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KR100698095B1 - Device for forming of polishing pad and method for manufacturing of polishing pad using the same - Google Patents

Device for forming of polishing pad and method for manufacturing of polishing pad using the same Download PDF

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KR100698095B1
KR100698095B1 KR1020050068412A KR20050068412A KR100698095B1 KR 100698095 B1 KR100698095 B1 KR 100698095B1 KR 1020050068412 A KR1020050068412 A KR 1020050068412A KR 20050068412 A KR20050068412 A KR 20050068412A KR 100698095 B1 KR100698095 B1 KR 100698095B1
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South Korea
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polishing pad
polymer film
vacuum chamber
mold
manufacturing
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최재영
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동부일렉트로닉스 주식회사
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    • B24B37/11Lapping tools
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  • Mechanical Engineering (AREA)
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Abstract

본 발명은 그라브(groove) 형성을 에칭 금형을 이용하여 단시간에 제작 할 수 있을 뿐만 아니라 원하는 모든 형상을 제작 할 수 있도록 한 연마 패드의 성형 장치 및 이를 이용한 연마 패드의 제조방법에 관한 것으로서, 진공 챔버와, 상기 진공 챔버의 내부에 핫 프레스 가공이 이루어지도록 열판이 구성되고 성형하고자 하는 폴리머 필름이 탑재되는 하부 스테이지와, 상기 진공 챔버의 내부에 핫 프레스 가공이 이루어지도록 내부에 열판이 구성되고 상기 하부 스테이지와 일정한 간격을 갖고 상기 폴리머 필름에 그루브를 형성하기 위한 몰드물이 부착된 상부 스테이지를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.The present invention relates to a molding apparatus for a polishing pad and a method for manufacturing a polishing pad using the same, which can be used to produce a desired shape in a short time by using an etching mold for forming a groove. And a lower stage on which a hot plate is formed and a polymer film to be molded is mounted on the inside of the vacuum chamber, and a hot plate is formed on the inside of the vacuum chamber so that hot pressing is performed on the inside of the vacuum chamber. And an upper stage to which a mold for forming a groove is attached to the polymer film at regular intervals from the stage.

연마 패드, CMP, 그루브, 폴리머 필름 Polishing Pads, CMP, Grooves, Polymer Films

Description

연마 패드의 성형 장치 및 이를 이용한 연마 패드의 제조방법{device for forming of polishing pad and method for manufacturing of polishing pad using the same}Apparatus for forming of polishing pad and method for manufacturing of polishing pad using the same}

도 1은 일반적인 화학 기계적 연마 장치의 정면도1 is a front view of a typical chemical mechanical polishing apparatus

도 2는 본 발명에 의한 연마 패드의 성형 장치를 나타낸 구성도2 is a block diagram showing a molding apparatus of the polishing pad according to the present invention.

도 3은 본 발명에 의한 연마 패드의 제조방법을 설명하기 위한 순서도3 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a polishing pad according to the present invention.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings

200 : 진공 챔버 210 : 하부 스테이지200: vacuum chamber 210: lower stage

220 : 폴리머 필름 230 : 몰드물220: polymer film 230: mold

240 : 상부 스테이지240: upper stage

본 발명은 화학적 기계적 연마 장비에 관한 것으로, 특히 제조 시간을 줄이면서 원하는 형상을 제조할 수 있도록 한 연마 패드(polishing pad)의 성형 장치 및 이를 이용한 연마 패드의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to chemical mechanical polishing equipment, and more particularly, to an apparatus for forming a polishing pad and a method for manufacturing a polishing pad using the same, which enable manufacturing a desired shape while reducing manufacturing time.

현재의 초대규모 집적 회로에서는 실장 밀도를 높이는 경향에 있고, 각종 미 세 가공 기술이 연구, 개발되고 있다. 이미 디자인 룰은 1/2 미크론 이하의 단계까지 도달해 있다. 이러한 엄격한 미세화의 요구를 만족하기 위해 개발되고 있는 기술의 하나로 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 기술이 있다. In current ultra-scale integrated circuits, mounting density tends to be increased, and various fine processing technologies have been researched and developed. Already, design rules have reached levels below 1/2 micron. One of the technologies being developed to meet the demands of such a strict refinement is CMP (Chemical Mechanical Polishing) technology.

이 기술은 반도체 장치의 제조 공정에 있어서 노광을 실시하는 층을 완전히 평탄화하여 노광 기술의 부담을 경감하고, 수율을 안정시킬 수 있기 때문에, 예컨대 층간 절연막, BPSG막의 평탄화, 셸로우 트렌치(shallow trench) 분리 등을 행할 때에 필수적인 기술이다.Since this technique can completely flatten the exposed layer in the manufacturing process of the semiconductor device, thereby reducing the burden of the exposure technique and stabilizing the yield, for example, the interlayer insulating film, the BPSG film, the shallow trench, and the like. It is an essential technique when performing separation or the like.

종래, 반도체 장치의 제조 공정에 있어서 플라즈마-CVD(Chemical Vapor Deposition, 화학적 증착법), 저압-CVD 등의 방법으로 형성되는 산화규소 절연막 등의 무기 절연막층을 평탄화하기 위한 연마 방법으로서는, 연마할 막을 형성한 기판을 연마 패드에 밀착시켜 가압하고, 연마제를 연마막과 연마 패드 사이에 공급하면서 기판 또는 연마 패드를 움직여서 행하고 있다.Conventionally, as a polishing method for planarizing an inorganic insulating film layer such as a silicon oxide insulating film formed by a method such as plasma-CVD (chemical vapor deposition) or low pressure-CVD in a semiconductor device manufacturing process, a film to be polished is formed. One substrate is pressed against the polishing pad, and the substrate or the polishing pad is moved while supplying the abrasive between the polishing film and the polishing pad.

도 1은 일반적인 화학 기계적 연마 장치의 정면도이다.1 is a front view of a typical chemical mechanical polishing apparatus.

도 1에 도시한 바와 같이, 하면에 웨이퍼(103)를 흡착하여 고정하는 캐리어 헤드(110)가 제공된다. As shown in FIG. 1, a carrier head 110 is provided on which a wafer 103 is attracted and fixed.

여기서, 상기 캐리어 헤드(110)는 접착성을 띠며 캐리어 헤드 하면 중앙에 부착된 캐리어 필름(도시하지 않음)과, 캐리어 필름 하면에 접착되어 고정되는 웨이퍼(103)와, 캐리어 필름 및 웨이퍼(103) 주변으로 설치되도록 캐리어 헤드(110) 하면에 접착되는 고리형의 리테이닝 링(111)으로 이루어지며 구동수단(미도시)에 연결되어 있다.Here, the carrier head 110 is adhesive and has a carrier film (not shown) attached to the center of the bottom of the carrier head, a wafer 103 adhered to and fixed to the bottom of the carrier film, a carrier film and a wafer 103. It is composed of a ring-shaped retaining ring 111 is bonded to the lower surface of the carrier head 110 to be installed around the drive means (not shown).

그리고, 상기 리테이닝 링(Retaining ring)(111)은 캐리어 필름에 흡착, 고정된 웨이퍼(103)가 연마도중 캐리어 헤드를 이탈하는 것을 방지한다. 또, 리테이닝 링(111)은 캐리어 헤드(110) 중앙부분으로 크게 작용하는 수직 가압력을 캐리어 헤드의 주변부분으로 분산시키는 역할도 한다.In addition, the retaining ring 111 prevents the wafer 103 adsorbed and fixed to the carrier film from leaving the carrier head during polishing. In addition, the retaining ring 111 also serves to disperse the vertical pressing force that acts as a central portion of the carrier head 110 to the peripheral portion of the carrier head.

상기 캐리어 헤드(110) 하부로 이격된 위치에는 회전정반(101)이 설치되며 회전정반 상면에는 폴리우레탄(Poly-Urethane) 재질의 연마패드(102)가 부착된다. The rotary plate 101 is installed at a position spaced below the carrier head 110, and a polishing pad 102 made of polyurethane is attached to the upper surface of the rotary plate.

또한, 상기 회전정반(101)에서 상부로 이격된 위치에는 연마 중 슬러리를 공급할 수 있도록 슬러리 분사노즐(130)이 설치되어 있으며, 상기 연마패드(102)상의 소정위치에는 패드 컨디셔너(120)가 캐리어 헤드와 별도로 설치되어 있다.In addition, a slurry injection nozzle 130 is installed at a position spaced upwardly from the rotating surface plate 101 to supply slurry during polishing, and a pad conditioner 120 is provided at a predetermined position on the polishing pad 102. It is installed separately from the head.

상기 웨이퍼(103) 연마작업이 시작되면 상면에 연마패드(102)가 부착된 상태에서 회전정반(101)이 회전하고, 캐리어 헤드(110)는 웨이퍼(103)와 연마패드(102)가 접촉할 때까지 하향하여 웨이퍼(103)를 연마패드(102)에 접촉시킨 후 구동수단(미도시)에 의해 자체 회전운동 및 수평 요동운동을 동시에 수행한다.When the polishing operation of the wafer 103 starts, the rotating table 101 rotates while the polishing pad 102 is attached to the upper surface, and the carrier head 110 contacts the wafer 103 and the polishing pad 102. The wafer 103 is brought into downward contact with the polishing pad 102, and then a self-rotation motion and a horizontal swing motion are simultaneously performed by a driving means (not shown).

이와 동시에 슬러리 분사노즐(130)에서는 슬러리가 분사되어 연마패드(102) 상으로 공급되며 웨이퍼(103)의 기계적 연마와 더불어 슬러리와 웨이퍼 막 간의 화학반응에 의한 화학적 연마가 함께 진행된다.At the same time, in the slurry spray nozzle 130, the slurry is sprayed and supplied onto the polishing pad 102, and mechanical polishing of the wafer 103 is performed along with chemical polishing between the slurry and the wafer film.

그리고, 웨이퍼(103)의 연마작업이 끝나 후, 또는 연마 작업이 진행되는 도중에 연마도가 떨어진 연마패드(102)의 연마도를 높여주기 위한 패드 컨디셔닝(pad conditioning) 작업이 이루어진다.After the polishing operation of the wafer 103 is finished or during the polishing operation, a pad conditioning operation is performed to increase the polishing degree of the polishing pad 102 having a low polishing degree.

상기 회전정반(101) 상부에 설치된 패드 컨디셔너(120)는 캐리어 헤드(110) 와는 별도로 구비된 구동수단에 연결되어 자체 회전하면서 회전중인 연마패드(102) 상에 가압접촉 함으로써 연마패드(102) 표면 상태를 회복시켜준다.The pad conditioner 120 installed on the upper surface of the rotating surface plate 101 is connected to a driving means provided separately from the carrier head 110 so that the pad conditioner 120 is pressed against the rotating polishing pad 102 while rotating itself. Restores the condition.

한편, 종래 기술에 의한 연마 패드는 그 쓰임새에 따라 다양한 구조와 재료로 구성되어지고 있으나 가장 많이 사용되어지고 있는 연마 패드는 폴리머에 마이크로 캡슐을 넣고 여기에 열경화제를 넣어 오븐에 넣어 제작하는 형태이다. Meanwhile, the polishing pad according to the prior art is composed of various structures and materials according to its use, but the most widely used polishing pad is a microcapsule placed in a polymer, and a thermosetting agent is put in an oven to produce the polishing pad. .

상기와 같이 제작되어진 폴리싱 패드는 그 표면에 슬러리의 유동을 위해 커터를 이용하여 동심형 또는 X-Y 형태 등 다양한 형상의 그루브(groove)를 형성하고 있다. The polishing pad manufactured as described above forms grooves having various shapes such as concentric or X-Y shapes by using a cutter to flow slurry on the surface thereof.

하지만 이러한 형상은 단순히 커터의 X축 방향과 Y 축 방향의 움직임을 조합하여 만들기 때문에 선의 조합으로만 그루브를 형성할 수 있기 때문에 다양한 형상의 패드 표면을 제작할 수 없고, 또한 제작 시간도 오래 걸린다. However, since the shape is simply made by combining the movement of the cutter in the X-axis direction and the Y-axis direction, grooves can be formed only by the combination of lines, and thus, pad surfaces having various shapes cannot be manufactured, and the manufacturing time is also long.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 그루브(groove) 형성을 에칭 금형을 이용하여 단시간에 제작 할 수 있을 뿐만 아니라 원하는 모든 형상을 제작 할 수 있도록 한 연마 패드의 성형 장치 및 이를 이용한 연마 패드의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made in order to solve the above problems, the groove forming (groove) can be produced in a short time by using an etching mold, as well as the forming apparatus of the polishing pad to be able to produce any desired shape and using the same It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a polishing pad.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 연마 패드의 성형 장치는 진공 챔버와, 상기 진공 챔버의 내부에 핫 프레스 가공이 이루어지도록 열판이 구성되고 성형하고자 하는 폴리머 필름이 탑재되는 하부 스테이지와, 상기 진공 챔버의 내부에 핫 프레스 가공이 이루어지도록 내부에 열판이 구성되고 상기 하부 스테이지와 일정한 간격을 갖고 상기 폴리머 필름에 그루브를 형성하기 위한 몰드물이 부착된 상부 스테이지를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.The apparatus for forming a polishing pad according to the present invention for achieving the above object includes a vacuum chamber, a lower stage on which a hot plate is configured and a polymer film to be formed is mounted to perform hot press processing inside the vacuum chamber, The hot plate is configured inside the vacuum chamber to perform a hot press process, characterized in that it comprises a top stage attached to a mold for forming grooves in the polymer film at a predetermined interval from the lower stage. .

또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 연마 패드의 제조방법은 성형하고자 하는 폴리머 필름을 제조하는 단계와, 상기 폴리머 필름을 진공 챔버의 하부 스테이지에 탑재하는 단계와, 상기 진공 챔버의 상부 스테이지에 그루브가 정의된 몰드물을 부착하는 단계와, 상기 하부 스테이지와 상부 스테이지에 일정한 압력 및 열을 가하여 상기 폴리머 필름에 그루브를 형성하는 단계와, 상기 그루부기 형성된 폴리머 필름을 냉각시키는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 한다. In addition, the manufacturing method of the polishing pad according to the present invention for achieving the above object comprises the steps of preparing a polymer film to be molded, mounting the polymer film on the lower stage of the vacuum chamber, Attaching a mold having a groove defined to an upper stage, applying a constant pressure and heat to the lower stage and the upper stage to form a groove in the polymer film, and cooling the grooved polymer film. It is characterized by including the formation.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 연마 패드의 성형 장치 및 이를 이용한 연마 패드의 제조방법을 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in more detail the apparatus for forming a polishing pad according to the present invention and a manufacturing method of the polishing pad using the same.

도 2는 본 발명에 의한 연마 패드의 성형 장치를 나타낸 구성도이다.2 is a block diagram showing a molding apparatus for a polishing pad according to the present invention.

도 2에 도시한 바와 같이, 진공 상태의 진공 챔버(200)와, 상기 진공 챔버(200)의 내부에 구성되어 성형하고자 하는 폴리머 필름(210)이 탑재되는 하부 스테이지(220)와, 상기 진공 챔버(200)의 내부에 구성되어 상기 하부 스테이지(210)와 일정한 간격을 갖고 상기 폴리머 필름(220)에 그루브를 형성하기 위한 몰드물(230)이 부착된 상부 스테이지(240)로 구성되어 있다.As shown in FIG. 2, a lower stage 220 in which a vacuum chamber 200 in a vacuum state, a polymer film 210 to be formed and formed in the vacuum chamber 200 is mounted, and the vacuum chamber The upper stage 240 is formed inside the 200 and has a mold 230 for forming a groove on the polymer film 220 at regular intervals from the lower stage 210.

여기서, 상기 하부 스테이지(210)와 상부 스테이지(240)는 핫 프레스(hot press) 가공이 이루어지도록 내부에 열판(도시되지 않음)이 형성되어 있다.Here, the lower stage 210 and the upper stage 240 has a hot plate (not shown) is formed therein to perform a hot press (hot press) process.

본 발명은 연마 패드의 그루브 제작 시 커터(cutter)가 아닌 에칭 금형을 이용하여 패드를 제작한다. 현재 에칭 기술은 유리 및 금속 실리콘에 걸쳐 널리 사용 되어지고 있는 기술이다. In the present invention, the pad is manufactured using an etching mold, not a cutter, when the groove of the polishing pad is manufactured. Etching techniques are now widely used across glass and metal silicon.

본 발명은 상기와 같은 에칭 기술을 이용하여 몰드물에 그루브를 원하는 형상으로 제작한 후 이것을 금형으로 이용하여 연마 패드를 성형하는 기술이다.The present invention is a technique of forming a polishing pad by using the etching technique as described above to form a groove in a mold to a desired shape and then using it as a mold.

도 3은 본 발명에 의한 연마 패드의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다.3 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a polishing pad according to the present invention.

도 3에 도시한 바와 같이, 성형하고자 하는 폴리머 필름(220)을 제작한다(S110).As shown in FIG. 3, a polymer film 220 to be molded is manufactured (S110).

여기서, 상기 폴리머 필름(220)은 에폭시 수지, 우레탄 수지, ABS 수지 및 페놀 수지로 이루어진 군으로부터 하나이상 선택된 열경화성 수지로 이루어져 있다.Here, the polymer film 220 is made of one or more thermosetting resins selected from the group consisting of epoxy resins, urethane resins, ABS resins and phenol resins.

또한, 상기 열경화성 수지에 탈크, 산화세륨, 산화티탄, 동, 산화코발트 및 탄산칼슘로 이루어진 군으로부터 하나이상 선택된 내열재 및 윤활재 그리고 안료를 혼합할 수도 있다.In addition, the thermosetting resin may be mixed with one or more heat-resistant materials and lubricants and pigments selected from the group consisting of talc, cerium oxide, titanium oxide, copper, cobalt oxide and calcium carbonate.

이어, 상기 폴리머 필름(220)을 진공 챔버(200)의 하부 스테이지(210)에 진공 흡착하여 고정한다(S120).Subsequently, the polymer film 220 is vacuum-adsorbed and fixed to the lower stage 210 of the vacuum chamber 200 (S120).

그리고 상기 진공 챔버(200)의 상부 스테이지(240)에 그루브가 정의된 몰드물(230)을 부착한다(S130).Then, the mold 230 having a groove defined is attached to the upper stage 240 of the vacuum chamber 200 (S130).

여기서, 상기 몰드물(230)은 금속판 또는 테프론 수지 등을 이용할 수 있으며, 상기 몰드물 제작은 금속판일 경우에는 에칭법을 이용하여 다양한 그루브 형태를 정밀하게 제작할 수 있으며, 수지판인 경우에는 레이저 컷팅이나 워터 제트 컷팅을 이용하여 그루브를 천공시킬 수 있다.Here, the mold 230 may use a metal plate or a Teflon resin, and in the case of the metal plate, various molds may be precisely manufactured by using an etching method, and in the case of a resin plate, laser cutting may be performed. Alternatively, the groove can be drilled using water jet cutting.

또한, 상기 상부 스테이지(240)에 몰드물(230)을 부착하는 방법은 접착제, 벨크로 테이프 또는 양면 테이프, 진공 흡착 등의 방법 등을 사용할 수 있다.In addition, the method of attaching the mold 230 to the upper stage 240 may be a method such as adhesive, Velcro tape or double-sided tape, vacuum adsorption.

이어, 상기 하부 스테이지(210)와 상부 스테이지(240)에 열과 압력을 가해 상기 폴리머 필름(220)의 표면에 그루브를 형성한다(S140).Subsequently, heat and pressure are applied to the lower stage 210 and the upper stage 240 to form grooves on the surface of the polymer film 220 (S140).

여기서, 상기 하부 스테이지(210)와 상부 스테이지(240)에 일정한 압력을 가하면서 상기 상부 스테이지(240)에 부착된 몰드물(230)로부터 상기 하부 스테이지(210)에 탑재된 폴리머 필름(220)의 표면에 그루브를 형성한다. 이때 열을 가하면서 그루브의 형성 속도를 더 빠르게 진행한다.Here, the polymer film 220 mounted on the lower stage 210 from the mold 230 attached to the upper stage 240 while applying a predetermined pressure to the lower stage 210 and the upper stage 240. Form grooves on the surface. At this time, the formation of the grooves is made faster while applying heat.

이어, 상기 그루브가 형성된 폴리머 필름(220)을 진공 챔버(200)내에서 언로딩한 후 냉각함으로써 연마 패드의 형성 공정을 완료한다(S150).Subsequently, the process of forming the polishing pad is completed by unloading the polymer film 220 in which the groove is formed in the vacuum chamber 200 and cooling (S150).

따라서 본 발명은 폴리머 필름을 열과 압력을 동시에 줄 수 있는 하부 스테이지 위에 올려놓은 후 상부 스테이지에 에칭 방법을 이용하여 제작한 몰드물을 부착한 후 진공 상태에서 열과 압력을 동시에 주면서 성형을 실시한다. 그리고 상기 성형이 완료된 후 냉각을 시키면 연마 패드를 얻을 수 있다.Therefore, in the present invention, a polymer film is placed on a lower stage capable of simultaneously applying heat and pressure, and then a mold prepared by using an etching method is attached to the upper stage, and then molding is performed while simultaneously applying heat and pressure in a vacuum state. After the molding is completed, cooling may be performed to obtain a polishing pad.

한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.On the other hand, the present invention described above is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, it is possible that various substitutions, modifications and changes within the scope without departing from the technical spirit of the present invention. It will be apparent to those of ordinary skill in Esau.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의한 연마 패드의 성형 장치 및 이를 이용한 연마 패드의 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.As described above, the apparatus for forming a polishing pad and a method for manufacturing the polishing pad using the same according to the present invention have the following effects.

즉, 성형 공정을 이용하여 연마 패드를 형성함으로써 빠르게 제작 할 수 있는 이점이 이외에도 연마 패드의 표면에 원하는 그루브를 형상으로 자유롭게 제작할수 있다. 그러므로 연마 패드 표면이 단순히 슬러리 유동을 위한 것이 아니라 기능을 지닌 형상을 만들 수 있다.That is, in addition to the advantage that can be produced quickly by forming the polishing pad using the molding process, it is possible to freely produce the desired groove in the shape of the surface of the polishing pad. Thus, the polishing pad surface can produce a functional shape, not just for slurry flow.

Claims (8)

진공 챔버와, With vacuum chamber, 상기 진공 챔버의 내부에 핫 프레스 가공이 이루어지도록 열판이 구성되고 성형하고자 하는 폴리머 필름이 탑재되는 하부 스테이지와, A lower stage on which a hot plate is configured and a polymer film to be formed is mounted so that hot pressing is performed inside the vacuum chamber; 상기 진공 챔버의 내부에 핫 프레스 가공이 이루어지도록 내부에 열판이 구성되고 상기 하부 스테이지와 일정한 간격을 갖고 상기 폴리머 필름에 그루브를 형성하기 위한 몰드물이 부착된 상부 스테이지를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 연마 패드의 성형 장치.The hot plate is configured inside the vacuum chamber to perform a hot press process, and comprises a top stage attached to a mold for forming grooves in the polymer film at regular intervals from the bottom stage. Forming apparatus of the polishing pad. 삭제delete 성형하고자 하는 폴리머 필름을 제조하는 단계;Preparing a polymer film to be molded; 상기 폴리머 필름을 진공 챔버의 하부 스테이지에 탑재하는 단계;Mounting the polymer film on a lower stage of the vacuum chamber; 상기 진공 챔버의 상부 스테이지에 그루브가 정의된 몰드물을 부착하는 단계;Attaching a mold having a groove defined to an upper stage of the vacuum chamber; 상기 하부 스테이지와 상부 스테이지에 일정한 압력 및 열을 가하여 상기 폴리머 필름에 그루브를 형성하는 단계;Applying a constant pressure and heat to the lower stage and the upper stage to form grooves in the polymer film; 상기 그루브가 형성된 폴리머 필름을 냉각시키는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 하는 연마 패드의 제조방법. And cooling the grooved polymer film. 삭제delete 삭제delete 제 3 항에 있어서, 상기 몰드물은 금속판 또는 테프론 수지 등을 이용하는 것을 특징으로 하는 연마 패드의 제조방법.The method of manufacturing a polishing pad according to claim 3, wherein the mold is made of metal plate or Teflon resin. 제 3 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 몰드물은 금속판일 경우에는 에칭법을 이용하여 다양한 그루브를 형성하는 것을 특징으로 하는 연마 패드의 제조방법.The method of manufacturing a polishing pad according to claim 3 or 6, wherein when the mold is a metal plate, various grooves are formed by etching. 제 3 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 몰드물은 수지판인 경우에는 레이저 컷팅이나 워터 제트 컷팅을 이용하여 그루브 문양을 천공시키는 것을 특징으로 하는 연마 패드의 제조방법.The method of manufacturing a polishing pad according to claim 3 or 6, wherein when the mold is a resin plate, the groove pattern is perforated using laser cutting or water jet cutting.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10249737A (en) 1997-03-14 1998-09-22 Nikon Corp Polishing pad of substrate for magnetic recording medium and polishing method
JPH1177518A (en) * 1997-09-03 1999-03-23 Chiyoda Kk Grinding pad
US6325703B2 (en) 1994-11-23 2001-12-04 Rodel Holdings, Inc. Polishing pads and methods relating thereto
JP2005181979A (en) 2003-11-28 2005-07-07 Nippon Sheet Glass Co Ltd Multilayer structure and its manufacturing method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6325703B2 (en) 1994-11-23 2001-12-04 Rodel Holdings, Inc. Polishing pads and methods relating thereto
JPH10249737A (en) 1997-03-14 1998-09-22 Nikon Corp Polishing pad of substrate for magnetic recording medium and polishing method
JPH1177518A (en) * 1997-09-03 1999-03-23 Chiyoda Kk Grinding pad
JP2005181979A (en) 2003-11-28 2005-07-07 Nippon Sheet Glass Co Ltd Multilayer structure and its manufacturing method

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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