Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR101727786B1 - 플렉시블 디바이스의 제조 방법 및 플렉시블 디바이스 - Google Patents

플렉시블 디바이스의 제조 방법 및 플렉시블 디바이스 Download PDF

Info

Publication number
KR101727786B1
KR101727786B1 KR1020137026860A KR20137026860A KR101727786B1 KR 101727786 B1 KR101727786 B1 KR 101727786B1 KR 1020137026860 A KR1020137026860 A KR 1020137026860A KR 20137026860 A KR20137026860 A KR 20137026860A KR 101727786 B1 KR101727786 B1 KR 101727786B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
flexible substrate
layer
release layer
support
flexible
Prior art date
Application number
KR1020137026860A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140040706A (ko
Inventor
유지 다나카
겐지 오쿠모토
Original Assignee
파나소닉 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 파나소닉 주식회사 filed Critical 파나소닉 주식회사
Publication of KR20140040706A publication Critical patent/KR20140040706A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101727786B1 publication Critical patent/KR101727786B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H01L27/1266—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate the substrate on which the devices are formed not being the final device substrate, e.g. using a temporary substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

표면에 수산기를 가지는 지지체(1) 위에 소정의 용액을 도포·소성하여 박리층(2)을 형성하고, 상기 박리층(2) 위에 플렉시블 기판(3), 디바이스(4)를 형성하며, 상기 지지체(1)와 상기 박리층(2)의 사이를 경계로, 상기 지지체(1)로부터 상기 박리층(2), 상기 플렉시블 기판(3) 및 상기 디바이스(4)를 박리하고, 플렉시블 디바이스(5)를 제조하는 방법에 있어서, 상기 소정의 용액 중의 알킬실란알콕사이드 유도체에 포함되는 실리콘 원자수와 티탄알콕사이드 유도체에 포함되는 티탄 원자수의 비를, 상기 제2 공정에 있어서의 소성 온도가 200℃ 이상 270℃ 미만인 경우, 3.3~4.1：1로 하며, 상기 소성 온도가 270℃ 이상 330℃ 이하인 경우, 상기 비를 3.3~23：1로 하고, 상기 소성 온도가 330℃ 초과~350℃ 이하인 경우, 상기 비를 19~23：1로 한다.

Description

플렉시블 디바이스의 제조 방법 및 플렉시블 디바이스{FLEXIBLE DEVICE MANUFACTURING METHOD AND FLEXIBLE DEVICE}
본 발명은, 플렉시블 디바이스의 제조 방법 및 플렉시블 디바이스에 관한 것이다.
최근, 차세대의 디스플레이로서, 구동 회로용 TFT 및 유기 EL 등의 디바이스가 플렉시블 기판 위에 형성된 가요성의 디스플레이가 기대되고 있다.
그런데, 플렉시블 기판은 형상이 안정되지 않고 강도도 약하기 때문에, 그 플렉시블 기판상에 디바이스를 형성하는 것은 용이하지 않다. 그래서, 형상이 안정되고 강도도 강한 유리판 등의 지지체상에 플렉시블 기판을 성막하며, 그 플렉시블 기판상에 디바이스를 형성하고, 그 후에 플렉시블 기판 및 디바이스를 일체로 지지체로부터 박리하여, 플렉시블 디바이스를 제조하는 방법이 검토되고 있다.
그러나, 이 방법은, 지지체에 대한 플렉시블 기판의 밀착성 및 박리성에 절묘한 밸런스가 요구된다. 즉, 지지체에 대한 플렉시블 기판의 밀착성을 강하게 하면 박리성은 약해진다. 그로 인해, 지지체로부터 플렉시블 기판을 박리할 때에 강한 힘으로 박리해야 하고, 플렉시블 기판 위의 디바이스에 강한 힘이 가해져 디바이스가 파손되어 버릴 우려가 있다. 한편, 지지체에 대한 플렉시블 기판의 밀착성을 약하게 하면 박리성은 강해진다. 이 경우, 박리시에 디바이스는 파손되기 어려우나, 지지체에 밀착되어 있지 않은 불안정한 플렉시블 기판 위에 디바이스를 형성하는 것은 어렵다.
이와 같이, 박리성과 밀착성이 상반되는 2개의 성질을 밸런스 좋게 가지는 플렉시블 기판을 얻는 것은 어렵다. 그래서 그 대응책으로서, 지지체와 플렉시블 기판의 사이에 별층으로서 박리층을 개재시키는 기술이, 이하의 문헌에 개시되어 있다.
특허 문헌 1에서는, 도 9(a)에 도시하는 바와 같이, 지지체(201)와 플렉시블 기판(202)의 사이에 2층으로 이루어지는 박리층을 개재시키는 제안을 하고 있다. 구체적으로는, 지지체(201)상에 질화물층(203)을 형성하고, 또한 그 위에 산화물층(204), 플렉시블 기판(202), 디바이스(205)를 차례대로 적층한다. 이들 질화물층(203) 및 산화물층(204)이 박리층이 된다. 그리고, 질화물층(203)과 산화물층(204)의 막응력의 차이를 이용하여, 질화물층(203)과 산화물층(204)의 계면에서, 질화물층(203)이 형성된 지지체(201)로부터 산화물층(204) 및 플렉시블 기판(202)을 일체로 박리한다. 또, 박리 방법의 예시로서, 박리시키는 계면에 레이저를 조사함으로써 박리하는 계면에 열을 가하는 수법이 개시되어 있다.
또, 특허 문헌 2에서는, 도 9(b)에 도시하는 바와 같이, 지지체(211)와 플렉시블 기판(212)의 사이에, 패럴린 또는 COC(고리형상 올레핀 공중합체)로 이루어지는 박리층(213)을 개재시키는 제안을 하고 있다. 구체적으로는, 지지체(211)상의 중앙 영역에 박리층(213)을 형성하고, 그 박리층(213) 위에 플렉시블 기판(212)을 형성하는 것인데, 지지체(211)의 외주 영역에는 박리층(213)을 형성하지 않기 때문에, 지지체(211)의 외주 영역에는 직접 플렉시블 기판(212)이 형성된다.
이에 의해, 박리층(213)이 형성되어 있는 중앙 영역에서는, 지지체(211)와 플렉시블 기판(212)의 사이에 박리층(213)이 개재함으로써 박리성을 높이고, 한편, 박리층(213)이 형성되어 있지 않은 외주 영역에서는, 지지체(211)와 플렉시블 기판(212)이 직접 밀착함으로써 밀착성을 높이고 있다. 그 다음에, 플렉시블 기판(212)상의 중앙 영역에 디바이스(214)를 형성한 후, 지지체(211)와 플렉시블 기판(212)의 밀착성이 높은 외주 영역을 떼어내고, 지지체(211)와 박리층(213)의 계면에 있어서, 지지체(211)로부터 플렉시블 기판(212)을 박리한다.
일본국 특허 공개 2006-203220 일본국 특허 공개 2010-67957
그러나, 상기 종래 기술에서는, 이하와 같은 문제가 발생한다.
우선, 특허 문헌 1에서는, 지지체(201)와 플렉시블 기판(202)의 사이에 박리막으로서 2층의 막을 형성하고, 그 2층의 계면에 있어서, 지지체(201)와 플렉시블 기판(202)을 박리하고 있다. 그로 인해, 박리막을 형성하는 공정수가 많아, 프로세스의 부담이 커진다고 하는 문제가 있다. 또, 박리시에 이용하는 레이저 조사 장치는 고가이며, 고비용이 되는 문제가 있다.
다음에, 특허 문헌 2에서는, 지지체(211)와 박리층(213)의 사이에 간극이 발생하고, 그 결과, 지지체(211)와 플렉시블 기판(212)의 밀착성이 약해져, 플렉시블 기판(212)상에 디바이스(214)를 형성할 때에 플렉시블 기판(212)이 안정되지 않아 세밀한 디바이스 형성이 어려워진다. 즉, 플렉시블 기판(212)은 일반적으로 수지 재료로 이루어지고, 수지 재료는 수분을 포함하고 있기 때문에, 플렉시블 기판(212)을 형성할 때는, 수지 재료에 함유되어 있는 수분이 가열에 의해 기화하여 가스가 되며, 그 가스가 박리층(213)과 지지체(211)의 사이에 들어가 간극을 형성한다.
또, 박리층(213)과 지지체(211)의 사이에 간극이 발생하면, 박리층(213)상에 형성되어 있는 플렉시블 기판(212)에 요철이 발생하여, 평탄성을 잃어버리는 문제도 발생한다. 또한, 지지체(211)로부터 플렉시블 기판(212)을 분리시키기 위해, 플렉시블 기판(212) 및 지지체(211)의 외주 영역을 박리층(213)의 외주를 따라 컷하는 공정을 필요로 하여, 그만큼 디바이스(214)에 부하가 걸리는 문제가 발생한다. 게다가 박리층(213)의 재료인 COC는, 내열성이 낮고(Tg：150℃~250℃), 치수 안정성도 낮기(CTE：50ppm~100ppm) 때문에, 프로세스가 제한된다.
그래서, 본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로서, 플렉시블 디바이스 제조의 프로세스를 간소화할 수 있는 플렉시블 디바이스의 제조 방법 및 플렉시블 디바이스를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 양태에 따른 플렉시블 디바이스의 제조 방법은, 표면에 수산기를 가지는 지지체 위에 소정의 용액을 도포하여 박막을 형성하는 제1 공정과, 상기 박막을 소성하여 박리층을 형성하는 제2 공정과, 상기 박리층 위에 플렉시블 기판을 형성하는 제3 공정과, 상기 플렉시블 기판 위에 디바이스를 형성하는 제4 공정과, 상기 지지체와 상기 박리층의 사이를 경계로, 상기 지지체로부터 상기 박리층, 상기 플렉시블 기판 및 상기 디바이스를 박리하는 제5 공정을 포함하고, 상기 소정의 용액은 알킬실란알콕사이드 유도체와 티탄알콕사이드 유도체를 포함하며, 상기 제2 공정에 있어서, 상기 소정의 용액을 도포하여 형성되는 박막의 소성 온도는, 200℃ 이상 350℃ 이하의 온도 범위이고, 상기 소성 온도가 200℃ 이상 270℃ 미만인 경우, 상기 알킬실란알콕사이드 유도체에 포함되는 실리콘 원자수와, 상기 티탄알콕사이드 유도체에 포함되는 티탄 원자수의 비는 3.3~4.1：1이며, 상기 소성 온도가 270℃ 이상 330℃ 이하인 경우, 상기 비는 3.3~23：1이고, 상기 소성 온도가 330℃ 초과~350℃ 이하인 경우, 상기 비는 19~23：1이다.
본 양태에 의하면, 소정의 용액에 포함되는 알킬실란알콕사이드 유도체와 티탄알콕사이드 유도체의 혼합비를 조정하면서, 소성 온도를 조정함으로써, 박리층과 지지체의 밀착성 및 박리성을 제어한다. 이에 의해, 알킬실란알콕사이드 유도체와 티탄알콕사이드 유도체의 소정의 혼합비 및 소정의 소성 온도 범위에서 박리층을 형성함으로써, 지지체에 대한 박리성과 밀착성의 좋은 밸런스를 가지는 박리층을 얻을 수 있다.
도 1은 박리층의 재료에 대한 검토 결과를 도시하는 도이다.
도 2는 알킬실란알콕사이드 유도체로 이루어지는 층의 박리성을 설명하기 위한 도이다.
도 3은 티탄알콕사이드 유도체로 이루어지는 층의 박리성을 설명하기 위한 도이다.
도 4는 혼합비 및 소성 온도가 박리성에 주는 영향에 대한 검토 결과를 도시하는 도이다.
도 5는 박리층의 박리성을 설명하기 위한 도이다.
도 6은 본 발명의 일 양태에 따른 플렉시블 디바이스의 제조 방법의 개요를 도시하는 도이다.
도 7은 본 발명의 일 양태에 따른 플렉시블 디바이스의 제조 방법의 상세를 도시하는 도이다.
도 8은 본 발명의 일 양태에 따른 플렉시블 디바이스의 적층 구조를 설명하기 위한 도이다.
도 9는 종래의 플렉시블 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위한 도이다.
［본 발명의 일 양태의 개요］
본 발명의 일 양태에 따른 플렉시블 디바이스의 제조 방법은, 표면에 수산기를 가지는 지지체 위에 소정의 용액을 도포하여 박막을 형성하는 제1 공정과, 상기 박막을 소성하여 박리층을 형성하는 제2 공정과, 상기 박리층 위에 플렉시블 기판을 형성하는 제3 공정과, 상기 플렉시블 기판 위에 디바이스를 형성하는 제4 공정과, 상기 지지체와 상기 박리층과의 사이를 경계로, 상기 지지체로부터 상기 박리층, 상기 플렉시블 기판 및 상기 디바이스를 박리하는 제5 공정을 포함하고, 상기 소정의 용액은 알킬실란알콕사이드 유도체와 티탄알콕사이드 유도체를 포함하며, 상기 제2 공정에 있어서, 상기 소정의 용액을 도포하여 형성되는 박막의 소성 온도는, 200℃ 이상 350℃ 이하이고, 상기 소성 온도가 200℃ 이상 270℃ 미만인 경우, 상기 알킬실란알콕사이드 유도체에 포함되는 실리콘 원자수와 상기 티탄알콕사이드 유도체에 포함되는 티탄 원자수의 비는 3.3~4.1：1이며, 상기 소성 온도가 270℃ 이상 330℃ 이하인 경우, 상기 비는 3.3~23：1이고, 상기 소성 온도가 330℃ 초과~350℃ 이하인 경우, 상기 비는 19~23：1이다.
본 양태에 의하면, SOG(spin on glass)계 분자인 알킬실란알콕사이드 유도체와 티탄알콕사이드 유도체를 포함하는 용액을 이용하여 박막을 성막하고, 그 박막을 소성함으로써 형성되는 박리층을 지지체와 그 지지체의 상방에 형성되는 플렉시블 기판의 사이에 개재시킨다. 이 박리층은, SOG계 분자들이 결합하여 형성되어 있다. 또한, 여기서 말하는 SOG계 분자들이 결합한다는 것은, 상기 2종의 유도체의 동종 유도체의 결합 및 이종 유도체의 결합의 양쪽 모두를 의미한다.
여기서, 알킬실란알콕사이드 유도체는, 유리에 대해 박리성을 가지고 있고, 밀착성은 낮은 것이다. 따라서, 알킬실란알콕사이드 유도체는, 박리층의 박리성에 기여하고 있다고 생각된다. 또, 알킬실란알콕사이드 유도체의 박리성은, 소성 온도에 의해 변화하고, 소성 온도가 고온이면 박리성은 약해져, 즉, 밀착성이 발현하기 시작한다.
한편, 티탄알콕사이드 유도체는, 유리에 대해 높은 밀착성을 가지고 있고, 박리성은 없는 것이다. 따라서, 티탄알콕사이드 유도체는, 박리층의 밀착성에 기여하고 있다고 생각된다. 또한, 티탄알콕사이드 유도체의 밀착성은, 소성 온도에 의해 변화하지 않으며, 어느 소성 온도에 있어서도 대략 일정한 밀착성을 가진다.
상기와 같이, 알킬실란알콕사이드 유도체는 박리성을 가지고 있으며, 그 박리성은, 소성 온도에 의해 변화한다. 한편, 티탄알콕사이드 유도체는, 지지체인 유리와의 높은 밀착성을 가지고 있으며, 그 밀착성은 소성 온도에 의해 변화하지 않는다.
그래서, 알킬실란알콕사이드 유도체를 포함하는 용매를 유리상에 도포한 후의 소성시의 소성 온도를 제어함으로써, 유리에 대한 박리성을 억제하고, 유리에 대한 밀착성과 박리성을 밸런스 좋게 가지는 박리층을 얻을 수 있다
즉, 본 양태에서는, 소정의 용액에 포함되는 알킬실란알콕사이드 유도체와 티탄알콕사이드 유도체와의 혼합비를 조정하면서, 소성 온도를 조정함으로써, 박리층과 유리의 밀착성 및 박리성을 제어하는 것으로 했다.
구체적으로는, (1) 박리성을 가지는 알킬실란알콕사이드 유도체와 밀착성을 가지는 티탄알콕사이드 유도체의 혼합비, 및, (2) 박리층 형성시의 소성 온도의 제어에 의해, 본 양태의 박리층과 유리의 밀착성 및 박리성을 제어하는 것으로 했다.
이에 의해, 알킬실란알콕사이드 유도체와 티탄알콕사이드 유도체의 소정의 혼합비 및 소정의 소성 온도 범위에서 박리층을 형성함으로써, 유리에 대한 박리성과 밀착성의 좋은 밸런스를 가지는 박리층을 얻을 수 있다.
따라서, 본 양태의 박리층은 지지체인 유리와의 사이에서 밀착성 및 박리성을 밸런스 좋게 가지고 있으며, 본 양태의 박리층을 설치함으로써, 디바이스 형성시에 필요한 밀착성 및 지지체로부터 플렉시블 기판을 박리할 때에 필요한 박리성 양쪽 모두를 담보한다. 따라서, 본 양태의 박리층을 설치함으로써, 과도한 힘을 가하지 않고, 다른 수단을 이용하는 일 없이, 지지체로부터 박리층, 플렉시블 기판 및 디바이스를 용이하게 박리할 수 있다. 그 결과, 플렉시블 기판을 파단 및 변형시키지 않고, 또 디바이스를 파손시키는 일 없이, 플렉시블 디바이스를 제조할 수 있다.
또, 본 양태의 박리층은, 단층만으로 박리성 및 밀착성 양쪽 모두를 밸런스 좋게 가지고 있기 때문에, 박리층으로서 복수의 층을 설치할 필요가 없으므로, 프로세스의 부담을 저감할 수 있다.
또, 본 양태의 박리층은, 용액을 성막하고 소성함으로써 얻어지기 때문에, 증착 등의 기상 프로세스는 불필요하고, 비교적 염가로 용이하게 형성할 수 있다.
또, 알킬실란알콕사이드 유도체와 티탄알콕사이드 유도체를 포함하는 박막을 소성하여 얻어지는 박리층은, 무기계 재료이며, 열내성 및 치수 안정성을 가지기 때문에, 열을 가해도 변형이나 균열이 발생하는 경우도 없다. 그 결과, 박리층 위에 형성되어 있는 플렉시블 기판의 변형도 억제할 수 있다. 또, 박리 후의 박리층은 배리어막으로서 기능한다.
또, 본 발명의 일 양태에 따른 플렉시블 디바이스의 제조 방법의 특정 국면에서는, 상기 제3 공정에 있어서, 상기 플렉시블 기판은, 상기 박리층 위에 도포법에 의해 형성된다. 본 양태에 의하면, 플렉시블 기판을 형성하는 공정을 도포법으로 함으로써, 플렉시블 기판을 얻는데 프로세스의 부담을 저감할 수 있다.
또, 본 발명의 일 양태에 따른 플렉시블 디바이스의 제조 방법의 특정 국면에서는, 상기 제3 공정에 있어서, 상기 플렉시블 기판은 폴리이미드에 의해 형성된다.
또, 본 발명의 일 양태에 따른 플렉시블 디바이스의 제조 방법의 특정 국면에서는, 상기 제3 공정에 있어서, 상기 플렉시블 기판의 막두께는 5~60μm의 두께로 형성된다. 본 양태에 의하면, 강도가 강해 파단되기 어려운 박리층이 플렉시블 기판의 하면에 형성되어 있기 때문에, 박리층이 형성되어 있지 않은 플렉시블 기판보다 강도가 강해, 그 결과, 플렉시블 기판의 막두께를 5~60μm까지 얇게 하더라도 충분히 실용 가능하며, 5~20μm 정도의 두께까지 얇게 할 수 있다.
또, 본 발명의 일 양태에 따른 플렉시블 디바이스의 제조 방법의 특정 국면에서는, 상기 디바이스는 반도체 장치를 포함한다.
또, 본 발명의 일 양태에 따른 플렉시블 디바이스의 제조 방법의 특정 국면에서는, 상기 디바이스는 표시 장치를 포함한다. 또한, 본 발명의 일 양태에 따른 플렉시블 디바이스의 제조 방법의 특정 국면에서는, 상기 표시 장치는 유기 EL이다.
본 발명의 일 양태에 따른 플렉시블 디바이스는, 상기 어느 한쪽에 기재한 플렉시블 디바이스의 제조 방법에 의해 제조되고 있다.
또, 본 발명의 일 양태에 따른 다른 플렉시블 디바이스에서는, 플렉시블 기판과, 상기 플렉시블 기판의 하방에 있는 박리층과, 상기 플렉시블 기판의 상방에 있는 반도체 장치와, 상기 플렉시블 기판의 상방이며 상기 반도체 장치에 의해 제어되는 표시 장치를 구비하고, 상기 박리층은, 폴리알킬실록산과 산화티탄을 포함한다. 본 양태에 의하면, 예를 들어 플렉시블 디바이스가, 보텀 에미션형의 유기 EL 표시 장치인 경우에, 플렉시블 기판의 아래에 박리층이 있으며, 이 박리층은 산화티탄을 포함하고 있다. 그것에 의해, 유기 EL 표시 장치인 플렉시블 디바이스의 외부로부터 입사하는 광 중, 자외 영역의 광을, 산화티탄이 흡수한다. 그 결과, 플렉시블 디바이스의 내부로 들어가는 자외 영역의 광을 줄일 수 있어, 유기 EL에 포함되는 유기 발광층의 자외 영역의 광에 의한 데미지를 저감할 수 있다. 따라서, 유기 발광층의 열화를 방지하여, 긴 수명의 플렉시블 디바이스를 제공할 수 있다. 특히 이러한 구성은 플렉시블 기판이 자외선을 흡수하지 않는 재료인 경우에 적절하다.
또, 본 발명의 일 양태에 따른 플렉시블 디바이스의 특정 국면에서는, 상기 폴리알킬실록산에 포함되는 실리콘 원자수와 상기 산화티탄에 포함되는 티탄 원자수의 비는 3.3~23：1이다.
또, 본 발명의 일 양태에 따른 플렉시블 디바이스의 특정 국면에서는, 상기 표시 장치는 유기 EL이다.
［발명에 이른 경위］
지지체 위에 박리층을 형성하고, 그 박리층 위에 플렉시블 기판을 형성하며, 그 플렉시블 기판 위에 디바이스(예를 들어, 구동 회로용 TFT 및 유기 EL을 포함한다)를 형성한 후, 상기 지지체와 상기 박리층의 계면에서, 상기 지지체로부터 박리층, 플렉시블 기판 및 디바이스를 일체로 박리하는 공정을 포함하는 플렉시블 디바이스의 제조 방법에 대해, 상기 박리층의 요구되는 성질을 이하와 같이 검토했다.
(1) 고온내성, 약품내성
먼저, 플렉시블 기판 위에 디바이스를 형성할 때에는, 고온 공정 또는 약품을 사용하는 공정이 있다. 예를 들어, 디바이스가 구동 회로용 TFT를 포함하는 경우, TFT의 반도체층에 레이저를 조사하는 공정이나, 금속 배선을 형성하기 위해 에칭을 행하는 공정 등이다. 이들 공정에 있어서 박리층이 변질, 변형하지 않도록, 박리층에는 고온내성 및 약품내성을 가지는 것이 요구된다.
(2) 밀착성, 박리성
다음에, 플렉시블 기판 위에 디바이스를 형성할 때에는, 플렉시블 기판을 고정하기 위해, 박리층과 지지체의 밀착성이 요구된다. 한편, 지지체로부터 박리층, 플렉시블 기판 및 디바이스를 일체로 박리할 때에는, 플렉시블 기판을 파손시키지 않기 위해, 지지체와 박리층의 박리성이 요구된다. 즉, 밀착성과 박리성은 상반되는 성질이지만, 이들 성질의 양쪽 모두를 밸런스 좋게 가지는 것이 박리층에 요구된다.
(3) 도포성
또한, 플렉시블 디바이스의 제조에 있어서, 프로세스를 간소화하여 프로세스 부하를 줄이기 위해, 도포 프로세스에 의해 박리층을 형성하는 것이 요구된다.
(4) 각 성질의 평가
발명자는, 상기 (1) 내지 (3)의 성질을 가지는 박리층의 재료를 열심히 검토했다. 그 일례로서, 각종의 재료에 대해, (1) 고온내성, 약품내성, (2) 밀착성, 박리성, (3) 도포성 등을 평가하는 실험을 행했다.
실험에서는, 유리 기판으로서 무알칼리 유리를 이용하고, 플렉시블 기판의 재료로서, 폴리이미드를 이용했다.
박리층의 재료로서, SOG(spin on glass)와 종래예로서 특허 문헌 2의 박리층의 재료인 패럴린과 COC에 대해 검토했다. SOG로는, SiO계 SOG인 알킬실란알콕사이드 유도체(라사공업 주식회사 제조：VRL－1H－5k)와, TiO계 SOG인 티탄알콕사이드 유도체(라사공업 주식회사 제조：TI―204－2k)를 이용했다.
유리 기판상으로의 박리층의 형성은, 이하의 방법으로 행했다. SOG는, 용액으로 하여 스핀 코터에 의해 도포하고, 150℃에서 1분간, 200℃에서 1분간 가열한 후, 330℃에서 가열했다.
박리층상으로의 플렉시블 기판의 형성은, 폴리이미드 전구체를 스핀 코터에 의해 도포하고, 다단계로 승온하며, 350℃(또는 300℃)에서 가열한 후, 방랭했다.
실험 결과를 도 1에 도시한다. 도 1에 있어서, 좋다고 평가한 것이 「○」, 나쁘다고 평가한 것이 「×」, 약간 좋다고 평가한 것이 「△」이다. 도 1에 도시하는 결과로부터, 박리층용으로 충분한 고온내성, 약품내성 및 도포성을 가지는 재료로서, SiO계 SOG인 알킬실란알콕사이드 유도체, 및, TiO계 SOG인 티탄알콕사이드 유도체를 주목하기에 이르렀다.
(5) SOG
SiO계 SOG는, 중심 금속인 실리콘(Si)이 4개의 결합수(結合手)를 가지고 있고, 그 중 2개는 인접하는 SOG계 분자와의 결합에 이용되며, 나머지 2개는 유기기(OR), 수산기(OH), 탄화수소기(R) 중 어느 한쪽과 결합되어 있다고 생각된다.
한편, TiO계 SOG는, 중심 금속인 티탄(Ti)이 4개의 결합수를 가지고 있고, 그 중 2개는 인접하는 SOG계 분자와의 결합에 이용되며, 나머지 2개는 유기기(OR), 수산기(OH) 중 어느 한쪽과 결합되어 있다고 생각된다.
SiO계 SOG 및 TiO계 SOG의 양방에 있어서, SOG 분자의 수산기(OH)가, 인접하는 SOG 분자의 수산기(OH) 또는 유리의 수산기(OH)와 탈수 축합하여, SOG 분자들의 결합 또는 SOG 분자와 유리의 결합에 기여한다고 생각된다. 따라서, SOG를 유리 기판상에 도포하고, 소성함으로써 SOG층을 형성한 경우에는, SOG층의 표면의 수산기(OH)와 유리 표면의 수산기(OH)가 탈수 축합하여 공유 결합을 형성함으로써, SOG와 유리가 밀착성을 발현한다. 즉, SOG의 표면에 존재하는 수산기(OH)의 양에 의해, SOG와 유리의 밀착성이 결정되고, 그 수산기(OH)의 양을 제어함으로써, SOG와 유리의 밀착성을 컨트롤할 수 있다.
한편, SOG 중에서도 SiO계 SOG에 대해서는, Si의 결합수의 일부가 탄화수소기(R)와 결합되어 있다. 탄화수소기(R)는 유리의 수산기(OH)와는 결합하지 않으므로, SiO계 SOG는 유리에 대해 박리성을 가진다.
이상에 입각하여, SiO계 SOG 및 TiO계 SOG의 밀착성 및 박리성의 특징에 대해 실험에 의해 이하의 견식을 얻었다.
(6) SiO계 SOG
SiO계 SOG의 일례인 알킬실란알콕사이드 유도체를 지지체인 유리 기판 위에 도포하고, 소성함으로써 SOG층을 형성할 수 있다.
알킬실란알콕사이드 유도체에 포함되어 있는 유기기(OR)는, 소성에 있어서 저온의 가열에서도 가수분해를 일으켜, 수산기(OH)가 된다.
알킬실란알콕사이드 유도체에 포함되어 있는 탄화수소기(R)도, 소성에 있어서 이탈하여 수산기(OH)로 변화하지만, 소성 온도에 따라 변화의 정도가 상이하다.
알킬실란알콕사이드 유도체에 포함되어 있는 탄화수소기(R)는 소성 온도가 200도 미만인 경우, 탄화수소기(R)는 이탈하지 않고, 수산기(OH)로 변화하지 않는다. 따라서, 도 2(a)에 도시하는 바와 같이, SOG층과 유리 기판의 계면에 있어서, SOG층의 표면에, Si원자와 결합되어 있는 탄화수소기(R)가 존재한다. 이 탄화수소기(R)는, 유리 기판의 표면의 수산기(OH)와 결합하지 않으므로, 알킬실란알콕사이드 유도체는 유리 기판에 대해 박리성을 가진다.
한편, 소성 온도가 200도 이상인 경우, 탄화수소기(R)는 이탈하기 시작하고, 수산기(OH)로 변화하기 시작하며, 소성 온도가 고온일수록 탄화수소기(R)가 감소하고, 탄화수소기(R)로부터 변화한 수산기(OH)가 증대한다. 즉, 알킬실란알콕사이드 유도체에 포함되는 탄화수소기(R)와 수산기(OH)의 비율은 소성 온도에 의해 결정되며, 소성 온도가 고온일수록, 탄화수소기(R)가 수산기(OH)로 변화하는 비율이 증가하고, SOG층의 표면에 존재하는 수산기(OH)의 양이 증가한다.
소성 온도가 고온이면, 도 2(b)에 도시하는 바와 같이, SOG층의 표면의 수산기(OH)와 유리 기판의 표면의 수산기(OH)가 탈수 축합하고 공유 결합하는 확률이 높아지기 때문에, SOG층과 유리 기판의 박리성이 약해져, 밀착성을 발현하기 시작한다.
따라서, 소성 온도를 200도 이상으로 함으로써, SOG층의 표면에 존재하는 수산기(OH)의 양을 증대시켜, 그 결과, SOG층의 유리 기판에 대한 박리성을 억제할 수 있다. 또한, SOG층의 소성 온도가 200도 이상이어도, 350도 이하이면, SOG층은, 유리 기판에 대해 일정의 박리성을 구비하고 있다.
(7) TiO계 SOG
TiO계 SOG인 티탄알콕사이드 유도체를 지지체인 유리 위에 도포하고, 소성함으로써 SOG층을 형성할 수 있다.
도 3에 도시하는 바와 같이, TiO계 SOG인 티탄알콕사이드 유도체로 이루어지는 SOG층의 표면은 수산기(OH)가 많다. 그로 인해, 소성 온도에 따르지 않고, SOG층의 표면에 존재하는 수산기(OH)와 유리 기판의 표면의 수산기(OH)가 공유결합을 형성하는 확률은 높기 때문에, 높은 밀착성을 가진다. 즉, 티탄알콕사이드 유도체는, 소성 온도에 의하지 않고, 유리에 대해 높은 밀착성을 가지고 있으며, 박리성을 가지고 있지 않다.
(8) SiO계 재료와 TiO계 재료의 혼합
상기와 같이, 알킬실란알콕사이드 유도체는, 지지체인 유리에 대해 박리성을 가지고 있어, 소성 온도의 제어에 의해, 유리에 대한 박리성의 강약을 제어할 수 있다. 즉, 고온에서 소성하면 박리성은 약해지고, 밀착성이 발현하기 시작한다. 한편, 티탄알콕사이드 유도체는, 소성 온도에 상관없이, 지지체인 유리에 대해 높은 박리성을 가진다.
그래서, 소성 온도에 의해 유리에 대한 박리성이 변화하는 알킬실란알콕사이드 유도체의 특성에 주목하여, 알킬실란알콕사이드 유도체를 포함하는 용액을 유리상에 도포하여 박막을 형성할 때의 소성 온도를 제어함으로써, 그 박막의 유리에 대한 박리성을 제어하고, 유리에 대한 밀착성과 박리성을 밸런스 좋게 가지는 박리층을 얻는 것으로 했다.
그러나, 용매에 용해시킬 수 있는 알킬실란알콕사이드 유도체의 양은 소량이며, 용액에 알킬실란알콕사이드 유도체를 다량으로 혼합하면 용액의 점성이 증가하여, 박막 형성시에 용액 프로세스를 이용할 수 없다. 즉, 알킬실란알콕사이드 유도체를 용해시킬 수 있는 양에 제한이 있으며, 알킬실란알콕사이드 유도체만으로는 용액을 제작할 수 없다.
한편, 티탄알콕사이드 유도체는 다량으로 용매에 용해시킬 수 있다. 그래서, 알킬실란알콕사이드 유도체와 티탄알콕사이드 유도체를 혼합시킴으로써, 박리층의 유리에 대한 밀착성과 박리성을 밸런스 좋게 담보하는 것으로 했다.
(9) 혼합비 및 소성 온도
적절한 밀착성을 가지고 박리 가능한 박리층을 얻기 위해, (1) 알킬실란알콕사이드 유도체와 티탄알콕사이드 유도체의 혼합비, 및, (2) 소성 온도 범위에 대해, 열심히 검토를 행했다.
실험에서는, 소정의 용액으로서, SiO계 SOG 용액(라사공업 주식회사 제조：TI－204－2k)와, TiO계 SOG 용액(라사공업 주식회사 제조：VRL－1H－5k)의 혼합 용액을 이용했다. 알킬실란알콕사이드 유도체에 대해서는, 상기 SiO계 SOG 용액에 포함되어 있으며, 또, 티탄알콕사이드 유도체에 대해서는, 상기 TiO계 SOG 용액에 포함되어 있다.
혼합 용액에 포함되는 알킬실란알콕사이드 유도체와 티탄알콕사이드 유도체의 비는, 이하와 같이 산출했다.
우선, 원하는 혼합 체적비의 SiO계 SOG 용액 및 TiO계 SOG 용액을, 각각 가열하여 용액 중의 용매를 증발시켜, 각각의 용액으로부터 얻어진 잔류 고형물의 중량을 각각 측정했다. 여기서, 가열됨으로써, SiO계 SOG 용액에 포함되는 알킬실란알콕사이드 유도체는 이산화실리콘(SiO2)으로, 또, TiO계 SOG 용액에 포함되는 티탄알콕사이드 유도체는 이산화티탄(TiO2)으로 변화한다고 생각된다. 그로 인해, SiO계 SOG 용액의 잔류 고형물의 중량을 SiO2의 분자량으로 제산하고, TiO계 SOG 용액의 잔류 고형물의 중량을 TiO2의 분자량으로 제산함으로써, 원하는 혼합 체적비의 SiO계 SOG 용액 및 TiO계 SOG 용액 중 SiO계 SOG 용액에 포함되는 실리콘의 원자수와 TiO계 SOG 용액에 포함되는 티탄의 원자수를 산출했다. 이들 원자수로부터, 소정의 용액에 포함되는 알킬실란알콕사이드 유도체의 Si원자수와 티탄알콕사이드 유도체의 Ti원자수의 비가 구해진다.
Si원자수와 Ti원자수의 비가 상이한 박리층을 여러 가지 형성하여, 그들 박리층의 박리성을 평가하는 실험을 행했다. 그 실험 결과를 도 4에 도시한다.
실험에서는, 유리 기판으로서, 무알칼리 유리를 이용했다. 플렉시블 기판의 재료로서, 폴리이미드를 이용했다.
박리층은, 용액을 스핀 코터에 의해 도포하고, 150℃에서 1분간, 200℃에서 1분간 가열한 후, 330℃에서 소성하여 형성했다. 또한, 이 소성은, 다단계로 승온해도, 또는 서서히 온도를 올리는 공정으로 행해도 된다.
박리층상의 플렉시블 기판은, 폴리이미드 전구체를 스핀 코터에 의해 도포하고, 350℃에서 소성하여 폴리이미드를 형성했다. 또한, 이 소성은, 서서히 또는 다단계로 온도를 올리는 공정으로 행해도 된다.
박리층의 박리성의 평가는, 플렉시블 기판 및 박리층에 커터 나이프로 칼집을 내어, 박리층이 자연스럽게 박리하는지의 여부로 판단했다. 외주의 일부에 칼집을 냄으로써 박리층 전체가 박리한 경우는, 벗겨짐이 쉬운 것으로 「A」라고 평가했다. 외주 전체에 칼집을 냄으로써 박리층 전체가 박리한 경우는, 박리성과 밀착성의 밸런스가 좋은 것으로 「B」라고 평가했다. 부분적으로 밀착력이 높고, 플렉시블 기판에 있어서 폴리이미드의 응집 파괴가 일어난 경우는, 벗겨짐이 어려운 것으로 「C」라고 평가했다.
실험 결과를 도 4에 도시한다. 도 4에 도시하는 결과로부터, Si원자수와 Ti원자수의 비(Si：Ti)의 적절한 범위는, 소성 온도가 200℃ 이상 270℃ 미만인 경우는 3.3~4.1(3.7±0.4)：1이며, 소성 온도가 270℃ 이상 330℃ 이하인 경우는 3.3~23：1(3.7±0.4~21±2)이고, 소성 온도가 330℃ 초과~350℃ 이하인 경우는 19~23(21±2)：1이었다.
(10) 정리
이상에 의해, 도 5에 도시하는 바와 같이, 박리층의 표면의 수산기(OH)와 유리 기판의 표면의 수산기(OH)를 적절한 확률로 공유 결합시켜, 유리에 대한 밀착성과 박리성의 밸런스를 좋게 함으로써, 적절한 밀착성을 가지며 박리 가능한 박리층을 얻을 수 있었다.
즉, 본 양태에서는, 소정의 용액에 포함되는 알킬실란알콕사이드 유도체와 티탄알콕사이드 유도체의 혼합비를 조정하면서, 소성 온도를 조정함으로써, 박리층과 유리의 밀착성 및 박리성을 제어하는 것으로 했다.
이에 의해, 알킬실란알콕사이드 유도체와 티탄알콕사이드 유도체의 소정의 혼합비 및 소정의 소성 온도 범위에서 박리층을 형성함으로써, 유리에 대한 박리성과 밀착성의 좋은 밸런스를 가지는 박리층을 얻을 수 있다.
따라서, 본 양태의 박리층은 지지체인 유리와의 사이에서 밀착성 및 박리성을 밸런스 좋게 가지고 있으며, 본 양태의 박리층을 설치함으로써, 디바이스 형성시에 필요한 밀착성 및 지지체로부터 플렉시블 기판을 박리할 때에 필요한 박리성 양쪽 모두를 담보한다. 따라서, 본 양태의 박리층을 설치함으로써, 과도한 힘을 가하지 않고, 다른 수단을 이용하는 일 없이, 지지체로부터 박리층, 플렉시블 기판 및 디바이스를 용이하게 박리할 수 있다. 그 결과, 플렉시블 기판을 파단 및 변형시키지 않고, 또 디바이스를 파손시키는 일 없이, 플렉시블 디바이스를 제조할 수 있다.
［실시 형태］
이하, 본 발명의 일 양태에 따른 플렉시블 디바이스의 제조 방법 및 플렉시블 디바이스에 대해, 도면을 참조하면서 설명한다.
본 발명의 일 양태에 따른 플렉시블 디바이스의 제조 방법은, 도 6(a)에 도시하는 바와 같이 지지체(1) 위에 용액을 도포하여 박막(2A)을 형성하는 공정과, 도 6(b)에 도시하는 바와 같이 박막(2A)을 소성하여 박리층(2)을 형성하는 공정과, 도 6(c)에 도시하는 바와 같이 박리층(2) 위에 폴리이미드 수지 등으로 이루어지는 플렉시블 기판(3)을 형성하는 공정과, 도 6(d)에 도시하는 바와 같이 플렉시블 기판(3) 위에 디바이스(4)를 형성하는 공정과, 도 6(e)에 도시하는 바와 같이 지지체(1)로부터 박리층(2), 플렉시블 기판(3) 및 디바이스(4)를 일체로 박리하여, 플렉시블 디바이스(5)를 얻는 공정을 포함한다.
이하에, 본 발명의 일 양태에 따른 플렉시블 디바이스의 제조 방법에 대해 상세하게 설명함과 더불어, 본 발명의 일 양태에 따른 플렉시블 디바이스의 구성에 대해 설명한다.
(1) 박리층 형성
먼저, 도 7에 도시하는 바와 같이, 지지체(1)상에 박리층(2)을 형성한다(단계 S101).
지지체(1)는, 박리층(2)과 적절한 밀착성을 확보하기 위해, 그 표면에 수산기를 가지는 것이 바람직하고, 또한 디바이스를 형성하는 프로세스에 견딜 수 있는 고온내성이나 약품내성과, 핸들링성의 관점으로부터 충분한 강직성을 가지는 것이 바람직하다. 예를 들어, 액정 표시 장치 등에 이용되고 있는 무알칼리 유리 기판을 적절하게 이용할 수 있다. 그 밖에도 표면에 수산기를 가지는 지지체의 예로는, 석영 기판, 실리콘 기판, 열산화막 실리콘 기판 등의 지지 기판을 들 수 있다. 이하의 예에서는, 지지체(1)로서 무알칼리 유리 기판을 이용한다.
박리층(2)은, 지지체(1)와 플렉시블 기판(3) 사이의 밀착성을 조정하기 위한 것이며, 각종의 경화성 화합물로 이루어지는 혼합 용액을 지지체(1)상에 도포하고 소성하여 경화시킨 것이다. 경화성 혼합물로는, 특히, 유리 기판과의 밀착성이 비교적 낮은 실란알콕사이드와, 유리 기판의 밀착성이 비교적 높은 티탄알콕사이드의 조합을 적절하게 이용할 수 있다.
실란알콕사이드는 하기 일반식
R1 mSi(OR2)4－m
으로 표시되는 것이다. 상기 식 중의 R1은 탄소수 1~6의 탄화수소기이며, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기 등을 들 수 있다. 또, R2는 탄소수 1~10의 탄화수소기이며, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-헥실기, 시클로헥실기, n-옥틸기, n-데실기, 페닐기, 비닐기, 알릴기 등을 들 수 있다. m은 0~2의 정수가 바람직하다.
티탄알콕사이드는 일반식 Ti(OR)4로 표시되며, 그 구체예로는, 티탄테트라메톡사이드, 티탄테트라에톡사이드, 티탄테트라n-프로폭사이드, 티탄테트라이소프로폭사이드, 티탄테트라아세틸아세테이트 등이 바람직하게 이용된다.
지지체(1) 위에 박리층(2)이 되는 경화성 혼합물을 도포하여 박막(2A)을 형성하는 공정은, 예를 들어, 스핀 코팅법, 슬릿 코팅법 등의 코팅법이나 스크린 인쇄 등의 인쇄법을 이용하여 행할 수 있다. 그 후, 박막(2A)을 150℃에서 1분, 200℃에서 1분 건조시키고, 최종적으로 200~350℃에서 소성을 행하여, 박리층(2)을 얻는다. 또한, 이 소성은, 다단계로 승온해도, 또는 서서히 온도를 올리는 공정으로 행해도 된다.
(2) 플렉시블 기판 형성
다음에, 도 7에 도시하는 바와 같이, 박리층(2) 위에 플렉시블 기판(3)을 형성한다(단계 S102). 플렉시블 기판(3)은, 예를 들어, 아크릴계 수지, 스티렌계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 에폭시계 수지, 폴리에틸렌, 폴리에스테르, 실리콘계 수지 등의 절연성 재료를 베이스로 하여 형성되어 있다. 예를 들어, 폴리이미드 전구체를 스핀 코터에 의해 도포하고, 소성함으로써 폴리이미드를 형성한다. 또한, 이 소성은, 서서히 또는 다단계로 온도를 올리는 공정으로 행해도 된다. 보텀 에미션형의 플렉시블 디바이스에 있어서, 플렉시블 기판(3)이 자외선을 거의 흡수하지 않는 재료(예를 들어, 실리콘계 수지나 폴리올레핀계 수지 등)로 형성되어 있는 경우는, 유기 발광층이 자외선에 노출되는 것을 방지하기 때문에, 플렉시블 기판(3)의 하면에 자외선 흡수 효과를 가지는 산화티탄을 포함하는 박리층(2)이 형성된 본 양태의 구성이 보다 유효하다.
본 양태에서는 플렉시블 기판(3)의 하면에 박리층(2)이 형성되어 있기 때문에, 플렉시블 기판(3)이 파손되기 어렵다. 따라서, 플렉시블 기판(3)의 막두께를 얇게 할 수 있다. 플렉시블 기판(3)의 막두께는, 5~60μm의 두께가 바람직하고, 5~20μm 정도의 두께로 할 수도 있다.
(3) TFT 형성
다음에, 도 7에 도시하는 바와 같이, 반도체 장치의 일례로서의 TFT를 형성한다(단계 S103). 도 8에 도시하는 바와 같이, TFT는, 플렉시블 기판(3)의 상면에 형성된 게이트, 소스 및 드레인(6)의 각 전극으로 구성되어 있고(도 8에서는, 드레인(6)만을 도시), 그 위를 패시베이션막(7)으로 피복하여 이루어지는 구성을 가진다. 또한, 반도체 장치로는, TFT 이외에, MOSFET, CMOS 등을 들 수 있다.
(4) 절연층 형성
다음에, 도 7에 도시하는 바와 같이, TFT상에 절연층(8)을 형성한다(단계 S104). 도 8에 도시하는 바와 같이, 절연층(8)은, 드레인(6)상의 일부가 노출하는 컨택트 구멍(8a)이 열려, 그 밖의 부분의 상면이 대략 평탄화되어 있다. 절연층(8)은, 예를 들어, 폴리이미드, 폴리아미드, 아크릴계 수지 재료 등의 유기 화합물을 이용하여 형성되어 있다.
(5) 애노드 형성
다음에, 도 7에 도시하는 바와 같이, 절연층(8)상에 애노드(9)를 형성한다(단계 S105). 도 8에 도시하는 바와 같이, 애노드(9)는, 발광 단위(서브 픽셀)로 구획되어 형성되고 있으며, 컨택트 구멍(8a)의 측벽을 따라 일부가 드레인(6)에 접속되어 있다. 또한, 애노드(9)는, 예를 들어, 스퍼터링법이나 진공 증착법 등에 의해 금속막을 성막한 후, 서브 픽셀 단위로 에칭함으로써 형성할 수 있다. 애노드(9)는, 예를 들어, Ag 또는 Al을 포함하는 금속 재료로 구성되어 있다. 본 양태과 같은 톱 에미션형의 플렉시블 디바이스(5)의 경우에는, 그 표면부가 높은 반사성을 가지는 것이 바람직하다.
(6) 투명 도전막 형성
다음에, 도 7에 도시하는 바와 같이, 애노드(9)의 상면을 덮도록 투명 도전막(10)이 형성되어 있다(단계 S106). 도 8에 도시하는 바와 같이, 투명 도전막(10)은, 애노드(9)의 상면뿐만 아니라 측단면도 덮고 있고, 또, 컨택트 구멍(8a) 내에 있어서도 애노드(9)의 상면을 덮고 있다. 또한, 투명 도전막(10)은, 상기와 마찬가지로, 스퍼터링법이나 진공 증착법 등을 이용하여 성막한 후, 에칭에 의해 서브 픽셀 단위로 구획함으로써 형성된다. 투명 도전막(10)은, 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide) 혹은 IZO(Indium Zinc Oxide) 등을 이용하여 형성된다.
(7) 홀 주입층 형성
다음에, 도 7에 도시하는 바와 같이, 투명 도전막(10)상의 일부에 홀 주입층(11)을 형성한다(단계 S107). 도 8에 도시하는 바와 같이, 홀 주입층(11)은, 투명 도전막(10)상의 전체가 아닌, 그 일부에 형성되어 있으나, 전체에 형성할 수도 있다.
여기서, 홀 주입층(11)은, 금속 산화물로 이루어지는 층으로 할 수도, 유기 재료로 이루어지는 층으로 할 수도 있다. 그리고, 금속 산화물로 이루어지는 층으로 이루어지는 홀 주입층(11)을 채용하는 경우에는, 예를 들어, 투명 도전막(10)상 및 노출된 절연층(8)의 일부 표면을 덮도록, 금속 산화막을 형성하여, 이 막을 에칭에 의해 서브 픽셀 단위로 구획함으로써 형성된다.
홀 주입층(11)은, 예를 들어, 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 바나듐(V), 텅스텐(W), 니켈(Ni), 이리듐(Ir) 등의 산화물, 혹은, PEDOT(폴리티오펜과 폴리스티렌술폰산의 혼합물) 등의 도전성 폴리머 재료로 이루어지는 층이다. 상기 중, 금속 산화물로 이루어지는 홀 주입층(11)은, 전하를 안정시키고, 또는 전하의 생성을 보조하며, 발광층(14)에 대해 홀(정공)을 주입하는 기능을 가지는, 큰 사건 함수를 가진다.
여기서, 홀 주입층(11)을 전이 금속의 산화물로 구성하는 경우에는, 복수의 산화수를 취하기 때문에 이에 의해 복수의 준위를 취할 수 있으며, 그 결과, 홀 주입이 용이해져 구동 전압을 저감시킬 수 있다. 특히, 산화텅스텐(WOX)을 이용하는 것이, 홀을 안정적으로 주입하고, 또한, 홀의 생성을 보조하는 기능을 가지는 관점으로부터 바람직하다.
(8) 뱅크 형성
도 7에 도시하는 바와 같이, 각 서브 픽셀을 규정하는 뱅크(12)를 형성한다(단계 S108). 도 8에 도시하는 바와 같이, 뱅크(12)는, 홀 주입층(11)의 외측 가장자리부의 일부를 덮고, 홀 주입층(11)으로 덮이지 않은 투명 도전막(10) 및 절연층(8) 위에 형성되어 있다.
뱅크(12)의 형성은, 먼저, 홀 주입층(11)의 외면 및 투명 도전막(10), 절연층(8) 위에, 뱅크(12)의 재료층을 적층 형성한다. 이 재료층은, 예를 들어, 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 노볼락형 페놀 수지 등의 감광성 수지 성분과 불소 성분을 포함하는 재료를 이용하며, 스핀 코트법 등에 의해 형성된다. 또한, 본 양태에 있어서는, 감광성 수지 재료의 일례로서, 네거티브형 감광성 재료(일본 제온 주식회사 제조：ZPN1168)를 이용할 수 있다.
다음에, 재료층을 패터닝하여, 각 서브 픽셀에 대응하는 개구부를 형성한다. 개구부의 형성에는, 재료층의 표면에 마스크를 배치하여 노광을 행하고, 그 다음에 현상을 행함으로써 형성할 수 있다.
뱅크(12)는, 수지 등의 유기 재료를 이용하여 형성되어 있으며 절연성을 가진다. 뱅크(12)의 형성에 이용하는 유기 재료의 예로는, 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 노볼락형 페놀 수지 등을 들 수 있다. 뱅크(12)는, 유기용제내성을 가지는 것이 바람직하다. 또한, 뱅크(12)는, 제조 공정 중에 있어서, 에칭 처리, 베이크 처리 등 실시되는 경우가 있으므로, 그러한 처리에 대해 과도하게 변형, 변질 등이 되지 않을 것 같은 내성이 높은 재료로 형성되는 것이 바람직하다. 또, 발수성을 갖게 하기 위해, 표면을 불소 처리할 수 있다.
(9) 홀 수송층 형성
다음에, 도 7 및 도 8에 도시하는 바와 같이, 홀 주입층(11)상에 있어서의 뱅크(12)로 규정된 각 오목부 내에는, 홀 수송층(13)이 형성된다(도 7에 있어서의 단계 S109). 홀 수송층(13)은, 그 구성 재료인 유기 화합물로 이루어지는 막을 인쇄법으로 성막한 후, 소성함으로써 형성된다. 홀 수송층(13)은, 친수기를 구비하지 않은 고분자 화합물을 이용하여 형성되어 있다. 예를 들어, 폴리플루오렌이나 그 유도체, 혹은 폴리아릴아민이나 그 유도체 등의 고분자 화합물로서, 친수기를 구비하지 않은 것 등을 이용할 수 있다.
(10) 발광층 형성
다음에, 도 7 및 도 8에 도시하는 바와 같이, 뱅크(12)로 규정된 각 오목부 내에 있어서의 홀 수송층(13)상에는, 발광층(14)이 형성된다(도 7에 있어서의 단계 S110). 발광층(14)은, 예를 들어, 그 구성 재료인 유기 화합물로 이루어지는 막을 인쇄법으로 성막한 후, 소성함으로써 형성된다. 발광층(14)은, 상기 서술한 바와 같이, 홀과 전자가 주입되어 재결합됨으로써 여기 상태가 생성되어 발광하는 기능을 가진다. 발광층(14)의 형성에 이용하는 재료는, 예를 들어, 습식 인쇄법을 이용해 제막할 수 있는 발광성의 유기 재료를 이용하는 것이 필요하다.
구체적으로는, 발광층(14)은, 예를 들어, 특허 공개 공보(일본국·특허 공개평 5－163488호 공보)에 기재된 옥시노이드 화합물, 페릴렌 화합물, 쿠마린 화합물, 아자쿠마린 화합물, 옥사졸 화합물, 옥사디아졸 화합물, 페리논 화합물, 피롤로피롤 화합물, 나프탈렌 화합물, 안트라센 화합물, 플루오렌 화합물, 플루오란텐 화합물, 테트라센 화합물, 피렌 화합물, 코로넨 화합물, 퀴놀론 화합물 및 아자퀴놀론 화합물, 피라졸린 유도체 및 피라졸론 유도체, 로다민 화합물, 크리센 화합물, 페난트렌 화합물, 시클로펜타디엔 화합물, 스틸벤 화합물, 디페닐퀴논 화합물, 스티릴 화합물, 부타디엔 화합물, 디시아노메틸렌피란 화합물, 디시아노메틸렌티오피란 화합물, 플루오레세인 화합물, 피릴륨 화합물, 티아피릴륨 화합물, 셀레나피릴륨 화합물, 텔루오피릴륨 화합물, 방향족 알다디엔 화합물, 올리고페닐렌 화합물, 티오키산텐 화합물, 안트라센 화합물, 시아닌 화합물, 아크리딘 화합물, 8－히드록시퀴놀린 화합물의 금속착체, 2－비피리딘 화합물의 금속착체, 쉬프염과 III족금속의 착체, 옥신 금속착체, 희토류착체 등의 형광 물질로 형성되는 것이 바람직하다.
(11) 전자 수송층 형성
다음에, 도 7 및 도 8에 도시하는 바와 같이, 뱅크(12)로 규정된 각 오목부 내에 있어서의 발광층(14)상에는, 전자 수송층(15)이 형성된다(도 7에 있어서의 단계 S111). 전자 수송층(15)은, 캐소드(16)로부터 주입된 전자를 발광층(14)으로 수송하는 기능을 가지며, 예를 들어, 옥사디아졸 유도체(OXD), 트리아졸 유도체(TAZ), 페난트롤린 유도체(BCP, Bphen) 등을 이용하여 형성되어 있다.
(12) 캐소드 형성
다음에, 도 7에 도시하는 바와 같이, 전자 수송층(15)상에 캐소드(16)를 적층한다(단계 S112). 도 8에 도시하는 바와 같이, 캐소드(16)는, 뱅크(12)의 정면(頂面)도 피복하도록, 플렉시블 기판(3)의 상방 전체에 걸쳐 형성되어 있다. 캐소드(16)는, 예를 들어, ITO 혹은 IZO 등을 이용하여 형성된다. 본 양태와 같은 톱 에미션형의 플렉시블 디바이스(5)의 경우는, 광투과성의 재료로 형성되는 것이 바람직하다. 광투과성에 대해서는, 투과율이 80% 이상으로 하는 것이 바람직하다.
캐소드(16)의 형성에 이용하는 재료로는, 상기 이외에, 예를 들어, 알칼리 금속, 알칼리토류 금속, 또는 그들의 할로겐화물을 포함하는 층의 구조, 혹은, 상기 어느 한 층에 은을 포함하는 층을 이 순서대로 적층한 구조를 이용할 수도 있다. 상기에 있어서, 은을 포함하는 층은, 은 단독으로 형성되어 있어도 되고, 은합금으로 형성되어 있어도 된다. 또, 광취출 효율의 향상을 도모하기 위해서는, 상기 은을 포함하는 층의 위에서부터 투명도가 높은 굴절률 조정층을 설치할 수도 있다.
(13) 시일링층 형성
다음에, 도 7에 도시하는 바와 같이, 캐소드(16)상에 시일링층(17)을 적층한다(단계 S113). 도 8에 도시하는 바와 같이, 시일링층(17)은, 뱅크(12)의 정면도 피복하도록 형성되어 있고, 전면에 형성되어 있다. 시일링층(17)은, 발광층(14) 등의 유기층이 수분에 노출되거나, 공기에 노출되는 것을 억제하는 기능을 가지며, 예를 들어, 질화실리콘(SiN), 산질화실리콘(SiON) 등의 재료를 이용하여 형성된다. 또, SiN, SiON 등의 재료를 이용하여 형성된 층 위에, 아크릴 수지, 실리콘 수지 등의 수지 재료로 이루어지는 시일링 수지층을 설치해도 된다.
시일링층(17)은, 본 양태과 같은 톱 에미션형의 플렉시블 디바이스(5)의 경우에 있어서는, 광투과성의 재료로 형성되는 것이 바람직하다.
(14) 접착 수지제 도포 및 CF패널 접합
다음에, 도 7에 도시하는 바와 같이, 시일링층(17)상에 접착 수지재를 도포하고, 미리 준비해 둔 CF(컬러 필터)패널(19)을 접합한다(단계 S114, S115). 도 8에 도시하는 바와 같이, 접착 수지층(18)에 의해 접합되는 CF패널(19)은, 기판(19a)의 하면에 컬러 필터(19b) 및 블랙 매트릭스(19c)가 형성되어 이루어진다.
(15) 박리
마지막으로, 도 7에 도시하는 바와 같이, 지지체(1)로부터 박리층(2)보다 상측을 벗겨, 플렉시블 디바이스(5)가 완성한다(단계 S116). 이상과 같이 하여 얻어진 플렉시블 디바이스(5)는, 플렉시블 기판(2)의 디바이스가 형성되어 있는 측과는 반대측의 면에 박리층(2)을 가진다.
또한, 플렉시블 디바이스(5)에 있어서, 플렉시블 기판(3)의 상면에 형성된 게이트, 소스 및 드레인(6)의 각 전극으로 구성되는 TFT가 반도체 장치이며, 애노드(9), 투명 도전막(10), 홀 주입층(11), 홀 수송층(13), 발광층(14), 전자 수송층(15), 캐소드(16)로 구성되는 발광 소자가 유기 EL표시 장치이다.
본 발명의 일 양태에 따른 플렉시블 디바이스의 제조 방법은, 플렉시블 디바이스의 제조 프로세스에 널리 이용할 수 있다. 또, 본 발명의 일 양태에 따른 플렉시블 디바이스는, 예를 들어 패시브 매트리스형 혹은 액티브 매트릭스형의 유기 표시 장치 및 유기 발광 장치의 분야 전반 등에 널리 이용할 수 있다.
1 지지체
2A 박막
2 박리층
3 플렉시블 기판
4 디바이스
5 플렉시블 디바이스

Claims (11)

  1. 표면에 수산기를 가지는 지지체 위에 소정의 용액을 도포하여 박막을 형성하는 제1 공정과,
    상기 박막을 소성하여 박리층을 형성하는 제2 공정과,
    상기 박리층 위에 플렉시블 기판을 형성하는 제3 공정과,
    상기 플렉시블 기판 위에 디바이스를 형성하는 제4 공정과,
    상기 지지체와 상기 박리층의 사이를 경계로, 상기 지지체로부터 상기 박리층, 상기 플렉시블 기판 및 상기 디바이스를 박리하는 제5 공정을 포함하고,
    상기 소정의 용액은 알킬실란알콕사이드 유도체와 티탄알콕사이드 유도체를 포함하며,
    상기 제2 공정에 있어서, 상기 소정의 용액을 도포하여 형성되는 박막의 소성 온도는, 200℃ 이상 350℃ 이하이고,
    상기 소성 온도가 200℃ 이상 270℃ 미만인 경우, 상기 알킬실란알콕사이드 유도체에 포함되는 실리콘 원자수와, 상기 티탄알콕사이드 유도체에 포함되는 티탄 원자수의 비는 3.3~4.1：1이며,
    상기 소성 온도가 270℃ 이상 330℃ 이하인 경우, 상기 비는 3.3~23：1이고,
    상기 소성 온도가 330℃ 초과~350℃ 이하인 경우, 상기 비는 19~23：1인, 플렉시블 디바이스의 제조 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제3 공정에 있어서, 상기 플렉시블 기판은 상기 박리층 위에 도포법에 의해 형성되는, 플렉시블 디바이스의 제조 방법.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 제3 공정에 있어서, 상기 플렉시블 기판은 폴리이미드에 의해 형성되는, 플렉시블 디바이스의 제조 방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제3 공정에 있어서, 상기 플렉시블 기판의 막두께는 5~60μm의 두께로 형성되는, 플렉시블 디바이스의 제조 방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 디바이스는 반도체 장치를 포함하는, 플렉시블 디바이스의 제조 방법.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 디바이스는 표시 장치를 포함하는, 플렉시블 디바이스의 제조 방법.
  7. 청구항 6에 있어서.
    상기 표시 장치는 유기 EL인, 플렉시블 디바이스의 제조 방법.
  8. 청구항 1에 기재된 플렉시블 디바이스의 제조 방법에 의해 제조된, 플렉시블 디바이스.
  9. 플렉시블 기판과,
    상기 플렉시블 기판의 하방에 있는 박리층과,
    상기 플렉시블 기판의 상방에 있는 반도체 장치와,
    상기 플렉시블 기판의 상방이며, 상기 반도체 장치에 의해 제어되는 표시 장치를 구비하고,
    상기 박리층은, 폴리알킬실록산과 산화티탄을 포함하며,
    상기 폴리알킬실록산에 포함되는 실리콘 원자수와 상기 산화티탄에 포함되는 티탄 원자수의 비는 19~23：1인, 플렉시블 디바이스.
  10. 삭제
  11. 청구항 9에 있어서,
    상기 표시 장치는 유기 EL인, 플렉시블 디바이스.
KR1020137026860A 2011-07-06 2011-07-06 플렉시블 디바이스의 제조 방법 및 플렉시블 디바이스 KR101727786B1 (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2011/003864 WO2013005254A1 (ja) 2011-07-06 2011-07-06 フレキシブルデバイスの製造方法及びフレキシブルデバイス

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140040706A KR20140040706A (ko) 2014-04-03
KR101727786B1 true KR101727786B1 (ko) 2017-04-17

Family

ID=47436632

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137026860A KR101727786B1 (ko) 2011-07-06 2011-07-06 플렉시블 디바이스의 제조 방법 및 플렉시블 디바이스

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9093397B2 (ko)
JP (1) JP6068338B2 (ko)
KR (1) KR101727786B1 (ko)
CN (1) CN103518262B (ko)
WO (1) WO2013005254A1 (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101879831B1 (ko) * 2012-03-21 2018-07-20 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 및 플렉시블 표시 장치용 원장 기판
WO2014024900A1 (en) 2012-08-10 2014-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
JP6308543B2 (ja) * 2013-05-27 2018-04-11 新日鉄住金化学株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
TWI476739B (zh) * 2013-09-25 2015-03-11 Au Optronics Corp 顯示模組
JP6381004B2 (ja) 2014-03-27 2018-08-29 インテル・コーポレーション マルチデバイスのフレキシブルエレクトロニクスシステムオンチップ（ｓｏｃ）のプロセス統合
JP6548425B2 (ja) * 2014-03-31 2019-07-24 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 フレキシブルデバイスの製造方法及びフレキシブルデバイス並びにフレキシブルデバイス製造装置
US9437839B2 (en) 2014-06-19 2016-09-06 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Method for manufacturing electronic device and electronic device manufactured thereby
US9515272B2 (en) * 2014-11-12 2016-12-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Display device manufacture using a sacrificial layer interposed between a carrier and a display device substrate
US20190072808A1 (en) * 2015-07-21 2019-03-07 Sharp Kabushiki Kaisha Device substrate, liquid crystal display apparatus, and device substrate manufacturing method
KR102554691B1 (ko) * 2016-10-07 2023-07-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유리 기판의 세정 방법, 반도체 장치의 제작 방법, 및 유리 기판
JP2019144347A (ja) * 2018-02-19 2019-08-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 表示装置の製造方法
WO2019167130A1 (ja) * 2018-02-27 2019-09-06 堺ディスプレイプロダクト株式会社 フレキシブルｏｌｅｄデバイス、その製造方法及び支持基板
CN111869327A (zh) * 2018-03-20 2020-10-30 堺显示器制品株式会社 柔性oled装置及其制造方法以及支承基板
JP6851519B2 (ja) * 2020-02-20 2021-03-31 堺ディスプレイプロダクト株式会社 フレキシブルｏｌｅｄデバイス及びその製造方法並びに支持基板

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5443922A (en) 1991-11-07 1995-08-22 Konica Corporation Organic thin film electroluminescence element
JPH05163488A (ja) 1991-12-17 1993-06-29 Konica Corp 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子
JP3809733B2 (ja) 1998-02-25 2006-08-16 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの剥離方法
JP4027740B2 (ja) * 2001-07-16 2007-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW564471B (en) * 2001-07-16 2003-12-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
JP4527068B2 (ja) 2001-07-16 2010-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 剥離方法、半導体装置の作製方法、及び電子書籍の作製方法
JP4280020B2 (ja) * 2002-03-29 2009-06-17 Ｔｄｋ株式会社 光電変換用酸化物半導体電極および色素増感型太陽電池
EP1699897B1 (en) * 2003-12-23 2015-10-28 Momentive Performance Materials GmbH Curable siloxane composition with modified surface properties
TWI321241B (en) * 2005-09-14 2010-03-01 Ind Tech Res Inst Flexible pixel array substrate and method of fabricating the same
JP5276792B2 (ja) 2006-03-03 2013-08-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8222116B2 (en) * 2006-03-03 2012-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5125088B2 (ja) * 2006-12-14 2013-01-23 東ソー株式会社 離型フィルム用樹脂組成物及び離型フィルム
TWI354854B (en) 2008-09-15 2011-12-21 Ind Tech Res Inst Substrate structures applied in flexible electrica
US8273439B2 (en) 2008-12-08 2012-09-25 Industrial Technology Research Institute Release layer materials, substrate structures comprising the same and fabrication method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
US20140070203A1 (en) 2014-03-13
CN103518262B (zh) 2016-07-06
US9093397B2 (en) 2015-07-28
KR20140040706A (ko) 2014-04-03
WO2013005254A1 (ja) 2013-01-10
JP6068338B2 (ja) 2017-01-25
JPWO2013005254A1 (ja) 2015-02-23
CN103518262A (zh) 2014-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101727786B1 (ko) 플렉시블 디바이스의 제조 방법 및 플렉시블 디바이스
CN105870146B (zh) 透明显示基板、透明显示设备和制造透明显示设备的方法
US10937988B2 (en) Organic EL display panel and method of manufacturing organic EL display panel
US9029842B2 (en) Organic electroluminescence element and method of manufacturing thereof
JP4990415B2 (ja) 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法
CN102450102B (zh) 有机el显示装置及其制造方法
WO2012073269A1 (ja) 有機elパネル、有機elパネルの製造方法、有機elパネルを用いた有機発光装置、及び有機elパネルを用いた有機表示装置
JP2010257957A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置
JP5677434B2 (ja) 有機ｅｌ素子
JP2018060813A (ja) 有機発光表示装置
JP6159977B2 (ja) 有機電子デバイスの製造方法および有機ｅｌデバイスの製造方法
TW200541399A (en) Organic electroluminescence display device
WO2012133206A1 (ja) 有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネル及びその製造方法
JP5620495B2 (ja) 発光素子、発光素子を備えた発光装置および発光素子の製造方法
JP2011076759A (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法およびパッシベーション層成膜用マスク
KR20140117722A (ko) 포토레지스트 필름 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법
US9444073B2 (en) Organic light emitting display device and manufacturing method thereof
WO2020049674A1 (ja) 表示デバイス
JP2009076544A (ja) 有機ｅｌ素子
JP2019050113A (ja) 有機ｅｌ表示パネル、有機ｅｌ表示装置、およびその製造方法
TW444235B (en) Method of fabricating and patterning oleds
JP5974245B2 (ja) 有機ｅｌ素子とその製造方法
JP6082974B2 (ja) 有機膜の製造方法と有機ｅｌパネルの製造方法
JP5857333B2 (ja) 有機ｅｌ素子とその製造方法
JP2012155855A (ja) 有機ｅｌ表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant