KR100980423B1 - Input/output apparatus of semiconductor integrated circuit - Google Patents
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Abstract
본 발명은 입출력 패드를 통해 입력된 라이트 데이터를 기준 전압과 비교하여 수신하기 위한 리시버; 상기 리시버의 출력에 따라 상기 입출력 패드의 임피던스와 목표 임피던스의 미스매치를 검출하여 미스매치 검출신호를 생성하기 위한 미스매치 검출부; 상기 미스매치 검출신호를 이용하여 임피던스 보상코드를 생성하기 위한 임피던스 보상코드 생성부; 및 상기 임피던스 보상코드에 따라 상기 입출력 패드의 임피던스와 목표 임피던스의 미스매치를 보상하기 위한 임피던스 보상부를 구비한 반도체 집적회로의 입출력 장치를 제공한다.The present invention provides a receiver for receiving and comparing the write data input through the input and output pads with a reference voltage; A mismatch detector configured to detect a mismatch between the impedance of the input / output pad and a target impedance according to the output of the receiver and generate a mismatch detection signal; An impedance compensation code generator for generating an impedance compensation code by using the mismatch detection signal; And an impedance compensator for compensating a mismatch between the impedance of the input / output pad and a target impedance according to the impedance compensation code.
반도체 집적회로, 임피던스 미스매치 Semiconductor Integrated Circuits, Impedance Mismatch
Description
본 발명은 반도체 집적회로에 관한 것으로서, 특히 반도체 집적회로의 입출력 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
반도체 집적회로는 PVT(Process/Voltage/Temperature) 변동에 의한 임피던스 표준화를 위해 온 다이 터미네이션(On Die Termination)을 채용하고 있다.Semiconductor integrated circuits employ On Die Termination to standardize impedance due to PVT (Process / Voltage / Temperature) variations.
상기 온 다이 터미네이션은 DQ의 임피던스를 목표값으로 매칭시키는 동작이다.The on die termination is an operation of matching the impedance of the DQ to a target value.
도 1은 종래의 기술에 따른 반도체 집적회로의 입출력 장치의 블록도이다.1 is a block diagram of an input / output device of a semiconductor integrated circuit according to the related art.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 기술에 따른 반도체 집적회로의 입출력 장치는 데이터를 수신하기 위한 리시버(RX), 수신된 데이터를 래치하기 위한 래치(LT), 입출력 패드(DQ)의 임피던스 매칭을 위한 온 다이 터미네이션 블록(ODT), 임피던스 조정 정보 저장을 위한 퓨즈 셋, 임피던스 조정을 위한 임피던스 미스매치 조정부(mismatch adjusting unit)(RTT_CTRL), 데이터 출력을 위한 드라이버(DRV) 및 입출력 패드(DQ)의 임피던스 측정을 통해 상기 퓨즈 셋을 제어하기 위 한 테스트 장비를 구비한다.As shown in FIG. 1, an input / output device of a semiconductor integrated circuit according to the related art includes a receiver RX for receiving data, a latch LT for latching received data, and impedance matching of an input / output pad DQ. On-die termination block (ODT) for storage, fuse set for storing impedance adjustment information, impedance mismatch adjusting unit (RTT_CTRL) for impedance adjustment, driver (DRV) and input / output pad (DQ) for data output Test equipment is provided for controlling the fuse set through the impedance measurement of.
상술한 종래의 기술은 캘리브레이션 코드(ZQC_CODE<0:N>)를 이용하여 온 다이 터미네이션 블록(ODT)을 통해 각 입출력 패드(DQ)의 임피던스를 ZQ 패드(도시 생략)와 연결된 외부 저항과 동일한 임피던스로 매칭시키도록 동작하였다.The above-described conventional technique uses the calibration code ZQC_CODE <0: N> to equalize the impedance of each input / output pad DQ with an external resistor connected to a ZQ pad (not shown) through the on die termination block ODT. It was operated to match.
상술한 임피던스 매칭 동작은 내부적으로 이루어지므로, 실질적으로 입출력 패드(DQ)의 임피던스가 상기 ZQ 패드와 연결된 외부 저항의 임피던스와 일치하지 않는 임피던스 미스매치(mismatch)가 발생할 수 있다.Since the impedance matching operation described above is performed internally, an impedance mismatch may occur in which an impedance of the input / output pad DQ does not substantially match the impedance of an external resistor connected to the ZQ pad.
따라서 각 입출력 패드(DQ) 마다 상기 퓨즈 셋을 구성하고, 테스트 장비를 통해 입출력 패드(DQ)의 임피던스 미스매치를 측정하여 퓨즈 셋을 제어하고, 그에 따라 임피던스 미스매치 조정부(RTT_CTRL)를 동작시킴으로써 임피던스 미스매치를 보상하였다.Therefore, the fuse set is configured for each input / output pad DQ, the impedance set is measured by measuring the impedance mismatch of the input / output pad DQ through test equipment, and the impedance mismatch adjusting unit RTT_CTRL is operated accordingly. Mismatch was compensated.
그러나 상술한 종래의 방식은 별도의 테스트 장비를 작업자가 제어하는 작업을 통해서만 임피던스 미스매치 보상이 가능하고, 테스트 장비의 해상도에 따라 미스매치 보상의 편차가 크게 발생하며, 입출력 패드(DQ) 마다 퓨즈 셋을 구성해야 하므로 퓨즈 셋으로 인한 회로 면적 증가를 초래하는 문제점이 있다.However, in the above-described conventional method, the impedance mismatch compensation can be performed only by the operator controlling the separate test equipment, and the mismatch compensation greatly occurs according to the resolution of the test equipment, and fuses are applied to the input / output pads (DQ). Since the set must be configured, there is a problem of increasing the circuit area due to the fuse set.
본 발명은 별도의 테스트 장비 없이 자동으로 임피던스 미스매치를 보상할 수 있도록 반도체 집적회로의 입출력 장치를 제공함에 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide an input / output device of a semiconductor integrated circuit to automatically compensate for impedance mismatch without additional test equipment.
본 발명은 균일한 임피던스 미스매치 보상이 가능하도록 한 반도체 집적회로의 입출력 장치를 제공함에 다른 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide an input / output device of a semiconductor integrated circuit which enables uniform impedance mismatch compensation.
본 발명은 임피던스 미스매치 조정을 위한 회로 면적을 감소시킬 수 있도록 한 반도체 집적회로의 입출력 장치를 제공함에 또 다른 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide an input / output device of a semiconductor integrated circuit capable of reducing a circuit area for impedance mismatch adjustment.
본 발명에 따른 반도체 집적회로의 입출력 장치는 입출력 패드를 통해 입력된 라이트 데이터를 기준 전압과 비교하여 수신하기 위한 리시버; 상기 리시버의 출력에 따라 상기 입출력 패드의 임피던스와 목표 임피던스의 미스매치를 검출하여 미스매치 검출신호를 생성하기 위한 미스매치 검출부; 상기 미스매치 검출신호를 이용하여 임피던스 보상코드를 생성하기 위한 임피던스 보상코드 생성부; 및 상기 임피던스 보상코드에 따라 상기 입출력 패드의 임피던스와 목표 임피던스의 미스매치를 보상하기 위한 임피던스 보상부를 구비함을 특징으로 한다.An input / output device of a semiconductor integrated circuit according to the present invention includes a receiver for receiving write data inputted through an input / output pad in comparison with a reference voltage; A mismatch detector configured to detect a mismatch between the impedance of the input / output pad and a target impedance according to the output of the receiver and generate a mismatch detection signal; An impedance compensation code generator for generating an impedance compensation code by using the mismatch detection signal; And an impedance compensator for compensating for mismatch between the impedance of the input / output pad and the target impedance according to the impedance compensation code.
본 발명에 따른 반도체 집적회로의 입출력 장치는 제 1 코드에 따라 정해진 임피던스로 입출력 패드를 통해 데이터를 출력하도록 구성된 드라이버; 상기 입출력 패드를 통해 입력된 데이터를 기준 전압과 비교하여 수신하도록 구성된 리시버; 및 상기 리시버의 출력에 따라 상기 입출력 패드의 임피던스와 목표 임피던스의 미 스매치를 검출하고, 검출결과에 따라 생성한 제 2 코드에 따라 상기 입출력 패드의 임피던스와 목표 임피던스의 미스매치를 보상하도록 구성된 임피던스 보상 회로부를 구비함을 다른 특징으로 한다.An input / output device of a semiconductor integrated circuit according to the present invention includes a driver configured to output data through an input / output pad with an impedance determined according to a first code; A receiver configured to receive data input through the input / output pad in comparison with a reference voltage; And an impedance configured to detect a mismatch between the impedance of the input / output pad and a target impedance according to the output of the receiver and compensate for the mismatch between the impedance of the input / output pad and the target impedance according to a second code generated according to the detection result. Compensation circuit section is another feature.
본 발명에 따른 반도체 집적회로의 입출력 장치는 자동으로 임피던스 미스매치 보상이 가능하므로 임피던스 미스매치 조정 작업의 편의도 및 작업 효율을 향상시킬 수 있다.Since the input / output device of the semiconductor integrated circuit according to the present invention can automatically compensate for impedance mismatch, it is possible to improve convenience and work efficiency of impedance mismatch adjustment.
또한 본 발명에 따른 반도체 집적회로의 입출력 장치는 규격화된 내부 회로 구성을 통해 임피던스 미스매치 조정작업을 수행하므로 서로 다른 반도체 집적회로 칩 들 간에 균일한 임피던스 미스매치 보상이 가능하다.In addition, since the input / output device of the semiconductor integrated circuit according to the present invention performs impedance mismatch adjustment through a standardized internal circuit configuration, uniform impedance mismatch compensation between different semiconductor integrated circuit chips is possible.
또한 본 발명에 따른 반도체 집적회로의 입출력 장치는 임피던스 미스매치 보상을 위한 퓨즈 셋이 필요없으므로 레이아웃 마진을 향상시킬 수 있다.In addition, since the input / output device of the semiconductor integrated circuit according to the present invention does not need a fuse set for impedance mismatch compensation, the layout margin can be improved.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 집적회로의 입출력 장치의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of an input / output device of a semiconductor integrated circuit according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 집적회로의 입출력 장치의 블록도이다.2 is a block diagram of an input / output device of a semiconductor integrated circuit according to the present invention.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 집적회로의 입출력 장치는 리시버(110), 드라이버(120), 온 다이 터미네이션 블록(130), 라이트 데이터 래치부(140), 임피던스 미스매치 검출부(150), 임피던스 보상부(160) 및 제어신호 생성부(170)를 구비한다.As shown in FIG. 2, an input / output device of a semiconductor integrated circuit according to the present invention includes a
상기 리시버(110)는 입출력 패드(DQ)를 통해 입력된 데이터를 수신하도록 구성된다.The
상기 드라이버(120)는 캘리브레이션 코드(ZQC_CODE<0:N>)에 의해 임피던스가 설정되고, 출력 인에이블 신호(DOE)에 응답하여 리드 데이터(READ_DATA_OUT)를 입출력 패드(DQ)로 출력하도록 구성된다.The
상기 온 다이 터미네이션 블록(130)은 온 다이 터미네이션 인에이블 신호(ODT_EN)에 응답하여 상기 캘리브레이션 코드(ZQC_CODE<0:N>)에 맞도록 상기 입출력 패드(DQ)의 임피던스를 설정하도록 구성된다.The on die
상기 라이트 데이터 래치부(140)는 데이터 스트로브 신호(DQS)에 따라 상기 리시버(110)를 통해 수신된 데이터를 래치하도록 구성된다.The write
상기 임피던스 미스매치 검출부(150)는 임피던스 스트로브 신호(RTT_STROBE)에 따라 상기 리시버(110)를 통해 수신된 데이터를 래치하여 미스매치 검출신호(COMPARE_OUT)를 생성하도록 구성된다.The impedance
상기 임피던스 보상부(160)는 임피던스 제어 인에이블 신호(ENABLE_P<0:2>, ENABLE_N<0:2>)에 응답하여 임피던스 보상코드(RP_CODE<0:2>, RN_CODE<0:2>)에 따라 입출력 패드(DQ)의 임피던스 미스매치를 보상하도록 구성된다.The
상기 임피던스 보상코드 생성부(170)는 임피던스 스트로브 신호(RTT_STROBE)에 따라 미스매치 검출신호(COMPARE_OUT)를 이용하여 상기 임피던스 보상코드(RP_CODE<0:2>, RN_CODE<0:2>)를 생성하도록 구성된다.The impedance compensation
도 3은 도 2의 임피던스 보상부의 회로도이다.3 is a circuit diagram of an impedance compensator of FIG. 2.
도 3에 도시된 바와 같이, 임피던스 보상부(160)는 복수개의 풀 업 레그(pull up leg)(161a ~ 161c) 및 풀다운 레그(pull down leg)(163a ~ 163c)를 구비한다. 상기 풀 업 레그(161a ~ 161c)는 동일하게 구성할 수 있다. 상기 풀다운 레그(163a ~ 163c)는 동일하게 구성할 수 있다.As shown in FIG. 3, the
본 발명의 실시예에서는 상기 풀 업 레그(161a ~ 161c)와 풀 다운 레그(163a ~ 163c)가 각각 3개로 구성된 예를 든 것이며, 그 수가 많을수록 미스매치 보상능력은 향상된다. 따라서 레이아웃을 고려하여 그 수를 적절히 조정할 수 있다. 물론 풀 업 레그(161a ~ 161c)와 풀 다운 레그(163a ~ 163c)의 수가 증가할수록 그에 비례하여 임피던스 제어 인에이블 신호(ENABLE_P<0:2>, ENABLE_N<0:2>) 및 임피던스 보상코드(RP_CODE<0:2>, RN_CODE<0:2>)의 비트수도 증가한다.In the embodiment of the present invention, the pull-up
상기 풀 업 레그(161a)는 임피던스 제어 인에이블 신호(ENABLE_P<0:2>)에 따라 활성화되고, 풀 다운 레그(163)는 임피던스 제어 인에이블 신호(ENABLE_N<0:2>)에 따라 활성화된다.The pull up
상기 풀 업 레그(161)와 풀 다운 레그(163) 각각은 기본적으로 120옴(ohm)의 임피던스를 갖도록 설계되며, 상기 임피던스 보상코드(RP_CODE<0:2>, RN_CODE<0:2>)에 따라 입출력 패드(DQ)의 임피던스 미스매치를 보상하는 방향으로 임피던스 조정이 이루어진다. 상기 임피던스 제어 인에이블 신호(ENABLE_P<0:2>, ENABLE_N<0:2>)를 선택적으로 활성화시킴에 따라 상기 임피던스 보상부(160)의 임피던스를 120옴, 60옴, 40옴 등과 같이 변화시킬 수 있다.Each of the pull up leg 161 and the pull down leg 163 is basically designed to have an impedance of 120 ohms, and the impedance compensation codes RP_CODE <0: 2> and RN_CODE <0: 2> Accordingly, impedance adjustment is performed in a direction to compensate for the impedance mismatch of the input / output pad DQ. By selectively enabling the impedance control enable signals ENABLE_P <0: 2> and ENABLE_N <0: 2>, the impedance of the
도 4는 도 3의 풀 업 레그의 회로도이다.4 is a circuit diagram of the pull up leg of FIG.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 풀 업 레그(161a)는 신호 처리 회로부(161-1), 복수개의 트랜지스터(WP ~ WP*4) 및 복수개의 저항(RP*32 ~ RP*8)을 구비한다.As shown in FIG. 4, the pull-
상기 신호 처리 회로부(161-1)는 인버터(IV1) 및 낸드 게이트(ND1)로 이루어진 회로가 상기 임피던스 보상코드(RP_CODE<0:2>)의 비트 수만큼 구비된다.In the signal processing circuit 161-1, a circuit including an inverter IV1 and a NAND gate ND1 is provided with the number of bits of the impedance compensation code RP_CODE <0: 2>.
상기 신호 처리 회로부(161-1)는 임피던스 제어 인에이블 신호(ENABLE_P<0>)가 활성화된 경우, 임피던스 보상코드(RP_CODE<0:2>)를 임피던스 풀 업 보상신호(RTT_UPCODE<0:2>)로서 복수개의 트랜지스터(WP ~ WP*4)로 출력한다.When the impedance control enable signal ENABLE_P <0> is activated, the signal processing circuit 161-1 may output the impedance compensation code RP_CODE <0: 2> to the impedance pull-up compensation signal RTT_UPCODE <0: 2>. ) Are output to the plurality of transistors WP to WP * 4.
도 5는 도 3의 풀다운 레그의 회로도이다.5 is a circuit diagram of the pull-down leg of FIG.
도 5에 도시된 바와 같이, 상기 풀 다운 레그(163a)는 신호 처리 회로부(163-1), 복수개의 저항(RN*32 ~ RN*8) 및 복수개의 트랜지스터(WN ~ WN*4)를 구비한다.As shown in FIG. 5, the pull down
상기 신호 처리 회로부(163-1)는 낸드 게이트(ND11) 및 인버터(IV11)로 이루어진 회로가 상기 임피던스 보상코드(RN_CODE<0:2>)의 비트 수만큼 구비된다.The signal processing circuit unit 163-1 includes a circuit including the NAND gate ND11 and the inverter IV11 as many as the number of bits of the impedance compensation code RN_CODE <0: 2>.
상기 신호 처리 회로부(163-1)는 임피던스 제어 인에이블 신호(ENABLE_N<0>)가 활성화된 경우, 임피던스 보상코드(RN_CODE<0:2>)를 임피던스 풀 다운 보상신호(RTT_DNCODE<0:2>)로서 복수개의 트랜지스터(WN ~ WN*4)로 출력한다.When the impedance control enable signal ENABLE_N <0> is activated, the signal processing circuit unit 163-1 may convert the impedance compensation code RN_CODE <0: 2> to the impedance pull-down compensation signal RTT_DNCODE <0: 2>. ) Are output to the plurality of transistors WN to WN * 4.
이때 풀 업 레그(161a) 및 풀 다운 레그(163a)에 구비된 트랜지스터들 및 저항들의 부호는 해당 사이즈를 기준으로 부여한 것이다. 즉, 트랜지스터(WP*4)의 경우 트랜지스터(WP)에 비해 4배의 사이즈로 설계되며, 저항(RP*32)의 경우 저항(RP*8)에 비해 4배의 사이즈로 설계된다.In this case, the symbols of the transistors and the resistors provided in the pull up
또한 도면에는 나타내지 않았지만, 온 다이 터미네이션 블록(130)에도 상기 도 4 및 도 5와 같은 풀 업 레그와 풀 다운 레그가 존재한다. 임피던스 보상부(160)의 풀 업 레그(161a) 및 풀 다운 레그(163a)는 상기 온 다이 터미네이션 블록(130)에서 캘리브레이션 코드(ZQC_CODE<0:N>)의 상위 일부 비트를 입력 받는 풀 업 레그 및 풀 다운 레그의 트랜지스터 및 저항의 조합으로 구성할 수 있다. Although not shown in the drawings, the pull-up legs and the pull-down legs as shown in FIGS. 4 and 5 also exist in the on
도 6은 도 2의 임피던스 보상코드 생성부의 회로도이다.6 is a circuit diagram of an impedance compensation code generator of FIG. 2.
도 6에 도시된 바와 같이, 임피던스 보상코드 생성부(170)는 보상코드 조정 활성화부(171) 및 신호 생성부(172)를 구비한다.As shown in FIG. 6, the impedance
상기 보상코드 조정 활성화부(171)는 개시 펄스 신호(INITP), 임피던스 스트로브 신호(RTT_STROBE) 및 미스매치 검출신호(COMPARE_OUT)에 따라 보상코드 조정 활성화 신호(ENABLE)를 생성하도록 구성된다.The compensation
상기 보상코드 조정 활성화부(171)는 인버터(IV21), 트랜지스터(M21, M22), 래치(171-1), 제 1 플립플롭(171-2), 제 2 플립플롭(171-3), 낸드 게이트(ND21) 및 XOR 게이트(XOR21)를 구비한다.The compensation code
상기 보상코드 조정 활성화부(171)는 개시 펄스 신호(INITP)가 발생됨에 따라 상기 보상코드 조정 활성화 신호(ENABLE)를 초기화시킨다. 그리고 보상코드 조정 활성화부(171)는 임피던스 스트로브 신호(RTT_STROBE)에 응답하여 보상코드 조정 활성화 신호(ENABLE)를 활성화시킨다. 또한 보상코드 조정 활성화부(171)는 이전 미스매치 검출신호(COMPARE_OUT)와 현재 미스매치 검출신호(COMPARE_OUT)가 다른 값인 경우 즉, 미스매치 검출신호(COMPARE_OUT)의 변동을 검출하여 상기 보상코 드 조정 활성화 신호(ENABLE)를 다시 초기화시킨다. The compensation code
상기 신호 생성부(172)는 보상코드 조정 활성화 신호(ENABLE), 미스매치 검출신호(COMPARE_OUT) 및 임피던스 스트로브 신호(RTT_STROBE)에 따라 임피던스 보상코드(RP_CODE<0:2>, RN_CODE<0:2>)를 생성하도록 구성된다.The
상기 신호 생성부(172)는 지연 소자(DLY), 인버터(IV31), 낸드 게이트(ND31 ~ ND34), 제 1 카운터(172-1) 및 제 2 카운터(172-2)를 구비한다.The
상기 신호 생성부(172)는 상기 보상코드 조정 활성화 신호(ENABLE)가 활성화된 상태에서 임피던스 스트로브 신호(RTT_STROBE)의 활성화 구간 동안 미스매치 검출신호(COMPARE_OUT)에 따라 임피던스 보상코드(RP_CODE<0:2>, RN_CODE<0:2>) 중에서 어느 하나를 증가시킨다. 또한 상기 제 1 카운터(172-1) 및 제 2 카운터(172-2)의 카운팅 값은 리셋 신호(RST)에 의해 초기화될 수 있다.The
임피던스 미스매치 보상이 이루어지는 동안 상기 미스매치 검출신호(COMPARE_OUT)는 동일한 논리값을 유지하게 된다. 이후 입출력 패드(DQ)의 전압 레벨이 상승과 하강 중 어느 하나를 반복하여 기준 전압(VERF) 레벨을 초과하게 되면 임피던스 미스매치 보상이 완료된다. 임피던스 미스매치 보상이 완료된 상태이면 임피던스 보상부(160)의 임피던스 변화 단위량에 비해 보상해야할 임피던스 값이 작은 상태이다. 따라서 이후의 미스매치 검출신호(COMPARE_OUT)는 이전과 다른 논리 레벨로 변하게 된다.The mismatch detection signal COMPARE_OUT maintains the same logic value during impedance mismatch compensation. Subsequently, when the voltage level of the input / output pad DQ increases or decreases repeatedly to exceed the reference voltage level, the impedance mismatch compensation is completed. When the impedance mismatch compensation is completed, the impedance value to be compensated for is smaller than that of the impedance change unit of the
상기 미스매치 검출신호(COMPARE_OUT)가 이전과 다른 논리 레벨로 변함에 따라 임피던스 보상코드(RP_CODE<0:2>, RN_CODE<0:2>) 또한 이전과 반대로 변하므로 입출력 패드(DQ)의 전압 레벨이 이전과 반대 방향으로 기준 전압(VERF) 레벨을 초과하게 된다. 이와 같은 과정을 통해 임피던스 미스매치 보상이 완료되어도 임피던스 보상코드(RP_CODE<0:2>, RN_CODE<0:2>)는 현재의 값을 유지하지 못하고 계속하여 토글링하게 된다.As the mismatch detection signal COMPARE_OUT changes to a logic level different from the previous one, the impedance compensation codes RP_CODE <0: 2> and RN_CODE <0: 2> also change in the opposite manner, and thus the voltage level of the input / output pad DQ. The reference voltage (VERF) level is exceeded in the opposite direction as before. Through this process, even if the impedance mismatch compensation is completed, the impedance compensation codes RP_CODE <0: 2> and RN_CODE <0: 2> do not maintain their current values and continue to toggle.
따라서 미스매치 검출신호(COMPARE_OUT)의 변동을 검출하여 상기 보상코드 조정 활성화 신호(ENABLE)를 초기화시킴으로써 불필요한 임피던스 보상코드(RP_CODE<0:2>, RN_CODE<0:2>)의 토글링(Toggling)을 방지한다.Therefore, by detecting the mismatch detection signal COMPARE_OUT and initializing the compensation code adjustment enable signal ENABLE, the unnecessary impedance compensation codes RP_CODE <0: 2> and RN_CODE <0: 2> are toggled. To prevent.
도 7은 본 발명에 따른 반도체 집적회로의 입출력 장치의 동작 타이밍도이다.7 is an operation timing diagram of an input / output device of a semiconductor integrated circuit according to the present invention.
먼저, PVT 변동을 완벽하게 보상한 이상적인 반도체 집적회로의 경우, 비동작 상태 즉, 데이터 출력 또는 입력이 이루어지지 않은 상태에서는 입출력 패드(DQ)의 전압 레벨과 기준 전압(VERF)이 동일해야 한다.First, in an ideal semiconductor integrated circuit that completely compensates for PVT variation, the voltage level of the input / output pad DQ and the reference voltage VERF should be the same in a non-operating state, that is, a state in which no data output or input is made.
그러나 실제 상황에서는 도 7에 도시된 바와 같이, 입출력 패드(DQ)의 전압 레벨과 기준 전압(VERF)은 소정 레벨 차이가 존재하게 된다.However, in an actual situation, as shown in FIG. 7, a predetermined level difference exists between the voltage level of the input / output pad DQ and the reference voltage VERF.
따라서 본 발명은 상술한 원리를 이용한 것으로 반도체 집적회로의 비동작 상태에서 입출력 패드(DQ)와 기준 전압(VERF)의 전압 레벨 미스매치를 검출하여 보상하도록 한 것이다.Accordingly, the present invention uses the above-described principle, and detects and compensates a voltage level mismatch between the input / output pad DQ and the reference voltage VERF in the inactive state of the semiconductor integrated circuit.
도 6을 참조하면, 보상코드 조정 활성화부(171)는 임피던스 스트로브 신호(RTT_STROBE)가 발생함에 따라 로우 레벨의 제 1 플립플롭(171-2)의 출력 신호(XOR_ENABLE)가 낸드 게이트(ND21)에 인가되고 그에 따라 보상코드 조정 활성화 신호(ENABLE)를 하이 레벨로 활성화시킨다.Referring to FIG. 6, the compensation
이후, 두 번째 임피던스 스트로브 신호(RTT_STROBE)가 발생함에 따라 상기 제 1 플립플롭(171-2)의 출력 신호(XOR_ENABLE)는 하이 레벨로 천이된다. 이때 미스매치 검출신호(COMPARE_OUT)와 이전 미스매치 검출신호(COMPARE_SHIFT)는 동일한 레벨(로우 레벨)이고 그에 따라 XOR 게이트(XOR21)의 출력 신호(COMPARE_XOR)가 로우 레벨이므로 보상코드 조정 활성화 신호(ENABLE)를 활성화 상태로 유지시킨다.Thereafter, as the second impedance strobe signal RTT_STROBE is generated, the output signal XOR_ENABLE of the first flip-flop 171-2 transitions to a high level. At this time, the mismatch detection signal COMPARE_OUT and the previous mismatch detection signal COMPARE_SHIFT are at the same level (low level), and accordingly, the output signal COMPARE_XOR of the XOR gate XOR21 is low level, so that the compensation code adjustment enable signal ENABLE. Keep it active.
한편, 도 6의 신호 생성부(172)는 미스매치 검출신호(COMPARE_OUT)와 상기 임피던스 스트로브 신호(RTT_STROBE)를 지연시킨 지연 임피던스 스트로브 신호(RTT_STROBE_D)를 논리곱하여 임피던스 보상코드(RP_CODE<0:2>, RN_CODE<0:2>) 중 어느 하나를 증가시킨다.Meanwhile, the
이때 미스매치 검출신호(COMPARE_OUT)는 임피던스 스트로브 신호(RTT_STROBE)에 의해 생성되므로(도 2 참조) 두 신호간에 소정 시차가 존재하게 된다. 따라서 상기 소정 시차를 고려하여 지연 임피던스 스트로브 신호(RTT_STROBE_D)와 미스매치 검출신호(COMPARE_OUT)를 조합하여 임피던스 보상코드(RP_CODE<0:2>, RN_CODE<0:2>)를 조정하도록 하였다.In this case, since the mismatch detection signal COMPARE_OUT is generated by the impedance strobe signal RTT_STROBE (see FIG. 2), a predetermined time difference exists between the two signals. Therefore, in consideration of the predetermined time difference, the impedance compensation codes RP_CODE <0: 2> and RN_CODE <0: 2> are adjusted by combining the delayed impedance strobe signal RTT_STROBE_D and the mismatch detection signal COMPARE_OUT.
미스매치 검출신호(COMPARE_OUT)는 입출력 패드(DQ)의 전압 레벨이 기준 전압(VERF)에 비해 높은지 또는 낮은지를 검출한 신호로서, 미스매치 검출신호(COMPARE_OUT)가 로우 레벨이면, 입출력 패드(DQ)의 전압 레벨이 기준 전압(VERF)에 비해 낮음과 동시에 임피던스 보상부(160)의 풀 업 임피던스가 크다는 것을 의미하고, 미스매치 검출신호(COMPARE_OUT)가 하이 레벨이면 그 반대를 의미 한다.The mismatch detection signal COMPARE_OUT detects whether the voltage level of the input / output pad DQ is higher or lower than the reference voltage VERF. If the mismatch detection signal COMP_EOUT is low, the input / output pad DQ is detected. When the voltage level is lower than that of the reference voltage VERF and the pull-up impedance of the
따라서 미스매치 검출신호(COMPARE_OUT)가 로우 레벨인 경우, 제 1 카운터(172-1)가 동작하여 임피던스 보상코드(RP_CODE<0:2>)를 증가시킨다.Therefore, when the mismatch detection signal COMPARE_OUT is at the low level, the first counter 172-1 operates to increase the impedance compensation code RP_CODE <0: 2>.
상기 임피던스 보상코드(RP_CODE<0:2>)의 증가에 비례하여 입출력 패드(DQ)의 전압 레벨이 상승하게 된다.The voltage level of the input / output pad DQ increases in proportion to the increase in the impedance compensation code RP_CODE <0: 2>.
임피던스 스트로브 신호(RTT_STROBE)가 발생할 때마다 상기 임피던스 보상코드(RP_CODE<0:2>)의 증가가 반복되고 그에 따라 입출력 패드(DQ)의 전압 레벨이 계속 상승하게 된다.Whenever the impedance strobe signal RTT_STROBE occurs, the increase of the impedance compensation code RP_CODE <0: 2> is repeated, thereby increasing the voltage level of the input / output pad DQ.
상술한 임피던스 보상코드(RP_CODE<0:2>, RN_CODE<0:2>) 조정을 반복하다 보면, 소정 시점에서 입출력 패드(DQ)의 전압 레벨이 기준 전압(VERF)과 거의 일치하게 된다. 실제로는 기준 전압(VERF)에 비해 높아지게 된다.When the above-described adjustment of the impedance compensation codes RP_CODE <0: 2> and RN_CODE <0: 2> is repeated, the voltage level of the input / output pad DQ substantially matches the reference voltage VERF at a predetermined point in time. In practice, this is higher than the reference voltage (VERF).
상기 입출력 패드(DQ)의 전압 레벨이 기준 전압(VERF)에 비해 높아졌으므로 미스매치 검출신호(COMPARE_OUT)는 하이 레벨로 천이하게 된다.Since the voltage level of the input / output pad DQ is higher than the reference voltage VERF, the mismatch detection signal COMP_E_OUT transitions to a high level.
상기 미스매치 검출신호(COMPARE_OUT)가 하이 레벨인 시점에서 이전 미스매치 검출신호(COMPARE_SHIFT)는 로우 레벨이므로, 보상코드 조정 활성화부(171)의 XOR 게이트(XOR21)의 출력 신호(COMPARE_XOR)는 하이 레벨로 천이된다.Since the previous mismatch detection signal COMPARE_SHIFT is at a low level when the mismatch detection signal COMPARE_OUT is at a high level, the output signal COMPARE_XOR of the XOR gate XOR21 of the compensation
상기 XOR 게이트(XOR21)의 출력 신호(COMPARE_XOR)가 하이 레벨이고, 제 1 플립플롭(171-2)의 출력 신호(XOR_ENABLE) 또한 하이 레벨로 유지되고 있으므로 보상코드 조정 활성화 신호(ENABLE)는 로우 레벨로 초기화된다.Since the output signal COMPARE_XOR of the XOR gate XOR21 is at a high level and the output signal XOR_ENABLE of the first flip-flop 171-2 is also maintained at a high level, the compensation code adjustment enable signal ENABLE is at a low level. Is initialized to
상기 보상코드 조정 활성화 신호(ENABLE)가 로우 레벨로 초기화되었으므로 임피던스 스트로브 신호(RTT_STROBE)의 발생에 따라 미스매치 검출신호(COMPARE_OUT)의 논리 값이 계속 변하더라도 임피던스 보상코드(RP_CODE<0:2>, RN_CODE<0:2>)는 최종 값 즉, 임피던스 보상 완료 시점의 값으로 유지된다.Since the compensation code adjustment enable signal ENABLE is initialized to a low level, the impedance compensation code RP_CODE <0: 2>, even if the logic value of the mismatch detection signal COMPPARE_OUT continues to change according to the generation of the impedance strobe signal RTT_STROBE, RN_CODE <0: 2>) is maintained at the final value, that is, the value at the completion of the impedance compensation.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.As those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features, the embodiments described above should be understood as illustrative and not restrictive in all aspects. Should be. The scope of the present invention is shown by the following claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention. do.
도 1은 도 1은 종래의 기술에 따른 반도체 집적회로의 입출력 장치의 블록도,1 is a block diagram of an input / output device of a semiconductor integrated circuit according to the prior art;
도 2는 본 발명에 따른 반도체 집적회로의 입출력 장치의 블록도,2 is a block diagram of an input / output device of a semiconductor integrated circuit according to the present invention;
도 3은 도 2의 임피던스 보상부의 회로도,3 is a circuit diagram of an impedance compensator of FIG. 2;
도 4는 도 3의 풀 업 레그의 회로도,4 is a circuit diagram of the pull up leg of FIG.
도 5는 도 3의 풀다운 레그의 회로도,5 is a circuit diagram of the pull-down leg of FIG.
도 6은 도 2의 임피던스 보상코드 생성부의 회로도,6 is a circuit diagram of an impedance compensation code generator of FIG. 2;
도 7은 본 발명에 따른 반도체 집적회로의 입출력 장치의 동작 타이밍도이다.7 is an operation timing diagram of an input / output device of a semiconductor integrated circuit according to the present invention.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
110: 리시버 120: 드라이버110: receiver 120: driver
130: 온 다이 터미네이션 블록 140: 라이트 데이터 래치부130: on die termination block 140: write data latch portion
150: 임피던스 미스매치 검출부 160: 임피던스 보상부150: impedance mismatch detection unit 160: impedance compensation unit
170: 임피던스 보상코드 생성부170: impedance compensation code generator
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