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KR102580856B1 - 와이어 그리드 편광자용 몰드 및 이를 제조하는 방법 - Google Patents

와이어 그리드 편광자용 몰드 및 이를 제조하는 방법 Download PDF

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KR102580856B1
KR102580856B1 KR1020180011268A KR20180011268A KR102580856B1 KR 102580856 B1 KR102580856 B1 KR 102580856B1 KR 1020180011268 A KR1020180011268 A KR 1020180011268A KR 20180011268 A KR20180011268 A KR 20180011268A KR 102580856 B1 KR102580856 B1 KR 102580856B1
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additive
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김명희
박정우
김한수
이동언
조국래
채승연
아츠시 타카쿠와
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Abstract

일 실시예에 따른 와이어 그리드 편광자용 몰드는 하드 몰드 및 소프트 몰드를 포함하고, 상기 하드 몰드는 본체, 상기 본체 위에 위치하는 산화막 및 상기 산화막 위에 위치하며 첨가제를 포함하는 SAM 층을 포함하고, 상기 소프트 몰드는 기재 및 중합된 이형제를 포함하는 요철부를 포함하고, 상기 이형제에서 소수성을 나타내는 영역이 상기 요철부의 표면을 향하도록 배열된다.

Description

와이어 그리드 편광자용 몰드 및 이를 제조하는 방법{MOLD FOR WIRE GRID POLARIZER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 개시는 와이어 그리드 편광자용 몰드 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
편광자는 자연광과 같이 다양한 방향성을 가지는 비편광된 빛 중에서 특정한 진동 방향을 따른 편광 특성을 가지는 빛을 분리시키는 광학 소자이다. 편광자는 편광 특성을 가지는 빛으로 분리시키기 위하여, 분리되어야 하는 빛의 파장 크기보다 작은 피치(pitch)를 가지는 선격자 또는 스트라이프 형태의 구조를 가진다.
일반적으로, 편광자가 400nm 내지 700nm 영역의 파장을 가지는 가시광선 영역에서 사용되기 위해서는 통상적으로 파장의 20% 수준의 피치를 가져야 한다. 따라서 최소 100nm 이하의 피치를 가지는 편광자가 가시광선 영역에서 사용될 수 있다.
이러한 피치를 가지는 편광자의 경우, 피치 간격이 매우 미세하기 때문에, 제조 공정에서 결함이 발생할 우려가 매우 높다. 제조 공정상의 결함은 제품의 수율을 저하시켜 생산성을 저감시키고, 경제성을 악화시키는 요인이 된다. 미세한 피치를 가지는 편광자의 제조 공정에서 결함 발생을 방지하기 위한 기술의 필요성이 대두되고 있다.
본 기재는 제조 공정에서 결함 발생 가능성을 감소시켜 생산성을 향상시킬 수 있는 와이어 그리드 편광자용 몰드 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
일 실시예에 따른 와이어 그리드 편광자용 몰드는 하드 몰드 및 소프트 몰드를 포함하고, 상기 하드 몰드는 본체, 상기 본체 위에 위치하는 산화막 및 상기 산화막 위에 위치하며 첨가제를 포함하는 SAM 층을 포함하고, 상기 소프트 몰드는 기재 및 중합된 이형제를 포함하는 요철부를 포함하고, 상기 이형제에서 소수성을 나타내는 영역이 상기 요철부의 표면을 향하도록 배열된다.
상기 첨가제는 친수성을 나타내는 제1 영역 및 소수성을 나타내는 제2 영역을 포함할 수 있다.
상기 제1 영역은 상기 산화막에 인접하게 위치하고 상기 제2 영역은 상기 하드 몰드의 표면을 향하도록 배열될 수 있다.
상기 산화막은 친수성을 가질 수 있다.
상기 본체는 실리콘산화물, 실리콘질화물 및 금속 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 요철부는 상기 첨가제를 포함할 수 있다.
상기 첨가제는 하기 화학식 1 내지 화학식 4로 표현되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
[화학식 1]
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
상기 n은 1 또는 2이다.
상기 이형제는 플루오로 카본 올리고머, 플루오로 카본 폴리머, 실록산 올리고머 및 실록산 폴리머 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 산화막과 상기 SAM 층은 물리적으로 결합될 수 있다.
일 실시예에 따른 와이어 그리드 편광자용 몰드의 제조 방법은 하드 몰드용 본체를 준비하는 단계, 상기 본체 위에 소프트 몰드용 레진을 도포하는 단계, 그리고 상기 소프트 몰드용 레진을 경화 및 분리하여 소프트 몰드를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 소프트 몰드용 레진은 이형제 및 첨가제를 포함하고, 상기 첨가제는 상기 본체에 인접하게 배열되고 상기 이형제는 상기 첨가제에 의해 배열되며, 상기 소프트 몰드를 분리하는 단계에서 상기 본체 상에 상기 첨가제를 포함하는 SAM 층이 형성된다.
상기 본체 상에 산화막이 형성되는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 첨가제는 친수성을 나타내는 제1 영역 및 소수성을 나타내는 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역은 상기 산화막의 표면에 인접하게 배열될 수 있다.
상기 이형제는 광 반응기를 포함하는 제1 영역 및 소수성을 나타내는 제2 영역을 포함하고, 상기 이형제의 제2 영역은 상기 첨가제의 제2 영역에 인접하게 배열될 수 있다.
상기 이형제 및 상기 첨가제가 배열된 상태에서 상기 소프트 몰드용 레진을 경화할 수 있다.
상기 소프트 몰드용 레진을 경화하는 단계에서 상기 이형제가 포함하는 광 반응기가 중합 반응할 수 있다.
상기 첨가제는 반응기를 포함하지 않을 수 있다.
실시예들에 따르면 복수회 공정에도 동일한 품질의 와이어 그리드 편광자를 제조할 수 있는 와이어 그리드 편광자용 몰드를 제공하고자 한다. 와이어 그리드 편광자의 제조 공정에서 발생할 수 있는 결함에 의한 광학 특성 저하를 방지하고 제품 품질을 향상시킬 수 있다.
도 1a 및 도 1b 각각은 일 실시예에 따른 와이어 그리드 편광자용 몰드의 단면도이다.
도 2, 도 3 및 도 4 각각은 제조 방법에 따른 와이어 그리드 편광자용 몰드의 단면도이다.
도 5는 와이어 그리드 편광자용 몰드를 사용하여 와이어 그리드 편광자를 제조하는 공정에 따른 개략적인 단면도이다.
도 6, 도 7, 도 8, 도 9, 도 10, 도 11 각각은 와이어 그리드 편광자를 제조하는 공정에 따른 단면도이다.
도 12a는 제조된 와이어 그리드 편광자를 포함하는 표시 장치에 대한 개략적인 평면도이고 도 12b는 도 12a의 b-b' 따라 자른 단면도이다.
도 13은 실시예에 따른 디몰딩 포스(demolding force)를 나타낸 그래프이다.
도 14는 실시예 및 비교예에 따른 몰드의 표면 특성을 나타낸 그래프이다.
도 15는 실시예에 따른 하드 몰드의 표면 특성 변화를 나타낸 그래프이다.
도 16은 실시예에 따라 제조되는 와이어 그리드 편광자의 형태에 대한 그래프이다.
도 17, 도 18 및 도 19 각각은 실시예에 따라 제조된 와이어 그리드 편광자의 이미지이다.
도 20은 비교예에 따라 제조된 와이어 그리드 편광자의 이미지이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
이하에서는 도 1a 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 그리드 편광자용 몰드에 대해 설명한다. 도 1a 및 도 1b는 일 실시예에 따른 와이어 그리드 편광자용 몰드의 단면도이고, 도 2, 도 3 및 도 4 각각은 제조 방법에 따른 와이어 그리드 편광자용 몰드의 단면도이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 일 실시예에 따른 와이어 그리드 편광자용 몰드는 하드 몰드(10) 및 소프트 몰드(20)를 포함한다.
하드 몰드(10)는 소프트 몰드(20)를 형성하기 위한 몰드이다. 일 실시예에 따른 하드 몰드(10)는 본체(11), 본체(11) 위에 위치하는 산화막(12), 산화막(12) 위에 위치하는 SAM 층(13)을 포함한다.
본체(11)는 후술할 소프트 몰드(20)와 대응하는 형상을 가질 수 있다. 일 예로 본체(11)는 오목부 및 볼록부를 포함할 수 있으며 소프트 몰드(20)는 이에 대응하는 볼록부 및 오목부를 포함할 수 있다.
본체(11)는 일 예로 실리콘산화물, 실리콘질화물 또는 금속을 포함할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
산화막(12)은 실시예에 따라 본체(11)가 공기 중에 노출됨에 따라 형성된 막일 수 있다. 산화막(12) 표면은 친수성을 나타낼 수 있다. 산화막(12)은 일 예로 -OH기를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 하드 몰드(10)는 산화막(12) 위에 위치하는 SAM 층(13)을 포함할 수 있다. SAM 층(13)은 산화막(12)이 포함하는 친수성기(일 예로 -OH기)와 물리적으로 결합하는 첨가제(23)를 포함할 수 있다.
첨가제(23)는 하기 화학식 1 내지 화학식 4로 표현되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
[화학식 1]
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
상기 n은 1 또는 2이다.
첨가제(23)는 친수성을 나타내는 제1 영역(23a) 및 소수성을 나타내는 제2 영역(23b)을 포함한다. 제1 영역(23a)은 산화막(12)이 포함하는 친수성기(일 예로 -OH기)와 인접하게 배치되고 제2 영역(23b)은 하드 몰드(10)의 표면을 향해 배치될 수 있다. 하드 몰드(10)의 표면은 SAM 층(13)이 포함하는 첨가제(23)에 의해 소수성을 나타낼 수 있다.
소프트 몰드(20)는 기재(21) 및 요철부(22)를 포함할 수 있다. 기재(21)는 요철부(22)와 결합되어 임프린트 공정에 제공될 수 있다. 기재(21)는 일 예로 PET 필름일 수 있다.
요철부(22)는 볼록부 및 오목부를 포함한다. 볼록부 및 오목부 각각은 일 방향을 따라 연장될 수 있다. 볼록부 및 오목부 각각은 서로 나란하게 배치되어 스트라이프 형상을 가질 수 있다.
요철부(22)는 중합된 형태의 이형제(24)를 포함한다. 중합된 형태의 이형제(24)는 광 반응기를 포함하는 제1 영역이 서로 연결된 주쇄 및 주쇄로부터 연장된 제2 영역(24b)을 포함할 수 있다. 제2 영역(24b)은 소수성을 가질 수 있다.
이형제(24)의 제2 영역(24b)은 요철부(22)의 표면, 즉 소프트 몰드(20)의 표면에 위치할 수 있다. 이형제(24)의 제2 영역(24b)은 요철부(22)의 표면에 정렬된 형태를 가지면서 요철부(22) 표면이 소수성을 가지도록 한다. 소수성을 가지는 요철부(22)에 의해 후술한 임프린트용 레진이 소프트 몰드(20)로부터 용이하게 분리될 수 있으며 몰드 상에 잔류하거나 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이하에서는 도 2 내지 도 4를 참조하여 일 실시예에 따른 하드 몰드(10)와 소프트 몰드(20)를 제조하는 방법에 대해 설명한다.
도 2를 참조하면 요철을 포함하는 하드 몰드용 본체(11)를 준비한다.
하드 몰드용 본체(11)가 노출되는 과정에서 하드 몰드용 본체(11) 위에 산화막(12)이 형성될 수 있다. 이후 하드 몰드용 본체(11)에 소프트 몰드용 레진(R)을 도포한다.
도포된 소프트 몰드용 레진(R)은 도 3에 도시된 바와 같이 SAM 첨가제(23) 및 이형제(24)를 포함할 수 있다.
첨가제(23)는 하기 화학식 1 내지 4로 표현되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 하기 화학식 1 내지 4에서 n은 서로 독립적으로 1 또는 2일 수 있다.
[화학식 1]
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
첨가제(23)는 친수성을 나타내는 제1 영역(23a) 및 소수성을 나타내는 제2 영역(23b)을 포함할 수 있다. 상기 화학식 1 내지 4에서 -OH기는 제1 영역(23a)일 수 있으며 탄소 사슬은 제2 영역(23b)일 수 있다. 첨가제(23)는 소프트 몰드용 레진(R) 전체 함량에 대해 약 0.1 내지 10 wt% 포함될 수 있으며, 일 예로 0.5 wt% 이하로 포함될 수 있다.
이형제(24)는 플루오로 카본 올리고머, 플루오로 카본 폴리머, 실록산 올리고머 또는 실록산 폴리머 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이형제(24)는 친수성을 나타내는 제1 영역(24a) 및 소수성을 나타내는 제2 영역(24b)을 포함할 수 있다. 제1 영역(24a)은 광 반응기를 포함할 수 있다. 이형제(24)는 소프트 몰드용 레진(R) 전체 함량에 대해 약 0.1 내지 20 wt% 포함될 수 있다.
소프트 몰드용 레진(R)은 베이스 레진 및 광 개시제를 더 포함할 수 있다.
베이스 레진은 디아크릴레이트 및/또는 멀티아크릴레이트를 포함할 수 있다. 일 예로 1, 4-부탄디올 디아크릴레이트(1,4-Butanediol diacrylate), 1, 6-헥산디올 디아크릴레이트(1,6-Hexanediol Diacrylate), 1, 9-노난디올 디아크릴레이트(1,9-Nonanediol Diacrylate), 1, 10-디케인디올 디아크릴레이트(1,10-Decanediol Diacrylate), 1, 6-헥산디올 (EO)n 디아크릴레이트(1,6-Hexanediol (EO)n Diacrylate), 하이드록시 피발릭산 네오펜틸 글리콜 디아크릴레이트(Hydroxy pivalic acid neopentyl glycol Diacrylate), 디프로필렌 글리콜 디아크릴레이트(Dipropylene glycol Diacrylate), 트리프로필렌 글리콘 디아크릴레이트(Tripropylene glycol Diacrylate), 폴리프로필렌 글리콘 디아크릴레이트(Polypropylene glycol Diacrylate), 디에틸렌 글리콜 디아크릴레이트(Diethylene glycol Diacrylate), 트리에틸렌 글리콘 디아크릴레이트(Triethylene glycol Diacrylate), 테트라에틸렌 글리콜 디아크릴레이트(Tetraethylene glycol Diacrylate), 폴리에틸렌 글리콜 디아크릴레이트(Polyethylene glycol Diacrylate), 트리메틸프로판 트리아클릴레이트(Trimethylolpropane Triacrylate), 트리메틸로프로판 에톡시레이트 트리아크릴레이트(Trimethylolpropane ethoxylate triacrylate), 트리메틸로프로판 프로폭시레이트 트리아크릴레이트(Trimethylolpropane propoxylate triacrylate), 에톡시레이티드 글리세린 트리아크릴레이트(Ethoxylated glycerine triacrylate), 글리세린 (PO)n 트리아크릴레이트(Glycerine (PO)n Triacrylate), 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트(Pentaerythritol Triacrylate), 트리스(2-하이드록시에틸)이소시안유레이트 트리아크릴레이트 (Tris(2-hydroxyethyl)isocyanurate Triacrylate), 펜타에리트리톨 (EO)n 테트라아크릴레이트(Pentaerythritol (EO)n Tetraacrylate), 디트리메틸롤프로판 테트라아크릴레이트(Ditrimethylolpropane Tetraacrylate), 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트(Pentaerythritol Tetraacrylate), 디펜타에리트리톨 펜타아크릴레이트(Dipentaerythritol Pentaacrylate), 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트(Dipentaerythritol Hexaacrylate) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 베이스 레진은 소프트 몰드용 레진(R) 전체 함량에 대해 약 1 내지 90 wt% 포함될 수 있다.
광 개시제는 어떠한 종류도 포함할 수 있으며 일 예로 Irgacure651, Irgacure184, Irgacure1173, Irgacure2959, Irgacure127, Irgacure907, Irgacure369, Irgacure379, Irgacure TPO, Irgacure TPO-L, Irgacure819, Irgacure OXE01, Irgacure OXE02, Irgacure784 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 광 개시제는 소프트 몰드용 레진(R) 전체 함량에 대해 약 1 내지 10 wt% 포함될 수 있다.
다음 소프트 몰드용 레진(R) 위에 기재(21)를 위치시키고 본체(11)와 합착시킨다.
이때 소프트 몰드용 레진(R)이 포함하는 첨가제(23) 및 이형제(24)는 도 4에 도시된 바와 같이 일 방향으로 정렬될 수 있다. 소프트 몰드용 레진(R)에서 첨가제(23)의 제1 영역(23a)은 산화막(12)이 포함하는 친수성기(-OH)에 인접하게 배열될 수 있다. 첨가제(23)에서 친수성을 가지는 제1 영역(23a)은 본체(11) 및 산화막(12)에 인접하게 배열되고 소수성을 가지는 제2 영역(23b)은 기재(21)에 인접하게 배열될 수 있다.
이형제(24)에서 소수성을 가지는 제2 영역(24b)은 첨가제(23)의 제2 영역(23b)에 인접하게 배열되고 친수성을 가지는 제1 영역(24a)은 기재(21)에 인접하게 배열될 수 있다.
이와 같이 배열된 상태에서 UV 경화 공정을 진행한다. 이형제(24)가 포함하는 광 반응기들은 서로 결합하여 도 1b와 같이 중합될 수 있다.
첨가제(23)는 별도의 반응기를 포함하지 않으므로 소프트 몰드용 레진(R)이 포함하는 베이스 레진 또는 이형제(24) 등과 결합하지 않는다. 경화된 소프트 몰드용 레진 및 기재(21)를 분리하는 과정에서 첨가제(23)는 산화막(12) 위에 별도의 SAM 층(13)으로 잔류하게 된다(도 1b 참조).
기재(21)를 본체(11)로부터 분리함으로써 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이 기재(21) 및 중합된 형태의 이형제를 포함하는 요철부(22)를 포함하는 소프트 몰드(20)가 제조된다. 이와 동시에 본체(11), 산화막(12) 및 SAM 층(13)을 포함하는 하드 몰드(10)가 제조된다.
일 실시예에 따르면 하드 몰드(10)의 표면은 이형력이 우수한 SAM 층(13)이 형성되므로 하드 몰드(10)와 소프트 몰드(20)의 분리가 용이할 수 있다. 제조되는 소프트 몰드(20)의 뜯김, 불량 등을 감소시킬 수 있다. 또한 단순한 공정을 통해 SAM 층(13)을 제공할 수 있다.
이하에서는 도 5 내지 도 11을 참조하여 일 실시예에 따른 와이어 그리드 편광자용 몰드를 사용하여 와이어 그리드 편광자를 제조하는 방법에 대해 설명한다. 도 5는 와이어 그리드 편광자용 몰드를 사용하여 와이어 그리드 편광자를 제조하는 공정에 따른 개략적인 단면도이고, 도 6, 도 7, 도 8, 도 9, 도 10, 도 11 각각은 와이어 그리드 편광자를 제조하는 공정에 따른 단면도이다.
도 5에 도시된 바와 같이 패턴 전사용 기판(30)을 준비한다. 그리고 나서 기판(30) 위에 임프린트용 레진(R)을 도포한다. 다음 전술한 방법을 통해 제조된 소프트 몰드(20)를 기판(30)과 합착시킨다. 합착에 의해 임프린트용 레진(R)은 소프트 몰드(20)의 형상에 대응하는 형상을 가질 수 있다.
이후 레진을 경화(일 예로, 열 경화 또는 UV 경화)한다. 그리고 나서 소프트 몰드(20)를 제거한다. 일 실시예에 따른 소프트 몰드(20)의 표면에는 중합된 이형제에서 소수성을 가지는 제2 영역이 위치한다. 소프트 몰드(20)는 임프린트용 레진(R)과 용이하게 분리될 수 있다.
소프트 몰드(20)를 분리함에 따라 기판(30) 위에 소정의 패턴을 가지는 층(41)이 형성될 수 있다. 상기 일 층(41)은 일 예에 따라 와이어 그리드 편광자일 수 있다.
이하 도 6 내지 도 11을 참조하여 와이어 그리드 편광자의 제조 방법에 대해 보다 구체적으로 살펴본다.
도 6에 도시된 바와 같이 와이어 그리드 편광자용 기재(600)를 준비한다. 와이어 그리드 편광자용 기재(600)는 금속층(610) 및 금속 산화 방지층(620)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 금속층(610)은 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 금속 산화 방지층(620)은 알루미늄을 포함하는 금속의 산화를 방지하기 위한 티타늄(Ti)과 같은 금속, 혹은 이와 같은 금속의 산화물, 산화규소(SiO2) 및 질화규소(SiNx)와 같은 무기물, 산소 또는 수분과의 반응성이 낮아 금속층(610)의 산화를 방지할 수 있는 유기물 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
다음 도 7에 도시된 바와 같이 와이어 그리드 편광자용 기재(600) 상에 임프린트용 레진(630)을 도포하고 전술한 소프트 몰드(20)를 준비한다. 이후 소프트 몰드(20)를 이용하여 임프린트용 레진(630)을 임프린팅하고 난 뒤 빛 또는 열로 경화시킨다. 이후 소프트 몰드(20)를 분리한다.
이에 한정되는 것은 아니며 소프트 몰드(20)가 분리된 이후에도 임프린팅된 구조를 유지할 수 있을 정도의 점도나 강도를 가지는 임프린트용 레진(630)이 사용되는 경우에는 소프트 몰드(20)가 임프린트용 레진(630)으로부터 분리된 이후에 열 또는 빛에 의해 경화될 수 있다.
이와 같은 공정에 의해 도 8에 도시된 바와 같이 오목부와 볼록부가 소프트 몰드(20)와 반대로 형성된 마스크(640)가 제조된다.
본 명세서는 와이어 그리드 편광자용 기재(600) 상에 액상의 임프린트용 레진(630)을 도포하고 임프린팅 공정을 진행하는 단계가 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일 변형예로 임프린트용 레진(630)을 소프트 몰드(20)에 먼저 도포한 뒤, 그 이후에 와이어 그리드 편광자용 기재(600)를 임프린트용 레진(630)이 도포된 소프트 몰드(20)에 부착하는 순서에 따라 임프린팅 공정이 진행될 수도 있다. 와이어 그리드 편광자용 기재(600) 부착과 마스크(640) 제조 순서에 따른 변화는 본 발명의 실시 범위를 제한하지 않는다.
다음 도 9에 도시된 바와 같이 마스크(640)를 기준으로 금속 산화 방지층(620)을 먼저 식각한다. 상기 식각 단계는 건식 식각에 의해 진행될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 금속, 금속 산화물, 무기물 또는 유기물 중 하나 이상을 포함하는 금속 산화 방지층(620)을 제거할 수 있는 공정이라면, 본 발명의 실시 범위에 포함될 수 있을 것이다.
이후 도 10과 같이 금속층(610)을 식각하는 2차 식각 단계를 진행한다. 금속층(610)은 하부에 기재가 잔여하지 않도록 완전히 식각되어 관통된다. 식각되지 않고 잔여하는 금속층(610)은 이하에서 설명하는 와이어 그리드 편광자가 될 수 있다.
2차 식각 단계는 금속층(610)을 식각하기 위한 습식 식각 방식이 이용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 이 외에도 금속층(610)을 식각할 수 있는 다양한 방법이 사용될 수 있다. 식각 공정 이외에도 마스크(640)에 의해 커버된 부분을 제외한 금속층(610)의 일부를 제거할 수 있는 공정이라면 본 발명의 실시 범위에 포함될 수 있다.
식각이 완료되고 나면 도 11과 같이 금속층(610) 상에 잔여하는 금속 산화 방지층(620)과 마스크(640)를 제거하여 금속층(610)으로 이루어진 와이어 그리드 편광자를 제조할 수 있다.
이하에서는 전술한 공정을 통해 제조된 와이어 그리드 편광자를 포함하는 표시 장치에 대해 개략적으로 설명한다. 도 12a는 제조된 와이어 그리드 편광자를 포함하는 표시 장치에 대한 개략적인 평면도이고 도 12b는 도 12a의 b-b' 따라 자른 단면도이다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 라이트 유닛(500), 박막 트랜지스터 표시판(100), 박막 트랜지스터 표시판(100)과 중첩하는 색변환 표시판(300) 및 박막 트랜지스터 표시판(100)과 색변환 표시판(300) 사이에 위치하는 액정층(3)을 포함한다.
라이트 유닛(500)은 박막 트랜지스터 표시판(100)의 배면에 위치한다. 라이트 유닛(500)은 광을 발생하는 광원 및 상기 광을 수신하고 수신된 광을 박막 트랜지스터 표시판(100)을 향해 가이드하는 도광판(미도시)을 포함할 수 있다.
라이트 유닛(500)은 청색을 방출하는 어떠한 광원도 포함할 수 있으며 일 예로 발광 다이오드(light emitting diode)를 포함할 수 있다. 청색 광원을 포함하는 라이트 유닛(500) 대신에 화이트 광원이나 자외선 광원을 포함하는 라이트 유닛(500)으로 변형하여 사용할 수도 있다. 다만, 이하에서는 청색 광원을 포함하는 라이트 유닛(500)을 사용한 표시 장치에 대해 설명하기로 한다.
박막 트랜지스터 표시판(100)은 제1 기판(110)과 라이트 유닛(500) 사이에 위치하는 제1 편광층(12)을 포함한다. 제1 편광층(12)은 라이트 유닛(500)에서 제1 기판(110)으로 입사되는 광을 편광시킨다.
박막 트랜지스터 표시판(100)은 제1 기판(110)과 액정층(3) 사이에서 제1 방향으로 연장되며 게이트 전극(124)을 포함하는 게이트선(121), 게이트선(121)과 액정층(3) 사이에 위치하는 게이트 절연층(140), 게이트 절연층(140)과 액정층(3) 사이에 위치하는 반도체층(154), 반도체층(154)과 액정층(3) 사이에 위치하며 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장되는 데이터선(171), 데이터선(171)에 연결된 소스 전극(173) 및 소스 전극(173)과 이격된 드레인 전극(175), 그리고 데이터선(171)과 액정층(3) 사이에 위치하는 보호막(180)을 포함할 수 있다.
반도체층(154)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)으로 덮이지 않은 부분에서 채널을 형성하며, 게이트 전극(124), 반도체층(154), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 하나의 박막 트랜지스터(Tr)를 이룬다.
보호막(180) 위에 화소 전극(191)이 위치한다. 화소 전극(191)은 보호막(180)이 가지는 접촉 구멍(185)을 통해 드레인 전극(175)과 물리적, 전기적으로 연결될 수 있다.
화소 전극(191)과 액정층(3) 사이에 제1 배향막(11)이 위치할 수 있다.
색변환 표시판(300)은 박막 트랜지스터 표시판(100)과 중첩하는 기판(310)을 포함한다. 기판(310)과 박막 트랜지스터 표시판(100) 사이에 차광 부재(320)가 위치한다. 기판(310)과 후술할 색변환층(330R, 330G) 사이, 그리고 기판(310)과 후술할 투과층(330B) 사이에 차광 부재(320)가 위치한다. 차광 부재(320)는 평면 상 격자 또는 직선 형태를 가질 수 있다.
기판(310) 및 차광 부재(320)와 박막 트랜지스터 표시판(100) 사이에 청색광 컷팅 필터(325)가 위치할 수 있다. 청색광 컷팅 필터(325)는 적색 색변환층(330R)과 기판(310) 사이 및 녹색 색변환층(330G)과 기판(310) 사이에 위치할 수 있다. 청색광 컷팅 필터(325)는 적색 및 녹색을 방출하는 영역과 중첩하며 청색을 방출하는 영역과는 중첩하지 않을 수 있다.
청색광 컷팅 필터(325)는 라이트 유닛(500)으로부터 공급되는 청색광을 차단할 수 있다. 라이트 유닛(500)으로부터 적색 색변환층(330R) 및 녹색 색변환층(330G)에 입사되는 청색광은 반도체 나노 결정(331R, 331G)에 의해 적색 또는 녹색으로 변환되는데, 일부 청색 광은 변환되지 않고 출광될 수 있다. 변환없이 출광되는 청색광은 적색광 또는 녹색광과 혼색되어 색재현율을 저하시킬 수 있다. 청색광 컷팅 필터(325)는 라이트 유닛(500)으로부터 공급되는 청색광이 적색 색변환층(330R) 및 녹색 색변환층(330G)에서 흡수되지 않고 기판(310)을 통과하여 방출되는 것을 차단(흡수 또는 반사)할 수 있다.
청색광 컷팅 필터(325)는 전술한 효과를 수행하기 위한 어떠한 물질도 포함할 수 있으며, 일 예로 황색 색필터(Yellow color filter)를 포함할 수 있다. 청색광 컷팅 필터(325)는 단일층 또는 복수층으로 적층된 구조를 가질 수 있다.
복수의 색변환층(330R, 330G) 및 투과층(330B)은 기판(310)과 박막 트랜지스터 표시판(100) 사이에 위치할 수 있다. 복수의 색변환층(330R, 330G) 및 투과층(330B)은 제1 방향을 따라 배열될 수 있다.
복수의 색변환층(330R, 330G)은 입사되는 광을 입사되는 광과 다른 파장을 가지는 광으로 변환하여 방출할 수 있다. 복수의 색변환층(330R, 330G)은 적색 색변환층(330R) 및 녹색 색변환층(330G)을 포함할 수 있다.
투과층(330B)에서는 입사되는 광의 변환이 없으며, 입사되는 광을 그대로 방출할 수 있다. 투과층(330B)에는 일 예로 청색광이 입사되고, 청색광이 그대로 방출될 수 있다.
적색 색변환층(330R)은 입사되는 청색광을 적색광으로 변환하는 제1 반도체 나노 결정(331R)을 포함할 수 있다. 제1 반도체 나노 결정(331R)은 형광체 및 양자점 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
녹색 색변환층(330G)은 입사되는 청색광을 녹색광으로 변환하는 제2 반도체 나노 결정(331G)을 포함할 수 있다. 제2 반도체 나노 결정(331G)은 형광체 및 양자점 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
제1 반도체 나노 결정(331R) 및 제2 반도체 나노 결정(331G)에 포함되는 양자점(Quantum Dot)은 서로 독립적으로 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
투과층(330B)은 입사되는 광을 그대로 통과시킬 수 있다. 투과층(330B)은 청색광을 투과시키는 수지(resin)를 포함할 수 있다. 청색을 방출하는 영역에 위치하는 투과층(330B)은 별도의 반도체 나노 결정을 포함하지 않고 입사된 청색을 그대로 통과시킨다.
도시하지 않았으나 투과층(330B)은 염료 및 안료 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 염료 또는 안료를 포함하는 투과층(330B)은 외광 반사를 감소시키고 색순도가 향상된 청색광을 제공할 수 있다.
적색 색변환층(330R), 녹색 색변환층(330G) 및 투과층(330B) 중 적어도 하나는 산란체(332)를 더 포함할 수 있다. 적색 색변환층(330R), 녹색 색변환층(330G) 및 투과층(330B)이 포함하는 각각의 산란체(332)의 함량은 상이할 수 있다.
산란체(332)는 색변환층(330R, 330G) 및 투과층(330B)에서 변환되거나 통과하여 방출되는 광량을 증가시키고 정면 휘도와 측면 휘도를 균일하게 제공할 수 있다.
산란체(332)는 입사되는 광을 고르게 산란시키기 위한 어떠한 물질도 포함할 수 있다. 산란체(332)는 일 예로 TiO2, ZrO2, Al2O3, In2O3, ZnO, SnO2, Sb2O3 및 ITO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
색변환층(330R, 330G)과 오버 코팅막(350) 사이, 투과층(330B)과 오버 코팅막(350) 사이에 광필터층(340)이 위치한다.
광필터층(340)은 특정 파장의 광을 투과시키고 상기 특정 파장의 광 이외의 광은 반사 또는 흡수하는 필터일 수 있다. 광필터층(340)은 고굴절률을 가지는 막과 저굴절률을 가지는 막이 복수회 교번하여 적층되며, 이들 사이의 보강 및/또는 상쇄 간섭을 이용하여 전술한 바와 같이 특정 파장을 투과 및/또는 반사시킬 수 있다.
광필터층(340)은 TiO2, SiNx, SiOy, TiN, AlN, Al2O3, SnO2, WO3, ZrO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 일 예로 SiNx와 SiOy가 교번하여 적층된 구조일 수 있다. SiNx, SiOy에서 x, y는 화학조성비를 결정하는 요소로서, 막을 형성하는 공정 조건에 따라 조절될 수 있다.
광필터층(340)과 박막 트랜지스터 표시판(100) 사이에 오버코팅막(350)이 위치한다. 오버코팅막(350)은 기판(310) 전면과 중첩할 수 있다.
오버코팅막(350)은 적색 색변환층(330R), 녹색 색변환층(330G) 및 투과층(330B)의 일면을 평탄화시킬 수 있다. 오버코팅막(350)은 유기 물질을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않고 평탄화 기능을 할 수 있는 어떠한 물질도 가능하다.
오버코팅막(350)과 액정층(3) 사이에 제2 편광층(22)이 위치할 수 있다. 제2 편광층(22)은 전술한 와이어 그리드 편광자일 수 있다. 이하에서 구체적인 설명은 생략한다.
제2 편광층(22)과 액정층(3) 사이에 절연층(360), 공통 전극(370) 및 제2 배향막(21)이 위치한다.
절연층(360)은 금속 재질의 제2 편광층(22)과 공통 전극(370)을 절연시키는 층으로 제2 편광층(22)이 금속 재질이 아닌 경우 생략될 수 있다. 공통 전압을 인가받는 공통 전극(370)은 전술한 화소 전극(191)과 전계를 형성할 수 있다. 본 명세서는 공통 전극(370)이 화소 전극(191)과 서로 다른 표시판에 위치하는 구성을 기재하였으나, 이에 제한되지 않고 동일한 표시판에 포함될 수 있다.
액정층(3)은 박막 트랜지스터 표시판(100)과 색변환 표시판(300) 사이에 위치하며 복수의 액정 분자(31)를 포함한다. 액정 분자(31)들의 움직임 정도 등에 따라 라이트 유닛(500)으로부터 수신된 광의 투과도를 제어할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 균일한 형태의 제2 편광층(22)을 포함할 수 있으므로 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.
이하에서는 도 13 내지 도 20을 참조하여 실시예와 비교예에 따른 와이어 그리드 편광자용 몰드에 대해 살펴본다. 도 13은 실시예에 따른 디몰딩 포스(demolding force)를 나타낸 그래프이고, 도 14는 실시예 및 비교예에 따른 소프트 몰드의 표면 특성을 나타낸 그래프이고, 도 15는 실시예에 따른 하드 몰드의 표면 특성 변화를 나타낸 그래프이고, 도 16은 실시예에 따라 제조되는 와이어 그리드 편광자의 형태에 대한 그래프이고, 도 17, 도 18 및 도 19 각각은 실시예에 따라 제조된 와이어 그리드 편광자의 이미지이고, 도 20은 비교예에 따라 제조된 와이어 그리드 편광자의 이미지이다.
도 13에서 실시예 1은 상기 화학식 1로 표현되는 첨가제를 포함하는 소프트 몰드용 레진을 이용한 경우이고, 실시예 2는 상기 화학식 2로 표현되는 첨가제를 포함하는 소프트 몰드용 레진을 이용하는 경우이며, 실시예 3은 상기 화학식 3으로 표현되는 첨가제를 포함하는 소프트 몰드용 레진을 이용하는 경우이고, 실시예 4는 상기 화학식 4로 표현되는 첨가제를 포함하는 소프트 몰드용 레진을 이용하는 경우이다.
실시예들을 살펴보면 소프트 몰드를 제조하여 하드 몰드로부터 분리하는 과정에서 디몰딩 포스(demolding force)가 감소하는 것을 알 수 있다. 특히 첨가제를 포함함으로써 소프트 몰드와 하드 몰드 사이의 분리가 용이해짐은 물론 첨가제의 탄소 사슬 길이가 길어질수록 소프트 몰드와 하드 몰드 사이의 분리가 보다 용이함을 확인할 수 있다.
도 14를 참조하면 첨가제를 포함하지 않는 비교예 1의 경우 표면 에너지가 약 42 mN/m 수준이고, 초순수(DI)와의 접촉각이 약 80도임을 알 수 있다. 반면 첨가제를 포함하는 실시예의 경우 표면 에너지가 약 33 mN/m 이하 수준까지 감소하고 접촉각이 약 95도 이상임을 확인하였다. 비교예 1 대비 소수성을 나타내는 표면을 가짐을 알 수 있다.
또한 비교예 2의 경우 비교예 1의 소프트 몰드에 SAM 표면 처리를 실시한 몰드이다. 비교예 2의 경우 실시예에 따른 표면 에너지 및 접촉각과 동등 수준을 나타냈다. 일 실시예에 따른 몰드의 경우 별도의 SAM 표면 처리 없이도 표면 에너지가 낮으면서 이형력이 우수하여 접촉각이 큰 표면 특성을 나타냄을 알 수 있다.
도 15를 참조하면 하드 몰드의 경우 첨가제를 포함하지 않는 소프트 몰드를 제조 및 분리하고 난 이후 약 34도의 접촉각과 약 63 mN/m 의 표면 에너지를 나타냈다. 반면 첨가제를 포함하는 소프트 몰드를 제조 및 분리하고 난 이후의 하드 몰드는 표면 에너지가 약 45 mN/m 수준이고 접촉각이 약 61도 수준임을 확인하였다. 실시예에 따른 소프트 몰드를 제조하는 공정에서 첨가제가 하드 몰드 상에 층을 형성하여 하드 몰드가 SAM 표면 처리된 것과 같은 효과를 가지게 되기 때문이다. 하드 몰드와 소프트 몰드 사이의 이형력이 증가할 수 있음을 확인하였다.
도 16을 참조하여 일 실시예에 따른 소프트 몰드를 사용하여 제조한 와이어 그리드 편광자의 폭(CD) 및 높이(Height)를 설명한다.
소프트 몰드를 1회 사용한 경우 와이어 그리드 편광자가 포함하는 바(bar)의 평균 폭은 42.1nm이고, 평균 높이는 약 130.3nm이다. 소프트 몰드를 1회 사용하여 제조한 와이어 그리드 편광자는 도 17과 같은 이미지를 나타냈다. 소프트 몰드를 5회 사용한 경우 바의 평균 폭은 약 42.1nm이고 평균 높이는 약 127.9 nm이다. 소프트 몰드를 5회 사용하여 제조된 와이어 그리드 편광자는 도 18과 같은 이미지를 나타냈다. 또한 소프트 몰드를 20회 사용한 경우 바의 평균 폭은 약 41.0 nm이고 평균 높이는 약 127.0 nm이다. 20회 사용된 소프트 몰드로 제조된 와이어 그리드 편광자는 도 19와 같은 이미지를 나타냈다. 실시예에 따른 소프트 몰드는 복수회 사용되는 경우에도 제조되는 와이어 그리드 편광자의 형태가 거의 일정함을 확인할 수 있다.
반면 도 20에 나타난 바와 같이 비교예에 따른 하드 몰드 및 소프트 몰드를 사용하는 경우 반복 공정에 따른 내구성 및 이형력이 저하되어 소프트 몰드 자체의 요철이 손상되거나 와이어 그리드 편광자의 패턴이 손상됨을 알 수 있다.
하기 표 1은 실시예 및 비교예에 따라 소프트 몰드를 복수회 사용하는 각각의 공정에서 소프트 몰드를 분리하기 위해 필요한 힘(kgf)을 나타낸다.
1회 5회 20회
비교예 0.044 kgf 0.071 kgf 0.081 kgf
실시예 0.032 kgf 0.032 kgf 0.036 kgf
상기 표 1을 참조하면 본 발명의 실시예에 따른 경우 소프트 몰드에서 임프린트용 레진을 분리하는 힘은 소프트 몰드를 복수회 사용하는 동안에도 거의 증가하지 않음을 알 수 있다. 반면 비교예의 경우 1회 임프린트를 실시한 경우 약 0.044 kgf 정도의 이형력을 나타냈으나 복수회 반복하여 20회 정도 임프린트를 반복한 경우 약 0.081 kgf 수준의 이형력을 나타냄을 확인하였다. 2배 가까이 이형력이 증가하였으며 이에 따르면 소프트 몰드를 분리하는 과정에서 임프린트용 레진이 소프트 몰드에 잔류하는 문제 등이 발생할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
10: 하드 몰드
11: 본체
12: 산화막
13: SAM 층
20: 소프트 몰드
21: 기재
22: 요철부

Claims (20)

  1. 하드 몰드 및 소프트 몰드를 포함하는 와이어 그리드 편광자용 몰드에서,
    상기 하드 몰드는,
    본체,
    상기 본체 위에 위치하는 산화막 및
    상기 산화막 위에 위치하며 첨가제를 포함하는 SAM 층을 포함하고,
    상기 소프트 몰드는,
    기재 및
    중합된 이형제를 포함하는 요철부를 포함하고,
    상기 이형제에서 소수성을 나타내는 영역이 상기 요철부의 표면을 향하도록 배열되고,
    상기 첨가제는 하기 화학식 1 내지 화학식 4로 표현되는 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 와이어 그리드 편광자용 몰드:
    [화학식 1]
    [화학식 2]
    [화학식 3]
    [화학식 4]
    상기 n은 1 또는 2이다.
  2. 제1항에서,
    상기 첨가제는 친수성을 나타내는 제1 영역 및 소수성을 나타내는 제2 영역을 포함하는 와이어 그리드 편광자용 몰드.
  3. 제2항에서,
    상기 제1 영역은 상기 산화막에 인접하게 위치하고 상기 제2 영역은 상기 하드 몰드의 표면을 향하도록 배열된 와이어 그리드 편광자용 몰드.
  4. 제3항에서,
    상기 산화막은 친수성을 가지는 와이어 그리드 편광자용 몰드.
  5. 제1항에서,
    상기 본체는 실리콘산화물, 실리콘질화물 및 금속 중 적어도 하나를 포함하는 와이어 그리드 편광자용 몰드.
  6. 제1항에서,
    상기 요철부는 상기 첨가제를 포함하는 와이어 그리드 편광자용 몰드.
  7. 삭제
  8. 제1항에서,
    상기 이형제는 플루오로 카본 올리고머, 플루오로 카본 폴리머, 실록산 올리고머 및 실록산 폴리머 중 적어도 하나를 포함하는 와이어 그리드 편광자용 몰드.
  9. 제1항에서,
    상기 산화막과 상기 SAM 층은 물리적으로 결합된 와이어 그리드 편광자용 몰드.
  10. 하드 몰드용 본체를 준비하는 단계,
    상기 본체 위에 소프트 몰드용 레진을 도포하는 단계, 그리고
    상기 소프트 몰드용 레진을 경화 및 분리하여 소프트 몰드를 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 소프트 몰드용 레진은 이형제 및 첨가제를 포함하고,
    상기 첨가제는 상기 본체에 인접하게 배열되고 상기 이형제는 상기 첨가제에 의해 배열되며,
    상기 소프트 몰드를 분리하는 단계에서 상기 본체 상에 상기 첨가제를 포함하는 SAM 층이 형성되고,
    상기 첨가제는 하기 화학식 1 내지 화학식 4로 표현되는 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 와이어 그리드 편광자용 몰드의 제조 방법.
    [화학식 1]
    [화학식 2]
    [화학식 3]
    [화학식 4]
    상기 n은 1 또는 2이다.
  11. 제10항에서
    상기 본체 상에 산화막이 형성되는 단계를 더 포함하는 와이어 그리드 편광자용 몰드의 제조 방법.
  12. 제11항에서,
    상기 산화막의 표면은 친수성을 나타내는 와이어 그리드 편광자용 몰드의 제조 방법.
  13. 제11항에서,
    상기 첨가제는 친수성을 나타내는 제1 영역 및 소수성을 나타내는 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역은 상기 산화막의 표면에 인접하게 배열되는 와이어 그리드 편광자용 몰드의 제조 방법.
  14. 제11항에서,
    상기 이형제는 광 반응기를 포함하는 제1 영역 및 소수성을 나타내는 제2 영역을 포함하고,
    상기 이형제의 제2 영역은 상기 첨가제의 제2 영역에 인접하게 배열되는 와이어 그리드 편광자용 몰드의 제조 방법.
  15. 제10항에서,
    상기 이형제 및 상기 첨가제가 배열된 상태에서 상기 소프트 몰드용 레진을 경화하는 와이어 그리드 편광자용 몰드의 제조 방법.
  16. 제15항에서,
    상기 소프트 몰드용 레진을 경화하는 단계에서 상기 이형제가 포함하는 광 반응기가 중합 반응하는 와이어 그리드 편광자용 몰드의 제조 방법.
  17. 삭제
  18. 제10항에서,
    상기 첨가제는 반응기를 포함하지 않는 와이어 그리드 편광자용 몰드의 제조 방법.
  19. 제10항에서,
    상기 이형제는 플루오로 카본 올리고머, 플루오로 카본 폴리머, 실록산 올리고머 및 실록산 폴리머 중 적어도 하나를 포함하는 와이어 그리드 편광자용 몰드의 제조 방법.
  20. 제11항에서,
    상기 산화막과 상기 SAM 층은 물리적으로 결합된 와이어 그리드 편광자용 몰드의 제조 방법.
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