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KR102612371B1 - 표시장치 - Google Patents

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KR102612371B1
KR102612371B1 KR1020170165716A KR20170165716A KR102612371B1 KR 102612371 B1 KR102612371 B1 KR 102612371B1 KR 1020170165716 A KR1020170165716 A KR 1020170165716A KR 20170165716 A KR20170165716 A KR 20170165716A KR 102612371 B1 KR102612371 B1 KR 102612371B1
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박준민
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Abstract

본 발명은 서브픽셀의 개구율을 향상시키고 빛샘을 방지할 수 있는 표시장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 기판 상에 위치하는 제1 서브픽셀을 포함하며, 상기 제1 서브픽셀은 상기 기판 상에 위치하는 제1 게이트 라인, 상기 제1 게이트 라인과 교차하는 제1 데이터 라인, 상기 제1 데이터 라인과 나란하게 배치되며 유기발광다이오드를 포함하는 발광영역, 및 상기 발광영역과 나란하게 배치되되 상기 발광영역을 사이에 두고 상기 제1 데이터 라인과 이웃하여 배치되고, 복수의 박막트랜지스터 및 커패시터를 포함하는 회로영역을 포함한다.

Description

표시장치{Display Device}
본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 서브픽셀의 개구율을 향상시키고 빛샘을 방지할 수 있는 표시장치에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 표시장치 분야는 부피가 큰 음극선관(Cathode Ray Tube: CRT)을 대체하는, 얇고 가벼우며 대면적이 가능한 평판 표시장치(Flat Panel Display Device: FPD)로 급속히 변화해 왔다. 평판 표시장치에는 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display Device: OLED), 그리고 전기영동표시장치(Electrophoretic Display Device: ED) 등이 있다.
이 중 유기발광표시장치는 스스로 발광하는 자발광 소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 특히, 유기발광표시장치는 유연한(flexible) 플렉서블 기판 위에도 형성할 수 있을 뿐 아니라, 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel)이나 무기 전계발광(EL) 디스플레이에 비해 낮은 전압에서 구동 가능하고 전력 소모가 비교적 적으며, 색감이 뛰어나다는 장점이 있다.
유기발광표시장치는 적색, 녹색 및 청색의 3개의 서브픽셀이 하나의 단위 픽셀을 구성하거나, 백색을 더하여 4개의 서브픽셀이 하나의 단위 픽셀을 구성한다. 유기발광표시장치는 각 서브픽셀의 개구율을 증가시켜 표시 품질을 향상시키기 위한 설계가 시도되고 있다. 이때, 각 서브픽셀의 발광영역가 서로 인접하게 배치됨에 따라 인접한 서브픽셀의 광이 다른 서브픽셀을 통해 방출되는 빛샘이 발생하는 문제가 있다.
본 발명은 서브픽셀의 개구율을 향상시키고 빛샘을 방지할 수 있는 표시장치를 제공한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 기판 상에 위치하는 제1 서브픽셀을 포함하며, 상기 제1 서브픽셀은 상기 기판 상에 위치하는 제1 게이트 라인, 상기 제1 게이트 라인과 교차하는 제1 데이터 라인, 상기 제1 데이터 라인과 나란하게 배치되며 유기발광다이오드를 포함하는 발광영역, 및 상기 발광영역과 나란하게 배치되되 상기 발광영역을 사이에 두고 상기 제1 데이터 라인과 이웃하여 배치되고, 복수의 박막트랜지스터 및 커패시터를 포함하는 회로영역을 포함한다.
상기 제1 서브픽셀에 인접한 제2 서브픽셀을 포함하며, 상기 제2 서브픽셀은 상기 제1 게이트 라인과 교차하는 제2 데이터 라인, 상기 제2 데이터 라인과 나란하게 배치되며 유기발광다이오드를 포함하는 발광영역, 및 상기 발광영역과 나란하게 배치되되 상기 발광영역을 사이에 두고 상기 제2 데이터 라인과 이웃하여 배치되고, 복수의 박막트랜지스터 및 커패시터를 포함하는 회로영역을 포함한다.
상기 제1 서브픽셀의 회로영역과 상기 제2 서브픽셀의 회로영역은 서로 나란하게 배치되며 서로 인접한다.
상기 제1 데이터 라인의 바깥 측에 상기 제1 데이터 라인과 나란하며, 상기 제1 서브픽셀과 상기 제2 서브픽셀에 각각 공유된 제1 전원라인을 포함한다.
상기 제2 데이터 라인의 바깥 측에 상기 제1 서브픽셀과 상기 제2 서브픽셀에 각각 공유된 센싱라인을 포함한다.
상기 센싱라인을 기준으로 상기 제1 서브픽셀 및 상기 제2 서브픽셀과 대칭하는 제3 서브픽셀 및 제4 서브픽셀을 포함하며, 상기 센싱라인은 상기 제3 서브픽셀 및 제4 서브픽셀에 공유된다.
상기 제3 서브픽셀은 상기 센싱라인과 인접한 제3 데이터 라인을 포함하고, 상기 제4 서브픽셀은 상기 제4 서브픽셀의 바깥 측에 상기 제3 데이터 라인과 나란한 제4 데이터 라인을 포함한다.
상기 제4 데이터 라인의 바깥 측에 상기 제4 데이터 라인과 나란하며, 상기 제3 서브픽셀과 상기 제4 서브픽셀에 각각 공유된 제2 전원라인을 포함한다.
상기 제1 내지 제4 서브픽셀 하측에 배치된 제2 게이트 라인, 및 상기 제2 게이트 라인에 연결되고 각각 상기 제1 내지 제4 서브픽셀과 동일한 구조를 가진 제5 내지 제8 서브픽셀을 포함한다.
상기 제1 서브픽셀과 상기 제5 서브픽셀은 동일한 색을 방출하며, 상기 제1 서브픽셀과 상기 제5 서브픽셀의 컬러필터가 연속적으로 연결된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 서브픽셀의 발광영역을 사이에 두고 데이터 라인과 이격하여 회로영역을 배치함으로써, 인접한 서브픽셀들 사이에 회로영역들이 배치된다. 따라서, 인접한 서브픽셀들 간의 빛샘이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 같은 색을 방출하는 서브픽셀들의 컬러필터를 인접한 서브픽셀들에 연속적으로 형성함으로써, 서브픽셀들의 개구율을 향상시키고 컬러필터의 제조 공정을 용이하게 할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 각 서브픽셀의 제1 전극과 인접한 게이트 라인을 광차단층으로 형성함으로써, 제1 전극과 게이트 라인 사이에 발생할 수 있는 기생 커패시터를 줄일 수 있다.
도 1은 유기발광표시장치의 개략적인 블록도.
도 2는 서브픽셀의 개략적인 회로 구성도.
도 3은 서브픽셀의 상세 회로 구성도.
도 4는 표시 패널의 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 서브픽셀들의 평면 레이아웃을 개략적으로 나타낸 도면.
도 6은 본 발명의 서브픽셀의 평면 레이아웃을 나타낸 도면.
도 7은 도 6의 절취선 A-A'에 따라 절취한 단면도.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 서브픽셀들의 평면 레이아웃을 간략히 나타낸 도면.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 서브픽셀들의 평면 레이아웃을 상세히 나타낸 도면.
도 10은 도 9의 절취선 B-B'에 따른 단면도.
도 11은 도 9의 절취선 C-C'에 따른 단면도.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기술 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것일 수 있는 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다.
본 발명에 따른 표시장치는 유리 기판 또는 플렉서블 기판 상에 표시소자가 형성된 표시장치이다. 표시장치의 예로, 유기발광표시장치, 액정표시장치, 전기영동표시장치 등이 사용 가능하나, 본 발명에서는 유기발광표시장치를 예로 설명한다. 유기발광표시장치는 애노드인 제1 전극과 캐소드인 제2 전극 사이에 유기물로 이루어진 유기막층을 포함한다. 따라서, 제1 전극으로부터 공급받는 정공과 제2 전극으로부터 공급받는 전자가 유기막층 내에서 결합하여 정공-전자쌍인 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 바닥상태로 돌아오면서 발생하는 에너지에 의해 발광하는 자발광 표시장치이다.
도 1은 유기발광표시장치의 개략적인 블록도이고, 도 2는 서브픽셀의 개략적인 회로 구성도이며, 도 3은 서브픽셀의 상세 회로 구성도이고, 도 4는 표시 패널의 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 유기발광표시장치에는 영상 처리부(110), 타이밍 제어부(120), 데이터 구동부(130), 스캔 구동부(140) 및 표시 패널(150)이 포함된다.
영상 처리부(110)는 외부로부터 공급된 데이터 신호(DATA)와 더불어 데이터 인에이블 신호(DE) 등을 출력한다. 영상 처리부(110)는 데이터 인에이블 신호(DE) 외에도 수직 동기신호, 수평 동기신호 및 클럭신호 중 하나 이상을 출력할 수 있으나 이 신호들은 설명의 편의상 생략 도시한다.
타이밍 제어부(120)는 영상 처리부(110)로부터 데이터 인에이블 신호(DE) 또는 수직 동기신호, 수평 동기신호 및 클럭신호 등을 포함하는 구동신호와 더불어 데이터 신호(DATA)를 공급받는다. 타이밍 제어부(120)는 구동신호에 기초하여 스캔 구동부(140)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(GDC)와 데이터 구동부(130)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DDC)를 출력한다.
데이터 구동부(130)는 타이밍 제어부(120)로부터 공급된 데이터 타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 타이밍 제어부(120)로부터 공급되는 데이터 신호(DATA)를 샘플링하고 래치하여 감마 기준전압으로 변환하여 출력한다. 데이터 구동부(130)는 데이터 라인들(DL1 ~ DLn)을 통해 데이터 신호(DATA)를 출력한다. 데이터 구동부(130)는 IC(Integrated Circuit) 형태로 형성될 수 있다.
스캔 구동부(140)는 타이밍 제어부(120)로부터 공급된 게이트 타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 스캔 신호를 출력한다. 스캔 구동부(140)는 게이트 라인들(GL1 ~ GLm)을 통해 스캔 신호를 출력한다. 스캔 구동부(140)는 IC(Integrated Circuit) 형태로 형성되거나 표시 패널(150)에 게이트인패널(Gate In Panel) 방식으로 형성된다.
표시 패널(150)은 데이터 구동부(130) 및 스캔 구동부(140)로부터 공급된 데이터 신호(DATA) 및 스캔 신호에 대응하여 영상을 표시한다. 표시 패널(150)은 영상을 표시할 수 있도록 동작하는 서브픽셀들(SP)을 포함한다.
서브픽셀들(SP)은 적색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀 및 청색 서브픽셀을 포함하거나 백색 서브픽셀, 적색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀 및 청색 서브픽셀을 포함한다. 서브픽셀들(SP)은 발광 특성에 따라 하나 이상 다른 발광 면적을 가질 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 하나의 서브픽셀에는 스위칭 트랜지스터(SW), 구동 트랜지스터(DR), 커패시터(Cst), 보상회로(CC) 및 유기 발광다이오드(OLED)가 포함된다.
스위칭 트랜지스터(SW)는 제1 게이트 라인(GL1)을 통해 공급된 스캔신호에 응답하여 제1 데이터 라인(DL1)을 통해 공급되는 데이터 신호가 커패시터(Cst)에 데이터 전압으로 저장되도록 스위칭 동작한다. 구동 트랜지스터(DR)는 커패시터(Cst)에 저장된 데이터 전압에 따라 전원 라인(EVDD)(고전위전압)과 캐소드 전원 라인(EVSS)(저전위전압) 사이로 구동 전류가 흐르도록 동작한다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DR)에 의해 형성된 구동 전류에 따라 빛을 발광하도록 동작한다.
보상회로(CC)는 구동 트랜지스터(DR)의 문턱전압 등을 보상하기 위해 서브픽셀 내에 추가된 회로이다. 보상회로(CC)는 하나 이상의 트랜지스터로 구성된다. 보상회로(CC)의 구성은 외부 보상 방법에 따라 매우 다양한바 이에 대한 예시를 설명하면 다음과 같다.
도 3에 도시된 바와 같이, 보상회로(CC)에는 센싱 트랜지스터(ST)와 센싱 라인(VREF)(또는 레퍼런스라인)이 포함된다. 센싱 트랜지스터(ST)는 구동 트랜지스터(DR)의 소스 전극과 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극 사이(이하 센싱노드)에 접속된다. 센싱 트랜지스터(ST)는 센싱 라인(VREF)을 통해 전달되는 초기화전압(또는 센싱전압)을 구동 트랜지스터(DR)의 센싱 노드에 공급하거나 구동 트랜지스터(DR)의 센싱 노드 또는 센싱 라인(VREF)의 전압 또는 전류를 센싱할 수 있도록 동작한다.
스위칭 트랜지스터(SW)는 제1 데이터 라인(DL1)에 드레인 전극이 연결되고, 구동 트랜지스터(DR)의 게이트 전극에 소스 전극이 연결된다. 구동 트랜지스터(DR)는 전원 라인(EVDD)에 드레인 전극이 연결되고 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극에 소스 전극이 연결된다. 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DR)의 게이트 전극에 상부전극이 연결되고 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극에 하부전극이 연결된다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DR)의 소스 전극에 애노드 전극이 연결되고 제2 전원 라인(EVSS)에 캐소드 전극이 연결된다. 센싱 트랜지스터(ST)는 센싱 라인(VREF)에 드레인 전극이 연결되고 센싱 노드인 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극 및 구동 트랜지스터(DR)의 소스 전극에 소스 전극이 연결된다.
센싱 트랜지스터(ST)의 동작 시간은 외부 보상 알고리즘(또는 보상 회로의 구성)에 따라 스위칭 트랜지스터(SW)와 유사/동일하거나 다를 수 있다. 일례로, 스위칭 트랜지스터(SW)는 제1 게이트 라인(GL1)에 게이트 전극이 연결되고, 센싱 트랜지스터(ST)는 제2 게이트 라인(GL2)에 게이트 전극이 연결될 수 있다. 이 경우, 제1 게이트 라인(GL1)에는 스캔 신호(Scan)가 전달되고 제2 게이트 라인(GL2)에는 센싱 신호(Sense)가 전달된다. 다른 예로, 스위칭 트랜지스터(SW)의 게이트 전극에 연결된 제1 게이트 라인(GL1)과 센싱 트랜지스터(ST)의 게이트 전극에 연결된 제2 게이트 라인(GL2)은 공통으로 공유하도록 연결될 수 있다.
센싱 라인(VREF)은 데이터 구동부에 연결될 수 있다. 이 경우, 데이터 구동부는 실시간, 영상의 비표시기간 또는 N 프레임(N은 1 이상 정수) 기간 동안 서브픽셀의 센싱 노드를 센싱하고 센싱결과를 생성할 수 있게 된다. 한편, 스위칭 트랜지스터(SW)와 센싱 트랜지스터(ST)는 동일한 시간에 턴온될 수 있다. 이 경우, 데이터 구동부의 시분할 방식에 의거 센싱 라인(VREF)을 통한 센싱 동작과 데이터 신호를 출력하는 데이터 출력 동작은 상호 분리(구분) 된다.
이 밖에, 센싱결과에 따른 보상 대상은 디지털 형태의 데이터신호, 아날로그 형태의 데이터신호 또는 감마 등이 될 수 있다. 그리고 센싱결과를 기반으로 보상신호(또는 보상전압) 등을 생성하는 보상 회로는 데이터 구동부의 내부, 타이밍 제어부의 내부 또는 별도의 회로로 구현될 수 있다.
광차단층(LS)은 구동 트랜지스터(DR)의 채널영역 하부에만 배치되거나 구동 트랜지스터(DR)의 채널영역 하부뿐만 아니라 스위칭 트랜지스터(SW) 및 센싱 트랜지스터(ST)의 채널영역 하부에도 배치될 수 있다. 광차단층(LS)은 단순히 외광을 차단할 목적으로 사용하거나, 광차단층(LS)을 다른 전극이나 라인과의 연결을 도모하고, 커패시터 등을 구성하는 전극으로 활용할 수 있다. 그러므로 광차단층(LS)은 차광 특성을 갖도록 복층(이종 금속의 복층)의 금속층으로 선택된다.
기타, 도 3에서는 스위칭 트랜지스터(SW), 구동 트랜지스터(DR), 커패시터(Cst), 유기발광다이오드(OLED), 센싱 트랜지스터(ST)를 포함하는 3T(Transistor)1C(Capacitor) 구조의 서브픽셀을 일례로 설명하였지만, 보상회로(CC)가 추가된 경우 3T2C, 4T2C, 5T1C, 6T2C 등으로 구성될 수도 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 기판(또는 박막 트랜지스터 기판)(SUB1)의 표시영역(AA) 상에는 도 3에서 설명된 회로를 기반으로 서브픽셀들이 형성된다. 표시영역(AA) 상에 형성된 서브픽셀들은 보호필름(또는 보호기판)(SUB2)에 의해 밀봉된다. 기타 미설명된 NA는 비표시영역을 의미한다. 기판(SUB1)은 유리나 연성을 갖는 재료로 선택될 수 있다.
서브픽셀들은 표시영역(AA) 상에서 적색(R), 백색(W), 청색(B) 및 녹색(G)의 순으로 수평 또는 수직하게 배치된다. 그리고 서브픽셀들은 적색(R), 백색(W), 청색(B) 및 녹색(G)이 하나의 픽셀(P)이 된다. 그러나 서브픽셀들의 배치 순서는 발광재료, 발광면적, 보상회로의 구성(또는 구조) 등에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 서브픽셀들은 적색(R), 청색(B) 및 녹색(G)이 하나의 픽셀(P)이 될 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 서브픽셀들의 평면 레이아웃을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 기판(SUB1)의 표시영역(AA) 상에는 발광영역(EMA)과 회로영역(DRA)을 갖는 제1 서브픽셀(SPn1) 내지 제4 서브픽셀(SPn4)이 형성된다. 발광영역(EMA)에는 유기발광다이오드(발광소자)가 형성되고, 회로영역(DRA)에는 유기발광다이오드를 구동하는 스위칭, 센싱 및 구동 트랜지스터 등을 포함하는 회로가 형성된다. 제1 서브픽셀(SPn1) 내지 제4 서브픽셀(SPn4)은 회로영역(DRA)에 위치하는 스위칭 및 구동 트랜지스터 등의 동작에 대응하여 발광영역(EMA)에 위치하는 유기발광다이오드가 빛을 발광하게 된다. 제1 서브픽셀(SPn1) 내지 제4 서브픽셀(SPn4) 사이에 위치하는 "WA"는 배선영역으로서, 전원 라인(EVDD), 센싱 라인(VREF), 제1 내지 제4 데이터 라인들(DL1 ~ DL4)이 배치된다. 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2)은 제1 서브픽셀(SPn1) 내지 제4 서브픽셀(SPn4)을 가로지르며 배치된다.
전원 라인(EVDD), 센싱 라인(VREF), 제1 내지 제4 데이터 라인들(DL1 ~ DL4)과 같은 배선들은 물론 박막 트랜지스터를 구성하는 전극들은 서로 다른 층에 위치하지만 콘택홀(비어홀)을 통한 접촉으로 인하여 전기적으로 연결된다. 센싱 라인(VREF)은 센싱 연결라인(VREFC)을 통해 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)의 각 센싱 트랜지스터(미도시)에 연결된다. 전원 라인(EVDD)은 전원 연결라인(EVDDC)을 통해 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)의 각 구동 트랜지스터(미도시)에 연결된다. 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2)은 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)의 각 센싱 및 스위칭 트랜지스터(미도시)에 연결된다.
도 6은 본 발명의 서브픽셀의 평면 레이아웃을 나타낸 도면이고 도 7은 도 6의 절취선 A-A'에 따라 절취한 단면도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 유기발광표시장치는 제1 및 제2 게이트 라인(GL1, GL2)과 제1 내지 제4 데이터 라인(DL1~DL4)이 교차하여 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)이 정의된다. 구체적으로, 제1 내지 제4 데이터 라인(DL1~DL4)과 각각 연결되는 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)은 센싱 라인(VREF)에 공통으로 연결되어 있다. 센싱 라인(VREF)은 제2 및 제3 서브픽셀(SPn2, SPn3)과는 직접 연결되어 있고, 제1 및 제4 서브픽셀(SPn1, SPn4)과는 센싱 연결라인(VREFC)을 통해 연결된다. 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)의 양 가장자리에는 전원 라인(EVDD)이 각각 배치되고, 전원 라인(EVDD)과 인접한 제1 및 제4 서브픽셀(SPn1, SPn4)은 직접 연결되고 제2 및 제3 서브픽셀(SPn2, SPn3)은 전원 연결라인(EVDDC)을 통해 연결된다.
각 서브픽셀들의 발광영역(EMA)에는 유기발광다이오드(OLED)의 제1 전극(ANO)이 배치되어 있고, 회로영역(DRA)에는 구동 트랜지스터(DR), 커패시터(Cst), 센싱 트랜지스터(ST) 및 스위칭 트랜지스터(SW)가 배치된다. 예를 들어, 센싱 트랜지스터(ST)는 게이트 전극(240), 드레인 전극(250D), 소스 전극(250S) 및 반도체층(220)으로 구성된다. 센싱 라인(VREF)은 센싱연결라인(VREFC)을 통해 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)의 각 센싱 트랜지스터(ST)에 연결된다. 전원 라인(EVDD)은 전원 연결라인(EVDDC)을 통해 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)의 각 구동 트랜지스터(DR)에 연결된다. 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2)은 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)의 각 센싱 및 스위칭 트랜지스터(ST, SW)에 연결된다.
도 7에 도시된 제1 및 제2 서브픽셀(SPn1, SPn2)의 경계부의 단면을 참조한다. 제1 서브픽셀(SPn1)은 적색 서브픽셀이고 제2 서브픽셀(SPn2)은 백색 서브픽셀일 수 있다.
기판(SUB) 상에 제1 버퍼층(BUF1), 제2 버퍼층(BUF2), 게이트 절연막(GI), 층간 절연막(ILD)이 순차적으로 배치되고, 그 위에 제1 데이터 라인(DL1)과 제2 데이터 라인(DL2)이 배치된다. 제1 및 제2 데이터 라인(DL1, DL2) 상에 패시베이션막(PAS)이 배치되고, 제1 서브픽셀(SPn1) 영역에 적색의 컬러필터(CF)가 배치된다. 적색의 컬러필터(CF) 상에 오버코트층(OC)이 배치되고, 오버코트층(OC) 상에 제1 전극(ANO)이 제1 및 제2 서브픽셀(SPn1, SPn2)에 각각 배치된다. 제1 전극(ANO) 상에는 각 서브픽셀의 발광영역을 정의하는 뱅크층(BNK)이 배치된다.
제1 서브픽셀(SPn1)은 적색의 컬러필터(CF)가 구비되어 적색의 컬러필터(CF)를 통해 적색 광을 방출한다. 제2 서브픽셀(SPn2)은 컬러필터를 구비하지 않아, 백색의 광을 그대로 방출한다. 제1 서브픽셀(SPn1)의 적색의 컬러필터(CF)가 제2 서브픽셀(SPn2) 영역을 일부 침범하게 되면, 제2 서브픽셀(SPn2) 구동 시 백색의 광이 침범한 적색의 컬러필터(CF)를 일부 투과하여 레디쉬(reddish)해지게 된다. 따라서, 인접한 서브픽셀 간의 빛샘으로 인해 표시 품질이 저하된다.
하기에서는 전술한 서브픽셀 간의 빛샘을 방지하고 개구율을 향상시키기 위한 표시장치를 개시한다.
<실시예>
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 서브픽셀들의 평면 레이아웃을 간략히 나타낸 도면이고, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 서브픽셀들의 평면 레이아웃을 상세히 나타낸 도면이고, 도 10은 도 9의 절취선 B-B'에 따른 단면도이고, 도 11은 도 9의 절취선 C-C'에 따른 단면도이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 기판(SUB1) 상에 발광영역(E)과 회로영역(D)을 갖는 제1 서브픽셀(SPn1) 내지 제8 서브픽셀(SPn8)이 배치된다. 발광영역(E)에는 유기발광다이오드(발광소자)가 형성되고, 회로영역(D)에는 유기발광다이오드를 구동하는 스위칭, 센싱 및 구동 트랜지스터 등을 포함하는 회로가 형성된다. 제1 서브픽셀(SPn1) 내지 제8 서브픽셀(SPn8)은 회로영역(D)에 위치하는 스위칭 및 구동 트랜지스터 등의 동작에 대응하여 발광영역(E)에 위치하는 유기발광다이오드가 빛을 발광하게 된다. 제1 서브픽셀(SPn1) 내지 제8 서브픽셀(SPn8)에는 제1 및 제2 전원 라인(EVDD1, EVDD2), 센싱 라인(VREF), 제1 내지 제4 데이터 라인들(DL1 ~ DL4)이 배치된다. 제1 게이트 라인(GL1)은 제1 서브픽셀(SPn1) 내지 제4 서브픽셀(SPn4)을 가로지르며 배치되고, 제2 게이트 라인(GL2)은 제5 서브픽셀(SPn5) 내지 제8 서브픽셀(SPn8)을 가로지르며 배치된다.
전원 라인(EVDD), 센싱 라인(VREF), 제1 내지 제4 데이터 라인들(DL1 ~ DL4)과 같은 배선들은 물론 박막 트랜지스터를 구성하는 전극들은 서로 다른 층에 위치하지만 콘택홀(미도시)을 통한 접촉으로 인하여 전기적으로 연결된다. 센싱 라인(VREF)은 제1 내지 제8 서브픽셀(SPn1~SPn8)의 각 센싱 트랜지스터(미도시)에 연결된다. 제1 전원 라인(EVDD1)은 제1, 제2, 제5 및 제6 서브픽셀(SPn1, SPn2, SPn5, SPn6)의 각 구동 트랜지스터(미도시)에 연결된다. 제2 전원 라인(EVDD2)은 제3, 제4, 제7 및 제8 서브픽셀(SPn3, SPn4, SPn7, SPn8)의 각 구동 트랜지스터(미도시)에 연결된다. 제1 게이트 라인(GL1)은 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)의 각 센싱 및 스위칭 트랜지스터(미도시)에 연결되고, 제2 게이트 라인(GL2)은 제5 내지 제8 서브픽셀(SPn5~SPn8)의 각 센싱 및 스위칭 트랜지스터(미도시)에 연결된다.
본 발명의 서브픽셀(SPn1~SPn8)들 각각은 발광영역(E)과 회로영역(D)이 제1 데이터 라인(DL1)과 나란하게 배치된다. 구체적으로, 제1 서브픽셀(SPn1)의 회로영역(D1)은 발광영역(E1)과 나란하게 배치되되 발광영역(E1)을 사이에 두고 제1 데이터 라인(DL1)과 이웃하여 배치된다. 제2 서브픽셀(SPn2)의 회로영역(D2)은 발광영역(E2)과 나란하게 배치되되 발광영역(E2)을 사이에 두고 제2 데이터 라인(DL2)과 이웃하여 배치된다. 제1 서브픽셀(SPn1)의 회로영역(D1)과 제2 서브픽셀(SPn2)의 회로영역(D2)은 서로 나란하게 배치되며 서로 인접하게 배치된다. 제3 서브픽셀(SPn3)의 회로영역(D3)은 발광영역(E3)과 나란하게 배치되되 발광영역(E3)을 사이에 두고 제3 데이터 라인(DL3)과 이웃하여 배치된다. 제4 서브픽셀(SPn4)의 회로영역(D4)은 발광영역(E4)과 나란하게 배치되되 발광영역(E4)을 사이에 두고 제4 데이터 라인(DL4)과 이웃하여 배치된다. 제3 서브픽셀(SPn3)의 회로영역(D3)과 제4 서브픽셀(SPn4)의 회로영역(D4)은 서로 나란하게 배치되며 서로 인접하게 배치된다.
제2 게이트 라인(GL2)을 사이에 두고 제5 내지 제8 서브픽셀(SPn5~SPn8)이 위치한다. 제5 서브픽셀(SPn5)의 회로영역(D5)은 발광영역(E5)과 나란하게 배치되되 발광영역(E5)을 사이에 두고 제1 데이터 라인(DL1)과 이웃하여 배치된다. 제6 서브픽셀(SPn6)의 회로영역(D6)은 발광영역(E6)과 나란하게 배치되되 발광영역(E6)을 사이에 두고 제2 데이터 라인(DL2)과 이웃하여 배치된다. 제5 서브픽셀(SPn5)의 회로영역(D5)과 제6 서브픽셀(SPn6)의 회로영역(D6)은 서로 나란하게 배치되며 서로 인접하게 배치된다. 제7 서브픽셀(SPn7)의 회로영역(D7)은 발광영역(E7)과 나란하게 배치되되 발광영역(E7)을 사이에 두고 제3 데이터 라인(DL3)과 이웃하여 배치된다. 제8 서브픽셀(SPn8)의 회로영역(D8)은 발광영역(E8)과 나란하게 배치되되 발광영역(E8)을 사이에 두고 제4 데이터 라인(DL4)과 이웃하여 배치된다. 제7 서브픽셀(SPn7)의 회로영역(D7)과 제8 서브픽셀(SPn8)의 회로영역(D8)은 서로 나란하게 배치되며 서로 인접하게 배치된다.
한편, 제1 데이터 라인(DL1)의 바깥 측에 제1 데이터 라인(DL1)과 나란하며, 제1 서브픽셀(SPn1)과 제2 서브픽셀(SPn2)에 각각 연결된 제1 전원라인(EVDD1)이 배치된다. 제4 데이터 라인(DL4)의 바깥 측에 제4 데이터 라인(DL4)과 나란하며, 제3 서브픽셀(SPn3)과 제4 서브픽셀(SPn4)에 각각 공유된 제2 전원라인(EVDD2)이 배치된다. 제2 데이터 라인(DL2)의 바깥 측, 즉 제2 데이터 라인(DL2)과 제3 데이터 라인(DL3) 사이에 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1)에 각각 공유된 센싱라인이 배치된다. 제3 서브픽셀(SPn3)과 제4 서브픽셀(SPn4)은 센싱라인(VREF)을 기준으로 제1 서브픽셀(SPn1) 및 제2 서브픽셀(SPn2)과 대칭하여 이루어진다. 제3 서브픽셀(SPn3)은 센싱라인(VREF)과 인접한 제3 데이터 라인(DL3)을 포함하고, 제4 서브픽셀(SPn4)은 제4 서브픽셀(SPn4)의 바깥 측에 제3 데이터 라인(DL3)과 나란한 제4 데이터 라인(DL4)을 포함한다. 설명하지 않았지만 제5 내지 제8 서브픽셀(SPn5~SPn8)도 전술한 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)과 동일하게 구성된다.
도 8과 함께 도 9를 참조하여 제1 서브픽셀(SPn1)의 구조를 대표로 설명한다. 제1 서브픽셀(SPn1)은, 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2)과 제1 데이터 라인(DL1)이 교차하여 정의된다. 제1 서브픽셀(SPn1)은 구동 트랜지스터(DR), 센싱 트랜지스터(ST), 스위칭 트랜지스터(SW), 커패시터(Cst) 및 유기발광다이오드(OLED)를 포함한다.
발광영역(E1)에는 유기발광다이오드(OLED)의 제1 전극(ANO)이 배치되어 있고, 회로영역(D1)에는 구동 트랜지스터(DR), 커패시터(Cst), 센싱 트랜지스터(ST) 및 스위칭 트랜지스터(SW)가 배치된다. 예를 들어, 스위칭 트랜지스터(SW)는 제1 게이트 라인(GL1), 드레인 전극(250D), 소스 전극(250S) 및 반도체층(220)으로 구성된다. 또한 센싱 트랜지스터(ST)는 센싱라인(VREF)으로부터 연장된 센싱 연결라인(VREFC)에 연결된 소스 전극(240S), 제1 게이트 라인(GL1), 및 반도체층(230)이 드레인 전극으로 함께 작용하여 구성된다. 구동 트랜지스터(DR)는 반도체층(230), 게이트 전극(260), 제1 전원라인(EVDD)으로부터 연장된 전원 연결라인(EVDDC)에 연결된 소스 전극(270S), 및 드레인 전극(270D)으로 구성된다. 커패시터(Cst)는 커패시터 하부전극(LCst), 커패시터 중부전극(MCst) 및 제1 전극(ANO)으로 구성된다. 제1 전극(ANO)은 비어홀(VIA)을 통해 구동 트랜지스터(DR)의 드레인 전극(270D)에 연결된다.
한편, 전술한 도 6은 게이트 라인이 연장된 방향으로 각 서브픽셀들의 발광영역이 인접하여 배치된다. 따라서, 인접한 서브픽셀들 간에 빛샘이 발생할 여지가 있다. 반면, 도 8에 도시된 것처럼 본 발명에서는 제1 게이트 라인(GL1)이 연장된 방향으로 제1 서브픽셀(SPn1)의 발광영역(E1)/회로영역(D1)/제2 서브픽셀(SPn2)의 회로영역(D2)/발광영역(E2)이 배치된다. 제1 서브픽셀(SPn1)의 발광영역(E1)과 제2 서브픽셀(SPn2)의 발광영역(E2) 사이에 2개의 회로영역(D1, D2)이 배치되기 때문에 옆으로 새는 빛을 이들 회로영역들(D1, D2)에서 차단하게 된다.
구체적으로 도 10을 참조하면, 제1 서브픽셀(SPn1) 및 제2 서브픽셀(SPn2)의 기판(SUB1) 상에 각각 커패시터 하부전극(LCst), 커패시터 중부전극(MCst) 및 제1 전극(ANO)을 포함한 커패시터(Cst)가 배치된다. 커패시터 중부전극(MCst) 상에 패시베이션막(PAS)이 위치하고, 패시베이션막(PAS) 상에 적색 컬러필터(RCF)가 배치된다. 적색 컬러필터(RCF) 상에 오버코트층(OC)이 위치하고 그 상부에 각 서브픽셀의 제1 전극들(ANO)이 위치한다. 또한 각 서브픽셀의 발광영역을 구획하는 뱅크층(BNK)이 위치한다.
도 8에서 도시된 것처럼, 제1 서브픽셀(SPn1)의 발광영역(E1)과 제2 서브픽셀(SPn2)의 발광영역(E2) 사이에 2개의 회로영역(D1, D2) 즉, 제1 서브픽셀(SPn1)의 커패시터(Cst)와 제2 서브픽셀(SPn2)의 커패시터(Cst)가 배치함으로써, 인접한 서브픽셀들 간에 빛샘을 방지할 수 있다.
그리고 제1 서브픽셀(SPn1)의 적색 컬러필터(RCF)는 제2 서브픽셀(SPn2)의 커패시터(Cst)가 배치된 영역으로 더 도포될 수 있는 마진을 가질 수 있다. 또한 제1 서브픽셀(SPn1)의 발광영역(E1)과 제2 서브픽셀(SPn2)의 발광영역(E2) 사이에 2개의 회로영역(D1, D2)이 존재함에 따라, 상부에 위치한 뱅크층(BNK)도 그만큼 마진을 넓게 가질 수 있다.
전술한 도 7과 도 10을 비교해 보면, 도 7에서는 서브픽셀들 사이에 2개의 데이터 라인만 존재하기 때문에 서브픽셀들 사이의 간격이 좁아 빛샘이 발생할 수 있다. 반면, 도 10에서는 제1 서브픽셀(SPn1)과 제2 서브픽셀(SPn2) 사이에 커패시터들(Cst)이 배치되기 때문에 제1 및 제2 서브픽셀들(SPn1, SPn2) 사이의 간격을 현저히 넓힐 수 있어 빛샘을 방지할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 서브픽셀들(SPn1, SPn2) 사이의 간격이 넓어짐에 따라 적색 컬러필터(RCF)도 제2 서브픽셀(SPn2)쪽으로 더 형성될 수 있는 마진을 가질 수 있어 형성이 용이해질 수 있다. 또한, 제1 및 제2 서브픽셀들(SPn1, SPn2) 사이의 간격이 넓어짐에 따라 뱅크층(BNK)도 마진을 가질 수 있어 제1 서브픽셀(SPn1)의 제1 전극(ANO)의 마진 또한 넓어지게 된다. 이러한 적색 컬러필터(RCF), 뱅크층(BNK) 및 제1 전극(ANO)의 마진이 넓어짐으로써, 설계가 자유로워져 개구율이 향상되고 공정이 용이해 질 수 있다.
다시 도 8을 참조하면, 제3 서브픽셀(SPn3)과 제4 서브픽셀(SPn4)도 제1 서브픽셀(SPn1)과 제2 서브픽셀(SPn2)과 동일하게 배치되어 이들 사이에서 발생할 수 있는 빛샘을 방지할 수 있다. 그리고 제2 서브픽셀(SPn2)과 제3 서브픽셀(SPn3) 사이에는 센싱라인(VREF), 제2 데이터 라인(DL2) 및 제3 데이터 라인(DL3)이 배치되어, 제2 서브픽셀(SPn2)의 발광영역(E2)과 제3 서브픽셀(SPn3)의 발광영역(E3) 사이에서 발생할 수 있는 빛샘을 방지한다.
한편, 본 발명의 컬러필터들은 전술한 도 6과는 달리, 데이터 라인이 연장된 방향으로 연속적으로 형성된다. 구체적으로, 본 발명의 제1 서브픽셀(SPn1)과 제5 서브픽셀(SPn5)은 제1 데이터 라인(DL1)이 연장된 방향으로 배치되어 서로 동일한 적색을 방출한다. 제2 서브픽셀(SPn2)과 제6 서브픽셀(SPn6)도 서로 동일한 백색을 방출한다. 제3 서브픽셀(SPn3)과 제7 서브픽셀(SPn7)도 서로 동일한 청색을 방출한다. 제4 서브픽셀(SPn4)과 제8 서브픽셀(SPn8)도 서로 동일한 녹색을 방출한다.
전술한 도 6에 도시된 서브픽셀의 발광영역은 주변에 회로영역들과 다른 색을 방출하는 발광영역이 배치되기 때문에 컬러필터는 섬 형상으로 패턴될 수 밖에 없다. 그러나 본 발명은 제1 데이터 라인(DL1)이 연장된 방향으로 동일한 색을 방출하는 서브픽셀의 발광영역이 배치되기 때문에 컬러필터가 제1 데이터 라인(DL1)이 연장된 방향으로 연속적으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 적색 컬러필터(RCF)는 제1 서브픽셀(SPn1)과 제5 서브픽셀(SPn5)에 연속적으로 형성된다. 청색 컬러필터(BCF)는 제3 서브픽셀(SPn3)과 제7 서브픽셀(SPn7)에 연속적으로 형성된다. 녹색 컬러필터(GCF)는 제4 서브픽셀(SPn4)과 제8 서브픽셀(SPn8)에 연속적으로 형성된다. 이와 같이, 컬러필터가 연속적으로 형성되면 서브픽셀의 개구율이 향상되는 효과를 나타낼 수 있다.
예를 들어, 도 9의 절취선 C-C'에 따른 단면도인 도 11을 참조하면, 제1 데이터 라인이 연장된 방향으로 배치된 서브픽셀들 사이에는 제1 게이트 라인(GL1)이 배치된다. 제1 게이트 라인(GL1)은 제1 버퍼층(BUF1) 상에 배치된다. 제1 게이트 라인(GL1) 상에 제2 버퍼층(BUF2), 게이트 절연막(GI), 층간 절연막(ILD), 패시베이션막(PAS), 적색 컬러필터(RCF) 및 오버코트층(OC)이 순차적으로 배치된다. 오버코트층(OC) 상에 각 서브픽셀의 제1 전극(ANO)들이 배치된다. 적색 컬러필터(RCF)는 인접한 서브픽셀들에 연속적으로 형성된다.
여기서, 제1 게이트 라인(GL1)의 상부에 각 서브픽셀의 제1 전극(ANO)이 매우 인접하여 배치되기 때문에 기생 커패시터가 생길 우려가 있다. 그러나, 본 발명에서는 제1 게이트 라인(GL1)을 가장 기판에 인접한 도전성 재료인 광차단층 물질로 형성함으로써, 제1 전극(ANO)과 제1 게이트 라인(GL1)에서 발생할 수 있는 기생 커패시터를 최소화할 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 서브픽셀의 발광영역을 사이에 두고 데이터 라인과 이격하여 회로영역을 배치함으로써, 인접한 서브픽셀들 사이에 회로영역들이 배치된다. 따라서, 인접한 서브픽셀들 간의 빛샘이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 같은 색을 방출하는 서브픽셀들의 컬러필터를 인접한 서브픽셀들에 연속적으로 형성함으로써, 서브픽셀들의 개구율을 향상시키고 컬러필터의 제조 공정을 용이하게 할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 각 서브픽셀의 제1 전극과 인접한 게이트 라인을 광차단층으로 형성함으로써, 제1 전극과 게이트 라인 사이에 발생할 수 있는 기생 커패시터를 줄일 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
GL1~GL2 : 제1 및 제2 게이트 라인 DL1~DL4 : 제1 내지 제4 데이터 라인
VREF : 센싱라인 EVDD1~EVDD2 : 제1 및 제2 전원라인
SPn1~SPn8 : 제1 내지 제8 서브픽셀 E1~E8 : 발광영역
D1~D8 : 회로영역

Claims (12)

  1. 기판 상에 위치하는 제1 서브픽셀 및 제2 서브픽셀을 포함하며,
    상기 제1 서브픽셀은 상기 기판 상에 위치하는 제1 게이트 라인, 상기 제1 게이트 라인과 교차하는 제1 데이터 라인, 상기 제1 데이터 라인과 나란하게 배치되며 유기발광다이오드를 포함하는 발광영역, 상기 발광영역과 나란하게 배치되되 상기 발광영역을 사이에 두고 상기 제1 데이터 라인과 이웃하여 배치되고, 복수의 박막트랜지스터 및 커패시터를 포함하는 회로영역을 포함하며,
    상기 제2 서브픽셀은 상기 제1 게이트 라인과 교차하는 제2 데이터 라인, 상기 제2 데이터 라인과 나란하게 배치되며 유기발광다이오드를 포함하는 발광영역, 상기 발광영역과 나란하게 배치되되 상기 발광영역을 사이에 두고 상기 제2 데이터 라인과 이웃하여 배치되고, 복수의 박막트랜지스터 및 커패시터를 포함하는 회로영역을 포함하며,
    상기 제1 서브픽셀의 회로영역과 상기 제2 서브픽셀의 회로영역은 서로 나란하게 배치되며,
    상기 제1 데이터 라인의 바깥 측에 상기 제1 데이터 라인과 나란하고 상기 제1 서브픽셀과 상기 제2 서브픽셀에 각각 공유된 제1 전원라인을 포함하는 표시장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 데이터 라인의 바깥 측에 상기 제1 서브픽셀과 상기 제2 서브픽셀에 각각 공유된 센싱라인을 포함하는 표시장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 센싱라인을 기준으로 상기 제1 서브픽셀 및 상기 제2 서브픽셀과 대칭하는 제3 서브픽셀 및 제4 서브픽셀을 포함하며, 상기 센싱라인은 상기 제3 서브픽셀 및 제4 서브픽셀에 공유된 표시장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제3 서브픽셀은 상기 센싱라인과 인접한 제3 데이터 라인을 포함하고, 상기 제4 서브픽셀은 상기 제4 서브픽셀의 바깥 측에 상기 제3 데이터 라인과 나란한 제4 데이터 라인을 포함하는 표시장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제4 데이터 라인의 바깥 측에 상기 제4 데이터 라인과 나란하며, 상기 제3 서브픽셀과 상기 제4 서브픽셀에 각각 공유된 제2 전원라인을 포함하는 표시장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제4 서브픽셀 하측에 배치된 제2 게이트 라인; 및
    상기 제2 게이트 라인에 연결되고 각각 상기 제1 내지 제4 서브픽셀과 동일한 구조를 가진 제5 내지 제8 서브픽셀을 포함하는 표시장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 서브픽셀과 상기 제5 서브픽셀은 동일한 색을 방출하며, 상기 제1 서브픽셀과 상기 제5 서브픽셀의 컬러필터가 연속적으로 연결된 표시장치.
  11. 기판 상에 위치하며 각각 광을 발광하는 발광영역 및 박막트랜지스터와 커패시터가 배치된 회로영역을 포함하는 복수의 서브픽셀; 및
    복수의 서브픽셀 사이에 배치된 배선을 포함하며,
    서로 인접하는 서브픽셀들은 상기 회로영역들이 서로 직접 인접하고 상기 발광영역들은 인접한 회로영역들을 사이에 두고 이격되어 배치되며,
    상기 배선을 두고 인접한 서브픽셀들은, 상기 발광영역들이 상기 배선을 사이에 두고 배치되고 상기 회로영역들은 배선과 서로 인접한 발광영역들을 사이에 두고 배치되는 표시장치.
  12. 제11 항에 있어서, 상기 배선은 데이터라인, 전원라인 및 센싱라인중 적어도 하나를 포함하는 표시장치.

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