KR101376654B1 - Liquid crystal display device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 다양한 화면의 형상을 갖는 액정표시장치에 관한 것으로서, 특히 게이트 라인과 데이터 라인의 라인 로드를 보상하여 화면의 품질이 상승 된 액정표시장치에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 기판; 상기 기판 상에 종횡으로 교차되어 화소를 정의하며, 일부는 서로 길이가 다른 다수의 게이트 라인 및 데이터 라인; 상기 화소마다 마련된 화소전극 및 공통전극; 상기 공통전극에 공통전압을 공급하는 공통전압 라인; 상기 다수의 게이트 라인과 공통전압 라인이 오버랩되어 마련되며, 게이트 라인의 길이에 반비례하는 용량을 갖도록 형성되어, 각 게이트 라인이 가지는 기생 커패시터의 용량이 동일하도록 보상하는 다수의 제 1 보상 커패시터; 상기 다수의 데이터 라인과 공통전압 라인이 오버랩되어 마련되며, 데이터 라인의 길이에 반비례하는 용량을 갖도록 형성되어, 각 데이터 라인이 가지는 기생 커패시터의 용량이 동일하도록 보상하는 다수의 제 2 보상 커패시터; 에 의해 달성된다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device having various screen shapes, and more particularly, to a liquid crystal display device having an improved screen quality by compensating for line loads of gate lines and data lines. The present invention provides a semiconductor device comprising: a substrate; A plurality of gate lines and data lines intersecting longitudinally and horizontally on the substrate, the plurality of gate lines being different from each other in length; A pixel electrode and a common electrode provided for each pixel; A common voltage line supplying a common voltage to the common electrode; A plurality of first compensation capacitors provided with the plurality of gate lines and the common voltage line overlapping each other, and having a capacitance inversely proportional to the length of the gate line, and compensating for the same capacitance of the parasitic capacitor of each gate line; A plurality of second compensation capacitors provided to overlap each of the plurality of data lines and the common voltage line, and having a capacitance inversely proportional to the length of the data line to compensate for the same parasitic capacitor of each data line; Lt; / RTI >
액정표시장치, 라인 로드 LCD, line load
Description
본 발명은 다양한 형상의 화면을 가지는 액정표시장치에 관한 것으로서, 특히 게이트 라인과 데이터 라인의 라인 로드를 보상함으로써 화면의 품질이 상승 된 액정표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
일반적으로 액정표시장치는 경량, 박형, 저소비 전력구동 등의 특징으로 인해 그 응용범위가 점차 넓어지고 있는 추세에 있다. 이에 따라 액정표시장치는 노트북 PC와 같은 휴대용 컴퓨터, 사무 자동화 기기, 오디오/비디오 기기 등으로 널리 이용되고 있다.Generally, the liquid crystal display device has a tendency of widening its application range due to features such as light weight, thinness, and low power consumption driving. Accordingly, liquid crystal display devices are widely used as portable computers such as notebook PCs, office automation devices, and audio / video devices.
통상적으로 액정표시장치는 매트릭스형태로 배열된 다수의 제어용 스위칭 소자에 인가되는 영상신호에 따라 광의 투과량이 조절되어 화면에 원하는 화상을 표시하게 된다.In general, a liquid crystal display device displays a desired image on a screen by controlling a light transmission amount according to an image signal applied to a plurality of switching elements for control arranged in a matrix form.
이러한 액정표시장치(Liquid Crystal Display)는 상부기판인 컬러필터(color filter) 기판과 하부기판인 박막트랜지스터 어레이(Thin film Transistor Array) 기판이 서로 대향하고 그 사이에는 액정층이 충진된 액정패널과, 상기 액정패널에 주사신호 및 화상정보를 공급하여 액정패널을 동작시키는 구동부를 포함하여 구성 된다.The liquid crystal display includes a liquid crystal panel in which a color filter substrate as an upper substrate and a thin film transistor array substrate as a lower substrate are opposed to each other, and a liquid crystal layer is filled therebetween; And a driver for supplying scan signals and image information to the liquid crystal panel to operate the liquid crystal panel.
상기와 같은 구성을 가지는 액정표시장치는 최근 다양한 기능 또는 다양한 형상의 화면을 가지는 모델에 대한 사용자의 요구가 늘고 있다. 따라서, 보편적인 직사각형이 아닌 반원이나 원형 등을 비롯한 다양한 형상의 화면을 가지는 액정표시장치에 대한 연구가 이루어지고 있다.In the liquid crystal display having the above configuration, the user's demand for a model having a screen having various functions or various shapes is increasing. Accordingly, researches on liquid crystal displays having screens of various shapes including semicircles, circles, etc., which are not universal rectangles, have been made.
이와 같은 다양한 형상의 화면을 가지는 종래 액정표시장치에 대하여 도 1에 도시한 바와 같은 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.A conventional liquid crystal display having such a screen having various shapes will be described with reference to FIG. 2 as shown in FIG. 1.
도 1에는 일반적인 액정표시장치를 블록도로 도시하였으며, 도 2에는 도 1의 일반적인 액정표시장치 중에서 화면 상부의 양 모서리가 곡선인 형상을 가지는 액정표시장치를 평면도로 도시하였다.FIG. 1 is a block diagram of a general liquid crystal display, and FIG. 2 is a plan view of a liquid crystal display having a curved shape at both corners of an upper portion of the screen of FIG. 1.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이 종래의 일반적인 액정표시장치는, 기판(1); 상기 기판(1) 상에 종횡으로 교차되어 화소(2)를 정의하며, 일부는 서로 길이가 다른 다수의 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL); 외부로부터 입력된 신호를 이용하여 다수의 제어신호를 발생하고 외부로부터의 화소 데이터를 재정렬하여 출력하는 타이밍 제어부(13); 외부로부터 입력된 전압을 변환하여 다수의 공급 전압을 출력하는 전원공급부(14); 상기 화소(2)마다 마련된 화소전극(3) 및 공통전극(4); 상기 전원공급부(14)로부터의 공통전압(Vcom)을 공통전극(4)에 공급하는 공통전압 라인(5); 상기 타이밍 제어부(13)로부터의 제어신호와 상기 전원공급부(14)로부터의 공급 전압을 이용하여 게이트 라인(GL)을 구동하는 게이트 드라이버(11); 상기 타이밍 제어부(13)로부터의 제어신호, 화소 데이터와 전원공급부(14)로부터의 공급 전압을 이용하여 데이터 라인(DL)을 구동하는 데이터 드라이버(12); 를 포함하여 구성된다.As shown in Figs. 1 and 2, a conventional general liquid crystal display device includes a
도 2에 도시한 바와 같이 화면의 양 모서리가 곡선을 이루는 형상인 액정표시장치는 일반적인 직사각형 형상의 화면을 가지는 액정표시장치와는 다르게 다수의 게이트 라인(GL)의 길이가 동일하지 않고 데이터 라인(DL)의 길이 또한 동일하지 않다.As shown in FIG. 2, a liquid crystal display device having a curved shape at both edges of the screen is different from a liquid crystal display device having a general rectangular screen, and the lengths of the plurality of gate lines GL are not the same, and the data line ( The length of DL) is also not the same.
따라서, 각 게이트 라인(GL) 또는 데이터 라인(DL)마다 형성되는 라인 로드, 즉 라인 저항 및 기생 커패시터는 각 라인마다 다르게 된다. 이때, 상기 라인 저항의 크기와 기생 커패시터의 용량은 해당 게이트 라인(GL) 또는 데이터 라인(DL)의 길이에 비례하여 상승한다.Therefore, the line loads formed for each gate line GL or data line DL, that is, line resistance and parasitic capacitor, are different for each line. In this case, the magnitude of the line resistance and the capacitance of the parasitic capacitor rise in proportion to the length of the corresponding gate line GL or data line DL.
즉, 각 게이트 라인(GL)의 길이가 동일하지 않아 각 게이트 라인(GL)의 라인 저항 및 기생 커패시터가 달라지므로, 게이트 라인(GL)을 통해 각 화소(2)에 전달되는 신호가 지연되는 정도가 각 게이트 라인(GL)마다 달라서 디스플레이된 화면에 불량이 발생하게 된다. 또한, 각 데이터 라인(DL)의 길이가 동일하지 않아 각 데이터 라인(DL)의 라인 저항 및 기생 커패시터가 달라지므로, 데이터 라인(DL)을 통해 각 화소(2)에 전달되는 데이터 신호가 지연되는 정도가 각 데이터 라인(DL)마다 달라서 디스플레이된 화면에 불량이 발생하게 된다.That is, since the line resistances and parasitic capacitors of the gate lines GL are different because the lengths of the gate lines GL are not the same, the degree of delay of a signal transmitted to each
이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 서로 길이가 다른 게이트 라인 또는 데이터 라인에 보상 저항 및 보상 커패시터를 마련함으로써, 각 게이트 라인 또는 데이터 라인이 갖는 라인 저항 및 기생 커패시터를 동일하도록 설정함으로써 디스플레이된 화면의 품질이 향상된 액정표시장치를 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a compensation resistor and a compensation capacitor in a gate line or a data line having different lengths, thereby providing line resistance and parasitics of each gate line or data line. By setting the capacitors to be the same, it is to provide a liquid crystal display device having improved quality of the displayed screen.
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본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치는, 기판; 상기 기판 상에 종횡으로 교차되어 화소를 정의하며, 일부는 서로 길이가 다른 다수의 게이트 라인 및 데이터 라인; 외부로부터 입력된 신호들을 이용하여 다수의 제어신호를 발생하고 외부로부터의 화소 데이터를 재정렬하여 출력하는 타이밍 제어부; 외부로부터 입력된 전압을 변환하여 제 1 및 제 2 전원 전압을 출력하는 전원공급부; 상기 타이밍 제어부로부터의 제어신호와 전원공급부로부터의 제 1 및 제 2 전원 전압을 이용하여 게이트 라인을 구동하는 게이트 드라이버; 상기 타이밍 제어부로부터의 제어신호, 화소 데이터와 전원공급부로부터의 제 1 및 제 2 전원전압을 이용하여 데이터 라인을 구동하는 데이터 드라이버; 상기 제 2 전원전압이 공급되는 라인과 다수의 게이트 라인이 오버랩되어 마련되며, 게이트 라인의 길이에 반비례하는 용량을 갖도록 형성되어, 각 게이트 라인이 가지는 기생 커패시터의 용량이 동일하도록 보상하는 다수의 제 1' 보상 커패시터; 상기 제 1 또는 제 2 전원 전압이 공급되는 라인과 다수의 데이터 라인이 오버랩되어 마련되며, 데이터 라인의 길이에 반비례하는 용량을 갖도록 형성되어, 각 데이터 라인이 가지는 기생 커패시터의 용량이 동일하도록 보상하는 다수의 제 2' 보상 커패시터; 를 포함하여 구성된다.A liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, a substrate; A plurality of gate lines and data lines intersecting longitudinally and horizontally on the substrate, the plurality of gate lines being different from each other in length; A timing controller generating a plurality of control signals using signals input from the outside and rearranging and outputting pixel data from the outside; A power supply unit converting a voltage input from the outside to output first and second power voltages; A gate driver for driving a gate line using the control signal from the timing controller and the first and second power voltages from the power supply unit; A data driver for driving a data line using a control signal from the timing controller, pixel data, and first and second power voltages from a power supply; A plurality of gate lines overlapping the line to which the second power supply voltage is supplied and a plurality of gate lines, and formed to have a capacity inversely proportional to the length of the gate line, thereby compensating for the same capacitance of the parasitic capacitor of each gate line; 1 'compensation capacitor; A plurality of data lines overlap with a line to which the first or second power supply voltage is supplied, and are formed to have a capacitance inversely proportional to the length of the data line, thereby compensating for the same capacitance of each parasitic capacitor. A plurality of second 'compensation capacitors; .
상기와 같은 구성을 가지는 본 발명에 따른 액정표시장치는, 다양한 화면의 형상을 갖는 액정표시장치에서 길이가 다른 게이트 라인 또는 데이터 라인에 따라 다르게 형성되는 라인 로드를 보상함으로써 화면의 표시 품질이 향상된 액정표시장치를 제공할 수 있는 장점이 있다.In the liquid crystal display according to the present invention having the above-described configuration, the liquid crystal display having improved display quality by compensating for line loads formed differently according to gate lines or data lines having different lengths in liquid crystal displays having various screen shapes. There is an advantage to provide a display device.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치 및 그 제조방법에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a liquid crystal display and a manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
<제 1 실시예>≪
먼저, 도 3을 참조하여 본 발명의 제 1 실시예에 대하여 설명하겠다.First, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3.
도 3에 도시한 바와 같이 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치는, 기판(101); 상기 기판(101) 상에 종횡으로 교차되어 화소(102)를 정의하며, 일부는 서로 길이가 다른 다수의 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL); 상기 화소(102)마다 마련된 화소전극(103) 및 공통전극(104); 상기 공통전극(104)에 공통전압(Vcom)을 공급하는 공통전압 라인(105); 상기 다수의 게이트 라인(GL)과 공통전압 라인(105)이 오버랩되어 마련되며, 게이트 라인(GL)의 길이에 반비례하는 크기를 갖도록 형성되어, 각 게이트 라인(GL)이 가지는 기생 커패시터의 용량이 동일하도록 보상하는 다수의 제 1 보상 커패시터(106); 상기 다수의 데이터 라인(DL)과 공통전압 라인(105)이 오버랩되어 마련되며, 데이터 라인(DL)의 길이에 반비례하는 크기를 갖도록 형성되어, 각 데이터 라인(DL)이 가지는 기생 커패시터의 용량이 동일하도록 보상하는 다수의 제 2 보상 커패시터(107); 를 포함하여 구성된다. 또한, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치는, 상기 다수의 게이트 라인(GL) 상에 상기 게이트 라인(GL)의 길이에 반비례하는 크기를 갖도록 형성되어, 각 게이트 라인(GL)이 가지는 라인 저항의 크기가 동일하도록 보상하는 다수의 제 1 보상 저항(108)이 추가로 마련되고, 상기 다수의 데이터 라인(DL) 상에 상기 데이터 라인(DL)의 길이에 반비례하는 크기를 갖도록 형성되어, 각 데이터 라인(DL)이 가지는 라인 저항이 동일하도록 보상하는 다수의 제 2 보상 저항(109)이 추가로 마련된 다.As shown in FIG. 3, the liquid crystal display according to the first embodiment of the present invention includes a
도 3에는 설명의 편의를 위하여 액정표시장치의 액정패널을 구성하는 상부기판과 하부기판 중에서 하부기판인 박막 트랜지스터 어레이 기판만을 도시하였다.3 illustrates only a thin film transistor array substrate, which is a lower substrate, among upper and lower substrates constituting a liquid crystal panel of a liquid crystal display for convenience of description.
도 3에 도시한 상기 기판(101)은 상부의 양 모서리가 곡선인 형상을 가지지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 본 발명에 따른 기판(101)의 형상은 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 반원 또는 원형 등 다양한 형상일 수 있다.The
상기 기판(101)에는 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 종횡으로 교차되어 화소(102)가 정의되며, 상기 각 화소(102)에는 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(115)가 형성된다.In the
그리고, 상기 기판(101)에는 게이트 라인(GL)을 구동하는 게이트 드라이버(111) 및 데이터 라인(DL)을 구동하는 데이터 드라이버(112)가 구비된다.The
도 3에는 게이트 드라이버(111)가 하나의 게이트 드라이브 집적회로(111a)로 구성되고 데이터 드라이버(112)가 두 개의 데이터 드라이브 집적회로(112a, 112b)로 구성된 것을 그 예로 하였지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 상기 게이트 드라이버(111)를 구성하는 게이트 드라이브 집적회로의 수와 데이터 드라이버(112)를 구성하는 데이터 드라이브 집적회로의 수는 액정표시장치의 모델에 따라 변경이 가능하다.In FIG. 3, the
도 3에 도시한 바와 같이 상기 각 화소(102)에는 박막 트랜지스터의 드레인 단자와 연결되는 화소전극(103)이 형성된다. 상기 화소전극(103)은 해당 화소의 박 막트랜지스터(115)의 드레인 단자에 접속되어 데이터 라인(DL)과 평행한 방향으로 다수 개가 형성된다.As illustrated in FIG. 3, the
그리고, 각 화소(102)에는 상기 화소전극(103)과 함께 공통전극(104)이 마련되는데, 이러한 공통전극(104)은 상기 화소전극(103)과 엇갈려 교차하도록 형성된다.Each
상기 공통전극(104)은 공통전압 라인(105)에서 분기된 공통라인(105a)으로부터 공통전압(Vcom)이 공급되는데, 도 3을 참조하면 상기 공통전압 라인(105)은 기판(101)의 테두리를 따라 형성되며, 게이트 라인(GL) 또는 데이터 라인(DL)의 끝단과 오버랩되도록 형성된다. 여기서, 공통전압 라인(105)은 도 3에 도시한 바와 같이 공통전압 단자(110)로부터 공통전압(Vcom)이 공급되며, 상기 공통전압 단자(110)는 전원공급부(미도시)로부터 공통전압을 공급받는다. 여기서, 전원공급부는 종래 기술에 따른 액정표시장치를 도시한 도 1을 참조하도록 한다.The
본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 도 3에는 상기 공통전압 라인(105)이 기판(101)의 테두리를 따라 폐곡선의 형상으로 마련된 것을 그 예로 하였지만, 본 발명에 따른 공통전압 라인(105)은 이에 한정되는 것이 아니며 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 예가 가능하다. 즉, 상기 공통전압 라인(105)은 기판(101)의 테두리를 따라 폐곡선이 아닌 두 개의 직선의 형상으로 마련되는 등 다양한 예가 가능하다.3 illustrates the liquid crystal display according to the first embodiment of the present invention, the
도 3을 참조하면, 상기 기판(101)에 형성된 다수의 게이트 라인(GL)에는 게이트 라인(GL)의 길이에 반비례하는 용량을 갖는 다수의 제 1 보상 커패시터(106) 가 마련된다.Referring to FIG. 3, a plurality of
상기 제 1 보상 커패시터(106)는 게이트 라인(GL)의 일부 영역과 공통전압 라인(105)으로부터 분기된 라인의 일부 영역이 오버랩되어 형성된다. 즉, 상기 제 1 보상 커패시터(106)는 도 3에 도시한 바와 같이 게이트 라인(GL)의 일부 영역의 면적을 넓게 형성하고 공통전압 라인(105)으로부터 분기된 라인의 일부 영역의 면적을 넓게 형성하여 서로 오버랩시킴으로써 마련될 수 있을 것이다.The
도 4a를 참조하여 더욱 상세히 설명하면, 상기 제 1 보상 커패시터(106)는 게이트 라인(GL)과 공통 전압 라인(105)이 게이트 절연막(120)과 보호층(121)을 사이에 두고 오버랩됨으로써 형성된다. 여기서, 상기 게이트 절연막(120)은 액정표시장치의 제조 시에 기판(101) 상에 게이트 라인(GL)을 형성한 후, 게이트 라인(GL)이 형성된 상기 기판(101) 전체에 형성하는 막이다. 그리고, 상기 보호층(121)은, 기판(101) 상에 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)을 비롯한 박막 트랜지스터(115)를 형성한 후, 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)과 박막 트랜지스터(115)가 형성된 상기 기판(101) 전체에 형성하는 막이며, 이러한 보호층(121)의 상부에는 콘택홀(미도시)을 통해 상기 박막 트랜지스터(115)의 드레인 단자와 접속되는 화소전극(103)을 비롯하여 공통전압 라인(105)이 형성된다.4A, the
이러한 다수의 제 1 보상 커패시터(106)는 다수의 게이트 라인(GL) 중에서 가장 긴 길이를 갖는 게이트 라인(GL)의 기생 커패시터의 용량을 기준으로 하여 모든 게이트 라인(GL)이 동일한 용량의 기생 커패시터를 가질 수 있도록 설계되며, 이에 따라 각 게이트 라인(GL)과 공통전압 라인(105) 사이에 형성된 상기 다수의 제 1 보상 커패시터(106)의 용량은 상기에 언급한 바와 같이 각 게이트 라인(GL)의 길이에 반비례하게 된다.The plurality of
즉, 상기 게이트 라인(GL)에 상기 제 1 보상 커패시터(106)가 형성되지 않은 경우를 기준으로 하였을 때 가장 큰 용량의 기생 커패시터를 갖는 게이트 라인(GL)에는 제 1 보상 커패시터(106)가 형성되지 않거나 가장 작은 용량의 제 1 보상 커패시터(106)가 형성되고, 상기 게이트 라인(GL)에 제 1 보상 커패시터(106)가 형성되지 않은 경우를 기준으로 하였을 때 가장 큰 용량의 기생 커패시터를 갖는 게이트 라인(GL)보다 작은 용량의 기생 커패시터를 갖는 게이트 라인(GL)에는 게이트 라인(GL)의 길이에 반비례하는 용량을 갖는 제 1 보상 커패시터(106)가 형성된다.That is, based on the case where the
각 게이트 라인(GL)에 형성되는 상기 제 1 보상 커패시터(106)의 용량에 대하여 도면을 참조하여 더욱 상세히 예를 들어 설명하면 다음과 같다.The capacitance of the
도 3을 참조하면, 상기 게이트 라인(GL)은 제 1 게이트 라인(GL1)에서 시작하여 제 (n-4) 게이트 라인(GL(n-4))까지는 그 길이가 동일하며, 제 (n-3) 게이트 라인(GL(n-3))에서 시작하여 제 n 게이트 라인(GLn)까지는 그 길이가 점점 감소한다. 여기서, 상기 게이트 라인(GL)이 제 1 게이트 라인(GL1)에서 시작하여 제 (n-4) 게이트 라인(GL(n-4))까지는 그 길이가 동일하고, 제 (n-3) 게이트 라인(GL(n-3))에서 시작하여 제 n 게이트 라인(GLn)까지는 그 길이가 점점 감소하는 것을 예로 한 것은 본 발명의 설명을 위한 것으로, 본 발명이 이에 한정되는 것이 아니며 기판(101)의 형상에 따라 게이트 라인(GL)의 길이는 도 3에 도시한 것과 다를 수 있다.Referring to FIG. 3, the gate line GL has the same length from the first gate line GL1 to the (n-4) th gate line GL (n-4). 3) The length gradually decreases from the gate line GL (n-3) to the nth gate line GLn. Here, the gate line GL has the same length from the first gate line GL1 to the (n-4) th gate line GL (n-4), and has the same length as the (n-3) th gate line. It is for the purpose of explanation of the present invention that the length is gradually decreased from (GL (n-3)) to the n-th gate line GLn, but the present invention is not limited thereto. Depending on the shape, the length of the gate line GL may be different from that shown in FIG. 3.
따라서, 도 3 을 참조하면 상기 제 1 게이트 라인(GL1)부터 제 (n-4) 게이트 라인(Gl(n-4))에는 제 1 보상 커패시터(106)가 형성되지 않거나 가장 작은 용량의 제 1 보상 커패시터(106)가 형성되며, 제 (n-3) 게이트 라인(GL(n-3))부터 제 n 게이트 라인(GLn)에는 제 (n-3) 게이트 라인(GL(n-3))에서부터 제 n 게이트 라인(GLn)으로 갈수록 점점 큰 용량의 제 1 보상 커패시터(106)가 형성된다.Therefore, referring to FIG. 3, a
이에 따라, 제 1 게이트 라인(GL1)에서부터 제 n 게이트 라인(GLn)에 형성되는 기생 커패시터가 동일하게 설정된다.As a result, parasitic capacitors formed from the first gate line GL1 to the nth gate line GLn are equally set.
즉, 상기에 설명한 바와 같이 각 게이트 라인(GL)의 길이에 반비례하는 용량의 제 1 보상 커패시터(106)를 형성함으로써, 각 게이트 라인(GL)에 형성되는 기생 커패시터의 용량을 동일하도록 설정할 수 있다.That is, as described above, by forming the
상기의 설명과 도면에서는 상기 제 1 보상 커패시터(106)가 게이트 라인(GL)의 일 끝단에 형성되되 게이트 드라이버(111)와 인접한 곳에 형성된 것을 그 예로 하였지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 상기 제 1 보상 커패시터(106)는 게이트 라인(GL)의 일 끝단 중에서 게이트 드라이버(111)와 인접하지 않은 곳에 형성되거나 또는 게이트 라인(GL)의 양 끝단에 두 개가 형성되는 등 다양한 예가 가능할 것이다.In the above description and drawings, the
도 3을 참조하면, 상기 기판(101)에 형성된 다수의 게이트 라인(GL)에는 게이트 라인(GL)의 길이에 반비례하는 크기를 갖는 다수의 제 1 보상 저항(108)이 마련된다.Referring to FIG. 3, the plurality of gate lines GL formed on the
각 게이트 라인(GL)에 마련된 제 1 보상 저항(108)의 크기는, 다수의 게이트 라인(GL) 중에서 가장 긴 길이를 갖는 게이트 라인(GL)의 라인 저항의 크기를 기준으로 하여 모든 게이트 라인(GL)이 같은 크기의 라인 저항을 가질 수 있도록 설계되는데, 이를 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.The size of the
상기에 언급한 바와 같이, 상기 게이트 라인(GL)은 제 1 게이트 라인(GL1)에서 시작하여 제 (n-4) 게이트 라인(GL(n-4))까지는 그 길이가 동일하며, 제 (n-3) 게이트 라인(GL(n-3))에서 시작하여 제 n 게이트 라인(GLn)까지는 그 길이가 점점 감소한다.As mentioned above, the gate line GL has the same length from the first gate line GL1 to the (n-4) th gate line GL (n-4), and is equal to (n). -3) The length gradually decreases from the gate line GL (n-3) to the nth gate line GLn.
따라서, 상기 게이트 라인(GL)에 상기 제 1 보상 저항(108)이 형성되지 않은 경우를 기준으로 하였을 때 가장 큰 크기의 라인 저항을 갖는 게이트 라인(GL)에는 제 1 보상 저항(108)이 형성되지 않거나 가장 작은 크기의 제 1 보상 저항(108)이 형성되고, 상기 게이트 라인(GL)에 제 1 보상 저항(108)이 형성되지 않은 경우를 기준으로 하였을 때 가장 큰 크기의 라인 저항을 갖는 게이트 라인(GL)보다 작은 라인 저항을 갖는 게이트 라인(GL)에는 게이트 라인(GL)의 길이에 반비례하는 크기를 갖는 제 1 보상 저항(108)이 형성된다.Accordingly, when the
즉, 도 3을 참조하면, 상기 제 1 게이트 라인(GL)부터 제 (n-4) 게이트 라인(GL(n-4))에는 제 1 보상 저항(108)이 형성되지 않거나 가장 작은 크기의 제 1 보상 저항(108)이 형성되며, 제 (n-3) 게이트 라인(GL(n-3))부터 제 n 게이트 라인(GLn)에는 제 (n-3) 게이트 라인(GL(n-3))에서부터 제 n 게이트 라인(GLn)으로 갈수록 점점 큰 크기의 제 1 보상 저항(108)이 형성된다.That is, referring to FIG. 3, a
이에 따라, 제 1 게이트 라인(GL1)에서부터 제 n 게이트 라인(GLn)에 형성되 는 라인 저항이 동일하게 설정된다.Accordingly, the line resistances formed from the first gate line GL1 to the nth gate line GLn are equally set.
즉, 상기에 설명한 바와 같이 각 게이트 라인(GL)의 길이에 반비례하는 크기의 제 1 보상 저항(108)을 형성함으로써, 각 게이트 라인(GL)에 형성되는 라인 저항의 크기를 동일하도록 설정할 수 있다.That is, as described above, by forming the
상기의 설명과 도면에서는 상기 제 1 보상 저항(108)이 게이트 라인(GL)의 일 끝단에 형성되되 게이트 드라이버(111)와 인접한 곳에 형성된 것을 그 예로 하였지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 상기 제 1 보상 저항(108)은 게이트 라인(GL)의 일 끝단 중에서 게이트 드라이버(111)와 인접하지 않은 곳에 형성되거나 또는 게이트 라인(GL)의 양 끝단에 두 개가 형성되는 등 다양한 예가 가능할 것이다.In the above description and drawings, the
도 3을 참조하면, 상기 기판(101)에 형성된 다수의 데이터 라인(DL)에는 데이터 라인(DL)의 길이에 반비례하는 용량을 갖는 다수의 제 2 보상 커패시터(107)가 마련된다.Referring to FIG. 3, the plurality of data lines DL formed on the
상기 제 2 보상 커패시터(107)는 데이터 라인(DL)의 일부 영역과 공통전압 라인(105)으로부터 분기된 라인의 일부 영역이 오버랩되어 형성된다. 즉, 상기 제 2 보상 커패시터(107)는 도 3에 도시한 바와 같이 데이터 라인(DL)의 일부 영역의 면적을 넓게 형성하고 공통전압 라인(105)으로부터 분기된 라인의 일부 영역의 면적을 넓게 형성하여 서로 오버랩시킴으로써 마련될 수 있을 것이다.The
도 4b를 참조하여 더욱 상세히 설명하면, 상기 제 2 보상 커패시터(107)는 데이터 라인(DL)과 공통 전압 라인(105)이 보호층(121)을 사이에 두고 오버랩됨으 로써 형성된다. 상기 보호층(121)은, 기판(101) 상에 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)을 비롯한 박막 트랜지스터(115)를 형성한 후, 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)과 박막 트랜지스터(115)가 형성된 상기 기판(101) 전체에 형성하는 막이며, 이러한 보호층(121)의 상부에는 콘택홀(미도시)을 통해 상기 박막 트랜지스터(115)의 드레인 단자와 접속되는 화소전극(103)을 비롯하여 공통전압 라인(105)이 형성된다.Referring to FIG. 4B, the
상기 제 2 보상 커패시터(107)는 다수의 데이터 라인(DL) 중에서 가장 긴 길이를 갖는 데이터 라인(DL)의 기생 커패시터의 용량을 기준으로 하여 모든 데이터 라인(DL)이 동일한 용량의 기생 커패시터를 가질 수 있도록 설계되며, 이에 따라 각 데이터 라인(DL)과 공통전압 라인(105) 사이에 형성된 제 2 보상 커패시터(107)의 용량은 상기에 언급한 바와 같이 각 데이터 라인(DL)의 길이에 반비례하게 된다.The
즉, 상기 데이터 라인(DL)에 상기 제 2 보상 커패시터(107)가 형성되지 않는 경우를 기준으로 하였을 때 가장 큰 용량의 기생 커패시터를 갖는 데이터 라인(DL)에는 제 2 보상 커패시터(107)가 형성되지 않거나 가장 작은 용량의 제 2 보상 커패시터(107)가 형성되고, 상기 데이터 라인(DL)에 제 2 보상 커패시터(107)가 형성되지 않은 경우를 기준으로 하였을 때 가장 큰 용량의 기생 커패시터를 갖는 데이터 라인(DL)보다 작은 용량의 기생 커패시터를 갖는 데이터 라인(DL)에는 데이터 라인(DL)의 길이에 반비례하는 용량을 갖는 제 2 보상 커패시터(107)가 형성된다.That is, when the
각 데이터 라인(DL)에 형성되는 상기 제 2 보상 커패시터(108)의 용량에 대 하여 도면을 참조하여 더욱 상세히 예를 들어 설명하면 다음과 같다.For example, the capacitance of the
도 3을 참조하면, 상기 데이터 라인(DL)은 제 1 데이터 라인(DL1)에서 시작하여 제 4 데이터 라인(DL4)까지는 그 길이가 점점 증가하며, 제 5 데이터 라인(DL5)에서 시작하여 제 (n-4) 데이터 라인(DL(n-4))까지는 그 길이가 동일하고, 제 (n-3) 데이터 라인(DL(n-3))에서 시작하여 제 n 데이터 라인(DLn)까지는 그 길이가 점점 감소한다. 여기서, 상기 데이터 라인(DL)이 제 1 데이터 라인(DL1)에서 시작하여 제 4 데이터 라인(DL4)까지는 그 길이가 점점 증가하며, 제 5 데이터 라인(DL5)에서 시작하여 제 (n-4) 데이터 라인(DL(n-4))까지는 그 길이가 동일하고, 제 (n-3) 데이터 라인(DL(n-3))에서 시작하여 제 n 데이터 라인(DLn)까지는 그 길이가 점점 감소하는 것을 예로 한 것은 본 발명의 설명을 위한 것으로, 본 발명이 이에 한정되는 것이 아니며 기판(101)의 형상에 따라 데이터 라인의 길이는 도 3에 도시한 것과 다를 수 있다.Referring to FIG. 3, the length of the data line DL gradually increases from the first data line DL1 to the fourth data line DL4, and starts from the fifth data line DL5. n-4) The length up to the data line DL (n-4) is the same and the length starting from the (n-3) th data line DL (n-3) to the nth data line DLn. Gradually decreases. Herein, the length of the data line DL gradually increases from the first data line DL1 to the fourth data line DL4, and starts from the fifth data line DL5 (n-4). The length up to the data line DL (n-4) is the same, and the length gradually decreases from the (n-3) th data line DL (n-3) to the nth data line DLn. As an example, the present invention is not limited thereto, and the length of the data line may be different from that shown in FIG. 3 according to the shape of the
따라서, 도 3을 참조하면 상기 제 5 데이터 라인(DL5)부터 제 (n-4) 데이터 라인(DL(n-4))에는 제 2 보상 커패시터(107)가 형성되지 않거나 가장 작은 용량의 제 2 보상 커패시터(107)가 형성되며, 제 1 데이터 라인(DL1)부터 제 4 데이터 라인(DL4)에는 제 1 데이터 라인(DL1)에서 시작하여 제 4 데이터 라인(DL4)으로 갈수록 점점 작은 용량의 제 2 보상 커패시터(107)가 형성되고, 제 (n-3) 데이터 라인(DL(n-3))부터 제 n 데이터 라인(DLn)에는 제 (n-3) 데이터 라인(DL(n-3))에서 시작하여 제 n 데이터 라인(DLn)으로 갈수록 점점 큰 용량의 제 2 보상 커패시터(107)가 형성된다.Therefore, referring to FIG. 3, a
이에 따라, 제 1 데이터 라인(DL1)에서부터 제 n 데이터 라인(DLn)에 형성되는 기생 커패시터가 동일하게 설정된다.Accordingly, parasitic capacitors formed from the first data line DL1 to the nth data line DLn are set in the same manner.
즉, 상기에 설명한 바와 같이 각 데이터 라인(DL)의 길이에 반비례하는 용량의 제 2 보상 커패시터(107)를 형성함으로써, 각 데이터 라인(DL)에 형성되는 기생 커패시터의 용량의 동일하도록 설정할 수 있다.That is, by forming the
상기의 설명과 도면에서는 상기 제 2 보상 커패시터(107)가 데이터 라인(DL)의 일 끝단에 형성되되 데이터 드라이버(112)와 인접한 곳에 형성된 것을 그 예로 하였지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 상기 제 2 보상 커패시터(107)는 데이터 라인(DL)의 일 끝단 중에서 데이터 드라이버(112)와 인접하지 않은 곳에 형성되거나 또는 데이터 라인(DL)의 양 끝단에 두 개가 형성되는 등 다양한 예가 가능할 것이다.In the above description and drawings, the
도 3을 참조하면, 상기 기판(101) 에 형성된 다수의 데이터 라인(DL)에는 데이터 라인(DL)의 길이에 반비례하는 크기를 갖는 다수의 제 2 보상 저항(109)이 마련된다.Referring to FIG. 3, a plurality of
각 데이터 라인(DL)에 마련된 제 2 보상 저항(109)의 크기는, 다수의 데이터 라인(DL) 중에서 가장 긴 길이를 갖는 데이터 라인(DL)의 라인 저항의 크기를 기준으로 하여 모든 데이터 라인(DL)이 같은 라인 저항의 크기를 가질 수 있도록 설계되는데, 이를 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.The size of the
상기에 언급한 바와 같이, 상기 데이터 라인(DL)은 제 1 데이터 라인(DL1)에서 시작하여 제 4 데이터 라인(DL4)까지는 그 길이가 점점 증가하며, 제 5 데이터 라인(DL5)에서 시작하여 제 (n-4) 데이터 라인(DL(n-4))까지는 그 길이가 동일하고, 제 (n-3) 데이터 라인(DL(n-3))에서 시작하여 제 n 데이터 라인(DLn)까지는 그 길이가 점점 감소한다.As mentioned above, the length of the data line DL gradually increases from the first data line DL1 to the fourth data line DL4 and starts at the fifth data line DL5. (n-4) The data lines DL (n-4) have the same length, starting from the (n-3) th data line DL (n-3) to the nth data line DLn. The length gradually decreases.
따라서, 상기 데이터 라인(DL)에 상기 제 2 보상 저항(109)이 형성되지 않는 경우를 기준으로 하였을 때 가장 큰 크기의 라인 저항을 갖는 데이터 라인(DL)에는 제 2 보상 저항(109)이 형성되지 않거나 가장 작은 크기의 제 2 보상 저항(109)이 형성되고, 상기 데이터 라인(DL)에 제 2 보상 저항(109)이 형성되지 않은 경우를 기준으로 하였을 때 가장 큰 크기의 라인 저항을 갖는 데이터 라인(DL)보다 작은 라인 저항을 갖는 데이터 라인(DL)에는 데이터 라인(DL)의 길이에 반비례하는 크기를 갖는 제 2 보상 저항(109)이 형성된다.Accordingly, when the
즉, 도 3을 참조하면, 상기 제 5 데이터 라인(DL5)부터 제 (n-4) 데이터 라인(DL(n-4))에는 제 2 보상 저항(109)이 형성되지 않거나 가장 작은 크기의 제 2 보상 저항(109)이 형성되며, 제 1 데이터 라인(DL1)부터 제 4 데이터 라인(DL4)에는 제 1 데이터 라인(DL1)에서부터 시작하여 제 4 데이터 라인(DL4)으로 갈수록 점점 작은 크기의 제 2 보상 저항(109)이 형성되고, 제 (n-3) 데이터 라인(DL(n-3))부터 제 n 데이터 라인(DLn)에는 제 (n-3) 데이터 라인(DL(n-3))에서부터 시작하여 제 n 데이터 라인(DLn)으로 갈수록 점점 큰 크기의 제 2 보상 저항(109)이 형성된다.That is, referring to FIG. 3, a
이에 따라, 제 1 데이터 라인(DL1)에서부터 제 n 데이터 라인(DLn)에 형성되는 라인 저항이 동일하게 설정된다.Accordingly, the line resistances formed from the first data line DL1 to the nth data line DLn are equally set.
즉, 상기에 설명한 바와 같이 각 데이터 라인(DL)의 길이에 반비례하는 크기의 제 2 보상 저항(109)을 형성함으로써, 각 데이터 라인(DL)에 형성되는 라인 저항의 크기를 동일하도록 설정할 수 있다.That is, as described above, by forming the
상기의 설명과 도면에서는 상기 제 2 보상 저항(109)이 데이터 라인(DL)의 일 끝단에 형성되되 데이터 드라이버(112)와 인접한 곳에 형성된 것을 그 예로 하였지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 상기 제 2 보상 저항(109)은 데이터 라인(DL)의 일 끝단 중에서 데이터 드라이버(112)와 인접하지 않은 곳에 형성되거나 또는 데이터 라인(DL)의 양 끝단에 두 개가 형성되는 등 다양한 예가 가능할 것이다.In the above description and drawings, the
<제 2 실시예>≪
이하, 도 5 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 제 2 실시예에 대하여 설명하겠다. 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치를 설명함에 있어서, 도 5 내지 도 7에 도시되지 않은 구성요소는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 도 3을 참조하겠다. Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 to 7. In the description of the liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention, components not shown in FIGS. 5 to 7 will be referred to FIG. 3, which shows the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.
도 5 내지 도 7에 도시한 바와 같이 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치는, 기판(도 3의 101 참조); 상기 기판 상에 종횡으로 교차되어 화소(도 3의 102 참조)를 정의하며, 일부는 서로 길이가 다른 다수의 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL); 외부로부터 입력된 신호들을 이용하여 다수의 제어신호를 발생하고 외부로부터의 화소 데이터를 재정렬하여 출력하는 타이밍 제어부(213); 외부로부터 입력된 전압을 변환하여 제 1 및 제 2 전원 전압(VDD, VSS)을 출력하는 전원공급 부(214); 상기 타이밍 제어부(213)로부터의 제어신호와 전원공급부(214)로부터의 제 1 및 제 2 전원 전압(VDD, VSS)을 이용하여 게이트 라인(GL)을 구동하는 게이트 드라이버(211); 상기 타이밍 제어부(213)로부터의 제어신호, 화소 데이터와 전원공급부(214)로부터의 제 1 및 제 2 전원전압(VDD, VSS)을 이용하여 데이터 라인(DL)을 구동하는 데이터 드라이버(212); 상기 제 2 전원전압(VSS)이 공급되는 라인과 다수의 게이트 라인(GL)이 오버랩되어 마련되며, 게이트 라인(GL)의 길이에 반비례하는 용량을 갖도록 형성되어, 각 게이트 라인(GL)이 가지는 기생 커패시터의 용량이 동일하도록 보상하는 제 1' 보상 커패시터(C1); 상기 제 1 또는 제 2 전원 전압(VDD, VSS)이 공급되는 라인과 다수의 데이터 라인(DL)이 오버랩되어 마련되며, 데이터 라인(DL)의 길이에 반비례하는 용량을 갖도록 형성되어, 각 데이터 라인(DL)이 가지는 기생 커패시터의 용량이 동일하도록 보상하는 다수의 제 2' 보상 커패시터(C2); 를 포함하여 구성된다.5 to 7, a liquid crystal display according to a second embodiment of the present invention includes a substrate (see 101 in FIG. 3); A plurality of gate lines (GL) and data lines (DL) different in length from each other to define pixels (see 102 in FIG. 3) crossing vertically and horizontally on the substrate; A
그리고, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치에 구비된 게이트 드라이버(211)는, 상기 타이밍 제어부(213)로부터 입력된 제어신호를 이용하여 제 1 제어신호(Q1)와 제 2 제어신호(Q2)를 출력하는 게이트 제어부(211c); 상기 게이트 제어부(211c)로부터의 제 1 제어신호(Q1)에 응답하여 게이트 라인(GL)에 제 1 전원 전압(VDD) 또는 클럭 신호(CLK)를 공급하는 제 1 트랜지스터(T1)와, 상기 게이트 제어부(211c)로부터의 제 2 제어신호(Q2)에 응답하여 게이트 라인(GL)에 제 2 전원 전압(VSS)을 공급하는 제 2 트랜지스터(T2)를 포함하여 구성되어 상기 게이트 제어부(211c)로부터 출력되는 신호를 완충하는 버퍼부(211d); 를 포함하여 구성된다. 여기서, 상기 제 1 및 제 2 트랜지스터(T1, T2)의 채널 폭(W) 대 채널 길이(L)의 비(W/L)는 해당 게이트 라인(GL)의 길이에 비례하도록 형성되어, 각 게이트 라인(GL)이 가지는 라인 저항의 크기가 동일하도록 보상된다.The
또한, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치에 구비된 데이터 드라이버(212)는, 상기 타이밍 제어부(213)로부터 입력된 제어신호를 이용하여 제 3 제어 신호(Q3)를 출력하며, 상기 타이밍 제어부(213)로부터의 화소 데이터를 변환한 후 출력하는 데이터 제어부(212c); 상기 데이터 제어부(212c)로부터의 제 3 제어신호(Q3)에 응답하여 데이터 라인(DL)에 변환된 화소 데이터를 출력하는 제 3 트랜지스터(T3)를 포함하여 구성되어 상기 데이터 제어부(212c)로부터 출력되는 신호를 완충하는 버퍼부(212d); 를 포함하여 구성된다. 여기서, 상기 제 3 트랜지스터(T3)의 채널 폭(W) 대 채널 길이(L)의 비(W/L)는 해당 데이터 라인(DL)의 길이에 비례하도록 형성되어, 각 데이터 라인(DL)이 가지는 라인 저항의 크기가 동일하도록 보상된다.In addition, the
이와 같은 구성을 갖는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치를 상세히 설명하면 다음과 같다.The liquid crystal display according to the second exemplary embodiment of the present invention having such a configuration will now be described in detail.
도 5에는 설명의 편의를 위하여 액정표시장치의 액정패널을 구성하는 요소 중에 게이트 드라이버(211), 전원공급부(214) 및 타이밍 제어부(213)를 도시하였다.5 illustrates a
도 3 을 참조하면, 상기 기판은 액정표시장치의 액정패널을 구성하는 상부기판과 하부기판 중에서 하부기판인 박막 트랜지스터 어레이 기판이며, 상부의 양 모 서리가 곡선인 형상을 가진다. 이와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 또한 제 1 실시예에 따른 기판과 마찬가지로 기판의 양 모서리가 곡선인 형상을 가지지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 상기 기판의 형상은 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 반원 또는 원형 등 다양한 형상일 수 있다.Referring to FIG. 3, the substrate is a thin film transistor array substrate which is a lower substrate among upper substrates and lower substrates constituting the liquid crystal panel of the liquid crystal display, and has both curved upper edges. As described above, the substrate according to the second embodiment of the present invention also has a curved shape in which both edges of the substrate are curved like the substrate according to the first embodiment, but the present invention is not limited thereto. Various shapes such as a semi-circle or a circle may be used without departing from the gist of the present invention.
상기 기판에는 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 종횡으로 교차되어 화소가 정의되며, 상기 각 화소에는 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(도 3의 115 참조)가 형성된다.The substrate is defined by crossing the gate line GL and the data line DL vertically and horizontally on the substrate, and each pixel is formed with a thin film transistor (see 115 in FIG. 3) as a switching element.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)의 길이에 있어서는, 설명의 편의를 위하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 도면인 도 3을 참조하겠다.In the lengths of the gate line GL and the data line DL according to the second embodiment of the present invention, FIG. 3 is a view illustrating a liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention for convenience of description. See you.
즉, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 게이트 라인(GL)은 제 1 게이트 라인(GL1)에서 시작하여 (n-4) 게이트 라인(GL(n-4))까지는 그 길이가 동일하며, 제 (n-3) 게이트 라인(GL(n-3))에서 시작하여 제 n 게이트 라인(Gln)까지는 그 길이가 점점 감소한다. 여기서, 상기 게이트 라인(GL)이 제 1 게이트 라인(GL1)에서 시작하여 제 (n-4) 게이트 라인(GL(n-4))까지는 그 길이가 동일하고, 제 (n-3) 게이트 라인(GL(n-3))에서 시작하여 제 n 게이트 라인(GLn)까지는 그 길이가 점점 감소하는 것을 예로 한 것은 본 발명의 설명을 위한 것으로, 본 발명이 이에 한정되는 것이 아니며 기판의 형상에 따라 게이트 라인(GL)의 길이는 충분히 변경될 수 있을 것이다.That is, the gate line GL according to the second embodiment of the present invention has the same length from the first gate line GL1 to the (n-4) gate line GL (n-4). (n-3) The length gradually decreases from the gate line GL (n-3) to the nth gate line Gln. Here, the gate line GL has the same length from the first gate line GL1 to the (n-4) th gate line GL (n-4), and has the same length as the (n-3) th gate line. It is for the purpose of explanation of the present invention that the length is gradually reduced from (GL (n-3)) to the n-th gate line GLn, but the present invention is not limited thereto. The length of the gate line GL may be sufficiently changed.
그리고, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 데이터 라인(DL)은 제 1 데이터 라 인(DL1)에서 시작하여 제 4 데이터 라인(DL4)까지는 그 길이가 점점 증가하며, 제 5 데이터 라인(DL5)에서 시작하여 제 (n-4) 데이터 라인(DL(n-4))까지는 그 길이가 동일하고, 제 (n-3) 데이터 라인(DL(n-3))에서 시작하여 제 n 데이터 라인(DLn)까지는 그 길이가 점점 감소한다. 여기서, 상기 데이터 라인(DL)이 제 1 데이터 라인(DL1)에서 시작하여 제 4 데이터 라인(DL4)까지는 그 길이가 점점 증가하며, 제 5 데이터 라인(DL5)에서 시작하여 제 (n-4) 데이터 라인(DL(n-4))까지는 그 길이가 동일하고, 제 (n-3) 데이터 라인(DL(n-3))에서 시작하여 제 n 데이터 라인(DLn)까지는 그 길이가 점점 감소하는 것을 예로 한 것은 본 발명의 설명을 위한 것으로, 본 발명이 이에 한정되는 것이 아니며 기판의 형상에 따라 데이터 라인(DL)의 길이는 충분히 변경될 수 있을 것이다.In addition, the length of the data line DL according to the second embodiment of the present invention increases from the first data line DL1 to the fourth data line DL4, and the fifth data line DL5. The lengths are the same from the (n-4) th data line DL (n-4) to the nth data line starting at the (n-3) th data line DL (n-3). Up to DLn), its length gradually decreases. Herein, the length of the data line DL gradually increases from the first data line DL1 to the fourth data line DL4, and starts from the fifth data line DL5 (n-4). The length up to the data line DL (n-4) is the same, and the length gradually decreases from the (n-3) th data line DL (n-3) to the nth data line DLn. For the purpose of explanation, the present invention is not limited thereto, and the length of the data line DL may be sufficiently changed according to the shape of the substrate.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치는 외부로부터 입력된 신호를 이용하여 다수의 제어신호를 발생하고 외부로부터 입력된 화소 데이터를 재정렬하여 출력하는 타이밍 제어부(213)를 구비한다. 이러한 타이밍 제어부(213)로부터 출력되는 다수의 제어신호는 게이트 드라이버(211)와 데이터 드라이버(212)로 전달되며, 게이트 드라이버(211)와 데이터 드라이버(212)는 상기 다수의 제어신호를 이용하여 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)을 구동한다.Referring to FIG. 4, the liquid crystal display according to the second exemplary embodiment of the present invention generates a plurality of control signals using signals input from the outside and rearranges and outputs the pixel data input from the outside. It is provided. The plurality of control signals output from the
그리고, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치는 외부로부터 입력되는 전압을 변환하여 액정표시장치의 각 구성요소를 구동하기 위하여 필요한 제 1 전압(VDD) 및 제 2 전압(VSS) 등을 출력하는 전원공급부(214)가 구비된다. 이와 같이 전원공급부(214)로부터 출력되는 다수의 공급 전원 중에 제 1 전압(VDD) 및 제 2 전압(VSS)은 게이트 드라이버(211)와 데이터 드라이버(212)로 공급되며, 게이트 드라이버(211)와 데이터 드라이버(212)는 상기 제 1 전압(VDD) 및 제 2 전압(VSS)을 이용하여 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)을 구동한다.In addition, the liquid crystal display according to the second exemplary embodiment of the present invention converts a voltage input from an external device to convert a first voltage VDD, a second voltage VSS, etc. required to drive each component of the liquid crystal display. An output
상기 게이트 드라이버(211)는 타이밍 제어부(213)로부터 입력된 제어신호와 전원공급부(214)로부터 입력된 제 1 전원전압(VDD) 및 제 2 전원전압(VSS)을 이용하여 게이트 라인(GL)을 한 라인씩 순차 구동한다. 상기 게이트 드라이버(211)에는 게이트 제어부(211c)를 비롯하여, 버퍼부(211d)가 구비되는데, 이러한 게이트 드라이버(211)에 대하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The
상기 게이트 제어부(211c)는 타이밍 제어부(213)로부터 입력된 제어신호를 이용하여 제 1 제어신호(Q1)와 제 2 제어신호(Q2)를 출력한다. 상기 제 1 제어신호(Q1)는 게이트 라인(GL)에 제 1 전원전압(VDD)을 공급함으로써 해당 게이트 라인(GL)을 구동하기 위한 신호이며, 상기 제 2 제어신호(G2)는 게이트 라인(GL)에 제 2 전원전압(VSS)을 공급함으로써 해당 게이트 라인(GL)을 구동하지 않기 위한 신호이다.The
이와 같은 제 1 제어신호(Q1)와 제 2 제어신호(Q2)는 버퍼부, 즉 제 1 트랜지스터(T1)와 제 2 트랜지스터(T2)에 공급된다.The first control signal Q1 and the second control signal Q2 are supplied to the buffer unit, that is, the first transistor T1 and the second transistor T2.
상기 버퍼부(211d)는 제 1 트랜지스터(T1)와 제 2 트랜지스터(T2)로 구성되어 각 게이트 라인(GL)에 연결된 버퍼(211e)가 다수 개 구비된다.The
상기 제 1 트랜지스터(T1)의 게이트 단자는 게이트 제어부(211c)로부터 제 1 제어신호(Q1)가 공급되는 라인에 연결되고 소스 단자는 게이트 제어부(211c)로부터 제 1 전원전압(VDD) 또는 클럭신호(CLK)가 공급되는 라인에 연결되며 드레인 단자는 해당 게이트 라인(GL)에 연결된다. 그리고, 상기 제 2 트랜지스터(T2)의 게이트 단자는 제 2 제어신호(Q2)가 공급되는 라인에 연결되고 소스 단자는 제 2 전원전압(VSS)이 공급되는 라인에 연결되며 드레인 단자는 해당 게이트 라인(GL)에 연결된다.The gate terminal of the first transistor T1 is connected to the line to which the first control signal Q1 is supplied from the
따라서, 상기 제 1 트랜지스터(T1)는 게이트 제어부(211c)로부터의 제 1 제어신호(Q1)에 응답하여 해당 게이트 라인(GL)에 제 1 전원 전압(VDD) 또는 클럭 신호(CLK)를 인가함으로써 게이트 라인(GL)을 구동하고, 상기 제 2 트랜지스터(T2)는 게이트 제어부(211c)로부터의 제 2 제어신호(Q2)에 응답하여 해당 게이트 라인(GL)에 제 2 전원전압(VSS)을 공급함으로써 게이트 라인(GL)을 구동하지 않을 것이다.Accordingly, the first transistor T1 applies the first power voltage VDD or the clock signal CLK to the corresponding gate line GL in response to the first control signal Q1 from the
도 6은 제 1 트랜지스터(T1)를 도시한 평면도이며, 이를 참조하면 상기 제 1 트랜지스터(T1)의 채널 폭(W)은 소스 전극과 드레인 전극이 마주보는 변의 길이이며, 채널 길이(L)는 소스 전극과 드레인 전극이 이격된 거리이며, 제 2 트랜지스터(T2)도 마찬가지이다.FIG. 6 is a plan view illustrating the first transistor T1. Referring to this, the channel width W of the first transistor T1 is the length of the side where the source electrode and the drain electrode face each other, and the channel length L is The source electrode and the drain electrode are spaced apart from each other, and the same applies to the second transistor T2.
도면에 상세히 도시하지는 않았지만, 상기 제 1 트랜지스터(T1)와 제 2 트랜지스터(T2)의 채널 폭(W)대 채널 길이(L)의 비(W/L)는 제 1 트랜지스터(T1) 및 제 2 트랜지스터(T2) 자신이 연결된 게이트 라인(GL)의 길이에 비례한다.Although not shown in detail in the drawings, the ratio W / L of the channel width W to the channel length L of the first transistor T1 and the second transistor T2 is determined by the first transistor T1 and the second transistor. It is proportional to the length of the gate line GL to which the transistor T2 itself is connected.
즉, 각 게이트 라인(GL)과 연결된 제 1 트랜지스터(T1) 및 제 2 트랜지스터(T2)의 채널 폭(W)대 채널 길이(L)의 비(W/L)는, 다수의 게이트 라인(GL) 중에서 가장 긴 길이를 갖는 제 1 게이트 라인(GL1)에서부터 제 (n-4) 게이트 라인(GL(n- 4))과 연결되는 경우 가장 크며, 제 (n-3) 게이트 라인(GL(n-3))에서부터 제 n 게이트 라인(GLn)과 연결되는 경우에는 제 (n-3) 게이트 라인(GL(n-3))에서부터 제 n 게이트 라인(GLn)으로 갈수록 점점 작아지도록 형성된다.That is, the ratio W / L of the channel width W to the channel length L of the first transistor T1 and the second transistor T2 connected to each gate line GL is determined by the number of gate lines GL. ) Is the largest when the first gate line GL1 having the longest length is connected to the (n-4) th gate line GL (n-4), and the (n-3) th gate line GL (n -3)) to be connected to the n-th gate line GLn, it is formed to become smaller as it goes from the (n-3) th gate line GL (n-3) to the n-th gate line GLn.
이에 따라, 각 게이트 라인(GL)에 연결된 버퍼(111e)의 출력 저항은 게이트 라인(GL)의 길이에 반비례하도록 설정된다.Accordingly, the output resistance of the buffer 111e connected to each gate line GL is set in inverse proportion to the length of the gate line GL.
즉, 상기에 설명한 바와 같이 다수의 제 1 트랜지스터(T1)와 제 2 트랜지스터(T2)의 채널 폭(W)대 채널 길이(L)의 비(W/L)를 제 1 트랜지스터(T1)와 제 2 트랜지스터(T2) 자신이 연결된 게이트 라인(GL)의 길이에 비례하도록 형성함으로써, 각 버퍼(211e)의 출력 저항의 크기와 게이트 라인(GL)의 라인 저항의 크기를 더한 값이 동일하도록 설정된다. That is, as described above, the ratio W / L of the channel width W to the channel length L of the plurality of first transistors T1 and the second transistor T2 is determined by the first transistor T1 and the first transistor T1. By forming the two transistors T2 to be proportional to the length of the connected gate line GL, the output resistance of each
도 5에는 편의상, 제 1 게이트 라인(GL1)에 형성된 제 1' 보상 커패시터(C1)와 제 n 게이트 라인(Gln)에 형성된 제 1' 보상 커패시터(C1)만을 도시하였다.In FIG. 5, only the first ′ compensation capacitor C1 formed on the first gate line GL1 and the first ′ compensation capacitor C1 formed on the nth gate line Gln are shown in FIG. 5.
도 5를 참조하면, 다수의 게이트 라인(GL)에는 제 2 전원전압(VSS)이 공급되는 라인과 각 게이트 라인(GL)이 오버랩되어 형성된 다수의 제 1' 보상 커패시터(C1)가 마련되며, 이러한 제 1' 보상 커패시터(C1)는 자신이 연결된 게이트 라인(GL)의 길이에 반비례하는 용량을 갖는다.Referring to FIG. 5, a plurality of first 'compensation capacitors C1 formed by overlapping a line to which the second power supply voltage VSS is supplied and each gate line GL are provided in the plurality of gate lines GL. The first ′ compensation capacitor C1 has a capacitance inversely proportional to the length of the gate line GL to which the first compensation capacitor C1 is connected.
즉, 제 2 전원전압(VSS)이 공급되는 라인과 각 게이트 라인(GL) 사이에 형성된 제 1 '보상 커패시터(C1)의 용량은, 다수의 게이트 라인(GL) 중에서 가장 긴 길이를 갖는 제 1 게이트 라인(GL1)에서부터 제 (n-4) 게이트 라인(GL(n-4))과 연결되는 경우 가장 작거나 형성되지 않으며, 제 (n-3) 게이트 라인(GL(n-3))에서부터 제 n 게이트 라인(GLn)과 연결되는 경우에는 제 (n-3) 게이트 라인(GL(n-3))에서부터 제 n 게이트 라인(GLn)으로 갈수록 점점 커지도록 형성된다.That is, the capacitance of the first 'compensation capacitor C1 formed between the line to which the second power supply voltage VSS is supplied and each gate line GL is the first having the longest length among the plurality of gate lines GL. When the gate line GL1 is connected to the (n-4) th gate line GL (n-4), the gate line GL1 is not the smallest or formed, and the gate line GL1 from the (n-3) th gate line GL (n-3) When connected to the n-th gate line GLn, the n-th gate line GLn is formed to gradually increase from the (n-3) th gate line GL (n-3) to the nth gate line GLn.
이에 따라, 제 1 게이트 라인(GL1)에서부터 제 n 게이트 라인(GL)에 형성되는 기생 커패시터가 동일하게 설정된다.Accordingly, parasitic capacitors formed from the first gate line GL1 to the nth gate line GL are set to be the same.
즉, 상기에 설명한 바와 같이 각 게이트 라인(GL)의 길이에 반비례하는 용량을 가지는 다수의 제 1' 보상 커패시터(C1)를 형성함으로써, 각 게이트 라인(GL)에 형성되는 기생 커패시터의 용량을 동일하도록 설정할 수 있다.That is, as described above, by forming a plurality of first 'compensation capacitors C1 having capacitances inversely proportional to the lengths of the gate lines GL, the capacitances of the parasitic capacitors formed in each gate line GL may be equal. Can be set to
도 6을 참조하면, 상기 데이터 드라이버(212)는 타이밍 제어부(213)로부터 제어신호와 화소 데이터를 입력받고 전원공급부(214)로부터 제 1 전원전압(VDD) 및 제 2 전원전압(VSS)을 입력받으며, 이러한 데이터 드라이버(212)는 상기 제어신호와 제 1 전원전압(VDD) 및 제 2 전원전압(VSS)을 이용하여 화소 데이터를 적절히 변환한 후에 게이트 라인(GL)을 기준으로 하였을 때 한 라인 분씩 동시에 데이터 라인(DL)으로 출력한다.Referring to FIG. 6, the
상기 데이터 드라이버(212)에는 데이터 제어부(212c)를 비롯하여, 버퍼부(212d)가 구비되는데, 이러한 데이터 드라이버(212)에 대하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The
상기 데이터 제어부(212c)는 타이밍 제어부(213)로부터 입력된 제어신호를 이용하여 제 3 제어신호(Q3)를 출력한다. 그리고, 상기 데이터 제어부(212c)는 타이밍 제어부(213)로부터 입력된 화소 데이터를 적절히 변환한 후 출력한다. 여기서, 상기 제 3 제어신호(Q3)는 데이터 라인(DL)에 화소 데이터를 완충하여 공급하 기 위한 신호이다.The
상기 제 3 제어신호(Q3)는 버퍼부(212d), 즉 제 3 트랜지스터(T3)에 공급된다.The third control signal Q3 is supplied to the
상기 버퍼부(212d)는 제 3 트랜지스터(T3)로 구성되어 각 데이터 라인(DL)에 연결되는 버퍼(212e)가 다수 개가 구비된다.The
즉, 상기 제 3 트랜지스터(T3)의 게이트 단자는 데이터 제어부(212c)로부터 제 3 제어신호(Q3)가 공급되는 라인에 연결되고 소스 단자는 데이터 제어부(212c)로부터 화소 데이터가 출력되는 라인에 연결되며 드레인 단자는 해당 데이터 라인(DL)에 연결된다.That is, the gate terminal of the third transistor T3 is connected to the line from which the third control signal Q3 is supplied from the
따라서, 상기 제 3 트랜지스터(T3)는 데이터 제어부(212c)로부터의 제 3 제어신호(Q3)에 응답하여 해당 데이터 라인(DL)에 화소 데이터를 공급하게 된다. 여기서, 상기 제 3 제어신호(Q3)는 각 데이터 라인(DL)과 연결되는 제 3 트랜지스터(T3) 모두에 동시에 공급됨으로써, 모든 데이터 라인(DL)에 동시에 화소 데이터를 공급하게 된다.Therefore, the third transistor T3 supplies pixel data to the corresponding data line DL in response to the third control signal Q3 from the
도면에 상세히 도시하지는 않았지만, 제 3 트랜지스터(T3)의 채널 폭(W)은 소스 전극과 드레인 전극이 마주보는 변의 길이며, 채널 길이(L)는 소스 전극과 드레인 전극이 이격된 거리이다.Although not shown in detail in the drawing, the channel width W of the third transistor T3 is the length of the side where the source electrode and the drain electrode face each other, and the channel length L is the distance between the source electrode and the drain electrode.
여기서, 상기 제 3 트랜지스터(T3)의 채널 폭(W)대 채널 길이(L)의 비(W/L)는 제 3 트랜지스터(T3) 자신이 연결된 데이터 라인(DL)의 길이에 비례한다.The ratio W / L of the channel width W to the channel length L of the third transistor T3 is proportional to the length of the data line DL to which the third transistor T3 itself is connected.
즉, 데이터 라인(DL)과 연결된 제 3 트랜지스터(T3)의 채널 폭(W)대 채널 길 이(L)의 비(W/L)는, 제 1 데이터 라인(DL1)부터 제 4 데이터 라인(DL4)과 연결되는 경우에는 제 1 데이터 라인(DL1)에서부터 제 4 데이터 라인(DL4)으로 갈수록 점점 커지고, 다수의 데이터 라인(DL) 중에서 가장 긴 길이를 갖는 제 5 데이터 라인(DL5)부터 제 (n-4) 데이터 라인(DL(n-4))과 연결되는 경우 가장 크며, 제 (n-3) 데이터 라인(DL(n-3))에서부터 시작하여 제 n 데이터 라인(DLn)과 연결되는 경우에는 제 (n-3) 데이터 라인(DL(n-3))에서부터 시작하여 제 n 데이터 라인(DLn)으로 갈수록 점점 작아진다.That is, the ratio (W / L) of the channel width (W) to the channel length (L) of the third transistor (T3) connected to the data line (DL) is from the first data line (DL1) to the fourth data line ( When connected to the DL4, the first data line DL1 to the fourth data line DL4 becomes larger and larger, and the fifth to fifth data lines DL5 having the longest length among the plurality of data lines DL. n-4) is largest when connected to the data line DL (n-4), and is connected to the nth data line DLn starting from the (n-3) th data line DL (n-3). In this case, starting from the (n-3) th data line DL (n-3), the number decreases gradually toward the nth data line DLn.
이에 따라, 각 데이터 라인(DL)에 연결된 버퍼(212e)의 출력 저항은 데이터 라인(DL)의 길이에 반비례하도록 설정된다.Accordingly, the output resistance of the
즉, 상기에 설명한 바와 같이 다수의 제 3 트랜지스터(T3)의 채널 폭(W)대 채널 길이(L)의 비(W/L)를 자신이 연결된 데이터 라인(DL)의 길이에 비례하도록 형성함으로써, 각 버퍼(212e)의 출력 저항의 크기와 데이터 라인(DL)의 라인 저항의 크기를 더한 값이 동일하도록 설정된다.That is, as described above, the ratio W / L of the channel width W to the channel length L of the plurality of third transistors T3 is proportional to the length of the data line DL to which the third transistor T3 is connected. The sum of the output resistance of each
도 7에는 편의상, 제 1 데이터 라인(DL1)에 형성된 제 2' 보상 커패시터(C2)와 제 n 데이터 라인(DLn)에 형성된 제 2' 보상 커패시터(C2)만을 도시하였다.In FIG. 7, only the second ′ compensation capacitor C2 formed on the first data line DL1 and the second ′ compensation capacitor C2 formed on the nth data line DLn are illustrated in FIG. 7.
도 7을 참조하면, 상기 다수의 데이터 라인(DL)에는 제 1 전원전압(VDD)이 공급되는 라인 혹은 제 2 전원전압(VSS)이 공급되는 라인과 각 데이터 라인(DL)이 오버랩되어 형성된 다수의 제 2' 보상 커패시터(C2)가 마련되며, 이러한 제 2' 보상 커패시터(C2)는 자신이 연결된 데이터 라인(DL)의 길이에 반비례하는 용량을 갖는다.Referring to FIG. 7, a plurality of data lines DL are formed by overlapping a line supplied with a first power supply voltage VDD or a line supplied with a second power supply voltage VSS and each data line DL. The second 'compensation capacitor C2 is provided, and the second' compensation capacitor C2 has a capacity inversely proportional to the length of the data line DL to which it is connected.
즉, 제 1 전원전압(VDD)이 공급되는 라인 혹은 제 2 전원전압(VSS)이 공급되는 라인과 각 데이터 라인(DL) 사이에 형성된 제 2' 보상 커패시터(C2)의 용량은, 제 1 데이터 라인(DL1)부터 제 4 데이터 라인(DL4)과 연결되는 경우에는 제 1 데이터 라인(DL1)에서부터 제 4 데이터 라인(DL4)으로 갈수록 점점 작아지고, 다수의 데이터 라인(DL) 중에서 가장 긴 길이를 갖는 제 5 데이터 라인(DL5)에서부터 제 (n-4) 데이터 라인(DL(n-4))과 연결되는 경우에는 가장 작거나 형성되지 않으며, 제 (n-3) 데이터 라인(DL(n-3))에서부터 제 n 데이터 라인(DLn)과 연결되는 경우에는 제 (n-3) 데이터 라인(DL(n-3))에서부터 제 n 데이터 라인(DLn)으로 갈수록 점점 커지도록 형성된다.That is, the capacitance of the second 'compensation capacitor C2 formed between the line to which the first power supply voltage VDD is supplied or the line to which the second power supply voltage VSS is supplied and each data line DL is the first data. When connected from the line DL1 to the fourth data line DL4, the first data line DL1 is gradually smaller from the fourth data line DL4, and has the longest length among the plurality of data lines DL. When the fifth data line DL5 is connected to the (n-4) th data line DL (n-4), it is the smallest or not formed, and the (n-3) th data line DL (n− 3)) from the (n-3) th data line DL (n-3) to the nth data line DLn.
이에 따라, 제 1 데이터 라인(DL1)에서부터 제 n 데이터 라인(DLn)에 형성되는 기생 커패시터가 동일하게 설정된다.Accordingly, parasitic capacitors formed from the first data line DL1 to the nth data line DLn are set in the same manner.
즉, 상기에 설명한 바와 같이 각 데이터 라인(DL)의 길이에 반비례하는 용량을 가지는 다수의 제 2' 보상 커패시터(C2)를 형성함으로써, 각 데이터 라인(DL)에 형성되는 기생 커패시터의 용량을 동일하도록 설정할 수 있다.That is, as described above, by forming a plurality of second 'compensation capacitors C2 having capacitances inversely proportional to the lengths of the data lines DL, the capacitances of the parasitic capacitors formed in each data line DL are the same. Can be set to
도 1은 일반적인 액정표시장치를 도시한 블록도.1 is a block diagram showing a general liquid crystal display device.
도 2는 도 1의 액정표시장치를 도시한 평면도.FIG. 2 is a plan view illustrating the liquid crystal display of FIG. 1. FIG.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 평면도.3 is a plan view showing a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention;
도 4a는 도 3의 I-I'을 따라 절단한 면을 도시한 단면도이며, 도 4b는 도 3의 II-II'을 따라 절단한 면을 도시한 단면도.4A is a cross-sectional view illustrating a plane taken along line II ′ of FIG. 3, and FIG. 4B is a cross-sectional view illustrating a plane taken along line II-II ′ of FIG. 3.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 도면으로서, 게이트 드라이버와 제 1' 보상 커패시터를 도시한 평면도.FIG. 5 is a diagram illustrating a liquid crystal display according to a second exemplary embodiment of the present invention, and illustrates a plan view of a gate driver and a first ′ compensation capacitor. FIG.
도 6은 도 4의 제 1 트랜지스터를 도시한 평면도.FIG. 6 is a plan view illustrating the first transistor of FIG. 4. FIG.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 도면으로서, 데이터 드라이버와 제 2' 보상 커패시터를 도시한 평면도.FIG. 7 is a view showing a liquid crystal display according to a second embodiment of the present invention, showing a data driver and a second 'compensation capacitor. FIG.
**도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명**DESCRIPTION OF REFERENCE NUMERALS
GL(GL1~GLn) : 게이트 라인 DL(DL1~DLn) : 데이터 라인GL (GL1 ~ GLn): Gate Line DL (DL1 ~ DLn): Data Line
105 : 공통전압 라인105: common voltage line
106 : 제 1 보상 커패시터 107 : 제 2 보상 커패시터106: first compensation capacitor 107: second compensation capacitor
108 : 제 1 보상 저항 109 : 제 2 보상 저항108: first compensation resistor 109: second compensation resistor
111, 211 : 게이트 드라이버 211, 212 : 데이터 드라이버111, 211:
211c : 게이트 제어부 211d : 버퍼부 211e : 버퍼211c:
212c : 데이터 제어부 212d : 버퍼부 212e : 버퍼212c:
T1, T2, T3 : 제 1, 제 2, 제 3 트랜지스터T1, T2, T3: first, second, third transistor
C1 : 제 1' 보상 커패시터 C2 : 제 2' 보상 커패시터C1: first 'compensation capacitor C2: second' compensation capacitor
Claims (10)
Priority Applications (1)
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