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KR101695994B1 - 이방성 도전 필름 및 발광 장치 - Google Patents

이방성 도전 필름 및 발광 장치 Download PDF

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KR101695994B1
KR101695994B1 KR1020117016655A KR20117016655A KR101695994B1 KR 101695994 B1 KR101695994 B1 KR 101695994B1 KR 1020117016655 A KR1020117016655 A KR 1020117016655A KR 20117016655 A KR20117016655 A KR 20117016655A KR 101695994 B1 KR101695994 B1 KR 101695994B1
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KR
South Korea
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light
anisotropic conductive
adhesive layer
conductive film
reflective
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KR1020117016655A
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KR20110126104A (ko
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시유키 가니사와
히로유키 구마쿠라
히데츠구 나미키
Original Assignee
데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
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Publication date
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Abstract

발광 다이오드 소자를 사용한 발광 장치를 플립 칩 실장할 때에, 제조 비용의 증대를 초래하는 광 반사층을 LED 소자에 형성하지 않고, 발광 효율을 저하시키지 않는 이방성 도전 필름 및 그것을 사용한 발광 장치를 제공한다. 이 이방성 도전 필름은, 광 반사성 절연 접착층과 이방성 도전 접착층이 적층되고, 그 광 반사성 절연 접착층은, 절연성 접착제 중에 광 반사성 입자가 분산된 구조를 갖는다. 발광 장치는, 이 이방성 도전 필름을, 기판 상의 접속 단자와, 발광 다이오드 소자의 접속용의 범프 사이에 배치하고, 기판과 발광 다이오드 소자를 플립 칩 실장한 구조를 가지고 있다.

Description

이방성 도전 필름 및 발광 장치{ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM AND LIGHT-EMITTING DEVICE}
본 발명은, 이방성 도전 필름 및 발광 장치에 관한 것이다.
발광 다이오드 (LED) 소자를 사용한 발광 장치가 널리 사용되고 있고, 구타입의 발광 장치의 구조는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 기판 (31) 상에 다이본드 접착제 (32) 로 LED 소자 (33) 를 접합하고, 그 상면의 p 전극 (34) 과 n 전극 (35) 을, 기판 (31) 의 접속 단자 (36) 에 금 와이어 (37) 로 와이어 본딩하고, LED 소자 (33) 전체를 투명 몰드 수지 (38) 로 봉지한 것으로 되어 있다. 그런데, 도 3 의 발광 장치의 경우, LED 소자 (33) 가 발하는 광 중, 상면측에 출사되는 400∼500 ㎚ 파장의 광을 금 와이어 (37) 가 흡수하고, 또, 하면측에 출사된 광의 일부가 다이본드 접착제 (32) 에 의해 흡수되어, LED 소자 (33) 의 발광 효율이 저하된다는 문제가 있다.
이 때문에, 도 4 에 나타내는 바와 같이, LED 소자 (33) 를 플립 칩 실장하는 것이 제안되어 있다 (특허문헌 1). 이 플립 칩 실장 기술에 있어서는, p 전극 (34) 과 n 전극 (35) 에 범프 (39) 가 각각 형성되어 있고, 또한, LED 소자 (33) 의 범프 형성면에는, p 전극 (34) 및 n 전극 (35) 과 절연되도록 광 반사층 (40) 이 형성되어 있다. 그리고, LED 소자 (33) 와 기판 (31) 은, 이방성 도전 페이스트 (41) 를 사용하여 접속 고정된다. 이 때문에, 도 4 의 발광 장치에 있어서는, LED 소자 (33) 의 상방으로 출사된 광은 금 와이어에서 흡수되지 않고, 하방으로 출사된 광의 대부분은 광 반사층 (40) 에서 반사되어 상방으로 출사되므로, 발광 효율이 저하되지 않는다.
일본 공개특허공보 평11-168235호
그러나, 특허문헌 1 의 기술에서는 LED 소자 (33) 에 광 반사층 (40) 을, p 전극 (34) 및 n 전극 (35) 과 절연하도록 금속 증착법 등에 의해 형성해야 하여, 제조상, 비용 상승을 피할 수 없다는 문제가 있었다.
본 발명의 목적은, 이상의 종래 기술의 문제점을 해결하는 것으로, 발광 다이오드 (LED) 소자를 사용한 발광 장치를 플립 칩 실장할 때에, 제조 비용의 증대를 초래하는 광 반사층을 LED 소자에 형성하지 않고, 발광 효율을 저하시키지 않는 이방성 도전 필름, 및 그것을 사용한 발광 장치를 제공하는 것이다.
본 발명자는, 이방성 도전 필름에 광 반사 기능을 갖게 하면 상기 서술한 목적을 달성할 수 있고, 그 구체적 구성으로서, 이방성 도전 필름을 2 층 구성으로 하여, 일방을 광 반사성 절연 접착층으로 하고, 타방을 이방성 도전 접착층으로 하는 것에 상도하여, 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명은, 광 반사성 절연 접착층과 이방성 도전 접착층이 적층되어 이루어지는 이방성 도전 필름으로서, 그 광 반사성 절연 접착층이, 절연성 접착제 중에 광 반사성 입자가 분산된 것인 이방성 도전 필름을 제공한다.
또, 본 발명은, 기판 상의 접속 단자와, 발광 다이오드 소자의 접속용의 범프 사이에 이방성 도전 필름을 개재하여, 그 기판과 그 발광 다이오드 소자가 플립 칩 실장되어 있는 발광 장치로서,
그 이방성 도전 필름이, 광 반사성 절연 접착층과 이방성 도전 접착층이 적층되어 이루어지고, 그 광 반사성 절연 접착층이, 절연성 접착제 중에 광 반사성 입자가 분산되어 이루어지는 이방성 도전 필름인 발광 장치를 제공한다.
본 발명의 이방성 도전 필름은, 광 반사성 절연 접착층과 이방성 도전 접착층이 적층된 구조를 갖는다. 따라서, 그것을 이용하여 LED 소자와 기판을 이방성 도전 접속하여 제조된 발광 장치에 있어서는, LED 소자가 발한 광 중, 기판측 (즉, LED 소자의 이면측) 을 향해 발하여진 광은, 광 반사성 절연 접착층에서 반사되어 표면측으로부터 출사된다. 따라서, 발광 장치의 발광 효율은 저하되지 않는다.
도 1 은, 본 발명의 이방성 도전 필름의 단면도이다.
도 2 는, 본 발명의 발광 장치의 단면도이다.
도 3 은, 종래의 발광 장치의 단면도이다.
도 4 는, 종래의 발광 장치의 단면도이다.
발명을 실시하기 위한 형태
본 발명을 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.
도 1 은, 본 발명의 이방성 도전 필름 (100) 의 단면도이다. 이 이방성 도전 필름 (100) 은, 광 반사성 절연 접착층 (1) 과 이방성 도전 접착층 (2) 이 적층된 구조를 갖고, 그 광 반사성 절연 접착층 (1) 은, 절연성 접착제 중에 광 반사성 입자가 분산된 것으로 되어 있다. 따라서, 이방성 도전 필름 (100) 에 대해, 광 반사성 절연 접착층 (1) 측으로부터 입사된 광은, 광 반사성 입자의 성상에 따라 상이하기도 하지만, 입사측으로 반사된다. 또, 이방성 도전 접착층 (2) 측으로부터 입사된 광도, 그 일부가 이방성 도전 접착층 (2) 에 있어서 흡수 혹은 산란된다고 해도, 대부분 광 반사성 절연 접착층 (1) 에서 반사되어, 이방성 도전 접착층 (2) 으로부터 출사된다. 따라서, LED 소자의 발광 효율을 저하시키지 않도록 할 수 있다.
본 발명에 있어서, 광 반사성 절연 접착층 (1) 을 구성하는 절연성 접착제로는, 종래의 이방성 도전 접착 필름의 절연성 바인더 수지로서 사용되고 있는 것을 적절히 채용할 수 있다. 예를 들어, 지환식 에폭시 수지나 수소 첨가 에폭시 수지 등을 주성분으로 한 에폭시계 수지에, 산 무수물, 이미다졸 화합물, 디시안 등의 가교제를 함유시킨 열경화성 접착제를 사용할 수 있다. 또한, 광 반사성 절연 접착층 (1) 을 구성하는 절연성 접착제와, 후술하는 이방성 도전 접착층 (2) 을 구성하는 바인더는, 밀착성 등을 고려하면 동종의 것을 사용하는 것이 바람직하다.
광 반사성 입자로는, 탄산칼슘, 이산화티탄, 이산화규소, 산화알루미늄 등의 금속 산화물의 입자, 절연 피막으로 피복된 니켈, 은, 알루미늄 등의 금속 입자 등을 사용할 수 있다. 입자의 형상으로는, 무정형, 구상, 인편상, 침상 등을 들 수 있는데, 그 중에서도, 광 확산 효과 면에서 구상, 전반사 효과 면에서 인편상의 형상이 바람직하다. 특히 바람직한 것은, 광의 반사율 면에서 인편상 은 입자이다.
광 반사성 입자의 크기는, 형상에 따라서도 상이한데, 일반적으로 너무 크면, 이방성 도전 입자에 의한 접속을 저해할 우려가 있고, 너무 작으면 광을 반사하기 어려워지므로, 바람직하게는 구상인 경우에는 입경 0.1∼30 ㎛, 보다 바람직하게는 0.2∼10 ㎛ 이며, 인편상인 경우에는, 장경 (長徑) 이 바람직하게는 0.1∼100 ㎛, 보다 바람직하게는 1∼50 ㎛ 이고, 두께가 바람직하게는 0.01∼10 ㎛, 보다 바람직하게는 0.1∼5 ㎛ 이다. 여기서, 광 반사성 입자의 크기는, 절연 피복되어 있는 경우에는, 그 절연 피복도 포함한 크기이다.
광 반사성 절연 접착층 (1) 의 층 두께는, 의도한 광 반사성이 얻어지는 한, 얇은 것이 접속 신뢰성 면에서 바람직하다. 통상, 2∼30 ㎛ 이다. 이 두께 범위를 전제로 한 경우, 광 반사성 절연 접착층 (1) 에 있어서의 절연성 접착제와 광 반사성 입자의 배합 비율은, 광 반사성 입자의 형상에 따라 상이한데, 절연성 접착제 100 질량부에 대해, 광 반사성 입자가 인편상인 경우에는 광 반사성 입자를, 바람직하게는 1∼200 질량부, 보다 바람직하게는 10∼100 질량부이다.
광 반사성 입자가 절연 피막으로 피복된 금속 입자에 있어서의 당해 절연 피복으로는, 여러 가지 절연성 수지를 사용할 수 있다. 기계적 강도나 투명성 등의 면에서 아크릴계 수지의 경화물을 바람직하게 사용할 수 있다. 바람직하게는, 벤조일퍼옥사이드 등의 유기 과산화물 등의 라디칼 개시제의 존재하에서, 메타크릴산메틸과 메타크릴산2-하이드록시에틸을 라디칼 공중합시킨 수지 피막을 들 수 있다. 이 경우, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트 등의 이소시아네이트계 가교제로 가교되어 있는 것이 보다 바람직하다. 또한, 금속 산화물의 입자에 대해서도, 분산 안정성의 관점에서 금속 입자와 동일한 절연 피막으로 피복해 두는 것이 바람직하다.
또, 금속 입자로는, 미리 실란 커플링제로 γ-글리시독시기나 비닐기 등을 금속 표면에 도입해 두는 것이 바람직하다.
본 발명의 이방성 도전 필름 (100) 을 구성하는 이방성 도전 접착층 (2) 으로는, 종래의 이방성 도전 필름과 동일한 구성의 것을 사용할 수 있고, 통상, 열경화성 접착제에 이방성 도전 접속용의 도전 입자를 분산시킨 것이다. 이와 같은 열경화성 접착제로는, 예를 들어, 지환식 에폭시 수지나 수소 첨가 에폭시 수지 등을 주성분으로 한 에폭시계 수지에, 산 무수물, 이미다졸 화합물, 디시안 등의 가교제를 함유시킨 것을 들 수 있다. 또, 이방성 도전 접속용의 도전 입자로는, 금, 니켈 등의 금속 입자, 벤조구아나민 수지 등의 수지 입자의 표면을 니켈 등의 금속으로 피복한 금속 피복 수지 입자 등을 사용할 수 있다.
이와 같은 도전 입자는 구상 형상이며, 그 입경은 너무 크면 접속 신뢰성이 저하되므로, 바람직하게는 1∼20 ㎛, 보다 바람직하게는 3∼10 ㎛ 이다.
이방성 도전 접착층 (2) 의 층 두께는, 의도한 접속 신뢰성을 얻기 위해서, 통상, 5∼40 ㎛ 이다. 이 두께 범위를 전제로 한 경우, 이방성 도전 접착층 (2) 에 있어서의 절연성 접착제와 도전 입자의 배합 비율은, 절연성 접착제 100 질량부에 대해, 바람직하게는 도전 입자를 1∼50 질량부, 보다 바람직하게는 10∼25 질량부이다.
본 발명의 이방성 도전 필름은, 다음에 설명하는 바와 같이 제조할 수 있다. 먼저, 광 반사성 입자와 절연성 접착제를 톨루엔 등의 용매와 함께 분산 혼합하고, 박리 처리한 PET 필름에 소기의 두께가 되도록 도포하고, 약 80 ℃ 정도의 온도에서 건조시켜 광 반사성 절연 접착층 필름을 제조한다. 그것과는 별도로, 이방성 도전 접속용의 도전 입자와 절연성 접착제를 톨루엔 등의 용매와 함께 분산 혼합하고, 박리 처리한 PET 필름에 소기의 두께가 되도록 도포하고, 약 80 ℃ 정도의 온도에서 건조시켜 이방성 도전 접착층 필름을 제조한다. 다음으로, 2 개의 필름을 중첩하고, 양측의 박리 필름을 개재하여, 약 40 ℃ 에서 가압하는 것에 의해 필름을 일체화함으로써 본 발명의 이방성 도전 필름을 얻을 수 있다.
다음으로, 본 발명의 발광 장치에 대해 도 2 를 참조하면서 설명한다. 발광 장치 (200) 는, 기판 (21) 상의 접속 단자 (22) 와, LED 소자 (23) 의 n 전극 (24) 과 p 전극 (25) 의 각각에 형성된 접속용의 범프 (26) 사이에, 전술한 본 발명의 이방성 도전 필름 (100) 을 개재하여, 그 기판 (21) 과 그 LED 소자 (23) 가 플립 칩 실장되어 있는 발광 장치이다. 즉, 이방성 도전 필름 (100) 은, 광 반사성 절연 접착층 (1) 과 이방성 도전 접착층 (2) 의 적층 구조물이며, 광 반사성 절연 접착층 (1) 은, 절연성 접착제 중에 광 반사성 입자가 분산되어 이루어지는 것이다. 이 경우, 이방성 도전 필름 (100) 의 광 반사성 절연 접착층 (1) 이 LED 소자 (23) 측에 배치되어 있는 것이 바람직하지만, 반대측에 배치되어 있어도 된다. 또한, 필요에 따라, LED 소자 (23) 의 전체를 덮도록 투명 몰드 수지로 봉지해도 된다.
이와 같이 구성되어 있는 발광 장치 (200) 에 있어서는, LED 소자 (23) 가 발한 광 중, 기판 (21) 측을 향해 발한 광은, 이방성 도전 필름 (100) 의 광 반사성 절연 접착층 (1) 에서 반사하고, LED 소자 (23) 의 상면으로부터 출사된다. 따라서, 발광 효율의 저하를 방지할 수 있다.
본 발명의 발광 장치 (200) 에 있어서의 이방성 도전 필름 (100) 이외의 구성 (LED 소자 (23), 범프 (26), 기판 (21), 접속 단자 (22) 등) 은, 종래의 발광 장치의 구성과 동일하게 할 수 있다. 또, 본 발명의 발광 장치 (200) 는, 이방성 도전 필름 (100) 을 사용하는 것 이외에는, 종래의 이방성 도전 접속 기술을 이용하여 제조할 수 있다.
실시예
실시예 1
(1a) 광 반사성 입자의 제조
교반기가 부착된 플라스크에 인편상 은 입자 (세로 10 ㎛, 가로 10 ㎛, 두께 0.5 ㎛) 5 g 과 톨루엔 50 ㎖ 를 투입하고, 교반하면서 플라스크에 실란 커플링제 (3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란) 0.25 g 을 투입하고, 25 ℃ 에서 60 분간 교반하였다. 다음으로, 이 혼합물에, 메타크릴산메틸 2 g 과 메타크릴산-2-하이드록시에틸 2 g 과 벤조일퍼옥사이드 0.04 g 과 2,4-톨릴렌디이소시아네이트 1 g 을 투입하고, 80 ℃ 에서 12 시간 교반함으로써, 광 반사성 입자로서 절연 피복 인편상 은 입자를 얻었다. 절연 피복을 포함한 광 반사성 입자의 평균적 크기는, 세로 10 ㎛, 가로 10 ㎛, 두께 0.5 ㎛ 였다.
(1b) 광 반사성 절연성 접착층 필름의 제조
수첨화 에폭시 수지 (YX8000, JER (주)) 에 산 무수물 (MH-700, 신닛폰 이화 (주)), 이미다졸 (2MZA, 시코쿠 화성 (주)) 을 첨가함으로써 절연성 바인더 수지를 조제하였다. 얻어진 절연성 바인더 수지 100 질량부와 절연 피복 인편상 은 입자 50 질량부를, 톨루엔 100 ㎖ 에 분산 혼합하고, 얻어진 혼합물을, 박리 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름에, 건조 두께로 10 ㎛ 가 되도록 도포하고, 80 ℃ 에서 5 분간 건조시킴으로써, 광 반사성 절연성 접착층 필름을 얻었다.
(1c) 이방성 도전 접착층 필름의 제조
전술한 (1b) 와 동일한 절연성 바인더 수지 100 질량부와 은 도금 피복 수지 입자 (입경 5 ㎛) 20 질량부를, 톨루엔을 100 ㎖ 에 분산 혼합하고, 얻어진 혼합물을, 박리 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름에, 건조 두께로 10 ㎛ 가 되도록 도포하고, 80 ℃ 에서 5 분간 건조시킴으로써, 이방성 도전 접착층 필름을 얻었다.
(1d) 이방성 도전 필름의 제조
얻어진 광 반사성 절연성 접착층 필름과 이방성 도전 접착층 필름을 중첩하고, 양측의 PET 필름을 개재하여, 40 ℃ 에서 10 초간 가압하는 것에 의해, 양 필름을 적층함으로써 이방성 도전 필름을 얻었다.
<특성 평가>
200 ℃ 의 가열 헤드를 이용하여 발광 다이오드 소자 (If=20 mA 일 때의 특성이, Vf=3.3 V, 광도=150 mcd, 도미넌트 파장=470 ㎚ 이다) 를, 이방성 도전 필름을 개재하여 유리 에폭시 기판에 1 Kg/칩으로 20 초간 가열 가압함으로써 접착하였다. 이 때, 발광 다이오드 소자의 범프 부분에는 압력이 가해지므로, 광 반사성 절연 접착층 필름의 접착제는 배제되어, 이방성 도전 접착층의 도전 입자에서 발광 다이오드 소자와 유리 에폭시 기판 사이의 도통을 취할 수 있었다. 또한, 범프 이외의 광 반사성 절연 접착층은 배제되지 않고, 광 반사 기능은 유지되어 있었다.
또, 얻어진 발광 장치를 발광시켜, 상면으로부터 출사되어 오는 광의 초기 휘도 (kcd/㎡) 를 휘도계 (BM-9, 탑콘 테크노 하우스 (주)) 를 이용하여 측정하였다. 또, LED 점등 신뢰성을, LED 에 100 ℃ 에서 20 mA 의 정전류를 흐르게 하여, Vf 값의 변화가 ±0.3 V 이내인 경우를 「○」로 하고, Vf 값의 변화가 ±0.3 V 를 초과하는 경우를 「×」로 평가하였다. 얻어진 결과를 표 1 에 나타낸다.
실시예 2
광 반사성 입자로서, 절연 피복 인편상 은 입자 대신에, 평균 입경 0.2 ㎛ 의 이산화티탄 입자 (JR405, 테이카 (주)) 를 50 질량부 사용하는 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 광 반사성 절연성 접착층 필름, 이방성 도전 접착층 필름을 제조하고, 추가로, 이방성 도전 필름을 제조하였다. 이 이방성 도전 필름을 사용하고, 실시예 1 과 동일하게 발광 다이오드 소자를 유리 에폭시 기판에 접속하여, 특성 평가를 실시하였다. 얻어진 결과를 표 1 에 나타낸다.
비교예 1
이방성 도전 필름 대신에 은 페이스트를 사용하고, 발광 다이오드를 유리 에폭시 기판에 접속하여, 실시예 1 과 동일하게 특성 평가를 실시하였다. 얻어진 결과를 표 1 에 나타낸다.
비교예 2
광 반사성 절연성 접착층 필름을 사용하지 않고, 실시예 1 의 이방성 도전 접착층 필름 자체를 이방성 도전 필름으로서 사용하고, 실시예 1 과 동일하게 발광 다이오드 소자를 유리 에폭시 기판에 접속하여, 특성 평가를 실시하였다. 얻어진 결과를 표 1 에 나타낸다.
Figure 112011054861538-pct00001
표 1 로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 1 의 경우, 절연 피복된 인편상 Ag 입자를 사용하고 있으므로, 초기 휘도는 은 페이스트 (비교예 1) 보다 높은 휘도를 나타내고, 또한 LED 점등 신뢰성도 양호하였다. 또, 실시예 2 의 경우, TiO2 입자를 사용하고 있으므로, 은 페이스트 (비교예 1) 에 필적하는 초기 휘도를 나타내고, 또한 LED 점등 신뢰성도 양호하였다. 비교예 2 의 경우에는, 광 반사층을 구비하고 있지 않기 때문에, 초기 휘도에 문제가 있었다.
산업상 이용가능성
본 발명의 이방성 도전 필름은, 광 반사성 절연 접착층과 이방성 도전 접착층이 적층된 구조를 갖는다. 이 때문에, 그것을 이용하여 LED 소자와 기판을 이방성 도전 접속하여 제조된 발광 장치에 있어서는, LED 소자가 발한 광 중, 기판측 (즉, LED 소자의 이면측) 을 향해 발하여진 광을, 광 반사성 절연 접착층에서 반사하여 표면측으로부터 출사시킬 수 있다. 따라서, 발광 장치의 발광 효율을 저하시키지 않도록 할 수 있다. 따라서, 본 발명의 이방성 도전 필름은, LED 소자를 플립 칩 실장할 때에 유용하다.
1 : 광 반사성 절연 접착층
2 : 이방성 도전 접착층
21 : 기판
22 : 접속 단자
23 : LED 소자
24 : n 전극
25 : p 전극
26 : 범프
100 : 이방성 도전 필름
200 : 발광 장치

Claims (9)

  1. 광 반사성 절연 접착층과 이방성 도전 접착층이 적층되어 이루어지는 이방성 도전 필름으로서,
    상기 광 반사성 절연 접착층이, 절연성 접착제 중에 절연 피막으로 피복된 금속 입자인 광 반사성 입자가 분산된 것이고, 상기 금속 입자는 인편상 은 입자인, 이방성 도전 필름.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    인편상 금속 입자를 피복하는 절연 피막이, 아크릴계 수지의 경화물인, 이방성 도전 필름.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 절연 피막이, 이소시아네이트계 가교제로 가교되어 있는, 이방성 도전 필름.
  6. 기판 상의 접속 단자와, 발광 다이오드 소자의 접속용의 범프 사이에 이방성 도전 필름을 개재하여, 상기 기판과 상기 발광 다이오드 소자가 플립 칩 실장되어 있는 발광 장치로서,
    상기 이방성 도전 필름이, 광 반사성 절연 접착층과 이방성 도전 접착층이 적층되어 이루어지고, 상기 광 반사성 절연 접착층이, 절연성 접착제 중에 절연 피막으로 피복된 금속 입자인 광 반사성 입자가 분산되어 이루어지는 이방성 도전 필름이며, 상기 금속 입자는 인편상 은 입자인, 발광 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 이방성 도전 필름의 광 반사성 절연 접착층이 발광 다이오드 소자측에 배치되어 있는, 발광 장치.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 절연 피막이, 메타크릴산메틸과 메타크릴산2-하이드록시에틸의 라디칼 공중합체 피막인, 이방성 도전 필름.
  9. 기판과 발광 다이오드 소자를 플립 칩 실장하기 위한 이방성 도전 필름으로서,
    상기 이방성 도전 필름은, 광반사성 절연 접착층과 이방성 도전 접착층이 적층되어 이루어지고, 상기 광반사성 절연 접착층이, 절연성 접착제 중에 절연 피막으로 피복된 금속 입자인 광반사성 입자가 분산되어 이루어지며, 상기 금속 입자는 인편상 은 입자인, 이방성 도전 필름.
KR1020117016655A 2009-02-27 2010-02-22 이방성 도전 필름 및 발광 장치 KR101695994B1 (ko)

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