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KR100719563B1 - Light emitting device using electron emission and flat display apparatus using the same - Google Patents

Light emitting device using electron emission and flat display apparatus using the same Download PDF

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KR100719563B1
KR100719563B1 KR1020050096492A KR20050096492A KR100719563B1 KR 100719563 B1 KR100719563 B1 KR 100719563B1 KR 1020050096492 A KR1020050096492 A KR 1020050096492A KR 20050096492 A KR20050096492 A KR 20050096492A KR 100719563 B1 KR100719563 B1 KR 100719563B1
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light emitting
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phosphor
electron emission
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손승현
김성수
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삼성에스디아이 주식회사
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Abstract

본 발명의 목적은 구동전압을 낮출 수 있고, 발광효율을 향상시킬 수 있는 새로운 전자 방출 발광 소자와 이를 구비한 평판 디스플레이 장치를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은 재현성과 신뢰성을 가지면서 나노 갭을 형성할 수 있는 새로운 구조의 전자 방출 발광 소자를 제공하는 것이다. 이를 위하여 본 발명에서는, 제1전극; 상기 제1전극과 소정의 간격을 두고 배치된 제2 전극; 상기 제1전극과 상기 제2전극의 사이에 배치되어 간격을 유지하는 나노갭 형성막; 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이의 간격의 상측에 배치된 기판; 상기 기판에 배치된 제3전극; 및 상기 제3전극에 인접하여 형성된 형광체를 포함하는 전자 방출 발광 소자 및 이를 이용한 평판 디스플레이 장치를 제공한다. Disclosure of Invention An object of the present invention is to provide a novel electron emitting light emitting device capable of lowering driving voltage and improving luminous efficiency and a flat panel display device having the same. It is also an object of the present invention to provide an electron emitting light emitting device having a novel structure capable of forming a nano gap while having reproducibility and reliability. To this end, in the present invention, the first electrode; A second electrode disposed at a predetermined distance from the first electrode; A nanogap formation film disposed between the first electrode and the second electrode to maintain a gap; A substrate disposed above the gap between the first electrode and the second electrode; A third electrode disposed on the substrate; And an electron emission light emitting device including a phosphor formed adjacent to the third electrode, and a flat panel display device using the same.

Description

전자 방출 발광 소자 및 이를 이용한 평판 디스플레이 장치{Light emitting device using electron emission and flat display apparatus using the same}Light emitting device using electron emission and flat display apparatus using the same

도 1은 종래의 SCE형 전자 방출 발광 소자의 구성을 개략적으로 보여주는 도면. 1 is a view schematically showing the configuration of a conventional SCE type electron emission light emitting device.

도 2는 도 1의 II 부분의 확대도. FIG. 2 is an enlarged view of part II of FIG. 1. FIG.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 발광 소자의 구성을 보여주는 사시도. Figure 3 is a perspective view showing the configuration of an electron emitting light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 IV 방향에서 본 단면도. 4 is a sectional view seen from the IV direction of FIG.

도 5는 도 4의 V 부분의 확대도. 5 is an enlarged view of a portion V of FIG. 4.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자 방출 발광 소자의 구성을 보여주는 사시도. Figure 6 is a perspective view showing the configuration of an electron emitting light emitting device according to another embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명에 따른 전자 방출 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일례를 보여주는 도면. 7 is a view showing an example of a display apparatus using an electron emission light emitting device according to the present invention.

도 8은 도 7의 VIII-VIII 선을 따라 취한 단면도. 8 is a cross-sectional view taken along the line VIII-VIII of FIG. 7.

〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>

10: 제1패널 11: 제1기판10: First Panel 11: First Board

12: 제3전극 13: 형광체층12: third electrode 13: phosphor layer

20: 제2패널 21: 제2기판20: second panel 21: second substrate

22: 게이트 전극 23: 캐소오드 전극22: gate electrode 23: cathode electrode

24, 24': 전자 방출원 30, 30': 전자 방출 발광 소자24, 24 ': electron emission source 30, 30': electron emission light emitting element

31: 제1전극 32: 나노갭 형성막31: first electrode 32: nanogap forming film

33: 제2전극 700: 평판 디스플레이 장치33: second electrode 700: flat panel display device

본 발명은 전자 방출 발광 소자(light emitting device using electron emission) 및 이를 이용한 평판 디스플레이 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 구동전압(driving voltage)을 낮고, 발광 효율(luminous efficiency)이 큰 전자 방출 발광 소자 및 이를 이용한 평판 디스플레이 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device using electron emission and a flat panel display device using the same. More particularly, the present invention relates to an electron emitting light emitting device having a low driving voltage and a high luminous efficiency. And a flat panel display device using the same.

평판 디스플레이 장치의 일종인 플라즈마 디스플레이 패널(PDP; Plasma Display Panel)은 전기적 방전을 이용하여 화상을 형성하는 장치로서, 휘도나 시야각 등의 표시 성능이 우수하여 그 사용이 날로 증대되고 있다. 이러한 플라즈마 디스플레이 패널은 전극들의 배치 구조에 따라 대향 방전(facing discharge) 구조의 플라즈마 디스플레이 패널과 면 방전(surface discharge) 구조의 플라즈마 디스플레이 패널로 분류될 수 있다. 대향 방전 구조의 플라즈마 디스플레이 패널은 쌍을 이루는 두 개의 유지전극이 각각 상부기판과 하부기판에 배치되어 방전이 기판에 수직인 방향으로 일어난다. 그리고, 면 방전 구조의 플라즈마 디스플레이 패널 은 쌍을 이루는 두 개의 유지전극이 동일한 기판 상에 배치되어 방전이 기판에 나란한 방향으로 일어난다. 이러한 플라즈마 디스플레이 패널은 어느 경우에나 전극들에 인가되는 직류 또는 교류 전압에 의하여 상기 전극들 사이에서 가스 방전이 일어나게 되고, 이 방전 과정에서 발생되는 자외선에 의하여 형광체가 여기 되어 가시광을 발산하게 된다. Plasma Display Panel (PDP), which is a type of flat panel display device, is an apparatus for forming an image by using an electric discharge, and its use is increasing day by day because of its excellent display performance such as brightness and viewing angle. The plasma display panel may be classified into a plasma display panel having a facing discharge structure and a plasma display panel having a surface discharge structure according to the arrangement of the electrodes. In a plasma display panel having an opposite discharge structure, two pairs of sustain electrodes are disposed on an upper substrate and a lower substrate, respectively, so that discharge occurs in a direction perpendicular to the substrate. In the plasma display panel having a surface discharge structure, two pairs of sustain electrodes are disposed on the same substrate so that discharge occurs in a direction parallel to the substrate. In such a plasma display panel, gas discharge occurs between the electrodes by a direct current or an alternating voltage applied to the electrodes, and phosphors are excited by ultraviolet rays generated in the discharge process to emit visible light.

그러나, 상기와 같은 종래 플라즈마 디스플레이 패널에서는 방전가스가 이온화(ionization)되어 플라즈마 방전이 일어나는 과정에서 여기 상태(excited state)의 크세논(Xe*)이 안정화되면서 자외선이 발생하게 된다. 따라서, 종래 플라즈마 디스플레이 패널 및 평판 램프에서는 방전가스를 이온화시킬 수 있을 정도로 높은 에너지가 필요하게 되므로, 구동전압은 크고, 발광효율은 낮다는 문제점이 있다. However, in the conventional plasma display panel as described above, ultraviolet rays are generated while the discharge gas is ionized and the xenon Xe * of the excited state is stabilized during the plasma discharge. Therefore, in the conventional plasma display panel and the flat lamp, energy that is high enough to ionize the discharge gas is required, so that the driving voltage is large and the luminous efficiency is low.

한편, 전자 방출을 이용하는 발광 소자에는 전자 방출원으로 열음극을 이용하는 방식과 냉음극을 이용하는 방식이 있다. 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 발광 소자로는, FEA(Field Emitter Array)형, SCE(Surface Conduction Emitter)형, MIM(Metal-Insulator-Metal)형 및 MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)형, BSE(Ballistic electron Surface Emitting)형 등이 알려져 있다. On the other hand, light emitting devices using electron emission include a method using a hot cathode and a cold cathode as an electron emission source. Examples of electron-emitting light emitting devices using a cold cathode include Field Emitter Array (FEA), Surface Conduction Emitter (SCE), Metal-Insulator-Metal (MIM), Metal-Insulator-Semiconductor (MIS), and BSE (Ballistic electron Surface Emitting) type and the like are known.

이 중에서 SCE형 전자 방출 발광 소자는 FED, CRT(Cathode-Ray Tube) 및 PDP(Plasma Display Panel)와 같은 자발광 디스플레이이다. 기본적인 구동 원리가 CRT와 같기 때문에 PDP보다 계조비가 높아 보다 자연스러운 색조 표현이 가능하다. 그리고 LCD의 단점으로 여겨지는 응답 속도는 CRT 수준으로 구현이 가능하여 스포 츠 프로그램과 같은 빠른 움직임에도 잔상이 전혀 없다. 또한, 40인치 이상 대화면으로 구현하는 경우에도 CRT와는 비교가 안될 정도로 두께가 얇으며, 전반적으로 소비전력이 낮다는 것이 특징이 있어 차세대 디스플레이로 주목받고 있다. Among these, the SCE type electron emission light emitting devices are self-luminous displays such as FED, Cathode-Ray Tube (CRT) and Plasma Display Panel (PDP). Since the basic driving principle is the same as that of the CRT, the gradation ratio is higher than that of the PDP, which enables more natural color expression. And the response speed, which is considered to be a disadvantage of LCD, can be realized at the CRT level, so there is no afterimage even in a fast movement such as a sports program. In addition, even when implemented with a large screen of 40 inches or more, the thickness is so thin that it is incomparable with the CRT, and the overall power consumption is attracting attention as a next-generation display.

도 1에는 미국공개특허 제2002/0028285호에 개시된 종래의 SCE를 구성하는 전자 방출 발광 소자의 개략적인 구성을 보여주는 도면이 도시되어 있고, 도 2에는 도 1의 II 부분의 확대도가 도시되어 있다. FIG. 1 is a view showing a schematic configuration of an electron emitting light emitting device constituting a conventional SCE disclosed in U.S. Patent Publication No. 2002/0028285, and FIG. 2 is an enlarged view of part II of FIG. .

도 1에 도시된 것과 같이, 종래의 SCE를 구성하는 전자 방출 발광 소자는 소정의 간격으로 배치된 제1패널(10)과 제2패널(20)을 포함한다. 상기 제1패널(10)은, 투명 기판으로 만들어진 제1기판(11), 상기 제1기판(11)의 일면에 형성된 형광체층(12), 상기 형광체층(12)의 표면을 덮는 보호층(13) 및 상기 형광체층(12)과 일체로 형성된 애노드 전극(미도시)을 포함한다. 상기 제2패널(20)은, 제2기판(21), 상기 제2기판(21) 상에서 마주하여 배치된 캐소오드 전극(23)과 게이트 전극(22) 및 상기 캐소오드 전극(23)과 상기 게이트 전극(22) 사이에 배치된 전자 방출원(24)을 포함한다. As shown in FIG. 1, an electron emission light emitting device constituting the conventional SCE includes a first panel 10 and a second panel 20 arranged at predetermined intervals. The first panel 10 may include a first substrate 11 made of a transparent substrate, a phosphor layer 12 formed on one surface of the first substrate 11, and a protective layer covering the surface of the phosphor layer 12 ( 13) and an anode electrode (not shown) integrally formed with the phosphor layer 12. The second panel 20 includes a cathode electrode 23, a gate electrode 22, the cathode electrode 23, and the second substrate 21, which are disposed to face each other on the second substrate 21. An electron emission source 24 disposed between the gate electrodes 22.

도 1 및 도 2에 도시된 것과 같이, 캐소오드 전극(23)에 (-)전압을 인가하고, 게이트 전극(22)에 (+)전압을 인가하면 캐소오드 전극(23)에서 게이트 전극(22) 방향으로 전자가 방출된다. 방출된 전자는 애노드 전극에 인가된 높은 (+) 전압으로 생성된 전계에 의해 애노드 전극 방향으로 진행하게 되고, 애노드 전극과 일체로 설치된 형광체층(12)에 충돌하여 가시광선을 발생시킨다. As shown in FIGS. 1 and 2, when a negative voltage is applied to the cathode electrode 23 and a positive voltage is applied to the gate electrode 22, the gate electrode 22 is formed on the cathode electrode 23. Electrons are emitted in the () direction. The emitted electrons propagate in the direction of the anode electrode by the electric field generated by the high (+) voltage applied to the anode electrode, and collide with the phosphor layer 12 provided integrally with the anode electrode to generate visible light.

이상에서 설명한 것과 같은 구조를 가지는 종래의 전자 방출 발광 소자는 캐 소오드 전극과 게이트 전극 사이의 나노 사이즈의 갭을 형성하고 그 사이에서의 전자 터널링 효과를 이용하여 전자가 방출되도록 한다. 그런데, 종래에는 나노 사이즈의 갭을 형성하는 공정이 박막에 전류를 흘려 임의의 크랙을 형성하는 방식으로 이루어져 왔다. 그런데 이러한 방식은 재현성(repeatability)이나 신뢰성에 문제가 있어 나노 갭을 형성하기 용이한 새로운 구조를 개발할 필요성이 대두되어 왔다. 또한, 종래의 전자 방출 발광 소자에 비하여 발광 효율 측면에 있어서 저전압으로 휘도를 극대화할 수 있는 새로운 구조의 전자 방출 발광 소자를 개발할 필요성이 대두되어 왔다. The conventional electron emission light emitting device having the structure as described above forms a nano-sized gap between the cathode electrode and the gate electrode, and allows electrons to be emitted using the electron tunneling effect therebetween. However, in the related art, a process of forming a nano-sized gap has been made in such a manner that an arbitrary crack is formed by flowing a current through a thin film. However, these methods have problems with repeatability or reliability, and there has been a need to develop new structures that are easy to form nanogaps. In addition, there is a need to develop a new structure of the electron emitting light emitting device having a new structure that can maximize the luminance at low voltage in terms of luminous efficiency compared to the conventional electron emitting light emitting device.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 개발된 것으로서, 본 발명의 목적은 구동전압을 낮출 수 있고, 발광효율을 향상시킬 수 있는 새로운 전자 방출 발광 소자와 이를 구비한 평판 디스플레이 장치를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은 재현성과 신뢰성을 가지면서 나노 갭을 형성할 수 있는 새로운 구조의 전자 방출 발광 소자를 제공하는 것이다. The present invention was developed to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a novel electron emission light emitting device capable of lowering the driving voltage and improving the luminous efficiency and a flat panel display device having the same. . It is also an object of the present invention to provide an electron emitting light emitting device having a novel structure capable of forming a nano gap while having reproducibility and reliability.

상기와 같은 본 발명의 목적은, 제1전극; 상기 제1전극과 소정의 간격을 두고 배치된 제2 전극; 상기 제1전극과 상기 제2전극의 사이에 배치되어 간격을 유지하는 나노갭 형성막; 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이의 간격의 상측에 배치된 기판; 상기 기판에 배치된 제3전극; 및 상기 제3전극에 인접하여 형성된 형광체를 포함하는 전자 방출 발광 소자를 제공함으로써 달성된다. An object of the present invention as described above, the first electrode; A second electrode disposed at a predetermined distance from the first electrode; A nanogap formation film disposed between the first electrode and the second electrode to maintain a gap; A substrate disposed above the gap between the first electrode and the second electrode; A third electrode disposed on the substrate; And an electron emission light emitting device comprising a phosphor formed adjacent to the third electrode.

여기서, 상기 기판은 제2전극의 상측에서 상기 제1전극 및 상기 제2전극이 형성하는 간격과 실질적으로 수평인 방향으로 배치되거나, 상기 기판은 제1전극 및 제2전극이 배치된 평면의 상측에서 상기 제1전극 및 상기 제2전극이 형성하는 간격과 실질적으로 수직한 방향으로 배치될 수 있다. Here, the substrate is disposed in a direction substantially horizontal to the interval formed by the first electrode and the second electrode on the upper side of the second electrode, or the substrate is on the upper side of the plane on which the first electrode and the second electrode is disposed In the first electrode and the second electrode may be disposed in a direction substantially perpendicular to the gap formed.

여기서, 상기 제1전극과 상기 기판에 의해 형성된 공간은 진공으로 유지되고, 상기 형광체는 가속된 전자에 의해 여기 되어 가시광선을 발생시키는 형광체일 수 있다. 이 경우, 상기 형광체는, SrTiO3:Pr, Y2O3:Eu, Y2O3S:Eu 등을 포함하는 적색광용 형광체나, Zn(Ga, Al)2O4:Mn, Y3(Al, Ga)5O12:Tb, Y2SiO5:Tb, ZnS:Cu,Al 등을 포함하는 녹색광용 형광체나, Y2SiO5:Ce, ZnGa2O4, ZnS:Ag,Cl 등을 포함하는 청색광용 형광체 등의 CL형 형광체 중에서 선택되는 형광체인 것이 바람직하다. Here, the space formed by the first electrode and the substrate may be maintained in a vacuum, and the phosphor may be a phosphor that is excited by accelerated electrons to generate visible light. In this case, the phosphor is a phosphor for red light containing SrTiO 3 : Pr, Y 2 O 3 : Eu, Y 2 O 3 S: Eu, or Zn (Ga, Al) 2 O 4 : Mn, Y 3 ( Al, Ga) 5 O 12 : Tb, Y 2 SiO 5 : Tb, green phosphor containing ZnS: Cu, Al and the like, Y 2 SiO 5 : Ce, ZnGa 2 O 4 , ZnS: Ag, Cl and the like It is preferable that it is fluorescent substance chosen from CL type fluorescent substance, such as a blue light fluorescent substance to contain.

또는 여기서, 상기 제1전극과 상기 기판에 의해 형성된 공간은 여기가스로 채워지고, 상기 형광체는 가속된 전자에 의해 여기 되어 상기 여기가스에서 방출하는 자외선에 의해 여기 되어 가시광선을 발생시키는 형광체일 수 있다. 이 경우, 상기 여기가스는, 크세논(Xe), 질소(N2), 중수소(D2), 이산화탄소(CO2), 수소(H2), 일산화탄소(CO), 크립톤(Kr), 공기를 포함하는 그룹에서 선택되는 가스를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 형광체는, Y(V, P)O4:Eu+3 등과 같은 적색광용 형광체 형광체나, Zn2SiO4:Mn, YBO3:Tb 등과 같은 녹색광용 형광체나, BaMgAl10O17:Eu 등과 같은 청색광용 형광체를 포함하는 PL형 형광체 중에서 선택되는 형광체인 것이 바람직하다. Alternatively, the space formed by the first electrode and the substrate may be filled with excitation gas, and the phosphor may be a phosphor that is excited by accelerated electrons and excited by ultraviolet light emitted from the excitation gas to generate visible light. have. In this case, the excitation gas includes xenon (Xe), nitrogen (N 2 ), deuterium (D 2 ), carbon dioxide (CO 2 ), hydrogen (H 2 ), carbon monoxide (CO), krypton (Kr), and air. It is preferred to include a gas selected from the group to be. The phosphor may be a phosphor for red light such as Y (V, P) O 4 : Eu + 3 , a phosphor for green light such as Zn 2 SiO 4 : Mn, YBO 3 : Tb, or BaMgAl 10 O 17 : Eu. It is preferable that it is fluorescent substance selected from PL type fluorescent substance containing blue light fluorescent substance, such as these.

여기서, 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이의 간격은 1nm 이상 100nm이하이고, 상기 제1전극은 실리콘으로 만들어지며, 상기 제2전극은 실리콘 또는 금속으로 만들어지고, 상기 나노갭 형성막은 SiO2로 만들어진 것이 바람직하다. Here, the interval between the first electrode and the second electrode is 1nm or more and 100nm or less, the first electrode is made of silicon, the second electrode is made of silicon or metal, the nanogap forming film is SiO 2 It is preferable to be made of.

한편, 상기와 같은 본 발명의 목적은, 제1전극; 상기 제1전극과 소정의 간격을 두고 배치된 제2 전극; 상기 제1전극과 상기 제2전극의 사이에 배치되어 간격을 유지하는 나노갭 형성막; 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이의 간격의 상측에 배치된 기판; 상기 기판에 배치된 제3전극; 및 상기 제3전극에 인접하여 형성된 형광체를 포함하는 전자 방출 발광 소자와, 상기 전자 방출 발광 소자의 전방에 설치되어, 상기 전자 방출 발광 소자로부터 공급되는 광을 제어하여 화상을 구현하는 수발광 소자를 포함하는 디스플레이 패널을 구비하는 평판 디스플레이 장치를 제공함으로써 달성된다. 여기서, 상기 수발광 소자는 액정일 수 있다. On the other hand, the object of the present invention as described above, the first electrode; A second electrode disposed at a predetermined distance from the first electrode; A nanogap formation film disposed between the first electrode and the second electrode to maintain a gap; A substrate disposed above the gap between the first electrode and the second electrode; A third electrode disposed on the substrate; And an electron emission light emitting device including a phosphor formed adjacent to the third electrode, and a light emitting device installed in front of the electron emission light emitting device to control light supplied from the electron emission light emitting device to implement an image. It is achieved by providing a flat panel display device having a display panel that includes. Here, the light emitting device may be a liquid crystal.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 보다 상세히 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a specific embodiment of the present invention.

도 3에는 본 발명에 따른 전자 방출 발광 소자의 일 실시예의 구성을 개략적으로 보여주는 사시도가 도시되어 있고, 도 4에는 도 3의 IV 방향에서 바라본 단면도가 도시되어 있으며, 도 5에는 도 4의 V 부분의 확대도가 도시되어 있다. FIG. 3 is a perspective view schematically showing the configuration of an embodiment of an electron emission light emitting device according to the present invention. FIG. 4 is a cross-sectional view taken from the IV direction of FIG. 3, and FIG. 5 is a part V of FIG. 4. An enlarged view of is shown.

도 3 및 도 4에 도시된 것과 같이, 본 발명에 따른 전자 방출 발광 소자(30) 는 제1전극(31), 제2전극(33), 나노갭(nano gap) 형성막(32), 기판(11), 제3전극(12) 및 형광체층(13)을 포함한다. As shown in FIGS. 3 and 4, the electron emission light emitting device 30 according to the present invention includes a first electrode 31, a second electrode 33, a nano gap forming film 32, and a substrate. (11), the third electrode 12 and the phosphor layer 13 are included.

상기 제1전극(31)은 판상의 부재로 만들어질 수 있다. 상기 제2전극(33)은 상기 제1전극(31)과 소정의 간격을 두고 배치된다. 상기 나노갭 형성막(32)은 1nm 내지 100nm 정도의 두께로 형성되고, 상기 제1전극(31)과 상기 제2전극(33)의 사이에 배치되어 두 전극들 사이의 간격을 1nm 내지 100nm 정도로 유지하는 기능을 한다. The first electrode 31 may be made of a plate member. The second electrode 33 is disposed at a predetermined distance from the first electrode 31. The nanogap formation film 32 is formed to have a thickness of about 1 nm to 100 nm, and is disposed between the first electrode 31 and the second electrode 33 so that a gap between the two electrodes is about 1 nm to 100 nm. To function.

상기 기판(11)은 상기 제1전극(31)과 상기 제2전극(33) 사이의 간격의 상측에 배치되는데, 상기 제1전극(31)과 실질적으로 평행하게 배치되어 소정의 공간을 형성한다. 상기 제3전극(12)은 상기 기판(11)에 배치되고, 상기 형광체층(13)은 상기 제3전극(12)의 표면에 일부분 이상 형성되거나 상기 제3전극(12)에 인접하여 형성된다. The substrate 11 is disposed above the gap between the first electrode 31 and the second electrode 33, and is substantially parallel to the first electrode 31 to form a predetermined space. . The third electrode 12 is disposed on the substrate 11, and the phosphor layer 13 is formed at least partially on the surface of the third electrode 12 or is formed adjacent to the third electrode 12. .

상기 제1전극(31) 내지 제3전극(12)은 전기 전도성을 가진 재료라면 어떤 재료로도 만들어질 수 있다. 보다 바람직하게는, 제조 공정을 용이하게 하기 위해서는 상기 나노갭 형성막(32)은 SiO2로 만들어지고, 상기 제1전극(31)은 실리콘(Si)으로 만들어지며, 상기 제2전극(33)은 실리콘 또는 금속으로 만들어지는 것이 더 바람직하다. 상기 나노갭 형성막(32)의 소재로 사용되는 실리콘 산화막(SiO2)은 실리콘과의 관계에서 불산(HF)에 대한 에칭 선택성이 있다. 이 때문에 상기 제1전극(31) 및 제2전극(33) 사이에 나노 사이즈의 갭을 형성하고자 할 때 상기 제1전극 (31) 또는 제2전극(33)을 불산(HF)을 이용하여 에칭으로 형성하기에 용이하게 된다. The first electrode 31 to the third electrode 12 may be made of any material as long as the material has electrical conductivity. More preferably, in order to facilitate the manufacturing process, the nanogap forming film 32 is made of SiO 2 , the first electrode 31 is made of silicon (Si), and the second electrode 33 is formed. More preferably it is made of silver silicon or metal. The silicon oxide film (SiO 2 ) used as a material of the nanogap forming film 32 has an etching selectivity to hydrofluoric acid (HF) in relation to silicon. For this reason, when forming a nano-sized gap between the first electrode 31 and the second electrode 33, the first electrode 31 or the second electrode 33 is etched using hydrofluoric acid (HF). It is easy to form.

이상과 같은 구성을 가지는 전자 방출 발광 소자는 다음과 같이 작동될 수 있다. The electron emitting light emitting device having the above configuration can be operated as follows.

먼저, 종래의 FED(Field Emission Device)와 유사한 방식으로 작동될 수 있다. 즉, 도 4에 도시된 것과 같이, 상기 제1전극(31)에는 (-) 전압을 인가하고, 제2전극(33)에는 (+) 전압을 인가한다. 이와 같이 전압을 인가하면 도 5에 도시된 것과 같이 (-) 전압이 인가된 제1전극(31)과 (+) 전압이 인가된 제2전극(33) 사이의 나노 사이즈의 갭에서 전자 터널링 현상에 의해 전자가 방출된다. 이때, 위에서 제2전극(33)에 인가된 (+) 전압보다 더 높은 (+) 전압을 상기 제3전극(12)에 인가하여 상기 제3전극(12)을 향해 전자가 이동하도록 한다. 상기 제3전극(12)을 향해 이동하는 전자는 상기 제3전극(12)에 의해 가속되고 상기 제3전극(12)의 표면에 부착된 형광체층(13)을 여기시켜 가시광선이 발생되도록 한다. First, it can be operated in a manner similar to the conventional field emission device (FED). That is, as shown in FIG. 4, a negative voltage is applied to the first electrode 31 and a positive voltage is applied to the second electrode 33. As shown in FIG. 5, the electron tunneling phenomenon occurs in the nano-sized gap between the first electrode 31 to which the negative voltage is applied and the second electrode 33 to which the positive voltage is applied, as shown in FIG. 5. The electrons are emitted by In this case, a positive voltage higher than the positive voltage applied to the second electrode 33 is applied to the third electrode 12 to move electrons toward the third electrode 12. Electrons moving toward the third electrode 12 are accelerated by the third electrode 12 and excite the phosphor layer 13 attached to the surface of the third electrode 12 to generate visible light. .

이 방식을 사용하기 위해서는 상기 형광체층(13)은 SrTiO3:Pr, Y2O3:Eu, Y2O3S:Eu 등을 포함하는 적색광용 형광체나, Zn(Ga, Al)2O4:Mn, Y3(Al, Ga)5O12:Tb, Y2SiO5:Tb, ZnS:Cu,Al 등을 포함하는 녹색광용 형광체나, Y2SiO5:Ce, ZnGa2O4, ZnS:Ag,Cl 등을 포함하는 청색광용 형광체 등의 CL(CathodeLuminescence)형 형광체 중에서 선택되는 형광체로 만들어져야 한다. 색상은 화소를 이루어 화상을 구현할 수 있도록 적절히 배열되어야 한다. In order to use this method, the phosphor layer 13 may include red phosphors including SrTiO 3 : Pr, Y 2 O 3 : Eu, Y 2 O 3 S: Eu, or Zn (Ga, Al) 2 O 4. : Mn, Y 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Tb, Y 2 SiO 5 : Tb, green phosphor containing ZnS: Cu, Al, etc., Y 2 SiO 5 : Ce, ZnGa 2 O 4 , ZnS It should be made of a phosphor selected from CL (Cathode Luminescence) phosphors such as blue light phosphors containing Ag, Cl, and the like. The colors should be arranged appropriately so as to realize the image by forming pixels.

또한, 이 방식을 사용하기 위해서는 상기 제1전극(31)과 상기 기판(11)에 의해 형성되는 공간(35)이 10-7Torr 이상의 고진공으로 유지되어야 한다. In addition, in order to use this method, the space 35 formed by the first electrode 31 and the substrate 11 must be maintained at a high vacuum of 10 −7 Torr or more.

다른 방식으로는, 상기 제1전극(31)과 상기 기판(11)에 의해 형성되는 공간에 여기가스를 채우고 상기 제1전극(31)으로부터 방출된 전자가 상기 여기가스를 여기시켜 자외선을 방출하면, 자외선이 형광체층(13)을 여기시켜 가시광선을 발생하도록 하는 방식이다. Alternatively, when the excitation gas is filled in the space formed by the first electrode 31 and the substrate 11 and the electrons emitted from the first electrode 31 excite the excitation gas to emit ultraviolet rays. Ultraviolet rays excite the phosphor layer 13 to generate visible light.

이 방식을 사용하기 위해서는 상기 형광체층(13)은 Y(V, P)O4:Eu+3 등과 같은 적색광용 형광체 형광체나, Zn2SiO4:Mn, YBO3:Tb 등과 같은 녹색광용 형광체나, BaMgAl10O17:Eu 등과 같은 청색광용 형광체를 포함하는 PL(PhotoLuminescence)형 형광체 중에서 선택되는 형광체로 만들어져야 한다. In order to use this method, the phosphor layer 13 may be a phosphor for red light such as Y (V, P) O 4 : Eu + 3 , or a phosphor for green light such as Zn 2 SiO 4 : Mn, YBO 3 : Tb, or the like. , BaMgAl 10 O 17 : Eu and the like should be made of a phosphor selected from PL (PhotoLuminescence) -type phosphor containing a blue light phosphor.

그리고, 상기 여기가스는 크세논(Xe), 질소(N2), 중수소(D2), 이산화탄소(CO2), 수소(H2), 일산화탄소(CO), 크립톤(Kr), 공기를 포함하는 그룹에서 선택되는 가스를 포함하는 것이 전자에 의해 여기 되어 자외선을 방출하기에 적합하다. In addition, the excitation gas is a group containing xenon (Xe), nitrogen (N 2 ), deuterium (D 2 ), carbon dioxide (CO 2 ), hydrogen (H 2 ), carbon monoxide (CO), krypton (Kr), air Containing a gas selected from is excited by the electron is suitable for emitting ultraviolet light.

도 6에는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자 방출 발광 소자의 구성을 개략적으로 보여주는 사시도가 도시되어 있다. 6 is a perspective view schematically showing the configuration of an electron emission light emitting device according to another embodiment of the present invention.

본 발명에 따른 전자 방출 발광 소자의 구조는 도 3에 도시된 것으로 한정되지 않는다. 즉, 도 6에 도시된 것과 같이 본 발명의 따른 전자 방출 발광 소자(30')는 제1전극(31) 및 제2전극(33)의 배열 방향이 기판(11)에 대해 실질적으로 수직한 방향으로 배치될 수도 있다. 이 경우에도 제1전극(31)과 제2전극(33)이 형성하는 나노갭에서 방출되는 전자가 상기 기판(11)에 형성된 제3전극(12)에 의해 가속되어 형광체층(13)을 여기시키고 가시광선을 발생시킬 수 있다. The structure of the electron emission light emitting device according to the present invention is not limited to that shown in FIG. That is, as shown in FIG. 6, in the electron emission light emitting device 30 ′ according to the present invention, an arrangement direction of the first electrode 31 and the second electrode 33 is substantially perpendicular to the substrate 11. It may be arranged as. Even in this case, electrons emitted from the nanogap formed by the first electrode 31 and the second electrode 33 are accelerated by the third electrode 12 formed on the substrate 11 to excite the phosphor layer 13. And generate visible light.

한편, 지금까지 설명한 것과 같은 구성을 가지는 전자 방출 발광 소자(30)는 소정의 면적을 가지는 면광원으로 사용될 수도 있다. 특히, 본 발명에 따른 전자 방출 발광 소자는 면광원으로 사용되어 액정 디스플레이 장치(Liquid Crystal Display: LCD)의 백라이트 유닛(Back Light Unit: BLU)으로 사용될 수 있다. On the other hand, the electron emission light emitting device 30 having the configuration as described above may be used as a surface light source having a predetermined area. In particular, the electron emission light emitting device according to the present invention may be used as a surface light source and used as a back light unit (BLU) of a liquid crystal display (LCD).

도 7에는 본 발명에 따른 전자 방출 발광 소자가 백라이트 유닛으로 기능하는 평판 디스플레이 장치의 구성을 보여주는 사시도가 도시되어 있고, 도 8에는 도 7의 VIII-VIII 선을 따라 취한 부분 단면도가 도시되어 있다. 도 7 및 도 8에 도시된 평판 디스플레이 장치 중 기판, 제1전극, 제2전극 등의 앞서 사용한 용어와 동일한 용어가 사용되지만, 앞에서 언급된 부재와 동일한 부재가 아니고, 예로써 설명되는 LCD에 사용되는 부재들을 지칭하는 것이 부재번호의 기재에 의해 명확하게 구별된다. FIG. 7 is a perspective view showing the configuration of a flat panel display device in which the electron emission light emitting device according to the present invention functions as a backlight unit, and FIG. 8 is a partial cross-sectional view taken along the line VIII-VIII of FIG. 7. 7 and 8, the same terms as the above-described terms such as a substrate, a first electrode, a second electrode, and the like are used, but are not the same as the aforementioned members, but used in the LCD described as an example. Reference to the member to be distinguished is clearly distinguished by the description of the member number.

도 7에 도시된 것과 같이, 본 발명에 따른 평판 디스플레이 장치는 수발광형의 디스플레이 패널로서 액정 디스플레이 패널(700)과 상기 액정 디스플레이 패널(700)에 광을 공급하는 백라이트 유닛을 포함한다. 상기 액정 디스플레이 패널(700)에는 화상신호를 전달하는 연성인쇄회로기판(720)이 부착되어 있고, 상기 액정 디스플레이 패널(700)의 후방에 배치되는 백라이트 유닛과의 사이의 간격을 유지하기 위한 스페이서(730)가 배치된다. As shown in FIG. 7, the flat panel display device according to the present invention includes a liquid crystal display panel 700 and a backlight unit for supplying light to the liquid crystal display panel 700 as a light emitting display panel. A flexible printed circuit board 720 for transmitting an image signal is attached to the liquid crystal display panel 700, and includes a spacer for maintaining a distance between the liquid crystal display panel 700 and a backlight unit disposed behind the liquid crystal display panel 700. 730 is disposed.

상기 백라이트 유닛은 앞서 설명한 본 발명에 따른 전자 방출 발광 소자(30)로서, 연결케이블(104)을 통해 전원을 공급받고, 상기 전자 방출 발광 소자 전면의 제2기판을 통하여 가시광선(V)을 방출시켜, 방출된 가시광선(V)이 상기 액정 디스플레이 패널(700)에 공급되도록 한다. The backlight unit is an electron emission light emitting device 30 according to the present invention described above, is supplied with power through a connecting cable 104, and emits visible light (V) through a second substrate in front of the electron emission light emitting device. As a result, the emitted visible light V is supplied to the liquid crystal display panel 700.

도 8을 참조하여, 액정 디스플레이 장치의 구성과 작동 원리에 대해 설명한다. With reference to FIG. 8, the structure and operation principle of a liquid crystal display device are demonstrated.

도 8에 도시된 전자 방출 발광 소자(30)는 도 3에 도시된 전자 방출 발광 소자(30)와 동일한 전자 방출 발광 소자일 수 있다. 즉, 본 발명의 전자 방출 발광 소자(30)는 기판(11)과 제1전극(31)이 소정의 공간(35)을 형성하면서 소정의 간격으로 배치됨으로써 이루어진다. 상기 기판(11) 및 제1전극(31)과 거기에 설치되는 부재들의 구성은 앞서 본 발명에 따른 전자 방출 발광 소자(30)의 구성을 설명하면서 언급한 내용과 동일하므로 여기서는 설명을 생략한다. 그리고, 본 발명에 따른 전자 방출 발광 소자(30)에서는 제1전극(31)과 제2전극(33) 사이에 형성된 전계에 의해 제1전극(31)으로부터 전자가 방출되어 제3전극(12)에 형성된 형광체층(13)에 부딪히면서 가시광선(V)이 발생된다. 발생된 가시광선(V)은 전면의 액정 디스플레이 패널(700)을 향해 진행한다. The electron emission light emitting device 30 shown in FIG. 8 may be the same electron emission light emitting device as the electron emission light emitting device 30 shown in FIG. 3. That is, the electron emission light emitting device 30 of the present invention is formed by arranging the substrate 11 and the first electrode 31 at predetermined intervals while forming the predetermined space 35. Since the configuration of the substrate 11 and the first electrode 31 and the members provided thereon is the same as the above description while explaining the configuration of the electron emission light emitting device 30 according to the present invention, a description thereof will be omitted. In the electron emission light emitting device 30 according to the present invention, electrons are emitted from the first electrode 31 by an electric field formed between the first electrode 31 and the second electrode 33, and thus the third electrode 12. Visible light (V) is generated while hitting the phosphor layer 13 formed on the substrate. The generated visible light V travels toward the front liquid crystal display panel 700.

한편, 상기 액정 디스플레이 패널(700)은 제1기판(505)을 구비하고, 상기 제1기판(505) 상에는 버퍼층(510)이 형성되고, 상기 버퍼층(510) 상에는 반도체층(580)이 소정의 패턴으로 형성된다. 상기 반도체층(580) 상에는 제1절연층(520)이 형성되며, 상기 제1절연층(520)상에는 게이트 전극(590)이 소정의 패턴으로 형성되 고, 상기 게이트 전극(590) 상에는 제2절연층(530)이 형성된다. 상기 제2절연층(530)이 형성된 후에는, 드라이 에칭 등의 공정에 의해 상기 제1절연층(520)과 제2절연층(530)이 식각되어 상기 반도체층(580)의 일부가 노출되고, 상기 노출된 부분을 포함하는 소정의 영역에 소스 전극(570)과 드레인 전극(610)이 형성된다. 상기 소스 전극(570) 및 드레인 전극(610)이 형성된 후 제3절연층(540)이 형성되며, 상기 제3절연층(540) 상에 평탄화층(550)이 형성된다. 상기 평탄화층(550)상에는 소정의 패턴으로 제1전극(620)이 형성되고, 상기 제3절연층(540)과 상기 평탄화층(550) 일부가 식각되어 상기 드레인 전극(610)과 상기 제1전극(620)의 도전통로가 형성된다. 투명한 제2기판(680)은 상기 제1기판(505)과 별도로 제조되고, 상기 제2기판의 하면(680a)에는 칼라 필터층(670)이 형성된다. 상기 칼라 필터층(670)의 하면(670a)에는 제2전극(660)이 형성되고, 상기 제1전극(620)과 제2전극(660)의 서로 대향하는 면들에는 액정층(640)을 배향하는 제1배향층(630)과 제2배향층(650)이 형성된다. 상기 제1기판(505)의 하면(505a)에는 제1편광층(500)이, 상기 제2기판의 상면(680b)에는 제2편광층(690)이 형성되고, 상기 제2편광층의 상면(690a)에는 보호필름(695)이 형성된다. 상기 칼라 필터층(670)과 상기 평탄화층(550) 사이에는 상기 액정층(640)을 구획하는 스페이서(560)가 형성된다.Meanwhile, the liquid crystal display panel 700 includes a first substrate 505, a buffer layer 510 is formed on the first substrate 505, and a semiconductor layer 580 is formed on the buffer layer 510. It is formed into a pattern. A first insulating layer 520 is formed on the semiconductor layer 580, and a gate electrode 590 is formed in a predetermined pattern on the first insulating layer 520, and a second insulating layer is formed on the gate electrode 590. Layer 530 is formed. After the second insulating layer 530 is formed, the first insulating layer 520 and the second insulating layer 530 are etched by a process such as dry etching to expose a portion of the semiconductor layer 580. The source electrode 570 and the drain electrode 610 are formed in a predetermined region including the exposed portion. After the source electrode 570 and the drain electrode 610 are formed, a third insulating layer 540 is formed, and a planarization layer 550 is formed on the third insulating layer 540. The first electrode 620 is formed on the planarization layer 550 in a predetermined pattern, and the third insulating layer 540 and a portion of the planarization layer 550 are etched to form the drain electrode 610 and the first electrode. A conductive passage of the electrode 620 is formed. The transparent second substrate 680 is manufactured separately from the first substrate 505, and a color filter layer 670 is formed on the lower surface 680a of the second substrate. The second electrode 660 is formed on the bottom surface 670a of the color filter layer 670, and the liquid crystal layer 640 is aligned on the surfaces of the first electrode 620 and the second electrode 660 facing each other. The first alignment layer 630 and the second alignment layer 650 are formed. The first polarization layer 500 is formed on the bottom surface 505a of the first substrate 505, and the second polarization layer 690 is formed on the top surface 680b of the second substrate, and the top surface of the second polarization layer is formed. A protective film 695 is formed at 690a. A spacer 560 partitioning the liquid crystal layer 640 is formed between the color filter layer 670 and the planarization layer 550.

상기 액정 디스플레이 패널(700)의 작동원리에 관해 간단히 설명하면, 상기 게이트 전극(590), 소스 전극(570), 드레인 전극(610)에 의해 제어된 외부신호에 의해 상기 제1전극(620)과 제2전극(660) 사이에 전위차가 형성되고, 상기 전위차에 의해 상기 액정층(640)의 배열이 결정되며, 상기 액정층(640)의 배열에 따라서 상 기 백라이트 유닛(100)에서 공급되는 가시광선(V)이 차폐 또는 통과된다. 상기 통과된 광이 칼라 필터층(670)을 통과하면서 색을 띠게 되어 화상을 구현한다.The operation principle of the liquid crystal display panel 700 will be described in brief with reference to the first electrode 620 and an external signal controlled by the gate electrode 590, the source electrode 570, and the drain electrode 610. A potential difference is formed between the second electrodes 660, the arrangement of the liquid crystal layer 640 is determined by the potential difference, and the visible light supplied from the backlight unit 100 according to the arrangement of the liquid crystal layer 640. Light ray V is shielded or passed through. The passed light becomes colored as it passes through the color filter layer 670 to implement an image.

도 8에는 액정 디스플레이 패널(특히, TFT-LCD)을 예시하였으나, 본 발명의 평판 디스플레이 장치를 구성하는 디스플레이 패널이 이에 한정되는 것은 아니며, 또한 상기 수발광 소자로는 상기와 같은 액정 디스플레이 패널 외에도 다양한 수발광형 디스플레이 패널이 적용될 수 있다. Although FIG. 8 illustrates a liquid crystal display panel (particularly, a TFT-LCD), the display panel constituting the flat panel display device of the present invention is not limited thereto. In addition, as the light emitting device, various liquid crystal display panels may be used. A light emitting display panel can be applied.

상기와 같은 전자 방출 소자를 백라이트 유닛으로 구비한 평판 디스플레이 장치는 그 백라이트 유닛의 휘도와 수명이 향상됨에 따라 상기 디스플레이 장치의 화상의 휘도 향상은 물론 수명 증대의 효과를 가져올 수 있게 된다. A flat panel display device having the above-described electron emitting device as a backlight unit may improve the brightness of the image of the display device and increase the lifespan as the brightness and lifetime of the backlight unit are improved.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 전자 방출에 의해 화상을 표시할 수 있는 새로운 형태의 전자 방출 발광 소자가 제공된다. 또한, 이 전자 방출 발광 소자는 내부 공간을 진공으로 유지하는 지, 또는 이 공간에 여기가스를 채우는 지에 따라 서로 다른 조성을 가지는 형광체층을 사용하여 다른 원리로 화상을 표시할 수 있다. As described above, according to the present invention, there is provided a new type of electron emitting light emitting device capable of displaying an image by electron emission. In addition, the electron emission light emitting device can display images on a different principle by using phosphor layers having different compositions depending on whether the internal space is kept in vacuum or the excitation gas is filled in the space.

또한, SiO2로 만들어지는 나노갭 형성막으로 전자가 방출되는 제1전극 및 제2전극 사이의 간격을 형성함으로써, 나노갭을 용이하게 형성할 수 있는 새로운 구조의 전자 방출 발광 소자가 제공된다. Further, by forming a gap between the first electrode and the second electrode from which electrons are emitted by a nanogap forming film made of SiO 2, an electron emitting light emitting device having a new structure that can easily form a nanogap is provided.

본 발명에 따른 전자 방출 발광 소자의 내부 공간에 여기 가스를 채우고 전자에 의해 여기 가스가 여기 되어 자외선을 발생하도록 한 다음 이 자외선에 의해 형광체가 가시광선을 발생하도록 하는 방식으로 작동될 수 있는데, 이 경우 기존의 플라즈마 디스플레이 패널에서 플라즈마 방전을 일으켜 자외선을 발생시키고 이 자외선으로 형광체층을 여기시켜 가시광선을 발생시키는 방식에 비해 에너지 효율 측면에서 매우 우수한 표시 소자를 제작할 수 있다. It can be operated in such a way that the excitation gas is filled into the internal space of the electron emitting light emitting device according to the present invention, and the excitation gas is excited by electrons to generate ultraviolet rays, and then the phosphors generate visible light by the ultraviolet rays. In the case of the plasma display panel, a plasma discharge is generated to generate ultraviolet rays, and the display device can produce a display device having excellent energy efficiency compared to a method of generating visible rays by exciting the phosphor layer with the ultraviolet rays.

한편, 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 한다. On the other hand, the present invention has been described with reference to the embodiment shown in the drawings, but this is only exemplary, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. . Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be defined by the technical spirit of the appended claims.

Claims (14)

판상의 제1전극; A plate-shaped first electrode; 상기 제1전극 상에서 상기 제1전극과 소정의 간격을 두고 배치된 복수 개의 제2전극; A plurality of second electrodes disposed on the first electrode at predetermined intervals from the first electrode; 상기 제1전극과 상기 제2전극의 사이마다 배치되어 간격을 유지하는 나노갭 형성막; A nanogap formation film disposed between the first electrode and the second electrode to maintain a gap; 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이의 간격의 상측에 배치된 기판; A substrate disposed above the gap between the first electrode and the second electrode; 상기 기판에 배치된 제3전극; 및 A third electrode disposed on the substrate; And 상기 제3전극에 인접하여 형성된 형광체를 포함하고, 상기 나노갭 형성막은 상기 제2전극에 비해 평면 면적이 작게 형성된 전자 방출 발광 소자. And a phosphor formed adjacent to the third electrode, wherein the nanogap formation film has a smaller planar area than the second electrode. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 기판은 제2전극의 상측에서 상기 제1전극 및 상기 제2전극이 형성하는 간격과 수평인 방향으로 배치된 것을 특징으로 하는 전자 방출 발광 소자.And the substrate is disposed above the second electrode in a direction parallel to the interval formed by the first electrode and the second electrode. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 기판은 제1전극 및 제2전극이 배치된 평면의 상측에서 상기 제1전극 및 상기 제2전극이 형성하는 간격과 수직한 방향으로 배치된 것을 특징으로 하는 전자 방출 발광 소자.And the substrate is disposed in a direction perpendicular to an interval formed by the first electrode and the second electrode on an upper side of a plane on which the first electrode and the second electrode are disposed. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1전극과 상기 기판에 의해 형성된 공간은 진공으로 유지되고, The space formed by the first electrode and the substrate is maintained in a vacuum, 상기 형광체는 가속된 전자에 의해 여기 되어 가시광선을 발생시키는 형광체인 것을 특징으로 하는 전자 방출 발광 소자. The phosphor is an electron emission light emitting device, characterized in that the phosphor is excited by the accelerated electrons to generate visible light. 제4항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 형광체는, The phosphor is, SrTiO3:Pr, Y2O3:Eu, Y2O3S:Eu 을 포함하는 적색광용 형광체나, Zn(Ga, Al)2O4:Mn, Y3(Al, Ga)5O12:Tb, Y2SiO5:Tb, ZnS:Cu,Al 을 포함하는 녹색광용 형광체나, Y2SiO5:Ce, ZnGa2O4, ZnS:Ag,Cl 을 포함하는 청색광용 형광체를 포함하는 CL형 형광체 중에서 선택되는 형광체인 것을 특징으로 하는 전자 방출 발광 소자. SrTiO 3 : Pr, Y 2 O 3 : Eu, Y 2 O 3 A red light phosphor containing S: Eu or Zn (Ga, Al) 2 O 4 : Mn, Y 3 (Al, Ga) 5 O 12 : CL type including a phosphor for green light containing Tb, Y 2 SiO 5 : Tb, ZnS: Cu, Al, or a phosphor for blue light containing Y 2 SiO 5 : Ce, ZnGa 2 O 4 , ZnS: Ag, Cl An electron emission light-emitting device, characterized in that the phosphor selected from phosphors. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1전극과 상기 기판에 의해 형성된 공간은 여기가스로 채워지고, The space formed by the first electrode and the substrate is filled with excitation gas, 상기 형광체는 가속된 전자에 의해 여기 되어 상기 여기가스에서 방출하는 자외선에 의해 여기 되어 가시광선을 발생시키는 형광체인 것을 특징으로 하는 전자 방출 발광 소자. And the phosphor is excited by accelerated electrons and excited by ultraviolet rays emitted from the excitation gas to generate visible light. 제6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 여기가스는, The excitation gas is 크세논(Xe), 질소(N2), 중수소(D2), 이산화탄소(CO2), 수소(H2), 일산화탄소(CO), 크립톤(Kr), 공기를 포함하는 그룹에서 선택되는 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 발광 소자. Contains gases selected from the group consisting of xenon (Xe), nitrogen (N 2 ), deuterium (D 2 ), carbon dioxide (CO 2 ), hydrogen (H 2 ), carbon monoxide (CO), krypton (Kr), air An electron emission light emitting device, characterized in that. 제6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 형광체는, The phosphor is, Y(V, P)O4:Eu+3 과 같은 적색광용 형광체 형광체나, Zn2SiO4:Mn, YBO3:Tb 과 같은 녹색광용 형광체나, BaMgAl10O17:Eu 과 같은 청색광용 형광체를 포함하는 PL형 형광체 중에서 선택되는 형광체인 것을 특징으로 하는 전자 방출 발광 소자. Phosphors for red light such as Y (V, P) O 4 : Eu + 3 , phosphors for green light such as Zn 2 SiO 4 : Mn, YBO 3 : Tb, phosphors for blue light such as BaMgAl 10 O 17 : Eu An electron emission light emitting device, characterized in that the phosphor selected from among the phosphor containing PL. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이의 간격은 1nm 이상 100nm이하인 것을 특징으로 하는 전자 방출 발광 소자. And an interval between the first electrode and the second electrode is 1 nm or more and 100 nm or less. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1전극은 실리콘으로 만들어진 전극인 것을 특징으로 하는 전자 방출 발광 소자. And the first electrode is an electrode made of silicon. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제2전극은 실리콘 또는 금속으로 만들어진 것을 특징으로 하는 전자 방출 발광 소자. And the second electrode is made of silicon or metal. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 나노갭 형성막은 SiO2로 만들어진 것을 특징으로 하는 전자 방출 발광 소자. The nano-gap forming film is an electron emission light emitting device, characterized in that made of SiO 2 . 판상의 제1전극; A plate-shaped first electrode; 상기 제1전극 상에서 상기 제1전극과 소정의 간격을 두고 배치된 복수 개의 제2전극; A plurality of second electrodes disposed on the first electrode at predetermined intervals from the first electrode; 상기 제1전극과 상기 제2전극의 사이마다 배치되어 간격을 유지하는 나노갭 형성막; A nanogap formation film disposed between the first electrode and the second electrode to maintain a gap; 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이의 간격의 상측에 배치된 기판; A substrate disposed above the gap between the first electrode and the second electrode; 상기 기판에 배치된 제3전극; 및 A third electrode disposed on the substrate; And 상기 제3전극에 인접하여 형성된 형광체를 포함하고, 상기 나노갭 형성막은 상기 제2전극에 비해 평면 면적이 작게 형성된 전자 방출 발광 소자와, An electron emission light emitting device including a phosphor formed adjacent to the third electrode, wherein the nanogap formation film has a plane area smaller than that of the second electrode; 상기 전자 방출 발광 소자의 전방에 설치되어, 상기 전자 방출 발광 소자로부터 공급되는 광을 제어하여 화상을 구현하는 수발광 소자를 포함하는 디스플레이 패널을 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치. And a display panel installed in front of the electron emission light emitting device, the display panel including a light emitting device for controlling an image of the light emitted from the electron emission light emitting device to implement an image. 제13항에 있어서, The method of claim 13, 상기 수발광 소자는 액정인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치. And the light emitting element is a liquid crystal.
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