KR101170192B1 - 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드의 원-포트 제조방법 - Google Patents
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Abstract
출발물질로서 4-히드록시코우마린, 및 용매로서 물과 1,2-디클로로에탄을 사용하는 것을 포함하고, 중간체를 고체형태로 단리함 없이 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄 아세트산를 제조하는 방법; 및 4-히드록시코우마린이 히드록실아민과 물에서 반응하는 것을 포함하는 1,2-벤즈이속사졸-3-아세트산을 생산하기 위한 공업적으로 우수한 방법.
1,2-벤즈이속사졸-3-아세트산, 4-히드록시코우마린, 항간질제.
Description
본 발명은 항간질제로 유용한 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드를 4-히드록시코우마린을 출발물질로 하여 중간체를 고체형태로 단리함 없이 제조하는 방법에 관한 것이다.
특허문헌 1은 1,2-벤즈이속사졸-3-아세트산을 출발물질로 하여 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드를 제조하는 방법을 개시한다. 이 방법에서, 중간체인 소듐 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술포네이트는 수층으로부터 고체 형태로 단리되고, 반응 혼합물로부터 불용성 물질을 제거하는 과정이 존재한다. 고체 형태로 단리된 소듐 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술포네이트의 반응을 포함하는 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드의 제조방법은 특허문헌 2, 특허문헌 3 및 비-특허문헌 1에 개시되어 있다. 비-특허문헌 2, 비-특허문헌 3, 비-특허문헌 4, 비-특허문헌 5, 특허문헌 4 및 특허문헌 5는 4-히드록시코우마린 또는 그것의 유도체로부터 1,2-벤즈이속사졸-3-아세트산 또는 그것의 유도체의 제조방법을 개시한다. 그러나, 이들 문헌은 용매로서 오직 물만을 사용하는 반응 또는 킬레이트화제의 첨가를 포함하는 반응을 개시하지 않는다. 특허문헌 6과 특허문헌 7은 1,2-벤즈이속사졸-3-아세트산으로부터 소 듐 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술포네이트의 제조방법을 개시한다. 특허문헌 8은 소듐 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술포네이트로부터 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술포닐 클로라이드의 제조방법, 그리고 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술포닐 클로라이드로부터 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드의 제조방법을 개시한다. 비-특허문헌 6에서, 중간체로서 1,2-벤즈이속사졸-3-아세트산, 소듐 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술포네이트 및 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술포닐 클로라이드를 통해 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드를 제조하는 공업적 방법이 출발 화합물로서 4-히드록시코우마린을 사용하여 개시된다. 그러나, 이들 문헌은 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드를 4-히드록시코우마린 또는 1,2-벤즈이속사졸-3-아세트산을 출발물질로 하여 중간체를 고체형태로 단리함 없이 제조하는 원-포트 방법을 개시하지 않는다.
특허문헌 1: JP-A-53-77057
특허문헌 2: USP 4,172,896
특허문헌 3: JP-A-54-163823
특허문헌 4: US 2002/0183525 A1
특허문헌 5: US 2004/0049053 A1
특허문헌 6: US 2003/0114682 A1
특허문헌 7: US 2003/0144527 A1
특허문헌 8: US 2004/0014983 A1
비-특허문헌 1: UNO et al., J. Med. Chem., 22, 180 (1979)
비-특허문헌 2: A. Mustafa et al., Tetrahedron, 19, 1831 (1963)
비-특허문헌 3: G. Casini, et al., J. Heterocycl. Chem., 6, 279 (1969)
비-특허문헌 4: M. Giannella, et al., Phytochemistry, 10, 539 (1971)
비-특허문헌 5: P. Thourel, et al., J. Labell. Compd. Radiopharm., 25, 1235 (1988)
비-특허문헌 6: Shimizu, et al., Yakugaku-Zasshi, vol. 116, p.533-547 (1996).
본 발명자들은 경제성이 뛰어나고 효율적으로 조작가능하고, 공업적으로 우수한 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드의 제조방법을 연구한 결과, 용매로서 1,2-디클로로에탄을 사용했을 때, 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄 아세트산을 출발물질로하여 각 단계에서 중간체(예를 들면, 소듐 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술포네이트 등)를 고체형태로 단리함 없이 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드를 원-포트 시스템으로 제조할 수 있고, 용매로서 물과 1,2-디클로로에탄을 사용했을 때, 4-히드록시코우마린을 출발물질로 하여 각 단계에서 중간체를 고체형태로 단리함 없이 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드를 제조할 수 있다는 것을 발견하였고, 본 발명을 완성하였다. 더우기, 본 발명자들은 또한 본 발명의 첫 단계인 1,2-벤즈이속사졸-3-아세트산의 제조방법을 연구한 결과, 용매로서 오직 물만을 사용하여 4-히드록시코우마린과 히드록실아민을 반응시킴으로써, 원하는 1,2-벤즈이속사졸-3-아세트산을 높은 수득률로 얻을 수 있고, 킬레이트화제의 존재하에 반응이 실시될 때, 다른 경우라면 뜻밖에 일어날 수 있는 히드록실아민의 신속한 분해가 억제될 수 있고, 이것은 반응 온도를 쉽게 조절할 수 있게 하여 본 방법을 더욱 바람직하게 만든다는 것을 발견하였다.
본 발명은 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드의 제조방법을 제공하고, 상기 방법은:
(a) 물 중에서 4-히드록시코우마린, 히드록실아민 또는 그것의 산부가염, 및 염기를 반응시켜 제1 혼합물을 생성하고;
(b) 제1 혼합물을 산으로 산성화하고, 여기에 1,2-디클로로에탄을 첨가하여 제2 혼합물을 생성하고, 그리고 제2 혼합물로부터 수층을 제거하여 1,2-벤즈이속사졸-3-아세트산과 1,2-디클로로에탄을 함유하는 제3 혼합물을 생성하고;
(c) 증류에 의해 제3 혼합물로부터 물을 제거하여 제4 혼합물을 생성하고, 제4 혼합물에 클로로술폰산을 첨가하고 혼합물을 반응시켜 제5 혼합물을 생성하고, 제5 혼합물에 염기를 첨가하여 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰산의 알칼리금속염을 함유하는 제6 혼합물을 생성하고;
(d) 제6 혼합물에 염화포스포릴(또한 포스포로스 옥시클로라이드로 알려져 있음)을 첨가하고, 그리고 혼합물을 반응시켜 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술포닐 클로라이드를 함유하는 제7 혼합물을 생성하고;
(e) 제7 혼합물에 암모니아를 첨가하고 혼합물을 반응시켜 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드를 함유하는 제8 혼합물을 생성하고; 그리고
(f) 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드를 단리하는 것을 포함한다.
단계(a)에서 반응은 제1 혼합물을 생성하기 위해 킬레이트화제의 존재하에 수행되는 것이 바람직하다.
바람직하기는 제1 혼합물은 단계(b)에서 제1 혼합물을 산성화하기 전에 1,2-디클로로에탄으로 세척한다.
본 발명은 또한 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드를 제조하기 위한 원-포트 공정을 제공할 수 있고, 상기 방법은
(ⅰ) 1,2-디클로로에탄 중에서, 1,2-벤즈이속사졸-3-아세트산과 클로로술폰산을 반응시켜 제1 혼합물을 생성하고, 그리고 여기에 염기를 첨가하여 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰산의 알칼리금속염을 함유하는 제2 혼합물을 생성하고;
(ⅱ) 염화포스포릴을 제2 혼합물에 첨가하고, 그리고 혼합물을 반응시켜 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술포닐 클로라이드를 함유하는 제3 혼합물을 생성하고;
(ⅲ) 제3 혼합물에 암모니아를 첨가하고 혼합물을 반응시켜 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드를 함유하는 제4 혼합물을 생성하고; 그리고
(ⅳ)1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드를 단리하는 것을 포함하고, 여기서 (ⅰ)~(ⅲ)의 모두는 중간체를 고체형태로 단리함 없이 단일 반응기에서 실시된다.
더우기, 본 발명은 1,2-벤즈이속사졸-3-아세트산의 제조방법으로, 물 중에서 4-히드록시코우마린, 히드록실아민 또는 그것의 산부가염, 및 염기를 반응시키고 그리고 생성된 혼합물을 산으로 산성화하는 것을 포함하는 방법을 제공한다.
1,2-벤즈이속사졸-3-아세트산을 제조하는 방법에서, 4-히드록시코우마린, 히드록실아민 또는 그것의 산부가염과 염기의 반응은 바람직하기는 킬레이트화제의 존재하에 실시된다.
바람직한 구현예에서, 상기의 1,2-벤즈이속사졸-3-아세트산의 제조방법은 추가로 4-히드록시코우마린, 히드록실아민 또는 그것의 산부가염과 염기의 혼합물을, 그들을 산으로 산성화하기 전에, 1,2-디클로로에탄으로 세척하는 것을 포함한다.
추가의 바람직한 구현예에서, 상기의 1,2-벤즈이속사졸-3-아세트산의 제조방법은 물 중에서 4-히드록시코우마린, 히드록실아민 또는 그것의 산부가염과 염기를 킬레이트화제의 존재하에 반응시키고 그리고 생성된 혼합물을 산으로 산성화하기 전에, 1,2-디클로로에탄으로 세척하는 것을 포함한다.
본 발명의 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드의 제조방법은 중간체를 고체형태로 단리함 없이 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드를 제조하는 방법이고, 더욱 상세히는 출발물질로서 4-히드록시코우마린, 및 용매로서 물과 1,2-디클로로에탄을 사용하는 것을 포함하고, 중간체를 고체형태로 단리함 없이 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드를 제조하는 방법이다. 이에 더하여, 본 발명의 방법은 단일 반응기(원-포트)에서 실시될 수 있다. 그러나, 상기 (b)에서, 수층은 두개의 층, 즉 수층 및 1,2-디클로로에탄층으로 이루어진 제2 혼합물로부터 제거된다. 배치법에 의한 이와 같은 액체-액체추출에서, 아래층은 일반적으로 또 다른 용기로 옮겨진다. 그러므로, 복수개의 용기, 바람직하기는 2개의 용기를 사용하는 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드의 제조방법은 역시 본 발명의 범위 내이다.
"4-히드록시코우마린"은 시판되거나 또는 통상의 방법 또는 그것의 변형된 방법으로 제조될 수 있다.
"히드록실아민"은 시판되는 히드록실아민 수용액일 수 있지만, 더욱 바람직하기는 반응기에서 히드록실아민의 산부가염과 염기의 반응에 의해 제조된다.
"염기"는, 예를 들면, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨 등을 포함한다. 이들 중에서, 수산화나트륨과 수산화칼륨이 바람직하고, 수산화나트륨이 가장 바람직하다. 일반적으로, 이들 염기는 수용액의 형태로 사용된다.
"히드록실아민의 산부가염"의 예는 히드록실아민 하이드로클로라이드, 히드록실아민 설페이트, 히드록실아민 니트레이트, 히드록실아민 포스페이트 등이고, 이들 중에서 히드록실아민 설페이트가 바람직하다.
"킬레이트화제"는 예를 들면, 에틸렌디아민테트라아세트산, 에틸렌디아민테트라아세트산의 알칼리금속염, 에틸렌디아민테트라아세트산의 암모늄염, 히드록시에틸에틸렌디아민트리아세트산의 알칼리금속염, 디히드록시에틸에틸렌디아민디아세트산의 알칼리금속염, 1,3-프로판디아민테트라아세트산, 디에틸렌트리아민펜타아세트산, 디에틸렌트리아민펜타아세트산의 알칼리금속염, 트리에틸렌테트라민헥사아세트산의 알칼리금속염, 히드록시에틸이미노디아세트산의 알칼리금속염, 및 그들의 수화물을 포함한다. 바람직한 킬레이트화제는 에틸렌디아민테트라아세트산, 에틸렌디아민테트라아세트산의 나트륨염, 에틸렌디아민테트라아세트산의 칼륨염, 에틸렌디아민테트라아세트산의 암모늄염, 및 그들의 수화물이다. 이들 중에서, 에틸렌디아민테트라아세트산의 나트륨염과 그들의 수화물이 가장 바람직하다.
반응 혼합물이 다수의 금속이온(예를 들면, 철이온)을 함유하는 경우, 히드록실아민이 빠르게 분해할 가능성이 있고, 반응 혼합물은 킬레이트화제의 첨가에 의해 쉽게 조절될 수 있다. 본 발명의 반응온도는 보통 60℃~100℃의 범위, 바람직하기는 80℃~90℃의 범위, 더욱 바람직하기는 84℃~86℃의 범위이다.
"산"의 예는 염산, 황산, 아세트산 등이고, 이들 중에서 염산 또는 황산이 바람직하고, 황산이 가장 바람직하다.
물은 단계 (b)에서 1,2-벤즈이속사졸-3-아세트산과 1,2-디클로로에탄의 제3 혼합물에 함유되어 있으므로, 물은 클로로술폰산과 반응하기 전에 이 혼합물로부터 증류로 제거된다.
1,2-벤즈이속사졸-3-아세트산과 클로로술폰산과의 반응은 디옥산의 존재하에 또는 없이 진행될 수 있다. 그들의 반응온도는 보통 60℃~80℃의 범위이다.
"1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰산의 알칼리금속염"은 바람직하기는 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰산 나트륨염이다.
1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰산의 알칼리금속염의 제조에서, 염기의 수용액이 보통 사용되고, 그러므로, 물은 이후의 염화포스포릴과의 반응 전에 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰산의 알칼리 금속염을 함유하는 혼합물로부터 증류에 의해 제거된다.
1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰산의 알칼리금속염과 염화포스포릴의 반응에서, 트리에틸아민과 같은 3차 아민을 반응 혼합물에 첨가하는 것이 바람직하다. 반응온도는 일반적으로 75℃~85℃의 범위이다.
"암모니아"는 바람직하기는 암모니아가스이고, 반응 온도는 바람직하기는 30℃~60℃의 범위이다.
단계 (f)에서 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드의 단리단계는 반응 혼합물을 농축하고, 여기에 물을 첨가하고, 혼합물을 교반시키고, 여과하여 결정을 수집하는 것으로 실시된다. 물과 1,2-디클로로에탄의 혼합 용매로부터 단리된 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드의 결정은 순도가 높다.
단계 (f)에서 분리된 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드는 순도를 높이기 위해 재결정에 의해 추가로 정제된다. 재결정을 위한 용매는 예를 들면, 수성 에탄올, 수성 이소프로판올 등을 포함하고, 이들 중에서 수성 이소프로판올이 바람직하고, 45~55 부피%의 양으로 물을 함유하는 이소프로판올이 더욱 바람직하다. 재결정단계에서 1,2-디클로로에탄의 공비등 증류를 추가로 실시함에 의해, 잔류 1,2-디클로로에탄을 5ppm 이하로 함유하는 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드의 결정이 얻어진다.
본 발명의 방법에 따르면, 원하는 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드는 중간체를 고체 형태로 단리함 없이 원-포트 시스템에서 제조할 수 있고, 더우기 그 안에 남아있는 잔류 용매 1,2-디클로로에탄의 농도는 5ppm 이하로 억제될 수 있고, 따라서, 의약으로서 유용한 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드는 상당히 높은 순도로 효과적으로 제조될 수 있다.
본 발명은 하기 실시예에 의해 더욱 상세히 설명될 수 있지만, 본 발명을 그것으로 제한하는 것은 아니다. 생성물의 순도는 고성능 액체 크로마토그래피로 측정되었다.
실시예
1
1) 히드록실아민 설페이트(43g), 물(113㎖) 및 25% 수산화나트륨 수용액(57㎖)의 혼합물을 교반하고, 여기에 4-히드록시코우마린(21g)과 에틸렌디아민 테트라아세트산 디소듐 디하이드레이트(0.4g)를 첨가하고, 이 혼합물을 84℃~86℃으로 가열하면서 4시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 냉각시키고, 여기에 1,2-디클로로에탄(30㎖)과 물(43㎖)을 첨가하고, 혼합물을 교반하였다. 1,2-디클로에탄층을 제거하고, 수층의 pH를 62.5% 황산으로 pH 1~2로 조절하였다. 혼합물을 1,2-디클로로에탄으로 2회(120㎖ 및 10㎖) 추출하여 1,2-벤즈이속사졸-3-아세트산과 1,2-디클로로에탄의 혼합물을 얻었다. 이 혼합물 중의 1,2-벤즈이속사졸-3-아세트산의 순도는 98%이다.
2) 상기 1,2-벤즈이속사졸-3-아세트산과 1,2-디클로로에탄의 혼합물로부터 물을 증류를 통해 제거하고, 여기에 내부 온도를 63℃~79℃로 유지하면서 클로로술폰산(15.5g)을 적가하였다. 첨가 후, 반응 온도를 63℃~79℃로 유지하면서, 혼합물을 90분 동안 교반하였다. 냉각시킨 후, 25% 수산화나트륨 수용액을 반응 혼합물에 첨가하여 혼합물의 pH를 pH 11 이상으로 조절하였다. 반응 혼합물로부터 증류에 의해 물을 제거하여 소듐 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술포네이트와 1,2-디클로로에탄의 혼합물을 얻었다. 이 혼합물에 트리에틸아민(2.4g) 및 염화포스포릴(17.5g)을 첨가하고, 이 혼합물을 77℃~83℃의 온도에서 6시간 동안 교반하였다. 냉각 후, 반응 혼합물에 1,2-디클로로에탄(80㎖)을 첨가하고, 반응 온도를 30℃~60℃로 유지하면서 포화될 때까지 혼합물에 암모니아 가스를 불어넣었다. 반응 혼합물을 농축시키고, 여기에 물을 첨가하였다. 혼합물을 교반시키고, 침전된 결정을 여과하여 수집 하고, 물로 세척하여 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드의 조결정을 얻었다. 조결정이 순도는 96%이다.
3)상기 조 결정을 50% 수성 이소프로판올로 재결정하고, 80℃에서 16시간 동안 건조시켜 순도가 99%인 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드의 결정을 얻었다.
실시예
2
히드록실아민 설페이트(344.0g), 물 (904㎖) 및 25% 수산화나트륨 수용액(456㎖)의 혼합물을 교반하고, 여기에 4-히드록시코우마린(168.0g)과 에틸렌디아민 테트라아세트산 디소듐 디하이드레이트(3.2g)를 첨가하고, 혼합물을 84℃~86℃로 가열하면서 4시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 냉각시키고, 여기에 1,2-디클로로에탄(240㎖)을 첨가하였다. 혼합물을 교반하고, 수층을 수집하였다. 수층의 pH를 25% 황산으로 pH 1~2로 조절하고, 침전된 결정을 여과로 수집하고, 물로 세척하고, 60℃에서 15시간 동안 공기로 건조시켜 1,2-벤즈이속사졸-3-아세트산 (170.4g)을 얻었다.
상기로부터, 본 발명은 출발화합물로서 1,2-벤즈이속사졸-3-아세트산과 용매로서 1,2-디클로로에탄, 또는 출발화합물로서 4-하이드로코우마린과 물, 그리고 용매로서 1,2-디클로로에탄을 사용하여 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드를 제조하는 방법을 제공하고, 이 방법으로 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드는 중간체를 고체형태로 단리함 없이 원-포트 시스템으로 효과적으로 제조될 수 있다. 더우기, 본 발명은 또한 공업적으로 우수한 1,2-벤즈이속사졸-3-아세트산의 제조방법을 제 공하고, 이 방법은 물 중에서 4-히드록시코우마린과 히드록실아민을 킬레이트화제의 존재하에 반응시키는 것을 포함한다.
Claims (8)
1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드의 제조방법으로,
(a) 물 중에서 4-히드록시코우마린, 히드록실아민 또는 그것의 산부가염, 및 염기를 반응시켜 제1 혼합물을 생성하고;
(b) 제1 혼합물을 산성화하고, 여기에 1,2-디클로로에탄을 첨가하여 제2 혼합물을 생성하고, 그리고 제2 혼합물로부터 수층을 제거하여 1,2-벤즈이속사졸-3-아세트산과 1,2-디클로로에탄을 함유하는 제3 혼합물을 생성하고;
(c) 증류에 의해 제3 혼합물로부터 물을 제거하여 제4 혼합물을 생성하고, 제4 혼합물에 클로로술폰산을 첨가하고 혼합물을 반응시켜 제5 혼합물을 생성하고, 제5 혼합물에 염기를 첨가하여 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰산의 알칼리금속염을 함유하는 제6 혼합물을 생성하고;
(d) 제6 혼합물에 염화포스포릴을 첨가하고, 그리고 혼합물을 반응시켜 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술포닐 클로라이드를 함유하는 제7 혼합물을 생성하고;
(e) 제7 혼합물에 암모니아를 첨가하고 혼합물을 반응시켜 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드를 생성하고; 그리고
(f) 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드를 단리하는 것을 포함하고,
여기서 단계 (a) 내지 (d) 모두는 중간체를 고체형태로 단리함 없이 실시되는 것인 제조방법.
제1항에 있어서, 단계 (a)에서 반응은 킬레이트화제의 존재하에 수행되어 제 1 혼합물을 생성하는 것인 제조방법.
제2항에 있어서, 추가로, 단계(b)에서 제1 혼합물을 산성화하기 전에, 제1 혼합물을 1,2-디클로로에탄으로 세척하는 것을 포함하는 것인 제조방법.
1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드의 원-포트 제조방법으로,
(ⅰ) 1,2-디클로로에탄 중에서 1,2-벤즈이속사졸-3-아세트산과 클로로술폰산을 반응시켜 제1 혼합물을 생성하고, 그리고 여기에 염기를 첨가하여 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰산의 알칼리금속염을 함유하는 제2 혼합물을 생성하고;
(ⅱ) 염화포스포릴을 제2 혼합물에 첨가하고, 그리고 혼합물을 반응시켜 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술포닐 클로라이드를 함유하는 제3 혼합물을 생성하고;
(ⅲ) 제3 혼합물에 암모니아를 첨가하고 혼합물을 반응시켜 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드를 생성하고; 그리고
(ⅳ) 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술폰아미드를 단리하는 것을 포함하고, 여기서 단계 (ⅰ)~(ⅲ)의 모두는 중간체를 고체 형태로 단리함 없이 단일 반응기에서 실시되는 것인 제조방법.
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제4항에 있어서, 염기가 수산화나트륨이고, 1,2-벤즈이속사졸-3-메틸술폰산의 알칼리금속염은 1,2-벤즈이속사졸-3-메탄술포네이트이고, 그리고 암모니아는 암모니아 가스인 것인 제조방법.
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