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KR100713347B1 - Image sensor assembly and fabrication methdo thereof - Google Patents

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KR100713347B1
KR100713347B1 KR1020040089865A KR20040089865A KR100713347B1 KR 100713347 B1 KR100713347 B1 KR 100713347B1 KR 1020040089865 A KR1020040089865 A KR 1020040089865A KR 20040089865 A KR20040089865 A KR 20040089865A KR 100713347 B1 KR100713347 B1 KR 100713347B1
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윤영권
문기태
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Abstract

본 발명에 따른 이미지 센서 조립체는, 그 표면에 노출된 수광 회로를 갖는 이미지 검출을 위한 이미지 센서와; 그 표면 상의 기설정된 영역을 한정하도록 상기 표면으로부터 돌출된 지지대를 구비하며, 상기 지지대가 상기 수광 회로를 둘러싸도록 상기 이미지 센서의 표면에 부착된 투명 커버를 포함하며, 상기 수광 회로는 상기 투명 커버에 의해 밀봉된다.An image sensor assembly according to the present invention comprises: an image sensor for image detection having a light receiving circuit exposed on a surface thereof; And a support protruding from the surface to define a predetermined area on the surface, wherein the support includes a transparent cover attached to the surface of the image sensor so as to surround the light receiving circuit, the light receiving circuit having Is sealed by.

이미지 센서, 패키징, 지지대, 투명 커버Image Sensors, Packaging, Supports, Clear Covers

Description

이미지 센서 조립체 및 그 제작 방법{IMAGE SENSOR ASSEMBLY AND FABRICATION METHDO THEREOF} IMAGE SENSOR ASSEMBLY AND FABRICATION METHDO THEREOF             

도 1은 종래의 COF 방식을 설명하기 위한 도면,1 is a view for explaining a conventional COF scheme,

도 2는 종래의 COB 방식을 설명하기 위한 도면,2 is a view for explaining a conventional COB scheme,

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 이미지 센서 조립체를 나타내는 도면,3 shows an image sensor assembly according to a preferred embodiment of the present invention;

도 4 내지 14는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 이미지 센서 조립체의 제작 방법을 설명하기 위한 도면들.4 to 14 are views for explaining a manufacturing method of the image sensor assembly according to a preferred embodiment of the present invention.

본 발명은 이미지 센서(image sensor)에 관한 것으로서, 특히 수광 회로(light receiving circuit)가 밀봉된 이미지 센서 조립체 및 그 제작 방법에 관한 것이다. 상기 수광 회로는 외부로부터 이미지를 입력받는 부분이다. TECHNICAL FIELD The present invention relates to an image sensor, and more particularly, to an image sensor assembly sealed with a light receiving circuit and a method of manufacturing the same. The light receiving circuit is a part that receives an image from the outside.

휴대 전화용 카메라 모듈(camera module)은 점점 자동초점기능, 광학줌 기능 등 다양한 부가기능을 갖도록 진화하고 있다. 특히, 디지탈 카메라 수준의 고화소로 빠르게 옮겨가고 있는 동시에 사이즈(size)의 소형화가 요구된다. 카메라 모듈에 구비되는 이미지 센서를 패키징(packaging)하는 방식에는 크게 COB(chip on board) 방식, COF(chip on film) 방식 등이 존재하며, 고화소 카메라 모듈에서는 공정이 안정적인 COB 방식이 선호되고 있다. 1 메가(mega) 이하의 저화소급에서는 대량 생산이 용이한 COF 방식이 주로 적용되고 있다. 이미지 센서의 패키징 공정은 이미지 센서가 외부와 전기 신호를 교신하도록 하며, 외부의 충격에 견딜 수 있도록 밀봉하는 공정을 말한다. 이미지 센서는 영상 신호를 전기 신호로 변환하는 반도체 칩으로서, 크게 CMOS(complementary metal oxide semiconductor) 이미지 센서와, CCD(charger coupled devices) 이미지 센서로 나눌 수 있다. Camera modules for mobile phones are gradually evolving to have various additional functions such as autofocus and optical zoom. In particular, while moving quickly to a high pixel level of a digital camera, a downsizing of the size is required. There are largely a chip on board (COB) method, a chip on film (COF) method, etc. as a method of packaging an image sensor included in the camera module, and a COB method having a stable process is preferred in a high pixel camera module. In low pixel class below 1 mega, COF method which is easy to mass production is mainly applied. The packaging process of the image sensor refers to a process in which the image sensor communicates electrical signals with the outside, and is sealed to withstand external shocks. The image sensor is a semiconductor chip that converts an image signal into an electrical signal, and may be roughly divided into a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor and a charge coupled device (CCD) image sensor.

도 1은 종래의 COF 방식을 설명하기 위한 도면이다. COF 방식은 수광 회로(135)를 갖는 이미지 센서(130)의 표면에 외부 접속 단자인 범프를 형성하고(범핑(bumping)이라고 칭함), 연성 인쇄회로기판(flexible printed circuit board: FPCB, 110)에 구비된 홀(hole, 115) 상단을 덮도록 적외선 차단 필터(infra-red cut-off filter: IR filter) 또는 글래스와 같은 투명 커버(transparent cover, 140)를 에폭시(epoxy)로 디스펜싱(dispensing)하여 상기 연성 인쇄회로기판(110)에 부착하며, 상기 홀(115)의 하단 둘레에 배치된 도전성 접착제인 ACF(anisotropic conductive film, 120)와 상기 범프가 접촉되도록 상기 이미지 센서(130)를 상기 연성 인쇄회로기판(110)의 하단에 부착시키는(플립칩 본딩(flip chip bonding)이라고 칭함) 방식을 말한다. COF 방식은 상기 이미지 센서(130)를 상기 연성 인쇄회로 기판(110)의 하단에 부착시키기 때문에 소형화에 유리하다. COF 방식은 자동화에 어려움이 있으나, 30만 화소급 CMOS 이미지 센서를 적용하는 카메라 모듈에서는 점차 보편적인 양산 방법으로 적용되고 있다. 1 is a view for explaining a conventional COF method. The COF method forms bumps, which are external connection terminals (called bumping), on the surface of the image sensor 130 having the light receiving circuit 135, and the flexible printed circuit board (FPCB, 110). Dispensing of an epoxy transparent transparent cover 140 such as an infrared-red cut-off filter (IR filter) or glass to cover the top of the provided hole (115) Attaching to the flexible printed circuit board 110 and contacting the bump with the anisotropic conductive film (ACF) 120, which is a conductive adhesive disposed around the bottom of the hole 115. It refers to a method of attaching to the lower end of the printed circuit board 110 (called flip chip bonding). The COF method is advantageous in miniaturization because the image sensor 130 is attached to the lower end of the flexible printed circuit board 110. The COF method is difficult to automate, but the camera module adopting a 300,000-pixel CMOS image sensor is gradually applied as a general mass production method.

도 2는 종래의 COB 방식을 설명하기 위한 도면이다. COB 방식은 인쇄회로기판(210) 상에 수광 회로를 갖는 이미지 센서(220)를 부착하고(다이 접착(die attaching)이라고 칭함), 상기 인쇄회로기판(210)과 상기 이미지 센서(220)를 와이어(240)와 패드(pad, 230)를 이용하여 전기적으로 연결하는(와이어 본딩(wire bonding)이라고 칭함) 방식을 말한다. 2 is a view for explaining a conventional COB method. The COB method attaches an image sensor 220 having a light receiving circuit on a printed circuit board 210 (called die attaching), and wires the printed circuit board 210 and the image sensor 220 to each other. Refers to a method of electrically connecting (called wire bonding) using a 240 and a pad 230.

그러나, 상술한 바와 같은 패키징 방식들은 아래와 같은 문제점이 있다. However, the above-described packaging schemes have the following problems.

첫 째, COF 방식은 연성 인쇄회로기판(110)에 이미지 센서(130)를 플립칩 본딩할 때, 상기 이미지 센서(130)의 수광 회로(135)가 노출되어 있어서 본딩 수율(bonding yield)과 관계없이 오염에 의한 불량이 발생할 가능성이 크다는 문제점이 있다. 또한, 적외선 차단 필터 또는 글래스를 부착하는 공정에서도 오염에 대하여 취약하다는 문제점이 있다. First, in the COF method, when the flip chip bonding of the image sensor 130 to the flexible printed circuit board 110 is performed, the light receiving circuit 135 of the image sensor 130 is exposed, and thus the bonding yield is related to the bonding yield. There is a problem that a defect is likely to occur due to contamination without. In addition, there is a problem in that the process of attaching the infrared cut filter or glass is vulnerable to contamination.

둘 째, COB 방식은 와이어 본딩 공정시 이미지 센서(220)의 수광 회로가 노출되어 있어서 역시 오염에 의한 불량 가능성이 높다는 문제점이 있다. CLCC(ceramic leadless chip carrier) 타입과 같이 상기 이미지 센서를 글래스로 밀봉하여 상기 이미지 센서(220)의 오염을 방지할 수 있으나 그 사이즈가 커지는 문제점이 발생하며, 기본적으로 와이어 본딩 공정시 상기 수광 회로가 노출되므로 오염에 대하여 근본적인 해결 방법은 되지 못한다. Secondly, the COB method has a problem in that the light receiving circuit of the image sensor 220 is exposed during the wire bonding process, and thus there is a high possibility of a defect due to contamination. Like the CLCC (ceramic leadless chip carrier) type, the image sensor may be sealed with glass to prevent contamination of the image sensor 220, but the size thereof may increase, and the light receiving circuit may be used during the wire bonding process. Exposure is not a fundamental solution to contamination.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 패키징 공정에서 오염을 최소화할 수 있는 이미지 센서 조립체 및 그 제작 방법을 제공함에 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide an image sensor assembly and a method of manufacturing the same that can minimize contamination in a packaging process.

상기한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 이미지 센서 조립체는, 그 표면에 노출된 수광 회로를 갖는 이미지 검출을 위한 이미지 센서와; 그 표면 상의 기설정된 영역을 한정하도록 상기 표면으로부터 돌출된 지지대를 구비하며, 상기 지지대가 상기 수광 회로를 둘러싸도록 상기 이미지 센서의 표면에 부착된 투명 커버를 포함하며, 상기 수광 회로는 상기 투명 커버에 의해 밀봉된다.In order to solve the above problems, an image sensor assembly according to the present invention comprises: an image sensor for image detection having a light receiving circuit exposed on a surface thereof; And a support protruding from the surface to define a predetermined area on the surface, wherein the support includes a transparent cover attached to the surface of the image sensor so as to surround the light receiving circuit, the light receiving circuit being attached to the transparent cover. Is sealed by.

또한, 본 발명에 따른 이미지 센서 조립체의 제작 방법은, 이미지 검출을 위한 복수의 이미지 센서 칩들로 구분되며, 상기 각 칩은 그 표면에 노출된 수광 회로를 갖는 이미지 센서 웨이퍼를 제공하는 과정과; 각각 그 표면 상의 기설정된 영역을 한정하도록 상기 표면으로부터 돌출된 지지대를 갖는 복수의 투명 커버 칩들을 제공하는 과정과; 그 지지대가 해당 수광 회로를 둘러싸도록 상기 각 투명 커버 칩을 상기 이미지 센서 웨이퍼의 표면에 부착시킴으로써, 상기 투명 커버 칩을 이용하여 상기 수광 회로를 밀봉시키는 과정과; 상기 이미지 센서 웨이퍼를 칩 단위로 절단하는 과정을 포함한다.
In addition, the manufacturing method of the image sensor assembly according to the present invention is divided into a plurality of image sensor chips for image detection, each chip comprising the steps of providing an image sensor wafer having a light receiving circuit exposed on its surface; Providing a plurality of transparent cover chips each having a support projecting from the surface to define a predetermined area on the surface; Attaching each transparent cover chip to a surface of the image sensor wafer such that its support surrounds the light receiving circuit, thereby sealing the light receiving circuit using the transparent cover chip; And cutting the image sensor wafer in chip units.

이하에서는 첨부도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능이나 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 모호하지 않게 하기 위하여 생략한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention; In describing the present invention, detailed descriptions of related well-known functions and configurations are omitted in order not to obscure the subject matter of the present invention.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 이미지 센서 조립체를 나타내는 도면이다. 상기 이미지 센서 조립체(300)는 이미지 센서(310)와, 투명 커버(320)를 포함한다. 3 illustrates an image sensor assembly according to a preferred embodiment of the present invention. The image sensor assembly 300 includes an image sensor 310 and a transparent cover 320.

상기 이미지 센서(310)는 전체적으로 사각판(rectangular plate)의 형상을 가지며, 그 표면에 노출된 수광 회로(312)와, 상기 수광 회로(312)의 둘레에 배열된 복수의 외부 접속 단자들(314)을 갖는다. 상기 수광 회로(312)는 사각형의 형상을 가지며, 상기 이미지 센서(310) 표면의 중심부에 위치한다. 상기 외부 접속 단자들(314)은 상기 수광 회로(312)의 가장 자리로부터 1㎜로 이격되어 사각형의 형상으로 상기 이미지 센서(310)의 표면에 배치된다. 또한, 상기 외부 접속 단자들(314)은 서로 기설정된 간격으로 이격되어 있다. 상기 이미지 센서(310)는 CMOS 이미지 센서 또는 CCD 이미지 센서일 수 있으며, 상기 외부 접속 단자들(314)은 범프들 또는 패드들일 수 있다. The image sensor 310 generally has a shape of a rectangular plate, and includes a light receiving circuit 312 exposed on a surface thereof and a plurality of external connection terminals 314 arranged around the light receiving circuit 312. Has The light receiving circuit 312 has a rectangular shape and is located at the center of the surface of the image sensor 310. The external connection terminals 314 are disposed on the surface of the image sensor 310 in a rectangular shape spaced 1 mm from the edge of the light receiving circuit 312. In addition, the external connection terminals 314 are spaced apart from each other at predetermined intervals. The image sensor 310 may be a CMOS image sensor or a CCD image sensor, and the external connection terminals 314 may be bumps or pads.

상기 투명 커버(320)는 전체적으로 사각판의 형상을 가지며, 그 표면의 사각형의 중심부를 한정하도록 상기 표면으로부터 돌출된 사각 프레임 형상의 지지대(support, 325)를 갖는다. 상기 지지대(325)의 일측(side)은 사각형의 단면 형상을 가지며 50㎛의 폭과 70~100㎛의 높이를 갖는다. 상기 투명 커버는 적외선 차단 필터 또는 글래스일 수 있다. The transparent cover 320 has a shape of a rectangular plate as a whole, and has a support 325 having a rectangular frame shape protruding from the surface to define a central portion of the quadrangle of the surface. One side of the support 325 has a rectangular cross-sectional shape and has a width of 50 μm and a height of 70-100 μm. The transparent cover may be an infrared cut filter or glass.

도시된 바와 같이, 상기 이미지 센서(310)의 수광 회로(312)는 상기 투명 커 버(320)에 의해 밀봉된다. 상기 투명 커버(320)는 그 지지대(325)가 상기 이미지 센서(310)의 수광 회로(312)를 둘러싸도록 접착제인 자외선 경화성 에폭시(UV epoxy, 330)를 이용하여 상기 이미지 센서(310)의 표면에 부착된다. 상기 수광 회로(312)의 가장자리와 상기 지지대(325)와의 간격은 450㎛이며, 상기 지지대(325)와 상기 외부 접속 단자들(314)과의 간격은 500㎛이다. 상기 지지대(325)의 외측 둘레는 통상의 액상 밀봉제(liquid encapsulant, 340)를 이용하여 밀봉된다. 상기 밀봉제(340)는 보조 수단으로서 상기 투명 커버(320)에 더하여 상기 수광 회로(312)를 더욱 견고하게 밀봉하는 용도로 사용된다. As shown, the light receiving circuit 312 of the image sensor 310 is sealed by the transparent cover 320. The transparent cover 320 has a surface of the image sensor 310 using an ultraviolet curable epoxy (UV epoxy, 330) such that its support 325 surrounds the light receiving circuit 312 of the image sensor 310. Is attached to. An interval between the edge of the light receiving circuit 312 and the support 325 is 450 μm, and a distance between the support 325 and the external connection terminals 314 is 500 μm. The outer circumference of the support 325 is sealed using a conventional liquid encapsulant 340. The sealant 340 is used to seal the light receiving circuit 312 more firmly in addition to the transparent cover 320 as an auxiliary means.

도 4 내지 14는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 이미지 센서 조립체의 제작 방법을 설명하기 위한 도면들이다. 상기 제작 방법은 크게 하기하는 (a)~(d) 과정들을 포함한다.4 to 14 are views for explaining a manufacturing method of the image sensor assembly according to a preferred embodiment of the present invention. The manufacturing method includes the following steps (a) to (d).

(a) 과정은 이미지 검출을 위한 복수의 이미지 센서 칩들로 구분되며, 상기 각 칩은 그 표면에 노출된 수광 회로를 갖는 이미지 센서 웨이퍼를 제공하는 과정이다. 도 4를 참조하면, 이미지 센서 웨이퍼(410)와, 상기 이미지 센서 웨이퍼(410)를 구성하는 복수의 이미지 센서 칩들(420)이 도시되어 있다. 상기 각 이미지 센서 칩(420)은 전체적으로 사각판의 형상을 가지며, 그 표면에 노출된 수광 회로(422)와, 상기 수광 회로(422)의 둘레에 배열된 복수의 외부 접속 단자들(424)을 갖는다. 상기 수광 회로(422)는 사각형의 형상을 가지며, 상기 이미지 센서 칩(420) 표면의 중심부에 위치한다. 상기 외부 접속 단자들(424)은 상기 수광 회로(422)의 가장 자리로부터 1㎜로 이격되어 사각형의 형상으로 상기 이미지 센서 칩 (420)의 표면에 배치된다. 또한, 상기 외부 접속 단자들(424)은 서로 기설정된 간격으로 이격되어 있다. The process (a) is divided into a plurality of image sensor chips for image detection, and each chip is a process of providing an image sensor wafer having a light receiving circuit exposed on the surface thereof. Referring to FIG. 4, an image sensor wafer 410 and a plurality of image sensor chips 420 constituting the image sensor wafer 410 are illustrated. Each image sensor chip 420 has a rectangular plate shape as a whole, and includes a light receiving circuit 422 exposed on a surface thereof and a plurality of external connection terminals 424 arranged around the light receiving circuit 422. Have The light receiving circuit 422 has a quadrangular shape and is located at the center of the surface of the image sensor chip 420. The external connection terminals 424 are disposed on the surface of the image sensor chip 420 in a rectangular shape spaced 1 mm from the edge of the light receiving circuit 422. In addition, the external connection terminals 424 are spaced apart from each other at predetermined intervals.

(b) 과정은 각각 그 표면 상의 기설정된 영역을 한정하도록 상기 표면으로부터 돌출된 지지대를 갖는 복수의 투명 커버 칩들을 제공하는 과정이다. 상기 (b) 과정은 하기하는 (b-1)~(b-6) 서브 과정들을 포함한다. (b) is a process of providing a plurality of transparent cover chips each having a support projecting from the surface to define a predetermined area on the surface. The process (b) includes the following sub-processes (b-1) to (b-6).

도 5에 도시된 바와 같이, (b-1) 과정은 복수의 투명 커버 칩들(520)로 구성된 투명 커버 웨이퍼(510)를 제공하는 과정이다. As shown in FIG. 5, the process (b-1) is a process of providing a transparent cover wafer 510 composed of a plurality of transparent cover chips 520.

이하의 과정들은 이해의 편이를 위해 칩 단위로 기술하기로 한다. The following steps will be described in chip units for ease of understanding.

도 6에 도시된 바와 같이, (b-2) 과정은 상기 투명 커버 칩(520) 상에 포토레지스트(photoresist, 530)를 도포하는 과정이다. As shown in FIG. 6, the process (b-2) is a process of applying a photoresist 530 on the transparent cover chip 520.

도 7에 도시된 바와 같이, (b-3) 과정은 상기 포토레지스트(530)가 사각 프레임의 형상을 갖도록 상기 포토레지스트(530)를 패터닝(patterning)하는 과정이다. As shown in FIG. 7, the process (b-3) is a process of patterning the photoresist 530 such that the photoresist 530 has a rectangular frame shape.

도 8에 도시된 바와 같이, (b-4) 과정은 상기 패터닝된 포토레지스트(530)를 이용하여 상기 투명 커버 칩(520)를 식각하여 사각 프레임 형상의 지지대(525)를 형성하는 과정이다. 이 때, 상기 지지대(525)의 일측(side)은 사각형의 단면 형상을 가지며 50㎛의 폭과 70~100㎛의 높이를 갖는다.As shown in FIG. 8, step (b-4) is a process of forming the support frame 525 having a rectangular frame shape by etching the transparent cover chip 520 using the patterned photoresist 530. At this time, one side of the support 525 has a rectangular cross-sectional shape and has a width of 50 μm and a height of 70-100 μm.

도 9에 도시된 바와 같이, (b-5) 과정은 상기 지지대(525)의 상단에 적층된 포토레지스트(530)를 제거하는 과정이다. As shown in FIG. 9, the process (b-5) is a process of removing the photoresist 530 stacked on the top of the support 525.

이상의 (b-2)~(b-5) 과정은 상기 투명 커버 칩(520)이 기설정된 패턴을 갖도 록 사진 식각하는 공정을 세분하여 기술한 것이다. Steps (b-2) to (b-5) above describe the process of photo-etching the transparent cover chip 520 to have a predetermined pattern.

도 10에 도시된 바와 같이, (b-6) 과정은 상술한 과정들을 거친 투명 커버 웨이퍼(510)를 칩 단위로 절단하여 독립된 복수의 투명 커버 칩들(520)을 얻는 과정(싱귤레이션(singulation) 과정이라고 칭함)이다. As shown in FIG. 10, the process (b-6) is a process of cutting the transparent cover wafer 510 that has undergone the above-described processes in units of chips to obtain a plurality of independent transparent cover chips 520 (singulation). Process).

도 11은 도 10에 도시된 투명 커버 칩(520)의 지지대(525)의 일측을 SEM(scanning electron microscopy)을 이용하여 사진 촬영한 것을 나타낸 도면이다. FIG. 11 is a view illustrating photographing one side of the support 525 of the transparent cover chip 520 illustrated in FIG. 10 using scanning electron microscopy (SEM).

(c) 과정은 그 지지대(525)가 해당 수광 회로(422)를 둘러싸도록 상기 각 투명 커버 칩(520)을 상기 이미지 센서 웨이퍼(410)의 표면에 부착시킴으로써, 상기 투명 커버 칩(520)을 이용하여 상기 수광 회로(422)를 밀봉시키는 과정이다. 상기 (c) 과정은 하기하는 (c-1)~(c-4) 서브 과정들을 포함한다. The process (c) attaches the transparent cover chip 520 to the surface of the image sensor wafer 410 so that the support 525 surrounds the light receiving circuit 422, thereby removing the transparent cover chip 520. It is a process of sealing the light receiving circuit 422 by using. The process (c) includes the following sub-processes (c-1) to (c-4).

도 12에 도시된 바와 같이, (c-1) 과정은 도 4에 도시된 이미지 센서 웨이퍼(410)의 각 이미지 센서 칩(420)에 대하여 해당 수광 회로(422)의 가장 자리로부터 450㎛로 이격된 사각 프레임 형태로 접착제인 자외선 경화성 에폭시(610)를 디스펜싱하는 과정이다. 상기 자외선 경화성 에폭시(610)의 일측은 50㎛의 폭을 갖는다. 통상의 디스펜싱 장비는 20㎛~50㎛ 폭으로 에폭시 유량을 조절할 수 있으므로, 상기 지지대의 일측 폭을 50㎛로 하는 것에 대한 공정상의 어려움은 없을 것이다. As shown in FIG. 12, the process (c-1) is spaced at 450 μm from the edge of the light receiving circuit 422 with respect to each image sensor chip 420 of the image sensor wafer 410 shown in FIG. 4. The process of dispensing the ultraviolet curable epoxy 610, the adhesive in the form of a rectangular frame. One side of the ultraviolet curable epoxy 610 has a width of 50㎛. Conventional dispensing equipment can adjust the epoxy flow rate in a width of 20㎛ ~ 50㎛, there will be no process difficulty for the width of one side of the support to 50㎛.

도 13에 도시된 바와 같이, (c-2) 과정은 도 10에 도시된 바와 같은 투명 커버 칩들(520)을 상기 이미지 센서 웨이퍼(410)의 이미지 센서 칩들(420)에 부착시키는 과정으로서, 상기 각 투명 커버 칩(520)의 지지대(525)는 해당 이미지 센서 칩(420)의 자외선 경화성 에폭시(610) 상에 놓여진다. 상기 지지대(525)가 상기 이미지 센서 칩(420)의 수광 회로(422)를 둘러싸게 됨으로써, 상기 수광 회로(422)는 상기 투명 커버 칩(520)에 의해 밀봉된다. As illustrated in FIG. 13, the process (c-2) attaches the transparent cover chips 520 as shown in FIG. 10 to the image sensor chips 420 of the image sensor wafer 410. A support 525 of each transparent cover chip 520 is placed on the ultraviolet curable epoxy 610 of the corresponding image sensor chip 420. Since the support 525 surrounds the light receiving circuit 422 of the image sensor chip 420, the light receiving circuit 422 is sealed by the transparent cover chip 520.

(c-3) 과정은 상기 자외선 경화성 에폭시(610)에 자외선을 조사함으로써, 상기 자외선 경화성 에폭시(610)를 경화시키는 과정이다. (c-3) is a process of curing the ultraviolet curable epoxy 610 by irradiating the ultraviolet curable epoxy 610 with ultraviolet rays.

도 14에 도시된 바와 같이, (c-4) 과정은 상기 지지대의 외측 둘레를 통상의 액상 밀봉제(620)를 이용하여 밀봉하는 과정이다. 먼저, 상기 지지대(525)의 외측 둘레에 밀봉제(620)를 디스펜싱한 후, 상기 밀봉제(620)를 경화시킨다. 상기 밀봉제(620)가 열경화성인 경우에는 상기 밀봉제(620)에 열을 가하여 경화시킨다. 통상의 니들 타입(niddle type) 디스펜싱 장비를 사용하면 상기 밀봉제가 상기 외부 접속 단자(424)와 접촉하지 않도록 하는 공간이 350㎛ 정도 필요하다. 또한, 젯팅 타입(jetting type)의 디스펜싱 장비를 사용하면 필요공간을 150㎛ 정도로 줄일 수 있다. 따라서, 상기 외부 접속 단자(424)까지 밀봉수지가 침범하는 일은 막을 수 있다. 상기 이미지 센서 칩(420)의 수광부(422)와 상기 외부 접속 단자(424)와의 사이에 1㎜ 정도의 공간이 있으므로, 공정상의 큰 어려움이 없다. As shown in FIG. 14, the process (c-4) is a process of sealing the outer circumference of the support using a conventional liquid sealant 620. First, after dispensing the sealant 620 around the outer circumference of the support 525, the sealant 620 is cured. When the sealant 620 is thermosetting, it is cured by applying heat to the sealant 620. Using a conventional needle type dispensing equipment requires about 350 μm of space to prevent the sealant from contacting the external connection terminal 424. In addition, the use of jetting type dispensing equipment can reduce the required space to about 150㎛. Therefore, the sealing resin can be prevented from invading the external connection terminal 424. Since there is a space of about 1 mm between the light receiving unit 422 of the image sensor chip 420 and the external connection terminal 424, there is no great difficulty in the process.

(d) 과정은 상기 이미지 센서 웨이퍼(410)를 칩 단위로 절단(sawing)함으로써, 복수의 이미지 센서 조립체(700)를 형성하는 과정이다. Step (d) is a process of forming the plurality of image sensor assemblies 700 by sawing the image sensor wafer 410 in units of chips.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 이미지 센서 조립체는 투명 커버를 이용 하여 수광부를 밀봉함으로써, 이후의 패키징 공정, 즉 COB 방식의 와이어 본딩 공정이나 COF 방식의 플립칩 본딩 공정 중 어느 공정을 진행하더라도 상기 수광부의 오염을 방지할 수 있다는 이점이 있다. As described above, the image sensor assembly according to the present invention seals the light receiving unit using a transparent cover, so that any of the subsequent packaging processes, that is, COB-type wire bonding process or COF-type flip chip bonding process, may be performed. There is an advantage that the contamination of the light receiving portion can be prevented.

Claims (10)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 이미지 센서 조립체의 제작 방법에 있어서,In the manufacturing method of the image sensor assembly, (a) 이미지 검출을 위한 복수의 이미지 센서 칩들로 구분되며, 상기 각 칩은 그 표면에 노출된 수광 회로를 갖는 이미지 센서 웨이퍼를 제공하는 과정과;(a) providing an image sensor wafer having a plurality of image sensor chips for image detection, each chip having a light receiving circuit exposed on a surface thereof; (b) 각각 그 표면 상의 기설정된 영역을 한정하도록 상기 표면으로부터 돌출된 지지대를 갖는 복수의 투명 커버 칩들을 제공하는 과정과;(b) providing a plurality of transparent cover chips each having a support projecting from the surface to define a predetermined area on the surface; (c) 그 지지대가 해당 수광 회로를 둘러싸도록 상기 각 투명 커버 칩을 상기 이미지 센서 웨이퍼의 표면에 부착시킴으로써, 상기 투명 커버 칩을 이용하여 상기 수광 회로를 밀봉시키는 과정과;(c) sealing the light receiving circuit using the transparent cover chip by attaching each transparent cover chip to a surface of the image sensor wafer such that its support surrounds the light receiving circuit; (d) 상기 이미지 센서 웨이퍼를 칩 단위로 절단하는 과정을 포함하고, 상기 (b) 과정은,(d) cutting the image sensor wafer in chip units, and (b) the process includes: (b-1) 투명 커버 칩 상에 포토레지스트를 도포하는 과정과; (b-1) applying a photoresist on the transparent cover chip; (b-2) 상기 포토레지스트가 사각 프레임의 형상을 갖도록 상기 포토레지스트를 패터닝하는 과정과;(b-2) patterning the photoresist such that the photoresist has a rectangular frame shape; (b-3) 상기 패터닝된 포토레지스트를 이용하여 상기 투명 커버 칩을 식각하여 사각 프레임 형상의 지지대를 형성하는 과정을 포함함을 특징으로 하는 이미지 센서 조립체의 제작 방법.(b-3) forming the support frame having a rectangular frame shape by etching the transparent cover chip using the patterned photoresist. 제8항에 있어서, 상기 (c) 과정은,The method of claim 8, wherein (c) comprises: (c-1) 이미지 센서 웨이퍼의 각 이미지 센서 칩에 대하여 해당 수광 회로의 가장 자리로부터 기설정된 거리로 이격된 사각 프레임 형태로 접착제를 디스펜싱하는 과정과;(c-1) dispensing the adhesive with respect to each image sensor chip of the image sensor wafer in the form of a square frame spaced apart from the edge of the light receiving circuit by a predetermined distance; (c-2) 상기 각 지지대가 해당 이미지 센서 칩의 접착제 상에 놓여지도록 상기 투명 커버 칩들을 상기 이미지 센서 웨이퍼의 이미지 센서 칩들에 부착시키는 과정을 포함함을 특징으로 하는 이미지 센서 조립체의 제작 방법.(c-2) attaching the transparent cover chips to the image sensor chips of the image sensor wafer such that each support rests on the adhesive of the corresponding image sensor chip. 제8항에 있어서, 상기 (c) 과정은,The method of claim 8, wherein (c) comprises: (c-3) 상기 각 지지대의 외측 둘레를 밀봉제를 이용하여 밀봉하는 과정을 더 포함함을 특징으로 하는 이미지 센서 조립체의 제작 방법.(c-3) The method of manufacturing an image sensor assembly further comprising the step of sealing the outer periphery of each support using a sealant.
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