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KR102625679B1 - Loadlock module and substrate processing system having the same - Google Patents

Loadlock module and substrate processing system having the same Download PDF

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KR102625679B1
KR102625679B1 KR1020210151369A KR20210151369A KR102625679B1 KR 102625679 B1 KR102625679 B1 KR 102625679B1 KR 1020210151369 A KR1020210151369 A KR 1020210151369A KR 20210151369 A KR20210151369 A KR 20210151369A KR 102625679 B1 KR102625679 B1 KR 102625679B1
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load lock
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chamber
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조재현
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Abstract

본 발명은 로드락모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템에 관한 것이다.
본 발명은, 대기압상태의 외부 및 기판처리가 이루어지는 공정모듈(100) 사이에서 기판을 전달하는 로드락모듈(200)로서, 밀폐된 내부공간(S)을 형성하며 기판출입을 위한 적어도 한 쌍 이상의 게이트(T)를 구비하는 로드락챔버(210)와; 상기 로드락챔버(210)에 설치되어 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)을 지지하는 기판지지부(220)와; 상기 내부공간(S)으로 불활성가스를 주입하기 위한 가스주입부(230)과; 상기 내부공간(S)의 기체를 배기하기 위한 가스배기부(240)와; 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)의 온도조절을 위한 열교환부(270)와; 상기 게이트(T)를 개폐하는 게이트밸브부(250)를 포함하는 로드락모듈(200)을 개시한다.
The present invention relates to a load lock module and a substrate processing system including the same.
The present invention is a load lock module 200 that transfers substrates between the outside at atmospheric pressure and the process module 100 where substrate processing is performed, forming a sealed internal space (S) and providing at least one pair of substrates for entry and exit. A load lock chamber 210 having a gate (T); a substrate support portion 220 installed in the load lock chamber 210 to support the substrate (G) introduced into the internal space (S); A gas injection unit 230 for injecting an inert gas into the internal space (S); a gas exhaust unit 240 for exhausting gas from the internal space (S); a heat exchange unit 270 for controlling the temperature of the substrate (G) introduced into the internal space (S); Disclosed is a load lock module 200 including a gate valve unit 250 that opens and closes the gate (T).

Description

로드락모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템{Loadlock module and substrate processing system having the same}Loadlock module and substrate processing system including the same {Loadlock module and substrate processing system having the same}

본 발명은 로드락모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템에 관한 것이다. The present invention relates to a load lock module and a substrate processing system including the same.

반도체 제조공정 등을 수행하는 반도체 기판처리장치는 일반적으로, 기판처리공정을 수행하는 복수 개의 프로세스 챔버(Process Chamber)와, 해당 프로세스 챔버로 기판이 진입되기 전에 기판이 프로세스 챔버로 진입할 수 있도록 환경을 조성하는 로드락챔버(Load lock Chamber)와, 프로세스 챔버와 로드락챔버를 연결하며 로드락챔버 내의 기판을 해당 프로세스 챔버로 이송하거나 해당 프로세스 챔버 내의 기판을 로드락챔버로 이송하는 로봇 아암이 설치되는 트랜스퍼 챔버(Transfer Chamber)를 포함한다.A semiconductor substrate processing device that performs a semiconductor manufacturing process generally includes a plurality of process chambers that perform a substrate processing process and an environment that allows the substrate to enter the process chamber before the substrate enters the process chamber. A load lock chamber is installed to create a load lock chamber, and a robot arm is installed to connect the process chamber and the load lock chamber and transfer the substrates in the load lock chamber to the corresponding process chamber or the substrates in the process chamber to the load lock chamber. Includes a transfer chamber.

프로세스 챔버는, 일반적으로 고온 및 진공에 가까운 공정압 상태에서 기판처리공정을 진행한다. 이 때 대기압 상태에 있는 기판을 고온 및 공정압 상태인 프로세스 챔버로 진입시키는 과정이 어려움이 있기 때문에, 기판을 해당 프로세스 챔버로 이송하기 전에 프로세스 챔버와 동일한 환경을 조성해 주어야 하는데, 이러한 역할을 담당하는 것이 로드락챔버다. The process chamber generally performs a substrate processing process at high temperature and process pressure close to vacuum. At this time, because it is difficult to enter the substrate at atmospheric pressure into the process chamber at high temperature and process pressure, it is necessary to create the same environment as the process chamber before transferring the substrate to the process chamber. This is the load lock chamber.

즉, 로드락챔버는 외부로부터 기판이 프로세스 챔버로 인입되기 전 또는 프로세스 챔버로부터 기판이 외부로 인출되기 전에 프로세스 챔버의 환경 또는 외부의 환경과 실질적으로 동일한 상태로 기판을 수용하는 챔버를 가리킨다.That is, the load lock chamber refers to a chamber that accommodates a substrate in a state substantially the same as the environment of the process chamber or the external environment before the substrate is introduced into the process chamber from the outside or before the substrate is taken out from the process chamber.

종래의 기판처리장치의 경우, 프로세스 챔버에서의 병목현상(bottle neck)을 제거하여 생산성을 향상시키기 위하여 프로세스 챔버의 갯수를 늘이는 등의 방법을 통하여 노력을 기울이고 있다. In the case of conventional substrate processing equipment, efforts are being made to improve productivity by eliminating bottlenecks in the process chamber by increasing the number of process chambers.

그러한, 어떠한 방법이 되었든 프로세스 챔버에서의 병목현상이 해소된다면, 그 다음은 로드락챔버의 생산성이 시스템 전체의 병목지점이 된다.If the bottleneck in the process chamber is resolved by any means, the productivity of the load lock chamber becomes the bottleneck of the entire system.

한편, 로드락챔버 내에서의 기판 처리라 함은 단시간에 진행되는 트랜스퍼 챔버로부터의 기판 반입 게이트 열림, 기판 반입, 기판 반입 게이트 닫힘, 벤팅 가스 주입, 대기 반송으로의 기판 반출 게이트 열림, 기판 반출, 기판 반출 게이트 닫힘으로 이어지는 일련의 과정을 말한다.On the other hand, substrate processing in the load lock chamber involves opening the substrate loading gate from the transfer chamber, loading the substrate, closing the substrate loading gate, injecting venting gas, opening the substrate loading gate to atmospheric transfer, substrate loading, etc., which is carried out in a short period of time. It refers to a series of processes leading to the closing of the substrate unloading gate.

이를 위해, 로드락챔버의 기판 반입 게이트 및 기판 반출 게이트에는 게이트 개폐를 위한 게이트밸브가 결합될 수 있다.For this purpose, a gate valve for opening and closing the gate may be coupled to the substrate loading gate and substrate loading gate of the load lock chamber.

충분히 냉각되지 못한 기판을 트랜스퍼하는 동안 열손상(Thermal damage)의 영향을 받은 부재들은 가공 형태가 변형되거나 멜팅(melting)되어 본래 기능을 수행하기 어렵게 되거나 기판 상에 흔적을 묻힘으로써 칩을 제조하는데 파티클(오염물)로 작용하여 반도체 제품의 불량을 야기시킬 수 있는 요인이 될 수 있다.During the transfer of a substrate that has not been sufficiently cooled, members affected by thermal damage become deformed or melted, making it difficult to perform their original function, or leaving traces on the substrate to produce chips. It can act as a contaminant and become a factor that can cause defects in semiconductor products.

또한, 종래 로드락챔버는, 게이트밸브의 밸브하우징이 로드락챔버의 일측 외벽에 결합되고 게이브밸브의 밸브플레이트가 밸브하우징에 구비되는 밸브시트에 밀착됨으로써 게이트 개폐가 이루어지도록 구성된다.In addition, the conventional load lock chamber is configured to open and close the gate by coupling the valve housing of the gate valve to one outer wall of the load lock chamber and the valve plate of the gate valve in close contact with the valve seat provided in the valve housing.

한편, 로드락챔버는 공정압 형성을 위한 펌핌과 대기압 형성을 위한 벤팅을 반복하며 압력차에 의해 챔버 외벽이 변형될 수 있고, 이러한 변형은 로드락챔버가 대형화될수록 크게 나타날 수 있다.Meanwhile, the load lock chamber repeats pumping to form process pressure and venting to form atmospheric pressure, and the outer wall of the chamber may be deformed due to the pressure difference, and this deformation may become greater as the load lock chamber becomes larger.

로드락챔버의 외벽이 변형되면 기판 반입 게이트 및 기판 반출 게이트에 결합되는 밸브하우징과 로드락챔버의 외벽 사이에 접촉(metal contact)가 발생되고 이는 로드락챔버 내부에 파티클 이슈를 야기하는 문제점이 있다.When the outer wall of the load lock chamber is deformed, metal contact occurs between the valve housing connected to the substrate loading gate and the substrate unloading gate and the outer wall of the load lock chamber, which causes particle issues inside the load lock chamber. .

본 발명의 목적은, 상기와 같은 문제점을 인식하여, 로드락모듈에 게이트밸브를 일체화 함으로써, 로드락모듈 내부공간에 파티클이 발생되는 것을 방지할 수 있는 로드락모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템을 제공하는데 있다.The purpose of the present invention is to recognize the above problems and provide a load lock module and a substrate processing system including the same, which can prevent particles from being generated in the internal space of the load lock module by integrating a gate valve into the load lock module. It is provided.

또한, 본 발명의 다른 목적은, 로드락모듈 내부공간의 체적을 감소시키고, 로드락모듈 내부공간에서의 가스유동을 개선함으로써 생산성을 향상시킬 수 있는 로드락모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템을 제공하는데 있다.In addition, another object of the present invention is to provide a load lock module and a substrate processing system including the same that can improve productivity by reducing the volume of the load lock module's internal space and improving gas flow in the load lock module's internal space. I'm doing it.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 대기압상태의 외부 및 기판처리가 이루어지는 공정모듈(100) 사이에서 기판을 전달하는 로드락모듈(200)을 개시한다.The present invention was created to achieve the object of the present invention as described above, and discloses a load lock module 200 that transfers a substrate between the outside at atmospheric pressure and a process module 100 where substrate processing is performed.

상기 로드락모듈(200)은, 밀폐된 내부공간(S)을 형성하며 기판출입을 위한 적어도 한 쌍 이상의 게이트(T)를 구비하는 로드락챔버(210)와; 상기 로드락챔버(210)에 설치되어 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)을 지지하는 기판지지부(220)와; 상기 내부공간(S)으로 불활성가스를 주입하기 위한 가스주입부(230)과; 상기 내부공간(S)의 기체를 배기하기 위한 가스배기부(240)와; 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)의 온도조절을 위한 열교환부(270)와; 상기 게이트(T)를 개폐하는 게이트밸브부(250)를 포함할 수 있다.The load lock module 200 includes a load lock chamber 210 that forms a sealed internal space (S) and has at least one pair of gates (T) for entering and exiting a substrate; a substrate support portion 220 installed in the load lock chamber 210 to support the substrate (G) introduced into the internal space (S); A gas injection unit 230 for injecting an inert gas into the internal space (S); a gas exhaust unit 240 for exhausting gas from the internal space (S); a heat exchange unit 270 for controlling the temperature of the substrate (G) introduced into the internal space (S); It may include a gate valve unit 250 that opens and closes the gate (T).

상기 로드락챔버(210)는, 상면이 개방된 챔버본체(212)와 상기 챔버본체(212)의 상면에 결합되어 상기 내부공간(S)을 형성하는 상부리드(214)를 포함할 수 있다.The load lock chamber 210 may include a chamber body 212 with an open upper surface and an upper lid 214 coupled to the upper surface of the chamber body 212 to form the internal space (S).

상기 챔버본체(212)는 상기 게이트(T)로부터 기판이송방향(D1)을 따라 외측으로 연장 형성되는 챔버연장부(216)를 구비할 수 있다.The chamber body 212 may be provided with a chamber extension portion 216 extending outward from the gate T along the substrate transfer direction D1.

상기 게이트밸브부(250)는, 상기 기판이송방향에 수직한 방향(D2)을 따라 상기 챔버연장부(216)를 관통하며, 상기 게이트(T)의 가장자리 둘레를 형성하는 밸브시트(219)에 밀착되거나 이격되도록 이동가능하게 설치되는 밸브플레이트(252)를 포함할 수 있다.The gate valve part 250 penetrates the chamber extension part 216 along the direction D2 perpendicular to the substrate transfer direction and is attached to the valve seat 219 forming the edge of the gate T. It may include a valve plate 252 that is movably installed to be in close contact or spaced apart.

상기 챔버본체(212)는, 상기 내부공간(S)을 상하로 구획하여 제1내부공간(S1)과 제2내부공간(S2)을 형성하는 구획벽(218)을 포함할 수 있다.The chamber body 212 may include a partition wall 218 that divides the internal space S up and down to form a first internal space S1 and a second internal space S2.

상기 기판지지부(220) 및 상기 열교환부(270)는, 상기 제1내부공간(S1) 및 상기 제2내부공간(S2)에 각각 구비될 수 있다.The substrate support part 220 and the heat exchange part 270 may be provided in the first internal space (S1) and the second internal space (S2), respectively.

상기 챔버본체(212)는, 상기 제1내부공간(S1) 및 상기 제2내부공간(S2)에 각각 대응되는 두 쌍의 게이트(T)들을 포함할 수 있다.The chamber body 212 may include two pairs of gates (T) corresponding to the first internal space (S1) and the second internal space (S2), respectively.

상기 챔버연장부(216)에는 상기 밸브플레이트(252)가 관통설치되는 관통구(217)가 형성될 수 있다.A through hole 217 through which the valve plate 252 is installed may be formed in the chamber extension portion 216.

상기 게이트밸브부(250)는, 상기 밸브플레이트(252)에 결합되는 밸브로드(254)와, 상기 밸브로드(254)에 결합되는 밸브구동부(256)와, 상기 밸브플레이트(252)를 수용하며 상기 관통구(217)를 복개하는 커버부(258)를 포함할 수 있다.The gate valve unit 250 accommodates a valve rod 254 coupled to the valve plate 252, a valve driver 256 coupled to the valve rod 254, and the valve plate 252. It may include a cover portion 258 that covers the through hole 217.

상기 가스주입부(230)는, 내부에 가스유로(F)를 구비하는 밸브블럭(232)과, 상기 가스유로(F)를 개폐하기 위하여 상기 밸브블럭(232)에 설치되는 적어도 하나 이상의 가스밸브(234)와, 상기 가스유로(F)와 연통되어 불활성가스를 공급받아 상기 내부공간(S)으로 가스를 분사하는 디퓨저(236)를 포함할 수 있다.The gas injection unit 230 includes a valve block 232 having a gas flow path (F) therein, and at least one gas valve installed on the valve block 232 to open and close the gas flow path (F). It may include (234) and a diffuser 236 that communicates with the gas flow path (F), receives inert gas, and sprays the gas into the internal space (S).

상기 디퓨저(236)는, 상기 챔버본체(212)의 측벽이 관통되어 형성되는 측벽내부공간(IS)에 설치될 수 있다.The diffuser 236 may be installed in the side wall internal space (IS) formed by penetrating the side wall of the chamber body 212.

상기 가스주입부(230)는, 상기 밸브블럭(232)과 상기 챔버본체(212)의 측벽 사이에 상기 내부공간(S)을 밀폐하기 위한 커버플레이트(238)를 추가로 포함할 수 있다.The gas injection unit 230 may further include a cover plate 238 for sealing the internal space (S) between the valve block 232 and the side wall of the chamber body 212.

상기 커버플레이트(238)에는, 뷰포트(V)가 설치될 수 있다.A viewport (V) may be installed on the cover plate 238.

다른 측면에서, 본 발명은, 미리 설정된 공정압상태에서 기판(G)에 대한 기판처리를 수행하는 하나 이상의 공정모듈(100)과; 대기압상태의 외부 및 상기 공정모듈(100) 사이에서 기판(G)을 전달하는 로드락모듈(200)과; 상기 공정모듈(100) 및 상기 로드락모듈(200)를 사이에서 기판(G)을 반송하는 반송모듈(300)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템을 개시한다.In another aspect, the present invention includes one or more process modules 100 that perform substrate processing on a substrate G under a preset process pressure; a load lock module (200) that transfers the substrate (G) between the process module (100) and the outside at atmospheric pressure; Disclosed is a substrate processing system comprising a transfer module 300 that transfers a substrate G between the process module 100 and the load lock module 200.

본 발명에 따른 로드락모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템은, 로드락모듈에 게이트밸브를 일체화 함으로써, 챔버본체의 변형이 발생되는 경우에도 챔버본체의 변형 시 다른 구조물과 접촉되지 않아 챔버본체 변형에 따른 파티클 형성을 방지할 수 있는 이점이 있다.The load lock module and the substrate processing system including the same according to the present invention integrate the gate valve into the load lock module, so that even when deformation of the chamber body occurs, it does not come into contact with other structures, preventing deformation of the chamber body. There is an advantage in preventing the formation of particles.

또한, 본 발명에 따른 로드락모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템은, 챔버본체 변형 시 챔버본체와 접촉될 수 있는 구조물을 제거함으로써, 로드락모듈 내부공간의 체적을 감소시킬 수 있고, 그에 따라 펌핑/벤팅 시간을 최소화하고 벤팅을 위한 가스사용량을 감소시킴으로써, 로드락모듈의 생산성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.In addition, the load lock module and the substrate processing system including the same according to the present invention can reduce the volume of the internal space of the load lock module by removing structures that may come into contact with the chamber body when the chamber body is deformed, and thus pumping /There is an advantage in improving the productivity of the load lock module by minimizing venting time and reducing gas usage for venting.

또한, 본 발명에 따른 로드락모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템은, 내부공간의 불필요한 공간을 점유하여 로드락모듈 내부공간의 체적을 감소시키며 로드락모듈 내부공간에서의 가스유동을 개선할 수 있는 가이드블록을 포함함으로써, 로드락모듈의 생산성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.In addition, the load lock module and the substrate processing system including the same according to the present invention occupy unnecessary space in the internal space, reduce the volume of the internal space of the load lock module, and improve gas flow in the internal space of the load lock module. By including a guide block, there is an advantage in improving the productivity of the load lock module.

도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리시스템을 보여주는 평면도이다.
도 2는, 도 1의 기판처리시스템의 로드락모듈의 측면도이다.
도 3은, 도 2의 로드락모듈의 챔버본체를 보여주는 사시도이다.
도 4는, 도 1의 로드락모듈에 설치되는 열교환부를 보여주는 측면도이다.
도 5a 내지 도 5b는, 도 4의 열교환부를 보여주는 저면도이다.
도 6a 내지 도 6b는, 도 3의 챔버본체의 게이트 개페구조 및 동작을 설명하는 단면도이다.
도 7은, 도 1의 로드락모듈에 설치되는 가스주입부를 보여주는 사시도이다.
도 8은, 도 3의 로드락모듈의 챔버본체를 보여주는 측면도이다.
도 9는, 도 1의 로드락모듈에 설치되는 가이드블록의 설치위치를 보여주는 도면이다.
도 10은, 도 9의 가이드블록의 가이드공간을 보여주는 도면이다.
1 is a plan view showing a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a side view of the load lock module of the substrate processing system of FIG. 1.
Figure 3 is a perspective view showing the chamber main body of the load lock module of Figure 2.
Figure 4 is a side view showing the heat exchanger installed in the load lock module of Figure 1.
FIGS. 5A to 5B are bottom views showing the heat exchange unit of FIG. 4.
6A to 6B are cross-sectional views illustrating the gate opening/closing structure and operation of the chamber main body of FIG. 3.
Figure 7 is a perspective view showing a gas injection unit installed in the load lock module of Figure 1.
Figure 8 is a side view showing the chamber main body of the load lock module of Figure 3.
Figure 9 is a diagram showing the installation position of the guide block installed in the load lock module of Figure 1.
Figure 10 is a diagram showing the guide space of the guide block of Figure 9.

이하 본 발명에 따른 로드락모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the load lock module and the substrate processing system including the same according to the present invention will be described with reference to the attached drawings.

본 발명에 따른 기판처리시스템은, 도 1 내지 도 10에 도시된 바와 같이, 미리 설정된 공정압상태에서 기판(G)에 대한 기판처리를 수행하는 하나 이상의 공정모듈(100)과, 대기압상태의 외부 및 상기 공정모듈(100) 사이에서 기판(G)을 전달하는 로드락모듈(200)과, 상기 공정모듈(100) 및 상기 로드락모듈(200)를 사이에서 기판(G)을 반송하는 반송모듈(300)을 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 1 to 10, the substrate processing system according to the present invention includes one or more process modules 100 that perform substrate processing on the substrate G at a preset process pressure, and an external process module 100 at atmospheric pressure. and a load lock module 200 that transfers the substrate (G) between the process modules 100, and a transfer module that transfers the substrate (G) between the process module 100 and the load lock module 200. It may include (300).

상기 기판처리시스템은, 도 1에 도시된 바와 같이, 적어도 하나 이상의 공정을 수행하는 복수개의 개별챔버(101,102)로 된 공정모듈(100)와, 복수의 개별 챔버(101,102)로 이루어진 공정모듈(100)을 공통으로 연결하는 반송모듈(300)을 포함하여 클러스터(cluster) 타입으로 구성 수 있으나, 이는 하나의 실시예일뿐 이에 한정되는 것은 아니다.As shown in FIG. 1, the substrate processing system includes a process module 100 consisting of a plurality of individual chambers 101 and 102 that perform at least one process, and a process module 100 consisting of a plurality of individual chambers 101 and 102. ) may be configured as a cluster type including a transport module 300 that is commonly connected, but this is only one embodiment and is not limited to this.

상기 반송모듈(300)와 각 개별챔버(101,102) 사이에는 제어부(미도시)의 제어에 의해 개폐 동작되는 게이트밸브가 설치될 수 있다.A gate valve that is opened and closed under the control of a control unit (not shown) may be installed between the transfer module 300 and each individual chamber 101 and 102.

또한, 상기 반송모듈(300)에는, 로드락모듈(200)로부터 기판(G)을 인출하여 요구되는 소정 위치로 이송시키도록 하는 기판이송로봇(310)이 구비될 수 있다.In addition, the transfer module 300 may be equipped with a substrate transfer robot 310 that withdraws the substrate G from the load lock module 200 and transfers it to a required predetermined location.

상기 공정모듈(100)은, 플라즈마 반응 또는 화학기상방법을 이용한 식각 공정 또는 증착 공정과 같은 각종 공정이 진행되는 곳으로, 공정이 진행되기 전에 예비 동작으로 진공 펌프(미도시)에 의한 펌핑에 의해 진공 상태를 갖도록 설정한 후, 실제 공정이 수행될 경우 진공압을 조절하기 위한 압력조절밸브를 포함할 수 있다.The process module 100 is a place where various processes such as an etching process or a deposition process using a plasma reaction or chemical vapor method are performed. Before the process proceeds, the process module 100 is pumped by a vacuum pump (not shown) as a preliminary operation. After being set to have a vacuum state, a pressure control valve may be included to control the vacuum pressure when the actual process is performed.

구체적으로, 상기 공정모듈(100)은, 기판처리가 이루어지는 밀폐된 처리공간을 형성하는 챔버본체(미도시)와, 기판(G)을 지지하는 기판지지부(미도시)와, 공정가스를 분사하는 공정가스 분사부(미도시)와, 공정모듈(100)의 온도를 제어하는 가열재킷(미도시)을 포함할 수 있다.Specifically, the process module 100 includes a chamber body (not shown) that forms a closed processing space where substrate processing is performed, a substrate supporter (not shown) that supports the substrate (G), and a device that sprays process gas. It may include a process gas injection unit (not shown) and a heating jacket (not shown) that controls the temperature of the process module 100.

한편, 상기 공정모듈(100)은, 복수의 개별챔버(101, 102)를 포함하여 기판 증착, 기판 식각 등의 기판처리가 이루어지는 기판처리공간을 복수개 구비할 수 있다.Meanwhile, the process module 100 may be provided with a plurality of substrate processing spaces, including a plurality of individual chambers 101 and 102, where substrate processing such as substrate deposition and substrate etching is performed.

상기 복수의 개별챔버(101, 102)는, 나란히 배치되어 반송모듈(300)과 연결되는 복수개의 기판처리공간이 나란히 붙어서 배치될 수 있다.The plurality of individual chambers 101 and 102 may be arranged side by side, and a plurality of substrate processing spaces connected to the transfer module 300 may be arranged side by side.

여기서, 상기 공정모듈(100)은, 복수개의 기판 처리 공간을 구현하기 위하여 복수개의 개별 챔버(101,102)로서 이루어질 수 있지만, 하나의 챔버 내에 각각 독립된 2개의 기판 처리 공간을 가질 수 있으며, 이와 달리, 하나의 공정모듈(100)이 하나의 기판(S)을 처리하도록 구성될 수도 있음은 물론이다.Here, the process module 100 may be composed of a plurality of individual chambers 101 and 102 to implement a plurality of substrate processing spaces, but may have two independent substrate processing spaces within one chamber. In contrast, Of course, one process module 100 may be configured to process one substrate (S).

상기 반송모듈(300)은, 로드락모듈(200)과 공정모듈(100) 사이에 위치하여 공정모듈(100)의 각 기판처리공간으로 기판(G)을 이송하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The transfer module 300 is located between the load lock module 200 and the process module 100 and transports the substrate G to each substrate processing space of the process module 100. Various configurations are possible.

상기 반송모듈(300)은, 기판(G)이 통과되는 복수개의 게이트가 형성되며, 로드락모듈(200)과 공정모듈(100) 사이에서 기판(G)이 이송되는 공간을 형성하는 챔버본체를 포함할 수 있다.The transfer module 300 is a chamber body that has a plurality of gates through which the substrate G passes and forms a space through which the substrate G is transferred between the load lock module 200 and the process module 100. It can be included.

상기 반송모듈(300)은, 기판 처리를 위하여 로드락모듈(200)로부터 이송되는 기판(G)을 공정모듈(100)로 이송하며, 반대로 기판 처리가 완료되어 공정모듈(100)로부터 이송되어 오는 기판(G)을 로드락모듈(200)로 이송할 수 있다.The transfer module 300 transfers the substrate (G) transferred from the load lock module 200 to the process module 100 for substrate processing, and conversely, the substrate G transferred from the process module 100 after substrate processing is completed. The substrate (G) can be transferred to the load lock module (200).

구체적으로, 상기 반송모듈(300)은, 로드락모듈(200)로부터 기판(G)을 인출하여 요구되는 소정 위치로 이송시키고, 공정모듈(100)로부터 기판(G)을 인출하여 로드락모듈(200)로 이송시키는 기판이송로봇(310)이 구비될 수 있다.Specifically, the transfer module 300 pulls out the substrate (G) from the load lock module 200 and transfers it to a required predetermined position, and pulls out the substrate (G) from the process module 100 to load the load lock module ( A substrate transfer robot 310 may be provided to transfer the substrate to 200).

상기 기판이송로봇(310)은, 반송모듈(300)에 마련되며, 복수의 게이트를 통해 각 공정모듈(100)과 반송모듈(300)간에 기판(G)을 이송하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The substrate transfer robot 310 is provided in the transfer module 300, and can be configured in various configurations to transfer the substrate (G) between each process module 100 and the transfer module 300 through a plurality of gates. .

상기 기판이송로봇(310)은, 로드락모듈(30)로부터 이송되는 기판(G)을 게이트를 통하여 각 개별챔버(101,102)로 이송시키며, 게이트를 통해 공정모듈(100)의 각 개별챔버(101,102)로부터 이송되어 오는 기판(G)을 로드락모듈(200)로 이송한다.The substrate transfer robot 310 transfers the substrate G transferred from the load lock module 30 to each individual chamber 101 and 102 through the gate, and each individual chamber 101 and 102 of the process module 100 through the gate. ) The substrate (G) transferred from ) is transferred to the load lock module (200).

상기 반송모듈(300)는, 항상 진공에 가까운 공정압상태를 유지할 수 있다.The transfer module 300 can always maintain a process pressure close to vacuum.

다만, 상기 공정모듈(100)에서 반송모듈(200)로 또는 반송모듈(200)에서 공정모듈(100)로 기판(G) 이송 시에 공정모듈(100) 내부의 파티클이 반송모듈(300)로 인입되는 것을 최소화하기 위하여 반송모듈(300)의 내부 압력은 공정모듈(100)의 압력보다 상대적으로 높은 상태(저진공)로 형성될 수 있다.However, when transferring the substrate (G) from the process module 100 to the transfer module 200 or from the transfer module 200 to the process module 100, particles inside the process module 100 are transferred to the transfer module 300. In order to minimize intrusion, the internal pressure of the transfer module 300 may be set to be relatively higher (low vacuum) than the pressure of the process module 100.

상기 로드락모듈(200)(load lock module)는, 반송모듈(200) 내의 환경 조건에 근접한 환경 조건을 접할 수 있도록 하고, 반송모듈(200) 내의 환경 조건이 외부로부터 영향을 받지 않도록 차단하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The load lock module 200 is configured to allow access to environmental conditions close to those within the transfer module 200 and to block the environmental conditions within the transfer module 200 from being influenced by the outside. Various configurations are possible.

즉, 상기 로드락모듈(200)은, 진공에 가까운 공정압상태에서 대기압상태로, 또는 대기압상태에서 공정압상태로 변화 가능하다.That is, the load lock module 200 can change from a process pressure state close to vacuum to an atmospheric pressure state, or from an atmospheric pressure state to a process pressure state.

또한 상기 로드락모듈(200)은, 대기압 상태의 외부, 예로서, 기판보관용기(미도시)에 연결된 로더부(미도시)로부터 기판(G)을 제공받을 수 있다.Additionally, the load lock module 200 may receive the substrate G from an external loader unit (not shown) connected to a substrate storage container (not shown) under atmospheric pressure.

상기 로드락모듈(200)의 일면은 로더부(400)와 결합되며 다른 일면은 반송모듈(300)와 결합될 수 있다.One side of the load lock module 200 may be coupled to the loader unit 400 and the other side may be coupled to the transfer module 300.

상기 로더부(400)를 통해 기판(G)이 대기 상태에서 기판 보관용기(FOUP)로부터 이송되어 온 후에는 로드락모듈(200)의 내부는 반송모듈(300)와 마찬가지의 진공에 가까운 공정압상태로 변화된다.After the substrate (G) is transferred from the substrate storage container (FOUP) in a standby state through the loader unit 400, the inside of the load lock module 200 is subjected to a process pressure close to vacuum, similar to that of the transfer module 300. changes to the state.

또한 상기 공정모듈(100)에서 처리된 기판(G)이 반송모듈(300)을 거쳐 로드락모듈(200)로 이송되어 오면, 로더부 (400)를 거쳐서 외부의 기판 보관 용기(FOUP)로 기판(G)이 이송되기 위하여 로드락모듈(200) 내부가 대기압상태로 변화된다.In addition, when the substrate (G) processed in the process module 100 is transferred to the load lock module 200 through the transfer module 300, the substrate is transferred to the external substrate storage container (FOUP) through the loader unit 400. In order to transfer (G), the inside of the load lock module 200 changes to atmospheric pressure.

구체적으로, 상기 로드락모듈(200)은, 밀폐된 내부공간(S)을 형성하며 기판출입을 위한 적어도 한 쌍 이상의 게이트(T)를 구비하는 로드락챔버(210)와, 상기 로드락챔버(210)에 설치되어 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)을 지지하는 기판지지부(220)와, 상기 내부공간(S)으로 불활성가스를 주입하기 위한 가스주입부(230)과, 상기 내부공간(S)의 기체를 배기하기 위한 가스배기부(240)와, 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)의 온도조절을 위한 열교환부(270)와, 상기 게이트(T)를 개폐하는 게이트밸브부(250)를 포함할 수 있다.Specifically, the load lock module 200 includes a load lock chamber 210 that forms a sealed internal space (S) and has at least one pair of gates (T) for entering and exiting a substrate, and the load lock chamber ( A substrate support part 220 installed in 210) to support the substrate G introduced into the internal space S, a gas injection part 230 for injecting an inert gas into the internal space S, and A gas exhaust unit 240 for exhausting gas in the internal space (S), a heat exchange unit 270 for controlling the temperature of the substrate (G) introduced into the internal space (S), and the gate (T) It may include a gate valve unit 250 that opens and closes.

상기 로드락모듈(200)은, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 한 쌍으로 구성될 수 있고, 한 쌍의 로드락모듈(200)은 반송모듈(300)의 일 측면에 나란히 배치될 수 있다.The load lock module 200 may be configured as a pair, as shown in FIGS. 1 to 3, and the pair of load lock modules 200 may be arranged side by side on one side of the transfer module 300. You can.

상기 로드락챔버(210)는, 밀폐된 내부공간(S)을 형성하며 기판출입을 위한 적어도 한 쌍 이상의 게이트(T)를 구비하는 하우징으로 다양한 구성이 가능하다.The load lock chamber 210 is a housing that forms a sealed internal space (S) and has at least one pair of gates (T) for entering and exiting a substrate, and can be configured in various ways.

상기 한 쌍 이상의 게이트(T)는, 기판(G)의 기판이송방향(D1, 기판반송방향)을 따라서 형성될 수 있다.The pair or more gates T may be formed along the substrate transfer direction D1 (substrate transfer direction) of the substrate G.

상기 기판이송방향(D1)은 로드락챔버(210)로 출입되는 기판(G)이 이동하는 이동경로에 평행한 방향으로 정의될 수 있다.The substrate transfer direction D1 may be defined as a direction parallel to the movement path along which the substrate G entering and exiting the load lock chamber 210 moves.

상기 한 쌍 이상의 게이트(T)는, 후술하는 게이트밸브부(250)에 의해 개폐되는 개구로서, 로더부(400) 측에 대응되는 제1게이트(T1) 및 반송모듈(300) 측에 대응되는 제2게이트(T2)를 포함할 수 있다.The pair or more gates (T) are openings that are opened and closed by the gate valve unit 250, which will be described later, and include a first gate (T1) corresponding to the loader unit 400 side and a first gate (T1) corresponding to the transfer module 300 side. It may include a second gate (T2).

상기 로드락챔버(210)가 육면체 형상으로 형성되는 경우, 상기 한 쌍 이상의 게이트(T)는 로드락챔버(210)의 대향하는 한 쌍의 측벽에 구비될 수 있다.When the load lock chamber 210 is formed in a hexahedral shape, the one or more pairs of gates T may be provided on a pair of opposing side walls of the load lock chamber 210.

상기 한 쌍의 게이트(T)는, 로드락챔버(210)가 독립된 복수의 기판처리영역으로 이루어지는 경우, 기판처리영역에 대응되어 복수로 형성될 수 있음은 물론이다.Of course, when the load lock chamber 210 is comprised of a plurality of independent substrate processing areas, the pair of gates T may be formed in plurality to correspond to the substrate processing areas.

도 1 내지 도 10에 도시된 로드락챔버(210)는, 상하 간격을 두고 두 쌍의 게이트(T)가 형성된 실시예를 도시한 것이다.The load lock chamber 210 shown in FIGS. 1 to 10 shows an embodiment in which two pairs of gates T are formed with upper and lower spacing.

상기 로드락챔버(210)는, 평면형상이 직사각형(육면체 형상)으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The load lock chamber 210 may have a rectangular (cube-shaped) planar shape, but is not limited thereto.

이때, 상기 로드락챔버(210)는, 복수의 공정모듈(100)에 대응되어 복수의 독립적인 기판처리영역을 형성하거나 또는 하나의 기판처리영역에서 복수의 기판(G)들을 처리하도록 구성될 수 있다.At this time, the load lock chamber 210 may be configured to form a plurality of independent substrate processing areas corresponding to a plurality of process modules 100 or to process a plurality of substrates G in one substrate processing area. there is.

상기 로드락챔버(210)는, 상면이 개방된 챔버본체(212)와 상기 챔버본체(212)의 상면에 결합되어 상기 내부공간(S)을 형성하는 상부리드(214)를 포함할 수 있다.The load lock chamber 210 may include a chamber body 212 with an open upper surface and an upper lid 214 coupled to the upper surface of the chamber body 212 to form the internal space (S).

상기 챔버본체(212)는, 단일부재로 일체로 형성될 수 있다.The chamber body 212 may be integrally formed as a single member.

상기 챔버본체(212)의 저면이 개방된 경우, 상기 로드락챔버(210)는 챔버본체(212)의 저면에 결합되는 하부리드(213)를 추가로 포함할 수 있다.When the bottom of the chamber body 212 is open, the load lock chamber 210 may additionally include a lower lid 213 coupled to the bottom of the chamber body 212.

예로서, 상기 챔버본체(212)는, 내부공간(S)을 상하로 구획하여 제1내부공간(S1)과 제2내부공간(S2)을 형성하는 구획벽(218)을 포함할 수 있다.For example, the chamber body 212 may include a partition wall 218 that divides the internal space S up and down to form a first internal space S1 and a second internal space S2.

상기 제1내부공간(S1)과 제2내부공간(S2)는 서로 독립된 기판처리영역일 수 있다.The first internal space (S1) and the second internal space (S2) may be independent substrate processing areas.

이때, 상기 챔버본체(212)는, 상기 제1내부공간(S1) 및 상기 제2내부공간(S2)에 각각 대응되는 두 쌍의 게이트(T)들을 포함할 수 있다.At this time, the chamber body 212 may include two pairs of gates (T) corresponding to the first internal space (S1) and the second internal space (S2), respectively.

상기 기판지지부(220)는, 상기 로드락챔버(210)에 설치되어 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)을 지지하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The substrate support part 220 is installed in the load lock chamber 210 and supports the substrate G introduced into the internal space S, and can be configured in various ways.

상기 기판지지부(220)는, 로드락챔버(210)가 독립된 복수의 기판처리영역으로 이루어지는 경우, 기판처리영역에 대응되어 복수로 구비될 수 있다.When the load lock chamber 210 is comprised of a plurality of independent substrate processing areas, the substrate support portion 220 may be provided in plural numbers corresponding to the substrate processing areas.

즉, 상기 기판지지부(220)는, 상기 제1내부공간(S1) 및 상기 제2내부공간(S2)에 각각 구비될 수 있다.That is, the substrate support part 220 may be provided in the first internal space (S1) and the second internal space (S2), respectively.

또한, 상기 기판지지부(220)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 하나의 기판처리영역에서 상하로 이격되어 적층된 복수의 기판(G)을 지지하도록 구성될 수도 있다.In addition, the substrate support 220 may be configured to support a plurality of substrates G stacked vertically and spaced apart in one substrate processing area, as shown in FIG. 2 .

이를 위해, 상기 기판지지부(220)는, 상하 간격을 두고 설치되며 기판(G)의 저면을 지지하는 복수의 기판지지부재들(222)과, 상기 복수의 기판지지부재들의 상하이동을 구동하는 상하구동부(224)를 포함할 수 있다.For this purpose, the substrate support unit 220 includes a plurality of substrate support members 222 that are installed at vertical intervals and support the bottom surface of the substrate G, and vertical movement of the plurality of substrate support members is driven. It may include a driving unit 224.

상기 제1내부공간(S1)에 설치되는 기판지지부(220)의 상하구동부(224)는, 상부리드(214) 측에 설치되어 상부리드(214)를 관통하는 로드가 기판지지부재에 결합됨으로써 기판지지부재(222)가 상하이동될 수 있다.The vertical driving part 224 of the substrate support part 220 installed in the first internal space (S1) is installed on the upper lead 214 side and a rod penetrating the upper lead 214 is coupled to the substrate support member to support the substrate. The support member 222 may be moved up and down.

반대로, 제1내부공간(S1) 하부에 위치되는 제2내부공간(S2)에 설치되는 기판지지부(220)의 상하구동부(224)는, 하부리드(213) 측에 설치되어 하부리드(213)를 관통하는 로드가 기판지지부재(222)에 결합됨으로써 기판지지부재가 상하이동될 수 있다.On the contrary, the vertical driving part 224 of the substrate support part 220 installed in the second internal space S2 located below the first internal space S1 is installed on the lower lead 213 side and lower lead 213 The substrate support member 222 may be moved up and down by coupling the rod penetrating to the substrate support member 222.

상기 가스주입부(230)는, 상기 내부공간(S)으로 불활성가스를 주입하기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The gas injection unit 230 is configured to inject an inert gas into the internal space (S) and can have various configurations.

상기 가스주입부(230)는, 내부공간(S)으로 불활성가스를 주입함으로써 챔버본체(212)에 설치되어 내부공간(S)을 공정압상태에서 대기압상태로 변화시킬 수 있으며, 기판(G)을 냉각시키는 냉각기능도 수행할 수 있다.The gas injection unit 230 is installed in the chamber body 212 by injecting an inert gas into the internal space (S) to change the internal space (S) from a process pressure state to an atmospheric pressure state, and the substrate (G) It can also perform a cooling function to cool the body.

상기 불활성가스는, 내부공간(S)을 벤팅/퍼지하기 위한 가스로, 예로서, N2가스일 수 있다.The inert gas is a gas for venting/purging the internal space (S) and may be, for example, N2 gas.

상기 불활성가스는, 로드락챔버(210)의 내부공간의 압력변화/퍼지를 목적으로 하나 이와 함께 공정모듈(100)에서 도입되어 가열된 기판(G)이 그대로 배출되는 경우 발생할 수 있는 부재들의 열손상(thermal damage) 등을 방지하기 위하여 기판(G)을 미리 설정된 온도까지 냉각시키는 목적도 갖는다.The inert gas is used for the purpose of changing/purging the pressure of the internal space of the load lock chamber 210, but also reduces heat in the members that may be generated when the heated substrate (G) introduced from the process module 100 is discharged as is. It also has the purpose of cooling the substrate G to a preset temperature in order to prevent thermal damage.

예로서, 상기 가스주입부(230)는, 내부에 가스유로(F)를 구비하는 밸브블럭(232)과, 상기 가스유로(F)를 개폐하기 위하여 상기 밸브블럭(232)에 설치되는 적어도 하나 이상의 가스밸브(234)와, 상기 가스유로(F)와 연통되어 불활성가스를 공급받아 상기 내부공간(S)으로 가스를 분사하는 디퓨저(236)를 포함할 수 있다.For example, the gas injection unit 230 includes a valve block 232 having a gas flow path (F) therein, and at least one valve block 232 installed on the valve block 232 to open and close the gas flow path (F). It may include the above gas valve 234 and a diffuser 236 that communicates with the gas flow path (F), receives inert gas, and injects the gas into the internal space (S).

상기 밸브블록(232)은, 내부에 가스유로(F)를 구비하는 몸체부로 다양한 구성이 가능하다.The valve block 232 is a body portion having a gas flow path (F) therein and can be configured in various ways.

상기 밸브블록(232)에는 외부의 가스소스(미도시)로부터 불활성가스(벤팅가스)가 공급되기 위한 하나 이상의 가스공급라인(PL)과, 불활성가스(퍼지가스)가 공급되기 위한 하나 이상의 가스공급라인(SL)이 결합될 수 있다.The valve block 232 has one or more gas supply lines (PL) for supplying inert gas (venting gas) from an external gas source (not shown), and one or more gas supply lines for supplying inert gas (purge gas). Lines (SL) may be combined.

예로서, 상기 가스공급라인(PL, SL)은, 제1내부공간(S1)과 연통되는 제1가스공급라인과 제2내부공간(S2)과 연통되는 제2가스공급라인을 포함할 수 있다.For example, the gas supply lines PL and SL may include a first gas supply line communicating with the first internal space S1 and a second gas supply line communicating with the second internal space S2. .

다른 예로서, 상기 가스공급라인(PL, SL)은, 제1내부공간(S1) 및 제2내부공간(S2) 모두에 연통되도록, 단일라인으로 구성될 수 있다.As another example, the gas supply lines PL and SL may be configured as a single line so as to communicate with both the first internal space S1 and the second internal space S2.

상기 가스유로(F)는 밸브블록(232) 내에서 불활성가스가 흐르는 유로로서, 단일경로를 형성하거나 또는 다양한 방식으로 분기되어 형성되는 유로일 수 있다.The gas flow path (F) is a flow path through which inert gas flows within the valve block 232, and may form a single path or may be a flow path that is branched in various ways.

로드락챔버(210)의 내부공간(S)이 제1내부공간(S1) 및 제2내부공간(S2)으로 구획되는 경우, 상기 가스유로(F)는 제1내부공간(S1)으로 가스를 주입하기 위한 가스유로와 제2내부공간(S2)으로 가스를 주입하기 위한 가스유로로 구성될 수 있다.When the internal space (S) of the load lock chamber 210 is divided into a first internal space (S1) and a second internal space (S2), the gas flow path (F) supplies gas to the first internal space (S1). It may be composed of a gas flow path for injecting gas and a gas flow path for injecting gas into the second internal space (S2).

상기 가스밸브(234)는 가스유로(F)를 개폐하기 위하여 상기 밸브블럭(232)에 설치되는 개폐밸브로서, 다양한 구성이 가능하다.The gas valve 234 is an open/close valve installed on the valve block 232 to open and close the gas flow path (F), and can have various configurations.

로드락챔버(210)의 내부공간(S)이 제1내부공간(S1) 및 제2내부공간(S2)으로 구획되는 경우, 상기 가스밸브(234)는 제1내부공간(S1) 및 제2내부공간(S2)으로의 가스주입을 독립적으로 제어하기 위하여, 제1내부공간(S1) 및 제2내부공간(S2)에 대응되어 복수로 구비될 수 있다.When the internal space (S) of the load lock chamber 210 is divided into a first internal space (S1) and a second internal space (S2), the gas valve 234 is divided into the first internal space (S1) and the second internal space (S2). In order to independently control gas injection into the internal space (S2), a plurality of gases may be provided corresponding to the first internal space (S1) and the second internal space (S2).

즉, 제1내부공간(S1)으로 가스를 주입하기 위한 가스유로에 하나 또는 복수의 가스밸브(234)가 설치됨으로써, 제1내부공간(S1)으로의 가스주입이 제어될 수 있다. That is, by installing one or a plurality of gas valves 234 in the gas flow path for injecting gas into the first internal space (S1), gas injection into the first internal space (S1) can be controlled.

마찬가지로, 제2내부공간(S2)으로 가스를 주입하기 위한 가스유로에 하나 또는 복수의 가스밸브(234)가 설치됨으로써, 제1내부공간(S1)으로의 가스주입이 제어될 수 있다.Likewise, gas injection into the first internal space (S1) can be controlled by installing one or a plurality of gas valves 234 in the gas flow path for injecting gas into the second internal space (S2).

상기 디퓨저(236)는, 내부공간(S)으로 가스를 분사하기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하며, 가스유로(F)와 연통되어 불활성가스를 공급받아 상기 내부공간(S)으로 가스를 분사할 수 있다.The diffuser 236 is configured to inject gas into the internal space (S) and can be configured in various ways. It is in communication with the gas flow path (F) and receives inert gas to inject gas into the internal space (S). You can.

상기 디퓨저(236)는, 내부에 가스확산공간이 형성되며, 가스확산공간은 디퓨저(236) 끝단 커넥터(236a)를 통해 밸브블록(232)의 가스유로(F)와 연통될 수 있다.The diffuser 236 has a gas diffusion space formed therein, and the gas diffusion space may be in communication with the gas flow path F of the valve block 232 through the end connector 236a of the diffuser 236.

상기 디퓨저(236)는, 길이를 가지는 바 형상으로, 각형, 원통형 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 디퓨저(236)의 외주면에는 내부 가스확산공간으로부터 가스가 분사되도록 복수의 가스분사공들이 형성될 수 있다.The diffuser 236 has a long bar shape and may be formed in various shapes such as a rectangular shape or a cylindrical shape. Additionally, a plurality of gas injection holes may be formed on the outer peripheral surface of the diffuser 236 to spray gas from the internal gas diffusion space.

이때, 상기 디퓨저(236)는, 챔버본체(212)의 게이트(T)가 형성되지 않는 챔버본체(212)의 측면에 기판이송방향(D1)에 평행하게 설치될 수 있다.At this time, the diffuser 236 may be installed parallel to the substrate transfer direction D1 on the side of the chamber body 212 where the gate T of the chamber body 212 is not formed.

예로서, 상기 챔버본체(212)가 육면체 형상으로 형성되고 한 쌍의 게이트(T)가 챔버본체(212)의 대향하는 한 쌍의 측면에 구비되는 경우, 상기 디퓨저(236)는 게이트(T)가 구비된 측면에 이웃하는 측면에 설치될 수 있다.For example, when the chamber body 212 is formed in a hexahedral shape and a pair of gates (T) are provided on a pair of opposing sides of the chamber body 212, the diffuser 236 is connected to the gate (T). It can be installed on the side adjacent to the side provided.

보다 구체적으로, 상기 디퓨저(236)는, 챔버본체(212)의 측벽이 관통되어 형성되는 측벽내부공간(IS)에 설치될 수 있다.More specifically, the diffuser 236 may be installed in the side wall internal space (IS) formed by penetrating the side wall of the chamber body 212.

이를 위해, 상기 챔버본체(212)의 측벽에는 디퓨저(236)가 설치되기 위한 측벽내부공간(IS)을 형성하는 측벽개구(212a)가 형성될 수 있다.To this end, a side wall opening 212a may be formed on the side wall of the chamber body 212 to form a side wall internal space (IS) for installing the diffuser 236.

상기 측벽개구(212a)는 디퓨저(236)의 설치방향 및 형상에 따라 다양한 형상 및 크기로 형성될 수 있다.The side wall opening 212a may be formed in various shapes and sizes depending on the installation direction and shape of the diffuser 236.

이때, 상기 가스주입부(230)는, 상기 밸브블럭(232)과 상기 챔버본체(212)의 측벽 사이에 상기 내부공간(S)을 밀폐하기 위한 커버플레이트(238)를 추가로 포함할 수 있다.At this time, the gas injection unit 230 may further include a cover plate 238 for sealing the internal space (S) between the valve block 232 and the side wall of the chamber body 212. .

상기 커버플레이트(238)는, 챔버본체(212)의 측벽에 형성된 측벽개구(212a)를 밀폐하기 위한 밀폐판일 수 있다.The cover plate 238 may be a sealing plate for sealing the side wall opening 212a formed in the side wall of the chamber body 212.

상기 커버플레이트(238)에 밸브블럭(232)이 고정설치될 수 있다.The valve block 232 may be fixedly installed on the cover plate 238.

또한, 상기 커버플레이트(238)에는 로드락챔버(210) 내부공간(S)을 모니터링하기 위한 뷰포트(V)가 설치될 수 있다.Additionally, a viewport (V) for monitoring the internal space (S) of the load lock chamber 210 may be installed on the cover plate 238.

상기 뷰포트(V) 및 측벽개구(212a)를 통해 로드락챔버(210) 외측에서 내부공간(S) 확인이 가능해질 수 있다.It may be possible to check the internal space (S) from the outside of the load lock chamber (210) through the viewport (V) and the side wall opening (212a).

상기 디퓨저(236)은 챔버본체(212)의 측벽이 관통되어 형성되는 측벽내부공간(IS)에 위치됨으로써, 내부공간(S)에 설치되는 다른 구조물들에 대한 간섭없이 편리한 설치와 유지보수가 가능하고, 디퓨저(236)로부터 분사된 불활성가스가 디퓨저(236)를 둘러싸는 챔버본체(212) 측벽 및 후방 커버플레이트(238)에 의해 기판(G)을 향하는 방향으로 보다 효과적으로 확산(가스유동개선)될 수 있으므로 불활성가스를 이용한 기판냉각효과(냉각속도, 냉각시간, 온도균일도)를 보다 향상시킬 수 있는 이점이 있다.The diffuser 236 is located in the side wall internal space (IS) formed by penetrating the side wall of the chamber body 212, allowing convenient installation and maintenance without interference with other structures installed in the internal space (S). In addition, the inert gas sprayed from the diffuser 236 is more effectively spread in the direction toward the substrate G by the side wall and rear cover plate 238 of the chamber body 212 surrounding the diffuser 236 (improved gas flow). Therefore, there is an advantage in that the substrate cooling effect (cooling speed, cooling time, temperature uniformity) using inert gas can be further improved.

상기 가스배기부(240)는, 내부공간(S)의 기체를 배기하기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하며, 내부공간(S)을 대기압상태에서 공정압상태로 변화시키기 위하여 내부공간에 가스를 배기할 수 있다.The gas exhaust unit 240 is configured to exhaust gas from the internal space (S) and can be configured in various ways, and exhausts gas into the internal space to change the internal space (S) from atmospheric pressure to process pressure. can do.

상기 가스배기부(240)는, 로드락챔버(210)에 결합되는 가스배기라인(242)과, 상기 가스배기라인(242)에 연결되는 진공펌프(244)를 포함할 수 있다.The gas exhaust unit 240 may include a gas exhaust line 242 coupled to the load lock chamber 210 and a vacuum pump 244 connected to the gas exhaust line 242.

도 2에 도시된 바와 같이, 기판처리시스템이 한 쌍의 로드락모듈(200)을 포함하는 경우, 상기 가스배기부(240)는 한 쌍의 로드락모듈(200)을 하나의 진공펌프(244)를 이용해 배기하기 위한 공통배기라인을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 2, when the substrate processing system includes a pair of load lock modules 200, the gas exhaust unit 240 connects the pair of load lock modules 200 to one vacuum pump 244. ) may include a common exhaust line for exhaust.

상기 열교환부(270)는, 내부공간(S)에 도입된 기판(G)의 온도조절(냉각 또는 히팅)을 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The heat exchange unit 270 is configured to control the temperature (cooling or heating) of the substrate (G) introduced into the internal space (S) and can have various configurations.

상기 로드락챔버(210)의 내부공간(S)이 제1내부공간(S1)과 제2내부공간(S2)으로 구획된 경우, 상기 열교환부(270)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제1내부공간(S1) 및 상기 제2내부공간(S2)에 각각 구비될 수 있다.When the internal space (S) of the load lock chamber 210 is divided into a first internal space (S1) and a second internal space (S2), the heat exchange unit 270, as shown in FIG. 4, It may be provided in the first internal space (S1) and the second internal space (S2), respectively.

예로서, 상기 열교환부(270)는, 도 5a 내지 도 5b를 참조하면, 기판(G)과 대응되는 평면 형상으로 형성되는 열교환플레이트(272)와, 열교환플레이트(272) 내부에 매립되며 외부로부터 공급된 열매체가 흐르는 열매체유로(274)와, 상기 열매체유로(274)로의 열매체공급/배출을 위한 열매체포트(276)를 포함할 수 있다.For example, referring to FIGS. 5A to 5B, the heat exchange unit 270 includes a heat exchange plate 272 formed in a planar shape corresponding to the substrate G, embedded within the heat exchange plate 272, and connected from the outside. It may include a heat medium passage 274 through which the supplied heat medium flows, and a heat medium port 276 for supplying/discharging heat medium to the heat medium passage 274.

상기 열교환플레이트(272)는, 기판(G)과 대응되는 평면형상으로 형성될 수 있으며, 예로서 원판형상으로 형성되는 열전도플레이트일 수 있다.The heat exchange plate 272 may be formed in a planar shape corresponding to the substrate G, and may be, for example, a heat conductive plate formed in a disk shape.

상기 열교환플레이트(272)에는 기판(G)이 안착되기 위한 안착면이 구비될 수 있다.The heat exchange plate 272 may be provided with a seating surface on which the substrate G is seated.

상기 열교환플레이트(272) 내부공간(S)에 고정설치되며, 기판지지부(220)의 상하운동에 의해 기판지지부(220)에 지지된 기판(G)과 열교환플레이트(272) 사이의 거리가 가변될 수 있다.It is fixedly installed in the internal space (S) of the heat exchange plate 272, and the distance between the heat exchange plate 272 and the substrate (G) supported on the substrate support 220 is variable by the up and down movement of the substrate support 220. You can.

상기 열매체유로(274)는 열교환플레이트(272) 내부에 형성되는 유로로서, 열매체유로(274)를 따라 열매체가 흐르며 기판(G)을 냉각 또는 히팅시킬 수 있다.The heat medium flow path 274 is a flow path formed inside the heat exchange plate 272, and the heat medium flows along the heat medium flow path 274 to cool or heat the substrate G.

상기 열매체포트(276)는 열매체유로(274)로 열매체를 공급하기 위한 인렛포트(276a)와 열매체유로(274)를 따라 흘러나오는 열매체를 배출하기 위한 아웃렛포트(276b)를 포함할 수 있다.The heat medium port 276 may include an inlet port 276a for supplying heat medium to the heat medium flow path 274 and an outlet port 276b for discharging heat medium flowing out along the heat medium flow path 274.

상기 인렛포트(276a) 및 아웃렛포트(276b)는, 열교환플레이트(272) 외곽부 영역에 서로 이웃하게 나란히 배치될 수 있다.The inlet port 276a and the outlet port 276b may be arranged adjacent to each other in the outer area of the heat exchange plate 272.

한편, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 열교환부(270)가 상기 제1내부공간(S1) 및 상기 제2내부공간(S2)에 각각 구비되는 경우, 제1내부공간(S1)에 설치되는 열교환부(270)와 제2내부공간(S2)에 설치되는 열교환부(270)의 열매체포트(276)는 서로 평면 상 간섭되지 않는 영역에 설치될 수 있다. Meanwhile, as shown in FIG. 4, when the heat exchanger 270 is provided in each of the first internal space (S1) and the second internal space (S2), the heat exchanger 270 is installed in the first internal space (S1) The heat exchange unit 270 and the heat medium port 276 of the heat exchange unit 270 installed in the second internal space (S2) may be installed in an area where they do not interfere with each other on a plane.

예로서, 도 5a에 도시된 열교환부(270)는 제1내부공간(S1)에 설치되는 열교환부(270)이고, 도 5b에 도시된 열교환부(270)는 제1내부공간(S1)의 하측에 위치되는 제2내부공간(S2)에 설치되는 열교환부(270)일 수 있다.As an example, the heat exchange unit 270 shown in FIG. 5A is a heat exchange unit 270 installed in the first internal space (S1), and the heat exchange unit 270 shown in FIG. 5B is a heat exchange unit 270 installed in the first internal space (S1). It may be a heat exchange unit 270 installed in the second internal space S2 located on the lower side.

도 5a에 도시된 바와 같이, 제1내부공간(S1)에 설치되는 열교환부(270)는 열매체포트(276)가 제2내부공간(S2)에 설치되는 열교환부(270)의 열매체포트(276)와 간섭되지 않기 위하여, 열매체유로(274)가 외곽으로 더 연장된 연장유로(275)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 5A, the heat exchanger 270 installed in the first internal space (S1) has a heat medium port 276 installed in the second internal space (S2). ), the heat medium passage 274 may include an extension passage 275 extending further to the outside.

한편, 상기 챔버본체(212)는 게이트(T)로부터 기판이송방향(D1)을 따라 외측으로 연장 형성되는 챔버연장부(216)를 구비할 수 있다.Meanwhile, the chamber body 212 may be provided with a chamber extension portion 216 extending outward from the gate T along the substrate transfer direction D1.

상기 챔버본체(212)는 일체로 형성되는 단일부재이므로, 챔버연장부(216) 또한 챔버본체(212)와 일체로 형성되는 영역으로 이해되어야 한다.Since the chamber body 212 is a single member formed integrally, the chamber extension 216 should also be understood as a region formed integrally with the chamber body 212.

상기 챔버연장부(216)는, 게이트(T)로부터 기판이송방향(D1)을 따라 외측으로 연장 형성됨으로써, 후술하는 게이트밸브부(250)와 함께 게이트(T) 개폐를 위한 게이트모듈을 구성할 수 있다.The chamber extension portion 216 extends outward from the gate T along the substrate transfer direction D1, thereby forming a gate module for opening and closing the gate T along with the gate valve portion 250, which will be described later. You can.

상기 챔버연장부(216)는 기판이송방향(D1)을 따라 연장되며 기판(G)이 이동하는 통로를 형성할 수 있다.The chamber extension 216 extends along the substrate transfer direction D1 and may form a passage through which the substrate G moves.

상기 게이트밸브부(250)는, 게이트(T)를 개폐하는 밸브로서, 로드락모듈(200)의 구성일부이며, 로드락챔버(210)와 일체로 형성될 수 있다.The gate valve unit 250 is a valve that opens and closes the gate T, is a component of the load lock module 200, and may be formed integrally with the load lock chamber 210.

구체적으로, 상기 게이트밸브부(250)는, 상기 기판이송방향(D1)에 수직한 방향(D2)을 따라 상기 챔버연장부(216)를 관통하며, 상기 게이트(T)의 가장자리 둘레를 형성하는 밸브시트(219)에 밀착되거나 이격되도록 이동가능하게 설치되는 밸브플레이트(252)를 포함할 수 있다.Specifically, the gate valve unit 250 penetrates the chamber extension part 216 along a direction (D2) perpendicular to the substrate transfer direction (D1) and forms a perimeter of the edge of the gate (T). It may include a valve plate 252 that is movably installed to be in close contact with or spaced apart from the valve seat 219.

상기 밸브플레이트(252)는 기판이송방향(D1)에 수직한 방향(D2)을 따라 상기 챔버연장부(216)를 관통하는 밸브판으로서 다양한 구성이 가능하다.The valve plate 252 is a valve plate that penetrates the chamber extension 216 along a direction D2 perpendicular to the substrate transfer direction D1 and can be configured in various ways.

이를 위해, 상기 챔버연장부(216)에는 상기 밸브플레이트(252)가 관통설치되는 관통구(217)가 형성될 수 있다.For this purpose, a through hole 217 through which the valve plate 252 is installed may be formed in the chamber extension 216.

상기 챔버본체(212)에 상하 두 쌍의 게이트(T)가 구비되는 경우, 상기 게이트밸브부(250) 또한 게이트(T) 마다 대응되어 설치될 수 있으며, 상기 관통구(217) 또한 도 6a 내지 도 6b에 도시된 바와 같이, 챔버연장부(216)의 상면 및 저면에 각각 형성될 수 있다.When the chamber body 212 is provided with two pairs of upper and lower gates (T), the gate valve unit 250 may also be installed corresponding to each gate (T), and the through hole 217 may also be shown in FIGS. 6A to 6A. As shown in FIG. 6B, it may be formed on the upper and lower surfaces of the chamber extension portion 216, respectively.

상기 챔버연장부(216)의 관통구(217)를 관통하여 설치된 밸브플레이트(252)가 밀착되는 밸브시트(219)는 게이트(T)의 가장자리 둘레이므로, 본 발명에서 밸브시트(219)는 챔버본체(212)에 구비될 수 있다.Since the valve seat 219 to which the valve plate 252 installed through the through hole 217 of the chamber extension 216 is in close contact is around the edge of the gate (T), in the present invention, the valve seat 219 is located in the chamber. It may be provided in the main body 212.

즉, 본 발명에서 밸브플레이트(252)는 별도의 밸브하우징이나 커넥터부재가 아니라 로드락챔버(210)의 챔버본체(212)에 직접 밀착되어 게이트(T)를 개폐하도록 구성될 수 있다.That is, in the present invention, the valve plate 252 may be configured to open and close the gate T by directly contacting the chamber body 212 of the load lock chamber 210 rather than a separate valve housing or connector member.

또한, 상기 게이트밸브부(250)는, 상기 밸브플레이트(252)에 결합되는 밸브로드(254)와, 상기 밸브로드(254)에 결합되는 밸브구동부(256)와, 상기 밸브플레이트(252)를 수용하며 상기 관통구(217)를 복개하는 커버부(258)를 포함할 수 있다.In addition, the gate valve unit 250 includes a valve rod 254 coupled to the valve plate 252, a valve driver 256 coupled to the valve rod 254, and the valve plate 252. It may include a cover portion 258 that accommodates and covers the through hole 217.

상기 밸브구동부(256)는, 커버부(258)을 경계로 챔버본체(210) 외부에 설치되며 구동로드(357)을 통해 밸브플레이트(252)와 결합되어 밸브플레이트(252)로 게이트(T) 개폐를 위한 구동력을 전달할 수 있다.The valve driving part 256 is installed outside the chamber body 210 with the cover part 258 as a boundary and is coupled to the valve plate 252 through the driving rod 357 to drive the gate (T) through the valve plate 252. It can transmit driving force for opening and closing.

상기 커버부(258)은 밸브플레이트(252)의 이동공간을 형성하며 챔버본체(210) 내부공간(S)을 밀폐하는 밀폐플레이트로서 다양한 구성이 가능하다.The cover portion 258 forms a moving space for the valve plate 252 and is a sealing plate that seals the internal space (S) of the chamber body 210 and can be configured in various ways.

본 발명은 밸브플레이트(252)가 밀착되는 밸브시트를 별도의 밸브하우징이나 커넥터부재가 아니라, 로드락모듈(200)의 챔버본체(212)에 형성함으로써, 별도의 밸브하우징이나 커넥터부재로 인한 문제점(밸브하우징(커넥터부재)와 챔버본체 사이의 마찰, 파티클, 변형, 챔버본체 내부체적 증가)을 개선할 수 있는 이점이 있다.In the present invention, the valve seat to which the valve plate 252 is in close contact is formed in the chamber body 212 of the load lock module 200, rather than in a separate valve housing or connector member, thereby eliminating problems caused by a separate valve housing or connector member. There is an advantage in improving (friction between the valve housing (connector member) and the chamber body, particles, deformation, and increase in chamber body internal volume).

한편, 상기 로드락모듈(200)은, 상기 내부공간(S)을 점유하며 상기 디퓨저(236)에서 분사된 가스가 상기 기판지지부(220)에 안착된 기판(G)을 향하도록 가이드하는 가이드공간(GS)을 형성하는 가이드블록(260)을 추가로 포함할 수 있다.Meanwhile, the load lock module 200 occupies the internal space (S) and is a guide space that guides the gas sprayed from the diffuser 236 toward the substrate (G) seated on the substrate support portion 220. It may additionally include a guide block 260 forming (GS).

상기 가이드블록(260)은, 기판출입을 위하여 평면 상 기판(G)이 이동되는 이동영역과 간섭되지 않는 위치에 설치될 수 있다.The guide block 260 may be installed in a position that does not interfere with the movement area where the substrate G is moved on the plane for substrate entry and exit.

또한, 상기 가이드블록(260)은, 기판지지부(220)의 상하이동 및 그를 위한 구조물과 간섭되지 않는 위치에 설치될 수 있다.Additionally, the guide block 260 may be installed at a location that does not interfere with the vertical movement of the substrate support unit 220 and the structure therefor.

예로서, 상기 가이드블록(260)은, 도 9에 도시된 바와 같이, 디퓨저(236)가 설치되는 챔버본체(212)의 측벽을 따라 길이를 가지는 블록부재일 수 있다.For example, the guide block 260 may be a block member having a length along the side wall of the chamber body 212 where the diffuser 236 is installed, as shown in FIG. 9.

상기 가이드블록(260)은 로드락챔버(210)의 내부공간(S)을 점유함으로써, 내부공간(S)의 체적을 감소시킬 수 있고, 결과적으로 로드락챔버(210)에서의 기판처리에 소요되는 펌핑/벤팅 시간, 필요한 불활성기체의 양을 감소시켜 생산성을 향상시킬 수 있다.The guide block 260 occupies the internal space S of the load lock chamber 210, thereby reducing the volume of the internal space S, and as a result, the amount of time required for substrate processing in the load lock chamber 210. Productivity can be improved by reducing the pumping/venting time and the amount of inert gas required.

이때, 상기 가이드블록(260)은 기판지지부(220)와 디퓨저(236) 사이에 설치되고, 열교환플레이트(272) 상면에 고정결합될 수 있다.At this time, the guide block 260 may be installed between the substrate support portion 220 and the diffuser 236 and fixedly coupled to the upper surface of the heat exchange plate 272.

상기 가이드블록(260)은, 디퓨저(236)에서 분사된 가스가 상기 기판지지부(220)에 안착된 기판(G)을 향하도록 가이드하는 가이드공간(GS)을 형성함으로써, 내부공간(S)에서 기판(G)을 향하는 가스유동도 개선할 수 있다.The guide block 260 forms a guide space GS that guides the gas injected from the diffuser 236 toward the substrate G seated on the substrate support 220, thereby forming a guide space GS in the internal space S. Gas flow toward the substrate (G) can also be improved.

상기 가이드공간(GS)은, 기판지지부(220)와 디퓨저(236) 사이에 가스이동경로가 형성될 수 있다면 다양한 방식으로 형성될 수 있다.The guide space GS can be formed in various ways as long as a gas movement path can be formed between the substrate support 220 and the diffuser 236.

예로서, 상기 가이드공간(GS)는, 도 10/에 도시된 바와 같이, 가이드블록(260)이 열교환플레이트(272)에 결합되는 결합부(262)를 제외한 가이드블록(260)의 하부 일부영역을 제거하여 함몰시킴으로써 형성될 수 있으나, 이는 가능한 실시예를 도시한 것일 뿐, 본 발명이 이에 한정되는 것이 아님은 명백하다.For example, the guide space GS is a partial area of the lower portion of the guide block 260 excluding the coupling portion 262 where the guide block 260 is coupled to the heat exchange plate 272, as shown in FIG. 10/. It can be formed by removing and collapsing, but it is clear that this is only an illustration of a possible embodiment and the present invention is not limited thereto.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다. Since the above is only a description of some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, as is well known, the scope of the present invention should not be construed as limited to the above embodiments, and the scope of the present invention described above Both the technical idea and the technical idea underlying it will be said to be included in the scope of the present invention.

100: 공정모듈
200: 로드락모듈
300: 반송모듈
100: Process module
200: Load lock module
300: Return module

Claims (10)

대기압상태의 외부 및 기판처리가 이루어지는 공정모듈(100) 사이에서 기판을 전달하는 로드락모듈(200)로서,
밀폐된 내부공간(S)을 형성하며 기판출입을 위한 적어도 한 쌍 이상의 게이트(T)를 구비하는 로드락챔버(210)와; 상기 로드락챔버(210)에 설치되어 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)을 지지하는 기판지지부(220)와; 상기 내부공간(S)으로 불활성가스를 주입하기 위한 가스주입부(230)과; 상기 내부공간(S)의 기체를 배기하기 위한 가스배기부(240)와; 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)의 온도조절을 위한 열교환부(270)와; 상기 게이트(T)를 개폐하는 게이트밸브부(250)를 포함하며,
상기 로드락챔버(210)는, 상면이 개방된 챔버본체(212)와 상기 챔버본체(212)의 상면에 결합되어 상기 내부공간(S)을 형성하는 상부리드(214)를 포함하며,
상기 챔버본체(212)는 상기 게이트(T)로부터 기판이송방향(D1)을 따라 외측으로 연장 형성되는 챔버연장부(216)를 구비하며,
상기 게이트밸브부(250)는, 상기 기판이송방향에 수직한 방향(D2)을 따라 상기 챔버연장부(216)를 관통하며, 상기 게이트(T)의 가장자리 둘레를 형성하는 밸브시트(219)에 밀착되거나 이격되도록 이동가능하게 설치되는 밸브플레이트(252)를 포함하며,
상기 가스주입부(230)는, 내부에 가스유로(F)를 구비하는 밸브블럭(232)과, 상기 가스유로(F)를 개폐하기 위하여 상기 밸브블럭(232)에 설치되는 적어도 하나 이상의 가스밸브(234)와, 상기 가스유로(F)와 연통되어 불활성가스를 공급받아 상기 내부공간(S)으로 가스를 분사하는 디퓨저(236)를 포함하며,
상기 디퓨저(236)는, 상기 챔버본체(212)의 측벽이 관통되어 형성되는 측벽내부공간(IS)에 설치되는 것을 특징으로 하는 로드락모듈(200).
A load lock module (200) that transfers substrates between the outside at atmospheric pressure and the process module (100) where substrate processing is performed,
A load lock chamber (210) forming a sealed internal space (S) and having at least one pair of gates (T) for entering and exiting a substrate; a substrate support portion 220 installed in the load lock chamber 210 to support the substrate (G) introduced into the internal space (S); A gas injection unit 230 for injecting an inert gas into the internal space (S); a gas exhaust unit 240 for exhausting gas from the internal space (S); a heat exchange unit 270 for controlling the temperature of the substrate (G) introduced into the internal space (S); It includes a gate valve unit 250 that opens and closes the gate (T),
The load lock chamber 210 includes a chamber body 212 with an open upper surface and an upper lid 214 coupled to the upper surface of the chamber body 212 to form the internal space S,
The chamber body 212 is provided with a chamber extension portion 216 extending outward from the gate T along the substrate transfer direction D1,
The gate valve part 250 penetrates the chamber extension part 216 along the direction D2 perpendicular to the substrate transfer direction and is attached to the valve seat 219 forming the edge of the gate T. It includes a valve plate 252 that is movably installed to be in close contact or spaced apart,
The gas injection unit 230 includes a valve block 232 having a gas flow path (F) therein, and at least one gas valve installed on the valve block 232 to open and close the gas flow path (F). (234) and a diffuser (236) that communicates with the gas flow path (F), receives an inert gas, and sprays the gas into the internal space (S),
The diffuser 236 is a load lock module 200, characterized in that installed in the side wall internal space (IS) formed by penetrating the side wall of the chamber body 212.
청구항 1에 있어서,
상기 챔버본체(212)는, 상기 내부공간(S)을 상하로 구획하여 제1내부공간(S1)과 제2내부공간(S2)을 형성하는 구획벽(218)을 포함하며,
상기 기판지지부(220) 및 상기 열교환부(270)는, 상기 제1내부공간(S1) 및 상기 제2내부공간(S2)에 각각 구비되는 것을 특징으로 하는 로드락모듈(200).
In claim 1,
The chamber body 212 includes a partition wall 218 that divides the internal space S up and down to form a first internal space S1 and a second internal space S2,
The load lock module 200 is characterized in that the substrate support part 220 and the heat exchange part 270 are respectively provided in the first internal space (S1) and the second internal space (S2).
청구항 2에 있어서,
상기 챔버본체(212)는, 상기 제1내부공간(S1) 및 상기 제2내부공간(S2)에 각각 대응되는 두 쌍의 게이트(T)들을 포함하는 것을 특징으로 하는 로드락모듈(200).
In claim 2,
The chamber body 212 is a load lock module 200 characterized in that it includes two pairs of gates (T) corresponding to the first internal space (S1) and the second internal space (S2), respectively.
청구항 1에 있어서,
상기 챔버연장부(216)에는 상기 밸브플레이트(252)가 관통설치되는 관통구(217)가 형성되는 것을 특징으로 하는 로드락모듈(200).
In claim 1,
The load lock module 200 is characterized in that a through hole 217 through which the valve plate 252 is installed is formed in the chamber extension part 216.
청구항 4에 있어서,
상기 게이트밸브부(250)는, 상기 밸브플레이트(252)에 결합되는 밸브로드(254)와, 상기 밸브로드(254)에 결합되는 밸브구동부(256)와, 상기 밸브플레이트(252)를 수용하며 상기 관통구(217)를 복개하는 커버부(258)를 포함하는 것을 특징으로 하는 로드락모듈(200).
In claim 4,
The gate valve unit 250 accommodates a valve rod 254 coupled to the valve plate 252, a valve driver 256 coupled to the valve rod 254, and the valve plate 252. A load lock module (200) comprising a cover portion (258) covering the through hole (217).
삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 가스주입부(230)는, 상기 밸브블럭(232)과 상기 챔버본체(212)의 측벽 사이에 상기 내부공간(S)을 밀폐하기 위한 커버플레이트(238)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 로드락모듈(200).
In claim 1,
The gas injection unit 230 further includes a cover plate 238 for sealing the internal space (S) between the valve block 232 and the side wall of the chamber body 212. Load lock module (200).
청구항 8에 있어서,
상기 커버플레이트(238)에는, 뷰포트(V)가 설치되는 것을 특징으로 하는 로드락모듈(200).
In claim 8,
A load lock module (200), characterized in that a viewport (V) is installed on the cover plate (238).
미리 설정된 공정압상태에서 기판(G)에 대한 기판처리를 수행하는 하나 이상의 공정모듈(100)과; 대기압상태의 외부 및 상기 공정모듈(100) 사이에서 기판(G)을 전달하는 청구항 1 내지 청구항 5 및 청구항 8 내지 청구항 9 중 어느 하나의 항에 따른 로드락모듈(200)과; 상기 공정모듈(100) 및 상기 로드락모듈(200)를 사이에서 기판(G)을 반송하는 반송모듈(300)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.One or more process modules (100) that perform substrate processing on the substrate (G) under a preset process pressure state; A load lock module (200) according to any one of claims 1 to 5 and 8 to 9, which transfers the substrate (G) between the outside and the process module (100) under atmospheric pressure; A substrate processing system comprising a transfer module (300) that transfers the substrate (G) between the process module (100) and the load lock module (200).
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