KR102625679B1 - Loadlock module and substrate processing system having the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 로드락모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템에 관한 것이다.
본 발명은, 대기압상태의 외부 및 기판처리가 이루어지는 공정모듈(100) 사이에서 기판을 전달하는 로드락모듈(200)로서, 밀폐된 내부공간(S)을 형성하며 기판출입을 위한 적어도 한 쌍 이상의 게이트(T)를 구비하는 로드락챔버(210)와; 상기 로드락챔버(210)에 설치되어 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)을 지지하는 기판지지부(220)와; 상기 내부공간(S)으로 불활성가스를 주입하기 위한 가스주입부(230)과; 상기 내부공간(S)의 기체를 배기하기 위한 가스배기부(240)와; 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)의 온도조절을 위한 열교환부(270)와; 상기 게이트(T)를 개폐하는 게이트밸브부(250)를 포함하는 로드락모듈(200)을 개시한다.The present invention relates to a load lock module and a substrate processing system including the same.
The present invention is a load lock module 200 that transfers substrates between the outside at atmospheric pressure and the process module 100 where substrate processing is performed, forming a sealed internal space (S) and providing at least one pair of substrates for entry and exit. A load lock chamber 210 having a gate (T); a substrate support portion 220 installed in the load lock chamber 210 to support the substrate (G) introduced into the internal space (S); A gas injection unit 230 for injecting an inert gas into the internal space (S); a gas exhaust unit 240 for exhausting gas from the internal space (S); a heat exchange unit 270 for controlling the temperature of the substrate (G) introduced into the internal space (S); Disclosed is a load lock module 200 including a gate valve unit 250 that opens and closes the gate (T).
Description
본 발명은 로드락모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템에 관한 것이다. The present invention relates to a load lock module and a substrate processing system including the same.
반도체 제조공정 등을 수행하는 반도체 기판처리장치는 일반적으로, 기판처리공정을 수행하는 복수 개의 프로세스 챔버(Process Chamber)와, 해당 프로세스 챔버로 기판이 진입되기 전에 기판이 프로세스 챔버로 진입할 수 있도록 환경을 조성하는 로드락챔버(Load lock Chamber)와, 프로세스 챔버와 로드락챔버를 연결하며 로드락챔버 내의 기판을 해당 프로세스 챔버로 이송하거나 해당 프로세스 챔버 내의 기판을 로드락챔버로 이송하는 로봇 아암이 설치되는 트랜스퍼 챔버(Transfer Chamber)를 포함한다.A semiconductor substrate processing device that performs a semiconductor manufacturing process generally includes a plurality of process chambers that perform a substrate processing process and an environment that allows the substrate to enter the process chamber before the substrate enters the process chamber. A load lock chamber is installed to create a load lock chamber, and a robot arm is installed to connect the process chamber and the load lock chamber and transfer the substrates in the load lock chamber to the corresponding process chamber or the substrates in the process chamber to the load lock chamber. Includes a transfer chamber.
프로세스 챔버는, 일반적으로 고온 및 진공에 가까운 공정압 상태에서 기판처리공정을 진행한다. 이 때 대기압 상태에 있는 기판을 고온 및 공정압 상태인 프로세스 챔버로 진입시키는 과정이 어려움이 있기 때문에, 기판을 해당 프로세스 챔버로 이송하기 전에 프로세스 챔버와 동일한 환경을 조성해 주어야 하는데, 이러한 역할을 담당하는 것이 로드락챔버다. The process chamber generally performs a substrate processing process at high temperature and process pressure close to vacuum. At this time, because it is difficult to enter the substrate at atmospheric pressure into the process chamber at high temperature and process pressure, it is necessary to create the same environment as the process chamber before transferring the substrate to the process chamber. This is the load lock chamber.
즉, 로드락챔버는 외부로부터 기판이 프로세스 챔버로 인입되기 전 또는 프로세스 챔버로부터 기판이 외부로 인출되기 전에 프로세스 챔버의 환경 또는 외부의 환경과 실질적으로 동일한 상태로 기판을 수용하는 챔버를 가리킨다.That is, the load lock chamber refers to a chamber that accommodates a substrate in a state substantially the same as the environment of the process chamber or the external environment before the substrate is introduced into the process chamber from the outside or before the substrate is taken out from the process chamber.
종래의 기판처리장치의 경우, 프로세스 챔버에서의 병목현상(bottle neck)을 제거하여 생산성을 향상시키기 위하여 프로세스 챔버의 갯수를 늘이는 등의 방법을 통하여 노력을 기울이고 있다. In the case of conventional substrate processing equipment, efforts are being made to improve productivity by eliminating bottlenecks in the process chamber by increasing the number of process chambers.
그러한, 어떠한 방법이 되었든 프로세스 챔버에서의 병목현상이 해소된다면, 그 다음은 로드락챔버의 생산성이 시스템 전체의 병목지점이 된다.If the bottleneck in the process chamber is resolved by any means, the productivity of the load lock chamber becomes the bottleneck of the entire system.
한편, 로드락챔버 내에서의 기판 처리라 함은 단시간에 진행되는 트랜스퍼 챔버로부터의 기판 반입 게이트 열림, 기판 반입, 기판 반입 게이트 닫힘, 벤팅 가스 주입, 대기 반송으로의 기판 반출 게이트 열림, 기판 반출, 기판 반출 게이트 닫힘으로 이어지는 일련의 과정을 말한다.On the other hand, substrate processing in the load lock chamber involves opening the substrate loading gate from the transfer chamber, loading the substrate, closing the substrate loading gate, injecting venting gas, opening the substrate loading gate to atmospheric transfer, substrate loading, etc., which is carried out in a short period of time. It refers to a series of processes leading to the closing of the substrate unloading gate.
이를 위해, 로드락챔버의 기판 반입 게이트 및 기판 반출 게이트에는 게이트 개폐를 위한 게이트밸브가 결합될 수 있다.For this purpose, a gate valve for opening and closing the gate may be coupled to the substrate loading gate and substrate loading gate of the load lock chamber.
충분히 냉각되지 못한 기판을 트랜스퍼하는 동안 열손상(Thermal damage)의 영향을 받은 부재들은 가공 형태가 변형되거나 멜팅(melting)되어 본래 기능을 수행하기 어렵게 되거나 기판 상에 흔적을 묻힘으로써 칩을 제조하는데 파티클(오염물)로 작용하여 반도체 제품의 불량을 야기시킬 수 있는 요인이 될 수 있다.During the transfer of a substrate that has not been sufficiently cooled, members affected by thermal damage become deformed or melted, making it difficult to perform their original function, or leaving traces on the substrate to produce chips. It can act as a contaminant and become a factor that can cause defects in semiconductor products.
또한, 종래 로드락챔버는, 게이트밸브의 밸브하우징이 로드락챔버의 일측 외벽에 결합되고 게이브밸브의 밸브플레이트가 밸브하우징에 구비되는 밸브시트에 밀착됨으로써 게이트 개폐가 이루어지도록 구성된다.In addition, the conventional load lock chamber is configured to open and close the gate by coupling the valve housing of the gate valve to one outer wall of the load lock chamber and the valve plate of the gate valve in close contact with the valve seat provided in the valve housing.
한편, 로드락챔버는 공정압 형성을 위한 펌핌과 대기압 형성을 위한 벤팅을 반복하며 압력차에 의해 챔버 외벽이 변형될 수 있고, 이러한 변형은 로드락챔버가 대형화될수록 크게 나타날 수 있다.Meanwhile, the load lock chamber repeats pumping to form process pressure and venting to form atmospheric pressure, and the outer wall of the chamber may be deformed due to the pressure difference, and this deformation may become greater as the load lock chamber becomes larger.
로드락챔버의 외벽이 변형되면 기판 반입 게이트 및 기판 반출 게이트에 결합되는 밸브하우징과 로드락챔버의 외벽 사이에 접촉(metal contact)가 발생되고 이는 로드락챔버 내부에 파티클 이슈를 야기하는 문제점이 있다.When the outer wall of the load lock chamber is deformed, metal contact occurs between the valve housing connected to the substrate loading gate and the substrate unloading gate and the outer wall of the load lock chamber, which causes particle issues inside the load lock chamber. .
본 발명의 목적은, 상기와 같은 문제점을 인식하여, 로드락모듈에 게이트밸브를 일체화 함으로써, 로드락모듈 내부공간에 파티클이 발생되는 것을 방지할 수 있는 로드락모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템을 제공하는데 있다.The purpose of the present invention is to recognize the above problems and provide a load lock module and a substrate processing system including the same, which can prevent particles from being generated in the internal space of the load lock module by integrating a gate valve into the load lock module. It is provided.
또한, 본 발명의 다른 목적은, 로드락모듈 내부공간의 체적을 감소시키고, 로드락모듈 내부공간에서의 가스유동을 개선함으로써 생산성을 향상시킬 수 있는 로드락모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템을 제공하는데 있다.In addition, another object of the present invention is to provide a load lock module and a substrate processing system including the same that can improve productivity by reducing the volume of the load lock module's internal space and improving gas flow in the load lock module's internal space. I'm doing it.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 대기압상태의 외부 및 기판처리가 이루어지는 공정모듈(100) 사이에서 기판을 전달하는 로드락모듈(200)을 개시한다.The present invention was created to achieve the object of the present invention as described above, and discloses a
상기 로드락모듈(200)은, 밀폐된 내부공간(S)을 형성하며 기판출입을 위한 적어도 한 쌍 이상의 게이트(T)를 구비하는 로드락챔버(210)와; 상기 로드락챔버(210)에 설치되어 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)을 지지하는 기판지지부(220)와; 상기 내부공간(S)으로 불활성가스를 주입하기 위한 가스주입부(230)과; 상기 내부공간(S)의 기체를 배기하기 위한 가스배기부(240)와; 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)의 온도조절을 위한 열교환부(270)와; 상기 게이트(T)를 개폐하는 게이트밸브부(250)를 포함할 수 있다.The
상기 로드락챔버(210)는, 상면이 개방된 챔버본체(212)와 상기 챔버본체(212)의 상면에 결합되어 상기 내부공간(S)을 형성하는 상부리드(214)를 포함할 수 있다.The
상기 챔버본체(212)는 상기 게이트(T)로부터 기판이송방향(D1)을 따라 외측으로 연장 형성되는 챔버연장부(216)를 구비할 수 있다.The
상기 게이트밸브부(250)는, 상기 기판이송방향에 수직한 방향(D2)을 따라 상기 챔버연장부(216)를 관통하며, 상기 게이트(T)의 가장자리 둘레를 형성하는 밸브시트(219)에 밀착되거나 이격되도록 이동가능하게 설치되는 밸브플레이트(252)를 포함할 수 있다.The
상기 챔버본체(212)는, 상기 내부공간(S)을 상하로 구획하여 제1내부공간(S1)과 제2내부공간(S2)을 형성하는 구획벽(218)을 포함할 수 있다.The
상기 기판지지부(220) 및 상기 열교환부(270)는, 상기 제1내부공간(S1) 및 상기 제2내부공간(S2)에 각각 구비될 수 있다.The substrate support
상기 챔버본체(212)는, 상기 제1내부공간(S1) 및 상기 제2내부공간(S2)에 각각 대응되는 두 쌍의 게이트(T)들을 포함할 수 있다.The
상기 챔버연장부(216)에는 상기 밸브플레이트(252)가 관통설치되는 관통구(217)가 형성될 수 있다.A through
상기 게이트밸브부(250)는, 상기 밸브플레이트(252)에 결합되는 밸브로드(254)와, 상기 밸브로드(254)에 결합되는 밸브구동부(256)와, 상기 밸브플레이트(252)를 수용하며 상기 관통구(217)를 복개하는 커버부(258)를 포함할 수 있다.The
상기 가스주입부(230)는, 내부에 가스유로(F)를 구비하는 밸브블럭(232)과, 상기 가스유로(F)를 개폐하기 위하여 상기 밸브블럭(232)에 설치되는 적어도 하나 이상의 가스밸브(234)와, 상기 가스유로(F)와 연통되어 불활성가스를 공급받아 상기 내부공간(S)으로 가스를 분사하는 디퓨저(236)를 포함할 수 있다.The
상기 디퓨저(236)는, 상기 챔버본체(212)의 측벽이 관통되어 형성되는 측벽내부공간(IS)에 설치될 수 있다.The
상기 가스주입부(230)는, 상기 밸브블럭(232)과 상기 챔버본체(212)의 측벽 사이에 상기 내부공간(S)을 밀폐하기 위한 커버플레이트(238)를 추가로 포함할 수 있다.The
상기 커버플레이트(238)에는, 뷰포트(V)가 설치될 수 있다.A viewport (V) may be installed on the
다른 측면에서, 본 발명은, 미리 설정된 공정압상태에서 기판(G)에 대한 기판처리를 수행하는 하나 이상의 공정모듈(100)과; 대기압상태의 외부 및 상기 공정모듈(100) 사이에서 기판(G)을 전달하는 로드락모듈(200)과; 상기 공정모듈(100) 및 상기 로드락모듈(200)를 사이에서 기판(G)을 반송하는 반송모듈(300)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템을 개시한다.In another aspect, the present invention includes one or
본 발명에 따른 로드락모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템은, 로드락모듈에 게이트밸브를 일체화 함으로써, 챔버본체의 변형이 발생되는 경우에도 챔버본체의 변형 시 다른 구조물과 접촉되지 않아 챔버본체 변형에 따른 파티클 형성을 방지할 수 있는 이점이 있다.The load lock module and the substrate processing system including the same according to the present invention integrate the gate valve into the load lock module, so that even when deformation of the chamber body occurs, it does not come into contact with other structures, preventing deformation of the chamber body. There is an advantage in preventing the formation of particles.
또한, 본 발명에 따른 로드락모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템은, 챔버본체 변형 시 챔버본체와 접촉될 수 있는 구조물을 제거함으로써, 로드락모듈 내부공간의 체적을 감소시킬 수 있고, 그에 따라 펌핑/벤팅 시간을 최소화하고 벤팅을 위한 가스사용량을 감소시킴으로써, 로드락모듈의 생산성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.In addition, the load lock module and the substrate processing system including the same according to the present invention can reduce the volume of the internal space of the load lock module by removing structures that may come into contact with the chamber body when the chamber body is deformed, and thus pumping /There is an advantage in improving the productivity of the load lock module by minimizing venting time and reducing gas usage for venting.
또한, 본 발명에 따른 로드락모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템은, 내부공간의 불필요한 공간을 점유하여 로드락모듈 내부공간의 체적을 감소시키며 로드락모듈 내부공간에서의 가스유동을 개선할 수 있는 가이드블록을 포함함으로써, 로드락모듈의 생산성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.In addition, the load lock module and the substrate processing system including the same according to the present invention occupy unnecessary space in the internal space, reduce the volume of the internal space of the load lock module, and improve gas flow in the internal space of the load lock module. By including a guide block, there is an advantage in improving the productivity of the load lock module.
도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리시스템을 보여주는 평면도이다.
도 2는, 도 1의 기판처리시스템의 로드락모듈의 측면도이다.
도 3은, 도 2의 로드락모듈의 챔버본체를 보여주는 사시도이다.
도 4는, 도 1의 로드락모듈에 설치되는 열교환부를 보여주는 측면도이다.
도 5a 내지 도 5b는, 도 4의 열교환부를 보여주는 저면도이다.
도 6a 내지 도 6b는, 도 3의 챔버본체의 게이트 개페구조 및 동작을 설명하는 단면도이다.
도 7은, 도 1의 로드락모듈에 설치되는 가스주입부를 보여주는 사시도이다.
도 8은, 도 3의 로드락모듈의 챔버본체를 보여주는 측면도이다.
도 9는, 도 1의 로드락모듈에 설치되는 가이드블록의 설치위치를 보여주는 도면이다.
도 10은, 도 9의 가이드블록의 가이드공간을 보여주는 도면이다.1 is a plan view showing a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a side view of the load lock module of the substrate processing system of FIG. 1.
Figure 3 is a perspective view showing the chamber main body of the load lock module of Figure 2.
Figure 4 is a side view showing the heat exchanger installed in the load lock module of Figure 1.
FIGS. 5A to 5B are bottom views showing the heat exchange unit of FIG. 4.
6A to 6B are cross-sectional views illustrating the gate opening/closing structure and operation of the chamber main body of FIG. 3.
Figure 7 is a perspective view showing a gas injection unit installed in the load lock module of Figure 1.
Figure 8 is a side view showing the chamber main body of the load lock module of Figure 3.
Figure 9 is a diagram showing the installation position of the guide block installed in the load lock module of Figure 1.
Figure 10 is a diagram showing the guide space of the guide block of Figure 9.
이하 본 발명에 따른 로드락모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the load lock module and the substrate processing system including the same according to the present invention will be described with reference to the attached drawings.
본 발명에 따른 기판처리시스템은, 도 1 내지 도 10에 도시된 바와 같이, 미리 설정된 공정압상태에서 기판(G)에 대한 기판처리를 수행하는 하나 이상의 공정모듈(100)과, 대기압상태의 외부 및 상기 공정모듈(100) 사이에서 기판(G)을 전달하는 로드락모듈(200)과, 상기 공정모듈(100) 및 상기 로드락모듈(200)를 사이에서 기판(G)을 반송하는 반송모듈(300)을 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 1 to 10, the substrate processing system according to the present invention includes one or
상기 기판처리시스템은, 도 1에 도시된 바와 같이, 적어도 하나 이상의 공정을 수행하는 복수개의 개별챔버(101,102)로 된 공정모듈(100)와, 복수의 개별 챔버(101,102)로 이루어진 공정모듈(100)을 공통으로 연결하는 반송모듈(300)을 포함하여 클러스터(cluster) 타입으로 구성 수 있으나, 이는 하나의 실시예일뿐 이에 한정되는 것은 아니다.As shown in FIG. 1, the substrate processing system includes a
상기 반송모듈(300)와 각 개별챔버(101,102) 사이에는 제어부(미도시)의 제어에 의해 개폐 동작되는 게이트밸브가 설치될 수 있다.A gate valve that is opened and closed under the control of a control unit (not shown) may be installed between the
또한, 상기 반송모듈(300)에는, 로드락모듈(200)로부터 기판(G)을 인출하여 요구되는 소정 위치로 이송시키도록 하는 기판이송로봇(310)이 구비될 수 있다.In addition, the
상기 공정모듈(100)은, 플라즈마 반응 또는 화학기상방법을 이용한 식각 공정 또는 증착 공정과 같은 각종 공정이 진행되는 곳으로, 공정이 진행되기 전에 예비 동작으로 진공 펌프(미도시)에 의한 펌핑에 의해 진공 상태를 갖도록 설정한 후, 실제 공정이 수행될 경우 진공압을 조절하기 위한 압력조절밸브를 포함할 수 있다.The
구체적으로, 상기 공정모듈(100)은, 기판처리가 이루어지는 밀폐된 처리공간을 형성하는 챔버본체(미도시)와, 기판(G)을 지지하는 기판지지부(미도시)와, 공정가스를 분사하는 공정가스 분사부(미도시)와, 공정모듈(100)의 온도를 제어하는 가열재킷(미도시)을 포함할 수 있다.Specifically, the
한편, 상기 공정모듈(100)은, 복수의 개별챔버(101, 102)를 포함하여 기판 증착, 기판 식각 등의 기판처리가 이루어지는 기판처리공간을 복수개 구비할 수 있다.Meanwhile, the
상기 복수의 개별챔버(101, 102)는, 나란히 배치되어 반송모듈(300)과 연결되는 복수개의 기판처리공간이 나란히 붙어서 배치될 수 있다.The plurality of
여기서, 상기 공정모듈(100)은, 복수개의 기판 처리 공간을 구현하기 위하여 복수개의 개별 챔버(101,102)로서 이루어질 수 있지만, 하나의 챔버 내에 각각 독립된 2개의 기판 처리 공간을 가질 수 있으며, 이와 달리, 하나의 공정모듈(100)이 하나의 기판(S)을 처리하도록 구성될 수도 있음은 물론이다.Here, the
상기 반송모듈(300)은, 로드락모듈(200)과 공정모듈(100) 사이에 위치하여 공정모듈(100)의 각 기판처리공간으로 기판(G)을 이송하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The
상기 반송모듈(300)은, 기판(G)이 통과되는 복수개의 게이트가 형성되며, 로드락모듈(200)과 공정모듈(100) 사이에서 기판(G)이 이송되는 공간을 형성하는 챔버본체를 포함할 수 있다.The
상기 반송모듈(300)은, 기판 처리를 위하여 로드락모듈(200)로부터 이송되는 기판(G)을 공정모듈(100)로 이송하며, 반대로 기판 처리가 완료되어 공정모듈(100)로부터 이송되어 오는 기판(G)을 로드락모듈(200)로 이송할 수 있다.The
구체적으로, 상기 반송모듈(300)은, 로드락모듈(200)로부터 기판(G)을 인출하여 요구되는 소정 위치로 이송시키고, 공정모듈(100)로부터 기판(G)을 인출하여 로드락모듈(200)로 이송시키는 기판이송로봇(310)이 구비될 수 있다.Specifically, the
상기 기판이송로봇(310)은, 반송모듈(300)에 마련되며, 복수의 게이트를 통해 각 공정모듈(100)과 반송모듈(300)간에 기판(G)을 이송하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The
상기 기판이송로봇(310)은, 로드락모듈(30)로부터 이송되는 기판(G)을 게이트를 통하여 각 개별챔버(101,102)로 이송시키며, 게이트를 통해 공정모듈(100)의 각 개별챔버(101,102)로부터 이송되어 오는 기판(G)을 로드락모듈(200)로 이송한다.The
상기 반송모듈(300)는, 항상 진공에 가까운 공정압상태를 유지할 수 있다.The
다만, 상기 공정모듈(100)에서 반송모듈(200)로 또는 반송모듈(200)에서 공정모듈(100)로 기판(G) 이송 시에 공정모듈(100) 내부의 파티클이 반송모듈(300)로 인입되는 것을 최소화하기 위하여 반송모듈(300)의 내부 압력은 공정모듈(100)의 압력보다 상대적으로 높은 상태(저진공)로 형성될 수 있다.However, when transferring the substrate (G) from the
상기 로드락모듈(200)(load lock module)는, 반송모듈(200) 내의 환경 조건에 근접한 환경 조건을 접할 수 있도록 하고, 반송모듈(200) 내의 환경 조건이 외부로부터 영향을 받지 않도록 차단하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The
즉, 상기 로드락모듈(200)은, 진공에 가까운 공정압상태에서 대기압상태로, 또는 대기압상태에서 공정압상태로 변화 가능하다.That is, the
또한 상기 로드락모듈(200)은, 대기압 상태의 외부, 예로서, 기판보관용기(미도시)에 연결된 로더부(미도시)로부터 기판(G)을 제공받을 수 있다.Additionally, the
상기 로드락모듈(200)의 일면은 로더부(400)와 결합되며 다른 일면은 반송모듈(300)와 결합될 수 있다.One side of the
상기 로더부(400)를 통해 기판(G)이 대기 상태에서 기판 보관용기(FOUP)로부터 이송되어 온 후에는 로드락모듈(200)의 내부는 반송모듈(300)와 마찬가지의 진공에 가까운 공정압상태로 변화된다.After the substrate (G) is transferred from the substrate storage container (FOUP) in a standby state through the
또한 상기 공정모듈(100)에서 처리된 기판(G)이 반송모듈(300)을 거쳐 로드락모듈(200)로 이송되어 오면, 로더부 (400)를 거쳐서 외부의 기판 보관 용기(FOUP)로 기판(G)이 이송되기 위하여 로드락모듈(200) 내부가 대기압상태로 변화된다.In addition, when the substrate (G) processed in the
구체적으로, 상기 로드락모듈(200)은, 밀폐된 내부공간(S)을 형성하며 기판출입을 위한 적어도 한 쌍 이상의 게이트(T)를 구비하는 로드락챔버(210)와, 상기 로드락챔버(210)에 설치되어 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)을 지지하는 기판지지부(220)와, 상기 내부공간(S)으로 불활성가스를 주입하기 위한 가스주입부(230)과, 상기 내부공간(S)의 기체를 배기하기 위한 가스배기부(240)와, 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)의 온도조절을 위한 열교환부(270)와, 상기 게이트(T)를 개폐하는 게이트밸브부(250)를 포함할 수 있다.Specifically, the
상기 로드락모듈(200)은, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 한 쌍으로 구성될 수 있고, 한 쌍의 로드락모듈(200)은 반송모듈(300)의 일 측면에 나란히 배치될 수 있다.The
상기 로드락챔버(210)는, 밀폐된 내부공간(S)을 형성하며 기판출입을 위한 적어도 한 쌍 이상의 게이트(T)를 구비하는 하우징으로 다양한 구성이 가능하다.The
상기 한 쌍 이상의 게이트(T)는, 기판(G)의 기판이송방향(D1, 기판반송방향)을 따라서 형성될 수 있다.The pair or more gates T may be formed along the substrate transfer direction D1 (substrate transfer direction) of the substrate G.
상기 기판이송방향(D1)은 로드락챔버(210)로 출입되는 기판(G)이 이동하는 이동경로에 평행한 방향으로 정의될 수 있다.The substrate transfer direction D1 may be defined as a direction parallel to the movement path along which the substrate G entering and exiting the
상기 한 쌍 이상의 게이트(T)는, 후술하는 게이트밸브부(250)에 의해 개폐되는 개구로서, 로더부(400) 측에 대응되는 제1게이트(T1) 및 반송모듈(300) 측에 대응되는 제2게이트(T2)를 포함할 수 있다.The pair or more gates (T) are openings that are opened and closed by the
상기 로드락챔버(210)가 육면체 형상으로 형성되는 경우, 상기 한 쌍 이상의 게이트(T)는 로드락챔버(210)의 대향하는 한 쌍의 측벽에 구비될 수 있다.When the
상기 한 쌍의 게이트(T)는, 로드락챔버(210)가 독립된 복수의 기판처리영역으로 이루어지는 경우, 기판처리영역에 대응되어 복수로 형성될 수 있음은 물론이다.Of course, when the
도 1 내지 도 10에 도시된 로드락챔버(210)는, 상하 간격을 두고 두 쌍의 게이트(T)가 형성된 실시예를 도시한 것이다.The
상기 로드락챔버(210)는, 평면형상이 직사각형(육면체 형상)으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The
이때, 상기 로드락챔버(210)는, 복수의 공정모듈(100)에 대응되어 복수의 독립적인 기판처리영역을 형성하거나 또는 하나의 기판처리영역에서 복수의 기판(G)들을 처리하도록 구성될 수 있다.At this time, the
상기 로드락챔버(210)는, 상면이 개방된 챔버본체(212)와 상기 챔버본체(212)의 상면에 결합되어 상기 내부공간(S)을 형성하는 상부리드(214)를 포함할 수 있다.The
상기 챔버본체(212)는, 단일부재로 일체로 형성될 수 있다.The
상기 챔버본체(212)의 저면이 개방된 경우, 상기 로드락챔버(210)는 챔버본체(212)의 저면에 결합되는 하부리드(213)를 추가로 포함할 수 있다.When the bottom of the
예로서, 상기 챔버본체(212)는, 내부공간(S)을 상하로 구획하여 제1내부공간(S1)과 제2내부공간(S2)을 형성하는 구획벽(218)을 포함할 수 있다.For example, the
상기 제1내부공간(S1)과 제2내부공간(S2)는 서로 독립된 기판처리영역일 수 있다.The first internal space (S1) and the second internal space (S2) may be independent substrate processing areas.
이때, 상기 챔버본체(212)는, 상기 제1내부공간(S1) 및 상기 제2내부공간(S2)에 각각 대응되는 두 쌍의 게이트(T)들을 포함할 수 있다.At this time, the
상기 기판지지부(220)는, 상기 로드락챔버(210)에 설치되어 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)을 지지하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The
상기 기판지지부(220)는, 로드락챔버(210)가 독립된 복수의 기판처리영역으로 이루어지는 경우, 기판처리영역에 대응되어 복수로 구비될 수 있다.When the
즉, 상기 기판지지부(220)는, 상기 제1내부공간(S1) 및 상기 제2내부공간(S2)에 각각 구비될 수 있다.That is, the
또한, 상기 기판지지부(220)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 하나의 기판처리영역에서 상하로 이격되어 적층된 복수의 기판(G)을 지지하도록 구성될 수도 있다.In addition, the
이를 위해, 상기 기판지지부(220)는, 상하 간격을 두고 설치되며 기판(G)의 저면을 지지하는 복수의 기판지지부재들(222)과, 상기 복수의 기판지지부재들의 상하이동을 구동하는 상하구동부(224)를 포함할 수 있다.For this purpose, the
상기 제1내부공간(S1)에 설치되는 기판지지부(220)의 상하구동부(224)는, 상부리드(214) 측에 설치되어 상부리드(214)를 관통하는 로드가 기판지지부재에 결합됨으로써 기판지지부재(222)가 상하이동될 수 있다.The
반대로, 제1내부공간(S1) 하부에 위치되는 제2내부공간(S2)에 설치되는 기판지지부(220)의 상하구동부(224)는, 하부리드(213) 측에 설치되어 하부리드(213)를 관통하는 로드가 기판지지부재(222)에 결합됨으로써 기판지지부재가 상하이동될 수 있다.On the contrary, the vertical driving
상기 가스주입부(230)는, 상기 내부공간(S)으로 불활성가스를 주입하기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The
상기 가스주입부(230)는, 내부공간(S)으로 불활성가스를 주입함으로써 챔버본체(212)에 설치되어 내부공간(S)을 공정압상태에서 대기압상태로 변화시킬 수 있으며, 기판(G)을 냉각시키는 냉각기능도 수행할 수 있다.The
상기 불활성가스는, 내부공간(S)을 벤팅/퍼지하기 위한 가스로, 예로서, N2가스일 수 있다.The inert gas is a gas for venting/purging the internal space (S) and may be, for example, N2 gas.
상기 불활성가스는, 로드락챔버(210)의 내부공간의 압력변화/퍼지를 목적으로 하나 이와 함께 공정모듈(100)에서 도입되어 가열된 기판(G)이 그대로 배출되는 경우 발생할 수 있는 부재들의 열손상(thermal damage) 등을 방지하기 위하여 기판(G)을 미리 설정된 온도까지 냉각시키는 목적도 갖는다.The inert gas is used for the purpose of changing/purging the pressure of the internal space of the
예로서, 상기 가스주입부(230)는, 내부에 가스유로(F)를 구비하는 밸브블럭(232)과, 상기 가스유로(F)를 개폐하기 위하여 상기 밸브블럭(232)에 설치되는 적어도 하나 이상의 가스밸브(234)와, 상기 가스유로(F)와 연통되어 불활성가스를 공급받아 상기 내부공간(S)으로 가스를 분사하는 디퓨저(236)를 포함할 수 있다.For example, the
상기 밸브블록(232)은, 내부에 가스유로(F)를 구비하는 몸체부로 다양한 구성이 가능하다.The
상기 밸브블록(232)에는 외부의 가스소스(미도시)로부터 불활성가스(벤팅가스)가 공급되기 위한 하나 이상의 가스공급라인(PL)과, 불활성가스(퍼지가스)가 공급되기 위한 하나 이상의 가스공급라인(SL)이 결합될 수 있다.The
예로서, 상기 가스공급라인(PL, SL)은, 제1내부공간(S1)과 연통되는 제1가스공급라인과 제2내부공간(S2)과 연통되는 제2가스공급라인을 포함할 수 있다.For example, the gas supply lines PL and SL may include a first gas supply line communicating with the first internal space S1 and a second gas supply line communicating with the second internal space S2. .
다른 예로서, 상기 가스공급라인(PL, SL)은, 제1내부공간(S1) 및 제2내부공간(S2) 모두에 연통되도록, 단일라인으로 구성될 수 있다.As another example, the gas supply lines PL and SL may be configured as a single line so as to communicate with both the first internal space S1 and the second internal space S2.
상기 가스유로(F)는 밸브블록(232) 내에서 불활성가스가 흐르는 유로로서, 단일경로를 형성하거나 또는 다양한 방식으로 분기되어 형성되는 유로일 수 있다.The gas flow path (F) is a flow path through which inert gas flows within the
로드락챔버(210)의 내부공간(S)이 제1내부공간(S1) 및 제2내부공간(S2)으로 구획되는 경우, 상기 가스유로(F)는 제1내부공간(S1)으로 가스를 주입하기 위한 가스유로와 제2내부공간(S2)으로 가스를 주입하기 위한 가스유로로 구성될 수 있다.When the internal space (S) of the
상기 가스밸브(234)는 가스유로(F)를 개폐하기 위하여 상기 밸브블럭(232)에 설치되는 개폐밸브로서, 다양한 구성이 가능하다.The
로드락챔버(210)의 내부공간(S)이 제1내부공간(S1) 및 제2내부공간(S2)으로 구획되는 경우, 상기 가스밸브(234)는 제1내부공간(S1) 및 제2내부공간(S2)으로의 가스주입을 독립적으로 제어하기 위하여, 제1내부공간(S1) 및 제2내부공간(S2)에 대응되어 복수로 구비될 수 있다.When the internal space (S) of the
즉, 제1내부공간(S1)으로 가스를 주입하기 위한 가스유로에 하나 또는 복수의 가스밸브(234)가 설치됨으로써, 제1내부공간(S1)으로의 가스주입이 제어될 수 있다. That is, by installing one or a plurality of
마찬가지로, 제2내부공간(S2)으로 가스를 주입하기 위한 가스유로에 하나 또는 복수의 가스밸브(234)가 설치됨으로써, 제1내부공간(S1)으로의 가스주입이 제어될 수 있다.Likewise, gas injection into the first internal space (S1) can be controlled by installing one or a plurality of
상기 디퓨저(236)는, 내부공간(S)으로 가스를 분사하기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하며, 가스유로(F)와 연통되어 불활성가스를 공급받아 상기 내부공간(S)으로 가스를 분사할 수 있다.The
상기 디퓨저(236)는, 내부에 가스확산공간이 형성되며, 가스확산공간은 디퓨저(236) 끝단 커넥터(236a)를 통해 밸브블록(232)의 가스유로(F)와 연통될 수 있다.The
상기 디퓨저(236)는, 길이를 가지는 바 형상으로, 각형, 원통형 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 디퓨저(236)의 외주면에는 내부 가스확산공간으로부터 가스가 분사되도록 복수의 가스분사공들이 형성될 수 있다.The
이때, 상기 디퓨저(236)는, 챔버본체(212)의 게이트(T)가 형성되지 않는 챔버본체(212)의 측면에 기판이송방향(D1)에 평행하게 설치될 수 있다.At this time, the
예로서, 상기 챔버본체(212)가 육면체 형상으로 형성되고 한 쌍의 게이트(T)가 챔버본체(212)의 대향하는 한 쌍의 측면에 구비되는 경우, 상기 디퓨저(236)는 게이트(T)가 구비된 측면에 이웃하는 측면에 설치될 수 있다.For example, when the
보다 구체적으로, 상기 디퓨저(236)는, 챔버본체(212)의 측벽이 관통되어 형성되는 측벽내부공간(IS)에 설치될 수 있다.More specifically, the
이를 위해, 상기 챔버본체(212)의 측벽에는 디퓨저(236)가 설치되기 위한 측벽내부공간(IS)을 형성하는 측벽개구(212a)가 형성될 수 있다.To this end, a
상기 측벽개구(212a)는 디퓨저(236)의 설치방향 및 형상에 따라 다양한 형상 및 크기로 형성될 수 있다.The
이때, 상기 가스주입부(230)는, 상기 밸브블럭(232)과 상기 챔버본체(212)의 측벽 사이에 상기 내부공간(S)을 밀폐하기 위한 커버플레이트(238)를 추가로 포함할 수 있다.At this time, the
상기 커버플레이트(238)는, 챔버본체(212)의 측벽에 형성된 측벽개구(212a)를 밀폐하기 위한 밀폐판일 수 있다.The
상기 커버플레이트(238)에 밸브블럭(232)이 고정설치될 수 있다.The
또한, 상기 커버플레이트(238)에는 로드락챔버(210) 내부공간(S)을 모니터링하기 위한 뷰포트(V)가 설치될 수 있다.Additionally, a viewport (V) for monitoring the internal space (S) of the
상기 뷰포트(V) 및 측벽개구(212a)를 통해 로드락챔버(210) 외측에서 내부공간(S) 확인이 가능해질 수 있다.It may be possible to check the internal space (S) from the outside of the load lock chamber (210) through the viewport (V) and the side wall opening (212a).
상기 디퓨저(236)은 챔버본체(212)의 측벽이 관통되어 형성되는 측벽내부공간(IS)에 위치됨으로써, 내부공간(S)에 설치되는 다른 구조물들에 대한 간섭없이 편리한 설치와 유지보수가 가능하고, 디퓨저(236)로부터 분사된 불활성가스가 디퓨저(236)를 둘러싸는 챔버본체(212) 측벽 및 후방 커버플레이트(238)에 의해 기판(G)을 향하는 방향으로 보다 효과적으로 확산(가스유동개선)될 수 있으므로 불활성가스를 이용한 기판냉각효과(냉각속도, 냉각시간, 온도균일도)를 보다 향상시킬 수 있는 이점이 있다.The
상기 가스배기부(240)는, 내부공간(S)의 기체를 배기하기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하며, 내부공간(S)을 대기압상태에서 공정압상태로 변화시키기 위하여 내부공간에 가스를 배기할 수 있다.The
상기 가스배기부(240)는, 로드락챔버(210)에 결합되는 가스배기라인(242)과, 상기 가스배기라인(242)에 연결되는 진공펌프(244)를 포함할 수 있다.The
도 2에 도시된 바와 같이, 기판처리시스템이 한 쌍의 로드락모듈(200)을 포함하는 경우, 상기 가스배기부(240)는 한 쌍의 로드락모듈(200)을 하나의 진공펌프(244)를 이용해 배기하기 위한 공통배기라인을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 2, when the substrate processing system includes a pair of
상기 열교환부(270)는, 내부공간(S)에 도입된 기판(G)의 온도조절(냉각 또는 히팅)을 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The
상기 로드락챔버(210)의 내부공간(S)이 제1내부공간(S1)과 제2내부공간(S2)으로 구획된 경우, 상기 열교환부(270)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제1내부공간(S1) 및 상기 제2내부공간(S2)에 각각 구비될 수 있다.When the internal space (S) of the
예로서, 상기 열교환부(270)는, 도 5a 내지 도 5b를 참조하면, 기판(G)과 대응되는 평면 형상으로 형성되는 열교환플레이트(272)와, 열교환플레이트(272) 내부에 매립되며 외부로부터 공급된 열매체가 흐르는 열매체유로(274)와, 상기 열매체유로(274)로의 열매체공급/배출을 위한 열매체포트(276)를 포함할 수 있다.For example, referring to FIGS. 5A to 5B, the
상기 열교환플레이트(272)는, 기판(G)과 대응되는 평면형상으로 형성될 수 있으며, 예로서 원판형상으로 형성되는 열전도플레이트일 수 있다.The
상기 열교환플레이트(272)에는 기판(G)이 안착되기 위한 안착면이 구비될 수 있다.The
상기 열교환플레이트(272) 내부공간(S)에 고정설치되며, 기판지지부(220)의 상하운동에 의해 기판지지부(220)에 지지된 기판(G)과 열교환플레이트(272) 사이의 거리가 가변될 수 있다.It is fixedly installed in the internal space (S) of the
상기 열매체유로(274)는 열교환플레이트(272) 내부에 형성되는 유로로서, 열매체유로(274)를 따라 열매체가 흐르며 기판(G)을 냉각 또는 히팅시킬 수 있다.The heat
상기 열매체포트(276)는 열매체유로(274)로 열매체를 공급하기 위한 인렛포트(276a)와 열매체유로(274)를 따라 흘러나오는 열매체를 배출하기 위한 아웃렛포트(276b)를 포함할 수 있다.The
상기 인렛포트(276a) 및 아웃렛포트(276b)는, 열교환플레이트(272) 외곽부 영역에 서로 이웃하게 나란히 배치될 수 있다.The
한편, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 열교환부(270)가 상기 제1내부공간(S1) 및 상기 제2내부공간(S2)에 각각 구비되는 경우, 제1내부공간(S1)에 설치되는 열교환부(270)와 제2내부공간(S2)에 설치되는 열교환부(270)의 열매체포트(276)는 서로 평면 상 간섭되지 않는 영역에 설치될 수 있다. Meanwhile, as shown in FIG. 4, when the
예로서, 도 5a에 도시된 열교환부(270)는 제1내부공간(S1)에 설치되는 열교환부(270)이고, 도 5b에 도시된 열교환부(270)는 제1내부공간(S1)의 하측에 위치되는 제2내부공간(S2)에 설치되는 열교환부(270)일 수 있다.As an example, the
도 5a에 도시된 바와 같이, 제1내부공간(S1)에 설치되는 열교환부(270)는 열매체포트(276)가 제2내부공간(S2)에 설치되는 열교환부(270)의 열매체포트(276)와 간섭되지 않기 위하여, 열매체유로(274)가 외곽으로 더 연장된 연장유로(275)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 5A, the
한편, 상기 챔버본체(212)는 게이트(T)로부터 기판이송방향(D1)을 따라 외측으로 연장 형성되는 챔버연장부(216)를 구비할 수 있다.Meanwhile, the
상기 챔버본체(212)는 일체로 형성되는 단일부재이므로, 챔버연장부(216) 또한 챔버본체(212)와 일체로 형성되는 영역으로 이해되어야 한다.Since the
상기 챔버연장부(216)는, 게이트(T)로부터 기판이송방향(D1)을 따라 외측으로 연장 형성됨으로써, 후술하는 게이트밸브부(250)와 함께 게이트(T) 개폐를 위한 게이트모듈을 구성할 수 있다.The
상기 챔버연장부(216)는 기판이송방향(D1)을 따라 연장되며 기판(G)이 이동하는 통로를 형성할 수 있다.The
상기 게이트밸브부(250)는, 게이트(T)를 개폐하는 밸브로서, 로드락모듈(200)의 구성일부이며, 로드락챔버(210)와 일체로 형성될 수 있다.The
구체적으로, 상기 게이트밸브부(250)는, 상기 기판이송방향(D1)에 수직한 방향(D2)을 따라 상기 챔버연장부(216)를 관통하며, 상기 게이트(T)의 가장자리 둘레를 형성하는 밸브시트(219)에 밀착되거나 이격되도록 이동가능하게 설치되는 밸브플레이트(252)를 포함할 수 있다.Specifically, the
상기 밸브플레이트(252)는 기판이송방향(D1)에 수직한 방향(D2)을 따라 상기 챔버연장부(216)를 관통하는 밸브판으로서 다양한 구성이 가능하다.The
이를 위해, 상기 챔버연장부(216)에는 상기 밸브플레이트(252)가 관통설치되는 관통구(217)가 형성될 수 있다.For this purpose, a through
상기 챔버본체(212)에 상하 두 쌍의 게이트(T)가 구비되는 경우, 상기 게이트밸브부(250) 또한 게이트(T) 마다 대응되어 설치될 수 있으며, 상기 관통구(217) 또한 도 6a 내지 도 6b에 도시된 바와 같이, 챔버연장부(216)의 상면 및 저면에 각각 형성될 수 있다.When the
상기 챔버연장부(216)의 관통구(217)를 관통하여 설치된 밸브플레이트(252)가 밀착되는 밸브시트(219)는 게이트(T)의 가장자리 둘레이므로, 본 발명에서 밸브시트(219)는 챔버본체(212)에 구비될 수 있다.Since the
즉, 본 발명에서 밸브플레이트(252)는 별도의 밸브하우징이나 커넥터부재가 아니라 로드락챔버(210)의 챔버본체(212)에 직접 밀착되어 게이트(T)를 개폐하도록 구성될 수 있다.That is, in the present invention, the
또한, 상기 게이트밸브부(250)는, 상기 밸브플레이트(252)에 결합되는 밸브로드(254)와, 상기 밸브로드(254)에 결합되는 밸브구동부(256)와, 상기 밸브플레이트(252)를 수용하며 상기 관통구(217)를 복개하는 커버부(258)를 포함할 수 있다.In addition, the
상기 밸브구동부(256)는, 커버부(258)을 경계로 챔버본체(210) 외부에 설치되며 구동로드(357)을 통해 밸브플레이트(252)와 결합되어 밸브플레이트(252)로 게이트(T) 개폐를 위한 구동력을 전달할 수 있다.The
상기 커버부(258)은 밸브플레이트(252)의 이동공간을 형성하며 챔버본체(210) 내부공간(S)을 밀폐하는 밀폐플레이트로서 다양한 구성이 가능하다.The cover portion 258 forms a moving space for the
본 발명은 밸브플레이트(252)가 밀착되는 밸브시트를 별도의 밸브하우징이나 커넥터부재가 아니라, 로드락모듈(200)의 챔버본체(212)에 형성함으로써, 별도의 밸브하우징이나 커넥터부재로 인한 문제점(밸브하우징(커넥터부재)와 챔버본체 사이의 마찰, 파티클, 변형, 챔버본체 내부체적 증가)을 개선할 수 있는 이점이 있다.In the present invention, the valve seat to which the
한편, 상기 로드락모듈(200)은, 상기 내부공간(S)을 점유하며 상기 디퓨저(236)에서 분사된 가스가 상기 기판지지부(220)에 안착된 기판(G)을 향하도록 가이드하는 가이드공간(GS)을 형성하는 가이드블록(260)을 추가로 포함할 수 있다.Meanwhile, the
상기 가이드블록(260)은, 기판출입을 위하여 평면 상 기판(G)이 이동되는 이동영역과 간섭되지 않는 위치에 설치될 수 있다.The
또한, 상기 가이드블록(260)은, 기판지지부(220)의 상하이동 및 그를 위한 구조물과 간섭되지 않는 위치에 설치될 수 있다.Additionally, the
예로서, 상기 가이드블록(260)은, 도 9에 도시된 바와 같이, 디퓨저(236)가 설치되는 챔버본체(212)의 측벽을 따라 길이를 가지는 블록부재일 수 있다.For example, the
상기 가이드블록(260)은 로드락챔버(210)의 내부공간(S)을 점유함으로써, 내부공간(S)의 체적을 감소시킬 수 있고, 결과적으로 로드락챔버(210)에서의 기판처리에 소요되는 펌핑/벤팅 시간, 필요한 불활성기체의 양을 감소시켜 생산성을 향상시킬 수 있다.The
이때, 상기 가이드블록(260)은 기판지지부(220)와 디퓨저(236) 사이에 설치되고, 열교환플레이트(272) 상면에 고정결합될 수 있다.At this time, the
상기 가이드블록(260)은, 디퓨저(236)에서 분사된 가스가 상기 기판지지부(220)에 안착된 기판(G)을 향하도록 가이드하는 가이드공간(GS)을 형성함으로써, 내부공간(S)에서 기판(G)을 향하는 가스유동도 개선할 수 있다.The
상기 가이드공간(GS)은, 기판지지부(220)와 디퓨저(236) 사이에 가스이동경로가 형성될 수 있다면 다양한 방식으로 형성될 수 있다.The guide space GS can be formed in various ways as long as a gas movement path can be formed between the
예로서, 상기 가이드공간(GS)는, 도 10/에 도시된 바와 같이, 가이드블록(260)이 열교환플레이트(272)에 결합되는 결합부(262)를 제외한 가이드블록(260)의 하부 일부영역을 제거하여 함몰시킴으로써 형성될 수 있으나, 이는 가능한 실시예를 도시한 것일 뿐, 본 발명이 이에 한정되는 것이 아님은 명백하다.For example, the guide space GS is a partial area of the lower portion of the
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다. Since the above is only a description of some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, as is well known, the scope of the present invention should not be construed as limited to the above embodiments, and the scope of the present invention described above Both the technical idea and the technical idea underlying it will be said to be included in the scope of the present invention.
100: 공정모듈
200: 로드락모듈
300: 반송모듈100: Process module
200: Load lock module
300: Return module
Claims (10)
밀폐된 내부공간(S)을 형성하며 기판출입을 위한 적어도 한 쌍 이상의 게이트(T)를 구비하는 로드락챔버(210)와; 상기 로드락챔버(210)에 설치되어 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)을 지지하는 기판지지부(220)와; 상기 내부공간(S)으로 불활성가스를 주입하기 위한 가스주입부(230)과; 상기 내부공간(S)의 기체를 배기하기 위한 가스배기부(240)와; 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)의 온도조절을 위한 열교환부(270)와; 상기 게이트(T)를 개폐하는 게이트밸브부(250)를 포함하며,
상기 로드락챔버(210)는, 상면이 개방된 챔버본체(212)와 상기 챔버본체(212)의 상면에 결합되어 상기 내부공간(S)을 형성하는 상부리드(214)를 포함하며,
상기 챔버본체(212)는 상기 게이트(T)로부터 기판이송방향(D1)을 따라 외측으로 연장 형성되는 챔버연장부(216)를 구비하며,
상기 게이트밸브부(250)는, 상기 기판이송방향에 수직한 방향(D2)을 따라 상기 챔버연장부(216)를 관통하며, 상기 게이트(T)의 가장자리 둘레를 형성하는 밸브시트(219)에 밀착되거나 이격되도록 이동가능하게 설치되는 밸브플레이트(252)를 포함하며,
상기 가스주입부(230)는, 내부에 가스유로(F)를 구비하는 밸브블럭(232)과, 상기 가스유로(F)를 개폐하기 위하여 상기 밸브블럭(232)에 설치되는 적어도 하나 이상의 가스밸브(234)와, 상기 가스유로(F)와 연통되어 불활성가스를 공급받아 상기 내부공간(S)으로 가스를 분사하는 디퓨저(236)를 포함하며,
상기 디퓨저(236)는, 상기 챔버본체(212)의 측벽이 관통되어 형성되는 측벽내부공간(IS)에 설치되는 것을 특징으로 하는 로드락모듈(200).A load lock module (200) that transfers substrates between the outside at atmospheric pressure and the process module (100) where substrate processing is performed,
A load lock chamber (210) forming a sealed internal space (S) and having at least one pair of gates (T) for entering and exiting a substrate; a substrate support portion 220 installed in the load lock chamber 210 to support the substrate (G) introduced into the internal space (S); A gas injection unit 230 for injecting an inert gas into the internal space (S); a gas exhaust unit 240 for exhausting gas from the internal space (S); a heat exchange unit 270 for controlling the temperature of the substrate (G) introduced into the internal space (S); It includes a gate valve unit 250 that opens and closes the gate (T),
The load lock chamber 210 includes a chamber body 212 with an open upper surface and an upper lid 214 coupled to the upper surface of the chamber body 212 to form the internal space S,
The chamber body 212 is provided with a chamber extension portion 216 extending outward from the gate T along the substrate transfer direction D1,
The gate valve part 250 penetrates the chamber extension part 216 along the direction D2 perpendicular to the substrate transfer direction and is attached to the valve seat 219 forming the edge of the gate T. It includes a valve plate 252 that is movably installed to be in close contact or spaced apart,
The gas injection unit 230 includes a valve block 232 having a gas flow path (F) therein, and at least one gas valve installed on the valve block 232 to open and close the gas flow path (F). (234) and a diffuser (236) that communicates with the gas flow path (F), receives an inert gas, and sprays the gas into the internal space (S),
The diffuser 236 is a load lock module 200, characterized in that installed in the side wall internal space (IS) formed by penetrating the side wall of the chamber body 212.
상기 챔버본체(212)는, 상기 내부공간(S)을 상하로 구획하여 제1내부공간(S1)과 제2내부공간(S2)을 형성하는 구획벽(218)을 포함하며,
상기 기판지지부(220) 및 상기 열교환부(270)는, 상기 제1내부공간(S1) 및 상기 제2내부공간(S2)에 각각 구비되는 것을 특징으로 하는 로드락모듈(200).In claim 1,
The chamber body 212 includes a partition wall 218 that divides the internal space S up and down to form a first internal space S1 and a second internal space S2,
The load lock module 200 is characterized in that the substrate support part 220 and the heat exchange part 270 are respectively provided in the first internal space (S1) and the second internal space (S2).
상기 챔버본체(212)는, 상기 제1내부공간(S1) 및 상기 제2내부공간(S2)에 각각 대응되는 두 쌍의 게이트(T)들을 포함하는 것을 특징으로 하는 로드락모듈(200).In claim 2,
The chamber body 212 is a load lock module 200 characterized in that it includes two pairs of gates (T) corresponding to the first internal space (S1) and the second internal space (S2), respectively.
상기 챔버연장부(216)에는 상기 밸브플레이트(252)가 관통설치되는 관통구(217)가 형성되는 것을 특징으로 하는 로드락모듈(200).In claim 1,
The load lock module 200 is characterized in that a through hole 217 through which the valve plate 252 is installed is formed in the chamber extension part 216.
상기 게이트밸브부(250)는, 상기 밸브플레이트(252)에 결합되는 밸브로드(254)와, 상기 밸브로드(254)에 결합되는 밸브구동부(256)와, 상기 밸브플레이트(252)를 수용하며 상기 관통구(217)를 복개하는 커버부(258)를 포함하는 것을 특징으로 하는 로드락모듈(200).In claim 4,
The gate valve unit 250 accommodates a valve rod 254 coupled to the valve plate 252, a valve driver 256 coupled to the valve rod 254, and the valve plate 252. A load lock module (200) comprising a cover portion (258) covering the through hole (217).
상기 가스주입부(230)는, 상기 밸브블럭(232)과 상기 챔버본체(212)의 측벽 사이에 상기 내부공간(S)을 밀폐하기 위한 커버플레이트(238)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 로드락모듈(200).In claim 1,
The gas injection unit 230 further includes a cover plate 238 for sealing the internal space (S) between the valve block 232 and the side wall of the chamber body 212. Load lock module (200).
상기 커버플레이트(238)에는, 뷰포트(V)가 설치되는 것을 특징으로 하는 로드락모듈(200).In claim 8,
A load lock module (200), characterized in that a viewport (V) is installed on the cover plate (238).
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