. 도 11a의 차폐물(804)은 슬롯(1102)의 테이퍼된 형상에 기인하여 플라즈마 밀도 그레디언트를 발생하는 동안 전 플라즈마 발생 영역(108)을 둘러싸도록 충분히 길다. 다른 실시예에서, 차폐물(804)은 보다 짧다. 도 11b의 도전성 차폐 요소(804)는 곡선테이퍼를 가지는 슬롯(1102)과 함께 제공된다. 플라즈마 밀도의 원하는 윤곽에 의존하여, 슬롯(1102)은 다른 형상의 변형으로 형성될 수 있다.

예를 들면, 슬롯(1102)(도 11a 및 11b)은 선택적으로, 차폐물의 정점에서 보다 낮고 바닥에서 보다 높은 n_p값을 제공하기 위하여, 차폐물(804)의 정점에서 좁고 차폐물의 바닥에서 넓어질 수 있다. 슬롯의 형상으로부터 얻어진 플라즈마의 특정 밀도 윤곽에 의존하여, 양 또는 음의 전압은, 도 7의 참조에 의하여 잘 이해될 수 있듯이, 차폐물(804)의 정점으로부터 바닥까지 존재할 수 있다. 예를 들어, 만일 플라즈마 밀도가 차폐물의 정점에서 n_p2이고, 바닥에서 n_p1(n_p2미만)이라면, 도 7의 전형적인 V 대 n_p곡선을 실험함으로써 쉽게 나타나듯이, 차폐물의 정점으로부터 바닥까지 양의 전압이 있다. 그러나, 만일 플라즈마 밀도가 차폐물의 정점에서 n_p1이고 바닥에서 n_p3(n_p1미만)라면, 다음에 차폐물의 정점으로부터 바닥까지 음의 전압이 있다.

본 발명의 이 형상의 부가적인 측면에 따라서, 임의의 실시예에서, 도 11c에 도해된 바와 같이, 슬롯(1102)은 조절 가능하다. 도 11c의 도전성 차폐 요소(804)는 두 독립적인 성분(804A 및 804B)을 포함하고, 서로에 대하여 회전하고, 그럼으로써 크기 및/또는 슬롯(1102)의 형상을 조정한다. 이 배열은 특히 다른 프로세싱 시스템의 변형에서 활용되도록 디자인된 입자소스를 위해 유리하다. 다른 공정은 다른 밀도 및/또는 가속된 입자의 에너지를 요하며, 도 11c의 도전성 차폐 요소(804)는 특히 유리하다. 입자소스가 도전성 차폐 요소(804)의 교체 없이 특정 처리를 위하여 조정되어지는 것을 허여한다.

상기 검토가 가스흐름 및 입자 이동에 대하여 수직방향으로 배향된 웨이퍼(106)에 관하여 제공되어 왔음에도 불구하고, 다른 배향의 각은 본 발명의 범위로부터 벗어남 없이 사용될 수 있다. 게다가, 도 4의 시스템이 도 6b에 도해된 것과 유사한 한 쌍의 전자석(504A 및 504B)을 포함함에도 불구하고, 본 발명에 따른 처리실은 또한 도 6c의 전자석(606A 및 606B)과 같은 트리밍 코일을 포함한다는 것이 이해된다. 임의의 실시예에서, 도 4의 코일(504A 및 504B)의 하나 또는 양자는 도 6d의 자석(610)과 같은 하나 이상의 영구자석에 의해 교체될 수 있다.

본 발명의 입자소스는 플라즈마 밀도의 그레디언트를 발생하기 위하여 비균일 자기장 및/또는 비균일 RF파워를 활용하고, 저에너지 이온 및/또는 중성입자의 흐름, 예를 들면, 기판을 처리하기 위하여 제공되도록 사용될 수 있다. 저에너지 가속 입자는 처리되는 기판이 손상을 덜 일으키기 때문에 종래의 입자소스에 의해 발생된 고에너지 입자를 능가하여 유리하다. 게다가, 본 발명의 입자소스에 의해 발생된 입자가 종래의 시스템에 의해 발생된 것보다 낮은 속도를 가지기 때문에, 이온의 보다 큰 부분은 전자와 함께 재결합하기에 충분한 시간을 갖고 기판에 충돌하기 전에 가속된 중성입자가 된다. 중성입자는 이온보다 기판손상이 덜 발생할 것 같기 때문만이 아니라, 에칭 동안 레지스트 층에 대하여 부착할 수 있는 전자에 의해 흐려지도록 덜 영향을 받기 때문에 유리하다. 흐려지는 효과의 감소는 개선된 해상도 및 보다 작은 디바이스 및 회로의 제조가능성을 제공한다. 본 발명의 여러 특징은 플라즈마 처리의 제조 수율을 증가시키고, 제조코스트를 감소하고, 보다 작은 디바이스 크기를 제공한다(그럼으로써, 기판 위에서 제조된 회로의 고속도 실행을 개선한다).

분명히, 본 발명의 많은 개선 및 변형은 상기 시사의 관점에서 가능하다. 그러므로 첨부된 특허청구의 범위의 범위 내에서 본 발명은 특히 이하에 기술된 것 보다 달리 실행될 수 있다는 것이 이해된다.

Claims

가속된 입자를 발생하기 위한 장치로서:

챔버와;

상기 챔버 내에서 플라즈마를 발생하기 위한 플라즈마 발생기와; 또한 그럼으로써 입자를 가속하기 위하여 상기 플라즈마의 밀도 그레디언트를 제공하기 위한 수단을 포함하여 구성되는 가속된 입자를 발생하기 위한 장치.
제 1 항에 있어서, 상기 그레디언트를 발생하기 위한 수단은 상기 그레디언트를 발생하기 위하여 상기 챔버 내에서 비균일 자기장을 제공하기 위한 자석을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 가속된 입자를 발생하기 위한 장치.
제 2 항에 있어서, 상기 자석은 전자석을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 가속된 입자를 발생하기 위한 장치.
제 3 항에 있어서, 전자석은 제 1 도전성 코일 및 제 1 도전성 코일에 같은 축으로 배치된 제 2 도전성 코일을 포함하여 구성되며, 제 1 도전성 코일의 제 1 전류는 제 1 방위각 방향으로 흐르고 제 2 도전성 코일의 제 2 전류는 제 1 방위각 방향에 대하여 반대의 제 2 방위각 방향으로 흐르는 것을 특징으로 하는 가속된 입자를 발생하기 위한 장치.
제 2 항에 있어서, 자석은 영구자석을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 가속된 입자를 발생하기 위한 장치.
제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 발생기는:

파워소스와; 또한

상기 챔버 내에서 파워소스로부터 플라즈마까지 파워를 제공하는 플라즈마 결합 요소를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 가속된 입자를 발생하기 위한 장치.
제 1 항에 있어서, 상기 장치에 의해 발생된 가속입자에 의해 처리되어질 기판을 유지하기 위한 기판홀더를 더욱 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 가속된 입자를 발생하기 위한 장치.
제 7 항에 있어서, 장치에 의해 발생된 가속 입자가 기판 위에서 피막이 증착되는 동안 피막과 충돌하도록, 피막을 증착하기 위한 수단을 더욱 포함하여 구성되는 가속된 입자를 발생하기 위한 장치.
제 7 항에 있어서, 기판의 부분을 활성적으로 에치하는 반응성 가속 입자를 발생하기 위하여 챔버에 반응성 가스를 제공하기 위한 수단을 더욱 포함하여 구성되는 가속된 입자를 발생하기 위한 장치.
제 1 항에 있어서, 가속된 중성 입자를 발생하기 위하여 전자와 함께 재결합하기 위하여 가속된 이온을 일으키기 위하여 재결합섹션을 더욱 포함하여 구성되는 가속된 입자를 발생하기 위한 장치.
제 6 항에 있어서, 상기 그레디언트를 제공하기 위한 수단은;

상기 플라즈마의 제 2 부분과 비교하여 플라즈마의 제 1 부분에 의해 플라즈마 결합 요소에 대한 결합을 감소하기 위하여 도전성 차폐 요소를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 가속된 입자를 발생하기 위한 장치.
제 11 항에 있어서, 도전성 차폐 요소는 상기 플라즈마 결합 요소에 대하여 플라즈마의 제 2 부분의 결합을 증가하기 위하여 하나 이상의 슬롯을 포함하는 것을 특징으로 하는 가속된 입자를 발생하기 위한 장치.
제 12 항에 있어서, 하나 이상의 슬롯은 하나 이상의 슬롯의 한쪽 말단부터 하나 이상의 슬롯의 다른 말단까지 폭이 변하는 테이퍼를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 가속된 입자를 발생하기 위한 장치.
제 12 항에 있어서, 하나 이상의 슬롯은 하나 이상의 슬롯의 한쪽 말단부터 하나 이상의 슬롯의 다른 말단까지 비직선적으로 폭이 변하는 곡선 테이퍼를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 가속된 입자를 발생하기 위한 장치.
제 6 항에 있어서, 상기 그레디언트를 제공하기 위한 수단은 플라즈마의 제 2 부분보다 플라즈마의 제 1 부분에 보다 인접하게 배치된 도전성 차폐 요소를 포함하여 구성되며, 도전성 차폐 요소는 제 2 부분에 반대 방향으로서 제 1 부분에 의해 플라즈마 결합 요소에 대한 결합을 감소하는 것을 특징으로 하는 가속된 입자를 발생하기 위한 장치.
제 11 항에 있어서, 상기 장치에 의해 발생된 가속된 입자가 피막의 증착 동안 피막에 충돌하도록, 피막을 증착하기 위한 수단을 더욱 포함하여 구성되는 가속된 입자를 발생하기 위한 장치.
제 11 항에 있어서, 기판의 부분을 활성적으로 에치하는 반응성 가속 입자를 발생하기 위하여 챔버에 반응성 가스를 제공하기 위한 수단을 더욱 포함하여 구성되는 가속된 입자를 발생하기 위한 장치.
제 16 항에 있어서, 가속 중성 입자를 발생하기 위하여 전자와 함께 재결합하기 위하여 가속된 이온을 일으키기 위한 재결합 섹션을 더욱 포함하여 구성되는 가속된 입자를 발생하기 위한 장치.
제 17 항에 있어서, 가속 중성 입자를 발생하기 위하여 전자와 함께 재결합하기 위하여 가속된 이온을 일으키기 위한 재결합 섹션을 더욱 포함하여 구성되는 가속된 입자를 발생하기 위한 장치.
플라즈마를 제어하기 위한 방법으로서:

챔버와;

상기 챔버 내에서 플라즈마를 발생하고;

플라즈마의 밀도 그레디언트를 발생하고;

상기 밀도 그레디언트를 사용하여 입자를 가속하는 단계를 포함하여 구성되는 플라즈마를 제어하기 위한 방법.
제 20 항에 있어서, 그레디언트를 발생하는 단계는 입자를 가속하기 위하여 그레디언트를 일으키는 챔버 내에서 비균일 자기장을 제공하는 것을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 제어하기 위한 방법.
제 21 항에 있어서, 비균일 자기장을 제공하는 단계는:

전자석을 제공하고; 또한

전자석을 통하여 전류를 제공하는 것을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 제어하기 위한 방법.
제 22 항에 있어서, 전자석을 제공하는 단계는:

제 1 도전성 코일을 제공하고; 또한

제 1 도전성 코일에 대하여 같은 축으로 배치된 제 2 도전성 코일을 제공하는 것을 포함하여 구성되고;

또한 전류를 제공하는 단계는:

제 1 방위각 방향으로 제 1 도전성 코일을 통하여 전류를 제공하고; 또한 제 1 방위각 방향에 반대하는 제 2 방위각 방향으로 제 2 코일을 통하여 전류를 제공하는 것을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 제어하기 위한 방법.
제 21 항에 있어서, 비균일 자기장을 제공하는 단계는 영구자석의 제공을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 제어하기 위한 방법.
제 20 항에 있어서, 플라즈마를 발생하는 단계는:

플라즈마 결합요소를 제공하고; 또한

플라즈마 결합 요소를 사용하여 상기 챔버 내에서 플라즈마에 대한 파워를 제공하는 것을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 제어하기 위한 방법.
제 20 항에 있어서, 기판을 제공하고; 또한

상기 기판을 처리하기 위하여 기판을 향하여 입자를 가속하는 단계를 더욱 포함하여 구성되는 플라즈마를 제어하기 위한 방법.
제 26 항에 있어서, 기판 위에서 피막을 증착하는 단계를 더욱 포함하여 구성되고, 기판을 향하여 입자를 가속하는 단계는 피막을 증착하는 단계와 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 제어하기 위한 방법.
제 26 항에 있어서, 기판의 부분을 활성적으로 에치하기 위하여 상기 가속된 입자의 사용을 더욱 포함하여 구성되는 플라즈마를 제어하기 위한 방법.
제 28 항에 있어서, 가속된 중성 입자를 발생하기 위하여 전자와 함께 가속된 이온을 재결합하는 단계를 더욱 포함하여 구성되는 플라즈마를 제어하기 위한 방법.
제 25 항에 있어서, 밀도 그레디언트를 제공하는 단계는 플라즈마의 제 2부분과 비교하여 플라즈마의 제 1 부분에 의해 플라즈마 결합 요소에 대한 결합을 감소하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 제어하기 위한 방법.
제 30 항에 있어서, 결합을 감소하는 단계는:

도전성 차폐 요소를 제공하고; 또한

도전성 차폐 요소를 관통하는 하나 이상의 슬롯을 형성함으로써 플라즈마 결합 요소에 대하여 플라즈마의 제 2 부분의 결합을 증가시키는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 제어하기 위한 방법.
제 31 항에 있어서, 하나 이상의 슬롯을 형성하는 단계는 하나 이상의 슬롯의 한 쪽 말단부터 하나 이상의 다른 말단까지 폭이 변하도록 하나 이상의 슬롯을 테이퍼하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 제어하기 위한 방법.
제 31 항에 있어서, 하나 이상의 슬롯을 포함하는 단계는 하나 이상의 슬롯의 한쪽 말단부터 하나 이상의 슬롯의 다른 말단까지 폭이 비직선적으로 변하도록 하나 이상의 슬롯을 비직선적으로 테이퍼하고, 그럼으로써 곡선 가장자리와 함께 하나 이상의 슬롯을 제공하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 제어하기 위한 방법.
제 30 항에 있어서, 결합을 감소하는 단계는 플라즈마의 제 2 부분 보다 플라즈마의 제 1 부분에 보다 인접하게 배치된 도전성 차폐 요소의 제공을 포함하여 구성되고; 또한

도전성 차폐 요소를 관통하는 하나 이상의 슬롯을 형성함으로써 플라즈마 결합 요소에 대하여 플라즈마의 제 2 부분의 결합을 증가시키는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 제어하기 위한 방법.
제 35 항에 있어서, 기판을 제공하고 기판에 대하여 입자를 가속함으로써 기판을 처리하는 단계를 더욱 포함하여 구성되는 플라즈마를 제어하기 위한 방법.
제 30 항에 있어서, 기판 위에서 피막을 증착하는 단계를 더욱 포함하여 구성되고, 기판을 향하여 입자를 가속하는 단계는 피막을 증착하는 단계와 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 제어하기 위한 방법.
제 35 항에 있어서, 기판의 부분을 활성적으로 에치하기 위하여 가속된 입자를 사용하는 것을 더욱 포함하여 구성되는 플라즈마를 제어하기 위한 방법.
제 37 항에 있어서, 가속된 중성 입자를 발생하기 위하여 전자와 함께 가속된 이온을 재결합하는 단계를 더욱 포함하여 구성되는 플라즈마를 제어하기 위한 방법.
제 20 항에 있어서, 가속된 중성 입자를 발생하기 위하여 전자와 함께 가속된 이온을 재결합하는 단계를 더욱 포함하여 구성되는 플라즈마를 제어하기 위한 방법.