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KR102707258B1 - 표시 장치 및 그의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 그의 제조 방법 Download PDF

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KR102707258B1
KR102707258B1 KR1020180122784A KR20180122784A KR102707258B1 KR 102707258 B1 KR102707258 B1 KR 102707258B1 KR 1020180122784 A KR1020180122784 A KR 1020180122784A KR 20180122784 A KR20180122784 A KR 20180122784A KR 102707258 B1 KR102707258 B1 KR 102707258B1
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micro lens
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허수정
백수민
이지원
하주화
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

표시 장치는, 영상을 표시하기 위한 광을 방출하는 표시부; 상기 표시부 상에 제공되며, 영역에 따라 서로 상이한 굴절률을 갖는 굴절률 변환층을 포함하고, 상기 표시부로부터 입사된 상기 영상을 사용자의 눈으로 시준하여 전달하는 마이크로 렌즈 어레이; 및 상기 표시부로부터 방출되어 상기 마이크로 렌즈 어레이를 통과하는 광을 집광하며 상기 표시부와 상기 마이크로 렌즈 어레이를 일정 간격 이격시키는 광경로 조정부를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 굴절률 변환층은 폴리머와 상기 폴리머와 상호 작용하는 액정 분자들을 포함할 수 있다.

Description

표시 장치 및 그의 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF}
본 발명은 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
최근에, 신체에 직접 착용될 수 있는 형태의 다양한 전자 장치들이 개발되고 있다. 이러한 장치들은 보통 웨어러블(Wearable) 전자 장치라 불린다.
특히, 웨어러블 전자 장치의 한 예로서, 머리 작창형 표시 장치(Head Mounted Display Device: 이하 “HMD”라 하기로 함)는 현장감 있는 영상을 표시하므로, 고도의 몰입성을 제공하여 영화 감상 등을 포함한 다양한 용도로 사용되고 있다.
본 발명은 슬림화를 구현하면서 표시 품질이 향상된 표시 장치를 제공하는 데 목적이 있다.
또한, 본 발명은 상기 표시 장치를 제조하기 위한 방법을 제공하는 데 목적이 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 영상을 표시하기 위한 광을 방출하는 표시부; 상기 표시부 상에 제공되며, 영역에 따라 서로 상이한 굴절률을 갖는 굴절률 변환층을 포함하고, 상기 표시부로부터 입사된 상기 영상을 사용자의 눈으로 시준하여 전달하는 마이크로 렌즈 어레이; 및 상기 표시부로부터 방출되어 상기 마이크로 렌즈 어레이를 통과하는 광을 집광하며 상기 표시부와 상기 마이크로 렌즈 어레이를 일정 간격 이격시키는 광경로 조정부를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 굴절률 변환층은 폴리머 및 상기 폴리머와 상호 작용하는 액정 분자들을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 폴리머는 광가교 반응 모노머(UV-curable monomer)를 자외선과 반응시켜 형성된 폴리머 네트워크를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 굴절률 변환층 내에서, 상기 폴리머 네트워크의 함량은 0.01% 이상일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 굴절률 변환층은 상기 폴리머 네트워크와 상기 액정 분자들에 의해 형성된 적어도 하나의 렌즈 형상을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 굴절률 변환층은 상기 액정 분자들의 정렬을 위한 첨가 물질을 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 첨가 물질은 배향 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 마이크로 렌즈 어레이는, 상기 굴절률 변환층 상에 제공된 상부 전극과 상기 상부 전극과 마주보며 상기 굴절률 변환층 하부에 제공된 하부 전극을 더 포함할 수 있다. 상기 상부 전극과 상기 하부 전극은 투명한 도전 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 광경로 조정부는 상기 표시부와 상기 마이크로 렌즈 어레이 사이에 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 광경로 조정부는 실리콘 계열의 물질, 투명한 광학 점착 물질, 투명한 광학 레진 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시부는, 상기 영상을 표시하는 표시 영역과 상기 표시 영역의 적어도 일측을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 제공되며 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하는 화소 회로부; 및 상기 트랜지스터에 전기적으로 연결되며, 상기 광을 방출하는 적어도 하나의 발광 소자를 포함하는 표시 소자층을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 표시부와 상기 광경로 조정부 사이에 제공된 봉지층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 봉지층은 상기 표시 소자층을 커버하는 봉지 기판 및 박막 봉지 필름 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 광경로 조정부와 상기 마이크로 렌즈 어레이 사이에 제공되며, 상기 광경로 조정부를 커버하는 보호층을 더 포함할 수 있다.
상술한 실시예에 따른 표시 장치는 영상을 표시하기 위한 광을 방출하는 표시부를 형성하는 단계; 및 상기 표시부 상에, 영역별로 굴절률이 상이한 굴절률 변환층을 포함하는 마이크로 렌즈 어레이를 형성하는 단계를 포함하여 제조될 수 있다.
여기서, 상기 마이크로 렌즈 어레이를 형성하는 단계는, 상기 표시부 상에 투명한 도전 물질로 이루어진 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 하부 전극 상에 광가교 반응 모노머(UV-curable monomer)와 액정 분자들이 혼합된 혼합층을 도포하는 단계; 상기 혼합층 상에 상기 하부 전극과 동일한 물질로 이루어진 상부 전극을 형성하는 단계; 상기 상부 전극 상부에 마스크를 배치한 후, 상기 혼합층에 자외선을 조사하여 상기 자외선에 의해 가교된 폴리머 네트워크와 상기 폴리머 네트워크와 상호작용하는 상기 액정 분자들을 포함하는 상기 굴절률 변환층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 굴절률 변환층 내에서, 상기 폴리머 네트워크의 함량은 0.01% 이상일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 마스크는 상기 자외선을 상기 굴절률 변환층으로 통과시키는 복수의 개구부들을 포함할 수 있다. 상기 개구부들 각각은 도트 형상 및 링 형상 중 어느 하나의 형상을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 복수의 개구부들 각각의 크기는 서로 상이할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 굴절률 변환층 내에서, 상기 폴리머 네트워크는 상기 자외선 조사량에 따라 상이한 밀도를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 폴리머 네트워크는 상기 자외선 조사량이 적은 영역에 비해 상기 자외선 조사량이 많은 영역에서 상대적으로 높은 밀도를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 굴절률 변환층 내에서, 상기 액정 분자들은 상기 폴리머 네트워크의 밀도가 높은 영역에 집중적으로 분포할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 영역 별로 상이한 밀도를 갖는 상기 폴리머 네트워크와 상기 액정 분자들은 상기 굴절률 변환층 내에서 렌즈 형상을 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 굴절률 변환층은 상기 폴리머 네트워크와 상기 액정 분자들의 밀도가 적은 영역에 비해 상기 폴리머 네트워크와 상기 액정 분자들의 밀도가 높은 영역에서 상대적으로 큰 굴절률을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 굴절률 변환층은 상기 액정 분자들의 정렬을 위한 첨가 물질을 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 첨가 물질은 배향 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치의 제조 방법은, 상기 표시부 상엣, 상기 표시부로부터 방출되어 상기 마이크로 렌즈 어레이를 통과하는 광을 집광하며 상기 표시부와 상기 마이크로 렌즈 어레이를 일정 간격 이격시키는 광경로 조정부를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 광경로 조정부는 상기 표시부와 상기 마이크로 렌즈 어레이 사이에 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 광경로 조정부는 실리콘 계열의 물질, 투명한 광학 점착 물질, 투명한 광학 레진 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시부는, 상기 영상을 표시하는 표시 영역과 상기 표시 영역의 적어도 일측을 둘러싸는 비표시 영역을 포함한 기판; 상기 기판 상에 제공되며 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하는 화소 회로부; 및 상기 트랜지스터에 전기적으로 연결되며, 상기 광을 방출하는 적어도 하나의 발광 소자를 포함하는 표시 소자층을 구비할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치의 제조 방법은, 상기 표시부와 상기 광경로 조정부 사이에 봉지층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 봉지층은 상기 표시 소자층을 커버하는 봉지 기판 및 박막 봉지 필름 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치의 제조 방법은, 상기 광경로 조정부와 상기 마이크로 렌즈 어레이 사이에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 슬림화를 구현하면서 표시 품질이 향상된 표시 장치 및 그의 제조 방법이 제공될 수 있다.
도 1은 마이크로 렌즈 어레이를 포함한 표시 장치가 웨어러블 전자 장치에 적용된 모습을 예시적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 웨어러블 전자 장치에서 허상 이미지를 구현하는 모습을 개략적으로 도시한 측면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 도 3의 표시 장치가 웨어러블 전자 장치에 적용된 모습을 개략적으로 도시한 측면도이다.
도 5는 도 3의 표시 패널을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 6은 도 5에 도시된 화소들 중 하나의 화소를 나타내는 등가회로도이다.
도 7은 도 5의 표시 패널의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 8은 도 3의 마이크로 렌즈 어레이의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 9는 도 8의 마이크로 렌즈 어레이를 다른 실시예에 따라 도시한 단면도이다.
도 10a는 UV 조사 전의 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 렌즈 어레이를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 10b는 UV 조사 후의 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 렌즈 어레이를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 11a 및 도 11b는 도 8의 마이크로 렌즈 어레이를 포함하는 표시 장치들을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 12a 내지 도 12f는 도 11a의 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도들이다.
도 13은 도 12e의 EA1 영역의 확대 단면도이다.
도 14a는 도 12d의 마스크를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 14b는 도 14a의 EA2 영역의 확대 평면도이다.
도 15는 도 14a의 마스크를 이용하여 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 렌즈 어레이를 형성하는 방법을 도시한 사시도이다.
도 16은 도 14a에 도시된 마스크의 다른 형태를 도시한 평면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 또한, 본 명세서에 있어서, 어느 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 상(on)에 형성되었다고 할 경우, 상기 형성된 방향은 상부 방향만 한정되지 않으며 측면이나 하부 방향으로 형성된 것을 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 마이크로 렌즈 어레이를 포함한 표시 장치가 웨어러블 전자 장치에 적용된 모습을 예시적으로 나타낸 사시도이고, 도 2는 도 1의 웨어러블 전자 장치에서 허상 이미지를 구현하는 모습을 개략적으로 도시한 측면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 마이크로 렌즈 어레이를 포함한 표시 장치(DP)가 적용된 웨어러블 전자 장치(100)는 프레임(110)을 포함할 수 있다.
프레임(110)에는 고정부(120)가 연결될 수 있으며, 사용자는 고정부(120)를 이용하여 프레임(110)을 머리에 착용할 수 있다. 이와 같은 프레임(110)은 표시 장치(DP)가 탈착 가능하게 장착될 수 있는 구조를 갖는다.
표시 장치(DP)는 표시 패널(PNL)과 마이크로 렌즈 어레이(MLA)를 포함할 수 있다.
표시 패널(PNL)은 영상(IMG)을 제공하기 위한 광을 방출할 수 있다. 광은 2차원 영상 또는 3차원 영상을 생성하기 위한 광일 수 있다.
마이크로 렌즈 어레이(MLA)는 표시 패널(PNL)에서 제공된 영상(IMG)으로부터 허상 이미지(VIMG)를 만들어서 상기 허상 이미지(VIMG)를 웨어러블 전자 장치(100)를 착용한 사용자의 눈에 투영할 수 있다. 특히, 마이크로 렌즈 어레이(MLA)는 웨어러블 전자 장치(100)를 착용한 사용자의 눈에 투영되는 허상 이미지(VIMG)를 표시 패널(PNL)보다 뒤쪽에 있는 것처럼 보여지게 할 수 있고, 확대하는 역할을 할 수 있다.
마이크로 렌즈 어레이(MLA)는 균일한 직경을 갖는 다수의 마이크로 렌즈(210)를 포함할 수 있다. 도 2에서 마이크로 렌즈 어레이(MLA)는 3개의 마이크로 렌즈(210)만을 포함하도록 도시되었으나, 시야각(200, Field of View)을 확대시키기 위해 더 많은 개수의 마이크로 렌즈(210)를 포함하여 구성될 수 있다.
마이크로 렌즈 어레이(MLA)에서의 영상 배율을 개별의 마이크로 렌즈(210)의 배율에 의해 결정될 수 있다. 마이크로 렌즈 어레이(MLA)는 표시 패널(PNL)에서 방출되는 광과 수직을 이루도록 상기 표시 패널(PNL)과 일정 간격으로 이격하여 배치될 수 있다. 또한, 마이크로 렌즈 어레이(MLA)는 표시 패널(PNL)에서 방출된 광을 사용자의 눈으로 시준하기 위해 표시 패널(PNL)과 일정 간격 이격될 수 있다.
한편, 표시 장치(DP)에서, 표시 패널(PNL)과 마이크로 렌즈 어레이(MLA)는 본딩 공정을 통해 결합될 수 있다. 구체적으로, 별도의 공정을 통해 제조된 표시 패널(PNL)과 마이크로 렌즈 어레이(MLA)는 광학용 투명 레진을 이용한 정렬 접합으로 결합될 수 있다.
본딩 공정 시, 표시 패널(PNL) 상에 마이크로 렌즈 어레이(MLA)를 부착할 때 정렬 공차에 의해 접합 정밀도가 저하되어 상기 마이크로 렌즈 어레이(MLA)의 오정렬(misalign)이 발생할 수 있다.
구체적으로, 별도로 제작되는 마이크로 렌즈 어레이(MLA)의 경우, 상기 마이크로 렌즈 어레이(MLA)를 제작할 때 발생할 수 있는 공정 오차가 있으며 이러한 공정 오차에 의해 표시 패널(PNL) 상에 상기 마이크로 렌즈 어레이(MLA)를 부착할 때 오정렬(misalign)이 발생할 수 있다.
이러한 마이크로 렌즈 어레이(MLA)의 오정렬(misalign)은 표시 장치(DP)를 적용한 웨어러블 전자 장치(100)의 시야각(200)을 좁힐 수 있다. 또한, 마이크로 렌즈 어레이(MLA)의 오정렬(misalign)은 상기 마이크로 렌즈 어레이(MLA)에 포함된 마이크로 렌즈(210)의 쉬프트 공차를 증가시켜 사용자에게 투영되는 허상 이미지(VIMG)의 표시 품질을 저하시킬 수 있다.
이에 더하여, 마이크로 렌즈(210)를 포함한 마이크로 렌즈 어레이(MLA)는 포토 공정, 모형 제작 공정(Replica), 임프린트 공정(Imprinting) 등을 거쳐 형성될 수 있으며, 각 공정은 복잡하게 이루어진다. 특히, 이러한 공정을 통해 제조된 마이크로 렌즈(210)의 높이 및 곡률의 제어가 용이하지 않으므로, 상기 마이크로 렌즈(210)를 포함한 마이크로 렌즈 어레이(MLA)를 다양한 표시 장치에 적용하기 어려울 수 있다.
또한, 상술한 바와 같은 공정을 거쳐 제조된 마이크로 렌즈(210)를 포함한 마이크로 렌즈 어레이(MLA)는 일정한 수준 이상의 두께를 가질 수 있다. 마이크로 렌즈 어레이(MLA)가 일정한 수준 이상의 두께를 가지며, 표시 장치(DP)의 슬림화 구현이 용이하지 않을 수 있다.
이에 따라, 웨어러블 전자 장치(100)에 장착 가능한 표시 장치(DP)에 있어서 상술한 마이크로 렌즈 어레이(MLA)의 오정렬(misalign)을 해결할 필요가 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이며, 도 4는 도 3의 표시 장치가 웨어러블 전자 장치에 적용된 모습을 개략적으로 도시한 측면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DP)는 표시 패널(PNL) 및 마이크로 렌즈 어레이(MLA)를 포함할 수 있다.
표시 패널(PNL)은 영상을 표시하는 광을 방출할 수 있다. 이를 위해 도면에 직접적으로 도시하지 않았으나, 표시 패널(PNL)의 내부에는 광을 방출하여 상기 광에 대응하여 영상을 제공하는 표시 소자들이 포함될 수 있다. 일 예로, 표시 소자들은 광을 방출하는 적어도 하나의 발광 소자와 상기 발광 소자를 구동하기 위한 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하는 화소 회로부 등을 포함할 수 있다.
표시 패널(PNL)은 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 표시 패널(PNL)로는 유기 발광 표시 패널(Organic Light Emitting Display panel, OLED panel)과 같은 자발광이 가능한 표시 패널이 사용될 수 있다. 또한, 표시 패널(PNL)로는 액정 표시 패널(Liquid Crystal Display Panel, LCD panel), 전기영동 표시 패널(Electro-Phoretic Display panel, EPD panel), 및 일렉트로웨팅 표시 패널(Electro-Wetting Display panel, EWD panel)과 같은 비발광성 표시 패널이 사용될 수 있다.
이하의 실시예에서는, 유기 발광 표시 패널이 표시 패널(PNL)로 사용된 것으로 설명한다.
마이크로 렌즈 어레이(MLA)는 표시 패널(PNL)에서 제공된 영상을 위한 광을 마이크로 렌즈 어레이(MLA)의 상부 공간으로 집광시키는 역할을 할 수 있다. 이때, 마이크로 렌즈 어레이(MLA)의 상부 공간에는 사용자의 눈(300)이 위치할 수 있다.
또한, 마이크로 렌즈 어레이(MLA)는 표시 패널(PNL)에서 제공된 영상으로부터 허상 이미지를 만들어서 상기 허상 이미지를 표시 장치(DP)가 적용된 웨어러블 전자 장치(도 1의 100 참조)를 착용한 사용자의 눈(300)에 투영할 수 있다.
마이크로 렌즈 어레이(MLA)는 표시 패널(PNL)에서 영상이 표시되는 일면 상에 배치되며, 상기 표시 패널(PNL)과 일정 간격 이격될 수 있다.
표시 패널(PNL)에서 방출된 광이 마이크로 렌즈 어레이(MLA)를 통과하는 경우, 상기 마이크로 렌즈 어레이(MLA)는 상기 광을 집광하여 사용자의 눈(300)으로 시준할 수 있다. 이에 따라, 마이크로 렌즈 어레이(MLA)에 의해 시준된 광은 사용자의 눈(300)으로 진입하고, 사용자의 눈(300) 뒤쪽에 있는 망막 상의 단일 지점에 수렴될 수 있다.
마이크로 렌즈 어레이(MLA)는 사용자의 시야각(Field of View)을 확보하면서 우수한 표시 품질의 영상을 제공하기 위해 사용자의 눈(300)과 일정 간격으로 이격되어야 한다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 마이크로 렌즈 어레이(MLA)와 사용자의 눈(300) 사이의 간격(d1)은 대략 50mm이하일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 마이크로 렌즈 어레이(MLA)는 복수의 렌즈 형상들(LS)과 상기 렌즈 형상들(LS)을 커버하는 평탄부(PLL)를 구비할 수 있다. 마이크로 렌즈 어레이(MLA)에 구비된 렌즈 형상들(LS)로 인해 상기 마이크로 렌즈 어레이(MLA)는 영역별로 상이한 굴절률을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 렌즈 형상들(LS) 각각의 굴절률과 평탄부(PLL)의 굴절률은 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 각 렌즈 형상(LS)의 굴절률은 1.4 내지 1.6 정도일 수 있고, 상기 각 렌즈 형상(LS)을 커버하는 평탄부(PLL)의 굴절률은 1.5 보다 작을 수 있다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 마이크로 렌즈 어레이(MLA)의 설계 조건, 상기 마이크로 렌즈 어레이(MLA)의 적용 조건 및 환경 등에 따라 각 렌즈 형상(LS)의 굴절률과 평탄부(PLL)의 굴절률은 달라질 수 있다.
마이크로 렌즈 어레이(MLA)는 100㎛ 이하의 두께(d2)을 가질 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 마이크로 렌즈 어레이(MLA)에 대한 상세한 설명은 도 8을 참고하여 후술하기로 한다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DP)는 광경로 조정부(FML)를 더 포함할 수 있다.
광경로 조정부(FML)는 표시 패널(PNL)에서 방출된 광을 집광하여 이를 마이크로 렌즈 어레이(MLA)로 가이드하는 역할을 할 수 있다. 특히, 광경로 조정부(FML)는 마이크로 렌즈 어레이(MLA)의 초점을 사용자의 눈(300)에 대응되도록 하기 위한 포커스 매칭 레이어로 작용할 수 있다. 이를 위해, 광경로 조정부(FML)는 표시 패널(PNL)과 마이크로 렌즈 어레이(MLA)를 일정한 간격으로 유지해야 한다. 광경로 조정부(FML)는 일정한 수준 이상의 두께를 가질 수 있다. 일 예로, 광경로 조정부(FML)는 400㎛ 이하의 두께(d3)를 가질 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 광경로 조정부(FML)는 표시 패널(PNL)에서 방출되는 광이 손실 없이 마이크로 렌즈 어레이(MLA)로 진행할 수 있도록 투명한 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 광경로 조정부(FML)는 실리콘 계열의 물질, 투명한 광학 점착 물질, 투명한 광학 레진 중 어느 하나를 포함할 수 있으나, 이에 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 도 5는 도 3의 표시 패널을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 3 및 도 5를 참조하면, 표시 패널(PNL)은 기판(SUB), 화소들(PXL), 구동부, 전원 공급부, 및 배선부 등을 포함할 수 있다.
기판(SUB)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 영상을 표시하는 화소들(PXL)이 제공되는 영역일 수 있다. 각 화소(PXL)에 대해서는 후술한다.
비표시 영역(NDA)은 영상이 표시되지 않는 영역이다. 비표시 영역(NDA)에는 화소들(PXL)을 구동하기 위한 구동부, 상기 화소들(PXL)에 전원을 인가하는 전원 공급부, 및 상기 화소들(PXL)과 상기 구동부를 연결하는 배선(미도시)의 일부가 제공될 수 있다. 비표시 영역(NDA)의 일부가 최종적인 표시 장치(DP)에서의 베젤에 대응될 수 있으며, 상기 비표시 영역(NDA)의 폭에 따라 상기 베젤의 폭이 결정될 수 있다.
화소들(PXL)은 표시 영역(DA)에 제공될 수 있다. 각 화소(PXL)는 영상을 표시하는 최소 단위로서, 표시 영역(DA)에 복수 개의 화소들(PXL)이 제공될 수 있다. 각 화소(PXL)는 광을 방출하는 표시 소자를 포함할 수 있다. 예를 들면, 표시 소자는 액정 표시 소자(liquid crystal display device, LCD device), 전기 영동 표시 소자(electrophoretic display device, EPD device), 전기 습윤 표시 소자(electrowetting display device, EWD device), 및 유기 발광 표시 소자(organic light emitting display device, OLED device) 중 어느 하나일 수 있다. 한편, 하기에서는 설명의 편의를 위하여 표시 소자로 유기 발광 표시 소자를 예로서 설명한다.
화소들(PXL) 각각은 적색, 녹색, 및 청색 중 하나의 색의 광을 방출할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 화소들(PXL) 각각은 시안, 마젠타, 옐로우, 화이트 등의 색의 광을 방출할 수도 있다. 화소들(PXL)은 제1 방향(DR1)으로 연장된 행과 상기 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)으로 연장된 열을 따라 매트릭스(matrix) 형태로 배열될 수 있다. 화소들(PXL)의 배열 형태는 특별히 한정되는 것은 아니며 다양한 형태로 배열될 수 있다.
구동부는 배선부를 통해 각 화소(PXL)에 신호를 제공하며, 이에 따라 각 화소(PXL)의 구동을 제어할 수 있다.
구동부는 스캔 배선을 따라 각 화소(PXL)에 스캔 신호를 전달하는 스캔 구동부(SDV), 발광 제어 배선을 따라 각 화소(PXL)에 발광 제어 신호를 제공하는 발광 구동부(EDV), 및 데이터 배선을 따라 각 화소(PXL)에 데이터 신호를 제공하는 데이터 구동부(DDV), 및 타이밍 제어부(미도시)를 포함할 수 있다. 타이밍 제어부는 스캔 구동부(SDV), 발광 구동부(EDV), 및 데이터 구동부(DDV)를 제어할 수 있다.
타이밍 제어부는 다양한 방식으로 스캔 구동부(SDV), 발광 구동부(EDV), 및 데이터 구동부(DDV)에 배선을 통해 연결될 수 있다. 타이밍 제어부가 배치되는 위치는 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 타이밍 제어부는 인쇄 회로 기판 상에 실장되어, 가요성 인쇄 회로 기판을 통해 스캔 구동부(SDV), 발광 구동부(EDV), 및 데이터 구동부(DDV)와 연결될 수 있으며, 인쇄 회로 기판은 기판(SUB)의 일측, 또는 상기 기판(SUB)의 배면 등 다양한 위치에 배치될 수 있다.
전원 공급부는 적어도 하나의 전원 공급 배선을 포함할 수 있다. 예를 들면, 전원 공급부는 제1 전원 공급 배선(미도시) 및 제2 전원 공급 배선(미도시)을 포함할 수 있다. 전원 공급부는 표시 영역(DA) 각각에 배치된 화소들(PXL)에 전원을 공급할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 제1 전원 공급 배선에 인가되는 전압은 제2 전원 공급 배선에 인가되는 전압보다 높을 수 있다.
도 6은 도 5에 도시된 화소들 중 하나의 화소를 나타내는 등가회로도이다. 도 6에 있어서, 설명의 편의를 위해, 하나의 화소 및 상기 화소에 연결된 배선들을 위주로 도시하였다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 각 화소(PXL)는 제1 전원(ELVDD)과 제2 전원(ELVSS) 사이에 연결된 발광 소자(OLED)와, 이에 접속되어 상기 발광 소자(OLED)를 구동하는 화소 구동 회로(144)를 포함할 수 있다.
발광 소자(OLED)의 제1 전극(예컨대, 애노드 전극)은 화소 구동 회로(144)를 경유하여 제1 전원(ELVDD)에 접속되고, 상기 발광 소자(OLED)의 제2 전극(예컨대, 캐소드 전극)은 제2 전원(ELVSS)에 접속된다. 발광 소자(OLED)는 전면 발광형 유기 발광 소자이거나, 배면 발광형 유기 발광 소자일 수 있다. 유기 발광 소자는 유기 발광 다이오드일 수 있다.
제1 전원(ELVDD) 및 제2 전원(ELVSS)은 서로 다른 전위를 가질 수 있다. 일 예로, 제2 전원(ELVSS)은 제1 전원(ELVDD)의 전위보다 발광 소자(OLED)의 문턱 전압 이상 낮은 전위를 가질 수 있다.
발광 소자(OLED)는 화소 구동 회로(144)에 의해 제어되는 구동 전류에 상응하는 휘도로 발광할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 화소 구동 회로(144)는 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)와 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 다만, 화소 구동 회로(144)의 구조가 도 6에 도시된 실시예에 한정되지는 않는다.
제1 트랜지스터(T1; 스위칭 트랜지스터)의 제1 전극은 데이터 라인(Dj)에 접속되고, 제2 전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 여기서, 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극과 제2 전극은 서로 다른 전극으로, 예컨대, 상기 제1 전극이 소스 전극이면, 상기 제2 전극은 드레인 전극일 수 있다. 그리고, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 스캔 라인(Si)에 접속된다.
이와 같은 제1 트랜지스터(T1)는, 스캔 라인(Si)으로부터 상기 제1 트랜지스터(T1)가 턴-온될 수 있는 전압(예컨대, 로우 전압)의 스캔 신호가 공급될 때 턴-온되어, 데이터 라인(Dj)과 제1 노드(N1)를 전기적으로 연결한다. 이때, 데이터 라인(Dj)으로는 해당 프레임의 데이터 신호가 공급되고, 이에 따라 제1 노드(N1)로 데이터 신호가 공급된다. 제1 노드(N1)로 전달된 데이터 신호는 스토리지 커패시터(Cst)에 충전된다.
제2 트랜지스터(T2; 구동 트랜지스터)의 제1 전극은 제1 전원(ELVDD)에 접속되고, 제2 전극은 발광 소자(OLED)의 제1 전극에 전기적으로 연결된다. 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 이와 같은 제2 트랜지스터(T2)는 제1 노드(N1)의 전압에 대응하여 발광 소자(OLED)로 공급되는 구동 전류의 양을 제어한다.
스토리지 커패시터(Cst)의 일 전극은 제1 전원(ELVDD)에 접속되고, 다른 전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 이와 같은 스토리지 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)로 공급되는 데이터 신호에 대응하는 전압을 충전하고, 다음 프레임의 데이터 신호가 공급될 때까지 충전된 전압을 유지한다.
편의상, 도 6에서는 데이터 신호를 각 화소(PXL)의 내부로 전달하기 위한 제1 트랜지스터(T1)와, 상기 데이터 신호의 저장을 위한 스토리지 커패시터(Cst)와, 상기 데이터 신호에 대응하는 구동 전류를 발광 소자(OLED)로 공급하기 위한 제2 트랜지스터(T2)를 포함한 비교적 단순한 구조의 화소 구동 회로(144)를 도시하였다.
하지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 화소 구동 회로(144)의 구조는 다양하게 변경 실시될 수 있다. 일 예로, 화소 구동 회로(144)는 제2 트랜지스터(T2)의 문턱 전압을 보상하기 위한 트랜지스터 소자, 제1 노드(N1)를 초기화하기 위한 트랜지스터 소자, 및/또는 발광 소자(OLED)의 발광 시간을 제어하기 위한 트랜지스터 소자 등과 같은 적어도 하나의 트랜지스터 소자나, 제1 노드(N1)의 전압을 부스팅하기 위한 부스팅 커패시터 등과 같은 다른 회로 소자들을 추가적으로 더 포함할 수 있음을 물론이다.
또한, 도 6에서는 화소 구동 회로(144)에 포함되는 트랜지스터들, 예컨대 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)을 모두 P타입의 트랜지스터들로 도시하였으나, 본 발명이 이에 한정되지는 않는다. 즉, 화소 구동 회로(144)에 포함되는 제1 및 제2 트랜지스터들(T1, T2) 중 적어도 하나는 N타입의 트랜지스터로 변경될 수도 있다.
도 7은 도 5의 표시 패널의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 5 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(PNL)은 표시부(PP)와 박막 봉지 필름(TFE)을 포함할 수 있다.
표시부(PP)는 기판(SUB), 화소 회로부(PCL), 및 표시 소자층(DPL)을 포함할 수 있다.
기판(SUB)은 유리, 수지(resin) 등과 같은 절연성 재료로 이루어질 수 있다. 또한, 기판(SUB)은 휘거나 접힘이 가능하도록 가요성(flexibility)을 갖는 재료로 이루어질 수 있고, 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 가요성을 갖는 재료로는 폴리스티렌(polystyrene), 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 폴리메틸메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate), 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 트리아세테이트 셀룰로오스(triacetate cellulose), 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 기판(SUB)을 구성하는 재료는 다양하게 변화될 수 있으며, 섬유 강화 플라스틱(FRP, Fiber glass Reinforced Plastic) 등으로도 이루어질 수 있다.
화소 회로부(PCL)는 기판(SUB) 상에 배치된 버퍼층(BFL), 상기 버퍼층(BFL) 상에 배치된 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)를 포함할 수 있다.
버퍼층(BFL)은 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)에 불순물이 확산되는 것을 방지할 수 있다. 버퍼층(BFL)은 단일층으로 제공될 수 있으나, 적어도 2 중층 이상의 다중층으로 제공될 수도 있다. 버퍼층(BFL)이 다중층으로 제공될 경우, 각 층은 동일한 재료로 형성되거나 또는 서로 다른 재료로 형성될 수 있다. 버퍼층(BFL)은 기판(SUB)의 재료 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 제2 트랜지스터(T2)의 스위칭을 위한 스위칭 트랜지스터일 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 표시 소자층(DPL)의 발광 소자(OLED)에 전기적으로 연결되어 상기 발광 소자(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터일 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 제1 반도체층(SCL1), 제1 게이트 전극(GE1), 제1 소스 전극(SE1), 및 제1 드레인 전극(DE1)을 포함할 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 제2 반도체층(SCL2), 제2 게이트 전극(GE2), 제2 소스 전극(SE2), 및 제2 드레인 전극(DE2)을 포함할 수 있다.
제1 및 제2 반도체층(SCL1, SCL2)은 버퍼층(BFL) 상에 배치될 수 있다. 제1 및 제2 반도체층(SCL1, SCL2) 각각은 제1 및 제2 소스 전극(SE1, SE2)과 제1 및 제2 드레인 전극(DE1, DE2) 각각에 접촉되는 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다.
소스 영역과 드레인 영역 사이의 영역은 채널 영역일 수 있다. 제1 및 제2 반도체층(SCL1, SCL2) 각각은 폴리 실리콘, 아몰퍼스 실리콘, 산화물 반도체 등으로 이루어진 반도체 패턴일 수 있다. 채널 영역은 불순물로 도핑되지 않는 반도체 패턴으로서, 진성 반도체일 수 있다. 소스 영역 및 드레인 영역은 불순물이 도핑된 반도체 패턴일 수 있다. 불순물로는 n형 불순물, p형 불순물, 기타 금속과 같은 불순물이 사용될 수 있다.
제1 게이트 전극(GE1)은 게이트 절연층(GI)을 사이에 두고 제1 반도체층(SCL1) 상에 제공될 수 있다. 제2 게이트 전극(GE2)은 게이트 절연층(GI)을 사이에 두고 제2 반도체층(SCL2) 상에 제공될 수 있다. 여기서, 게이트 절연층(GI)은 무기 재료를 포함하는 무기 절연막일 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연층(GI)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물 등으로 형성될 수 있다.
제1 소스 전극(SE1)과 제1 드레인 전극(DE1) 각각은 층간 절연층(ILD) 및 게이트 절연층(GI)을 관통하는 컨택 홀을 통해 제1 반도체층(SCL1)의 소스 영역 및 드레인 영역에 접촉될 수 있다. 제2 소스 전극(SE2)과 상기 제2 드레인 전극(DE2) 각각은 층간 절연층(ILD) 및 게이트 절연층(GI)을 관통하는 컨택 홀을 통해 제2 반도체층(SCL2)의 소스 영역 및 드레인 영역에 접촉될 수 있다.
층간 절연층(ILD)은 무기 재료로 이루어진 무기 절연막 또는 유기 재료로 이루어진 유기 절연막일 수 있다.
화소 회로부(PCL)는 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2) 상에 배치되어 상기 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)를 커버하는 보호층(PSV)을 더 포함할 수 있다. 보호층(PSV)은 무기 재료로 이루어진 무기 절연막 및 유기 재료로 이루어진 유기 절연막 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 보호층(PSV)은 무기 절연막 및 상기 무기 절연막 상의 유기 절연막을 포함할 수 있다.
표시 소자층(DPL)은 보호층(PSV) 상에 제공된 발광 소자(OLED)를 포함할 수 있다. 발광 소자(OLED)는 제1 전극 및 제2 전극(AE, CE)과, 두 전극(AE, CE) 사이에 제공된 발광층(EML)을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 전극 및 제2 전극(AE, CE) 중 어느 하나는 애노드(anode) 전극일 수 있으며, 다른 하나는 캐소드(cathode) 전극일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(AE)이 애노드 전극일 수 있으며 제2 전극(CE)이 캐소드 전극일 수 있다. 발광 소자(OLED)가 전면 발광형 유기 발광 소자인 경우, 제1 전극(AE)이 반사형 전극이고, 제2 전극(CE)이 투과형 전극일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는, 발광 소자(OLED)가 전면 발광형 유기 발광 소자이며, 제1 전극(AE)이 애노드 전극인 경우를 예로서 설명한다.
제1 전극(AE)은 보호층(PSV)을 관통하는 컨택 홀을 통해 제2 트랜지스터(T2)의 제2 드레인 전극(DE2)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(AE)은 광을 반사시킬 수 있는 반사막(미도시) 및 상기 반사막의 상부 또는 하부에 배치되는 투명 도전막(미도시)을 포함할 수 있다. 투명 도전막 및 반사막 중 적어도 하나는 제2 드레인 전극(DE2)에 전기적으로 연결될 수 있다.
표시 소자층(DPL)은 제1 전극(AE)의 일부, 예를 들면, 상기 제1 전극(AE)의 상면을 노출시키는 개구부(OP)를 구비한 화소 정의막(PDL)을 더 포함할 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(PDL)은 폴리스티렌(polystyrene), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA, polymethylmethacrylate), 폴리아크릴로니트릴(PAN, polyacrylonitrile), 폴리아미드(PA, polyamide), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리아릴에테르(PAE, polyarylether), 헤테로사이클릭 폴리머(heterocyclic polymer), 파릴렌(parylene), 에폭시(epoxy), 벤조시클로부텐(BCB, benzocyclobutene), 실록산계 수지(siloxane based resin) 및 실란계 수지(silane based resin) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 전극(AE)의 노출된 표면 상에 발광층(EML)이 제공될 수 있다.
발광층(EML)은 저분자 물질 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 저분자 물질로는 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB), 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 포함할 수 있다. 고분자 물질로는 PEDOT, PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등을 포함할 수 있다.
발광층(EML)은 단일층으로 제공될 수 있으나, 다양한 기능층을 포함하는 다중층으로 제공될 수 있다. 발광층(EML)이 다중층으로 제공되는 경우, 홀 주입층(Hole Injection Layer), 홀 수송층(Hole Transport Layer), 발광층(Emission Layer), 전자 수송층(Electron Transport Layer), 전자 주입층(Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층된 구조를 가질 수 있다.
물론, 발광층(EML)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 구조를 가질 수도 있음은 물론이다. 그리고 발광층(EML)의 적어도 일부는 복수 개의 제1 전극(AE)들에 걸쳐서 일체로 형성될 수 있으며, 복수 개의 제1 전극(AE)들 각각에 대응하도록 개별적으로 제공될 수도 있다. 발광층(EML)에서 생성되는 광의 색상은 적색(red), 녹색(green), 청색(blue) 및 백색(white) 중 하나일 수 있으나, 본 실시예에서 이를 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 발광층(EML)의 광 생성층에서 생성되는 광의 색상은 마젠타(magenta), 시안(cyan), 옐로(yellow) 중 하나일 수도 있다.
발광층(EML) 상에 제2 전극(CE)이 제공될 수 있다. 제2 전극(CE)은 반투과 반사막일 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(CE)은 발광층(EML)에서 출사된 광을 투과시킬 수 있을 정도의 두께를 가지는 박형 금속층일 수 있다. 제2 전극(CE)은 발광층(EML)에서 방출된 광의 일부는 투과시키고, 상기 발광층(EML)에서 방출된 광의 나머지는 반사시킬 수 있다.
박막 봉지 필름(TFE)은 발광 소자(OLED) 상에 제공될 수 있다.
박막 봉지 필름(TFE)은 단일층으로 이루어질 수 있으나, 다중층으로 이루어질 수도 있다. 박막 봉지 필름(TFE)은 발광 소자(OLED)를 커버하는 복수의 절연막을 포함할 수 있다. 구체적으로, 박막 봉지 필름(TFE)은 복수의 무기막 및 복수의 유기막을 포함할 수 있다. 예를 들면, 박막 봉지 필름(TFE)은 무기막 및 상기 유기막이 교번하여 적층된 구조를 가질 수 있다. 또한, 경우에 따라, 박막 봉지 필름(TFE)은 발광 소자(OLED) 상에 배치되고 실런트를 통해 기판(SUB)과 합착되는 봉지 기판일 수 있다.
도 8은 도 3의 마이크로 렌즈 어레이의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이며, 도 9는 도 8의 마이크로 렌즈 어레이를 다른 실시예에 따라 도시한 단면도이다.
도 3, 도 8, 및 도 9를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 렌즈 어레이(MLA)는 서로 마주보는 하부 전극(LE) 및 상부 전극(UE), 두 전극(LE, UE) 사이에 제공된 굴절률 변환층(RCL)을 포함할 수 있다.
하부 전극(LE)은 표시 패널(PNL) 상에 직접 배치되고, 상기 표시 패널(PNL)에서 방출된 광의 손실을 최소화하며 산란 흡수가 없는 투명한 도전 물질로 구성될 수 있다. 투명한 도전 물질로는, 예를 들어, ITO, IZO, ITZO 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 혼합되어 사용될 수 있다. 하부 전극(LE)의 재료는 상술한 재료들에 한정되는 것은 아니다. 하부 전극(LE)은 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
상부 전극(UE)은 하부 전극(LE) 상에 배치되며, 상기 하부 전극(LE)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 즉, 상부 전극(UE)도 투명한 도전 물질로 구성될 수 있다.
굴절률 변환층(RCL)은 유전율 이방성과 굴절률 이방성을 갖는 복수의 액정 분자들(LCM)을 포함하는 액정 셀과 폴리머 네트워크(PLN)를 포함할 수 있다. 각 액정 분자(LCM)는 장축 방향으로 1.4 내지 1.6의 굴절률을 가지며, 단축 방향과 장축 방향 사이의 굴절률 차이는 약 0.15 내지 0.5일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
액정 셀은 트위스티드 또는 비-트위스티드 네마틱 액정 셀들, 트위스티드 또는 비-트위스티드 스메틱 액정 셀 등을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 액정 셀은 TN(twised nematic) 액정 셀일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
폴리머 네트워크(PLN)는 반응성 메소겐(reactive mesogen; RM), 광중합 단량체(monomer), 광개시제(photoinitiator), 광가교 반응성 단량체(UV-curable monomer) 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 폴리머 네트워크(PLN)는 광가교 반응성 단량체(UV-curable monomer)에 자외선을 조사하여 형성된 가교된 폴리머일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 폴리머 네트워크(PLN)는 굴절률 변환층(RCL) 내에서 대략 0.01% 이상의 함량을 포함할 수 있다.
실시예에 따라, 굴절률 변환층(RCL)은 도 9에 도시된 바와 같이 액정 분자들(LCM)의 바람직한 배향을 위한 첨가 물질(ADM)을 더 포함할 수 있다. 첨가 물질(ADM)은, 일 예로 배향 물질을 포함할 수 있다. 굴절률 변환층(RCL)에 첨가 물질(ADM)이 포함될 경우, 굴절률 변환층(RCL) 내의 액정 분자들(LCM)이 첨가 물질(ADM)에 의해 규정되는 방향으로 안정적으로 정렬될 수 있다.
굴절률 변환층(RCL)은 폴리머 네트워크(PLN)의 밀도 차이와 액정 분자들(LCM)의 움직임 정도에 따라 영역별로 상이한 굴절률을 가질 수 있다. 굴절률 변환층(RCL) 내에서, 폴리머 네트워크(PLN)에 의해 액정 분자들(LCM)의 유동 또는 움직임이 부분적으로 또는 전체적으로 제한될 수 있다. 예를 들어, 굴절률 변환층(RCL) 내에 폴리머 네트워크(PLN)의 밀도가 높은 영역에서의 액정 분자들(LCM)의 움직임은 상기 폴리머 네트워크(PLN)의 밀도가 적은 영역에 비해 상대적으로 제한될 수 있다.
따라서, 폴리머 네트워크(PLN)의 밀도가 높은 영역에서의 액정 분자들(LCM)의 굴절률과 상기 폴리머 네트워크(PLN)의 밀도가 적은 영역에서의 액정 분자들(LCM)의 굴절률은 상이할 수 있다. 예를 들어, 폴리머 네트워크(PLN)의 밀도가 높은 영역에서의 액정 분자들(LCM)의 굴절률은 크고 상기 폴리머 네트워크(PLN)의 밀도가 적은 영역에서의 액정 분자들(LCM)의 굴절률은 작을 수 있다.
액정 분자들(LCM)의 굴절률 차이로 인하여 굴절률 변환층(RCL)은 영역별로 상이한 굴절률을 가질 수 있다. 또한, 폴리머 네트워크(PLN)의 영역별 밀도 차이는 굴절률 변환층(RCL) 내에서 렌즈 형상(LS, 이하 '렌즈'라 함)을 형성할 수 있다.
또한, 굴절률 변환층(RCL)은 렌즈(LS)를 커버하는 평탄층(PLL)을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 평탄층(PLL)은 액정 분자들(LCM)이 분포되지 않고 폴리머 네트워크(PLN)의 밀도가 적으며, 굴절률이 일정한 영역을 의미할 수 있다.
굴절률 변환층(RCL)의 제조 방법에 대해서는 도 10a 및 도 10b를 참조하여 상세하게 설명한다.
도 10a는 UV 조사 전의 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 렌즈 어레이를 개략적으로 도시한 단면도이며, 도 10b는 UV 조사 후의 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 렌즈 어레이를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 10a 및 도 10b를 참조하면, 액정 분자들(LCM)과 광가교 반응성 단량체(MON)가 혼합된 혼합층(MXL)은 하부 전극(LE)과 상부 전극(UE) 사이에 배치될 수 있다.
하부 전극(LE)과 상부 전극(UE) 사이에 전계를 형성하여 혼합층(MXL) 내에서 액정 분자들(LCM)을 특정 방향으로 정렬시킨다. 특히, 혼합층(MXL) 내에 배향 물질이 포함될 경우, 액정 분자들(LCM)은 상기 배향 물질에 의해 정해진 방향으로 안정적으로 정렬될 수 있다.
혼합층(MXL) 내에 정렬된 액정 분자들(LCM)은 상기 혼합층(MXL) 내에서 영역에 상관없이 균일한 굴절률을 가질 수 있다.
이어, 상부 전극(UE) 상부에 개구부들(MOPN1 ~ MOPN5)을 포함한 마스크(M)를 배치한 후, 상기 마스크(M)를 통해 소정의 광, 일 예로 자외선(UV)을 혼합층(MXL)에 조사한다.
자외선(UV)이 혼합층(MXL)에 조사될 경우, 혼합층(MXL) 내의 광가교 반응성 단량체(MON)는 상기 자외선(UV)에 반응하여 가교된 폴리머 네트워크(PLN)가 형성될 수 있다. 즉, 혼합층(MXL)은 자외선(UV) 조사 이후에 폴리머 네트워크(PLN)와 상기 폴리머 네트워트(PLN)에 의해 움직임이 제한된 액정 분자들(LCM)을 포함하는 굴절률 변환층(RCL)이 될 수 있다.
마스크(M)는 제1 내지 제5 개구부들(MOPN1 ~ MOPN5)과, 상기 제1 내지 제5 개구부들(MOPN1 ~ MOPN5) 사이에 배치된 차단부(BA)를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 제1 내지 제5 개구부들(MOPN1 ~ MOPN5) 각각은 서로 상이한 크기를 가질 수 있다.
예를 들어, 마스크(M)의 가운데에 위치한 제3 개구부(MOPN3)의 크기가 가장 크고, 상기 제3 개구부(MOPN3)의 양 옆에 위치한 제2 및 제4 개구부들(MOPN2, MOPN4)이 상기 제3 개구부(MOPN3)의 크기보다 작은 크기를 가지며, 상기 제2 및 제4 개구부들(MOPN2, MOPN4) 각각의 외곽에 위치한 제1 및 제5 개구부들(MOPN1, MOPN5)이 가장 작은 크기를 가질 수 있다.
또한, 제1 내지 제5 개구부들(MOPN1 ~ MOPN5) 각각이 서로 상이한 크기를 갖게 되면, 상기 제1 내지 제5 개구부들(MOPN1 ~ MOPN5) 사이에 배치되는 차단부(BA)의 크기도 해당 개구부의 크기에 따라 상이해질 수 있다.
편의를 위하여, 마스크(M)가 5개의 개구부들(MOPN1 ~ MOPN5)을 포함하는 것으로 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 마스크(M)는 더 많은 개수의 개구부들을 포함할 수 있다.
제1 내지 제5 개구부들(MOPN1 ~ MOPN5)이 서로 상이한 크기를 갖기 때문에, 상기 제1 내지 제5 개구부들(MOPN1 ~ MOPN5) 각각을 통과하여 혼합층(MXL)으로 조사되는 자외선(UV)의 광량은 해당 개구부의 크기에 따라 달라질 수 있다. 특히, 크기가 가장 큰 제3 개구부(MOPN3)에 대응되는 혼합층(MXL)의 일 영역(A)에 자외선(UV)이 가장 많이 조사될 수 있으며, 크기가 가장 작은 제1 및 제5 개구부(MOPN1, MOPN5) 각각에 대응되는 혼합층(MXL)의 일 영역(C)에 자외선(UV)이 가장 적게 조사될 수 있다. 또한, 제1 내지 제5 개구부들(MOPN1 ~ MOPN5)에 대응되지 않는 혼합층(MXL)의 일 영역(D)은 자외선(UV)이 조사되지 않을 수 있다.
이하의 실시예에서는, 설명의 편의를 위하여 제3 개구부(MOPN3)에 대응되는 혼합층(MXL)의 일 영역(A)을 '제1 영역'이라 지칭하고, 제2 및 제4 개구부(MOPN2, MOPN4) 각각에 대응되는 혼합층(MXL)의 일 영역(B)을 '제2 영역'이라 칭하고, 제1 및 제5 개구부(MOPN1, MOPN5) 각각에 대응되는 혼합층(MXL)의 일 영역(C)을 '제3 영역'이라 지칭하며, 차단부(BA)에 대응되는 혼합층(MXL)의 일 영역(D)을 '제4 영역'이라 지칭한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상대적으로 자외선(UV) 조사량이 많은 제1 영역(A)에서는 폴리머 네트워크(PLN)의 밀도가 제2 내지 제4 영역(B, C, D)에 비해 높을 수 있다. 즉, 제1 영역(A)에 제공된 폴리머 네트워크(PLN)의 밀도는 제2 내지 제4 영역(B, C, D)에 제공된 폴리머 네트워크(PLN)의 밀도보다 높을 수 있다.
또한, 제2 영역(B)에서는 폴리머 네트워크(PLN)의 밀도가 제3 및 제4 영역(C, D)에 비해 높을 수 있다. 즉, 제2 영역(B)에 제공된 폴리머 네트워크(PLN)의 밀도는 제3 및 제4 영역(C, D)에 제공된 폴리머 네트워크(PLN)의 밀도보다 높을 수 있다.
이에 더하여, 제3 영역(C)에서는 폴리머 네트워크(PLN)의 밀도가 제4 영역(D)에 비해 높을 수 있다. 즉, 제3 영역(C)에 제공된 폴리머 네트워크(PLN)의 밀도는 제4 영역(D)에 제공된 폴리머 네트워크(PLN)의 밀도보다 높을 수 있다.
제1 내지 제4 영역(A, B, C, D)에서의 폴리머 네트워크(PLN)의 밀도 차이로 인해 상기 제1 내지 제4 영역(A, B, C, D)에 각각 제공된 액정 분자들(LCM)의 움직임이 제한되고, 이로 인해 상기 제1 내지 제4 영역(A, B, C, D) 각각에서의 액정 분자들(LCM)의 굴절률이 상이해질 수 있다.
예를 들어, 제1 영역(A)에서의 액정 분자들(LCM)의 굴절률이 제2 내지 제4 영역(B, C, D) 각각에서의 액정 분자들(LCM)의 굴절률보다 크고, 상기 제2 영역(B)에서의 액정 분자들(LCM)의 굴절률이 상기 제3 및 제4 영역(C, D) 각각에서의 액정 분자들(LCM)의 굴절률보다 크며, 상기 제3 영역(C)에서의 액정 분자들(LCM)의 굴절률이 상기 제4 영역(D)에서의 액정 분자들(LCM)의 굴절률보다 클 수 있다.
특히, 제1 영역(A)에는 제2 내지 제4 영역(B, C, D)에 비해 상대적으로 많은 폴리머 네트워크(PLN)가 제공되고, 상기 제2 내지 제4 영역(B, C, D) 각각에는 상기 제1 영역(A)에 비해 상대적으로 적은 폴리머 네트워트(PLN)가 제공될 수 있다. 제1 내지 제4 영역(A, B, C, D) 각각에서의 폴리머 네트워크(PLN)의 밀도 차이와, 상기 제1 내지 제4 영역(A, B, C, D) 각각에서 상기 폴리머 네트워트(PLN)와 상호 작용을 하는 액정 분자들(LCM)의 굴절률 차이는 굴절률 변환층(RCL) 내에서 렌즈 형상(LS)을 형성할 수 있다. 이로 인해, 굴절률 변환층(RCL)은 마이크로 렌즈 어레이(MLA)의 렌즈로 동작할 수 있다.
상술한 구성을 갖는 굴절률 변환층(RCL)이 렌즈로 동작함에 따라, 마이크로 렌즈 어레이(MLA)는 별도의 마이크로 렌즈를 포함하지 않으면서 표시 패널(PNL)에서 방출되는 광을 특정 방향으로 시준할 수 있다.
도 11a 및 도 11b는 도 8의 마이크로 렌즈 어레이를 포함하는 표시 장치들을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 11a 및 도 11b의 표시 장치와 관련하여, 중복된 설명을 피하기 위하여 상술한 일 실시예와 상이한 점을 위주로 설명한다. 본 실시예에서 특별히 설명하지 않은 부분은 상술한 일 실시예에 따르며, 동일한 번호는 동일한 구성 요소를, 유사한 번호는 유사한 구성 요소를 나타낸다.
우선, 도 8 및 도 11a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DP)는 표시 패널(PNL), 배리어층(BRL), 광경로 조정부(FML), 및 마이크로 렌즈 어레이(MLA)를 포함할 수 있다.
표시 패널(PNL)은 표시부(PP) 및 박막 봉지 필름(TFE)을 포함할 수 있다.
표시부(PP)는 영상을 표시하는 광을 방출할 수 있다. 이를 위해, 표시부(PP)는 광을 방출하여 상기 광에 대응하는 영상을 제공하는 표시 소자들을 포함할 수 있다. 표시부(PP)는 영상이 표시되는 표시 영역과 상기 표시 영역의 적어도 일측에 배치되는 비표시 영역을 포함할 수 있다.
박막 봉지 필름(TFE)은 표시부(PP)를 커버하여 외부의 수분 또는 산소가 표시 소자들로 유입되는 것을 차단할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 박막 봉지 필름(TFE)은 대략 1 내지 10㎛ 정도의 두께를 가질 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
박막 봉지 필름(TFE)은 단일층으로 이루어질 수 있으나, 다중층으로 이루어질 수도 있다. 박막 봉지 필름(TFE)은 표시 소자들을 커버하는 복수의 절연막을 포함할 수 있다. 구체적으로, 박막 봉지 필름(TFE)은 복수의 무기막 및 복수의 유기막을 포함할 수 있다. 예를 들면, 박막 봉지 필름(TFE)은 무기막 및 유기막이 교번하여 적층된 구조를 가질 수 있다. 박막 봉지 필름(TFE)은 표시부(PP) 상에 직접 형성되거나, 상기 표시부(PP) 상에 배치된 기능층 상에 직접 형성될 수 있다. 박막 봉지 필름(TFE)은 표시부(PP)와 연속 공정을 통해 제조될 수 있다.
배리어층(BRL)은 박막 봉지 필름(TFE) 상에 제공되며, 상기 박막 봉지 필름(TFE)을 커버하는 절연층일 수 있다. 배리어층(BRL)은 무기 재료를 포함하는 무기 절연막 또는 유기 재료를 포함하는 유기 절연막을 포함할 수 있다.
광경로 조정부(FML)는 표시 패널(PNL)의 일면에서 방출된 광을 집광하여 이를 마이크로 렌즈 어레이(MLA)로 가이드하는 역할을 할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 광경로 조정부(FML)는 400㎛ 이하의 두께를 가질 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
특히, 광경로 조정부(FML)는 표시 패널(PNL)과 마이크로 렌즈 어레이(MLA)를 일정 간격으로 이격시키기 위해 상기 표시 패널(PNL)과 상기 마이크로 렌즈 어레이(MLA) 사이에 제공될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 광경로 조정부(FML)는 표시 장치(DP)가 적용된 웨어러블 전자 장치(도 1의 100 참고)에서 사용자의 시야각을 확보하면서 마이크로 렌즈 어레이(MLA)의 초점을 사용자의 눈에 대응되도록 하는 포커스 매칭 레이어로 작용할 수 있다.
마이크로 렌즈 어레이(MLA)는 광경로 조정부(FML)의 일면 상에 직접 배치될 수 있다. 마이크로 렌즈 어레이(MLA)는 영역별로 상이한 굴절률을 갖는 굴절률 변환층(RCL)을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 마이크로 렌즈 어레이(MLA)는 100㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다.
마이크로 렌즈 어레이(MLA)와 광경로 조정부(FML) 사이에는 더미층(DML)이 제공될 수 있다.
더미층(DML)은 광경로 조정부(FML) 상에 제공되어 상기 광경로 조정부(FML)를 커버하여 외력에 의해 상기 광경로 조정부(FML)의 손상을 방지하는 보호층의 역할을 수행할 수 있다. 더미층(DML)은 광경로 조정부(FML)를 통과하는 광의 손실을 최소화하기 위해 투명한 절연 물질로 구성될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 더미층(DML)은 100㎛ 이하의 두께를 가질 수 있으며, 광경로 조정부(FML)와 마이크로 렌즈 어레이(MLA)의 재료 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.
상술한 구성들을 포함하는 표시 장치(DP)는 플렉서블(flexible) 특성을 갖는 표시 장치일 수 있다. 표시 장치(DP)가 플렉서블 특성을 갖는 표시 장치일 경우, 표시부(PP)를 커버하는 박막 봉지 필름(TFE)이 상기 표시부(PP) 상에 직접 형성되기 때문에 상기 박막 봉지 필름(TFE)의 두께가 리지드(rigid) 특성을 갖는 표시 장치에 비해 상대적으로 얇다. 따라서, 표시 패널(PNL)과 마이크로 렌즈 어레이(MLA) 사이를 일정한 수준 이상으로 이격되게 하기 위해 광경로 조정부(FML)의 두께가 상대적으로 두꺼워질 수 있다.
다음으로, 도 8 및 도 11b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DP)는 표시 패널(PNL), 광경로 조정부(FML), 더미층(DML), 및 마이크로 렌즈 어레이(MLA)를 포함할 수 있다.
표시 패널(PNL)은 표시부(PP)와 상기 표시부(PP) 상에 제공된 봉지 기판(CG)을 포함할 수 있다.
표시부(PP)는 광을 방출하여 상기 광에 대응하는 영상을 제공하는 표시 소자들을 포함할 수 있다.
봉지 기판(CG)은 표시부(PP)를 커버하여 외부의 수분 또는 산소가 표시 소자들로 유입되는 것을 차단할 수 있다. 봉지 기판(CG)은 플라스틱 기판 및/또는 유리기판을 포함할 수 있다. 영상이 표시되지 않은 비표시 영역에 배치된 실링 재료를 통해 봉지 기판(CG)과 표시부(PP)의 일부가 결합될 수 있다. 봉지 기판(CG)은 표시부(PP)와 별도로 형성되고, 실링 재료를 통해 표시부(PP)와 결합되므로, 일정한 수준 이상의 두께를 가질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 봉지 기판(CG)은 대략 10㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다.
이러한 봉지 기판(CG)을 구비한 표시 장치는 리지드 특성을 갖는 표시 장치일 수 있다.
광경로 조정부(FML)는 봉지 기판(CG) 상에 형성될 수 있다. 도 11b에 도시된 표시 장치(DP)에서 봉지 기판(CG)이 일정한 수준 이상의 두께를 갖기 때문에, 광경로 조정부(FML)는 도 11a에 도시된 표시 장치(DP)의 광경로 조정부(FML)에 비해 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있다. 또한, 실시예에 따라 광경로 조정부(FML)가 생략되어 봉지 기판(CG)이 상기 광경로 조정부(FML)의 역할을 대신할 수도 있다.
도 12a 내지 도 12f는 도 11a의 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도들이며, 도 13은 도 12e의 EA1 영역의 확대 단면도이다.
도 8, 도 11a, 및 도 12a를 참조하면, 표시부(PP)와 상기 표시부(PP) 상에 직접 형성된 박막 봉지 필름(TFE)을 포함하는 표시 패널(PNL)을 준비한다. 표시 패널(PNL)은 영상을 표시하는 광을 방출할 수 있다.
도 8, 도 11a, 도 12a, 및 도 12b를 참조하면, 표시 패널(PNL) 상에 광경로 조정부(FML)를 형성한다.
광경로 조정부(FML)는 표시 패널(PNL)에서 방출된 광을 집광하는 역할을 할 수 있다. 광경로 조정부(FML)는 실리콘 계열의 물질, 투명한 광학 점착 물질, 투명한 광학 레진 중 어느 하나를 포함하며, 대략 400㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다.
도 8, 도 11a, 도 12a 내지 도 12c를 참조하면, 광경로 조정부(FML) 상에 마이크로 렌즈 어레이 물질층(MLA')을 형성한다.
마이크로 렌즈 어레이 물질층(MLA')은 액정 분자들(LCM) 및 광가교 반응성 단량체(도 10a의 MON 참고)가 혼합된 혼합층(도 10a의 MXL 참고), 상기 혼합층(MXL)을 사이에 둔 하부 및 상부 전극(LE, UE)을 포함할 수 있다.
이러한 구성을 갖는 마이크로 렌즈 어레이 물질층(MLA')의 제조 방법은 다음과 같다.
광경로 조정부(FML) 상에 투명한 도전 물질로 구성된 하부 전극(LE)을 형성한다. 이어, 하부 전극(LE) 상에 액정 분자들(LCM)과 광가교 반응성 단량체(MON)를 포함한 혼합층(MXL)을 형성한다. 다음으로, 혼합층(MXL) 상에 하부 전극(LE)과 동일한 물질로 이루어진 상부 전극(UE)을 형성한다.
도 8, 도 11a, 도 12a 내지 도 12d를 참조하면, 마이크로 렌즈 어레이 물질층(MLA') 상부에 마스크(M)를 배치한 후, 상기 마스크(M)를 이용하여 상기 마이크로 렌즈 어레이 물질층(MLA')으로 자외선(UV)을 선택적으로 조사한다.
마스크(M)는 복수의 개구부들과 상기 개구부들 사이에 제공된 차단부를 포함할 수 있다. 개구부들은 자외선(UV)을 투과하고, 차단부는 상기 자외선(UV)을 차단할 수 있다. 도면에 직접적으로 도시되지 않았으나, 개구부들 각각은 서로 상이한 크기를 가질 수 있다.
도 8, 도 11a, 도 12a 내지 도 12e, 도 13을 참조하면, 마이크로 렌즈 어레이 물질층(MLA')에 자외선(UV)이 조사되면, 상기 마이크로 렌즈 어레이 물질층(MLA') 내의 광가교 반응성 단량체(MON)가 상기 자외선(UV)에 반응하여 가교된 폴리머 네트워크(PLN)를 형성한다.
자외선(UV) 조사에 의해 형성된 폴리머 네트워크(PLN)와 상기 폴리머 네트워크(PLN)에 의해 움직임이 제한된 액정 분자들(LCM)을 포함하는 굴절률 변환층(RCL)을 구비한 마이크로 렌즈 어레이(MLA)가 형성될 수 있다.
굴절률 변환층(RCL) 내에서, 폴리머 네트워크(PLN)는 자외선(UV) 조사량이 많은 영역과 상기 자외선(UV) 조사량이 상대적으로 적은 영역 사이에서 밀도 차이가 발생할 수 있다. 이러한 폴리머 네트워크(PLN)의 영역별 밀도 차이는 상기 폴리머 네트워크(PLN)와 상호 작용하는 액정 분자들(LCM)의 굴절률에 영향을 미쳐 영역별로 상이한 굴절률을 갖는 마이크로 렌즈 어레이(MLA)를 최종적으로 구현할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 폴리머 네트워크(PLN)와 상기 폴리머 네트워트(PLN)와 상호 작용을 하는 액정 분자들(LCM)은 렌즈 형상(LS)을 형성할 수 있다. 이러한 렌즈 형상(LS)은 마이크로 렌즈 어레이(MLA)에서 복수 개로 제공될 수 있다. 또한, 마이크로 렌즈 어레이(MLA)는 렌즈 형상(LS)을 커버하는 평탄부(PLL)를 포함할 수 있다. 렌즈 형상들(LS) 각각의 굴절률과 평탄부(PLL)의 굴절률은 서로 상이할 수 있다. 본 발명의 일 실시에에 있어서, 평탄부(PLL)는 굴절률 변환층(RCL) 내에서 렌즈 형상들(LS)을 제외한 영역을 의미하며 상기 렌즈 형상들(LS)과 달리 균일한 굴절률을 가질 수 있다.
렌즈 형상들(LS) 각각은, 도 13에 도시된 바와 같이, 광경로 조정부(FML)의 일면으로부터 상부로 향할수록 폭이 좁아지는 반원, 반타원 등의 단면을 가지는 곡면을 포함할 수 있다. 각 렌즈 형상(LS)이 반원의 단면을 가지는 곡면을 포함하는 경우, 각 렌즈 형상(LS)은 0.5㎛ 이하의 반지름을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 각 렌즈 형상(LS)은 0.5㎛ 이하의 높이(h)를 가지며, 5㎛ 이하의 폭(w)을 가질 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 각 렌즈 형상(LS)의 높이(h)와 폭(w)은 마이크로 렌즈 어레이 물질층(MLA')으로 조사되는 자외선(UV)의 광량에 따라 달라지므로, 각 렌즈 형상(LS)의 높이(h) 및 폭(w) 등은 용이하게 제어될 수 있다.
도 8, 도 11a, 도 12a 내지 도 12f를 참조하면, 마이크로 렌즈 어레이(MLA) 상에 절연층(INS)이 형성될 수 있다. 절연층(INS)은 마이크로 렌즈 어레이(MLA)를 커버하며, 외력에 의해 상기 마이크로 렌즈 어레이(MLA)의 손상을 방지하는 보호층의 역할을 할 수 있다. 실시예에 따라, 절연층(INS)은 생략될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DP)는 마이크로 렌즈 어레이(MLA)를 표시 패널(PNL) 상에 직접 형성하여 상기 마이크로 렌즈 어레이(MLA)와 상기 표시 패널(PNL)의 결합 시의 정렬 오차를 최소화할 수 있다. 특히, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DP)는 별도의 공정을 통해 제조된 표시 패널(PNL)과 마이크로 렌즈 어레이(MLA)를 본딩 공정으로 정렬 접합시키는 기존의 표시 장치에 비해 오정렬(misalign)에 따른 불량 발생을 줄일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DP)는 폴리머 네트워크(PLN) 및 상기 폴리머 네트워크(PLN)와 상호 작용하는 액정 분자들(LCM)을 포함한 굴절률 변환층(RCL)을 렌즈로 이용하여 영역별로 상이한 굴절률을 갖는 마이크로 렌즈 어레이(MLA)를 구현할 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 렌즈 어레이(MLA)는 별도의 마이크로 렌즈를 구비하지 않고 굴절률 변환층(RCL)을 렌즈로 사용할 수 있다.
이러한 마이크로 렌즈 어레이(MLA)를 포함한 표시 장치(DP)가 웨어러블 전자 장치(도 1의 100 참고)에 적용되면, 상기 마이크로 렌즈 어레이(MLA)의 굴절률 변환층(RCL)은 표시 패널(PNL)에서 방출된 광을 집광하여 이를 상기 웨어러블 전자 장치(100)를 착용한 사용자의 눈으로 시준할 수 있다. 결국, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DP)는 별도의 마이크로 렌즈를 포함하지 않으면서 웨어러블 전자 장치(100)를 착용한 사용자에게 가상 현실 또는 증강 현실을 제공할 수 있다.
상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DP)는 마이크로 렌즈 어레이(MLA)가 별도의 마이크로 렌즈를 포함하지 않으므로 보다 슬림한 구조로 구현될 수 있다.
도 14a는 도 12d의 마스크를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 14b는 도 14a의 EA2 영역의 확대 평면도이며, 도 15는 도 14a의 마스크를 이용하여 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 렌즈 어레이를 형성하는 방법을 도시한 사시도이며, 도 16은 도 14a에 도시된 마스크의 다른 형태를 도시한 평면도이다.
도 12d, 도 14a, 도 14b, 도 15, 및 도 16을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 렌즈 어레이(MLA)는 그 상부에 마스크(M)를 배치한 후 자외선(UV)을 조사하여 형성된 굴절률 변환층(RCL)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 마스크(M)는 복수의 개구부들(MOPN)과 상기 개구부들(MOPN) 사이에 위치한 차단부(BA)를 포함할 수 있다. 개구부들(MOPN)은 자외선(UV)을 투과하고, 차단부(BA)는 상기 자외선(UV)을 차단한다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 개구부들(MOPN)은 서로 상이한 크기를 가질 수 있다.
개구부들(MOPN)은, 도 14a 및 도 15에 도시된 바와 같이, 제1 방향(DR1)으로 연장된 행과 상기 제1 방향(DR1)에 교차하는 제2 방향(DR2)으로 연장된 열을 따라 매트릭스(matrix) 형태로 배열될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 개구부들(MOPN)은 도트(dot) 형상을 가질 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 실시예에 따라, 개구부들(MOPN)은 도 16에 도시된 바와 같이 링(ring) 형상을 가질 수도 있다. 개구부들(MOPN)의 형상은 상술한 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 영역별로 상이한 굴절률을 갖는 굴절률 변환층(RCL)을 형성하는 범위 내에서 다양하게 변경될 수 있다.
개구부들(MOPN) 각각이 도트 형상을 갖는 경우, 각 개구부(MOPN)는 약 1㎛ 이상의 크기를 가질 수 있다. 도 14a 및 도 15에 도시된 바와 같이, 각 개구부(MOPN)가 도트 형상을 가지면, 마스크(M)의 가운데 영역에서 가장자리를 향할수록 개구부들(MOPN)의 크기가 작아질 수 있다. 또한, 실시예에 따라, 개구부들(MOPN)은 마스크(M)의 가장자리에서 가운데 영역을 향할수록 그 크기가 작아질 수도 있다.
실시예에 따라, 개구부들(MOPN) 각각이 링 형상을 갖는 경우, 각 개구부(MOPN)는 도 16에 도시된 바와 같이 마스크(M)의 가운데 영역에서 가장자리를 향할수록 그 폭이 커질 수 있다. 이러한 경우, 개구부들(MOPN) 사이에 배치된 차단부(BA)의 크기도 달라질 수 있다. 일 예로, 차단부(BA)는 마스크(M)의 가운데 영역에서 가장자리를 향할수록 그 폭이 작아질 수 있다.
또한, 개구부들(MOPN) 각각이 링 형상을 갖는 경우, 각 개구부(MOPN)는 마스크(M)의 가장자리에서 가운데 영역을 향할수록 그 폭이 커질 수 있다. 이러한 경우, 개구부들(MOPN) 사이에 배치된 차단부(BA)는 마스크(M)의 가장자리에서 가운데 영역을 향할수록 그 폭이 작아질 수 있다.
상술한 바와 같이, 마스크(M)에 포함된 개구부들(MOPN)이 서로 상이한 크기를 갖기 때문에, 각 개구부(MOPN)를 통과하여 마이크로 렌즈 어레이(MLA)로 조사되는 자외선(UV)의 광량은 해당 개구부(MOPN)의 크기에 따라 달라질 수 있다.
예를 들어, 도 14a 및 도 15에 도시된 바와 같이, 마스크(M)의 가운데 영역에 위치한 개구부들(MOPN)이 상기 마스크(M)의 가장 자리에 위치한 개구부들(MOPN)에 비해 크기가 크므로, 상기 마스크(M)의 가운데 영역에 대응되는 굴절률 변환층(RCL)의 일 영역에 자외선(UV)이 상대적으로 많이 조사될 수 있다. 또한, 마스크(M)의 가장 자리에 대응되는 굴절률 변환층(RCL)의 일 영역은 상기 마스크(M)의 가운데 영역에 대응되는 굴절률 변환층(RCL)의 일 영역에 비해 자외선(UV)이 적게 조사될 수 있다.
상술한 바와 같이, 마스크(M)에 포함된 각 개구부(MOPN)의 크기에 따라 각 개구부(MOPN)에 대응되는 굴절률 변환층(RCL)의 일 영역으로 조사되는 자외선(UV)의 광량이 상이해지므로, 굴절률 변환층(RCL) 내의 폴리머 네트워크(도 8의 PLN 참고)의 밀도도 이에 대응되게 영역 별로 상이해질 수 있다. 폴리머 네트워크(PLN)의 밀도가 영역별로 상이해짐에 따라, 상기 폴리머 네트워크(PNL)와 상호 작용하는 액정 분자들(도 8의 LCM 참고)의 굴절률도 상기 영역별로 상이해질 수 있다. 이로 인하여, 굴절률 변환층(RCL)은 영역 별로 상이한 굴절률을 가지며 마이크로 렌즈 어레이(MLA)의 렌즈로 동작할 수 있다.
렌즈로 동작하는 굴절률 변환층(RCL)에 의해, 마이크로 렌즈 어레이(MLA)는 별도의 마이크로 렌즈를 포함하지 않으면서 표시 패널(PNL)에서 방출되는 광을 특정 영역으로 시준할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
100: 웨어러블 전자 장치 DP: 표시 장치
PP: 표시부 PNL: 표시 패널
TFE: 박막 봉지 필름 CG: 봉지 기판
FML: 광경로 조정부 MLA: 마이크로 렌즈 어레이
DML: 더미층 MOPN: 개구부
LS: 렌즈 형상 PLL: 평탄부
RCL: 굴절률 변환층 PLN: 폴리머 네트워크
LCM: 액정 분자 ADM: 첨가 물질
MOPN1 ~ MOPN5: 제1 내지 제5 개구부

Claims (29)

  1. 영상을 표시하기 위한 광을 방출하는 표시부;
    상기 표시부 상에 제공되며, 영역에 따라 서로 상이한 굴절률을 갖는 굴절률 변환층을 포함하고, 상기 표시부로부터 입사된 상기 영상을 사용자의 눈으로 시준하여 전달하는 마이크로 렌즈 어레이;
    상기 표시부와 상기 마이크로 렌즈 어레이 사이에 배치되고, 상기 표시부로부터 방출되어 상기 마이크로 렌즈 어레이를 통과하는 광을 집광하며 상기 표시부와 상기 마이크로 렌즈 어레이를 일정 간격 이격시키는 광경로 조정부; 및
    상기 광경로 조정부와 상기 마이크로 렌즈 어레이 사이에 배치되는 더미층을 포함하고,
    상기 굴절률 변환층은 폴리머 및 상기 폴리머와 상호 작용하는 액정 분자들을 포함하고,
    상기 폴리머는 광가교 반응 모노머(UV-curable monomer)를 자외선과 반응시켜 형성된 폴리머 네트워크를 포함하고,
    상기 굴절률 변환층은 상기 폴리머 네트워크와 상기 액정 분자들에 의해 형성된 적어도 하나의 렌즈 형상 및 상기 렌즈 형상을 커버하며 일정한 굴절률을 갖는 평탄부를 포함하고,
    상기 더미층은 상기 광경로 조정부 상에 배치되어 상기 광경로 조정부를 보호하고 투명 절연 물질을 포함하는 표시 장치.
  2. 삭제
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 굴절률 변환층 내에서, 상기 폴리머 네트워크의 함량은 0.01% 이상인 표시 장치.
  4. 삭제
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 굴절률 변환층은 상기 액정 분자들의 정렬을 위한 첨가 물질을 더 포함하고,
    상기 첨가 물질은 배향 물질을 포함하는 표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 마이크로 렌즈 어레이는, 상기 굴절률 변환층 상에 제공된 상부 전극과 상기 상부 전극과 마주보며 상기 굴절률 변환층 하부에 제공된 하부 전극을 더 포함하고,
    상기 상부 전극과 상기 하부 전극은 투명한 도전 물질을 포함하는 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 광경로 조정부는 상기 표시부와 상기 마이크로 렌즈 어레이 사이에 제공되는 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 광경로 조정부는 실리콘 계열의 물질, 투명한 광학 점착 물질, 투명한 광학 레진 중 어느 하나를 포함하는 표시 장치.
  9. 제7 항에 있어서,
    상기 표시부는,
    상기 영상을 표시하는 표시 영역과 상기 표시 영역의 적어도 일측을 둘러싸는 비표시 영역을 포함한 기판;
    상기 기판 상에 제공되며 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하는 화소 회로부; 및
    상기 트랜지스터에 전기적으로 연결되며, 상기 광을 방출하는 적어도 하나의 발광 소자를 포함하는 표시 소자층을 포함하는 표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 표시부와 상기 광경로 조정부 사이에 제공된 봉지층을 더 포함하는 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 봉지층은 상기 표시 소자층을 커버하는 봉지 기판 및 박막 봉지 필름 중 어느 하나를 포함하는 표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 광경로 조정부와 상기 마이크로 렌즈 어레이 사이에 제공되며, 상기 광경로 조정부를 커버하는 보호층을 더 포함하는 표시 장치.
  13. 영상을 표시하기 위한 광을 방출하는 표시부를 형성하는 단계; 및
    상기 표시부 상에, 영역별로 굴절률이 상이한 굴절률 변환층을 포함하는 마이크로 렌즈 어레이를 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 마이크로 렌즈 어레이를 형성하는 단계는,
    상기 표시부 상에 투명한 도전 물질로 이루어진 하부 전극을 형성하는 단계;
    상기 하부 전극 상에 광가교 반응 모노머(UV-curable monomer)와 액정 분자들이 혼합된 혼합층을 도포하는 단계;
    상기 혼합층 상에 상기 하부 전극과 동일한 물질로 이루어진 상부 전극을 형성하는 단계;
    상기 상부 전극 상부에 마스크를 배치한 후, 상기 혼합층에 자외선을 조사하여 상기 자외선에 의해 가교된 폴리머 네트워크와 상기 폴리머 네트워크와 상호 작용하는 상기 액정 분자들을 포함하는 상기 굴절률 변환층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 굴절률 변환층은 상기 폴리머 네트워크와 상기 액정 분자들에 의해 형성된 적어도 하나의 렌즈 형상 및 상기 렌즈 형상을 커버하며 일정한 굴절률을 갖는 평탄부를 포함하고,
    상기 굴절률 변환층 내에서, 상기 액정 분자들은 상기 폴리머 네트워크의 밀도가 높은 영역에 분포하는 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 굴절률 변환층 내에서, 상기 폴리머 네트워크의 함량은 0.01% 이상인 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 마스크는 상기 자외선을 상기 굴절률 변환층으로 통과시키는 복수의 개구부들을 포함하고,
    상기 개구부들 각각은 도트 형상 및 링 형상 중 어느 하나의 형상을 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 복수의 개구부들 각각의 크기는 서로 상이한 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제13 항에 있어서,
    상기 굴절률 변환층 내에서, 상기 폴리머 네트워크는 상기 자외선 조사량에 따라 상이한 밀도를 갖는 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 폴리머 네트워크는 상기 자외선 조사량이 적은 영역에 비해 상기 자외선 조사량이 많은 영역에서 상대적으로 높은 밀도를 갖는 표시 장치의 제조 방법.
  19. 삭제
  20. 제13 항에 있어서,
    영역 별로 상이한 밀도를 갖는 상기 폴리머 네트워크와 상기 액정 분자들은 상기 굴절률 변환층 내에서 상기 렌즈 형상을 형성하는 표시 장치의 제조 방법.
  21. 제20 항에 있어서,
    상기 굴절률 변환층은 상기 폴리머 네트워크와 상기 액정 분자들의 밀도가 적은 영역에 비해 상기 폴리머 네트워크와 상기 액정 분자들의 밀도가 높은 영역에서 상대적으로 큰 굴절률을 갖는 표시 장치의 제조 방법.
  22. 제21 항에 있어서,
    상기 굴절률 변환층은 상기 액정 분자들의 정렬을 위한 첨가 물질을 더 포함하고,
    상기 첨가 물질은 배향 물질을 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  23. 제13 항에 있어서,
    상기 표시부 상에, 상기 표시부로부터 방출되어 상기 마이크로 렌즈 어레이를 통과하는 광을 집광하며 상기 표시부와 상기 마이크로 렌즈 어레이를 일정 간격 이격시키는 광경로 조정부를 형성하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  24. 제23 항에 있어서,
    상기 광경로 조정부는 상기 표시부와 상기 마이크로 렌즈 어레이 사이에 형성되는 표시 장치의 제조 방법.
  25. 제24 항에 있어서,
    상기 광경로 조정부는 실리콘 계열의 물질, 투명한 광학 점착 물질, 투명한 광학 레진 중 어느 하나를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  26. 제24 항에 있어서,
    상기 표시부는,
    상기 영상을 표시하는 표시 영역과 상기 표시 영역의 적어도 일측을 둘러싸는 비표시 영역을 포함한 기판;
    상기 기판 상에 제공되며 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하는 화소 회로부; 및
    상기 트랜지스터에 전기적으로 연결되며, 상기 광을 방출하는 적어도 하나의 발광 소자를 포함하는 표시 소자층을 구비하는 표시 장치의 제조 방법.
  27. 제26 항에 있어서,
    상기 표시부와 상기 광경로 조정부 사이에 봉지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  28. 제27 항에 있어서,
    상기 봉지층은 상기 표시 소자층을 커버하는 봉지 기판 및 박막 봉지 필름 중 어느 하나를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  29. 제28 항에 있어서,
    상기 광경로 조정부와 상기 마이크로 렌즈 어레이 사이에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102688077B1 (ko) 2018-12-12 2024-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증강 현실 제공 장치
KR20200109438A (ko) 2019-03-12 2020-09-23 삼성디스플레이 주식회사 가상 영상 표시장치 및 헤드 마운트 장치
CN111725426B (zh) * 2020-06-11 2021-06-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示装置和电子设备
CN111668282A (zh) * 2020-07-03 2020-09-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及显示装置
CN112034643B (zh) * 2020-08-06 2023-11-03 华南师范大学 液晶微透镜阵列薄膜及其制备方法和显示装置
TWI762035B (zh) * 2020-11-16 2022-04-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置
CN116068773B (zh) * 2023-03-06 2023-07-25 惠科股份有限公司 头戴式显示装置及头戴式显示装置的制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014038147A (ja) * 2012-08-13 2014-02-27 Stanley Electric Co Ltd 液晶素子、液晶表示装置
US20180267358A1 (en) * 2017-03-15 2018-09-20 Lg Display Co., Ltd. Display device

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1227347A1 (en) * 2001-01-29 2002-07-31 Rolic AG Optical device and method for manufacturing same
KR100440955B1 (ko) * 2001-09-11 2004-07-21 삼성전자주식회사 ２ｄ／３ｄ 겸용 디스플레이
JP4040869B2 (ja) * 2001-12-20 2008-01-30 株式会社リコー 画像表示装置
JP3888223B2 (ja) * 2002-05-13 2007-02-28 ソニー株式会社 液晶表示素子の製造方法
US7079203B1 (en) 2003-06-23 2006-07-18 Research Foundation Of The University Of Central Florida, Inc. Electrically tunable polarization-independent micro lens using polymer network twisted nematic liquid crystal
WO2005040907A1 (en) * 2003-10-23 2005-05-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Polarization independent phase modulator
JP4586630B2 (ja) * 2005-05-23 2010-11-24 株式会社ニコン 回折型表示装置およびカメラのファインダ内表示装置
KR20060134538A (ko) * 2005-06-23 2006-12-28 삼성전자주식회사 기판 어셈블리 및 이를 갖는 표시 장치
KR20090047933A (ko) * 2007-11-09 2009-05-13 한양대학교 산학협력단 2ｄ-3ｄ컨버터블 디스플레이 장치, 2ｄ-3ｄ컨버터블디스플레이 방법 및 2ｄ-3ｄ컨버터블 디스플레이를 위한액정 마이크로 렌즈 어레이 제조 방법
JP2009128664A (ja) 2007-11-26 2009-06-11 Seiko Epson Corp 空間光変調装置及び画像表示装置
US9651729B2 (en) * 2010-04-16 2017-05-16 Flex Lighting Ii, Llc Reflective display comprising a frontlight with extraction features and a light redirecting optical element
US9494797B2 (en) 2012-07-02 2016-11-15 Nvidia Corporation Near-eye parallax barrier displays
JP6221480B2 (ja) * 2013-08-07 2017-11-01 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器
US9880325B2 (en) 2013-08-14 2018-01-30 Nvidia Corporation Hybrid optics for near-eye displays
CN105593713B (zh) * 2013-10-03 2018-07-31 富士胶片株式会社 投影图像显示用半反射镜及其制造方法以及投影图像显示系统
JP6269266B2 (ja) 2014-04-01 2018-01-31 セイコーエプソン株式会社 液晶装置及び電子機器並びに液晶装置の製造方法
US10139669B2 (en) * 2014-10-15 2018-11-27 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic instrument
US9857594B2 (en) 2015-01-29 2018-01-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical device and head-mounted display device and imaging device equipped with the same
US9448415B2 (en) * 2015-02-25 2016-09-20 Omnivision Technologies, Inc. Spatially interleaved polarization converter for LCOS display
KR102647969B1 (ko) * 2016-10-28 2024-03-18 삼성디스플레이 주식회사 광 필드 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN108107572B (zh) * 2016-11-25 2020-07-14 中强光电股份有限公司 近眼显示装置
KR102449093B1 (ko) * 2017-03-24 2022-09-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014038147A (ja) * 2012-08-13 2014-02-27 Stanley Electric Co Ltd 液晶素子、液晶表示装置
US20180267358A1 (en) * 2017-03-15 2018-09-20 Lg Display Co., Ltd. Display device

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