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KR101074106B1 - 포토마스크의 디자인방법 및 포토마스크를 사용하여 반도체장치를 제조하는 방법 - Google Patents

포토마스크의 디자인방법 및 포토마스크를 사용하여 반도체장치를 제조하는 방법 Download PDF

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KR101074106B1
KR101074106B1 KR1020090017506A KR20090017506A KR101074106B1 KR 101074106 B1 KR101074106 B1 KR 101074106B1 KR 1020090017506 A KR1020090017506 A KR 1020090017506A KR 20090017506 A KR20090017506 A KR 20090017506A KR 101074106 B1 KR101074106 B1 KR 101074106B1
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KR
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유키야 가와카미
Original Assignee
르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
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Abstract

포토마스크를 디자인하는 방법에 있어서, 현상시뮬레이션의 타겟으로서 그래픽패턴이 복수의 직교좌표시스템들에 각각 할당되고 서로 직교하지 않는 복수의 서브그래픽패턴들로 분할된다. 모델베이스OPC(optical proximity correction)는 서브그래픽패턴에 할당된 직교좌표시스템의 좌표축에 평행한 방향으로 서브그래픽패턴의 변들을 이동함으로써 복수의 서브그래픽패턴들의 각각에 대해 실행된다.
경사패턴, 포토마스크, 광근접보정

Description

포토마스크의 디자인방법 및 포토마스크를 사용하여 반도체장치를 제조하는 방법{Designing method of photo-mask and method of manufacturing semiconductor device using the photo-mask}
본 발명은 반도체장치의 제조시 광근접보정(optical proximity correction; OPC)에 관한 것이다.
최근 반도체제조기술의 진보는 50㎚ 이하의 최소제작크기를 가진 반도체가 제조되게 하였다. 이러한 소형화는 마스크처리기술, 포토리소그래피기술, 및 에칭기술과 같은 미세한 패터닝기술에서의 진전으로 가능하게 되었다. 노광장치가 i라인이나 g라인을 사용하고 패턴크기가 광원의 파장 보다 충분히 큰 경우, 원 LSI패턴에 거의 충실한 패턴이 마스크 상에 직접 전사됨으로써, 웨이퍼 상에 형성될 수 있고, LSI패턴은 전자빔리소그래피의 사용에 의해 웨이퍼 상에 형성될 수 있고, 또한, 투사광시스템에 의해 웨이퍼 상에 마스크패턴을 전사하고 웨이퍼를 에칭한다.
그러나, 패턴최소화에 따라, 각 공정에서 패턴을 충실하게 전사/형성하는 것은 어렵다. 따라서, LSI패턴의 원 CD(critical dimension)가 최종 CD로 재생성될 수 없다는 문제가 생긴다. 특히, 미세한 제조를 위해 가장 중요한 리소그래피 및 에칭처리에 있어서, 소망패턴에 대한 치수의 정확성(CD accuracy)이 형성될 소망패턴의 주위에 배치된 다른 패턴들의 레이아웃에 의해 크게 영향을 받는다.
따라서, 이러한 편차를 억제하기 위해, 편차가 크게 존재하는 마스크패턴의 가장자리 및 모서리 부분에 제조후 치수가 소망값을 얻도록 예비적으로 변형되는데 광근접보정(OPC)기술이 사용된다. 이 기술에 있어서, 현상 후 패턴은 기본적으로 원 패턴의 변들을 분해하고 분해된 변들을 정밀히 이동시켜 원 패턴을 재생성한다. 특히, 일본 특허 제3,343,246호에서, 원 패턴이 분해되고, 2개의 축이 각각 분해된 부분에 삽입되고 양 축사이에서 라인세그먼트(line segment)가 생성된다. 따라서, 분해된 변은 다른 라인세그먼트에 연결되지 않은 라인세그먼트를 생성함 없이 이동된다. 이동량은 룰베이스(rule-based)OPC에서는 룩업테이블이라 불리는 테이블을 기초로 결정되는 반면, 모델베이스(mode-ruled)OPC에서는 현상(또는 광학)시뮬레이션에 기초해, 즉, 시행착오를 기초로 반복적으로 결정된다.
종래 모델베이스OPC에서, 평면상의 모든 패턴들은 수평 및 수직변을 가진 직사각형으로 분해된다. 경사변요소가 없다면, 종래 모델베이스OPC는 잘 적용될 수 있다. 모델베이스OPC에 있어서, 보정을 위해 이동할 수 있는 한 변의 이동방향은 그 변의 라인세그먼트방향에 수직이 되는 것에 의해 특정지어진다. 즉, 보정될 패턴은 x축 및 y축을 가진 직교좌표계에 설정되고, 변의 라인세그먼트가 x축에 평행하다면, 이동방향은 y축에 평행한 반면, 변의 라인세그먼트가 y축에 평행하다면, 이동방향은 x축에 평행하다. 따라서, 패턴이 직교좌표계의 좌표축 중 어느 하나에 평행한 변을 구비한다면, 소망위치와 계산위치 사이에서 변의 시프트양을 선형적으 로 예상하고 보정하기가 쉽다.
특히, MEEF(make error enhancement factor)가 A에 의해 표시되고, y방향에서 라인세그먼트가 x0에 위치되고, 변의 현상위치가 X0로 시프트된다고 생각된다. 원 변이 x0± dx로 위치가 변화되는 경우, 현상위치는 선형예상에 의해 X0 ± dx×A로 예상될 수 있다. 그래픽패턴이 복잡하면, A의 값은 알 수 없다. 그러나, 이 선형성이 사용되면 x1 = x0 + dx0 및 대응하는 현상위치가 X1 = X0 + dx0 × A, A = (X1 - X0)/dx0 = (X1 - X0)/(x1 - x0)로 생각된다. x0 = X0 + dx1 × A를 만나는 dx1은 dx1 = (x0 - X0)× (x1 - x0)/(X1 - X0)라고 추정될 수 있다.
그러나, 경사변을 가진 경사진 그래픽패턴이 존재하는 경우 문제가 생긴다. 생성될 LSI회로레이아웃을 고려하여, 경사변이 종종 최단거리를 이루고 이 경사변이 허용되면, 디자인이 용이하게 된다. 이 경우, 2가지의 문제점이 OPC계산에서 발생한다.
첫 번째 문제는 경사진 그래픽패턴의 경사변의 방향 및 이의 이동방향이 서로 직교하지 않아서 보정량이 서로 달라 선형예상이 어렵다는 것이다. 이런 문제와 관련해, 일본 공개특허공보(JP-P2005-84280A)에 개시된 기술이 룰베이스OPC와 관련되고, 경사진 그래픽패턴 및 수평/수직그래픽패턴이 서로 구별되고 변의 이동량이 각각 그래픽패턴에 대해 변경된다. 이것은 룰베이스OPC가 수정없이 모델베이스OPC로 교체더라도, 보정량은 경사진 그래픽패턴 및 수평/수직그래픽패턴 사이에서 상이해야 한다는 것을 의미한다. 이런 방법에 있어서, 비정상적인 패턴의 결함은 조건에 따라 마스크 생성시 발생할 수 있다.
또한, 룰베이스OPC의 경사패턴보정에 관한 기술이 일본 공개특허공보(JP-P2001-281836A)에 개시되어 있다. 이 기술에 있어서, 경사진 그래픽패턴은 변들이 수평/수직으로 위치되도록 일단 회전되고 수평/수직그래픽패턴의 보정의 경우시 동일한 룰베이스OPC에 놓이고 다음, 보정된 그래픽패턴이 원 경사변을 가지도록 역으로 회전된다. 그러나, 이것이 시행착오가 반복되어 모델베이스OPC에 적용되면, 회전 및 역회전이 여러번 반복되고, 따라서, 계산에 시간이 소비되게 된다.
두 번째 문제는 경사변이 반드시 수직 또는 수평선과 어디에선가 교차하고, 이러한 선들이 예각부분을 형성한다는 점이다. OPC는 이런 예각부분에는 덜 효과적이어서, 마스크를 생성하기 위한 전자빔리소그래피에서의 처리량이 감소된다.
따라서, 본 발명은 계산이 쉽고 경사패턴이 처리될 수 있는 포토마스크를 디자인하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일면에 있어서, 현상시뮬레이션의 타겟을, 복수의 직교좌표시스템에 각각 할당되고 서로 직교하지 않는 복수의 서브그래픽패턴들로 분할하고, 서브그래픽패턴에 할당된 직교좌표시스템의 좌표축에 평행한 방향으로 서브그래픽패턴의 변을 이동함으로써 복수의 서브그래픽패턴들의 각각에 대해 모델베이스OPC(optical proximity correction)를 수행함으로써, 포토마스크를 디자인하는 방법이 이루어진다.
본 발명의 다른 면에 있어서, 포토마스크를 디자인하여 포토마스크데이터를 생성하고, 포토마스크데이터에 기초해 포토마스크를 생성하고, 상기 포토마스크를 사용하여 반도체장치를 제조함으로써, 반도체장치를 제조하는 방법이 이루어진다. 여기서, 상기 디자인하는 단계는 현상시뮬레이션의 타겟으로서 그래픽패턴을, 복수의 직교좌표시스템에 각각 할당되고 서로 직교하지 않는 복수의 서브그래픽패턴들로 분할하고, 서브그래픽패턴에 할당된 직교좌표시스템의 좌표축에 평행한 방향으로 서브그래픽패턴의 변들을 이동함으로써 복수의 서브그래픽패턴들의 각각에 대해 모델베이스OPC(optical proximity correction)를 실행함으로써 이루어진다.
본 발명은 경사진 그래픽패턴을 구비하는 그래픽패턴에 매우 정확한 모델베이스OPC가 적용될 수 있는 포토마스크디자인방법을 제공한다.
본 발명의 상술한, 그리고 다른 목적, 이점 및 특징이 첨부도면과 함께 실시예에 대한 이하의 설명으로부터 보다 명백하게 될 것이다.
이하에서는 첨부도면을 참조로 본 발명이 설명될 것이다. 모든 도면에 있어서, 동일하거나 유사한 구성요소들은 동일하고 유사한 부호가 사용되고 이의 설명은 적절히 생략된다는 점에 유의해야 한다.
다음 설명에서는 컴퓨터에 의해 동작이 실행된다. 컴퓨터는 처리부, 입력유닛, 출력유닛 및 저장유닛(모두 미도시)을 구비한다. 즉, 이하에서 설명될 디자인절차를 설명하는 소프트웨어 및 OPC에 사용되는 디자인데이터는 저장유닛에 저장된다. 처리부는 기록매체로부터 저장유닛에 로드된 소프트웨어를 읽고 실행하고, 다음 절차에 따라 출력유닛에 디자인데이터에 관한 OPC의 결과를 출력한다.
(제1실시예)
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 마스크디자인흐름을 설명하는 다이아그램이다. 특히, 도 1은 패턴디자인의 준비로부터 OPC패턴출력까지 처리단계를 나타낸다. 도 2는 제1실시예에서 마스크디자인방법을 보여주는 다이아그램이다.
우선, 회로디자인 후, 패턴디자인이 시작된다(단계 S1). 원 패턴이 단일층에 배치되고 부분그래픽패턴들(1-1, 1-2)을 가진다고 가정한다. 이 층에는 제1의 2차원직교좌표시스템(x, y)이 제공된다. 다음으로, 부분그래픽패턴들(1-1, 1-2) 중 각 변들의 방향이 x축(y축에 수직) 또는 y축(x축에 수직)에 평행한 부분그래픽패턴(1-1)이 추출된 후, 이 그래픽패턴(1-1)은 제1의 직교좌표시스템과 동일한 직교좌표시스템으로 할당된 제1서브층(2-1)으로 이동되고, 부분그래픽패턴(1-1)의 라인세그먼트의 외부선이 폐쇄되었는지 여부가 체크된다.
이어서, (제1의 직교좌표시스템의 좌표축에 경사진) 부분그래픽패턴(1-2)의 경사변의 경사라인들이 원 층의 원 패턴(1)에서 결정되고 각 경사라인의 방향과 경사라인의 방향에 직교하는 방향의 좌표(u1, v1)가 고려된다. 부분그래픽패턴(1-2)의 각 변들은 u1축(v1에 수직)이나 u1축(v1축에 수직)에 평행하고, 부분그래픽패턴(1-2)은 제2서브층(2-2)으로 이동된다. 이 동작은 모든 경사변들에 대해 반복된다. 원 패턴(1)은 직교좌표시스템에 관한 부분그래픽패턴들로 분할된다. n은 직교좌표시스템에 주어진 수를 나타내는 정수이다. 각 부분그래픽패턴들의 각 변은 un축(vn축에 직교) 또는 vn축(un축에 직교)에 평행하고 부분그래픽패턴은 (n-1)째 서브층으로 이동된다. 이런 방법으로, 원 패턴(서브그래픽패턴, 1)의 부분그래픽패턴들(1-1, 1-2)이 복수의 직교좌표시스템들에 할당된다(단계 S2). 그 결과, 복수의 부분그래픽패턴들의 각각은 단지 변들만으로 형성되고, 이들의 각각은 서브그래픽패턴이 속한 서브층에 제공된 직교좌표시스템의 좌표축에 평행하거나 직교한다.
복수의 직교좌표시스템에서 각각의 부분그래픽패턴들은 부분그래픽패턴들에 대한 직교좌표시스템들이 각각 얻어지는 것으로부터 공통의 출처를 가지고, 따라서, 이들 모두는 합성시 정확히 중첩될 수 있다. 상기 설명에서, 부분그래픽패턴은 원 층으로부터 낮은 레벨의 서브층까지 이동된다. 그러나, 부분그래픽패턴이 원 층 으로부터 동일한 레벨의 층까지 이동되더라도, 동일하다.
이어서, OPC를 실행하기 위해, 현상시뮬레이션이 실행되는 작은 영역((x, y)좌표)이 OPC를 실행하기 위한 준비를 시작하도록 결정된다(단계 S3). 작은 영역의 크기는 영역 등으로 불리고 디자인룰에 따른다. 예를 들어, 90㎚룰에 따르면, 이는 약 25㎚의 변을 가진 사각패턴의 영역이다.
여기서, 직교좌표시스템들의 각각에서 각 변이 분해된다. 직교좌표시스템들의 각각은 서브층(또는 복수의 직교좌표시스템들의 각각에 대응하는 층)에 할당되고, 따라서, 제1좌표시스템((x,y)좌표계)에서 결정된 작은 영역에 중첩된 패턴은 주된 층이 분해된 변들(4-1, 4-2)을 얻기 위해 변을 분할하도록 설정된다(단계 S4).
현상시뮬레이션에 의해, 현상된 패턴은 첫 번째 내지 (n-1)번째 서브층(또는 복수의 직교좌표시스템들에 대응하는 층들)이 중첩되는 상태로 형성된다(단계 S5).
보정을 위해 이동될 라인세그먼트가 내부 또는 다른 직교좌표시스템에 속하는 외부의 부분그래픽패턴인지 또는 부분적으로 중첩되는지가 프로그램에 기초해 결정된다. 라인세그먼트가 부분적으로 중첩되는 경우, 계산처리를 실행하는데 시간이 걸리기는 하지만 라인세그먼트가 얼마나 많이 중첩되는지도 결정될 수 있다. 따라서, 작은 영역에서 이동할 수 있는 변이 다음의 룰에 따라 특정된다(단계 S6).
룰(1) : 변이 다른 직교좌표시스템에 속하는 부분그래픽패턴 내부에 있지 않다면, 이동할 수 있게 만들어진다.
룰(2) : 변이 다른 직교좌표시스템에 속하는 그래픽패턴 내부에 완전히 있다 면, 이동불가능하게 만들어진다.
다음의 룰(3)-1 및 (3)-2를 고려해, 이들 중 어느 하나는 배타적으로 적용된다.
룰(3)-1 : 이 변이 다른 직교좌표시스템에 속하는 그래픽패턴 내부에 부분적으로 있는 경우, 이동가능한 패턴 또는 이동불가능한 패턴 중 어느 하나에 고정된다(프로세스 1).
룰(3)-2 : 이 변이 다른 직교좌표시스템에 속하는 그래픽패턴 내부에 부분적으로 있는 경우, 이 변의 대응하는 적용범위비율이 계산되고, 이 비율의 값이 기설정된 문턱값에 비교되어 이 변이 이동가능한지 이동불가능한지를 결정한다(프로세스 2).
현상시뮬레이션에 의해 얻은 패턴과 기설정된 이상적인 패턴(일반적으로, 원 패턴) 사이의 차이는 각 변들의 시프트량으로 얻어지고 이상적인 패턴의 위치에서 시프트된 변을 회복하기 위해 필요한 시프트량이 보정량으로 얻어진다. 이 때, 이 변은 이 변의 길이방향에 직교하는 방향으로 시프트된다. 따라서, 이 변의 시프트방향은 각각의 그래픽패턴들이 속하는 직교좌표시스템에 달려있다. 시프트방향이 결정되고 또한 시프트량이 자동적으로 결정된다(단계 S7).
변들에 대해 계산된 변들의 시프트량들이 모두 허용범위 내에 있는지가 체크된다(단계 S8; N). 우선, 변들의 모든 시프트량들은 거의 허용범위 내에 있지 않을 것이고, 따라서, 변들이 시프트량들을 최소화하도록 연속적으로 이동된다(단계 S9).
이 변은 시프트방향 및 변의 시프트량에 기초해 이동되고, 이는 각 그래픽패턴들에 속하는 직교좌표시스템들의 각각, 즉, 첫 번째 내지 (n-1)번째 서브층들(복수의 직교좌표시스템들에 대응하는 층들)의 각각에 대해, 단계 S7에서 얻어지고, 이에 의해 포스트-시프트분해변들(5-1, 5-2)이 얻어진다(단계 S10). 이 흐름은 단계 S5로 돌아가서 이후 단계 S5 내지 S8이 모든 부분그래픽패턴들에 대해 반복된다.
변들의 모든 계산된 이동량들이 허용범위 내에 있다면(단계 S8 : Y), 흐름은 다음 단계로 진행된다. 루프카운트를 기초로 제한이 제공되는 경우, 흐름은 제한과 만나는 루프에서 나온다.
작은 영역에서 계산을 완성한 후(단계 S11), 복수의 얻은 부분그래픽패턴들이 합성된다. 다음으로, 작은 영역에서, 예각부분이 탐지된다. 합성된 그래픽패턴은 예각부분에 작은 패치를 중첩함으로써 보정된다(단계 S12). 이 패치는 전자빔리소그래피마스크의 생성 또는 테스트시 수율의 감소나 비용의 증가를 야기하지 않는 범위의 높이를 가진다. 이 작은 패치는 외부선을 구비하는 그래픽패턴이고 예각을 가지지 않고 도 2의 예에서 직사각형이다. 예각부분은 현상을 통해 채워지도록 결정되기 때문에 현상 후 패턴에 대한 영향은 예각부분이 패치되더라도 작다. 따라서, 전자빔리소그래피에 의해 마스크의 생성시 및 테스트시에 정확성을 증가시키도록 요구되지 않는다.
이런 방법으로, 작은 영역에서 OPC가 완성된다(단계 S13). 분할된 작은 영역에서 OPC의 완료시, 계산이 완료된다. OPC애플리케이션의 결과인, OPC패턴은 저장 유닛(미도시)에 파일로 출력된다(단계 S14).
제1실시예에 있어서, 필요에 따라 부분그래픽패턴에 할당된 직교좌표시스템 상의 부분그래픽패턴의 끝부분들의 각각에 대해 해머헤드패턴이 선택적으로 추가된다.
포토마스크는 출력된 OPC패턴을 기초로 생성된다. 레지스트필름은 트랜지스터와 같은 소자를 형성하기 위한 기판 상에 코팅되고, 포토마스크를 사용함으로써 노광되어 레지스트패턴을 형성한다. 마스크와 같은 레지스트패턴을 사용함으로써 에칭이 수행된다. 상기 프로세스는 반복되고 소자가 형성된다.
이런 방법으로, 서로에 대해 경사변이 구비되더라도 고정확도로 OPC가 실행될 수 있고, 따라서, 그 디자인에 근사한 반도체장치가 얻어질 수 있다.
(제2실시예)
본 발명의 제2실시예에 따른 마스크생성흐름은 도 1과 공통이다. 따라서, 마스크생성흐름의 설명은 동일하다. 도 3을 참조로, 도 2에서 이와 다른 처리단계들이 설명될 것이다. 디자인시, 제1좌표계(x,y)에서 2개의 경사변을 가진 경사진 그래픽패턴에 대해, 먼저 부분그래픽패턴의 끝부분에서 현상패턴이 나빠지는 것을 방지하기 위해 패턴(해머헤드)이 제공된다. 이 해머헤드패턴은 제1직교좌표시스템(x,y)의 좌표축 중 어느 하나와 평행한 변을 가진다. OPC가 실행된 후, 서브층에 끝부분을 구비하는 부분그래픽패턴이 서브층에 경사진 그래픽패턴을 구비하는 부분그래픽패턴과 합성된다. 따라서, 경사진 패턴의 끝부분의 패턴은 없어지고 전자빔리소그래피마스크의 생성시 리소그래피처리량의 감소를 억제한다. 또한, 경사진 그 래픽패턴이 마스크의 생성시 작은 직사각형패턴으로 분할되고 전자빔리소그래피가 각각의 작은 직사각형패턴들로 실행된다. 따라서, OPC에 의해 보정될 패턴은 x-y좌표시스템의 좌표축 중 어느 하나와 평행한 변을 가진 직사각형으로부터 형성되고 이에 의해 시간을 절약하고 비용을 감소할 수 있다.
(제3실시예)
본 발명의 제3실시예에 따른 마스크생성흐름은 도 1과 공통된다. 따라서, 마스크생성흐름의 설명은 동일하다. 도 4를 참조로 하여, 제3실시예와 유사하게, 먼저 부분그래픽패턴의 끝부분에서 현상패턴이 나빠지는 것을 방지하기 위해 패턴(해머헤드)이 제공된다. 해머헤드패턴은 제1직교좌표시스템(x,y)의 좌표축 중 어느 하나와 평행한 변들로 형성된다.
그러나, 도 4에서, 경사진 직사각형이 수정없이 사용되는 경우 경사진 그래픽패턴의 폭이 넓고 끝부분은 해머헤드패턴으로부터 돌출된다. 종래 경우와 같이, 끝부분이 해머헤드에 수용되도록 경사지게 잘려진다면, 본 발명은 적용될 수 없다.
이런 문제를 방지하게 위해, 큰 폭을 가진 경사진 그래픽패턴은 작은 폭을 가진 복수의 직사각형으로 분할된다. 복수의 직사각형영역들은 끝부분들이 해머헤드패턴으로부터 돌출되지 않도록 그의 끝 부분에서 서로 단차를 가진다. 복수의 직사각형영역들의 외곽선은 경사진 그래픽패턴의 외곽선과 평행하거나 직교한다. 따라서, 이것은 경사진 그래픽패턴에 속하는 n번째 서브층에 제공된 n번째 직교좌표시스템의 좌표축에 평행하거나 직교한다. 복수의 직사각형 영역의 공통변이 이동할 수 없는 것으로 생각된다. 따라서, 경사진 그래픽패턴은 완전히 복수의 직교좌표시 스템들에 할당된다. 이 패턴에 있어서, 원래의 예각부분은 형성되지 않아서, 직사각형패치로 예각부분을 최종적으로 채울 필요가 없고, 따라서, 계산시간은 그 만큼 단축될 수 있다.
본 발명이 몇 개의 실시예들과 결합해 상술되었지만, 이런 실시예들은 본 발명을 설명하기 위해서만 제공된 것이고, 제한된 의미로 첨부된 청구항을 해석하는데 의지해서는 아니된다는 것은 본 기술분야의 숙련자에게는 명백할 것이다.
도 1은 본 발명의 제1, 제2 및 제3에 따른 마스크디자인방법의 흐름을 보여주는 흐름도이다.
도 2는 제1실시예에서의 마스크디자인방법을 보이는 다이아그램이다.
도 3은 제2실시예에서의 마스크디자인방법을 보이는 다이아그램이다.
도 4는 제3실시예에서의 마스크디자인방법을 보이는 다이아그램이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1 : 원패턴 1-1, 1-2 : 부분그래픽패턴
2-1 : 제1서브층 2-2 : 제2서브층

Claims (15)

  1. 포토마스크를 디자인하는 방법에 있어서,
    현상시뮬레이션의 타겟을, 복수의 직교좌표시스템에 각각 할당되고 서로 직교하지 않는 복수의 서브그래픽패턴들로 분할하는 단계; 및
    서브그래픽패턴에 할당된 직교좌표시스템의 좌표축에 평행한 방향으로 서브그래픽패턴의 변을 이동함으로써 복수의 서브그래픽패턴들의 각각에 대해 모델베이스OPC(optical proximity correction)를 수행하는 단계를 포함하는 포토마스크를 디자인하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 분할하는 단계는
    그래픽패턴의 각 변들의 방향을 추출하는 단계; 및
    그래픽패턴을 복수의 서브그래픽패턴들로 분할하는 단계를 포함하고,
    복수의 서브그래픽패턴들의 각각은 할당된 직교좌표시스템의 좌표축에 평행한 변을 가진 포토마스크를 디자인하는 방법.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    모델베이스OPC가 실행된 후 복수의 OPC서브그래픽패턴들을 합성함으로써 얻은 보정후 그래픽패턴의 변들 중 2개의 변 사이에서 예각부분을 탐지하는 단계; 및
    탐지된 예각부분에 대해 패치패턴으로 상기 보정후 그래픽패턴을 수정하는 단계를 더 포함하는 포토마스크를 디자인하는 방법.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    모델베이스OPC가 복수의 서브그래픽패턴들에 대해 실행된 후 복수의 OPC서브그래픽패턴들의 각각의 끝부분 중 적어도 하나에 대해 헤머헤드패턴을 추가하여, 헤머헤드패턴이 서브그래픽패턴에 할당된 직교좌표시스템의 좌표축에 평행한 변들을 가지도록 하는 단계를 더 포함하는 포토마스크를 디자인하는 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    그래픽패턴에 할당된 직교좌표시스템의 좌표축에 경사진 평행한 변들을 가진 하나의 서브그래픽패턴을 복수의 직사각형패턴들의 각각에 대해 OPC가 실행되도록 복수의 직사각형 패턴들로 분할하는 단계를 더 포함하는 포토마스크를 디자인하는 방법.
  6. 반도체장치를 제조하는 방법에 있어서,
    포토마스크를 디자인하여 포토마스크데이터를 생성하는 단계;
    포토마스크데이터에 기초해 포토마스크를 생성하는 단계; 및
    상기 포토마스크를 사용하여 반도체장치를 제조하는 단계를 포함하고,
    상기 디자인하는 단계는
    현상시뮬레이션의 타겟으로서 그래픽패턴을, 복수의 직교좌표시스템에 각각 할당되고 서로 직교하지 않는 복수의 서브그래픽패턴들로 분할하는 단계; 및
    서브그래픽패턴에 할당된 직교좌표시스템의 좌표축에 평행한 방향으로 서브그래픽패턴의 변들을 이동함으로써 복수의 서브그래픽패턴들의 각각에 대해 모델베이스OPC(optical proximity correction)를 실행하는 단계를 포함하는 반도체장치를 제조하는 방법.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 분할하는 단계는
    그래픽패턴의 각 변들의 방향을 추출하는 단계; 및
    그래픽패턴을 복수의 서브그래픽패턴들로 분할하는 단계를 포함하고,
    복수의 서브그래픽패턴들의 각각은 할당된 직교좌표시스템의 좌표축에 평행한 변들을 가진 반도체장치를 제조하는 방법.
  8. 제 6항 또는 제 7항에 있어서, 상기 디자인하는 단계는
    모델베이스OPC가 실행된 후 복수의 OPC서브그래픽패턴들을 합성함으로써 얻은 보정후 그래픽패턴의 변들 중 2개의 변 사이에서 예각부분을 탐지하는 단계; 및
    탐지된 예각부분에 대해 패치패턴으로 상기 보정후 그래픽패턴을 수정하는 단계를 더 포함하는 반도체장치를 제조하는 방법.
  9. 제 6항 또는 제 7항에 있어서, 상기 디자인하는 단계는
    모델베이스OPC가 복수의 서브그래픽패턴들에 대해 실행된 후 복수의 OPC서브그래픽패턴들의 각각의 끝부분 중 적어도 하나에 대해 헤머헤드패턴을 추가하여, 헤머헤드패턴이 서브그래픽패턴에 할당된 직교좌표시스템의 좌표축에 평행한 평행변들을 가지도록 하는 단계를 더 포함하는 반도체장치를 제조하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 디자인하는 단계는
    OPC가 복수의 직사각형 패턴들 각각에 대해 실행되도록 그래픽패턴에 할당된 직교좌표시스템의 좌표축에 경사진 평행변들을 가진 하나의 서브그래픽패턴을 복수의 직사각형패턴들로 분할하는 단계를 더 포함하는 반도체장치를 제조하는 방법.
  11. 포토마스크를 디자인하는 방법을 실현하기 위한 프로그램이 기록된 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 있어서, 컴퓨터에,
    현상시뮬레이션의 타겟으로서 그래픽패턴을, 복수의 직교좌표시스템에 각각 할당되고 서로 직교하지 않는 복수의 서브그래픽패턴들로 분할하는 단계; 및
    서브그래픽패턴에 할당된 직교좌표시스템의 좌표축에 평행한 방향으로 서브그래픽패턴의 변들을 이동함으로써 복수의 서브그래픽패턴들의 각각에 대해 모델베이스OPC(optical proximity correction)를 실행하는 단계;를 실행시키기 위한 프로그램이 기록된 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 분할하는 단계는
    그래픽패턴의 각 변들의 방향을 추출하는 단계; 및
    상기 그래픽패턴을, 각각이 할당된 직교좌표시스템의 좌표축에 평행한 변들을 가지는 복수의 서브그래픽패턴들로 분할하는 단계;를 포함하는, 프로그램이 기록된 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체.
  13. 제 11항 또는 제 12항에 있어서, 컴퓨터에,
    모델베이스OPC가 실행된 후 복수의 OPC서브그래픽패턴들을 합성함으로써 얻은 보정후 그래픽패턴의 변들 중 2개의 변 사이에 예각부분을 탐지하는 단계; 및
    탐지된 예각부분에 대한 패치패턴으로 상기 보정후 그래픽패턴을 수정하는 단계를 더 실행시키기 위한 프로그램이 기록된 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체.
  14. 제 11항 또는 제 12항에 있어서, 컴퓨터에,
    모델베이스OPC가 복수의 서브그래픽패턴들에 대해 실행된 후 복수의 OPC서브그래픽패턴들의 각각의 끝부분 중 적어도 하나에 대해 헤머헤드패턴을 추가하여, 헤머헤드패턴이 서브그래픽패턴에 할당된 직교좌표시스템의 좌표축에 평행한 평행변들을 가지도록 하는 단계를 더 실행시키기 위한 프로그램이 기록된 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체.
  15. 제 14항에 있어서, 컴퓨터에,
    그래픽패턴에 할당된 직교좌표시스템의 좌표축에 경사진 평행한 변들을 가진 하나의 서브그래픽패턴을 OPC가 복수의 직사각형패턴들의 각각에 대해 실행되도록 복수의 직사각형패턴들로 분할하는 단계를 더 실행시키기 위한 프로그램이 기록된 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체.
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