KR100827507B1

KR100827507B1 - Apparatus for Imersion Lithography

Info

Publication number: KR100827507B1
Application number: KR1020060056364A
Authority: KR
Inventors: 김진수
Original assignee: 주식회사 하이닉스반도체
Priority date: 2006-06-22
Filing date: 2006-06-22
Publication date: 2008-05-06
Also published as: KR20070121379A

Abstract

본 발명은 이머젼 리소그래피 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼 스테이지, 투영 렌즈부, 공기 배출구 및 공기 흡입구를 포함하는 종래의 이머젼 리소그래피 장치에 있어서, 상기 웨이퍼 스테이지의 측면에 워터마크 제거용 공기 배출구가 더 구비된 것을 특징으로 하는 이머젼 리소그래피 장치에 관한 것이다. 본 발명의 이머젼 리소그래피 장치는 노광장비의 구조를 간단히 변경시킴으로써 종래 이머젼 리소그래피 장치의 문제점으로 남아 있던 워터마크를 효과적으로 제거할 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an immersion lithography apparatus, and more particularly, to a conventional immersion lithography apparatus including a wafer stage, a projection lens unit, an air outlet, and an air inlet, wherein an air outlet for watermark removal is provided on a side of the wafer stage. It relates to an immersion lithographic apparatus, further comprising. The immersion lithography apparatus of the present invention can effectively remove watermarks that remained a problem of the conventional immersion lithography apparatus by simply changing the structure of the exposure apparatus.

이머젼 리소그래피, 워터마크, 디펙트 Immersion Lithography, Watermarks, Defects

Description

Immersion Lithography Apparatus {Apparatus for Imersion Lithography}

도 1a 및 도 1b는 종래 이머젼 리소그래피 장치의 구조 및 문제점을 보여주는 단면도이다.1A and 1B are cross-sectional views showing the structure and problems of a conventional immersion lithography apparatus.

도 2a 및 도 2b는 본 발명의 이머젼 리소그래피 장치의 구조 및 이로 인한 효과를 보여주는 단면도이다.2A and 2B are cross-sectional views showing the structure and effects thereof of the immersion lithographic apparatus of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10,100 ; 웨이퍼 스테이지(stage), 11,110 ; 웨이퍼,10,100; Wafer stage, 11,110; wafer,

12,120 ; 매질(물), 12' ; 워터마크(water mark),12,120; Medium (water), 12 '; Watermark,

120' ; 워터마크가 제거된 웨이퍼, 13,130 ; 투영 렌즈부,120 '; Watermark removed wafers, 13,130; Projection Lens,

14,140,140' ; 공기 배출구, 15,150 ; 공기 흡입구14,140,140 '; Air outlet, 15,150; Air intake

본 발명은 이머젼 리소그래피 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 이머젼 리소그래피 공정시 발생하여 디펙트(defect)의 원인으로 작용하는 워터마크를 효과적으로 제거할 수 있는 이머젼 리소그래피 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an immersion lithography apparatus, and more particularly, to an immersion lithography apparatus capable of effectively removing watermarks generated during an immersion lithography process and acting as a cause of defects.

현재까지 사용되어 온 리소그래피 공정은 건식 리소그래피(dry lithography) 로서, 건식 리소그래피는 노광 렌즈와 웨이퍼의 사이가 공기로 채워지는 노광 시스템을 이용한다. 이러한 건식 리소그래피를 이용하여 60 ㎚급 디바이스 개발을 하려면 F₂ 레이저 또는 EUV 레이저를 광원으로 하는 새로운 노광 시스템을 사용하여야 하는데, F2 레이저를 사용하는 경우에는 펠리클(pellicle)의 개발이 어렵고, EUV 레이저를 사용하는 경우에는 마스크 및 광원 개발에 문제가 있어 현실적으로 양산이 곤란한 실정이다. 상기와 같은 문제점을 극복하기 위해 새롭게 개발되고 있는 리소그래피 공정이 이머젼 리소그래피이다.A lithography process that has been used to date is dry lithography, which uses an exposure system in which air is filled between the exposure lens and the wafer. In order to develop a 60 nm device using dry lithography, a new exposure system using an F ₂ laser or an EUV laser as a light source must be used. When using an F ₂ laser, a pellicle is difficult to develop and an EUV laser is used. In the case of use, there is a problem in developing a mask and a light source, which is difficult to produce in reality. Immersion lithography is a new lithography process that is being developed to overcome the above problems.

이머젼 리소그래피 장치는 광원을 바꾸지 않으면서도 종래의 건식 리소그래피 장치보다 분해능을 향상시킬 수 있는 차세대 노광 장비이다. 이는 투영 렌즈와 웨이퍼 사이에 공기보다 굴절률이 높은 매질, 예컨대 물을 채움으로써 높은 개구수(numerical aperture)를 갖는 렌즈의 단점인 광원이 웨이퍼에 도달하는 입사각을 높임으로써 DOF 마진 등을 증가시키는 장점이 있다.Immersion lithography apparatuses are next-generation exposure apparatuses capable of improving resolution than conventional dry lithography apparatuses without changing the light source. This has the advantage of increasing the DOF margin, etc., by increasing the angle of incidence that the light source reaches the wafer, which is a disadvantage of a lens having a higher numerical aperture than air, such as water, by filling a medium with higher refractive index than air between the projection lens and the wafer. have.

현재 이머젼 리소그래피 장치와 방법은 아직 개발단계에 있으므로 많은 문제점들을 안고 있는데, 그중에서도 디펙트의 발생이 가장 큰 문제라 할 수 있다. 예컨대, 스캐너(scanner)에서 노광되는 영역에 따라 스테이지가 움직이고 실제 노광이 되는 부분만 매질인 물에 접촉하게 되는데, 이때 스테이지의 움직임을 따라 일부 물방울이 웨이퍼 상에 남게 되는 것이 원인이 되어 웨이퍼에 디펙트가 발생하게 된다.Immersion lithography apparatus and methods are still in the development stage, so there are many problems, and the occurrence of defects is the biggest problem. For example, the stage moves according to the area exposed by the scanner, and only the portion of the actual exposure is in contact with the medium, which is caused by some water droplets remaining on the wafer as the stage moves. The effect will occur.

도 1a 및 도 1b는 종래기술에 따른 이머젼 리소그래피 장치를 나타내는 단면 도로서, 웨이퍼 스테이지(10) 및 투영 렌즈부(13)를 포함하는 이머젼 리소그래피 장치를 도시하고 있다.1A and 1B are cross-sectional views showing an immersion lithographic apparatus according to the prior art, which shows an immersion lithographic apparatus including a wafer stage 10 and a projection lens portion 13.

도 1a를 참조하면, 웨이퍼 스테이지(10) 및 투영 렌즈부(13)를 포함하는 이머젼 리소그래피 장치의 경우, 노광부측의 공기 배출구(14)에서 웨이퍼(11)의 바닥을 향해 공기가 방출된 후 공기 흡입구(15)로 들어가게 되는 구조로 이루어져 있다. 이 경우, 도 1b를 참조하면, 웨이퍼 스테이지(10)가 이동함에 따라 웨이퍼(11) 바닥에 워터마크가 남게 되고, 이로부터 디펙트가 유발되는 문제점이 있었다.Referring to FIG. 1A, in the case of the immersion lithography apparatus including the wafer stage 10 and the projection lens unit 13, after the air is discharged toward the bottom of the wafer 11 from the air outlet 14 on the exposed side It consists of a structure that enters the air inlet (15). In this case, referring to FIG. 1B, as the wafer stage 10 moves, watermarks remain on the bottom of the wafer 11, and there is a problem that defects are caused therefrom.

본 발명은 상기와 같은 종래 이머젼 리소그래피 장치의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 웨이퍼 스테이지의 측면에서 웨이퍼 변에 비스듬하게 추가로 공기를 불어넣어 줌으로써 워터마크의 발생을 방지할 수 있는 이머젼 리소그래피 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the problems of the conventional immersion lithography apparatus as described above, an immersion lithography apparatus capable of preventing the generation of a watermark by injecting additional air obliquely to the wafer side from the side of the wafer stage. It aims to provide.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the present invention.

도 2a 및 도 2b에 본 발명에 따른 이머젼 리소그래피 장치의 단면도를 도시하였다.2A and 2B show cross-sectional views of an immersion lithographic apparatus according to the present invention.

도 2a를 참조하면, 본 발명의 이머젼 리소그래피 장치는 웨이퍼 스테이지(100), 투영 렌즈부(130), 공기 배출구(140) 및 공기 흡입구(150)를 포함하는 종래의 이머젼 리소그래피 장치에 있어서, 상기 웨이퍼 스테이지(100)의 측면에 워터 마크 제거용 공기 배출구(140')가 더 구비된 것을 특징으로 한다.Referring to FIG. 2A, the immersion lithography apparatus of the present invention includes a wafer stage 100, a projection lens unit 130, an air outlet 140, and an air inlet 150. A water mark removal air outlet 140 ′ is further provided on the side of the stage 100.

도 2b를 참조하면, 노광부측의 공기 배출구(140)에서 뿐만 아니라 웨이퍼 스테이지(100)의 측면에서도 물과 웨이퍼가 닿는 부분에 화살표 방향으로 비스듬히 공기를 불어넣어 웨이퍼상에 남아 있는 물방울을 밀어줌으로써 종래 이머젼 리소그래피 장치의 문제점이었던 워터마크가 생기지 않게 된다.Referring to FIG. 2B, by injecting air obliquely in the direction of the arrow to the part where the water and the wafer contact each other not only at the air outlet 140 of the exposure part but also at the side of the wafer stage 100 to push the water droplets remaining on the wafer. The watermark which was a problem of the conventional immersion lithography apparatus is not generated.

상기에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 이머젼 리소그래피 장치는 노광장비의 구조를 간단히 변경시킴으로써 종래 이머젼 리소그래피 장치의 문제점으로 남아 있던 워터마크를 효과적으로 제거할 수 있다.As described above, the immersion lithography apparatus of the present invention can effectively remove the watermark that remains a problem of the conventional immersion lithography apparatus by simply changing the structure of the exposure apparatus.

Claims

An immersion lithographic apparatus comprising a wafer stage, a projection lens unit, an air outlet, and an air inlet, wherein an immersion lithography apparatus is further provided on a side of the wafer stage.