KR102074675B1 - A evaporation source for deposition material - Google Patents
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Abstract
증착물질 증발장치가 개시된다. 본 발명의 증착물질 증발장치는, 내부에 증착물질이 수용되는 도가니유닛과, 도가니유닛에 인접하게 배치되며 도가니유닛을 가열하는 히팅유닛과, 히팅유닛에 인접하게 배치되며 히팅유닛에서 방사된 열을 상기 도가니유닛으로 반사하는 열반사유닛을 포함하며, 열반사유닛은, 열을 반사하는 반사면적이 가변되는 반사면적 가변형 열반사유닛을 포함한다.A vapor deposition apparatus is disclosed. The evaporation material evaporation apparatus of the present invention, the crucible unit that accommodates the deposition material therein, a heating unit disposed adjacent to the crucible unit and heating the crucible unit, and disposed adjacent to the heating unit and heat radiated from the heating unit And a heat reflection unit reflecting to the crucible unit, wherein the heat reflection unit includes a reflection area variable heat reflection unit having a reflection area for reflecting heat.
Description
본 발명은, 증착물질 증발장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 열반사면적이 가변되는 반사판을 이용하여 도가니유닛에 전달되는 열량을 조절할 수 있는 증착물질 증발장치에 관한 것이다.The present invention relates to an evaporation material evaporation apparatus, and more particularly, to an evaporation material evaporation apparatus capable of controlling the amount of heat transferred to the crucible unit by using a reflecting plate having a variable heat reflection area.
정보 통신 기술의 비약적인 발전과 시장의 팽창에 따라 디스플레이 소자로 평판표시소자(Flat Panel Display)가 각광 받고 있다.With the rapid development of information and communication technology and the expansion of the market, flat panel displays have been in the spotlight as display devices.
이러한 평판표시소자에는 액정표시장치(Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이장치(Plasma Display Panel), 유기발광다이오드 디스플레이(Organic Light Emitting Diode Display) 등이 있다.Such flat panel display devices include liquid crystal displays, plasma display panels, and organic light emitting diode displays.
이 중에서 유기발광다이오드 디스플레이(OLED display)는, 빠른 응답속도, 기존의 액정표시장치(LCD)보다 낮은 소비 전력, 경량성, 별도의 백라이트(back light) 장치가 필요 없어서 초박형으로 만들 수 있는 점, 고휘도 등의 매우 좋은 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이 소자로 각광받고 있다.Among these, OLED displays have a fast response speed, lower power consumption than conventional LCDs, low weight, and no need for a separate back light device. It is very popular as a next generation display device because it has very good advantages such as high brightness.
유기발광다이오드 디스플레이(OLED display)는 구동방식에 따라 수동형인 PMOLED와 능동형인 AMOLED로 나눌 수 있다. 특히 AMOLED는 자발광형 디스플레이로서 기존의 디스플레이보다 응답속도가 빠르며, 색감도 자연스럽고 전력 소모가 적다는 장점이 있다. 또한 AMOLED는 기판이 아닌 필름(Film) 등에 적용하면 플렉시블 디스플레이(Flexible Display)의 기술을 구현할 수 있게 된다.OLED display can be divided into passive PMOLED and active AMOLED depending on the driving method. In particular, AMOLED is a self-luminous display, which has a faster response speed than conventional displays, has a natural color, and consumes less power. In addition, AMOLED can be applied to a film, not a substrate, to implement a technology of flexible display.
이러한 유기발광다이오드 디스플레이(OLED display)는 패턴(Pattern) 형성 공정, 유기박막 증착 공정, 에칭 공정, 봉지 공정, 그리고 유기박막이 증착된 기판과 봉지 공정을 거친 기판을 붙이는 합착 공정 등을 통해 제품으로 생산될 수 있다.The organic light emitting diode display (OLED display) is a product through a pattern forming process, an organic thin film deposition process, an etching process, an encapsulation process, and a bonding process for attaching a substrate on which an organic thin film is deposited and a substrate that has undergone an encapsulation process. Can be produced.
이러한 유기발광다이오드 디스플레이(OLED display)에 사용되는 유기전계발광소자는 기판 위에 양극 막, 유기 박막, 음극 막을 순서대로 입히고, 양극과 음극 사이에 전압을 걸어줌으로써 적당한 에너지의 차이가 유기 박막에 형성되어 스스로 발광하는 원리이다.In the organic light emitting display device used in the organic light emitting diode display (OLED display), an anode film, an organic thin film, and a cathode film are sequentially coated on a substrate, and an appropriate energy difference is formed on the organic thin film by applying a voltage between the anode and the cathode. It is a principle that emits light by itself.
다시 말해, 주입되는 전자와 정공(hole)이 재결합하며, 남는 여기 에너지가 빛으로 발생되는 것이다. 이때 유기 물질의 도펀트의 양에 따라 발생하는 빛의 파장을 조절할 수 있으므로 풀 칼라(full color)의 구현이 가능하다.In other words, the injected electrons and holes are recombined, and the remaining excitation energy is generated as light. In this case, since the wavelength of light generated according to the amount of the dopant of the organic material may be adjusted, full color may be realized.
도 1은 유기전계발광소자의 구조도이다. 이 도면에 도시된 바와 같이, 유기전계발광소자는 기판 상에 애노드(anode), 정공 주입층(hole injection layer), 정공 운송층(hole transfer layer), 발광층(emitting layer), 정공 방지층(hole blocking layer), 전자 운송층(electron transfer layer), 전자 주입층(electron injection layer), 캐소드(cathode) 등의 막이 순서대로 적층되어 형성된다.1 is a structural diagram of an organic light emitting display device. As shown in the figure, the organic light emitting display device has an anode, a hole injection layer, a hole transfer layer, an emitting layer, a hole blocking layer on a substrate. A layer, an electron transfer layer, an electron injection layer, a cathode, and the like are sequentially stacked.
이러한 구조에서 애노드로는 면 저항이 작고 투과성이 좋은 ITO(Indium Tin Oxide)가 주로 사용된다. 그리고 유기 박막은 발광 효율을 높이기 위하여 정공 주입층, 정공 운송층, 발광층, 정공 방지층, 전자 운송층, 전자 주입층의 다층으로 구성된다. 발광층으로 사용되는 유기물질은 Alq3, TPD, PBD, m-MTDATA, TCTA 등이 있다. In this structure, ITO (Indium Tin Oxide) having a small surface resistance and good permeability is mainly used as the anode. The organic thin film is composed of a multilayer of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in order to increase luminous efficiency. Organic materials used as the light emitting layer include Alq3, TPD, PBD, m-MTDATA, TCTA and the like.
캐소드로는 LiF-Al 금속막이 사용된다. 그리고 유기 박막이 공기 중의 수분과 산소에 매우 약하므로 소자의 수명(life time)을 증가시키기 위해 봉합하는 봉지막이 최상부에 형성된다.As the cathode, a LiF-Al metal film is used. In addition, since the organic thin film is very weak to moisture and oxygen in the air, an encapsulation film is formed on the top to increase the life time of the device.
도 1에 도시된 유기전계발광소자를 다시 간략하게 정리하면, 유기전계발광소자는 애노드, 캐소드, 그리고 애노드와 캐소드 사이에 개재된 발광층을 포함하며, 구동 시 정공은 애노드로부터 발광층 내로 주입되고, 전자는 캐소드로부터 발광층 내로 주입된다. 발광층 내로 주입된 정공과 전자는 발광층에서 결합하여 엑시톤(exciton)을 생성하고, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 전이하면서 빛을 방출하게 된다.To summarize the organic electroluminescent device shown in FIG. 1 again, the organic electroluminescent device includes an anode, a cathode, and a light emitting layer interposed between the anode and the cathode, and when driven, holes are injected from the anode into the light emitting layer, Is injected from the cathode into the light emitting layer. Holes and electrons injected into the light emitting layer combine in the light emitting layer to generate excitons, and the excitons emit light as they transition from the excited state to the ground state.
이러한 유기전계발광소자는 구현하는 색상에 따라 단색 또는 풀 칼라(full color) 유기전계발광소자로 구분될 수 있는데, 풀 칼라 유기전계발광소자는 빛의 삼원색인 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 별로 패터닝된 발광층을 구비함으로써 풀 칼라를 구현한다.The organic light emitting diodes may be classified into monochromatic or full color organic light emitting diodes according to the color to be implemented. The full color organic light emitting diodes are red (R), green (G), and three primary colors of light. Full color is realized by providing a light emitting layer patterned for each blue (B).
풀 칼라(full color)를 구현하기 위해서는 발광층을 패터닝해야 하는데, 대형 유기발광다이오드 디스플레이(OLED display)를 제작하는 방식으로는 FMM(Fine Metal Mask, 이하 마스크라 함)을 이용한 직접 패터닝 방식과 LITI(Laser Induced Thermal Imaging) 공법을 적용한 방식, 컬러 필터(color filter)를 이용하는 방식 등이 있다.In order to realize full color, the light emitting layer must be patterned. In order to manufacture a large OLED display, a direct patterning method using a FMM (Fine Metal Mask) and a LITI ( Laser Induced Thermal Imaging, and a color filter.
도 1과 같은 구조의 유기전계발광소자를 만들기 위해 증착물질을 증발시키는 증착물질 증발장치가 사용된다.A deposition material evaporation apparatus for evaporating the deposition material is used to make the organic light emitting device having a structure as shown in FIG.
이러한 증착물질 증발장치는 내부 압력이 대기압보다 낮은 상태의 진공 챔버 내부에 위치한다. 이러한 진공 분위기에서 열원을 통해 증착물질을 증발될 수 있는 온도까지 가열하여 기판에 증착물질을 증착한다.This vapor deposition apparatus is located inside the vacuum chamber with an internal pressure lower than atmospheric pressure. In such a vacuum atmosphere, a deposition material is deposited on a substrate by heating the deposition material to a temperature that can be evaporated through a heat source.
이러한 종래기술에 따른 증착물질 증발장치는, 상부에 개구부가 형성된 통 형상으로 마련되며 내부에 증착물질이 수용되는 도가니와, 도가니에 열을 공급하여 도가니를 가열하는 발열체와, 발열체에서 방사된 열을 도가니를 열반사하는 반사판을 구비한다. The vapor deposition material evaporation apparatus according to the prior art is provided in a cylindrical shape having an opening formed in the upper portion, a crucible in which the deposition material is accommodated therein, a heating element supplying heat to the crucible, and a heat radiated from the heating element. The reflector which heat-reflects a crucible is provided.
이러한 종래기술에 따른 증발방치에서 도가니의 전달되는 열량이 적어 개구부 주위의 온도가 낮으면 개구부가 막히는 클로깅(clogging) 현상이 발생되고, 도가니에 전달되는 열량이 많아 개구부 주위의 온도가 높으면 용융된 증착물질이 개구부로 분출하는 크리핑(creeping) 현상이 발생된다.In the evaporation process according to the prior art, the amount of heat delivered to the crucible is low, so that the temperature around the opening is low, thereby causing clogging, and the amount of heat delivered to the crucible is high. Creeping phenomenon occurs in which the deposition material is ejected into the openings.
증착공정 중에 이러한 클로깅(clogging) 및 크리핑(creeping) 현상이 발생되는 것을 방지하기 위해 도가니의 온도는 적절하게 조절되어야 하는데, 도가니의 온도를 조절하기 위해 발열체에서 방사되는 열량을 가변시키는 것은 용이하지 않으며, 설사 발열체에서 방사되는 열량을 가변시키더라도 도가니의 온도를 국부적으로 상이하게 하는 것이 용이하지 않은 문제점이 있다. The temperature of the crucible must be properly adjusted to prevent such clogging and creeping from occurring during the deposition process. It is not easy to vary the amount of heat emitted from the heating element to control the temperature of the crucible. In addition, there is a problem that it is not easy to locally vary the temperature of the crucible even if the amount of heat radiated from the heating element is varied.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 발열체에서 방사되는 열량을 가변시키지 않으면서도 도가니의 온도를 조절할 수 있으며, 더 나아가 도가니의 온도를 국부적으로 상이하게 할 수 있는 증착물질 증발장치를 제공하는 것이다.Therefore, the technical problem to be achieved by the present invention is to provide a vapor deposition material evaporation apparatus that can adjust the temperature of the crucible without changing the amount of heat radiated from the heating element, and further can locally vary the temperature of the crucible.
본 발명의 일 측면에 따르면, 내부에 증착물질이 수용되는 도가니유닛; 상기 도가니유닛에 인접하게 배치되며, 상기 도가니유닛을 가열하는 히팅유닛; 및 상기 히팅유닛에 인접하게 배치되며, 상기 히팅유닛에서 방사된 열을 상기 도가니유닛으로 반사하는 열반사유닛을 포함하며, 상기 열반사유닛은, 상기 열을 반사하는 반사면적이 가변되는 반사면적 가변형 열반사유닛을 포함하는 증착물질 증발장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a crucible unit having a deposition material contained therein; A heating unit disposed adjacent to the crucible unit and heating the crucible unit; And a heat reflection unit disposed adjacent to the heating unit and reflecting heat radiated from the heating unit to the crucible unit, wherein the heat reflection unit has a variable reflection area having a variable reflection area reflecting the heat. A vapor deposition material evaporation apparatus including a heat reflection unit may be provided.
상기 반사면적 가변형 열반사유닛은, 상기 도가니유닛에 대해 이격되어 배치되며, 내측 반사부용 절개공이 형성된 내측 반사부; 및 상기 도가니유닛을 기준으로 상기 내측 반사부보다 상기 도가니유닛에 대하여 더 멀리 이격되어 배치되며, 외측 반사부용 절개공이 형성된 외측 반사부를 포함할 수 있다.The reflection area variable heat reflection unit may include: an inner reflection part disposed to be spaced apart from the crucible unit and having a cutout for the inner reflection part; And an outer reflector disposed farther with respect to the crucible unit than the inner reflector based on the crucible unit, and having an incision hole for forming an outer reflector.
상기 내측 반사부 및 상기 외측 반사부 중 적어도 어느 하나는 상기 다른 하나에 대해 상대회전 가능하게 연결될 수 있다.At least one of the inner reflector and the outer reflector may be connected to the other side so as to be relatively rotatable.
상기 내측 반사부는, 내부가 중공되며, 미리 결정된 내경을 가지는 원통 형상으로 마련되며, 상기 외측 반사부는, 내부가 중공되며, 상기 내측 반사부의 내경보다 큰 내경을 가지는 원통 형상으로 마련되고, 상기 도가니유닛은 상기 내측 반사부의 내부에 배치되며, 상기 내측 반사부는 상기 외측 반사부의 내부에 배치될 수 있다.The inner reflection part is provided in a cylindrical shape having a hollow inside and having a predetermined inner diameter, and the outer reflection part is provided in a cylindrical shape having a hollow inside and larger than an inner diameter of the inner reflection part, and the crucible unit May be disposed in the inner reflector, and the inner reflector may be disposed in the outer reflector.
상기 내측 반사부용 절개공은 다수개로 마련되며, 다수개의 내측 반사부용 절개공은 내측 반사부의 둘레방향을 따라 미리 결정된 간격만큼 이격되어 배치되며, 상기 외측 반사부용 절개공은 다수개로 마련되며, 다수개의 외측 반사부용 절개공은 외측 반사부의 둘레방향을 따라 미리 결정된 간격만큼 이격되어 배치될 수 있다.The inner reflecting portion is provided with a plurality of cutouts, the plurality of inner reflecting portion is disposed in the spaced apart by a predetermined interval along the circumferential direction of the inner reflector, the outer reflecting portion is provided with a plurality, The cutting holes for the outer reflector may be spaced apart by a predetermined interval along the circumferential direction of the outer reflector.
상기 내측 반사부용 절개공은, 상기 내측 반사부의 상부 영역에 마련되는 상부 내측 반사부용 절개공; 및 상기 내측 반사부의 하부 영역에 마련되는 하부 내측 반사부용 절개공을 포함할 수 있다.The inner reflector cutting hole may include: an upper inner reflector cutting hole provided in an upper region of the inner reflector; And a cutout hole for a lower inner reflector provided in a lower region of the inner reflector.
상기 상부 내측 반사부용 절개공들과 상기 하부 내측 반사부용 절개공들 중 적어도 어느 하나는, 상기 내측 반사부의 가상의 중심 축선에 대해 상호 어긋나게 배치될 수 있다.At least one of the upper inner reflector cutouts and the lower inner reflector cutouts may be disposed to be offset from each other with respect to a virtual center axis of the inner reflector.
상기 하부 내측 반사부용 절개공들 중 어느 하나의 하부 내측 반사부용 절개공과 상기 내측 반사부의 가상의 중심 축선에 나란하게 위치하고 인접한 상기 상부 내측 반사부용 절개공을 지나가는 가상의 직선과의 최단거리는, 다른 하나의 하부 내측 반사부용 절개공과 상기 내측 반사부의 가상의 중심 축선에 나란하게 위치하고 인접한 다른 상기 상부 내측 반사부용 절개공을 지나가는 가상의 직선과의 최단거리와 상이할 수 있다.The shortest distance between the lower inner reflector cutout of any one of the lower inner reflector cutouts and an imaginary straight line passing parallel to the upper inner reflector cutout located adjacent to the virtual central axis of the inner reflector, It may be different from the shortest distance between the lower inner reflector incision hole and the virtual straight line passing parallel to the other inner inner reflector incision hole located parallel to the virtual center axis of the inner reflector.
상기 외측 반사부용 절개공은, 상기 외측 반사부의 상부 영역에 마련되는 상부 외측 반사부용 절개공; 및 상기 외측 반사부의 하부 영역에 마련되는 하부 외측 반사부용 절개공을 포함할 수 있다.The outer reflector cutout may include an upper outer reflector cutout provided in an upper region of the outer reflector; And a cutout hole for a lower outer reflector provided in a lower region of the outer reflector.
상기 상부 외측 반사부용 절개공들과 상기 하부 외측 반사부용 절개공들 중 적어도 어느 하나는, 상기 외측 반사부의 가상의 중심 축선에 대해 상호 어긋나게 배치될 수 있다.At least one of the cutouts for the upper outer reflector and the cutouts for the lower outer reflector may be disposed to be offset from the virtual center axis of the outer reflector.
상기 하부 외측 반사부용 절개공들 중 어느 하나의 하부 외측 반사부용 절개공과 상기 외측 반사부의 가상의 중심 축선에 나란하게 위치하고 인접한 상기 상부 외측 반사부용 절개공을 지나가는 가상의 직선과의 최단거리는, 다른 하나의 하부 외측 반사부용 절개공과 상기 외측 반사부의 가상의 중심 축선에 나란하게 위치하고 인접한 다른 상기 상부 외측 반사부용 절개공을 지나가는 가상의 직선과의 최단거리와 상이할 수 있다.The shortest distance between the lower outer reflector cutout of any one of the lower outer reflector cuts and an imaginary straight line passing along the virtual center axis of the outer reflector and adjacent to the upper outer reflector cutout adjacent to each other, It may be different from the shortest distance from the cutout for the lower outer reflecting portion of the and the imaginary straight line that is located parallel to the virtual center axis of the outer reflecting portion and passing through the other upper outer reflecting cutout.
상기 내측 반사부용 절개공은, 적어도 하나 이상으로 마련되어 상기 내측 반사부의 길이 방향을 따라 이격되어 배치되는 제1 단위 내측 반사부용 절개공; 및 적어도 하나 이상으로 마련되어 상기 내측 반사부의 길이 방향을 따라 이격되어 배치되며, 상기 제1 단위 내측 반사부용 절개공에 대해 상기 내측 반사부의 둘레 방향으로 미리 결정된 간격만큼 이격되어 배치되는 제2 단위 내측 반사부용 절개공을 포함하되, 상기 제1 단위 내측 반사부용 절개공과 상기 제2 단위 내측 반사부용 절개공의 개수는 서로 상이할 수 있다.The inner reflector cutoff hole may include at least one cutout hole for the first unit inner reflector that is spaced apart along the longitudinal direction of the inner reflector; And a second unit inner reflection provided at least one spaced apart along the longitudinal direction of the inner reflector and spaced apart by a predetermined interval in a circumferential direction of the inner reflector with respect to the cutout for the first unit inner reflector. Including a bouillon cutting hole, the number of the first unit inner reflector cutout hole and the second unit inner reflector cutout hole may be different from each other.
상기 외측 반사부용 절개공은, 적어도 하나 이상으로 마련되어 상기 외측 반사부의 길이 방향을 따라 이격되어 배치되는 제1 단위 외측 반사부용 절개공; 및 적어도 하나 이상으로 마련되어 상기 외측 반사부의 길이 방향을 따라 이격되어 배치되며, 상기 제1 단위 외측 반사부용 절개공에 대해 상기 외측 반사부의 둘레 방향으로 미리 결정된 간격만큼 이격되어 배치되는 제2 단위 외측 반사부용 절개공을 포함하되, 상기 제1 단위 외측 반사부용 절개공과 상기 제2 단위 외측 반사부용 절개공의 개수는 서로 상이할 수 있다. The outer reflector cutting hole may include at least one cutout hole for the first unit outer reflecting part spaced apart along the longitudinal direction of the outer reflector; And a second unit outer reflection provided at least one spaced apart along the longitudinal direction of the outer reflector and spaced apart by a predetermined interval in a circumferential direction of the outer reflector with respect to the cutout for the first unit outer reflector. A bouillon cutting hole may be included, but the number of the first unit outer reflector cutout holes and the second unit outer reflector cutout holes may be different from each other.
상기 반사면적 가변형 열반사유닛은, 상기 내측 반사부와 상기 외측 반사부를 지지하며, 상기 내측 반사부와 상기 외측 반사부 중 적어도 어느 하나가 상대회전 가능하게 연결되는 지지부를 더 포함할 수 있다.The reflective area variable heat reflection unit may further include a support part that supports the inner reflector and the outer reflector, and at least one of the inner reflector and the outer reflector is rotatably connected to each other.
상기 반사면적 가변형 열반사유닛은, 상기 내측 반사부와 상기 외측 반사부 중 적어도 어느 하나의 지지부에 대한 상대회전을 제한하는 회전 제한부를 더 포함할 수 있다.The reflective area variable heat reflection unit may further include a rotation limiter configured to limit relative rotation of at least one of the inner reflector and the outer reflector.
상기 회전 제한부는 상기 외측 반사부의 상기 지지부에 대한 상대회전을 제한하며, 상기 지지부에는, 상기 지지부에 측벽에는 함몰되어 형성되며 내벽에 나사산이 형성된 나사공이 마련되며, 상기 회전 제한부는, 상기 외측 반사부에 형성된 관통공을 관통하여 상기 나사공에 치합되어 상기 외측 반사부를 상기 지지부로 가압하는 가압 볼트를 포함할 수 있다.The rotation limiting part restricts relative rotation with respect to the support part of the outer reflector, and the support part is provided with a screw hole in which the support part is formed recessed in the side wall and a screw thread is formed on the inner wall, and the rotation limiting part is provided with the outer reflecting part. It may include a pressure bolt that penetrates the through-hole formed in the fitting hole to press the outer reflector to the support.
상기 관통공은, 상기 외측 반사부의 둘레방향을 따라 연장된 장홀 형상으로 마련할 수 있다.The through hole may be provided in a long hole shape extending in the circumferential direction of the outer reflector.
상기 외측 반사부에 인접하게 배치되며, 냉각수가 유동되는 냉각라인이 마련된 냉각유닛을 더 포함하며, 상기 냉각유닛은, 내부가 중공되고 상기 외측 반사부의 내경보다 큰 내경을 가지는 원통 형상으로 마련되며, 상기 냉각라인을 지지하는 냉각유닛 본체; 상기 냉각유닛 본체의 상부 영역에 배치되며, 상기 냉각라인과 연통되는 상부 연통부; 및 상기 냉각유닛 본체의 하부 영역에 배치되며, 상기 냉각라인과 연통되는 하부 연통부를 포함할 수 있다.A cooling unit disposed adjacent to the outer reflecting unit and provided with a cooling line through which cooling water flows, wherein the cooling unit is provided in a cylindrical shape having a hollow inside and having an inner diameter larger than that of the outer reflecting unit, A cooling unit main body supporting the cooling line; An upper communicating portion disposed in an upper region of the cooling unit body and communicating with the cooling line; And a lower communication part disposed in a lower area of the main body of the cooling unit and communicating with the cooling line.
상기 냉각유닛은, 상기 상부 연통부 및 상기 하부 연통부 중 어느 하나에 상기 냉각수를 공급하고 다른 하나에서 상기 냉각수가 배출되도록 상기 냉각유닛을 선택적으로 제어하는 냉각유닛 제어부를 더 포함할 수 있다.The cooling unit may further include a cooling unit controller for supplying the cooling water to any one of the upper communicating portion and the lower communicating portion and selectively controlling the cooling unit to discharge the cooling water from the other.
본 발명에 따르면, 열을 반사하는 반사면적이 가변되는 반사면적 가변형 열반사유닛을 통해 발열체에서 방사된 열을 도가니유닛으로 전달함으로써, 발열체에서 방사되는 열량을 가변시키지 않으면서도 도가니유닛의 온도를 조절할 수 있으며, 더 나아가 도가니유닛의 온도를 국부적으로 상이하게 할 수 있다.According to the present invention, by transferring the heat radiated from the heating element to the crucible unit through the reflecting area variable heat reflection unit having a variable reflecting area reflecting heat, thereby controlling the temperature of the crucible unit without changing the amount of heat radiated from the heating element The temperature of the crucible unit can be further varied locally.
도 1은 유기전계발광소자의 구조도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착물질 증발장치가 사용되는 기판 증착 시스템이 개략적으로 도시된 도면이다.
도 3은 도 2의 증착물질 증발장치가 도시된 도면이다.
도 4는 도 3의 내측 반사부가 도시된 도면이다.
도 5는 도 3의 외측 반사부가 도시된 도면이다.
도 6은 도 3의 내측 반사부와 외측 반사부를 평면 형상으로 전개하여 도시한 도면이다.
도 7은 도 3의 A의 확대도이다.
도 8 및 도 9는 도 6의 동작상태도이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착물질 증발장치의 내측 반사부가 도시된 도면이다.
도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착물질 증발장치의 외측 반사부가 도시된 도면이다.
도 12은 본 발명의 제3 실시예에 따른 증착물질 증발장치의 내측 반사부와 내측 반사부를 전개하여 도시한 도면이다.
도 13은 본 발명의 제4 실시예에 따른 증착물질 증발장치의 내측 반사부와 내측 반사부를 전개하여 도시한 도면이다.
도 14는 본 발명의 제5 실시예에 따른 증착물질 증발장치의 내측 반사부와 내측 반사부를 전개하여 도시한 도면이다.
도 15는 본 발명의 제6 실시예에 따른 증착물질 증발장치의 내측 반사부와 내측 반사부를 전개하여 도시한 도면이다.
도 16는 본 발명의 제7 실시예에 따른 증착물질 증발장치의 내측 반사부와 내측 반사부를 전개하여 도시한 도면이다.
도 17는 본 발명의 제8 실시예에 따른 증착물질 증발장치의 내측 반사부와 내측 반사부를 전개하여 도시한 도면이다.1 is a structural diagram of an organic light emitting display device.
2 is a schematic view showing a substrate deposition system using a deposition material evaporation apparatus according to a first embodiment of the present invention.
3 is a view showing the deposition material evaporation apparatus of FIG.
4 is a view illustrating an inner reflector of FIG. 3.
5 is a diagram illustrating the outer reflector of FIG. 3.
FIG. 6 is a view illustrating the inner reflector and the outer reflector of FIG. 3 developed in a planar shape.
7 is an enlarged view of A of FIG. 3.
8 and 9 are operational state diagrams of FIG. 6.
FIG. 10 is a view illustrating an inner reflector of an evaporation material deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a view illustrating an outer reflecting part of the deposition material evaporation apparatus according to the second exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a view illustrating an inner reflection part and an inner reflection part of the deposition material evaporation apparatus according to the third embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a view illustrating an inner reflection part and an inner reflection part of the deposition material evaporation apparatus according to the fourth embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a view illustrating an inner reflection part and an inner reflection part of the deposition material evaporation apparatus according to the fifth embodiment of the present invention.
FIG. 15 is a view illustrating an inner reflection part and an inner reflection part of the deposition material evaporation apparatus according to the sixth embodiment of the present invention.
FIG. 16 is a view illustrating an inner reflection part and an inner reflection part of the deposition material evaporation apparatus according to the seventh embodiment of the present invention.
FIG. 17 is a view illustrating an inner reflection part and an inner reflection part of the deposition material evaporation apparatus according to the eighth embodiment of the present invention.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부도면 및 첨부도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.In order to fully understand the present invention, the operational advantages of the present invention, and the objects achieved by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings, which illustrate preferred embodiments of the present invention.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals in the drawings denote like elements.
도면 대비 설명에 앞서, 기판은 액정표시소자(Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 소자(Plasma Display Panel), 유기전계발광소자(Organic Light Emitting Diodes) 등을 사용되는 기판일 수 있으며, 설명의 편의를 위해 이하에서는 유기전계발광소자(OLED)용 기판이라 하여 설명한다.Prior to the drawings, the substrate may be a substrate using a liquid crystal display, a plasma display panel, an organic light emitting diode, or the like, for convenience of description. Hereinafter, an organic light emitting diode (OLED) substrate will be described.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착물질 증발장치가 사용되는 기판 증착 시스템이 개략적으로 도시된 도면이고, 도 3은 도 2의 증착물질 증발장치가 도시된 도면이며, 도 4는 도 3의 내측 반사부가 도시된 도면이고, 도 5는 도 3의 외측 반사부가 도시된 도면이며, 도 6은 도 3의 내측 반사부와 외측 반사부를 평면 형상으로 전개하여 도시한 도면이고, 도 7은 도 3의 A의 확대도이며, 도 8 및 도 9는 도 6의 동작상태도이다.2 is a schematic view showing a substrate deposition system using a deposition material evaporation apparatus according to a first embodiment of the present invention, Figure 3 is a view showing the deposition material evaporation apparatus of Figure 2, Figure 4 3 is a view showing an inner reflector of FIG. 3, FIG. 5 is a view showing an outer reflector of FIG. 3, and FIG. 6 is a view showing an inner reflector and an outer reflector of FIG. 3 in a planar shape, and FIG. 3 is an enlarged view of A, and FIGS. 8 and 9 are operational state diagrams of FIG. 6.
도 6, 도 8 및 도 9에서는 설명의 편의를 위해 원통 형상의 내측 반사부(140)와 외측 반사부(150)를 평면 형상으로 전개하여 도시하였다.6, 8, and 9 illustrate the cylindrical
도 2를 참조하면 기판 증착시스템은, 기판에 대한 증착 공정이 진행되는 공정 챔버(10)와, 공정 챔버(10)의 일측에 마련되어 기판을 향해 증착물질(M)을 분사하는 증착물질 증발장치(100)을 포함한다.Referring to FIG. 2, a substrate deposition system includes a
공정 챔버(10)는 기판에 대한 증착 공정이 진행되는 장소이다. 즉, 공정 챔버(10)는 도 1에 도시된 유기전계발광소자의 제조를 위해 발광층(유기물) 및 전극층(무기물)을 증착하는 장소를 형성한다. The
증착 공정 시 공정 챔버(10)의 내부는 진공 분위기를 유지한다. 때문에 공정 챔버(10)에는 진공 펌프(미도시) 등이 연결될 수 있다.During the deposition process, the inside of the
한편, 증착물질 증발장치(100)은 공정 챔버(10)의 일측에 마련되어 기판을 향해 증착물질(M)을 분사한다. 이러한 증착물질 증발장치(100)는, 도 2 내지 도 9에 자세히 도시된 바와 같이, 내부에 증착물질(M)이 수용되는 도가니유닛(110)과, 도가니유닛(110)에 인접하게 배치되며 도가니유닛(110)을 가열하는 히팅유닛(120)과, 히팅유닛(120)에 인접하게 배치되며 히팅유닛(120)에서 방사된 열을 도가니유닛(110)으로 반사하는 열반사유닛(130)과, 열반사유닛(130)에 인접하게 배치되며 냉각수가 유동되는 냉각라인(181)이 마련된 냉각유닛(180)을 포함한다.On the other hand, the
본 실시예에서 도가니유닛(110)은 병(bottle) 형상의 구조물이다. 이러한 도가니유닛(110)의 내부에는 가열 시 증발되면서 도 2의 기판 표면에 증착되는 증착물질(M)이 수용된다. 도가니유닛(110) 내에 수용되는 증착물질(M)은 유기물 또는 무기물일 수 있다. In the present embodiment, the
본 실시예에서 도가니유닛(110)의 상부영역에는 도 3에 자세히 도시된 바와 같이, 도가니유닛(110)의 내부와 연통되는 개구부(111)가 마련된다. 이러한 개구부(111)는 가열에 의해 증발된 증착물질(M)을 도가니유닛(110)에서 배출하는 역할을 한다.In the present exemplary embodiment, an
히팅유닛(120)은, 도가니유닛(110)에 인접하게 배치되며, 열을 발산하여 도가니유닛(110)을 가열한다. 이러한 히팅유닛(120)은 와이어 또는 플레이트 형상으로 마련될 수 있다. 본 실시예에서 히팅유닛(120)은, 플레이트 형상으로 마련되고, 다수개로 마련되어 도가니유닛(110)을 기준으로 하여 방사상으로 상호 이격되어 배치되는데, 이에 본 발명의 권리범위가 한정되는 것은 아니며, 히팅유닛(120)은 다양한 형상으로 마련될 수 있다.The
열반사유닛(130)은, 히팅유닛(120)에 인접하게 배치되며, 히팅유닛(120)에서 방사된 열을 도가니유닛(110)으로 반사한다. 이러한 열반사유닛(130)은, 히팅유닛(120)에서 방출된 열을 도가니유닛(110)으로 반사시킴으로써, 열효율을 높일 수 있다.The
본 실시예에 따른 열반사유닛(130)은, 열을 반사하는 반사면적이 가변되는 반사면적 가변형 열반사유닛(130)을 포함한다. 이러한 반사면적 가변형 열반사유닛(130)은, 히팅유닛(120)에서 방사된 열을 반사면적을 가변시킴으로써, 발열체에서 방사되는 열량을 변경시키지 않으면서도 도가니유닛(110)의 온도를 조절할 수 있으며, 더 나아가 도가니유닛(110)의 온도를 국부적으로 상이하게 할 수 있다.The
이러한 반사면적 가변형 열반사유닛(130)은, 도 3에 자세히 도시된 바와 같이, 도가니유닛(110)에 대해 이격되어 배치되며 내측 반사부용 절개공(141)이 형성된 내측 반사부(140)와, 도가니유닛(110)을 기준으로 내측 반사부(140)보다 도가니유닛(110)에 대하여 더 멀리 이격되어 배치되며 외측 반사부용 절개공(151)이 형성된 외측 반사부(150)와, 내측 반사부(140)와 외측 반사부(150)를 지지하는 지지부(160)와, 외측 반사부(150)의 지지부(160)에 대한 상대회전을 제한하는 회전 제한부(170)를 포함한다.As shown in detail in FIG. 3, the reflective area variable
내측 반사부(140)는 지지부(160)에 지지된다. 이러한 내측 반사부(140)는, 내부가 중공되며, 미리 결정된 내경을 가지는 원통 형상으로 마련된다. 본 실시예에서 내측 반사부(140)의 내부에는 도가니유닛(110)과 히팅유닛(120)이 배치된다. 도 3에 자세히 도시된 바와 같이, 도가니유닛(110)은 내측 반사부(140)의 내부 중앙 영역에 배치되며, 히팅유닛(120)은 도가니유닛(110)과 내측 반사부(140)의 사이에 배치된다. The
이러한 내측 반사부(140)에는, 도 4에 자세히 도시된 바와 같이, 내측 반사부용 절개공(141)이 형성된다. 내측 반사부용 절개공(141)은 다수개로 마련된다. 다수개의 내측 반사부용 절개공(141)은 내측 반사부(140)의 둘레방향을 따라 미리 결정된 간격만큼 이격되어 배치된다. 도 4에서 내측 반사부용 절개공(141)은 직사각 형상으로 마련되지만, 이에 권리범위가 한정되지 않으며, 내측 반사부용 절개공(141)은 다양한 형상으로 마련될 수 있다.In the
내측 반사부용 절개공(141)이 형성된 내측 반사부(140)에 의해 열반사유닛(130)의 반사면적은 외측 반사부(150)와의 상호 작용에 의해 가변될 수 있다. 여기서, 외측 반사부(150)와의 상호 작용은 설명의 편의를 위해 외측 반사부(150)를 설명할 때 함께 설명한다.The reflection area of the
또한 내측 반사부용 절개공(141)은, 도 4에 자세히 도시된 바와 같이, 내측 반사부(140)의 상부 영역에 마련되는 상부 내측 반사부용 절개공(142)과, 내측 반사부(140)의 하부 영역에 마련되는 하부 내측 반사부용 절개공(143)을 포함한다.In addition, as shown in detail in FIG. 4, the
상부 내측 반사부용 절개공(142)과 하부 내측 반사부용 절개공(143)은 내측 반사부(140)의 축방향으로 이격되어 배치되되, 내측 반사부(140)의 가상의 중심 축선에 대해 상호 어긋나게 배치된다. 즉, 상부 내측 반사부용 절개공(142)과 하부 내측 반사부용 절개공(143)은, 도 6에 도시된 바와 같이, 내측 반사부(140)의 가상의 중심 축선에 나란하게 위치하는 가상의 직선(G) 상에 함께 배치되지 않는다. The upper
이와 같이 상부 내측 반사부용 절개공(142)과 하부 내측 반사부용 절개공(143)이 내측 반사부(140)의 가상의 중심 축선에 대해 상호 어긋나게 배치되면, 외측 반사부(150)와의 상호 작용에 의해 열반사유닛(130)의 상부 영역의 반사면적과 하부 영역의 반사면적의 크기가 서로 다를 수 있다. As such, when the upper
이렇게 열반사유닛(130)의 상부 영역의 반사면적과 하부 영역의 반사면적의 크기가 달라지면, 그에 따라 도가니유닛(110)의 상부 영역과 하부영역에 반사되는 열량에 차이가 발생되고, 그에 따라 도가니유닛(110)의 상부 영역의 온도와 하부 영역의 온도가 서로 달라질 수 있다. When the size of the reflecting area of the upper region and the lower region of the
외측 반사부(150)는 지지부(160)에 회전 가능하게 지지된다. 외측 반사부(150)는 내부가 중공되며, 내측 반사부(140)의 내경보다 큰 내경을 가지는 원통 형상으로 마련된다. The
이러한 외측 반사부(150)에는, 도 5에 자세히 도시된 바와 같이, 외측 반사부용 절개공(151)이 형성된다. 외측 반사부용 절개공(151)은 다수개로 마련된다. 다수개의 외측 반사부용 절개공(151)은 외측 반사부(150)의 둘레방향을 따라 미리 결정된 간격만큼 이격되어 배치된다. 도 5에서 외측 반사부용 절개공(151)은 직사각 형상으로 마련되지만, 본 발명의 권리범위가 한정되지 않으며, 외측 반사부용 절개공(151)은 다양한 형상으로 마련될 수 있다.In the
본 실시예에서 외측 반사부(150)의 내부에는, 도 3에 자세히 도시된 바와 같이, 내측 반사부(140)가 배치된다. 이러한 외측 반사부(150)는 지지부(160)에 회전 가능하게 지지됨으로써, 내측 반사부(140)에 대해 상대회전 될 수 있다. 따라서, 내측 반사부(140)에 대한 외측 반사부(150)의 상대회전으로 내측 반사부용 절개공(141)과 외측 반사부용 절개공(151)이 서로 대향될 수도 있고, 내측 반사부용 절개공(141)이 외측 반사부(150)에 의해 차폐될 수 있다In the present embodiment, the
내측 반사부용 절개공(141)과 외측 반사부용 절개공(151)이 상호 대향되면, 열반사유닛(130)의 반사면적은 내측 반사부(140)의 내주면의 표면적에서 내측 반사부용 절개공(141)의 면적을 뺀 크기에 해당된다.When the
이에 비하여, 내측 반사부용 절개공(141)과 외측 반사부용 절개공(151)이 상호 대향되지 않아 내측 반사부용 절개공(141)이 외측 반사부(150)에 의해 차폐되면, 열반사유닛(130)의 반사면적은 내측 반사부(140)의 내주면의 표면적에 해당된다.On the contrary, when the
이와 같이 내측 반사부(140)에 대한 외측 반사부(150)의 상대회전에 의해 내측 반사부용 절개공(141)과 외측 반사부용 절개공(151)이 겹치는 정도가 달라지고, 이러한 내측 반사부용 절개공(141)과 외측 반사부용 절개공(151)이 겹치는 정도에 따라 열반사유닛(130)의 반사면적이 달라지므로, 내측 반사부(140)에 대한 외측 반사부(150)의 회전에 의해 히팅유닛(120)에서 방출된 열을 도가니유닛(110)으로 반사하는 열반사유닛(130)의 반사면적이 가변된다.As such, the degree of overlap between the inner
또한 외측 반사부용 절개공(151)은, 도 5에 자세히 도시된 바와 같이, 외측 반사부(150)의 상부 영역에 마련되는 상부 외측 반사부용 절개공(152)과, 외측 반사부(150)의 하부 영역에 마련되는 하부 외측 반사부용 절개공(153)을 포함한다.In addition, as shown in detail in FIG. 5, the outer
상부 외측 반사부용 절개공(152)과 하부 외측 반사부용 절개공(153)은 외측 반사부(150)의 중심 축선 방향으로 이격되어 배치된다. 본 실시예에서 상부 외측 반사부용 절개공(152)과 하부 외측 반사부용 절개공(153)은, 도 6에 자세히 도시된 바와 같이, 외측 반사부(150)의 가상의 중심 축선에 나란하게 위치하는 가상의 직선(H) 상에 배치된다. The upper outer
상술한 바와 같이 내측 반사부(140)의 상부 내측 반사부용 절개공(142)과 하부 내측 반사부용 절개공(143)은 내측 반사부(140)의 가상의 중심 축선에 나란하게 위치하는 가상의 직선(G) 상에 함께 배치되지 않으므로, 외측 반사부(150)의 회전에 의해 도 9에 도시된 바와 같이 상부 내측 반사부용 절개공(142)과 상부 외측 반사부용 절개공(152)이 겹쳐질 때 하부 내측 반사부용 절개공(143)과 하부 외측 반사부용 절개공(153)은 겹쳐지지 않는다. As described above, the upper
이렇게 상부 내측 반사부용 절개공(142)과 상부 외측 반사부용 절개공(152)이 겹쳐지고 하부 내측 반사부용 절개공(143)과 하부 외측 반사부용 절개공(153)은 겹쳐지지 않으면, 열반사유닛(130)의 상부 영역의 반사면적은 하부 영역의 반사면적 보다 작아진다. 따라서, 도가니유닛(110)의 상부 영역에 전달되는 열량은 도가니유닛(110)의 하부 영역에 전달되는 열량보다 작아진다.If the upper inner reflector cut-out
마찬가지로, 도 8에 도시된 바와 같이 외측 반사부(150)의 회전에 의해 하부 내측 반사부용 절개공(143)과 하부 외측 반사부용 절개공(153)이 겹쳐질 때 상부 내측 반사부용 절개공(142)과 상부 외측 반사부용 절개공(152)은 겹쳐지지 않는다.Similarly, as shown in FIG. 8, when the lower
이렇게 하부 내측 반사부용 절개공(143)과 하부 외측 반사부용 절개공(153)이 겹쳐지고 상부 내측 반사부용 절개공(142)과 상부 외측 반사부용 절개공(152)은 겹쳐지지 않으면, 열반사유닛(130)의 하부 영역의 반사면적은 상부 영역의 반사면적 보다 작아진다. 따라서 도가니유닛(110)의 하부 영역에 전달되는 열량은 도가니유닛(110)의 상부 영역에 전달되는 열량보다 작아진다.If the lower
이와 같이 외측 반사부(150)의 내측 반사부(140)에 대한 상대회전을 통해 열반사유닛(130)의 상부 영역과 하부 영역의 반사면적이 가변됨으로써, 도가니유닛(110)의 상부 영역의 온도와 하부 영역의 온도가 서로 다르게 할 수 있어 클로깅(clogging) 및 크리핑(creeping) 현상의 발생을 방지할 수 있다. As such, the reflective areas of the upper region and the lower region of the
한편, 외측 반사부(150)의 하부 영역에는 외측 반사부(150)의 둘레방향을 따라 연장된 장홀 형상의 관통공(155)이 마련된다. 본 실시예에서 관통공(155)은 다수개로 마련되어 외측 반사부(150)의 둘레방향을 따라 미리 결정된 간격만큼 이격되어 배치될 수 있다. 이러한 관통공(155)에는 회전 제한부(170)의 후술할 가압 볼트(171)가 관통한다. On the other hand, the lower region of the
지지부(160)는 내측 반사부(140)와 외측 반사부(150)를 지지한다. 이러한 지지부(160)에는 외측 반사부(150)가 상대회전 가능하게 연결된다. 본 실시예에서 지지부(160)에는 지지부(160)의 측벽에는 함몰되어 형성되며 내벽에 나사산이 형성되는 나사공(161)이 마련된다. 본 실시예에서 나사공(161)은 다수개로 마련되어 외측 반사부(150)의 둘레방향을 따라 미리 결정된 간격만큼 이격되어 배치될 수 있다. The
회전 제한부(170)는 외측 반사부(150)를 지지부(160)로 가압 및 가압해제 하여 외측 반사부(150)의 지지부(160)에 대한 상대회전을 선택적으로 제한한다. 이러한 회전 제한부(170)는 외측 반사부(150)의 지지부(160)에 대한 상대회전을 선택적으로 제한함으로써, 외측 반사부(150)의 내측 반사부(140)에 대한 상대회전을 선택적으로 제한할 수 있다.The
본 실시예에서 회전 제한부(170)는 외측 반사부(150)에 형성된 관통공(155)을 관통하여 나사공(161)에 치합되어 외측 반사부(150)를 지지부(160)로 가압하는 가압 볼트(171)를 포함한다.In this embodiment, the
본 실시예에서 가압 볼트(171)는, 나사공(161)에 치합되는 나사산이 형성된 볼트 몸체부(171a)와, 볼트 몸체부(171a)보다 큰 직경을 가지는 형상으로 마련되는 볼트 헤드부(171b)를 포함한다.In this embodiment, the
이러한 가압 볼트(171)는 나사공(161)에 치합되어 볼트 헤드부(171b)로 외측 반사부(150)를 지지부(160)로 가압 및 가압 해제함으로써, 외측 반사부(150)의 회전을 선택적으로 제한한다.The
한편, 냉각유닛(180)은 외측 반사부(150)에 인접하게 배치된다. 이러한 냉각유닛(180)은, 냉각수가 유동되는 냉각라인(181)과, 냉각라인(181)을 지지하는 냉각유닛 본체(182)와, 냉각유닛 본체(182)의 상부 영역에 배치되며 냉각라인(181)과 연통되는 상부 연통부(183)와, 냉각유닛 본체(182)의 하부 영역에 배치되며 냉각라인(181)과 연통되는 하부 연통부(184)와, 냉각라인(181)과 연통되며 냉각수를 순환시키는 냉각수 순환부(P1, P2)를 포함한다.On the other hand, the
냉각유닛 본체(182)는, 내부가 중공되고 외측 반사부(150)의 내경보다 큰 내경을 가지는 원기둥 형상으로 마련된다. 이러한 냉각유닛(180)의 내측 중앙 영역에는 도가니유닛(110)이 배치되고, 도가니유닛(110)과 냉각유닛 본체(182) 사이에 내측 반사부(140)와 외측 반사부(150)가 배치된다.The cooling unit
냉각라인(181)은 파이프 형상으로 마련되며 나선형으로 감겨 냉각유닛 본체(182)에 지지된다. 이러한 냉각라인(181)을 따라 냉각수가 유동된다.The
상부 연통부(183)는 냉각유닛 본체(182)에 지지되어 냉각유닛 본체(182)의 상부 영역에 배치된다. 이러한 상부 연통부(183)는, 냉각라인(181)과 연통되며, 냉각수를 순환시키는 냉각수 순환부(P1, P2)에 연결된다. 본 실시예에서 상부 연통부(183)는 냉각수 순환부(P1, P2)에 착탈 가능하게 결합된다.The
하부 연통부(184)는 냉각유닛 본체(182)에 지지되어 냉각유닛 본체(182)의 하부 영역에 배치된다. 이러한 하부 연통부(184)는, 냉각라인(181)과 연통되며, 냉각수를 순환시키는 냉각수 순환부(P1, P2)에 연결된다. 본 실시예에서 하부 연통부(184)는 냉각수 순환부(P1, P2)에 착탈 가능하게 결합된다.The
본 실시예에서 냉각수 순환부(P1, P2)은, 냉각수를 냉각라인(181)으로 공급하는 냉각수 공급배관(P1)과, 냉각라인(181)에서 배출된 냉각수를 회수하는 냉각수 배출배관(P2)과, 냉각수 공급배관(P1)과 냉각수 배출배관(P2)에 연결되며 냉각수 배출배관(P2)에서 전달받은 냉각수의 온도를 낮추는 열교환기(미도시)와, 냉각수 공급배관(P1) 또는 냉각수 배출배관(P2)에 연결되며 냉각수를 순환시키는 순환펌프(미도시)를 포함한다.In this embodiment, the cooling water circulation units P1 and P2 include a cooling water supply pipe P1 for supplying the cooling water to the
상술한 바와 같이 상부 연통부(183)와 하부 연통부(184)가 냉각유닛 본체(182)의 길이방향으로 이격되어 배치됨으로써, 냉각수 공급배관(P1)과 냉각수 배출배관(P2)이 연결되는 위치에 따라 열반사유닛(130)의 상부 영역 및 하부 영역의 온도가 달라질 수 있고, 그에 따라 열반사유닛(130)에서 반사되는 열량이 달라져 도가니유닛(110)의 유닛의 상부 영역 및 하부 영역의 온도가 달라질 수 있다.As described above, the
즉, 도 3에 도시된 바와 같이, 냉각수 공급배관(P1)이 상부 연통부(183)에 연결되고 냉각수 배출배관(P2)이 하부 연통부(184)에 연결된 경우, 냉각수 공급배관(P1)을 따라 흐르는 냉각수의 온도는 냉각수 배출배관(P2)을 따라 유동되는 냉각수의 온도보다 상대적으로 낮으므로, 열반사유닛(130)의 상부 영역의 온도가 하부 영역의 온도보다 상대적으로 낮아지고, 그에 따라 도가니유닛(110)의 상부 영역의 전달되는 열량이 하부 영역에 전달되는 열량보다 상대적으로 작아 도가니유닛(110)의 상부 영역의 온도가 하부 영역의 온도보다 상대적으로 낮게 된다.That is, as shown in Figure 3, when the cooling water supply pipe (P1) is connected to the
이에 반하여, 도 3과 반대로 냉각수 공급배관(P1)이 하부 연통부(184)에 연결되고 냉각수 배출배관(P2)이 상부 연통부(183)에 연결된 경우, 열반사유닛(130)의 하부 영역 온도가 상부 영역의 온도보다 더 낮아지고, 그에 따라 도가니유닛(110)의 유닛의 하부 영역 온도가 상부 영역의 온도보다 낮게 된다. On the contrary, in contrast to FIG. 3, when the cooling water supply pipe P1 is connected to the
이와 같이 본 실시예에 따른 증착물질 증발장치(100)는, 냉각유닛 본체(182)의 길이방향으로 이격되어 배치되어 냉각라인(181)과 연통되는 상부 연통부(183)와 하부 연통부(184)를 구비함으로써, 상부 연통부(183)와 하부 연통부(184)를 냉각수 공급배관(P1)과 냉각수 배출배관(P2)에 결합 시 결합 대상을 변경하여 도가니유닛(110)의 상부 영역과 하부 영역의 상대적인 온도 높낮이를 변경시킬 수 있다.As described above, the vapor deposition
한편, 다른 방식으로 냉각수 순환부(미도시)는, 상부 연통부(183)와 연결되는 제1 냉각수 전달관(미도시)과, 하부 연통부(184)와 연결되는 제2 냉각수 전달관(미도시)과, 제1 냉각수 전달관(미도시)과 제2 냉각수 전달관(미도시)에 연결되어 냉각수를 전달받으며 냉각수의 온도를 낮추는 열교환기(미도시)와, 제1 냉각수 전달관(미도시) 또는 제2 냉각수 전달관(미도시)에 연결되며 냉각수를 순환시키는 냉각유닛 제어부(미도시)를 포함한다. On the other hand, the cooling water circulation unit (not shown) in another manner, the first cooling water delivery pipe (not shown) connected to the
본 실시예에서 냉각유닛 제어부(미도시)는 선택적으로 정역 변환이 가능한 순환펌프로 마련된다. 이러한 냉각유닛 제어부(미도시) 냉각수의 유동방향을 반대방향으로 변경할 수 있다. 예를 들어, 순환펌프의 정방향 작동 시 상부 연통부(183)로 열교환기를 통과하여 냉각된 냉각수가 공급될 수 있고 하부 연통부(184)로 냉각라인(181)의 냉각수가 배출될 있다. 반대로, 정역 변환 순환펌프의 역방향 작동 시 상부 연통부(183)로 냉각라인(181)의 냉각수가 배출될 수 있고 하부 연통부(184)로 열교환기를 통과하여 냉각된 냉각수가 공급될 수 있다. In this embodiment, the cooling unit control unit (not shown) is provided with a circulation pump capable of selectively converting forward and reverse. The cooling unit controller (not shown) may change the flow direction of the coolant in the opposite direction. For example, in the forward operation of the circulation pump, the cooling water cooled by passing through the heat exchanger to the
이하에서는 상술한 구성을 갖는 증착물질 증발장치(100)의 동작에 대해 도 2 내지 도 9를 참조하여 설명한다.Hereinafter, an operation of the deposition
먼저, 도가니유닛(110)의 개구부(111)가 막히는 클로깅(clogging) 현상을 방지하기 위해 도가니유닛(110)의 상부 영역의 온도를 높이는 방법을 설명한다. First, a method of increasing the temperature of the upper region of the
도가니유닛(110)의 상부 영역의 온도를 하부 영역의 온도보다 상대적으로 높이기 위해, 도 8에 도시된 바와 같이, 외측 반사부(150)를 내측 반사부(140)에 대해 상대회전 시켜 상부 내측 반사부용 절개공(142)과 상부 외측 반사부용 절개공(152)에 겹쳐지지 않게 하고 하부 내측 반사부용 절개공(143)과 하부 외측 반사부용 절개공(153)이 겹쳐지도록 한다. In order to increase the temperature of the upper region of the
이렇게 하부 내측 반사부용 절개공(143)과 하부 외측 반사부용 절개공(153)이 겹쳐지고 상부 내측 반사부용 절개공(142)과 상부 외측 반사부용 절개공(152)은 겹쳐지지 않으면, 열반사유닛(130)의 상부 영역의 반사면적은 하부 영역의 반사면적 보다 커진다. 따라서 열반사유닛(130)에 의해 도가니유닛(110)의 상부 영역에 전달되는 열량이 도가니유닛(110)의 하부 영역에 전달되는 열량 보다 크게 되고, 그에 따라 도가니유닛(110)의 상부 영역의 온도가 상대적으로 높아져 클로깅(clogging) 현상이 방지된다.If the lower
다음, 도가니유닛(110)의 개구부(111)로 증착물질(M)이 분출하는 크리핑(creeping) 현상을 방지하기 위해 도가니유닛(110)의 상부 영역의 온도를 낮추는 방법을 설명한다. Next, a method of lowering the temperature of the upper region of the
도가니유닛(110)의 상부 영역의 온도를 하부 영역의 온도보다 상대적으로 낮추기 위해, 도 9에 도시된 바와 같이, 외측 반사부(150)를 내측 반사부(140)에 대해 상대회전 시켜 상부 내측 반사부용 절개공(142)과 상부 외측 반사부용 절개공(152)에 겹쳐지게 하고 하부 내측 반사부용 절개공(143)과 하부 외측 반사부용 절개공(153)이 겹쳐지지 않도록 한다. In order to lower the temperature of the upper region of the
이렇게 하부 내측 반사부용 절개공(143)과 하부 외측 반사부용 절개공(153)이 겹쳐지지 않고 상부 내측 반사부용 절개공(142)과 상부 외측 반사부용 절개공(152)이 겹쳐지면, 열반사유닛(130)의 상부 영역의 반사면적은 하부 영역의 반사면적 보다 작아진다. 따라서, 열반사유닛(130)에 의해 도가니유닛(110)의 상부 영역에 전달되는 열량은 도가니유닛(110)의 하부 영역에 전달되는 열량 보다 작아짐으로써, 도가니유닛(110)의 상부 영역의 온도가 상대적으로 낮아져 크리핑(creeping) 현상이 방지된다.When the lower inner
이와 같이 본 실시예에 따른 증착물질 증발장치(100)는, 열을 반사하는 반사면적이 가변되는 반사면적 가변형 열반사유닛(130)을 통해 발열체에서 방사된 열을 도가니유닛(110)으로 전달함으로써, 발열체에서 방사되는 열량을 가변시키지 않으면서도 도가니유닛(110)의 온도를 조절할 수 있으며, 더 나아가 도가니유닛(110)의 온도를 국부적으로 상이하게 할 수 있다.As described above, the deposition
또한, 본 실시예에 따른 증착물질 증발장치(100)는, 냉각유닛 본체(182)의 길이방향으로 이격되어 배치되어 냉각라인(181)과 연통되는 상부 연통부(183)와 하부 연통부(184)를 구비함으로써, 상부 연통부(183)를 통해 냉각수를 공급하고 하부 연통부(184)를 통해 냉각수를 배출시킬 수도 있고 상부 연통부(183)를 통해 냉각수를 배출하고 하부 연통부(184)를 통해 냉각수를 공급시킬 수도 있어 냉각유닛(180)에서 흡수하는 열량을 냉각유닛 본체(182)에 따라 가변시킬 수 있고, 그에 따라 도가니유닛(110)의 상부 영역과 하부 영역의 상대적인 온도 높낮이를 변경시킬 수 있다.In addition, the vapor
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착물질 증발장치의 내측 반사부가 도시된 도면이고, 도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착물질 증발장치의 외측 반사부가 도시된 도면이다.10 is a view showing an inner reflector of the deposition material evaporation apparatus according to the second embodiment of the present invention, Figure 11 is a view showing an outer reflector of the deposition material evaporation apparatus according to the second embodiment of the present invention.
본 실시예는 제1 실시예와 비교할 때에 내측 반사부용 절개공(241)과 외측 반사부용 절개공이 배열방식이 반대로 변경된 점에서 차이가 있을 뿐, 다른 구성에 있어서는 도 2 내지 도 9의 제1 실시예의 구성과 동일하므로, 이하에서는 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고 그 설명을 생략한다.This embodiment differs from the first embodiment in FIGS. 2 through 9 only in that the arrangement of the inner reflecting
본 실시예에서 상부 외측 반사부용 절개공(252)과 하부 외측 반사부용 절개공(253)은, 도 11에 도시된 바와 같이, 외측 반사부(250)의 가상의 중심 축선 방향으로 이격되어 배치되되, 외측 반사부(250)의 가상의 중심 축선에 대해 상호 어긋나게 배치된다. In the present embodiment, the upper
또한, 본 실시예에서 상부 내측 반사부용 절개공(242)과 하부 내측 반사부용 절개공(243)은, 도 10에 도시된 바와 같이, 내측 반사부(240)의 가상의 중심 축선 상에 배치된다. In addition, in the present embodiment, the upper
본 실시예는 내측 반사부(140)의 내측 반사부용 절개공(141)과 외측 반사부(150)의 외측 반사부용 절개공(151)의 배열이 제1 실시예와 반대인 점에서만 차이가 있을 뿐, 기능 및 동작에는 차이가 없으므로 제1 실시예에서 설명한 기능 및 동작은 생략한다.The present embodiment may differ only in that the arrangement of the
이러한 본 실시예에 따른 증착물질 증발장치는, 중심 축선에 대해 상호 어긋나게 배치되는 상부 외측 반사부용 절개공(252)과 하부 외측 반사부용 절개공(253)을 구비하는 외측 반사부(250)와, 중심 축선 상에 배치되는 상부 내측 반사부용 절개공(242)과 하부 내측 반사부용 절개공(243)을 구비하는 내측 반사부(240)를 포함함으로써, 열반사유닛(미도시)의 상부 영역의 반사면적과 하부 영역의 반사면적을 서로 다르게 할 수 있다. The vapor deposition material evaporation apparatus according to the present embodiment includes an
도 12은 본 발명의 제3 실시예에 따른 증착물질 증발장치의 내측 반사부와 내측 반사부를 전개하여 도시한 도면이다.FIG. 12 is a view illustrating an inner reflection part and an inner reflection part of the deposition material evaporation apparatus according to the third embodiment of the present invention.
본 실시예는 제1 실시예와 비교할 때에 내측 반사부용 절개공(341)과 외측 반사부용 절개공(351)의 형상에 차이가 있을 뿐, 다른 구성에 있어서는 도 2 내지 도 9의 제1 실시예의 구성과 동일하므로, 이하에서는 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고 그 설명을 생략한다.This embodiment differs only in the shape of the inner reflecting
본 실시예에서 내측 반사부용 절개공(341)은 원형 형상으로 마련된다. 이러한 내측 반사부용 절개공(341)은 다수개로 마련되어 내측 반사부(340)의 둘레 방향을 따라 미리 결정된 간격만큼 이격되어 배치된다.In the present embodiment, the
또한, 내측 반사부용 절개공(341)은, 적어도 하나 이상으로 마련되어 내측 반사부(340)의 길이 방향(내측 반사부의 중심 축선 방향)을 따라 이격되어 배치되는 제1 단위 내측 반사부용 절개공(341a)과, 적어도 하나 이상으로 마련되어 내측 반사부(340)의 길이 방향(내측 반사부의 중심 축선 방향)을 따라 이격되어 배치되며 제1 단위 내측 반사부용 절개공(341a)에 대해 내측 반사부(340)의 둘레 방향으로 미리 결정된 간격만큼 이격되어 배치되는 제2 단위 내측 반사부용 절개공(341b)을 포함한다.In addition, at least one inner reflecting
본 실시예에서 내측 반사부용 절개공(341)은, 도 12에 자세히 도시된 바와 같이, 2열로 배치된다. 제1열인 제1 단위 내측 반사부용 절개공(341a)은 3개로 마련되어 내측 반사부(340)의 길이방향을 따라 이격되어 배치된다. 제2열인 제2 단위 내측 반사부용 절개공(341b)은 1개로 마련된다.In this embodiment, the cut holes 341 for the inner reflection part are arranged in two rows, as shown in detail in FIG. 12. The first unit inner
제1 단위 내측 반사부용 절개공(341a)과 제2 단위 내측 반사부용 절개공(341b)의 개수는 다양하게 변화될 수 있되, 제1 단위 내측 반사부용 절개공(341a)과 제2 단위 내측 반사부용 절개공(341b)의 개수는 서로 상이하게 마련된다.The number of
한편, 본 실시예에서 외측 반사부용 절개공(351)은 원형 형상으로 마련된다. 이러한 외측 반사부용 절개공(351)은 다수개로 마련되어 외측 반사부(350)의 둘레 방향을 따라 미리 결정된 간격만큼 이격되어 배치된다.Meanwhile, in the present embodiment, the
또한, 본 실시예에서 외측 반사부용 절개공(351)은 외측 반사부(350)의 길이방향(외측 반사부의 중심 축선 방향)으로 이격되어 배치되는 다수개의 단위 외측 반사부용 절개공(351)을 포함한다.In addition, in the present exemplary embodiment, the
본 실시예에서 단위 외측 반사부용 절개공(351)은, 3개로 마련되어 외측 반사부(350)의 길이방향을 따라 배치된다. 본 실시예에서 단위 외측 반사부용 절개공(351)의 개수는 다양하게 변화될 수 있다. In the present embodiment, three
본 실시예에서 내측 반사부용 절개공(341)은 내측 반사부(340)의 상부 영역에 마련되고, 외측 반사부용 절개공(351)은 외측 반사부(350)의 상부 영역에 마련된다. 따라서, 외측 반사부(350)의 내측 반사부(340)에 대한 상대회전에 따라 제1 단위 내측 반사부용 절개공(341a)이 단위 외측 반사부용 절개공(351)에 겹쳐지는 경우, 제2 단위 내측 반사부용 절개공(341b)이 단위 외측 반사부용 절개공(351)에 겹쳐지는 경우, 제1 단위 내측 반사부용 절개공(341a) 및 제2 단위 내측 반사부용 절개공(341b) 모두가 단위 외측 반사부용 절개공(351)에 겹쳐지지 않는 경우가 발생되고, 그에 따라 열반사유닛(130)의 반사면적이 3단계로 가변됨으로써, 도가니유닛(110)의 상부 영역의 온도가 3단계로 세분화되어 조절될 수 있는 이점이 있다.In the present embodiment, the
도 13은 본 발명의 제4 실시예에 따른 증착물질 증발장치의 내측 반사부와 내측 반사부를 전개하여 도시한 도면이다.FIG. 13 is a view illustrating an inner reflection part and an inner reflection part of the deposition material evaporation apparatus according to the fourth embodiment of the present invention.
본 실시예는 제3 실시예와 비교할 때에 내측 반사부용 절개공(441)과 외측 반사부용 절개공(451)의 배치 위치에 차이가 있을 뿐, 다른 구성에 있어서는 도 12의 제1 실시예의 구성과 동일하므로, 이하에서는 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고 그 설명을 생략한다.This embodiment differs in the arrangement positions of the inner reflecting
본 실시예에서 내측 반사부용 절개공(441)은 내측 반사부(440)의 하부 영역에 마련되고, 외측 반사부용 절개공(451)은 외측 반사부(450)의 하부 영역에 마련된다. 따라서, 외측 반사부(450)의 내측 반사부(440)에 대한 상대회전에 따라 제1 단위 내측 반사부용 절개공(441a)이 단위 외측 반사부용 절개공(451)에 겹쳐지는 경우, 제2 단위 내측 반사부용 절개공(441b)이 단위 외측 반사부용 절개공(451)에 겹쳐지는 경우, 제1 단위 내측 반사부용 절개공(441a) 및 제2 단위 내측 반사부용 절개공(441b) 모두가 단위 외측 반사부용 절개공(451)에 겹쳐지지 않는 경우가 발생되고, 그에 따라 열반사유닛(130)의 반사면적이 3단계로 가변됨으로써, 도가니유닛(110)의 하부 영역의 온도를 3단계로 세분화하여 조절할 수 있는 이점이 있다.In this embodiment, the
도 14는 본 발명의 제5 실시예에 따른 증착물질 증발장치의 내측 반사부와 내측 반사부를 전개하여 도시한 도면이다.FIG. 14 is a view illustrating an inner reflection part and an inner reflection part of the deposition material evaporation apparatus according to the fifth embodiment of the present invention.
본 실시예는 제1 실시예와 비교할 때에 내측 반사부용 절개공(541)과 외측 반사부용 절개공(551)의 형상에 차이가 있을 뿐, 다른 구성에 있어서는 도 2 내지 도 9의 제1 실시예의 구성과 동일하므로, 이하에서는 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고 그 설명을 생략한다.This embodiment differs only in the shape of the inner reflecting
본 실시예에서 외측 반사부용 절개공(551)은 원형 형상으로 마련된다. 이러한 외측 반사부용 절개공(551)은 다수개로 마련되어 외측 반사부(550)의 둘레 방향을 따라 미리 결정된 간격만큼 이격되어 배치된다.In the present embodiment, the
또한, 외측 반사부용 절개공(551)은, 적어도 하나 이상으로 마련되어 외측 반사부(550)의 길이 방향(외측 반사부의 중심 축선 방향)을 따라 이격되어 배치되는 제1 단위 외측 반사부용 절개공(551a)과, 적어도 하나 이상으로 마련되어 외측 반사부(550)의 길이 방향(외측 반사부의 중심 축선 방향)을 따라 이격되어 배치되며 제1 단위 외측 반사부용 절개공(551a)에 대해 외측 반사부(550)의 둘레 방향으로 미리 결정된 간격만큼 이격되어 배치되는 제2 단위 외측 반사부용 절개공(551b)을 포함한다.In addition, at least one
본 실시예에서 외측 반사부용 절개공(551)은, 도 14에 자세히 도시된 바와 같이, 2열로 배치된다. 제1열인 제1 단위 외측 반사부용 절개공(551a)은 3개로 마련되어 외측 반사부(550)의 길이방향을 따라 이격되어 배치된다. 제2열인 제2 단위 외측 반사부용 절개공(551b)은 1개로 마련되어 제1 단위 외측 반사부용 절개공(551a)에 대해 외측 반사부(550)의 둘레 방향으로 미리 결정된 간격만큼 이격되어 배치된다.In the present embodiment, the cutout holes 551 for the outer reflection part are arranged in two rows, as shown in detail in FIG. 14. The first unit
제1 단위 외측 반사부용 절개공(551a)과 제2 단위 외측 반사부용 절개공(551b)의 개수는 다양하게 변화될 수 있되, 제1 단위 외측 반사부용 절개공(551a)과 제2 단위 외측 반사부용 절개공(551b)의 개수는 서로 상이해야 한다.The number of
한편, 본 실시예에서 내측 반사부용 절개공(541)은 원형 형상으로 마련된다. 이러한 내측 반사부용 절개공(541)은 다수개로 마련되어 내측 반사부(540)의 둘레 방향을 따라 미리 결정된 간격만큼 이격되어 배치된다.On the other hand, in the present embodiment the
또한, 본 실시예에서 내측 반사부용 절개공(541)은 내측 반사부(540)의 길이방향(내측 반사부의 중심 축선 방향)으로 이격되어 배치되는 다수개의 단위 내측 반사부용 절개공(541)을 포함한다.In addition, in the present embodiment, the
본 실시예에서 다수개의 단위 내측 반사부용 절개공(541)은, 3개로 마련되어 외측 반사부(550)의 길이방향을 따라 배치된다. 본 실시예에서 단위 내측 반사부용 절개공(541)의 개수는 다양하게 변화될 수 있다. In the present embodiment, the plurality of unit inner reflecting
본 실시예에서 외측 반사부용 절개공(551)은 외측 반사부(550)의 상부 영역에 마련되고, 내측 반사부용 절개공(541)은 외측 반사부(550)의 상부 영역에 마련된다. 따라서, 외측 반사부(550)의 내측 반사부(540)에 대한 상대회전에 따라 제1 단위 외측 반사부용 절개공(551a)이 단위 내측 반사부용 절개공(541)에 겹쳐지는 경우, 제2 단위 외측 반사부용 절개공(551b)이 단위 내측 반사부용 절개공(541)에 겹쳐지는 경우, 제1 단위 외측 반사부용 절개공(551a) 및 제2 단위 외측 반사부용 절개공(551b) 모두가 단위 내측 반사부용 절개공(541)에 겹쳐지지 않는 경우가 발생되고, 그에 따라 열반사유닛(130)의 반사면적이 3단계로 가변됨으로써, 도가니유닛(110)의 상부 영역의 온도를 3단계로 세분화하여 조절할 수 있는 이점이 있다.In the present embodiment, the
도 15는 본 발명의 제6 실시예에 따른 증착물질 증발장치의 내측 반사부와 내측 반사부를 전개하여 도시한 도면이다.FIG. 15 is a view illustrating an inner reflection part and an inner reflection part of the deposition material evaporation apparatus according to the sixth embodiment of the present invention.
본 실시예는 제5 실시예와 비교할 때에 내측 반사부용 절개공(641)과 외측 반사부용 절개공(651)의 배치 위치에 차이가 있을 뿐, 다른 구성에 있어서는 도 15의 제5 실시예의 구성과 동일하므로, 이하에서는 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고 그 설명을 생략한다.This embodiment differs only in the arrangement positions of the inner reflecting
본 실시예에서 내측 반사부용 절개공(641)은 내측 반사부(640)의 하부 영역에 마련되고, 외측 반사부용 절개공(651)은 외측 반사부(650)의 하부 영역에 마련된다. 따라서, 외측 반사부(650)의 내측 반사부(640)에 대한 상대회전에 따라 제1 단위 외측 반사부용 절개공(651a)이 단위 내측 반사부용 절개공(641)에 겹쳐지는 경우, 제2 단위 외측 반사부용 절개공(651b)이 단위 내측 반사부용 절개공(641)에 겹쳐지는 경우, 제1 단위 외측 반사부용 절개공(651a) 및 제2 단위 외측 반사부용 절개공(651b) 모두가 단위 내측 반사부용 절개공(641)에 겹쳐지지 않는 경우가 발생되고, 그에 따라 열반사유닛(130)의 반사면적이 3단계로 가변됨으로써, 도가니유닛(110)의 하부 영역의 온도를 3단계로 세분화하여 조절할 수 있는 이점이 있다.In this embodiment, the
도 16는 본 발명의 제7 실시예에 따른 증착물질 증발장치의 내측 반사부와 내측 반사부를 전개하여 도시한 도면이다.FIG. 16 is a view illustrating an inner reflection part and an inner reflection part of the deposition material evaporation apparatus according to the seventh embodiment of the present invention.
본 실시예는 제1 실시예와 비교할 때에 내측 반사부용 절개공(741)과 외측 반사부용 절개공(751)의 형상과 배열에 차이가 있을 뿐, 다른 구성에 있어서는 도 2 내지 도 9의 제1 실시예의 구성과 동일하므로, 이하에서는 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고 그 설명을 생략한다.This embodiment differs only in shape and arrangement of the inner reflecting
본 실시예에서 내측 반사부용 절개공(741)은 원형 형상으로 마련된다. 이러한 내측 반사부용 절개공(741)은 내측 반사부(740)의 상부 영역에 마련되는 상부 내측 반사부용 절개공(742)과, 내측 반사부(740)의 하부 영역에 마련되는 하부 내측 반사부용 절개공(743)을 포함한다.In the present embodiment, the
상부 내측 반사부용 절개공(742)은 다수개로 마련되어 내측 반사부(740)의 둘레 방향을 따라 이격되어 배치된다. 이러한 상부 내측 반사부용 절개공(742)은 원형 형상으로 마련되어 내측 반사부(740)의 길이방향(내측 반사부의 중심 축선 방향)으로 이격되어 배치되는 다수개의 단위 상부 내측 반사부용 절개공(742)을 포함한다.The upper inner
본 실시예에서 단위 상부 내측 반사부용 절개공(742)은 3개로 마련되어 내측 반사부(740)의 길이방향을 따라 배치되는데, 이에 본 발명의 권리범위가 한정되지 않으며, 단위 상부 내측 반사부용 절개공(742)의 개수는 다양하게 변화될 수 있다.In the present embodiment, the unit upper inner reflecting
하부 내측 반사부용 절개공(743)은 다수개로 마련되어 내측 반사부(740)의 둘레 방향을 따라 이격되어 배치된다. 이러한 하부 내측 반사부용 절개공(743)은 원형 형상으로 마련되어 내측 반사부(740)의 길이방향(내측 반사부의 중심 축선 방향)으로 이격되어 배치되는 다수개의 단위 하부 내측 반사부용 절개공(743)을 포함한다.The lower inner
본 실시예에서 단위 하부 내측 반사부용 절개공(743)은 3개로 마련되어 내측 반사부(740)의 길이방향을 따라 배치되는데, 이에 본 발명의 권리범위가 한정되지 않으며, 단위 하부 내측 반사부용 절개공(743)의 개수는 다양하게 변화될 수 있다.In the present embodiment, the lower portion of the
본 실시예에서 상부 내측 반사부용 절개공(742)과 하부 내측 반사부용 절개공(743)은, 내측 반사부(740)의 가상의 중심 축선에 대해 상호 어긋나게 배치된다. 즉, 상부 내측 반사부용 절개공(742)과 하부 내측 반사부용 절개공(743)은, 도 16에 도시된 바와 같이, 내측 반사부(740)의 가상의 중심 축선에 나란하게 위치하는 가상의 직선(G) 상에 함께 배치되지 않는다. In the present embodiment, the upper inner reflecting
또한, 본 실시예에서 내측 반사부(740)의 둘레 방향을 따라 배치되는 하부 내측 반사부용 절개공(743)들 중 적어도 어느 하나는, 도 16에 자세히 도시된 바와 같이, 내측 반사부(740)의 가상의 중심 축선에 나란하게 위치하고 인접한 상부 내측 반사부용 절개공(742)을 지나가는 가상의 직선(G)과의 최단거리(a)가 다른 내측 반사부용 절개공(742)을 지나가는 가상의 직선(G)과 다른 하부 내측 반사부용 절개공(743) 사이의 최단거리(b)와 상이하게 배치된다. In addition, at least one of the lower
한편, 본 실시예에서 외측 반사부용 절개공(751)은 원형 형상으로 마련된다. 이러한 외측 반사부용 절개공(751)은 외측 반사부(750)의 상부 영역에 마련되는 상부 외측 반사부용 절개공(752)과, 외측 반사부(750)의 하부 영역에 마련되는 하부 외측 반사부용 절개공(753)을 포함한다.On the other hand, in the present embodiment, the
상부 외측 반사부용 절개공(752)은 다수개로 마련되어 외측 반사부(750)의 둘레 방향을 따라 이격되어 배치된다. 이러한 상부 외측 반사부용 절개공(752)은 원형 형상으로 마련되어 외측 반사부(750)의 길이방향(외측 반사부의 중심 축선 방향)으로 이격되어 배치되는 다수개의 단위 상부 외측 반사부용 절개공(752)을 포함한다.A plurality of cutout holes 752 for the upper outer reflector are provided and spaced apart along the circumferential direction of the
본 실시예에서 단위 상부 외측 반사부용 절개공(752)은 3개로 마련되어 내측 반사부(740)의 길이방향을 따라 배치되는데, 이에 본 발명의 권리범위가 한정되지 않으며, 단위 상부 외측 반사부용 절개공(752)의 개수는 다양하게 변화될 수 있다.In the present embodiment, the unit upper outer reflecting
하부 외측 반사부용 절개공(753)은 다수개로 마련되어 외측 반사부(750)의 둘레 방향을 따라 이격되어 배치된다. 이러한 하부 외측 반사부용 절개공(753)은 원형 형상으로 마련되어 외측 반사부(750)의 길이방향(외측 반사부의 중심 축선 방향)으로 이격되어 배치되는 다수개의 단위 하부 외측 반사부용 절개공(753)을 포함한다.A plurality of cutout holes 753 for the lower outer reflector are provided and spaced apart along the circumferential direction of the
본 실시예에서 단위 하부 외측 반사부용 절개공(753)은 3개로 마련되어 외측 반사부(750)의 길이방향을 따라 배치되는데, 이에 본 발명의 권리범위가 한정되지 않으며, 단위 하부 외측 반사부용 절개공(753)의 개수는 다양하게 변화될 수 있다.In the present embodiment, the unit lower outer reflecting portion (753) is provided with three arranged along the longitudinal direction of the
한편, 본 실시예에서 외측 반사부(750)의 둘레 방향을 따라 배치되는 하부 외측 반사부용 절개공(753)들 중 적어도 어느 하나는, 도 16에 자세히 도시된 바와 같이, 외측 반사부(750)의 가상의 중심 축선에 나란하게 위치하는 가상의 직선(H) 상에 함께 배치되지 않는다. 즉, 일부의 하부 외측 반사부용 절개공(753)은, 도 16에 도시된 바와 같이, 외측 반사부(750)의 가상의 중심 축선에 나란하게 위치하고 인접한 상부 외측 반사부용 절개공(752)을 지나는 가상의 직선(H) 상에 배치되지 않는다. Meanwhile, in at least one of the lower
상술한 구성을 갖는 증착물질 증발장치(100)의 동작에 대해 도 16을 참조하여 설명한다.An operation of the vapor
외측 반사부(750)를 내측 반사부(740)에 대해 왼쪽으로 회전시키면, 상부 내측 반사부용 절개공(742)과 상부 외측 반사부용 절개공(752)이 겹쳐지는 동시에 일부 하부 내측 반사부용 절개공(743)과 일부 하부 외측 반사부용 절개공(753)이 겹쳐진다. When the
이와 같이 외측 반사부(750)가 내측 반사부(740)에 대해 왼쪽으로 소정 각도 회전됨에 따라 상부 내측 반사부용 절개공(742)과 상부 외측 반사부용 절개공(752) 모두가 겹쳐지고 일부 하부 내측 반사부용 절개공(743)과 단위 하부 외측 반사부용 절개공(753)이 겹쳐짐으로써, 열반사유닛(130)의 반사면적이 줄어들어 도가니유닛(110)의 온도가 낮아진다. As the
또한, 상부 내측 반사부용 절개공(742)과 상부 외측 반사부용 절개공(752)은 전부가 겹쳐지되 하부 내측 반사부용 절개공(743)과 하부 외측 반사부용 절개공(753)은 일부가 겹쳐짐으로써, 열반사유닛(130)의 상부 영역의 반사면적이 하부 영역의 반사면적보다 상대적으로 더 작아짐으로써, 도가니유닛(110)의 상부 영역의 온도를 하부 영역보다 상대적으로 낮아질 수 있다. In addition, the upper inner
한편, 외측 반사부(750)를 내측 반사부(740)에 대해 오른쪽으로 회전시키면, 상부 내측 반사부용 절개공(742)과 상부 외측 반사부용 절개공(752)은 겹쳐지지 않고 일부 하부 내측 반사부용 절개공(743)과 일부 하부 외측 반사부용 절개공(753)만이 겹쳐진다. Meanwhile, when the
따라서, 열반사유닛(130)의 상부 영역의 반사면적이 하부 영역의 반사면적보다 상대적으로 넓어짐으로써 도가니유닛(110)의 상부 영역의 온도를 하부 영역의 온도보다 상대적으로 높일 수 있다.Therefore, the reflecting area of the upper region of the
도 17는 본 발명의 제8 실시예에 따른 증착물질 증발장치의 내측 반사부와 내측 반사부를 전개하여 도시한 도면이다.FIG. 17 is a view illustrating an inner reflection part and an inner reflection part of the deposition material evaporation apparatus according to the eighth embodiment of the present invention.
본 실시예는 제7 실시예와 비교할 때에 내측 반사부용 절개공(841)과 외측 반사부용 절개공(851)이 배열방식이 반대로 배열되는 점에서 차이가 있을 뿐, 다른 구성에 있어서는 도 16의 제1 실시예의 구성과 동일하므로, 이하에서는 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고 그 설명을 생략한다.This embodiment differs from the seventh embodiment in that the inner reflecting portion cutting holes 841 and the outer reflecting
본 실시예에서 외측 반사부용 절개공(851)은 원형 형상으로 마련된다. 이러한 외측 반사부용 절개공(851)은 외측 반사부(850)의 상부 영역에 마련되는 상부 외측 반사부용 절개공(852)과, 외측 반사부(850)의 하부 영역에 마련되는 하부 외측 반사부용 절개공(853)을 포함한다.In the present embodiment, the
상부 외측 반사부용 절개공(852)은 다수개로 마련되어 외측 반사부(850)의 둘레 방향을 따라 이격되어 배치된다. 이러한 상부 외측 반사부용 절개공(852)은 원형 형상으로 마련되어 외측 반사부(850)의 길이방향(외측 반사부의 중심 축선 방향)으로 이격되어 배치되는 다수개의 단위 상부 외측 반사부용 절개공(852)을 포함한다.The upper outer reflecting
본 실시예에서 단위 상부 외측 반사부용 절개공(852)은 3개로 마련되어 외측 반사부(850)의 길이방향을 따라 배치되는데, 이에 본 발명의 권리범위가 한정되지 않으며, 단위 상부 외측 반사부용 절개공(852)의 개수는 다양하게 변화될 수 있다.In the present embodiment, the unit upper outer reflecting
하부 외측 반사부용 절개공(853)은 다수개로 마련되어 외측 반사부(850)의 둘레 방향을 따라 이격되어 배치된다. 이러한 하부 외측 반사부용 절개공(853)은 원형 형상으로 마련되어 외측 반사부(850)의 길이방향(외측 반사부의 중심 축선 방향)으로 이격되어 배치되는 다수개의 단위 하부 외측 반사부용 절개공(853)을 포함한다.A plurality of cutout holes 853 for the lower outer reflector are provided to be spaced apart along the circumferential direction of the outer reflector 850. The lower
본 실시예에서 단위 하부 외측 반사부용 절개공(853)은 3개로 마련되어 외측 반사부(850)의 길이방향을 따라 배치되는데, 이에 본 발명의 권리범위가 한정되지 않으며, 단위 하부 외측 반사부용 절개공(853)의 개수는 다양하게 변화될 수 있다.In the present embodiment, the unit lower outer reflecting portion 885 is provided with three arranged along the longitudinal direction of the outer reflecting portion 850, which is not limited to the scope of the present invention, the lower portion of the outer reflecting portion for the unit The number of 853 may vary.
본 실시예에서 상부 외측 반사부용 절개공(852)과 하부 외측 반사부용 절개공(853)은, 외측 반사부(850)의 가상의 중심 축선에 대해 상호 어긋나게 배치된다. 즉, 상부 외측 반사부용 절개공(852)과 하부 외측 반사부용 절개공(853)은, 도 17에 도시된 바와 같이, 외측 반사부(850)의 가상의 중심 축선에 나란하게 위치하는 가상의 직선(H) 상에 함께 배치되지 않는다. In this embodiment, the upper
또한, 본 실시예에서 외측 반사부(850)의 둘레 방향을 따라 배치되는 하부 외측 반사부용 절개공(853)들 중 적어도 어느 하나는, 도 17에 자세히 도시된 바와 같이, 외측 반사부(850)의 가상의 중심 축선에 나란하게 위치하고 인접한 상부 외측 반사부용 절개공(852)을 지나가는 가상의 직선(H)과의 최단거리(c)가 다른 상부 외측 반사부용 절개공(852)을 지나가는 가상의 직선(H)과 다른 하부 외측 반사부용 절개공(853) 사이의 최단거리(d)와 상이하게 배치된다. In addition, in the present embodiment, at least one of the lower
한편, 본 실시예에서 내측 반사부용 절개공(841)은 원형 형상으로 마련된다. 이러한 내측 반사부용 절개공(841)은 내측 반사부(840)의 상부 영역에 마련되는 상부 내측 반사부용 절개공(842)과, 내측 반사부(840)의 하부 영역에 마련되는 하부 내측 반사부용 절개공(843)을 포함한다.On the other hand, in the present embodiment, the incision hole 841 for the inner reflection part is provided in a circular shape. The inner reflector cutout 841 is an upper inner reflector cutout 842 provided in the upper region of the inner reflector 840 and a lower inner reflector cutoff provided in the lower region of the inner reflector 840. Ball 843.
상부 내측 반사부용 절개공(842)은 다수개로 마련되어 내측 반사부(840)의 둘레 방향을 따라 이격되어 배치된다. 이러한 상부 내측 반사부용 절개공(842)은 원형 형상으로 마련되어 내측 반사부(840)의 길이방향(내측 반사부의 중심 축선 방향)으로 이격되어 배치되는 다수개의 단위 상부 내측 반사부용 절개공(842)을 포함한다.The upper inner reflecting portion cutting holes 842 are provided in plural and spaced apart along the circumferential direction of the inner reflecting portion 840. The upper inner reflector cutout 842 is formed in a circular shape and is disposed in the longitudinal direction of the inner reflector 840 (in the central axis direction of the inner reflector) spaced apart from the plurality of unit upper inner reflector cutouts 842. Include.
본 실시예에서 단위 상부 내측 반사부용 절개공(842)은 3개로 마련되어 내측 반사부(840)의 길이방향을 따라 배치되는데, 이에 본 발명의 권리범위가 한정되지 않으며, 단위 상부 내측 반사부용 절개공(842)의 개수는 다양하게 변화될 수 있다.In the present embodiment, the unit upper inner reflecting portion cutting holes 842 are provided in three along the longitudinal direction of the inner reflecting portion 840, but the scope of the present invention is not limited thereto, and the unit upper inner reflecting portion cutting holes 842 are not limited thereto. The number of 842 may vary.
하부 내측 반사부용 절개공(843)은 다수개로 마련되어 내측 반사부(840)의 둘레 방향을 따라 이격되어 배치된다. 이러한 하부 내측 반사부용 절개공(843)은 원형 형상으로 마련되어 내측 반사부(840)의 길이방향(내측 반사부의 중심 축선 방향)으로 이격되어 배치되는 다수개의 단위 하부 내측 반사부용 절개공(843)을 포함한다.A plurality of lower inner reflector cutouts 843 are provided and spaced apart along the circumferential direction of the inner reflector 840. The lower inner reflector cutout 843 has a circular shape and is disposed in the longitudinal direction of the inner reflector 840 spaced apart in the longitudinal direction (the center axis direction of the inner reflector). Include.
본 실시예에서 단위 하부 내측 반사부용 절개공(843)은 3개로 마련되어 내측 반사부(840)의 길이방향을 따라 배치되는데, 이에 본 발명의 권리범위가 한정되지 않으며, 단위 하부 내측 반사부용 절개공(843)의 개수는 다양하게 변화될 수 있다.In the present embodiment, the lower portion of the inner reflecting portion 843 for the unit is provided along the longitudinal direction of the inner reflecting portion 840, but the scope of the present invention is not limited thereto. The number of 843 may vary.
한편, 본 실시예에서 내측 반사부(840)의 둘레 방향을 따라 배치되는 하부 내측 반사부용 절개공(843)들 중 적어도 어느 하나는, 도 17에 자세히 도시된 바와 같이, 내측 반사부(840)의 가상의 중심 축선에 나란하게 위치하는 가상의 직선(G) 상에 함께 배치되지 않는다. 즉, 일부의 하부 내측 반사부용 절개공(843)은, 도 17에 도시된 바와 같이, 내측 반사부(840)의 가상의 중심 축선에 나란하게 위치하고 인접한 상부 내측 반사부용 절개공(842)을 지나는 가상의 직선(G) 상에 배치되지 않는다. Meanwhile, at least one of the lower inner reflector cutouts 843 disposed in the circumferential direction of the inner reflector 840 in the present embodiment, as shown in detail in FIG. 17, the inner reflector 840. Are not arranged together on an imaginary straight line G located side by side on the imaginary central axis of the. That is, some of the lower inner reflector cutouts 843 are located side by side on the virtual center axis of the inner reflector 840 and pass through the adjacent upper inner reflector cutouts 842, as shown in FIG. 17. It is not arranged on the imaginary straight line G.
상술한 구조를 가지는 내측 반사부(840) 및 외측 반사부(850)의 상호 작용, 즉 외측 반사부(850)의 내측 반사부(840)에 대한 상대회전을 통해 제7 실시예에서 설명한 것과 마찬가지로 열반사유닛(130)의 반사면적을 가변시킬 수 있다.As described in the seventh embodiment, the interaction between the inner reflector 840 and the outer reflector 850 having the above-described structure, that is, the relative rotation with respect to the inner reflector 840 of the outer reflector 850 is performed. The reflection area of the
이와 같이 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.As described above, the present invention is not limited to the described embodiments, and various modifications and changes can be made without departing from the spirit and scope of the present invention, which will be apparent to those skilled in the art. Therefore, such modifications or variations will have to be belong to the claims of the present invention.
110: 도가니유닛 111: 개구부
120: 히팅유닛 130: 열반사유닛
140, 240, 340, 440, 540, 640, 740, 840: 내측 반사부
141, 241, 341, 441, 541, 641, 741, 841: 내측 반사부용 절개공
341a: 제1 단위 내측 반사부용 절개공
341b: 제2 단위 내측 반사부용 절개공
142, 242, 742, 842: 상부 내측 반사부용 절개공
143, 243, 743, 843: 하부 내측 반사부용 절개공
150, 250, 350, 450, 550, 650, 750, 850: 외측 반사부
151, 251, 351, 451, 551, 651, 751, 851: 외측 반사부용 절개공
551a, 651a: 제1 단위 외측 반사부용 절개공
551b, 651b: 제2 단위 외측 반사부용 절개공
152, 252, 752, 852: 상부 외측 반사부용 절개공
153, 253, 753, 853: 하부 외측 반사부용 절개공
155: 관통공 160: 지지부
161: 나사공 170: 회전 제한부
171: 가압 볼트 171a: 볼트 몸체부
171b: 볼트 헤드부 180: 냉각유닛
181: 냉각라인 182: 냉각유닛 본체
183: 상부 연통부 184: 하부 연통부
M: 증착물질 P1: 냉각수 공급배관
P2: 냉각수 배출배관110: crucible unit 111: opening
120: heating unit 130: heat reflection unit
140, 240, 340, 440, 540, 640, 740, 840: inner reflector
141, 241, 341, 441, 541, 641, 741, 841: Incision for inner reflector
341a: a cutting hole for the first inner reflection part of the unit
341b: Incision hole for second unit inner reflection part
142, 242, 742, 842: incision for upper inner reflector
143, 243, 743, 843: Incision for lower medial reflector
150, 250, 350, 450, 550, 650, 750, 850: outer reflector
151, 251, 351, 451, 551, 651, 751, 851: Incision for outer reflector
551a, 651a: a cutting hole for the first outer reflector of the unit
551b and 651b: Incision holes for second unit outer reflector
152, 252, 752, 852: Incision for upper outer reflector
153, 253, 753, 853: Incision for lower outer reflector
155: through hole 160: support portion
161: screw hole 170: rotation limiting portion
171:
171b: bolt head portion 180: cooling unit
181: cooling line 182: cooling unit body
183: upper communication part 184: lower communication part
M: evaporation material P1: cooling water supply piping
P2: cooling water discharge line
Claims (19)
상기 도가니유닛에 인접하게 배치되며, 상기 도가니유닛을 가열하는 히팅유닛; 및
상기 히팅유닛에 인접하게 배치되며, 상기 히팅유닛에서 방사된 열을 상기 도가니유닛으로 반사하는 열반사유닛을 포함하며,
상기 열반사유닛은,
상기 열을 반사하는 반사면적이 가변되게 배치 가능한 반사면적 가변형 열반사유닛을 포함하며,
상기 반사면적 가변형 열반사유닛은,
상기 도가니유닛에 대해 이격되어 배치되며, 내측 반사부용 절개공이 형성된 내측 반사부; 및
상기 도가니유닛을 기준으로 상기 내측 반사부보다 상기 도가니유닛에 대하여 더 멀리 이격되어 배치되며, 외측 반사부용 절개공이 형성된 외측 반사부를 포함하고,
상기 내측 반사부 및 상기 외측 반사부 중 적어도 어느 하나는 다른 하나에 대해 상대회전 가능하게 연결되는 것을 특징으로 하는 증착물질 증발장치.A crucible unit accommodating a deposition material therein;
A heating unit disposed adjacent to the crucible unit and heating the crucible unit; And
A heat reflection unit disposed adjacent to the heating unit and reflecting heat radiated from the heating unit to the crucible unit,
The heat reflection unit,
It includes a reflective area variable heat reflection unit that can be arranged to vary the reflection area reflecting the heat,
The reflection area variable heat reflection unit,
An inner reflector disposed to be spaced apart from the crucible unit and having a cutout for the inner reflector; And
The outer reflector is disposed farther with respect to the crucible unit than the inner reflector based on the crucible unit, and includes an outer reflector having an incision hole for an outer reflector.
And at least one of the inner reflector and the outer reflector is rotatably connected relative to the other.
상기 내측 반사부는,
내부가 중공되며, 미리 결정된 내경을 가지는 원통 형상으로 마련되며,
상기 외측 반사부는,
내부가 중공되며, 상기 내측 반사부의 내경보다 큰 내경을 가지는 원통 형상으로 마련되고,
상기 도가니유닛은 상기 내측 반사부의 내부에 배치되며,
상기 내측 반사부는 상기 외측 반사부의 내부에 배치되는 것을 특징으로 하는 증착물질 증발장치.The method of claim 1,
The inner reflector,
The inside is hollow, provided in a cylindrical shape having a predetermined inner diameter,
The outer reflector,
The inside is hollow, provided in a cylindrical shape having an inner diameter larger than the inner diameter of the inner reflecting portion,
The crucible unit is disposed inside the inner reflector,
And the inner reflection part is disposed inside the outer reflection part.
상기 내측 반사부용 절개공은 다수개로 마련되며, 다수개의 내측 반사부용 절개공은 내측 반사부의 둘레방향을 따라 미리 결정된 간격만큼 이격되어 배치되며,
상기 외측 반사부용 절개공은 다수개로 마련되며, 다수개의 외측 반사부용 절개공은 외측 반사부의 둘레방향을 따라 미리 결정된 간격만큼 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 증착물질 증발장치.The method of claim 4, wherein
The inner reflecting portion is provided with a plurality of cutouts, the plurality of inner reflecting portion for the cutting hole is disposed spaced apart by a predetermined interval in the circumferential direction of the inner reflecting portion,
And a plurality of cutout holes for the outer reflector, and a plurality of cutout holes for the outer reflector are spaced apart by a predetermined interval along the circumferential direction of the outer reflector.
상기 내측 반사부용 절개공은,
상기 내측 반사부의 상부 영역에 마련되는 상부 내측 반사부용 절개공; 및
상기 내측 반사부의 하부 영역에 마련되는 하부 내측 반사부용 절개공을 포함하는 증착물질 증발장치.The method of claim 5,
The cutting hole for the inner reflector,
An upper inner reflector cutout provided in an upper region of the inner reflector; And
Evaporation material deposition apparatus comprising a cutout for the lower inner reflector provided in the lower region of the inner reflector.
상기 상부 내측 반사부용 절개공들과 상기 하부 내측 반사부용 절개공들 중 적어도 어느 하나는, 상기 내측 반사부의 가상의 중심 축선에 대해 상호 어긋나게 배치되는 것을 특징으로 하는 증착물질 증발장치.The method of claim 6,
And at least one of the upper inner reflecting portions cutouts and the lower inner reflecting portion cutoffs is disposed to be offset from a virtual center axis of the inner reflecting portion.
상기 하부 내측 반사부용 절개공들 중 어느 하나의 하부 내측 반사부용 절개공과 상기 내측 반사부의 가상의 중심 축선에 나란하게 위치하고 인접한 상기 상부 내측 반사부용 절개공을 지나가는 가상의 직선과의 최단거리는, 다른 하나의 하부 내측 반사부용 절개공과 상기 내측 반사부의 가상의 중심 축선에 나란하게 위치하고 인접한 다른 상기 상부 내측 반사부용 절개공을 지나가는 가상의 직선과의 최단거리와 상이한 것을 특징으로 하는 증착물질 증발장치.The method of claim 7, wherein
The shortest distance between the lower inner reflector cutout of any one of the lower inner reflector cutouts and an imaginary straight line passing parallel to the upper inner reflector cutout located adjacent to the virtual central axis of the inner reflector, And a shortest distance between the lower inner reflecting incision hole and the virtual straight line passing along the other inner inner reflecting incision hole located parallel to the virtual central axis of the inner reflecting part.
상기 외측 반사부용 절개공은,
상기 외측 반사부의 상부 영역에 마련되는 상부 외측 반사부용 절개공; 및
상기 외측 반사부의 하부 영역에 마련되는 하부 외측 반사부용 절개공을 포함하는 증착물질 증발장치.The method of claim 5,
The cutting hole for the outer reflector,
A cutting hole for the upper outer reflector provided in an upper region of the outer reflector; And
Evaporation material deposition apparatus comprising a cutout for the lower outer reflector provided in the lower region of the outer reflector.
상기 상부 외측 반사부용 절개공들과 상기 하부 외측 반사부용 절개공들 중 적어도 어느 하나는, 상기 외측 반사부의 가상의 중심 축선에 대해 상호 어긋나게 배치되는 것을 특징으로 하는 증착물질 증발장치.The method of claim 9,
And at least one of the cutouts for the upper outer reflector and the cutouts for the lower outer reflector are disposed to be offset from each other with respect to a virtual center axis of the outer reflector.
상기 하부 외측 반사부용 절개공들 중 어느 하나의 하부 외측 반사부용 절개공과 상기 외측 반사부의 가상의 중심 축선에 나란하게 위치하고 인접한 상기 상부 외측 반사부용 절개공을 지나가는 가상의 직선과의 최단거리는, 다른 하나의 하부 외측 반사부용 절개공과 상기 외측 반사부의 가상의 중심 축선에 나란하게 위치하고 인접한 다른 상기 상부 외측 반사부용 절개공을 지나가는 가상의 직선과의 최단거리와 상이한 것을 특징으로 하는 증착물질 증발장치.The method of claim 10,
The shortest distance between the lower outer reflector cutout of any one of the lower outer reflector cuts and an imaginary straight line passing along the virtual center axis of the outer reflector and adjacent to the upper outer reflector cutout adjacent to each other, And a shortest distance between the lower outer reflecting incision of the lower outer reflector and an imaginary straight line which is located parallel to the imaginary central axis of the outer reflecting portion and passes through the adjacent upper upper reflecting incision.
상기 내측 반사부용 절개공은,
적어도 하나 이상으로 마련되어 상기 내측 반사부의 길이 방향을 따라 이격되어 배치되는 제1 단위 내측 반사부용 절개공; 및
적어도 하나 이상으로 마련되어 상기 내측 반사부의 길이 방향을 따라 이격되어 배치되며, 상기 제1 단위 내측 반사부용 절개공에 대해 상기 내측 반사부의 둘레 방향으로 미리 결정된 간격만큼 이격되어 배치되는 제2 단위 내측 반사부용 절개공을 포함하되,
상기 제1 단위 내측 반사부용 절개공과 상기 제2 단위 내측 반사부용 절개공의 개수는 서로 상이한 것을 특징으로 하는 증착물질 증발장치.The method of claim 5,
The cutting hole for the inner reflector,
An incision hole for the first unit inner reflector provided at least one spaced apart along the longitudinal direction of the inner reflector; And
It is provided with at least one spaced apart in the longitudinal direction of the inner reflector for the second unit inner reflector for spaced apart by a predetermined interval in the circumferential direction of the inner reflector with respect to the cutting hole for the first unit inner reflector Including incisions,
The evaporation material deposition apparatus of claim 1, wherein the number of cutout holes for the first inner reflector is different from each other.
상기 외측 반사부용 절개공은,
적어도 하나 이상으로 마련되어 상기 외측 반사부의 길이 방향을 따라 이격되어 배치되는 제1 단위 외측 반사부용 절개공; 및
적어도 하나 이상으로 마련되어 상기 외측 반사부의 길이 방향을 따라 이격되어 배치되며, 상기 제1 단위 외측 반사부용 절개공에 대해 상기 외측 반사부의 둘레 방향으로 미리 결정된 간격만큼 이격되어 배치되는 제2 단위 외측 반사부용 절개공을 포함하되,
상기 제1 단위 외측 반사부용 절개공과 상기 제2 단위 외측 반사부용 절개공의 개수는 서로 상이한 것을 특징으로 하는 증착물질 증발장치.The method of claim 5,
The cutting hole for the outer reflector,
A cut-out hole for the first unit outer reflector provided at least one spaced apart along the longitudinal direction of the outer reflector; And
It is provided with at least one spaced apart in the longitudinal direction of the outer reflector for the second unit outer reflector for spaced apart by a predetermined interval in the circumferential direction of the outer reflector with respect to the cutting hole for the first unit outer reflector. Including incisions,
And the number of cutouts for the first unit outer reflector and the cutout for the second unit outer reflector is different from each other.
상기 반사면적 가변형 열반사유닛은,
상기 내측 반사부와 상기 외측 반사부를 지지하며, 상기 내측 반사부와 상기 외측 반사부 중 적어도 어느 하나가 상대회전 가능하게 연결되는 지지부를 더 포함하는 증착물질 증발장치.The method of claim 4, wherein
The reflection area variable heat reflection unit,
And a support part supporting the inner reflector and the outer reflector, wherein at least one of the inner reflector and the outer reflector is rotatably connected.
상기 반사면적 가변형 열반사유닛은,
상기 내측 반사부와 상기 외측 반사부 중 적어도 어느 하나의 지지부에 대한 상대회전을 제한하는 회전 제한부를 더 포함하는 증착물질 증발장치.The method of claim 12,
The reflection area variable heat reflection unit,
And a rotation limiter configured to limit a relative rotation of at least one of the inner reflector and the outer reflector.
상기 회전 제한부는 상기 외측 반사부의 상기 지지부에 대한 상대회전을 제한하며,
상기 지지부에는, 상기 지지부에 측벽에는 함몰되어 형성되며 내벽에 나사산이 형성된 나사공이 마련되며,
상기 회전 제한부는,
상기 외측 반사부에 형성된 관통공을 관통하여 상기 나사공에 치합되어 상기 외측 반사부를 상기 지지부로 가압하는 가압 볼트를 포함하는 증착물질 증발장치.The method of claim 15,
The rotation limiting portion restricts relative rotation of the support portion of the outer reflecting portion,
The support portion is provided with a screw hole formed in the support portion is recessed in the side wall and a screw thread formed on the inner wall,
The rotation limiter,
And a pressurizing bolt that penetrates the through hole formed in the outer reflecting part and is engaged with the screw hole to press the outer reflecting part to the support part.
상기 관통공은, 상기 외측 반사부의 둘레방향을 따라 연장된 장홀 형상으로 마련되는 것을 특징으로 하는 증착물질 증발장치.The method of claim 16,
The through hole is a vapor deposition material evaporator, characterized in that provided in the form of a long hole extending in the circumferential direction of the outer reflector.
상기 외측 반사부에 인접하게 배치되며, 냉각수가 유동되는 냉각라인이 마련된 냉각유닛을 더 포함하며,
상기 냉각유닛은,
내부가 중공되고 상기 외측 반사부의 내경보다 큰 내경을 가지는 원통 형상으로 마련되며, 상기 냉각라인을 지지하는 냉각유닛 본체;
상기 냉각유닛 본체의 상부 영역에 배치되며, 상기 냉각라인과 연통되는 상부 연통부; 및
상기 냉각유닛 본체의 하부 영역에 배치되며, 상기 냉각라인과 연통되는 하부 연통부를 포함하는 증착물질 증발장치. The method of claim 4, wherein
A cooling unit disposed adjacent to the outer reflecting unit and provided with a cooling line through which cooling water flows,
The cooling unit,
A cooling unit main body having a hollow shape and having a cylindrical shape having an inner diameter larger than an inner diameter of the outer reflecting portion, and supporting the cooling line;
An upper communicating portion disposed in an upper region of the cooling unit body and communicating with the cooling line; And
The vapor deposition material evaporator disposed in the lower region of the cooling unit body, and comprising a lower communication portion in communication with the cooling line.
상기 냉각유닛은,
상기 상부 연통부 및 상기 하부 연통부 중 어느 하나로 상기 냉각수가 공급되고 다른 하나에서 상기 냉각수가 배출되도록, 상기 냉각유닛을 선택적으로 제어하는 냉각유닛 제어부를 더 포함하는 증착물질 증발장치. The method of claim 18,
The cooling unit,
And a cooling unit controller for selectively controlling the cooling unit such that the cooling water is supplied to one of the upper communicating part and the lower communicating part and the cooling water is discharged from the other.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180048546A KR102074675B1 (en) | 2018-04-26 | 2018-04-26 | A evaporation source for deposition material |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180048546A KR102074675B1 (en) | 2018-04-26 | 2018-04-26 | A evaporation source for deposition material |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190124502A KR20190124502A (en) | 2019-11-05 |
KR102074675B1 true KR102074675B1 (en) | 2020-02-07 |
Family
ID=68577099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180048546A KR102074675B1 (en) | 2018-04-26 | 2018-04-26 | A evaporation source for deposition material |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102074675B1 (en) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR101481094B1 (en) | 2012-12-28 | 2015-01-14 | 주식회사 선익시스템 | Heating device of evaporation source |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060063601A (en) | 2004-12-03 | 2006-06-12 | 엘지전자 주식회사 | Method and apparatus of downloading/updating a data to local storage |
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---|---|
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