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KR102387787B1 - Organic light emitting diode display device and method for driving the same - Google Patents

Organic light emitting diode display device and method for driving the same Download PDF

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KR102387787B1 KR1020150119020A KR20150119020A KR102387787B1 KR 102387787 B1 KR102387787 B1 KR 102387787B1 KR 1020150119020 A KR1020150119020 A KR 1020150119020A KR 20150119020 A KR20150119020 A KR 20150119020A KR 102387787 B1 KR102387787 B1 KR 102387787B1
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안수지
이영학
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 유기 발광 소자의 열화 정보를 센싱하여 보정함에 있어서, 온도 오프셋을 보정하여 정확한 유기 발광 소자의 열화 정보를 산출하여 보상함으로써 유기 발광 소자의 수명 향상 및 균일한 휘도를 얻을 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것으로, 본 발명에 의한 유기 발광 표시 장치의 패널 구동부는, 가장 열화가 적게 일어난 화소의 유기 발광 소자의 열화 정보를 온도 오프셋으로 설정하고, 상기 온도 오프셋을 이용하여 각 유기 발광 소자의 열화 정보를 보정하고, 이를 이용하여 외부로부터 입력되는 영상 데이터를 보상한 보상된 데이터 전압을 생성하여 표시 패널로 공급한다.The present invention provides an organic light emitting display capable of improving the lifespan of an organic light emitting device and obtaining uniform luminance by correcting a temperature offset and calculating and compensating for accurate degradation information of the organic light emitting device when sensing and correcting degradation information of the organic light emitting device A device and a driving method thereof, wherein the panel driver of an organic light emitting diode display according to the present invention sets deterioration information of an organic light emitting element of a pixel with the least deterioration as a temperature offset, and uses the temperature offset to The information about deterioration of the light emitting device is corrected, and a compensated data voltage obtained by compensating for image data input from the outside is generated and supplied to the display panel.

Description

유기 발광 표시 장치 및 그 구동방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING THE SAME}Organic light emitting display device and driving method thereof

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로, 특히 발광 소자의 열화에 따른 외부 보상 시 온도에 의한 오보상을 보정하여 정확한 보상이 가능하도록 한 유기 발광 표시 장치 및 그 구동방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to an organic light emitting display device capable of correct compensation by correcting erroneous compensation due to temperature during external compensation due to deterioration of a light emitting device, and a driving method thereof.

다양한 정보를 화면으로 구현해 주는 영상 표시 장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로 더 얇고 더 가벼우며, 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 이에 음극선관(CRT)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 평판 표시 장치로 유기 발광층의 발광량을 제어하여 영상을 표시하는 유기 발광 표시 장치 등이 각광받고 있다.A video display device that implements various information on a screen is a key technology in the information and communication era, which is developing in the direction of thinner, lighter, portable and high-performance. Accordingly, as a flat panel display capable of reducing the weight and volume, which are disadvantages of a cathode ray tube (CRT), an organic light emitting display device that displays an image by controlling the emission amount of an organic light emitting layer is in the spotlight.

유기 발광 표시 장치는 다수의 화소들이 매트릭스 형태로 배열되어 화상을 표시하게 된다. 여기서, 각 화소는 발광 소자와, 그 발광 소자를 독립적으로 구동하는 다수의 트랜지스터로 이루어진 화소 구동 회로를 구비한다.In an organic light emitting diode display, a plurality of pixels are arranged in a matrix to display an image. Here, each pixel includes a pixel driving circuit including a light emitting element and a plurality of transistors independently driving the light emitting element.

종래의 유기 발광 표시 장치는 공정 편차 등의 이유로 화소마다 구동 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)과 이동도(mobility) 등의 특성 편차가 발생함으로써 발광 소자를 구동하는 전류량이 달라지고 이로 인해 화소간의 휘도 편차가 발생한다는 문제점이 있다.In the conventional organic light emitting display device, the amount of current driving the light emitting device varies due to the difference in characteristics such as the threshold voltage (Vth) and mobility of the driving transistor for each pixel due to process variation, etc. There is a problem that occurs.

그에 더하여, 종래의 유기 발광 표시 장치에서는 시간이 경과함에 따라 발광 소자가 열화한다. 즉 발광 소자의 전류-전압(I-V)특성은 시간이 경과함에 따라 열화한다. 이에 따라 구동 트랜지스터의 특성 커브와 발광 소자의 특성 커브의 교점인 동작점이 변동되며, 그에 따라 유기 발광 표시장치에는 잔상 또는 휘도 불균일이 발생하며, 휘도 저하로 인해 제품 수명이 저하되는 문제점이 있다.In addition, in the conventional organic light emitting diode display, the light emitting element deteriorates over time. That is, the current-voltage (I-V) characteristics of the light emitting device deteriorate over time. Accordingly, the operating point, which is the intersection of the characteristic curve of the driving transistor and the characteristic curve of the light emitting device, is changed, and accordingly, an afterimage or non-uniformity in luminance occurs in the organic light emitting display device, and the product lifespan is reduced due to the decrease in luminance.

상기 문제점을 해결하기 위하여, 구동 트랜지스터의 문턱전압을 검출하고, 검출된 문턱전압을 기반으로 그 화소에 인가될 데이터 전압을 보정하는 기술이 대한민국 공개특허공보 제10-2012-0061522호, 대한민국 공개특허공보 제10-2015-0003093호 등에 개시되어 있다.In order to solve the above problem, a technology of detecting a threshold voltage of a driving transistor and correcting a data voltage to be applied to the pixel based on the detected threshold voltage is disclosed in Korean Patent Laid-Open No. 10-2012-0061522, Korean Patent Laid-Open Patent Publication No. It is disclosed in Publication No. 10-2015-0003093 and the like.

그러나, 종래의 기술은 구동 트랜지스터의 문턱전압을 검출하는 것으로서 직접 발광 소자의 열화를 센싱할 수 없으므로, 유기 발광 소자의 정확한 열화 정보를 센싱하는 데에는 한계가 있었다.However, since the conventional technique cannot directly sense the deterioration of the light emitting device by detecting the threshold voltage of the driving transistor, there is a limit in sensing accurate deterioration information of the organic light emitting diode.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 발광 소자의 열화를 센싱하고, 이 때 최소 열화 화소의 열화 정보를 이용하여 온도 오프셋을 생성하고, 이를 발광 소자의 열화 정보에 적용하여 보정된 발광 소자 열화 정보를 생성하여, 발광 소자의 정확한 열화 보상을 가능하도록 하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.The present invention has been devised to solve the above-described problems, by sensing deterioration of a light emitting element, generating a temperature offset using deterioration information of the least deteriorated pixel, and applying this to the deterioration information of the light emitting element. It is an object to be solved by generating light emitting device degradation information to enable accurate deterioration compensation of the light emitting device.

상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 의한 유기 발광 표시 장치는, 센싱부에서 구동 트랜지스터의 문턱 전압 및 발광 소자의 특성을 센싱하고, 구동 트랜지스터 열화정보 생성부에서 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압 특성을 이용하여 구동 트랜지스터의 열화 정보를 생성하며, 발광 소자 열화정보 생성부에서는 상기 발광 소자의 특성을 이용하여 발광 소자의 열화 정보를 생성한다.In order to solve the above problems, in an organic light emitting display device according to the present invention, a sensing unit senses a threshold voltage of a driving transistor and characteristics of a light emitting device, and a driving transistor deterioration information generating unit uses the threshold voltage characteristics of the driving transistor to Deterioration information of the driving transistor is generated, and the light emitting device degradation information generating unit generates deterioration information of the light emitting device by using the characteristics of the light emitting device.

또한, 본 발명의 온도 오프셋 적용부는 상기 구동 트랜지스터의 열화 정보를 분석하여 최소 열화가 일어난 화소를 검출하고, 해당 화소의 발광 소자 열화 정보를 온도 오프셋으로 설정하여 전체 발광 소자 열화 정보에 온도 오프셋을 적용한다.In addition, the temperature offset applying unit of the present invention analyzes the deterioration information of the driving transistor to detect a pixel with minimal deterioration, sets the light emitting element deterioration information of the pixel as a temperature offset, and applies the temperature offset to the entire light emitting element deterioration information do.

데이터 보정부는 상기 온도 오프셋이 적용되어 보정된 발광 소자 열화 정보를 이용하여 각 화소에 공급하는 데이터 전압을 보정하여 표시 패널로 출력한다.The data compensator corrects the data voltage supplied to each pixel by using the light emitting device deterioration information corrected by applying the temperature offset to the display panel.

본 발명은 발광 소자의 열화 정보를 온도 오프셋을 이용하여 보정하므로, 정확한 발광 소자의 열화 정보를 얻을 수 있다.According to the present invention, since deterioration information of the light emitting element is corrected using a temperature offset, accurate deterioration information of the light emitting element can be obtained.

그에 따라 표시 패널로 출력되는 데이터 전압의 오보상을 방지하여 정확한 보상이 가능하고, 발광 소자의 수명이 개선되며, 신뢰성을 확보할 수 있다.Accordingly, accurate compensation is possible by preventing erroneous compensation of the data voltage output to the display panel, the lifespan of the light emitting device is improved, and reliability can be secured.

도 1은 본 발명에 의한 유기 발광 표시 장치를 상세히 설명하기 위한 예시도이다.
도 2는 본 발명의 화소를 설명하기 위한 예시도이다.
도 3은 데이터 구동부를 더욱 상세히 설명하기 위한 예시도이다.
도 4는 본 발명에 의한 타이밍 제어부를 더욱 상세히 설명하기 위한 예시도이다.
도 5는 본 발명에 의한 온도 오프셋 설정 방법을 설명하기 위해 도시한 것이다.
1 is an exemplary view for explaining in detail an organic light emitting diode display according to the present invention.
2 is an exemplary view for explaining a pixel of the present invention.
3 is an exemplary diagram for describing a data driver in more detail.
4 is an exemplary view for explaining the timing control unit according to the present invention in more detail.
5 is a diagram to explain a method for setting a temperature offset according to the present invention.

본 발명에 앞서, 출원인은 유기 발광 표시 장치에 구비된 발광 소자의 특성을 센싱하여 보상하는 기술을 대한민국 출원번호 제10-2014-0124850호에서 제안한 바 있다.Prior to the present invention, the applicant has proposed a technology for sensing and compensating the characteristics of a light emitting device included in an organic light emitting display device in Korean Application No. 10-2014-0124850.

유기 발광 소자의 특성을 센싱하여 보상하는 기술을 이용할 경우, 유기 발광 표시 장치 열화 정도를 감지하여 정확한 보정이 가능한 장점이 있다.When the technology for sensing and compensating the characteristics of the organic light emitting diode is used, there is an advantage in that the degree of deterioration of the organic light emitting diode display is detected and accurate correction is possible.

그런데, 발광 소자의 전류능력은 온도에 크게 영향을 받는다. 일반적으로 발광 소자의 전류능력은 온도가 상승함에 따라 향상되며, 그에 따라 발광 소자의 열화 보상시에 온도에 기인한 요소가 고려되지 않는다면 과보상 등의 오류를 일으키게 된다. 그 결과로서 표시 장치의 휘도 불균일 및 발광 소자의 수명 저하가 보상 전에 비하여 오히려 심화될 수 있는 문제가 발생한다.However, the current capability of the light emitting device is greatly affected by temperature. In general, the current capability of the light emitting device is improved as the temperature rises, and accordingly, if a factor due to temperature is not taken into account when compensating for deterioration of the light emitting device, errors such as overcompensation occur. As a result, there is a problem in that the non-uniformity of the luminance of the display device and the deterioration of the lifespan of the light emitting device may be more severe than before compensation.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 발광 소자의 열화 정보에 온도 오프셋을 적용하여 정확한 발광 소자의 열화 정보를 얻을 수 있도록 한 특징을 가진다.The present invention has been proposed to solve the above problem, and has a feature of applying a temperature offset to the deterioration information of the light emitting device to obtain accurate deterioration information of the light emitting device.

이하, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치 및 그 구동 방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a display device and a driving method thereof according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 의한 유기 발광 표시 장치를 상세히 설명하기 위한 예시도이다.1 is an exemplary view for explaining in detail an organic light emitting diode display according to the present invention.

도 1에 도시된 유기 발광 표시 장치는, 스캔 구동부(106)와 데이터 구동부(104)와, 타이밍 제어부(108)를 포함하는 패널 구동부와, 표시 패널(102)을 구비한다.The organic light emitting diode display illustrated in FIG. 1 includes a scan driver 106 , a data driver 104 , a panel driver including a timing controller 108 , and a display panel 102 .

스캔 구동부(106)는 타이밍 제어부(108)로부터의 스캔 제어 신호에 응답하여 표시 패널(102)에 형성된 스캔 라인(SL)에 하이 또는 로우 상태의 제 1 스캔 전압을, 센싱 제어 라인들(SSL)에 하이 또는 로우 상태의 제 2 스캔 전압을 공급한다.The scan driver 106 applies a high or low first scan voltage to the scan line SL formed on the display panel 102 in response to a scan control signal from the timing controller 108 and the sensing control lines SSL. A second scan voltage in a high or low state is applied to

데이터 구동부(104)는 타이밍 제어부(108)로부터의 제어 신호 및 감마 전압을 이용하여 디지털 보상 데이터를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하고, 변환된 아날로그 형태의 데이터 전압을 데이터 라인(DL)에 공급한다.The data driver 104 converts the digital compensation data into an analog data voltage using the control signal and the gamma voltage from the timing controller 108 , and supplies the converted analog data voltage to the data line DL. .

또한 데이터 구동부(104)는 센싱 기간 동안 레퍼런스 라인(RL)으로부터 공급되는 전압들을 감지하여 디지털 데이터로 변환한 제 1 센싱 데이터(SData1) 및 제 2 센싱 데이터(SData2)를 생성하여 타이밍 제어부(104)로 출력한다.In addition, the data driver 104 senses the voltages supplied from the reference line RL during the sensing period and generates the first sensing data SData1 and the second sensing data SData2 converted into digital data to generate the timing control unit 104 . output as

이 때 제 1 센싱 데이터(SData1)는 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 감지하여 디지털 데이터로 변환한 것이고, 제 2 센싱 데이터(SData2)는 발광 소자(OLED)의 애노드 전압 또는 문턱 전압을 감지하여 디지털 데이터로 변환한 것이다. 상기 센싱 데이터들에 대한 자세한 설명은 후술한다.At this time, the first sensing data SData1 senses the threshold voltage of the driving transistor and converts it into digital data, and the second sensing data SData2 detects the anode voltage or the threshold voltage of the light emitting device OLED and converts it into digital data. it has been converted A detailed description of the sensing data will be described later.

타이밍 제어부(108)는 스캔 구동부(2) 및 데이터 구동부(104)의 구동 타이밍을 제어하는 다수의 제어 신호를 생성한다. 여기서, 타이밍 제어부(108)에서 생성된 제어 신호들에는 스캔 구동부(2)의 구동 타이밍을 제어하기 위한 스캔 제어 신호와, 데이터 구동부(104)의 구동 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어 신호 등이 포함된다.The timing controller 108 generates a plurality of control signals for controlling driving timings of the scan driver 2 and the data driver 104 . Here, the control signals generated by the timing controller 108 include a scan control signal for controlling the driving timing of the scan driver 2 and a data control signal for controlling the driving timing of the data driver 104 . .

또한, 타이밍 제어부(108)는 데이터 구동부(104)로부터 입력되는 제 1 및 제 2 센싱 데이터(SData1, SData2)와 함께, 센싱 데이터들(SData1, SData2)을 기초로 결정되는 보상값들을 룩 업 테이블을 포함하는 메모리에 저장한다.In addition, the timing controller 108 obtains compensation values determined based on the sensing data SData1 and SData2 together with the first and second sensing data SData1 and SData2 input from the data driver 104 in a lookup table. stored in memory containing

그리고, 문턱 전압의 열화가 가장 적은 구동 트랜지스터가 위치한 화소를 최소 열화 화소로 설정하고, 이 화소에서의 발광 소자(OLED)의 동작점 또는 문턱 전압의 변화량을 온도 오프셋으로 설정한다.In addition, a pixel in which a driving transistor having the least deterioration of the threshold voltage is located is set as a pixel with the minimum deterioration, and an operating point of the light emitting element OLED or a change amount of the threshold voltage in the pixel is set as a temperature offset.

이후 타이밍 제어부(108)는 보상값들 및 온도 오프셋을 이용하여 외부로부터 입력되는 데이터를 가변하여 디지털 보상 데이터를 생성하고, 그 디지털 보상 데이터를 데이터 구동부(104)에 공급한다.Thereafter, the timing controller 108 generates digital compensation data by varying data input from the outside using the compensation values and the temperature offset, and supplies the digital compensation data to the data driver 104 .

도 2는 본 발명의 화소(P)를 설명하기 위한 예시도이다.2 is an exemplary view for explaining the pixel P of the present invention.

표시 패널(102)은 매트릭스 형태로 배치된 다수의 화소(P)들을 포함한다. 각 화소(P)들은 발광 소자(OLED)와, 이를 구동하는 다수의 트랜지스터를 포함하는 화소 구동 회로를 구비한다. 화소 구동 회로는 구동 트랜지스터(Tr_D), 스위칭 트랜지스터(Tr_Sw), 센싱 트랜지스터(Tr_Se) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다. 본 발명의 실시예에서는 3T1C 구조를 가지는 화소 구동 회로를 예를 들어 설명하고 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니며, 통상의 기술자가 필요에 따라 그 구조를 변경할 수 있다.The display panel 102 includes a plurality of pixels P arranged in a matrix form. Each pixel P includes a light emitting device OLED and a pixel driving circuit including a plurality of transistors driving the same. The pixel driving circuit includes a driving transistor Tr_D, a switching transistor Tr_Sw, a sensing transistor Tr_Se, and a storage capacitor Cst. In the exemplary embodiment of the present invention, a pixel driving circuit having a 3T1C structure is described as an example, but the present invention is not limited thereto, and a person skilled in the art may change the structure as needed.

스위칭 트랜지스터(TR1)는 각 화소의 스캔 라인(SL)에 게이트 전극이 접속되고, 데이터 라인(DL)에 소스 전극이 접속되고, 스토리지 커패시터(Cst)의 제 1 단자인 제 1 노드(n1)에 드레인 전극이 접속된다.The switching transistor TR1 has a gate electrode connected to the scan line SL of each pixel, a source electrode connected to the data line DL, and a first node n1 that is a first terminal of the storage capacitor Cst. A drain electrode is connected.

이에 따라, 스위칭 트랜지스터(TR1)는 각 화소의 스캔 라인(SL)로부터의 제 1 스캔 신호에 응답하여 데이터 라인(DL)로부터의 데이터 전압(Vdata)을 제 1 노드(n1)에 공급한다.Accordingly, the switching transistor TR1 supplies the data voltage Vdata from the data line DL to the first node n1 in response to the first scan signal from the scan line SL of each pixel.

구동 트랜지스터(TR2)는 제 1 노드(n1)에 게이트 전극이 접속되고, 고전위 구동 전압원(VDD)에 드레인 전극이 접속되고, 발광 소자(OLED)의 애노드 전극에 소스 전극이 접속된다.The driving transistor TR2 has a gate electrode connected to the first node n1 , a drain electrode connected to the high potential driving voltage source VDD, and a source electrode connected to the anode electrode of the light emitting device OLED.

이에 따라, 구동 트랜지스터(TR2)는 자신의 소스-게이트간 전압(Vgs) 즉, 고전위 전압원(VDD)과 제 1 노드(n1)사이에 걸리는 전압에 따라 발광 소자(OLED)에 흐르는 전류량을 조절한다.Accordingly, the driving transistor TR2 controls the amount of current flowing through the light emitting device OLED according to its source-gate voltage Vgs, that is, a voltage applied between the high potential voltage source VDD and the first node n1. do.

센싱 트랜지스터(TR3)는 각 화소의 센싱 제어 라인(SSL)에 게이트 전극이 접속되고, 제 2 노드(n2)에 소스 전극이 접속되고, 제 3 노드(n3)에 드레인 전극이 접속된다.The sensing transistor TR3 has a gate electrode connected to the sensing control line SSL of each pixel, a source electrode connected to the second node n2 , and a drain electrode connected to the third node n3 .

이에 따라, 센싱 트랜지스터(TR3)는 센싱 제어 라인(SSL)로부터의 제 2 스캔 신호에 응답하여 레퍼런스 라인(RL)으로부터의 프리차징 전압을 제 2 노드(n2)에 공급하거나, 센싱 기간 동안 발광 소자(OLED)의 애노드 전극의 전압 및 구동 트랜지스터(TR2)의 문턱 전압을 레퍼런스 라인(RL)에 공급한다.Accordingly, the sensing transistor TR3 supplies the precharging voltage from the reference line RL to the second node n2 in response to the second scan signal from the sensing control line SSL, or the light emitting device during the sensing period. The voltage of the anode electrode of the OLED and the threshold voltage of the driving transistor TR2 are supplied to the reference line RL.

스토리지 커패시터(Cst)는 제 1 노드(n1)에 제 1 단자가 접속되고, 제 2 노드(n2)에 제 2 단자가 접속된다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제 1 및 제 2 노드(n1, n2) 각각에 공급되는 전압들 간의 차전압을 충전하여 구동 트랜지스터(Tr_D)의 구동 전압(Vgs)으로 공급한다. 예를 들어, 스토리지 커패시터(Cst)는 제 1 및 제 2 노드(n1, n2) 각각에 공급되는 데이터 전압(Vdata)과 프리차징(Vpre) 간의 차전압을 충전한다.The storage capacitor Cst has a first terminal connected to a first node n1 and a second terminal connected to a second node n2 . The storage capacitor Cst charges a difference voltage between voltages supplied to each of the first and second nodes n1 and n2 and supplies it as the driving voltage Vgs of the driving transistor Tr_D. For example, the storage capacitor Cst charges a difference voltage between the data voltage Vdata supplied to each of the first and second nodes n1 and n2 and the precharging Vpre.

기준 커패시터(Cref)는 제 3 노드에 제 1 단자가 접속되고, 기저 전압원에 제 2 단자가 접속되고 레퍼런스 라인(RL)과 병렬로 접속된다. 기준 커패시터(Cref)는 센싱 기간 동안 턴온되는 센싱 트랜지스터(Tr_Se)를 통해 발광 소자(OLED)의 애노드 전극의 전압 또는 구동 트랜지스터(Tr_D)의 문턱 전압을 충전한다.The reference capacitor Cref has a first terminal connected to the third node, a second terminal connected to a base voltage source, and connected in parallel with the reference line RL. The reference capacitor Cref charges the voltage of the anode electrode of the light emitting device OLED or the threshold voltage of the driving transistor Tr_D through the sensing transistor Tr_Se that is turned on during the sensing period.

도 3은 데이터 구동부(104)를 더욱 상세히 설명하기 위한 예시도이다.3 is an exemplary diagram for explaining the data driver 104 in more detail.

본 발명에 의한 데이터 구동부(104)는 프리차징 트랜지스터(TR_Pre)와, 센싱부(114)와, 샘플링 트랜지스터(TR_Sam)와, 출력부(116)를 포함한다.The data driver 104 according to the present invention includes a precharging transistor TR_Pre, a sensing unit 114 , a sampling transistor TR_Sam, and an output unit 116 .

프리차징 트랜지스터(TR_Pre)는 초기화 기간 동안 타이밍 제어부(108)로부터 공급되는 프리차징 제어 신호에 응답하여 레퍼런스 라인(RL)에 프리차징 전압(Vpre)을 공급하여 레퍼런스 라인(RL)을 초기화한다.The precharging transistor TR_Pre initializes the reference line RL by supplying the precharging voltage Vpre to the reference line RL in response to the precharging control signal supplied from the timing controller 108 during the initialization period.

센싱부(114)는 센싱 기간 동안 레퍼런스 라인(RL)으로부터 구동 트랜지스터(TR2)의 문턱 전압 및 발광 소자(OLED)의 애노드 전압을 센싱하여 타이밍 제어부(108)로 출력한다.The sensing unit 114 senses the threshold voltage of the driving transistor TR2 and the anode voltage of the light emitting device OLED from the reference line RL during the sensing period and outputs the sensed values to the timing controller 108 .

이를 위하여, 센싱부(114)는 복수의 아날로그 디지털 변환부(ADC)를 구비하고, 상기 센싱된 구동 트랜지스터(TR2)의 문턱 전압을 디지털 신호로 변환한 제 1 센싱 데이터(SData1)와, 상기 센싱된 발광 소자(OLED)의 애노드 전압을 디지털 신호로 변환한 제 2 센싱 데이터(SData2)를 생성하여 타이밍 제어부(108)에 공급한다.To this end, the sensing unit 114 includes a plurality of analog-to-digital converters ADC, the first sensing data SData1 converted into a digital signal by converting the sensed threshold voltage of the driving transistor TR2 into a digital signal, and the sensing unit 114 . The second sensing data SData2 obtained by converting the anode voltage of the light emitting device OLED into a digital signal is generated and supplied to the timing controller 108 .

샘플링 트랜지스터(TR_Sam)는 센싱 기간 동안 타이밍 제어부(108)로부터 공급되는 센싱 제어 신호에 응답하여 레퍼런스 라인(RL)을 상기 센싱부(114)와 전기적으로 접속시킨다.The sampling transistor TR_Sam electrically connects the reference line RL to the sensing unit 114 in response to a sensing control signal supplied from the timing controller 108 during the sensing period.

출력부(116)는 발광 기간 동안 타이밍 제어부(108)로부터 공급되는 데이터 제어 신호에 응답하여 타이밍 제어부(108)로부터 입력되는 디지털 보상 데이터(R',G',B')를 복수의 디지털 아날로그 변환부(DAC)를 통해 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하고 변환된 아날로그 형태의 데이터 전압을 데이터 라인(DL)에 공급한다.The output unit 116 converts digital compensation data (R′, G′, B′) inputted from the timing control unit 108 into a plurality of digital analogs in response to a data control signal supplied from the timing control unit 108 during the light emission period. It is converted into an analog data voltage through the DAC, and the converted analog data voltage is supplied to the data line DL.

도 4는 본 발명에 의한 타이밍 제어부(108)를 더욱 상세히 설명하기 위한 예시도이다.4 is an exemplary diagram for explaining the timing control unit 108 according to the present invention in more detail.

타이밍 제어부(108)는 선택부(121), 구동 트랜지스터 열화 정보 생성부(130), 온도 오프셋 적용부(122), 발광 소자 열화 정보 생성부(123) 및 데이터 보정부(124)를 포함한다.The timing controller 108 includes a selection unit 121 , a driving transistor deterioration information generating unit 130 , a temperature offset applying unit 122 , a light emitting device deterioration information generating unit 123 , and a data correcting unit 124 .

선택부(121)는 센싱부(114)로부터 제 1 센싱 데이터(SData1)이 입력되면 이를 구동 트랜지스터 열화 정보 생성부(130)로 출력하고, 제 2 센싱 데이터(SData2)가 입력되면 이를 발광 소자 열화정보 생성부(123)로 출력한다.When the first sensing data SData1 is input from the sensing unit 114 , the selector 121 outputs it to the driving transistor deterioration information generation unit 130 , and when the second sensing data SData2 is input, it outputs the light emitting device deterioration The information is output to the information generating unit 123 .

구동 트랜지스터 열화 정보 생성부(130)는 구동 트랜지스터의 열화 정보를 생성하여 이를 저장한다.The driving transistor deterioration information generating unit 130 generates and stores deterioration information of the driving transistor.

이를 위하여, 구동 트랜지스터 열화 정보 생성부(130)는 제 1 센싱 데이터(SData1)를 입력받아 초기 구동 트랜지스터(Tr_D)의 문턱 전압 정보를 비교하여, 구동 트랜지스터의 열화 정보를 검출하는 구동 트랜지스터 열화 검출부(131)와, 구동 트랜지스터의 열화 정보를 저장하는 제 1 메모리(125)를 포함한다.To this end, the driving transistor degradation information generator 130 receives the first sensing data SData1 and compares threshold voltage information of the initial driving transistor Tr_D to detect the degradation information of the driving transistor. 131) and a first memory 125 that stores deterioration information of the driving transistor.

이 때 제 1 메모리(125)에는 초기 구동 트랜지스터(Tr_D)의 문턱 전압 정보를 미리 저장할 수 있다.At this time, threshold voltage information of the initial driving transistor Tr_D may be stored in the first memory 125 in advance.

발광 소자 열화정보 생성부(123)는 발광 소자(OLED)의 열화 정보를 생성하여 이를 저장함과 아울러 생성된 발광 소자(OLED)의 열화 정보를 온도 오프셋 적용부(122)로 출력한다.The light emitting device degradation information generating unit 123 generates and stores degradation information of the light emitting device OLED and outputs the generated degradation information of the light emitting device OLED to the temperature offset applying unit 122 .

이를 위하여 발광 소자 열화정보 생성부(123)는 제 2 센싱 데이터(SData2)를 입력받아 발광 소자(OLED)의 동작점 또는 문턱 전압을 산출하고, 초기 발광 소자(OLED)의 동작점 또는 문턱 전압과 비교하여 발광 소자(OLED)의 열화 정보를 생성하는 발광 소자 열화 검출부(128)와, 생성된 발광 소자(OLED)의 열화 정보를 저장하는 제 2 메모리(129)를 포함한다.To this end, the light emitting device degradation information generating unit 123 receives the second sensing data SData2 and calculates an operating point or threshold voltage of the light emitting device OLED, and the operating point or threshold voltage of the initial light emitting device OLED and It includes a light emitting device degradation detection unit 128 that compares and generates degradation information of the light emitting device OLED, and a second memory 129 that stores the generated degradation information of the light emitting device OLED.

이 때 제 2 메모리(129)에는 초기 발광 소자(OLED)의 동작점 또는 문턱 전압 정보를 미리 저장할 수 있다.In this case, information about the operating point or threshold voltage of the initial light emitting device OLED may be previously stored in the second memory 129 .

온도 오프셋 적용부(122)는 구동 트랜지스터(Tr_D)의 열화 정보 및 발광 소자(OLED)의 열화 정보를 입력받아 온도 오프셋을 생성하고, 발광 소자(OLED)의 열화 정보에 온도 오프셋을 적용하여 보정된 발광 소자(OELD)의 열화 정보를 생성하여 데이터 보정부(124)로 출력한다.The temperature offset applying unit 122 receives the deterioration information of the driving transistor Tr_D and the deterioration information of the light emitting element OLED to generate a temperature offset, and applies the temperature offset to the deterioration information of the light emitting element OLED to correct the temperature offset. Deterioration information of the light emitting device OELD is generated and output to the data correction unit 124 .

이를 위하여 온도 오프셋 적용부(122)는 제 1 메모리(125)로부터 구동 트랜지스터의 열화 정보를 입력받아 최소 열화 화소의 위치를 검출하는 최소 열화 화소 검출부(126)와, 발광 소자 열화 검출부(128)로부터 발광 소자(OLED)의 열화 정보를 입력받음과 아울러 최소 열화 화소 검출부(126)로부터 최소 열화 화소의 위치를 입력받고, 최소 열화 화소에서의 발광 소자(OLED)의 열화값을 온도 오프셋으로 설정하며, 입력되는 발광 소자(OELD)의 열화 정보에 상기 온도 오프셋을 적용하여 보정된 발광소자(OLED)의 열화 정보를 데이터 보정부(124)로 출력하는 온도 오프셋 보정부(127)를 포함한다.To this end, the temperature offset application unit 122 receives the deterioration information of the driving transistor from the first memory 125 and receives the minimum deterioration pixel detection unit 126 for detecting the position of the minimum deterioration pixel, and the light emitting element deterioration detection unit 128 . In addition to receiving deterioration information of the light emitting element OLED, receiving the position of the minimum deterioration pixel from the minimum deterioration pixel detection unit 126, and setting the deterioration value of the light emitting element OLED in the minimum deterioration pixel as a temperature offset, and a temperature offset correcting unit 127 for outputting deterioration information of the light emitting element OLED corrected by applying the temperature offset to the input deterioration information of the light emitting element OELD to the data corrector 124 .

데이터 보정부(124)는 구동 트랜지스터(Tr_D)의 열화 정보를 이용하여 보상 데이터를 생성하거나, 발광 소자(OLED)의 열화 정보를 이용하여 보상 데이터를 생성하여 데이터 구동부(104)로 출력한다.The data compensator 124 generates compensation data using degradation information of the driving transistor Tr_D or generates compensation data using degradation information of the light emitting device OLED and outputs the generated compensation data to the data driving unit 104 .

이를 위하여 데이터 보정부(124)는 구동 트랜지스터(Tr_D)의 열화 정보 및 발광 소자(OLED)의 열화 정보들을 기초로 결정되는 보상값들을 다수의 룩업테이블을 포함하는 메모리(미도시)에 저장할 수 있다.To this end, the data compensator 124 may store compensation values determined based on deterioration information of the driving transistor Tr_D and deterioration information of the light emitting device OLED in a memory (not shown) including a plurality of lookup tables. .

도 5는 본 발명에 의한 온도 오프셋의 생성 원리를 설명하기 위한 것이다.5 is for explaining the generation principle of the temperature offset according to the present invention.

유기 발광 표시 장치에서, 구동 트랜지스터(TR_D)의 구동 시간이 증가하여 그 열화 정도가 클수록 발광 소자(OLED)의 구동 시간도 함께 증가하여 발광 소자(OLED)의 열화 정도도 함께 증가한다.In the organic light emitting diode display, as the driving time of the driving transistor TR_D increases and the degree of degradation increases, the driving time of the light emitting device OLED also increases, and the degree of degradation of the light emitting device OLED also increases.

또한 구동 트랜지스터(TR_D)의 구동 시간이 짧아져 문턱 전압의 열화가 적을수록 발광 소자(OELD)의 구동 시간도 감소하여 발광 소자(OLED) 열화 또한 감소한다.In addition, as the threshold voltage deterioration is reduced because the driving time of the driving transistor TR_D is shortened, the driving time of the light emitting device OELD is also reduced, and thus the deterioration of the light emitting device OLED is also reduced.

상기 발광 소자(OLED)의 열화가 거의 일어나지 않았다면, 상기 발광 소자(OELD)의 동작점 또는 문턱 전압의 변화는 대부분 온도의 영향에 의해 발생한 것으로 볼 수 있다.If the light emitting device OLED hardly deteriorates, the change in the operating point or the threshold voltage of the light emitting device OLED may be considered to be mostly caused by the effect of temperature.

상기 특성을 이용하여, 본 발명에 의한 유기 발광 표시 장치는 도 5a 도 5b에 도시된 것과 같이, 발광 소자(OLED)의 열화가 가장 적은 화소의 동작점 또는 문턱 전압의 변화를 온도 오프셋으로 설정하고, 온도에 의한 발광 소자의 특성 변화를 필터링하여 오보상을 방지한다.Using the above characteristics, in the organic light emitting diode display according to the present invention, as shown in FIGS. 5A and 5B , an operating point or a change in threshold voltage of a pixel having the least deterioration of the light emitting element (OLED) is set as a temperature offset, , filter the characteristic change of the light emitting device due to temperature to prevent erroneous compensation.

이하로는, 본 발명에 의한 유기 발광 표시 장치의 구동 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of driving an organic light emitting diode display according to the present invention will be described.

본 발명은 발광 소자(OLED)의 열화를 센싱하기 전에, 먼저 구동 각 화소 구동 회로의 구동 트랜지스터(Tr_D)의 열화를 센싱하고 이를 보상할 수 있으며, 이 때 구동 트랜지스터(Tr_D)의 열화 정보는 제 1 메모리(125)에 저장된다.In the present invention, before sensing the deterioration of the light emitting device OLED, deterioration of the driving transistor Tr_D of each driving pixel driving circuit may be sensed and compensated for this. In this case, the deterioration information of the driving transistor Tr_D is first 1 is stored in the memory 125 .

구동 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하는 방법은 앞서 언급한 대한민국 공개특허공보 제10-2015-0003093호 등에 상세히 개시되어 있다.A method of sensing the threshold voltage of the driving transistor is disclosed in detail in the aforementioned Korean Patent Application Laid-Open No. 10-2015-0003093.

이를 도 2 및 도 3을 참조하여 간단히 설명하면 다음과 같다.This will be briefly described with reference to FIGS. 2 and 3 as follows.

초기화 기간 동안 스위칭 트랜지스터(Tr_Sw)를 턴 온시키고 데이터 전압(Vdata)을 인가하여 제 1 노드(n1)에 데이터 전압(Vdata)을 충전하고, 센싱 트랜지스터(Tr_Se)가 턴온되며, 센싱부(114)의 프리차징 트랜지스터(Tr_Pre)가 턴온되어 레퍼런스 라인(RL)에 프리차징 전압(Pre)이 공급되고, 샘플링 트랜지스터(Tr_Sam)는 턴오프된다.During the initialization period, the switching transistor Tr_Sw is turned on and the data voltage Vdata is applied to charge the data voltage Vdata in the first node n1 , the sensing transistor Tr_Se is turned on, and the sensing unit 114 . of the precharging transistor Tr_Pre is turned on, the precharging voltage Pre is supplied to the reference line RL, and the sampling transistor Tr_Sam is turned off.

그에 따라 제 2 노드(n2)에는 프리차징 전압(Vpre)이 충전되며, 초기화 기간 동안 제 2 노드(n2) 및 레퍼런스 라인(RL)은 프리차징 전압으로 초기화된다.Accordingly, the second node n2 is charged with the precharging voltage Vpre, and during the initialization period, the second node n2 and the reference line RL are initialized with the precharging voltage.

센싱 기간 동안 스위칭 트랜지스터(Tr_Sw)는 턴온 상태를 유지하며, 센싱 트랜지스터(Tr_Se)또한 여전히 턴온 상태를 유지한다. 그러나 프리차징 전압(Vpre)은 더 이상 제 2 노드(n2)에 공급되지 않으며, 제 2 노드(n2)는 플로팅 상태가 된다.During the sensing period, the switching transistor Tr_Sw maintains the turned-on state, and the sensing transistor Tr_Se also maintains the turned-on state. However, the pre-charging voltage Vpre is no longer supplied to the second node n2, and the second node n2 is in a floating state.

그러면 구동 트랜지스터(Tr_D)에 흐르는 전류에 의해 제 2 노드(n2)의 전압은 Vdata-Vth까지 상승하여 일정하게 유지된다.Then, the voltage of the second node n2 increases to Vdata-Vth by the current flowing through the driving transistor Tr_D and is maintained constant.

그 다음, 스위칭 트랜지스터(Tr_Sw) 및 센싱 트랜지스터(Tr_Se)는 턴온 상태를 유지하고, 센싱부(114)에 구비된 샘플링 트랜지스터(Tr_Sam)이 턴온되고, 프리차징 트랜지스터(Tr_Pre)는 턴오프된다.Then, the switching transistor Tr_Sw and the sensing transistor Tr_Se maintain a turned-on state, the sampling transistor Tr_Sam included in the sensing unit 114 is turned on, and the precharging transistor Tr_Pre is turned off.

그에 따라 센싱부(114)는 제 2 노드에 충전된 Vdata-Vth 값을 레퍼런스 라인(RL)을 통해 검출한다.Accordingly, the sensing unit 114 detects the Vdata-Vth value charged in the second node through the reference line RL.

제 1 노드(N1)에 인가한 데이터 전압(Vdata)은 이미 알고 있으므로, 이 때 데이터 전압(Vdata)과 제 2 노드에서 검출한 Vdata-Vth 전압을 이용하면 구동 트랜지스터(Tr_D)의 문턱 전압을 검출할 수 있다.Since the data voltage Vdata applied to the first node N1 is already known, the threshold voltage of the driving transistor Tr_D is detected using the data voltage Vdata and the Vdata-Vth voltage detected at the second node at this time. can do.

검출된 구동 트랜지스터(Tr_D)의 문턱 전압은 센싱부(114)에서 디지털 형태의 제 1 센싱 데이터(SData1)으로 변환되어 타이밍 제어부(108)로 출력된다.The detected threshold voltage of the driving transistor Tr_D is converted into digital first sensing data SData1 by the sensing unit 114 and output to the timing controller 108 .

타이밍 제어부(108)의 선택부(121)는 제 1 센싱 데이터(SData1)를 구동 트랜지스터 열화 검출부(131)로 출력한다.The selection unit 121 of the timing control unit 108 outputs the first sensing data SData1 to the driving transistor deterioration detection unit 131 .

구동 트랜지스터 열화 검출부(131)는 구동 트랜지스터(Tr_D)의 문턱 전압(Vth)의 열화 정보를 산출하여 이를 제 1 메모리(125)에 저장하며, 이를 데이터 보정부(124)로 출력할 수 있다.The driving transistor deterioration detection unit 131 may calculate deterioration information of the threshold voltage Vth of the driving transistor Tr_D, store it in the first memory 125 , and output it to the data corrector 124 .

데이터 보정부(124)는 발광 소자(OLED)의 애노드 전압 센싱을 수행하기에 앞서 상기 구동 트랜지스터(Tr_D)의 문턱 전압을 이용하여 데이터 전압(Vdata)값을 보정하는 것이 바람직하며, 그에 따라 더욱 정확한 발광 소자(OLED)의 애노드 전압값을 센싱할 수 있을 뿐 아니라, 유기 발광 표시 장치의 휘도 불균일 보상 또한 더욱 정확하게 이루어질 수 있다.It is preferable that the data corrector 124 corrects the data voltage Vdata by using the threshold voltage of the driving transistor Tr_D before performing the anode voltage sensing of the light emitting device OLED, and thus more accurate In addition to sensing the anode voltage value of the light emitting element OLED, the luminance non-uniformity compensation of the organic light emitting diode display may be more accurately performed.

발광 소자(OLED)의 애노드 전압을 센싱하기 위한 구동 방법은 앞서 언급한 대한민국 특허출원 제10-2014-0124850호 등에 상세히 기재되어 있으며, 이를 도 2 및 도 3을 참조하여 간단히 설명하면 다음과 같다.A driving method for sensing the anode voltage of a light emitting device (OLED) is described in detail in the aforementioned Korean Patent Application No. 10-2014-0124850, etc., which will be briefly described with reference to FIGS. 2 and 3 as follows.

초기화 기간(T1)에는 앞서 구동 트랜지스터(Tr_D)의 문턱 전압을 보상할 때의 초기화 기간(T1)과 동일하게 구동한다.In the initialization period T1, driving is performed in the same manner as in the initialization period T1 when the threshold voltage of the driving transistor Tr_D is previously compensated.

발광 소자(OLED)의 애노드 전압 센싱을 위해서는 앞서 언급한 바와 같이 구동 트랜지스터(Tr_D)의 문턱 전압(Vth)값을 보상한 데이터 전압(Vdata')을 각 화소 구동 회로에 공급하는 것이 바람직하다.For sensing the anode voltage of the light emitting device OLED, as described above, it is preferable to supply the data voltage Vdata' obtained by compensating the threshold voltage Vth of the driving transistor Tr_D to each pixel driving circuit.

이에 따라, 초기화 기간 동안 구동 트랜지스터(Tr_D)의 소스 전극 및 레퍼런스 라인(RL)은 프리차징 전압으로 초기화된다. 이 때, 스토리지 커패시터(Cst)에는 데이터 전압(Vdata')과 프리차징 전압(Vpre)의 차전압이 저장된다.Accordingly, during the initialization period, the source electrode and the reference line RL of the driving transistor Tr_D are initialized to the precharging voltage. At this time, the difference voltage between the data voltage Vdata' and the precharging voltage Vpre is stored in the storage capacitor Cst.

그 다음, 발광 기간(T2)에서는 스위칭 트랜지스터(Tr_Sw)와 센싱 트랜지스터(Tr_Se)는 턴오프되고, 센싱부(114)의 샘플링 트랜지스터(Tr_Sam)는 턴오프되고, 프리차징 트랜지스터(Tr_Pre)는 턴온된다.Next, in the light emission period T2 , the switching transistor Tr_Sw and the sensing transistor Tr_Se are turned off, the sampling transistor Tr_Sam of the sensing unit 114 is turned off, and the precharging transistor Tr_Pre is turned on. .

그에 따라, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압은 구동 트랜지스터(Tr_D)의 구동 전압(Vgs)으로 공급되며, 구동 트랜지스터(Tr_D)는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압(Vdata'-Vpre)에 의해 턴온되고, 발광 소자(OLED)에는 구동 전류가 공급되어 발광한다.Accordingly, the voltage stored in the storage capacitor Cst is supplied as the driving voltage Vgs of the driving transistor Tr_D, and the driving transistor Tr_D is turned on by the voltage Vdata′-Vpre stored in the storage capacitor Cst. and a driving current is supplied to the light emitting element OLED to emit light.

센싱 기간(T3)의 전반부에서는 스위칭 트랜지스터(Tr_Sw)와 프리차징 트랜지스터(Tr_Pre) 및 샘플링 트랜지스터(Tr_Sam)은 턴오프되고, 센싱 트랜지스터(Tr_Se)는 턴온되어, 레퍼런스 라인(RL)의 커패시터(Cref)는 제 2 노드의 전압(Vn2), 즉 애노드 전극의 전압을 충전한다.In the first half of the sensing period T3, the switching transistor Tr_Sw, the precharging transistor Tr_Pre, and the sampling transistor Tr_Sam are turned off, the sensing transistor Tr_Se is turned on, and the capacitor Cref of the reference line RL is turned on. Charges the voltage of the second node (Vn2), that is, the voltage of the anode electrode.

그 다음 센싱 기간(T3)의 후반부에서는 스위칭 트랜지스터(Tr_Sw), 프리차징 트랜지스터(Tr_Pre)는 턴오프되고, 센싱 트랜지스터(Tr_Se)는 턴온 상태를 유지하며, 샘플링 트랜지스터(Tr_Sam)가 턴온되어 레퍼런스 라인(RL)은 센싱부(114)와 연결된다.Next, in the second half of the sensing period T3, the switching transistor Tr_Sw and the precharging transistor Tr_Pre are turned off, the sensing transistor Tr_Se maintains a turned-on state, and the sampling transistor Tr_Sam is turned on to turn on the reference line ( RL) is connected to the sensing unit 114 .

그에 따라 센싱부(114)는 제 2 노드(N2)의 전압, 즉 발광 소자(OLED)의 발광시 애노드 전극의 전압(Vs)를 센싱함으로써 발광 소자(OELD)의 동작점을 계산할 수 있다.Accordingly, the sensing unit 114 may calculate the operating point of the light emitting device OELD by sensing the voltage of the second node N2 , that is, the voltage Vs of the anode electrode when the light emitting device OLED emits light.

센싱부(114)는 레퍼런스 라인(RL)의 전압, 즉 발광소자(OLED)의 발광시 애노드 전극에 공급되는 전압(Vs)을 센싱하고, 센싱된 전압(Vs)을 디지털 형태의 제 2 센싱 데이터(SData2)로 생성하여 타이밍 제어부(108)에 제공한다.The sensing unit 114 senses the voltage of the reference line RL, that is, the voltage Vs supplied to the anode electrode when the light emitting device OLED emits light, and uses the sensed voltage Vs as second sensing data in digital form. (SData2) and provided to the timing control unit 108.

출원인은 발광 소자(OLED)의 문턱 전압을 센싱하는 방법 또한 대한민국 특허출원 제10-2014-0124850호에서 제시한 바 있다. 이를 도 2 및 도 3을 참조하여 간략히 설명하면 다음과 같다.The applicant has also proposed a method of sensing the threshold voltage of a light emitting device (OLED) in Korean Patent Application No. 10-2014-0124850. This will be briefly described with reference to FIGS. 2 and 3 as follows.

먼저, 초기화기간(T1), 발광 기간(T2) 및 제 1 센싱 기간은 앞서 설명한 발광 소자(OLED)의 동작점을 센싱하는 때의 초기화 기간(T1), 발광 기간(T2) 및 센싱 기간(T3)와 동일하다.First, the initialization period T1, the light emission period T2, and the first sensing period are the initialization period T1, the light emission period T2, and the sensing period T3 when sensing the operating point of the light emitting device OLED. ) is the same as

제 2 센싱 기간(T4)의 전반부에서는 프리차징 트랜지스터(Tr_Pre) 및 샘플링 트랜지스터(T_Sam)은 모두 턴오프되도록 샘플링 제어 전압(Sam) 및 프리차징 제어 전압(Pre)는 모두 로우 상태를 유지한다.In the first half of the second sensing period T4, both the sampling control voltage Sam and the precharging control voltage Pre maintain a low state so that both the precharging transistor Tr_Pre and the sampling transistor T_Sam are turned off.

또한, 스위칭 트랜지스터(Tr_Sw) 및 센싱 트랜지스터(Tr_Se)는 턴 온되도록 하며, 턴온된 스위칭 트랜지스터(Tr_Sw)를 통해 데이터 라인(DL)에서는 블랙 데이터 전압이 구동 트랜지스터(Tr_D)의 게이트 전극에 공급되도록 한다.In addition, the switching transistor Tr_Sw and the sensing transistor Tr_Se are turned on, and the black data voltage is supplied to the gate electrode of the driving transistor Tr_D from the data line DL through the turned-on switching transistor Tr_Sw. .

그에 따라 구동 트랜지스터(Tr_D)는 턴오프되고, 제 1 노드(n1)의 전압은 낮아지며, 턴온된 센싱 트랜지스터(Tr_Se)를 통해 제 3 노드(n3)의 전압은 제 2 노드(n2)의 전압 레벨로 하강한다.Accordingly, the driving transistor Tr_D is turned off, the voltage of the first node n1 is lowered, and the voltage of the third node n3 is the voltage level of the second node n2 through the turned-on sensing transistor Tr_Se. descend to

이에 따라 레퍼런스 라인(RL)의 커패시터(Cref)에 충전된 전압은 발광 소자(OLED)의 문턱 전압(Vth)과 등전위가 될 때까지 저전압원(Vss)으로 방전된다.Accordingly, the voltage charged in the capacitor Cref of the reference line RL is discharged to the low voltage source Vss until it becomes equal to the threshold voltage Vth of the light emitting device OLED.

그 다음 제 2 센싱 기간(T4)의 후반부에서는, 샘플링 트랜지스터(Tr_Sam)가 턴온되어 레퍼런스 라인(RL)이 센싱부(114)와 연결되고, 센싱부(114)는 제 2 노드(n2)의 전압, 즉 발광 소자(OLED)의 비발광시 애노드 전극에 공급되는 전압(Vs)을 센싱함으로써 발광 소자(OLED)의 문턱 전압(Vth)을 계산할 수 있다.Next, in the second half of the second sensing period T4 , the sampling transistor Tr_Sam is turned on so that the reference line RL is connected to the sensing unit 114 , and the sensing unit 114 is connected to the voltage of the second node n2 . That is, the threshold voltage Vth of the light emitting device OLED may be calculated by sensing the voltage Vs supplied to the anode electrode when the light emitting device OLED does not emit light.

타이밍 제어부(108)의 선택부(121)는 상기 제 2 센싱 데이터(SData2)를 입력받아 이를 발광 소자 열화정보 생성부(123)로 출력하며, 발광 소자 열화정보 생성부(123)의 발광 소자 열화 검출부(128)는 제 2 센싱 데이터(SData2)를 이용하여 발광 소자(OLED)의 동작점 또는 문턱 전압의 변화를 나타내는 열화 데이터를 산출하고, 이를 제 2 메모리(129)에 저장한다.The selection unit 121 of the timing control unit 108 receives the second sensing data SData2 and outputs it to the light emitting device degradation information generating unit 123 , and the light emitting device deterioration of the light emitting device degradation information generating unit 123 . The detector 128 calculates deterioration data representing a change in the operating point or threshold voltage of the light emitting device OLED by using the second sensing data SData2 , and stores it in the second memory 129 .

이 때 발광 소자 열화 검출부(128)는 제 2 메모리(129)에 저장되어 있던 발광 소자(OLED)의 초기 동작점 또는 문턱 전압과 제 2 센싱 데이터(SData2)로서 검출된 발광 소자(OLED)의 동작점 또는 문턱 전압을 비교하여 발광 소자 열화 데이터를 산출하며, 이를 다시 제 2 메모리에 저장하는 한편, 이를 온도 오프셋 생성부(122) 및 온도 오프셋 적용부(130)로 출력한다.At this time, the light emitting device deterioration detection unit 128 detects the initial operating point or threshold voltage of the light emitting device OLED stored in the second memory 129 and the second sensing data SData2 of the operation of the light emitting device OLED. The light emitting device deterioration data is calculated by comparing the point or threshold voltage, and the data is again stored in the second memory and output to the temperature offset generator 122 and the temperature offset application unit 130 .

온도 오프셋 생성부(122)의 최소 열화화소 검출부(126)는 제 1 메모리(125)에 저장된 구동 트랜지스터(Tr_D)의 열화 정보를 참조하여 구동 트랜지스터(Tr_D)의 열화가 최소로 일어난 화소를 검출하여 그 위치 정보를 온도 오프셋 보정부(127)로 출력한다.The minimum deterioration pixel detection unit 126 of the temperature offset generator 122 detects a pixel in which the deterioration of the driving transistor Tr_D has occurred to a minimum by referring to deterioration information of the driving transistor Tr_D stored in the first memory 125 . The position information is output to the temperature offset correcting unit 127 .

온도 오프셋 보정부(127)는 구동 트랜지스터(Tr_D)의 열화가 최소로 일어난 화소의 발광 소자 열화 데이터를 이용하여, 이 때의 발광 소자의 열화에 의한 동작점의 변화를 온도 오프셋으로 설정한다.The temperature offset correcting unit 127 sets the change in the operating point due to the deterioration of the light emitting element at this time as the temperature offset using the light emitting element deterioration data of the pixel in which the deterioration of the driving transistor Tr_D is minimal.

그리고, 온도 오프셋 보정부(127)는 입력받은 발광 소자 열화 데이터에 온도 오프셋이 적용된 보정된 발광 소자 열화 데이터를 산출하고, 이를 데이터 보정부(124)로 출력한다.Then, the temperature offset correcting unit 127 calculates the corrected light emitting element deterioration data to which the temperature offset is applied to the received light emitting element deterioration data, and outputs it to the data correcting unit 124 .

데이터 보정부(124)는 발광 소자 열화 데이터에 근거하여 결정되는 보상값들을 다수의 룩업테이블을 포함하는 제 3 메모리(미도시)에 저장하고, 보상값들을 이용하여 외부로부터 입력되는 데이터를 가변하여 디지털 보상 데이터를 생성한 후 이를 데이터 구동부(104)로 공급한다.The data compensator 124 stores compensation values determined based on the light emitting device degradation data in a third memory (not shown) including a plurality of lookup tables, and uses the compensation values to vary data input from the outside. After generating digital compensation data, it is supplied to the data driver 104 .

데이터 구동부(104)는 타이밍 제어부(108)로부터의 제어 신호 및 감마 전압을 이용하여 디지털 보상 데이터를 아날로그 데이터 전압으로 변환하여 데이터 라인(DL)에 공급한다.The data driver 104 converts the digital compensation data into an analog data voltage using the control signal and the gamma voltage from the timing controller 108 and supplies it to the data line DL.

이상 설명한 것과 같이, 본 발명에 의한 유기 발광 표시 장치는 발광 소자(OLED)의 열화를 센싱할 때 온도 오프셋을 반영함으로써 발광 소자(OLED)의 열화 정도에 따른 보상값을 정확히 산출할 수 있다.As described above, the organic light emitting diode display according to the present invention can accurately calculate a compensation value according to the degree of deterioration of the light emitting element OLED by reflecting the temperature offset when sensing deterioration of the light emitting element OLED.

그에 따라 본 발명은 유기 발광 표시 장치의 휘도를 균일하게 하고, 발광 소자(OLED)의 수명이 향상되는 효과를 가진다.Accordingly, according to the present invention, the luminance of the organic light emitting diode display is made uniform and the lifespan of the light emitting device (OLED) is improved.

이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 명세서에 개시된 실시 예들은 본 발명을 한정하는 것이 아니다. 본 발명의 범위는 아래의 특허청구범위에 의해 해석되어야 하며, 그와 균등한 범위 내에 있는 모든 기술도 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석해야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the present invention, and various modifications may be made by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the specification of the present invention do not limit the present invention. The scope of the present invention should be construed by the following claims, and all technologies within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

102: 표시 패널 104: 데이터 구동부
106: 스캔 구동부 108: 타이밍 제어부
114: 센싱부 116: 출력부
121: 선택부 122: 온도 오프셋 적용부
123: 발광 소자 열화정보 생성부 124: 데이터 보정부
125: 제 1 메모리 126: 최소 열화화소 검출부
127: 온도 오프셋 보정부 128: 발광 소자 열화 검출부
129: 제 2 메모리 131: 구동 트랜지스터 열화 검출부
130: 구동트랜지스터 열화정보 생성부
102: display panel 104: data driver
106: scan driver 108: timing controller
114: sensing unit 116: output unit
121: selection unit 122: temperature offset application unit
123: light emitting element deterioration information generation unit 124: data correction unit
125: first memory 126: minimum deterioration pixel detection unit
127: temperature offset correcting unit 128: light emitting element deterioration detection unit
129: second memory 131: driving transistor deterioration detection unit
130: drive transistor deterioration information generation unit

Claims (6)

발광 소자와, 상기 발광 소자를 구동하는 화소 구동 회로를 가지는 다수의 화소를 포함하는 발광 표시 패널과,
상기 다수의 화소에 보상된 데이터 전압을 공급하며, 각 화소에 구비된 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하여 상기 각 화소의 구동 트랜지스터의 열화 정보를 생성하고, 상기 발광 소자의 동작점 또는 문턱 전압을 센싱하여 상기 발광 소자의 열화 정보를 생성하고, 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 열화가 가장 적은 최소 열화 화소의 발광 소자의 열화 정보를 기준으로 온도 오프셋을 설정한 후, 상기 각 화소에 위치하는 발광 소자 전체에 대한 발광 소자 열화 정보에 상기 온도 오프셋을 적용하여 상기 발광 소자에 대한 보상 데이터를 생성하는 패널 구동부를 포함한 유기 발광 표시 장치.
A light emitting display panel including a light emitting element and a plurality of pixels having a pixel driving circuit for driving the light emitting element;
A compensated data voltage is supplied to the plurality of pixels, a threshold voltage of a driving transistor provided in each pixel is sensed to generate deterioration information of a driving transistor of each pixel, and an operating point or a threshold voltage of the light emitting device is sensed to generate the degradation information of the light emitting device, and set a temperature offset based on the degradation information of the light emitting device of the least degraded pixel in which the threshold voltage of the driving transistor has the least degradation, and then the entire light emitting device positioned in each pixel An organic light emitting diode display including a panel driver configured to generate compensation data for the light emitting device by applying the temperature offset to the light emitting device deterioration information.
제 1 항에 있어서,
상기 패널 구동부는,
화소 각각에 구비된 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하여 제 1 센싱 데이터를 출력하거나, 상기 화소 각각에 구비된 발광 소자의 애노드 전압을 센싱하여 제 2 센싱 데이터를 출력하는 센싱부,
상기 제 1 센싱 데이터를 이용하여 상기 각 화소의 구동 트랜지스터의 열화 정보를 생성하는 구동 트랜지스터 열화정보 생성부,
상기 제 2 센싱 데이터를 이용하여 상기 각 발광 소자의 동작점 또는 문턱 전압의 열화 정보를 나타내는 발광 소자의 열화정보를 생성하는 발광 소자 열화정보 생성부,
상기 구동 트랜지스터의 열화 정보를 이용하여 구동 트랜지스터의 열화가 가장 적은 화소를 검출하고, 상기 구동 트랜지스터의 열화가 가장 적은 화소의 발광 소자의 열화정보를 온도 오프셋으로 생성하여, 상기 각 발광 소자의 열화 정보에 온도 오프셋을 적용하여 보정된 발광 소자 열화정보를 생성하는 온도 오프셋 적용부,
상기 구동 트랜지스터의 열화정보 및 상기 보정된 발광 소자 열화정보를 이용하여 상기 각 화소에 입력되는 데이터 전압을 보정하여 출력하는 데이터 보정부 및
상기 제 1 센싱 데이터를 상기 구동 트랜지스터 열화정보 생성부로 출력하고, 상기 제 2 센싱 데이터를 상기 발광 소자 열화정보 생성부로 출력하는 선택부를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
The method of claim 1,
The panel driver,
A sensing unit sensing a threshold voltage of a driving transistor provided in each pixel to output first sensing data, or sensing an anode voltage of a light emitting device provided in each pixel to output second sensing data;
a driving transistor degradation information generator configured to generate degradation information of the driving transistor of each pixel by using the first sensing data;
a light emitting device degradation information generating unit for generating degradation information of a light emitting device indicating degradation information of an operating point or threshold voltage of each of the light emitting devices by using the second sensing data;
A pixel with the least deterioration of the driving transistor is detected using the deterioration information of the driving transistor, and deterioration information of the light emitting element of the pixel with the least deterioration of the driving transistor is generated as a temperature offset, and deterioration information of each light emitting element A temperature offset applying unit that generates corrected light emitting device deterioration information by applying a temperature offset to the
a data correction unit for correcting and outputting a data voltage input to each pixel using the deterioration information of the driving transistor and the corrected light emitting element deterioration information;
and a selector configured to output the first sensed data to the driving transistor degradation information generator and output the second sensed data to the light emitting device degradation information generator.
제 2 항에 있어서,
상기 구동 트랜지스터 열화정보 생성부는,
상기 선택부로부터 상기 제 1 센싱 데이터를 입력받고, 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 초기값과 비교하여 문턱 전압의 열화 정보를 산출하는 구동 트랜지스터 열화 검출부, 및
상기 구동 트랜지스터 열화 검출부로 미리 저장된 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 초기값을 출력하고, 상기 산출된 문턱 전압의 열화 정보를 저장하는 제 1 메모리를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
3. The method of claim 2,
The driving transistor deterioration information generation unit,
a driving transistor deterioration detection unit receiving the first sensing data from the selection unit and calculating threshold voltage deterioration information by comparing it with an initial value of the threshold voltage of the driving transistor; and
and a first memory configured to output an initial value of the threshold voltage of the driving transistor stored in advance to the driving transistor deterioration detection unit, and store the calculated threshold voltage deterioration information.
제 3 항에 있어서,
상기 발광 소자 열화정보 생성부는,
상기 제 2 센싱 데이터를 입력받아 상기 발광 소자의 동작점 또는 문턱 전압의 초기값과 비교하여 발광 소자의 열화 정보를 산출하는 발광 소자 열화 검출부, 및
미리 저장된 상기 발광 소자의 동작점 또는 문턱 전압의 초기값을 상기 발광 소자 열화 검출부로 공급하고, 상기 산출된 발광 소자의 열화 정보를 저장하는 제 2 메모리를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
4. The method of claim 3,
The light emitting device deterioration information generation unit,
a light emitting device degradation detection unit receiving the second sensing data and comparing the second sensing data with an initial value of an operating point or threshold voltage of the light emitting device to calculate degradation information of the light emitting device; and
and a second memory configured to supply the previously stored initial value of the operating point or threshold voltage of the light emitting device to the light emitting device degradation detection unit and to store the calculated degradation information of the light emitting device.
제 4 항에 있어서,
상기 온도 오프셋 적용부는,
상기 제 1 메모리로부터 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 열화 정보를 공급받아 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 열화가 가장 적은 최소 열화 화소를 검출하는 최소 열화화소 검출부, 및
상기 발광 소자의 열화 정보와 상기 최소 열화 화소의 위치를 입력받아, 상기 최소 열화 화소의 발광 소자의 열화정보를 온도 오프셋으로 하여, 상기 온도 오프셋을 상기 전체 발광 소자의 열화 정보에 적용하여 보정된 발광 소자 열화정보를 생성하는 온도 오프셋 보정부를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
5. The method of claim 4,
The temperature offset application unit,
a minimum deterioration pixel detection unit receiving the threshold voltage deterioration information of the driving transistor from the first memory and detecting a minimum deterioration pixel in which the threshold voltage deterioration of the driving transistor is minimal; and
Light emission corrected by receiving the deterioration information of the light emitting element and the position of the least deterioration pixel, using the deterioration information of the light emitting element of the minimum deterioration pixel as a temperature offset, and applying the temperature offset to the deterioration information of all the light emitting elements An organic light emitting diode display including a temperature offset correcting unit configured to generate element deterioration information.
발광 소자와, 상기 발광 소자를 구동하는 화소 구동 회로를 가지는 다수의 화소를 포함하는 발광 표시 패널 및 상기 발광 표시 패널을 구동하는 패널 구동 회로를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법에 있어서,
상기 화소 구동 회로에 구비된 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하여 저장하는 단계,
상기 발광 소자의 문턱 전압 또는 동작점을 센싱하여, 상기 문턱 전압 또는 동작점의 초기값 대비 열화 정보인 발광 소자 열화정보를 산출하는 단계,
상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 열화가 가장 적은 최소 열화 화소를 검출하여, 상기 최소 열화 화소의 발광 소자의 문턱 전압 또는 동작점의 열화 정보를 검출하여 온도 오프셋으로 설정하는 단계,
상기 각 화소에 위치하는 발광 소자 전체에 대한 상기 발광 소자 열화 정보에 상기 온도 오프셋을 적용하여 보정된 발광 소자 열화정보를 생성하는 단계, 및
상기 보정된 발광 소자 열화정보를 이용하여 보정된 데이터 전압을 생성하고 이를 상기 각 화소에 공급하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.
A method of driving an organic light emitting display device comprising: a light emitting display panel including a light emitting device, a plurality of pixels having a pixel driving circuit for driving the light emitting device, and a panel driving circuit for driving the light emitting display panel, the method comprising:
sensing and storing a threshold voltage of a driving transistor provided in the pixel driving circuit;
Sensing the threshold voltage or operating point of the light emitting device, and calculating light emitting device degradation information that is deterioration information compared to an initial value of the threshold voltage or operating point;
detecting a minimum deterioration pixel in which the threshold voltage deterioration of the driving transistor is the least, and detecting deterioration information of a threshold voltage or an operating point of a light emitting element of the minimum deterioration pixel and setting a temperature offset;
generating corrected light emitting device degradation information by applying the temperature offset to the light emitting device degradation information for the entire light emitting device positioned in each pixel; and
A method of driving an organic light emitting display device for generating a corrected data voltage by using the corrected light emitting device degradation information and supplying it to each pixel.
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