KR101047778B1 - 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛 - Google Patents
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Abstract
실시 예는 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛에 관한 것이다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체 위에 배치된 제1리드 프레임; 상기 제1리드 프레임 위에 배치된 복수의 발광 다이오드; 및 상기 발광 다이오드를 커버하는 수지물을 포함하며, 상기 복수의 발광 다이오드 간의 간격은 250㎛±30㎛의 범위를 포함한다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체 위에 배치된 제1리드 프레임; 상기 제1리드 프레임 위에 배치된 복수의 발광 다이오드; 및 상기 발광 다이오드를 커버하는 수지물을 포함하며, 상기 복수의 발광 다이오드 간의 간격은 250㎛±30㎛의 범위를 포함한다.
Description
실시 예는 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛에 관한 것이다.
발광다이오드(LED: Light Emitting Diode)는 GaAs 계열, AlGaAs 계열, GaN 계열, InGaN 계열 및 InGaAlP 계열 등의 화합물 반도체 재료를 이용하여 빛을 생성하는 광원을 구성할 수 있다.
이러한 발광다이오드는 패키지화되어 다양한 색을 방출하는 발광 소자로 이용되고 있으며, 상기 발광 소자는 칼라를 표시하는 점등 표시기, 문자 표시기 및 영상 표시기, 조명 기기 등의 다양한 분야에 광원으로 사용되고 있다.
실시 예는 하나의 리드 전극 위에 배치된 복수의 발광 다이오드 간의 간격을 최적화시켜 줄 수 있는 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛을 제공한다.
실시 예는 적어도 2개의 발광 다이오드 간의 간격을 최적화시켜 줌으로써, 열 전도 특성이 개선될 수 있는 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛을 제공한다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체 위에 배치된 제1리드 프레임; 상기 제1리드 프레임 위에 배치된 복수의 발광 다이오드; 및 상기 발광 다이오드를 커버하는 수지물을 포함하며, 상기 복수의 발광 다이오드 간의 간격은 250㎛±30㎛의 범위를 포함한다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는, 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체 위에 배치된 제1리드 프레임; 상기 제1리드 프레임 위에 배치된 복수의 발광 다이오드; 및 상기 발광 다이오드를 커버하는 수지물을 포함하며, 상기 복수의 발광 다이오드 간의 간격은 어느 한 발광 다이오드의 가로 및 세로의 길이 중 어느 한 변의 길이보다는 적어도 좁은 간격을 포함한다.
실시 예에 따른 라이트 유닛은, 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체 위에 배치된 제1리드 프레임; 상기 제1리드 프레임 위에 배치된 복수의 발광 다이오드; 및 상기 발광 다이오드를 커버하는 수지물을 포함하며, 상기 복수의 발광 다이오드 간의 간격이 250㎛±30㎛의 범위를 포함하는 발광 소자 패키지; 복수의 발광 소자 패키지가 어레이된 기판; 및 상기 발광 소자 패키지의 광 경로 측에 배치된 광학 부재를 포함한다.
실시 예는 복수의 발광 다이오드를 갖는 패키지에서의 열 방출 특성이 개선될 수 있다.
실시 예는 복수의 발광 다이오드를 갖는 패키지의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 2는 도 1의 평면도이다.
도 3은 도 1의 리드 프레임 상의 발광 다이오드 간의 간격을 나타낸 도면이다.
도 4는 실시 예에 있어서, 하나의 리드 프레임 위에 배치된 3개의 발광 다이오드 간의 간격을 나타낸 도면이다.
도 5는 실시 예에 있어서, 2개의 리드 프레임 위에 3개의 발광 다이오드가 배치된 예를 나타낸 도면이다.
도 6은 제2실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 7 내지 11은 도 1의 발광 소자 패키지에서의 발광 다이오드의 동작에 따른 리드 프레임의 열 분포를 나타낸 도면이다.
도 12는 도 1의 발광 소자 패키지에서의 발광 다이오드 간의 간격과 온도 분포를 나타낸 그래프이다.
도 2는 도 1의 평면도이다.
도 3은 도 1의 리드 프레임 상의 발광 다이오드 간의 간격을 나타낸 도면이다.
도 4는 실시 예에 있어서, 하나의 리드 프레임 위에 배치된 3개의 발광 다이오드 간의 간격을 나타낸 도면이다.
도 5는 실시 예에 있어서, 2개의 리드 프레임 위에 3개의 발광 다이오드가 배치된 예를 나타낸 도면이다.
도 6은 제2실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 7 내지 11은 도 1의 발광 소자 패키지에서의 발광 다이오드의 동작에 따른 리드 프레임의 열 분포를 나타낸 도면이다.
도 12는 도 1의 발광 소자 패키지에서의 발광 다이오드 간의 간격과 온도 분포를 나타낸 그래프이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 구성 요소의 두께는 일 예이며, 각 구성 요소의 위 또는 아래는 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 또한 각 실시 예의 기술적 특징은 각 실시 예로 한정하지 않고 다른 실시 예에 선택적으로 적용될 수 있다.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이며, 도 2는 도 1의 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 소자 패키지(10)는 패키지 몸체(12), 캐비티(14), 복수의 리드 프레임(21,23), 및 복수의 발광 다이오드(31,33)를 포함한다.
상기 패키지 몸체(12)는 실리콘 재료, 세라믹 재료, 수지 재료 중에서 어느 하나로 이루어질 수 있으며, 예컨대, 실리콘(silicon), 실리콘 카바이드(silicon carbide: SiC), 질화 알루미늄(aluminum nitride; AlN), 폴리프탈아마이드(polyphthalamide : PPA), 고분자액정(Liquid Crystal Polymer : LCP) 중 적어도 한 재질로 이루어질 수 있으며, 이에 한정하지는 않는다. 또한 상기 패키지 몸체(12)는 단층 또는 다층 기판의 구조물로 형성되거나, 사출 성형될 수 있으며, 이러한 패키지 몸체의 형상이나 구조물에 대해 한정하지는 않는다.
상기 패키지 몸체(12)는 상부가 개방된 캐비티(14)가 형성된다. 상기 캐비티(14)의 형상은 오목한 컵 형상 또는 소정 곡률을 갖는 오목 튜브 형상으로 형성될 수 있으며, 그 표면 형상은 원형 또는 다각형 등으로 형성될 수 있으며, 이러한 형상은 변경될 수 있다. 상기 캐비티(14)는 상기 패키지 몸체(12)와 별도로 형성되거나 형성되지 않을 수 있다.
상기 캐비티(14)의 둘레는 상기 캐비티(14)의 바닥면에 수직한 축을 기준으로 외측으로 경사지게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 복수의 리드 프레임(21,23)은 상기 캐비티(14) 내에서 서로 이격되며, 상기 패키지 몸체(12)를 통해 외부에 노출될 수 있다.
상기 복수의 리드 프레임(21,23)은 리드 프레임 타입, 금속 박막 타입, PCB의 동박층 타입 등으로 형성될 수 있다. 이하, 설명의 편의를 위해 리드 프레임 타입으로 설명하기로 하며, 그 두께는 0.1mm±0.05mm 범위일 수 있다. 상기 리드 프레임의 두께는 방열 효율과 패키지 형태에 따라 달라질 수 있다.
상기 복수의 발광 다이오드(31,33)는 제1리드 프레임(21)에 접착제로 부착되고, 상기 와이어(37)로 복수의 리드 프레임(21,23)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 발광 다이오드(31,33)는 와이어 본딩, 다이 본딩, 플립 본딩 방식을 선택적으로 이용하여 탑재할 수 있으며, 이러한 본딩 방식에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 다이오드(31,33)는 복수의 리드 프레임(21,23)에 서로 병렬 또는 직렬로 연결될 수 있으며, 이러한 연결 방식은 칩 종류, 리드 프레임의 개수 및 그 배치 형태에 따라 달라질 수 있다. 상기 발광 다이오드(31,33)는 제1리드 프레임(21)에 다이 페이스트(Die paste)로 탑재될 수 있다.
상기 발광 다이오드(31,33)는 3족과 5족 원소의 화합물 반도체 예컨대 AlInGaN, InGaN, GaN, GaAs, InGaP, AllnGaP, InP, InGaAs 등의 계열의 반도체로 형성된 LED 칩을 포함할 수 있다.
또한 상기 발광 다이오드(31,33) 중 적어도 하나는 청색 LED 칩, 황색 LED 칩, 녹색 LED 칩, 적색 LED 칩, UV LED 칩, 호박색 LED 칩, 청-녹색 LED 칩 등으로 이루어질 수 있다. 또한 상기 캐비티(14)에 배치되는 발광 다이오드(31,33)의 개수 및 그 종류는 변경될 수 있다. 또한 복수의 발광 다이오드(31,33)는 서로 다른 컬러를 발광하는 LED 칩이거나 서로 동일한 컬러를 발광하는 LED 칩으로 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 캐비티(14)에는 수지물(16)이 형성된다. 상기 수지물(16)은 실리콘 또는 에폭시와 같은 투명한 수지 재료를 이용할 수 있다. 또한 상기 수지물(16)의 표면은 플랫 형태, 오목 형태, 볼록 형태로 형성될 수 있으며, 상기 수지물(16) 위에 렌즈가 부착될 수도 있다. 상기 수지물(16)에는 적어도 한 종류의 형광체가 첨가될 수도 있다.
상기 수지물(16) 위에는 렌즈가 형성될 수 있으며, 상기 렌즈는 기능 또는 광 분포에 따라 다양한 형상의 렌즈를 선택적으로 배치할 수 있다.
상기 발광 소자 패키지(10)는 광도 향상을 위해 복수의 발광 다이오드(31,33)를 구비하게 된다. 상기 복수의 발광 다이오드(31,33)는 복수의 리드 프레임(21,23) 중 제1리드 프레임(21) 위에 탑재될 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(10)는 상기 제1리드 프레임(21) 위에 복수의 발광 다이오드(31,33)가 탑재됨으로써, 상기 발광 다이오드(31,33)의 동작에 따른 상기 발광 다이오드(31,33)로부터 발생되는 열을 효과적으로 방열할 수 있어야 한다. 실시 예는 상기 제1리드 프레임(21) 위에 탑재된 복수의 발광 다이오드(31,33) 간의 간격(D1)을 최적화시켜 주고자 한다. 상기의 간격(D1)은 LED 칩의 종류 및 다이 페이스트 등을 고려하여 설계될 수 있다.
상기 복수의 발광 다이오드(31,32)는 인접하게 배치될 수 있으며, 그 간격(D1)은 복수의 발광 다이오드(31,33)로부터 발생된 열에 의한 상호 간섭이 각 발광 다이오드의 동작에 크게 영향을 주지 않는 정도이거나, 각 발광 다이오드에서의 열 방출이 원활하게 이루어지는 최소의 거리로 설정될 수 있다.
실시 예는 상기 복수의 발광 다이오드(31,33) 간의 간격(D1)은 250㎛±30㎛ 범위로 이격될 수 있다. 상기 발광 다이오드(31,33) 간의 간격(D1)은 하나의 리드 프레임 위에 하나의 발광 다이오드가 배치된 상태에서의 온도 특성과 거의 동일하거나 유사한 온도 특성을 갖는 최소의 간격일 수 있다. 상기 발광 다이오드(31,33) 간의 간격(D1)은 인접한 두 발광 다이오드(31,33)로부터 발생된 열에 의한 상호 간섭이 각 발광 다이오드(31,33)의 동작 특성에 영향을 주지 않는 최소의 간격일 수 있다.
상기 복수의 발광 다이오드(31,33) 간의 간격(D1)을 크게 할 경우, 패키지 몸체나 캐비티의 공간이 키워야 하는 문제가 있을 수 있으며, 복수의 발광 소자 패키지가 배치된 발광 모듈 상에서 전체적인 색 분리 및 휘도 불 균일이 발생될 수 있다. 또한 복수의 발광 다이오드(31,33) 간의 간격(D1)을 좁게 할 경우, 발광 다이오드(31,33)의 방열 효율은 떨어지게 되고, 각 발광 다이오드의 동작 특성이 저하되고, 발광 소자 패키지의 신뢰성은 떨어지게 된다.
도 3은 도 1의 리드 프레임 위에 2개의 발광 다이오드가 배치된 예를 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 리드 프레임(21) 위에 배치된 발광 다이오드(31,33)는 서로 다른 사이즈이거나 서로 동일한 사이즈로 탑재될 수 있으며, 실시 예는 서로 동일한 사이즈를 그 예로 설명하기로 한다. 또한 상기 발광 다이오드(31,33)의 사이즈는 가로(B) 및 세로(A)의 길이가 동일하거나 다를 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 다이오드(31,33) 간의 간격(D1)은 상기 발광 다이오드(31,33)의 가로(B) 또는/및 세로(A)의 길이보다는 적어도 좁게 형성될 수 있다. 예컨대, 복수의 LED가 300㎛×300㎛ 사이즈인 경우, 상기 간격 D1은 300㎛의 길이보다는 좁게 형성될 수 있다. 또한 복수의 LED가 500㎛×400㎛ 또는 500㎛×300㎛인 경우, 상기 간격 D1은 두 변 중 작은 변의 길이보다는 좁게 형성될 수 있다. 또한 복수의 LED가 250㎛×300㎛인 경우, 상기 간격 D1은 상기 두 변 중 짧은 변보다는 길게 또는 짧게 형성될 수 있다.
도 4는 제1리드 프레임(21) 위에 3개의 발광 다이오드(31,33,35)가 배치된 경우이다. 3개의 발광 다이오드(31,33,35)는 2열로 배치될 수 있으며, 예컨대, 제1 및 제2발광 다이오드(31,33)가 1열로 배치되고 제3발광 다이오드(35)가 다른 열로 배치된다. 상기 제3발광 다이오드(35)는 상기 제1 및 제2발광 다이오드(31,33)의 중간 부분 옆에 배치될 수 있다.
상기 3개의 발광 다이오드(31,33,35) 간의 간격(D1,D2,D3)은 임계 범위 내의 간격을 갖는 데, 예컨대, 250㎛±30㎛ 범위로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 간격 D1은 제1 및 제2발광 다이오드(31,33)에 대응되는 두 변의 거리이며, 간격 D2는 제1 및 제3발광 다이오드(31,35)에 대응되는 두 변의 거리이며, 간격 D3는 제2 및 제3발광 다이오드(33,35)에 대응되는 두 변의 거리일 수 있다. 실시 예는 설명의 편의를 위해 대응되는 두 발광 다이오드의 변 간의 간격을 그 예로 설명하였으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 3개의 발광 다이오드(31,33,35)의 가로(B) 및 세로(A)의 길이는 서로 동일하거나 다를 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 여기서, 상기 발광 다이오드(31,33,35) 간의 간격(D1,D2,D3)은 발광 다이오드(31,33,35)의 어느 한 변(A 또는 B)보다는 짧게 형성될 수 있다.
도 5는 실시 예에 있어서, 2개의 리드 프레임에 3개의 발광 다이오드를 탑재한 예이다. 도 5를 참조하면, 제1리드 프레임(21) 위에 제1 및 제2발광 다이오드(31,33)를 소정 간격(D1)만큼 이격시켜 배치하고, 제2리드 프레임(23) 위에 제3발광 다이오드(34)를 배치한 예이다. 상기 제2리드 프레임(23) 위에 제3발광 다이오드(34)를 추가하더라도, 상기 제1리드 프레임(21) 위에서의 제1 및 제2발광 다이오드(31,33) 간의 간격(D1)은 250㎛±30㎛ 범위로 형성될 수 있다.
도 6은 제2실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 평면도이다. 제2실시 예의 설명에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분에 대해서는 제1실시 예를 참조하기로 한다.
도 6을 참조하면, 제1리드 프레임(21A) 위에 복수의 발광 다이오드(31A,33A)를 배치하고, 복수의 발광 다이오드(31A,33A)는 제1리드 프레임(21A)과 제2리드 프레임(23A)에 직렬로 연결된 구성이다. 상기 제1발광 다이오드(31A)는 제1리드 프레임(21A)과 제2발광 다이오드(33A)에 와이어(37)로 연결되며, 제2발광 다이오드(33A)는 제1발광 다이오드(31A)와 제2리드 프레임(23A)에 와이어(37)로 연결된 구성이다.
상기 복수의 발광 다이오드(31A,33A) 사이의 간격(D1)은 인접한 두 발광 다이오드 간의 열 특성을 고려한 최소의 거리 예컨대, 250㎛±30㎛ 범위로 형성될 수 있다. 그리고 상기 제2발광 다이오드(33A)와 제3발광 다이오드(34)는 서로 다른 리드 프레임(21A,23A)에 배치되어 있어서, 두 발광 다이오드(33A,34)간의 열 간섭 문제는 거의 발생되지 않게 된다.
도 7 내지 도 11은 도 1의 패키지 구조에서의 열 특성을 나타낸 도면이며, (A)는 리드 프레임 아래에서 측정한 열 특성이며, (B)는 리드 프레임 위에서 측정한 열 특성을 나타낸 온도 분포도이다. 여기서, 열 특성 데이터를 측정하기 위해 발광 다이오드는 적어도 300㎛×300㎛ 사이즈이고, 전류는 발광 다이오드에 맞는 정격 전류(예: 20mA 이상)을 공급하게 되며, 패키지 몸체 및 리드 프레임은 도 1의 구조를 참조하기로 한다.
도 7은 복수의 리드 프레임 간의 간격(d1)이 100㎛인 경우이며, (A)(B)는 하나의 리드 프레임 위에 배치된 발광 다이오드(31,33)로부터 발생된 열은 상호 간섭이 발생된다.
도 8은 복수의 리드 프레임 간의 간격(d2)이 200㎛인 경우이며, (A)(B)는 하나의 리드 프레임 위에 배치된 발광 다이오드(31,33)로부터 발생된 열은 상호 간섭이 발생된다.
도 9는 복수의 리드 프레임 간의 간격(d3)은 250㎛인 경우이며, (A)(B)를 보면, 하나의 리드 프레임 위에 배치된 발광 다이오드(31,33)로부터 발생된 열의 상호 간섭은 도 7 및 도 8에 비해 줄어든다. 상기 발광 다이오드(31,33)로부터 발생된 열 특성은 고온으로 갈수록 상호 간의 간섭이 줄어든 상태를 나타나게 된다. 상기 간격(d3)은 복수의 발광 다이오드(31,33)로부터 방출된 온도 특성이 하나의 발광 다이오드로부터 방출된 온도 특성과 거의 동일한 특성을 갖는 거리로 이격됨으로써, 복수의 발광 다이오드(31,33)에서의 방열은 효과적으로 이루어짐을 알 수 있다.
도 10은 복수의 리드 프레임 간의 간격(d4)은 300㎛인 경우이며, (A)(B)는 하나의 리드 프레임 위에 배치된 발광 다이오드(31,33)로부터 발생된 열이 고온으로 갈수록 상호 간섭이 거의 발생되지 않는다.
도 11은 복수의 리드 프레임 간의 간격(d5)은 500㎛인 경우이며, (A)(B)는 하나의 리드 프레임 위에 배치된 발광 다이오드(31,33)로부터 발생된 열이 고온으로 갈수록 상호 간섭이 거의 발생되지 않는다.
도 12는 실시 예에 있어서, 복수의 발광 다이오드(LED) 간의 간격에 따른 온도를 나타낸 그래프이다.
도 12를 참조하면, 복수의 발광 다이오드(LED) 간의 간격(D1)은 250㎛±30㎛ 범위이며, 상기 복수의 발광 다이오드로부터 발생된 온도는 1개의 발광 다이오드인 경우의 온도 분포와 동일한 분포를 나타낸다.
실시 예는 복수의 발광 다이오드(31,33) 간의 간격(D1)을 최적화하여, 발광 다이오드(31,33)로부터 발생된 열에 의한 패키지의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지 위에는 렌즈가 배치될 수 있으며, 상기 렌즈는 오목 렌즈, 볼록 렌즈, 프레넬 렌즈, 또는 오목과 볼록의 선택적인 조합을 갖는 렌즈를 선택적으로 구비할 수 있다. 상기 발광 소자 패키지와 상기 렌즈 사이는 일체로 접촉되거나 이격될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 상기 라이트 유닛은 탑뷰 또는 사이드 뷰 타입으로 구현되어, 휴대 단말기 및 노트북 컴퓨터 등에 제공되거나, 조명장치 및 지시 장치 등에 다양하게 적용될 수 있다.
이상에서 그 바람직한 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10 : 발광 소자 패키지, 12: 패키지 몸체, 21,21A,23,23A:리드 프레임, 31,31A,33,33A : 발광 다이오드, 14 : 캐비티, 16 : 수지물
Claims (17)
- 패키지 몸체;
상기 패키지 몸체 위에 배치된 제1리드 프레임;
상기 제1리드 프레임 위에 배치된 복수의 발광 다이오드; 및
상기 발광 다이오드를 커버하는 수지물을 포함하며,
상기 복수의 발광 다이오드 간의 간격은 250㎛±30㎛의 범위를 포함하는 발광 소자 패키지. - 패키지 몸체;
상기 패키지 몸체 위에 배치된 제1리드 프레임;
상기 제1리드 프레임 위에 배치된 복수의 발광 다이오드; 및
상기 발광 다이오드를 커버하는 수지물을 포함하며,
상기 복수의 발광 다이오드 중 적어도 2개의 발광 다이오드는 변과 변이 서로 대면하게 배치되며,
상기 복수의 발광 다이오드 중 적어도 2개의 발광 다이오드 간의 간격은 어느 한 발광 다이오드의 가로 및 세로의 길이 중 어느 한 변의 길이보다는 적어도 좁게 형성되며,
상기 패키지 몸체는 상기 패키지 몸체의 상부가 개방된 캐비티를 포함하며,
상기 캐비티에는 상기 제1리드 프레임, 상기 복수의 발광 다이오드, 상기 수지물을 포함하는 발광 소자 패키지. - 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수의 발광 다이오드는 상기 제1리드 프레임 위에 서로 대응되도록 1열로 배치되는 발광 소자 패키지.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수의 발광 다이오드는 적어도 3개를 포함하며, 상기 적어도 3개의 발광 다이오드는 상기 제1리드 프레임 위에 서로 대응되게 배치되며 적어도 2열로 배치되는 발광 소자 패키지.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 패키지 몸체 위에 상기 제1리드 프레임과 이격된 제2리드 프레임을 포함하는 발광 소자 패키지.
- 제5항에 있어서, 상기 제2리드 프레임 위에 적어도 하나의 발광 다이오드를 포함하는 발광 소자 패키지.
- 제1항에 있어서, 상기 패키지 몸체에는 상기 패키지 몸체의 상부가 개방된 캐비티를 포함하며,
상기 캐비티에는 상기 제1리드 프레임, 상기 복수의 발광 다이오드, 및 상기 수지물을 포함하는 발광 소자 패키지. - 제2항에 있어서, 상기 복수의 발광 다이오드 간의 간격은 어느 한 발광 다이오드의 가로 및 세로 길이 중 작은 변의 길이보다는 적어도 좁게 형성되는 발광 소자 패키지.
- 제2항에 있어서, 상기 복수의 발광 다이오드 간의 간격은 어느 한 발광 다이오드의 가로 및 세로 길이 중 큰 변의 길이보다는 적어도 좁게 형성되는 발광 소자 패키지.
- 제2항에 있어서, 상기 복수의 발광 다이오드 간의 간격은 인접한 발광 다이오드에 대응되는 두 변의 거리이며, 220㎛~280㎛의 범위를 포함하는 발광 소자 패키지.
- 제1항에 있어서, 상기 복수의 발광 다이오드는 적어도 2개의 발광 다이오드를 포함하며, 상기 적어도 2개의 발광 다이오드는 변과 변이 서로 대면하게 배치되는 발광 소자 패키지.
- 제4항에 있어서, 상기 적어도 3개의 발광 다이오드는 제1열에 배치된 제1 및 2발광 다이오드; 및 상기 제1 및 제2발광 다이오드로부터 이격된 제2열에 배치된 제3발광 다이오드를 포함하며,
상기 제1 및 제2발광 다이오드는 변과 변이 서로 대면하게 배치되는 발광 소자 패키지. - 제12항에 있어서, 상기 제3발광 다이오드는 상기 제1발광 다이오드 및 상기 제2발광 다이오드 중 적어도 하나와의 간격이 220㎛~280㎛의 범위를 포함하는 발광 소자 패키지.
- 제7항에 있어서, 상기 패키지 몸체의 캐비티에 배치되며 상기 제1리드 프레임으로부터 이격된 제2리드 프레임을 포함하는 발광 소자 패키지.
- 제1항 또는 제2항 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1리드 프레임의 두께는 0.1mm±0.05mm 범위를 포함하는 발광 소자 패키지. - 제1항 또는 제2항의 발광 소자 패키지;
상기 발광 소자 패키지가 어레이된 기판; 및
상기 발광 소자 패키지의 광 경로 측에 배치된 광학 부재를 포함하는 라이트 유닛. - 제16항에 있어서, 상기 광학 부재는 도광판, 프리즘 시트, 및 확산 시트 중 적어도 하나를 포함하는 라이트 유닛.
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