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KR101116951B1 - Led package - Google Patents

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KR101116951B1
KR101116951B1 KR1020110024729A KR20110024729A KR101116951B1 KR 101116951 B1 KR101116951 B1 KR 101116951B1 KR 1020110024729 A KR1020110024729 A KR 1020110024729A KR 20110024729 A KR20110024729 A KR 20110024729A KR 101116951 B1 KR101116951 B1 KR 101116951B1
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KR
South Korea
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lead frame
led
led chip
lead
led package
Prior art date
Application number
KR1020110024729A
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Korean (ko)
Inventor
김태현
Original Assignee
희성전자 주식회사
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Publication date
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Abstract

PURPOSE: An LED package improving radiation property and luminance property are provided to prevent the deterioration of LED package reliability due to discoloration by discharging heat from an LED outside through a lead frame. CONSTITUTION: A lead frame(100) comprises a pair of lead electrodes(100a,100b). A first receiving part(110) and a second receiving part(120) of a cup shape are formed in the lead frame. A mold frame(200) receives the lead frame. An LED chip(300) is mounted in the first receiving part of the lead frame. A protective element(500) is mounted in the second receiving part of the lead frame. A molding unit is filled inside the mold frame in order to seal hermetically the LED chip and protective element.

Description

발광다이오드 패키지{LED package}Light Emitting Diode Package {LED package}

본 발명은 발광다이오드 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 방열 특성과 휘도 특성을 개선하여 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 구조의 발광다이오드 패키지에 관한 것이다.
The present invention relates to a light emitting diode package, and more particularly to a light emitting diode package having a structure capable of improving the reliability of the device by improving the heat dissipation characteristics and luminance characteristics.

발광다이오드(Light Emitting Diode, 이하 'LED'라 한다)는 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaInP 등의 화합물 반도체를 이용하여 발광원을 구성함으로써, 다양한 색상의 빛을 구현할 수 있는 반도체 소자를 말한다.A light emitting diode (hereinafter referred to as an LED) refers to a semiconductor device capable of realizing various colors of light by using a compound semiconductor such as GaAs, AlGaAs, GaN, or InGaInP.

일반적으로 LED의 광 특성을 결정하는 기준으로 색(color), 휘도 및 지향각 등이 있다. 이러한 LED의 광 특성은 1차적으로 LED 칩에 사용되는 화합물 반도체의 재료에 의하여 결정되고, 2차적으로 LED 칩을 실장하기 위한 패키지의 구조에 의해서도 큰 영향을 받는다. 이에 따라, 최근 사용자 요구에 따른 고 휘도의 LED 패키지를 얻기 위하여, 화합물 반도체의 재료 개발 등에 의한 1차적인 요소만으로 한계가 있어, 패키지 구조 등에 큰 관심을 갖게 되었다. 특히, LED 패키지 구조에 의한 2차적인 요소는 휘도 및 광 지향각의 특성에 큰 영향을 미친다.In general, the criteria for determining the optical characteristics of LEDs include color, brightness, and directivity. The optical characteristics of such LEDs are determined primarily by the material of the compound semiconductor used in the LED chip, and are also greatly influenced by the structure of the package for mounting the LED chip. Accordingly, in order to obtain a high-brightness LED package according to a recent user's demand, there is a limit only as a primary element due to the development of a material of a compound semiconductor. In particular, the secondary factors due to the LED package structure have a great influence on the characteristics of the brightness and the light directing angle.

종래의 기술에 따른 LED 패키지는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 리드 프레임(10), 일 측으로 개구부가 형성된 격벽 형상으로 리드 프레임(10)을 수용하는 몰드 프레임(20), 몰드 프레임(20) 내부에서 리드 프레임(10) 상에 실장되는 LED 칩(30), 형광체가 혼합되어 몰드 프레임(20) 내부에서 리드 프레임(10)과 LED 칩(30)을 밀봉하는 몰딩부(40)를 포함한다. 특히, LED 칩(30)이 실장되는 리드 프레임(10) 상에는 수용부(11)가 형성된다. 수용부(11)는 하측으로 함몰된 컵 형상을 이루며, 수용부(11)의 측면(12)은 경사를 이룬다. 상기와 같은 구조에서는 LED 칩에서 수평 방향으로 방출되는 빛은 수용부(11)의 경사 측면(12)에 반사되어 상측으로 유도됨으로써, 몰딩부(40)에서의 광 손실을 최소화하여 휘도를 증가시킬 수 있다. 즉, 종래의 기술에 따른 LED 패키지에서는 컵 형상의 수용부 구조를 통하여 휘도의 증가를 도모한다.1 and 2, the LED package according to the related art includes a pair of lead frames 10, a mold frame 20 accommodating the lead frames 10 in a partition shape having openings formed at one side thereof, The molding part for sealing the lead frame 10 and the LED chip 30 in the mold frame 20 by mixing the LED chip 30 mounted on the lead frame 10 and the phosphor inside the mold frame 20 ( 40). In particular, the accommodating part 11 is formed on the lead frame 10 on which the LED chip 30 is mounted. The accommodating part 11 has a cup shape recessed downward, and the side surface 12 of the accommodating part 11 is inclined. In the above structure, the light emitted in the horizontal direction from the LED chip is reflected on the inclined side 12 of the receiving portion 11 and guided upward, thereby minimizing the light loss in the molding portion 40 to increase the brightness. Can be. That is, in the LED package according to the prior art, the brightness is increased through the cup-shaped receiving portion structure.

한편, LED 칩(30)은 정전기 또는 역 전압에 취약하다. 이러한 LED 칩(30)의 취약성을 보완하기 위하여, LED 패키지에는 역방향으로 전류가 흐를 수 있는 정전압 다이오드가 더 실장된다. 즉, 도시된 바와 같이, LED 칩(30)이 실장되지 않은 리드 프레임(10) 상에는 제너 다이오드(zener diode, 50)가 추가로 실장될 수 있다. 제너 다이오드(50)를 LED 칩(30)과 병렬로 연결함으로써, 정전기 등에 의하여 역방향 전류가 인가되는 경우 전류가 제너 다이오드(50)를 통하여 바이-패스(by-pass)되어 정전기에 의한 LED 칩(30)의 손상을 방지할 수 있다.On the other hand, the LED chip 30 is vulnerable to static electricity or reverse voltage. In order to compensate for the weakness of the LED chip 30, the LED package is further mounted with a constant voltage diode that can flow in the reverse direction. That is, as illustrated, a zener diode 50 may be additionally mounted on the lead frame 10 on which the LED chip 30 is not mounted. By connecting the Zener diode 50 in parallel with the LED chip 30, when a reverse current is applied by static electricity or the like, the current is bypassed through the Zener diode 50 so that the LED chip by static electricity ( 30) damage can be prevented.

그러나, 종래의 기술에 따른 LED 패키지에서와 같이, 평판형(Flat type)의 리드 프레임(10) 상에 제너 다이오드가 실장되는 구조에서는, LED 칩(30)에서 출사되는 빛이 제너 다이오드(50)에 흡수되어 광 손실이 발생할 수 있다. 또한, LED 칩(30)에서 출사되는 빛은 제너 다이오드(50)에 의해 산란 및 굴절되어 빛의 지향각에 제약을 받게 된다. 즉, 제너 다이오드(50)는 정전기 등으로부터 LED 칩(30)을 보호하지만, 이로 인하여 휘도나 지향각과 같은 광 특성을 저하시키는 문제점이 있다. However, in the structure in which the Zener diode is mounted on the flat lead frame 10 as in the LED package according to the related art, the light emitted from the LED chip 30 is transmitted to the Zener diode 50. Can be absorbed and cause light loss. In addition, the light emitted from the LED chip 30 is scattered and refracted by the zener diode 50 to be constrained by the direction of light. That is, the zener diode 50 protects the LED chip 30 from static electricity, but there is a problem of lowering optical characteristics such as brightness and directivity.

또한, 종래의 기술에 따른 LED 패키지에서는 리드 프레임(10)이 몰드 프레임(20)에 의하여 밀봉되는 구조로써, LED 칩(30)에서 발생하는 열을 외부로 효율적으로 방출하지 못하게 된다. LED 칩(30)에서 발생하는 열은 몰딩부(40)의 열화와 변색을 초래하고, 이는 결국 LED 패키지의 휘도와 수명과 같은 신뢰성을 저하시키는 문제점을 가져온다.
In addition, in the LED package according to the related art, the lead frame 10 is sealed by the mold frame 20, and thus, heat generated from the LED chip 30 may not be efficiently emitted to the outside. Heat generated in the LED chip 30 causes deterioration and discoloration of the molding part 40, which in turn lowers reliability, such as brightness and lifetime of the LED package.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, LED 칩에서 출사되는 빛의 손실을 최소화하여 휘도를 향상시킬 수 있는 구조의 LED 패키지를 제공한다.The present invention has been proposed to solve the above problems, and provides an LED package having a structure that can improve the brightness by minimizing the loss of light emitted from the LED chip.

본 발명의 다른 목적은 LED 칩에서 발생하는 열을 외부로 효율적으로 방출하여, 신뢰성을 향상시킬 수 있는 구조의 LED 패키지를 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide an LED package having a structure that can efficiently discharge heat generated from the LED chip to the outside, thereby improving reliability.

또한, 본 발명은 한 쌍의 LED 칩을 병렬 또는 직렬 구조로 선택적으로 연결할 수 있는 구조의 LED패키지를 제공한다.
In addition, the present invention provides an LED package of a structure that can selectively connect a pair of LED chips in a parallel or series structure.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 LED 패키지는, 한 쌍의 리드 전극을 구비하고, 어느 일 측의 상기 리드 전극에는 컵 형상으로 함몰된 제1수용부 및 제2수용부가 형성되는 리드 프레임; 일 측이 개방되고, 상기 리드 프레임을 수용하는 몰드 프레임; 상기 리드 프레임의 제1수용부에 실장되는 LED 칩; 상기 리드 프레임의 제2수용부에 실장되는 보호 소자; 상기 LED 칩 및 보호 소자를 밀봉하도록 상기 몰드 프레임 내부에 충진되는 몰딩부;를 포함한다.LED package of the present invention for achieving the above object, a lead frame having a pair of lead electrodes, the lead electrode of any one side is formed with a first receiving portion and a second receiving portion recessed in a cup shape ; A mold frame having one side open and accommodating the lead frame; An LED chip mounted on the first accommodating part of the lead frame; A protection element mounted on a second accommodation portion of the lead frame; And a molding part filled in the mold frame to seal the LED chip and the protection element.

여기서, 상기 제1수용부는, 한 쌍의 상기 리드 전극에 각각 형성되고, 각 리드 전극의 제1수용부에 LED 칩이 실장된다.Here, the first accommodating portion is formed in each of the pair of lead electrodes, and an LED chip is mounted on the first accommodating portion of each lead electrode.

또한, 상기 리드 프레임은, 보조 전극을 더 포함하여, 한 쌍의 상기 LED를 직렬 또는 병력로 연결 가능하도록 한다.In addition, the lead frame further includes an auxiliary electrode, so that the pair of the LED can be connected in series or history.

또한, 상기 리드 프레임에는, 저면이 상기 몰드 프레임의 저면 외부로 노출되는 방열부가 형성되어, LED 칩에서 발생하는 열을 외부로 방출시킬 수 있도록 한다.
In addition, the lead frame, the bottom surface is formed with a heat dissipation portion exposed to the outside of the bottom of the mold frame, it is possible to discharge the heat generated from the LED chip to the outside.

상기와 같은 구성의 본 발명은, LED 칩에서 출사되는 빛이 보호 소자에 의하여 손실되거나 광 특성이 저하되는 것을 방지하여, LED 패키지의 휘도를 향상시킬 수 있다.According to the present invention having the above configuration, the light emitted from the LED chip can be prevented from being lost by the protection element or the optical characteristics are deteriorated, thereby improving the brightness of the LED package.

또한, LED 칩에서 발생되는 열을 리드 프레임을 통하여 외부로 방출함으로써, 열화와 변색에 의한 LED 패키지의 신뢰성 저하를 방지할 수 있다.In addition, by dissipating heat generated from the LED chip to the outside through the lead frame, it is possible to prevent the degradation of the reliability of the LED package due to degradation and discoloration.

또한, 리드 프레임에는 보조 전극이 더 구비되어, 한 쌍의 LED 칩을 직렬 또는 병렬로 선택적으로 연결할 수 있다.
In addition, the lead frame may further include an auxiliary electrode to selectively connect a pair of LED chips in series or in parallel.

도 1은 종래의 기술에 따른 LED 패키지를 나타낸 평면도,
도 2는 도 1의 LED 패키지를 나타낸 종단면도,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지를 나타낸 평면도,
도 4는 도 3의 LED 패키지를 나타낸 종단면도,
도 5는 도 3의 LED 패키지를 나타낸 저면도,
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 패키지를 나타낸 평면도,
도 7은 도 6의 LED 패키지에서의 LED 칩의 연결 상태를 나타낸 회로도,
도 8은 도 6의 LED 패키지의 다른 예를 나타낸 평면도,
도 9은 도 8의 LED 패키지에서의 LED 칩의 연결 상태를 나타낸 회로도이다.
1 is a plan view showing an LED package according to the prior art,
2 is a longitudinal sectional view showing the LED package of FIG.
3 is a plan view showing an LED package according to an embodiment of the present invention,
4 is a longitudinal sectional view showing the LED package of FIG.
5 is a bottom view illustrating the LED package of FIG. 3;
6 is a plan view showing an LED package according to another embodiment of the present invention,
FIG. 7 is a circuit diagram illustrating a connection state of an LED chip in the LED package of FIG. 6. FIG.
8 is a plan view showing another example of the LED package of FIG.
FIG. 9 is a circuit diagram illustrating a connection state of an LED chip in the LED package of FIG. 8.

본 발명과 본 발명의 실시에 의해 달성되는 기술적 과제는 다음에서 설명하는 바람직한 실시예들에 의해 명확해질 것이다. 이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 살펴보기로 한다.
The technical problem achieved by the present invention and the practice of the present invention will be apparent from the preferred embodiments described below. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지를 나타낸 평면도, 종단면도 및 저면도이다. 이들 도면에서 볼 수 있는 바와 같이, 본 발명의 LED 패키지는, 한 쌍의 리드 프레임(100), 리드 프레임(100)을 수용하는 몰드 프레임(200), 리드 프레임(100) 상에 안착되는 LED 칩(300)과 제너 다이오드(500), LED 칩(300)과 제너 다이오드(500)를 밀봉하는 몰딩부(400)를 포함한다.3 to 5 are a plan view, a longitudinal cross-sectional view and a bottom view showing an LED package according to an embodiment of the present invention. As can be seen in these figures, the LED package of the present invention, the lead frame 100, the mold frame 200 to accommodate the lead frame 100, the LED chip seated on the lead frame 100 And a molding part 400 for sealing the 300 and the zener diode 500, the LED chip 300, and the zener diode 500.

구체적으로 살펴보면, 리드 프레임(100)은 LED 칩(300)에 전원을 인가하기 위한 전극으로, 양극과 음극의 도전성 리드 전극(100a,100b)으로 구성된다. 몰드 프레임(200)은 LED 패키지의 몸체를 구성하며, 리드 프레임(100)을 수용하여 외부로부터 절연시키는 플라스틱 재질의 사출물로 이루어진다. 몰드 프레임(200)은 각 리드 전극(100a,100b)을 전기적으로 분리시키며, 각 리드 전극(100a,100b)의 단부는 전원 연결을 위하여 몰드 프레임(200)의 외부로 돌출된다. 몰드 프레임(200)의 내부에는 LED 칩(300)을 수용할 수 있도록 사각의 격벽 형상을 이루며, 일 측에는 빛이 출사되기 위한 개구부가 형성된다. LED 칩(300)은 LED 패키지의 광원으로, 몰드 프레임(200) 내부에서 리드 프레임(100) 상에 실장된다. 제너 다이오드(500)는 정전기 또는 역 전압으로부터 LED 칩(300)을 보호하기 위하여, LED 칩(300)과 병렬 연결되면서 리드 프레임(100) 상에 실장된다. 정전기 또는 역 전압으로부터 LED 칩(300)을 보호하기 위하여 다양한 종류의 보호 소자가 이용될 수 있으며, 제너 다이오드 외에 바리스터 등이 이용될 수도 있다. 몰딩부(400)는 LED 칩(300)과 제너 다이오드(500)를 보호하기 위한 구성으로, 형광체가 혼합된 몰딩재가 몰드 프레임(200) 내부를 밀봉하여 형성된다.Specifically, the lead frame 100 is an electrode for applying power to the LED chip 300, and is composed of the conductive lead electrodes 100a and 100b of the anode and the cathode. The mold frame 200 constitutes a body of the LED package, and is made of an injection molded material made of plastic to receive and insulate the lead frame 100 from the outside. The mold frame 200 electrically separates the lead electrodes 100a and 100b, and ends of the lead electrodes 100a and 100b protrude to the outside of the mold frame 200 for power connection. The inside of the mold frame 200 forms a rectangular partition wall shape so as to accommodate the LED chip 300, and one side is formed with an opening for emitting light. The LED chip 300 is a light source of the LED package and is mounted on the lead frame 100 inside the mold frame 200. The Zener diode 500 is mounted on the lead frame 100 while being connected in parallel with the LED chip 300 to protect the LED chip 300 from static electricity or reverse voltage. Various types of protection elements may be used to protect the LED chip 300 from static electricity or reverse voltage, and a varistor may be used in addition to the zener diode. The molding part 400 is configured to protect the LED chip 300 and the zener diode 500, and a molding material in which phosphors are mixed is formed by sealing the inside of the mold frame 200.

본 발명은 특히, 한 쌍의 리드 프레임(100) 상에 LED 칩(300)이 각각 실장되어 두 개의 LED 칩(300)에서 출사되는 빛에 의하여 높은 휘도를 발하는 LED 패키지를 구현한다. 또한, 리드 프레임(100)에는 컵 형상으로 함몰되어 반사 벽면을 형성하는 제1수용부(110)가 형성되고, 제1수용부(110) 내부에 LED 칩(300)이 각각 실장된다. LED 칩(300)에서 수평 방향으로 출사되는 빛은 제1수용부(110)의 벽면(111)에 반사되어 상측으로 진행 방향이 전환됨으로써, 빛의 누설을 최소화하여 휘도 향상을 도모한다. In particular, the LED chip 300 is mounted on the pair of lead frames 100 to implement an LED package that emits high brightness by light emitted from the two LED chips 300. In addition, the lead frame 100 is formed with a first accommodating part 110 recessed in a cup shape to form a reflective wall surface, and the LED chip 300 is mounted in the first accommodating part 110, respectively. The light emitted from the LED chip 300 in the horizontal direction is reflected by the wall surface 111 of the first accommodating part 110 and the traveling direction is changed upward, thereby minimizing the leakage of light and improving brightness.

또한, 일 측의 리드 프레임(100)에는 제너 다이오드(500)가 실장되는데, 리드 프레임(100)에는 제너 다이오드(500)가 실장되기 위하여 하측으로 함몰되는 제2수용부(120)가 형성된다. 제2수용부(120)는 제1수용부(110)와는 달리 제너 다이오드(500)를 LED 칩(300)에서 출사되는 빛으로부터 회피시키기 위한 것으로, 벽면(121)이 수직 형상을 이룬다. 또한, 제2수용부(120)의 깊이는 제너 다이오드(500)가 리드 프레임(100) 표면으로 돌출되지 않도록, 적어도 제너 다이오드(500)의 두께 이상으로 형성되는 것이 바람직하다.In addition, a zener diode 500 is mounted on one side of the lead frame 100, and a second accommodating part 120 recessed downward in order to mount the zener diode 500 is formed on the lead frame 100. Unlike the first accommodating part 110, the second accommodating part 120 is to avoid the zener diode 500 from the light emitted from the LED chip 300, and the wall surface 121 forms a vertical shape. In addition, the depth of the second accommodating part 120 is preferably formed to be greater than or equal to the thickness of the zener diode 500 so that the zener diode 500 does not protrude to the surface of the lead frame 100.

상기와 같이, 광원인 LED 칩(300)은 벽면이 경사를 이루는 제1수용부(110)에 실장됨으로써, 측면으로 출사되는 광 손실을 최소화한다. 또한, 제너 다이오드(500)는 제2수용부(120) 내부에 인입되어 실장됨으로써, LED 칩(300)에서 출사되는 빛에 영향을 미치지 않게 된다. 즉, 본 발명의 LED 패키지는, 리드 프레임(100)에 형성되는 제1수용부(110) 및 제2수용부(120)의 구조에 의하여, 휘도와 지향각과 같은 광 특성에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 본 발명의 실시에 있어서, 두 개의 LED 칩이 실장되는 LED 패키지의 구성을 예로 들었으나, 하나의 LED 칩만이 실장될 수도 있다. As described above, the LED chip 300, which is a light source, is mounted on the first accommodating part 110 having the inclined wall, thereby minimizing light loss emitted to the side surface. In addition, the zener diode 500 is inserted into and mounted in the second accommodating part 120, thereby not affecting the light emitted from the LED chip 300. That is, the LED package of the present invention, by the structure of the first accommodating portion 110 and the second accommodating portion 120 formed in the lead frame 100, it is possible to improve the reliability of optical characteristics such as brightness and directivity angle. Can be. In the practice of the present invention, the configuration of an LED package in which two LED chips are mounted is taken as an example, but only one LED chip may be mounted.

한편, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 몰드 프레임(200)에 수용되는 리드 프레임(100)의 일부는 몰드 프레임(200)의 저면으로 노출된다. 즉, 리드 프레임(100)에는 제1수용부(110)의 저면이 몰드 프레임(200)의 저면 외부로 노출되는 방열부(130)가 마련된다. LED 칩(300)은 구동시 많은 열이 발생하게 되므로, 발생된 열은 방열부(130)를 통하여 외부의 공기 중으로 방출될 수 있다. 즉, 본 발명의 LED 패키지는, 리드 프레임(100)에 형성되는 방열부(Heat slug, 130) 구조에 의하여, LED 칩(300)에서 발생하는 열에 의한 열화와 휘도 저하 현상을 방지할 수 있다.Meanwhile, as shown in FIGS. 4 and 5, a part of the lead frame 100 accommodated in the mold frame 200 is exposed to the bottom surface of the mold frame 200. That is, the lead frame 100 is provided with a heat dissipation unit 130 in which the bottom of the first accommodating part 110 is exposed to the outside of the bottom of the mold frame 200. Since the LED chip 300 generates a lot of heat while driving, the generated heat may be emitted to the outside air through the heat dissipation unit 130. That is, the LED package of the present invention can prevent deterioration due to heat generated in the LED chip 300 and a decrease in luminance due to the heat slug 130 structure formed in the lead frame 100.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 패키지를 나타낸 평면도이고, 도 7은 도 6의 LED 패키지에서의 LED 칩의 연결 상태를 나타낸 회로도이며, 도 8은 도 6의 LED 패키지의 다른 예를 나타낸 평면도이고, 도 9은 도 8의 LED 패키지에서의 LED 칩의 연결 상태를 나타낸 회로도이다. 도 6 및 도 8에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 패키지에는, 리드 프레임(100)에 보조 전극(100c)이 더 구비된다.6 is a plan view showing an LED package according to another embodiment of the present invention, Figure 7 is a circuit diagram showing the connection state of the LED chip in the LED package of Figure 6, Figure 8 is another example of the LED package of Figure 6 9 is a schematic plan view, and FIG. 9 is a circuit diagram illustrating a connection state of an LED chip in the LED package of FIG. 8. As can be seen in Figures 6 and 8, the LED package according to another embodiment of the present invention, the lead frame 100 is further provided with an auxiliary electrode (100c).

보조 전극(100c)은 양극과 음극의 리드 전극(100a,100b)과 전기적으로 절연되며, 단부가 몰드 프레임(200)의 외부로 돌출되도록 수용된다. 보조 전극(100c)에 의하여 한 쌍의 LED 칩(300)은 직렬 연결이 가능하다. LED 칩(300)은 와이어 본딩에 의하여 리드 프레임(100)과 전기적으로 연결되는데, 이때 연결되는 전극을 달리함으로써, LED 칩(300)은 직렬 또는 병렬로 구성될 수 있다. 도면을 살펴보면, 도 6과 같이 한 쌍의 리드 전극(100a,100b)만을 사용하여 와이어 본딩하는 경우 LED 칩(300)은 병렬로 연결된다. 이 경우, 도 7과 같이, 두 개의 LED 칩(300)과 하나의 제너 다이오드(500)가 병렬 연결되는 구성으로 나타낼 수 있다. 한편, 도 8과 같이, 보조 전극(100c)을 이용하여 와이어 본딩하는 경우, 두 개의 LED 칩(300)은 보조 전극(100c)을 중간 매개로 직렬로 연결된다. 이 경우, 도 9와 같이, 두 개의 LED 칩(300)은 직렬 연결되고, 제너 다이오드(500)는 직렬 연결된 두 개의 LED 칩(300)에 대하여 병렬로 연결되는 구성으로 나타낼 수 있다. 즉, 본 발명에서는 보조 전극(100c)에 의하여 LED 칩(300)의 실장시 직렬 또는 병렬로 선택적으로 연결할 수 있다.
The auxiliary electrode 100c is electrically insulated from the lead electrodes 100a and 100b of the anode and the cathode, and is accommodated such that an end thereof protrudes out of the mold frame 200. The pair of LED chips 300 may be connected in series by the auxiliary electrode 100c. The LED chip 300 is electrically connected to the lead frame 100 by wire bonding. In this case, the LED chips 300 may be configured in series or in parallel by different electrodes. Referring to the drawings, as shown in FIG. 6, when wire bonding using only a pair of lead electrodes 100a and 100b, the LED chips 300 are connected in parallel. In this case, as shown in FIG. 7, two LED chips 300 and one zener diode 500 may be connected in parallel. Meanwhile, as shown in FIG. 8, when wire bonding using the auxiliary electrode 100c, the two LED chips 300 are connected in series with the auxiliary electrode 100c as an intermediate medium. In this case, as shown in FIG. 9, the two LED chips 300 may be connected in series and the zener diode 500 may be connected in parallel to the two LED chips 300 connected in series. That is, in the present invention, the auxiliary electrode 100c may be selectively connected in series or in parallel when the LED chip 300 is mounted.

이상에서 본 발명에 있어서 실시예를 참고로 설명되었으나, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.
Although the embodiments of the present invention have been described with reference to the present invention, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom.

100 : 리드 프레임 100a,100b : 리드 전극
100c : 보조 전극 110 : 제1수용부
120 : 제2수용부 130 : 방열부
200 : 몰드 프레임 300 : LED 칩
400 : 몰딩부 500 : 제너 다이오드
100: lead frame 100a, 100b: lead electrode
100c: auxiliary electrode 110: first accommodating part
120: second accommodating part 130: heat dissipation part
200: mold frame 300: LED chip
400: molding part 500: zener diode

Claims (4)

한 쌍의 리드 전극을 구비하고, 어느 일 측의 상기 리드 전극에는 컵 형상으로 함몰된 제1수용부 및 제2수용부가 형성되는 리드 프레임;
일 측이 개방되고, 상기 리드 프레임을 수용하는 몰드 프레임;
상기 리드 프레임의 제1수용부에 실장되는 LED 칩;
상기 리드 프레임의 제2수용부에 실장되는 보호 소자;
상기 LED 칩 및 보호 소자를 밀봉하도록 상기 몰드 프레임 내부에 충진되는 몰딩부;를 포함하는 LED 패키지
A lead frame having a pair of lead electrodes, wherein the lead electrode on either side is formed with a first accommodating portion and a second accommodating portion recessed in a cup shape;
A mold frame having one side open and accommodating the lead frame;
An LED chip mounted on the first accommodating part of the lead frame;
A protection element mounted on a second accommodation portion of the lead frame;
And a molding part filled in the mold frame to seal the LED chip and the protection element.
제1항에 있어서, 상기 제1수용부는,
한 쌍의 상기 리드 전극에 각각 형성되고, 각 리드 전극의 제1수용부에 상기 LED 칩이 실장되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
The method of claim 1, wherein the first accommodating part,
The LED package is formed on a pair of said lead electrode, respectively, The said LED chip is mounted in the 1st accommodating part of each lead electrode.
제2항에 있어서, 상기 리드 프레임은,
보조 전극을 더 포함하여, 한 쌍의 상기 LED를 직렬 또는 병렬로 연결 가능하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
The method of claim 2, wherein the lead frame,
Further comprising an auxiliary electrode, LED package, characterized in that configured to be able to connect a pair of the LED in series or in parallel.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 리드 프레임은,
상기 리드 전극 저면이 상기 몰드 프레임의 저면 외부로 노출되어 방열부를 형성하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
The lead frame according to any one of claims 1 to 3, wherein
The lead package bottom surface is exposed to the outside of the bottom of the mold frame to form a heat dissipation LED package.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2750212A1 (en) * 2012-12-29 2014-07-02 Nichia Corporation Light emitting device package, light emitting device using that package, and illumination device using the light emitting devices
EP2819192A1 (en) * 2013-06-28 2014-12-31 Nichia Corporation Package for light emitting apparatus and light emitting apparatus including the same
US9281460B2 (en) 2012-10-31 2016-03-08 Nichia Corporation Light emitting device package and light emitting device having lead-frames
KR101936289B1 (en) * 2012-07-17 2019-01-08 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device
JP2022513728A (en) * 2018-12-05 2022-02-09 ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー Carrier-based module for lighting module
JP2022058187A (en) * 2020-09-30 2022-04-11 日亜化学工業株式会社 Light-emitting apparatus

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100632002B1 (en) 2005-08-02 2006-10-09 삼성전기주식회사 Side-view light emitting diode having protective element
KR100870950B1 (en) 2007-11-19 2008-12-01 일진반도체 주식회사 Light emitting diode device and manufacturing method thereof

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100632002B1 (en) 2005-08-02 2006-10-09 삼성전기주식회사 Side-view light emitting diode having protective element
KR100870950B1 (en) 2007-11-19 2008-12-01 일진반도체 주식회사 Light emitting diode device and manufacturing method thereof

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101936289B1 (en) * 2012-07-17 2019-01-08 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device
US9281460B2 (en) 2012-10-31 2016-03-08 Nichia Corporation Light emitting device package and light emitting device having lead-frames
USRE47504E1 (en) 2012-12-29 2019-07-09 Nichia Corporation Light emitting device package, light emitting device using that package, and illumination device using the light emitting devices
KR20140088021A (en) * 2012-12-29 2014-07-09 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 Light emitting device package, light emitting device using that package, and illumination device using the light emitting devices
US9257417B2 (en) 2012-12-29 2016-02-09 Nichia Corporation Light emitting device package, light emitting device using that package, and illumination device using the light emitting devices
CN103915542A (en) * 2012-12-29 2014-07-09 日亚化学工业株式会社 Light emitting device package, light emitting device using that package, and illumination device using the light emitting devices
KR102109651B1 (en) * 2012-12-29 2020-05-12 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 Light emitting device package, light emitting device using that package, and illumination device using the light emitting devices
EP2750212A1 (en) * 2012-12-29 2014-07-02 Nichia Corporation Light emitting device package, light emitting device using that package, and illumination device using the light emitting devices
US9406856B2 (en) 2013-06-28 2016-08-02 Nichia Corporation Package for light emitting apparatus and light emitting apparatus including the same
US9991432B2 (en) 2013-06-28 2018-06-05 Nichia Corporation Light emitting apparatus
CN104253203B (en) * 2013-06-28 2018-03-06 日亚化学工业株式会社 Package for light-emitting apparatus and the light-emitting device for having used it
US10305011B2 (en) 2013-06-28 2019-05-28 Nichia Corporation Light emitting apparatus
US9647190B2 (en) 2013-06-28 2017-05-09 Nichia Corporation Package for light emitting apparatus and light emitting apparatus including the same
EP2819192A1 (en) * 2013-06-28 2014-12-31 Nichia Corporation Package for light emitting apparatus and light emitting apparatus including the same
JP2022513728A (en) * 2018-12-05 2022-02-09 ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー Carrier-based module for lighting module
JP2022058187A (en) * 2020-09-30 2022-04-11 日亜化学工業株式会社 Light-emitting apparatus
JP7269510B2 (en) 2020-09-30 2023-05-09 日亜化学工業株式会社 light emitting device

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