JPWO2018180847A1 - 絶縁電線 - Google Patents
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Abstract
Description
バラツキ割合(%)=(4σ/平均膜厚)×100 ・・・(1)
(上記式(1)中、平均膜厚は各測定値の平均値を示し、σは各測定値の標準偏差を示す。)
一般に絶縁層の気孔率を上げることにより誘電率を低下させることができる。しかし、上述の従来技術で形成された絶縁層では、発泡剤の発泡倍率の制御が難しいため、又は揮発速度が互いに異なる複数の溶剤を用いているため、気孔率を上げると絶縁層の膜厚が導体の断面の周囲において不均一になる。また、絶縁層の厚みは絶縁電線の絶縁性及び強度に大きな影響を与え、特に絶縁層が薄い部分において絶縁性及び強度が不十分になるおそれがある。さらに、近年、占積率が高く、各種機器の小型化を図ることができることから、断面が略長方形状の平角導体が広く使用されるようになっている。しかし、この平角導体を用いる場合、絶縁層の厚みは特に不均一になり易いため、絶縁電線の絶縁性及び強度が低下し易い。また、絶縁層の厚みが不均一である平角導体を用いると、巻線の状態において、電線同士が接触せず不要な空間が形成され、占積率が低下するおそれがある。
本発明の一態様に係る絶縁電線は、線状の導体と、この導体の外周面に被覆される絶縁層とを備える絶縁電線であって、上記絶縁層が複数の気孔を含み、上記絶縁層の気孔率が20体積%以上65体積%以下であり、上記絶縁電線の長手方向に50cm間隔で30個所の断面で、各断面毎に8点の上記絶縁層の膜厚を測定し、これらの測定値から算定される下記式(1)のバラツキ割合が25%以下である。
バラツキ割合(%)=(4σ/平均膜厚)×100 ・・・(1)
(上記式(1)中、平均膜厚は各測定値の平均値を示し、σは各測定値の標準偏差を示す。)
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態に係る絶縁電線及び絶縁電線の製造方法を説明する。
図1の当該絶縁電線は、線状の導体1と、この導体1の外周面に被覆される絶縁層2とを備える。この絶縁層2は、複数の気孔3を含む。
上記導体1の断面の形状としては、例えば円形状、楕円形状、レーストラック形状、六角形状、三角形状、正方形、長方形等の四角形状などの多角形状などが挙げられる。導体1としては、これらの中で、断面正方形の角導体又は断面長方形の平角導体が好ましい。
また、導体1は、複数の素線を撚り合わせた撚り線であってもよい。
上記絶縁層2は、図1に示すように、複数の気孔3を含む。
バラツキ割合(%)=(4σ/平均膜厚)×100 ・・・(1)
(上記式(1)中、平均膜厚は各測定値の平均値を示し、σは各測定値の標準偏差を示す。)
硬化剤としては、チタン系硬化剤、イソシアネート系化合物、ブロックイソシアネート、尿素やメラミン化合物、アミノ樹脂、メチルテトラヒドロ無水フタル酸等の脂環式酸無水物、脂肪族酸無水物、芳香族酸無水物などが例示される。これらの硬化剤は、使用する樹脂組成物が含有する樹脂の種類に応じて、適宜選択される。例えば、ポリアミドイミド系の場合、硬化剤として、イミダゾール、トリエチルアミン等が好ましく用いられる。
次に、当該絶縁電線の製造方法について説明する。当該絶縁電線の製造方法は、絶縁層2を形成する樹脂と、この樹脂の焼付温度よりも低い温度で熱分解する熱分解性樹脂を含む粒子(熱分解性樹脂含有粒子)とを希釈しワニスを調製する工程(ワニス調製工程)、導体1の外周面へ上記ワニスを塗布する工程(ワニス塗布工程)、及び加熱により上記熱分解性樹脂含有粒子中の熱分解性樹脂を除去する工程(加熱工程)を備える。
上記ワニス調製工程において、絶縁層2を形成する樹脂及び熱分解性樹脂含有粒子を溶剤で希釈してワニスを調製する。
これらのうち、(メタ)アクリル系重合体の架橋物が好ましく、架橋ポリ(メタ)アクリレートがより好ましい。また、上記熱分解性樹脂は、上記絶縁層2を形成する樹脂の海相に微小粒子の島相となって均等分布できることが、独立気孔を形成できる点で好ましい。
従って、上記熱分解性樹脂としては、上記絶縁層2を形成する樹脂との相溶性に優れると共に、球状にまとまることができる樹脂であることが好ましく、具体的には架橋樹脂が好ましい。
上記ワニス塗布工程において、上記ワニス調製工程で調製したワニスを導体1の外周面に塗布した後、塗布ダイスにより導体1のワニスの塗布量の調節及び塗布されたワニス面の平滑化を行う。
次に、上記加熱工程において、上記ワニスが塗布された導体1を焼付炉に通して、ワニスを焼付けることで、導体1表面に絶縁層2を形成する。焼付の際、ワニスに含まれる熱分解性樹脂含有粒子の熱分解性樹脂が熱分解によりガス化して除去される。その結果、熱分解性樹脂含有粒子に由来する気孔3が絶縁層2内に形成される。このように、上記加熱工程は、ワニスの焼付工程を兼ねる。
当該絶縁電線は、絶縁層2が気孔3を含み、この絶縁層2の気孔率が上記範囲内であることにより、絶縁層2の低誘電率化を達成できる。また、当該絶縁電線は、絶縁層の膜厚のバラツキ割合を上記値以下として、膜厚の均一性に優れることにより、最低膜厚を小さくすることができ、その結果、コロナ放電開始電圧が向上し、絶縁性に優れ、かつ強度にも優れる。
今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
表1のNo.1に示す絶縁電線を以下のようにして製造した。まず、絶縁層を形成する樹脂としてのポリイミドを、溶剤としてのN−メチル−2−ピロリドンで希釈した。次に、これに、熱分解性樹脂含有粒子としてのコアがPMMA(ポリメタクリル酸メチル樹脂)粒子でシェルがシリコーンの平均粒子径3μmのコアシェル粒子を、計算値で絶縁層の気孔率が30体積%となる量分散させてワニスを調製した。このワニスを用い、竪型塗装設備を使用して、断面が2mm×2mmの角形状の導体を浸漬した後、導体と相似形状の開口部を有するダイスを、速度6m/分で通過させ、焼付炉中を通過させて、350℃で1分間焼付を行い、絶縁被膜を形成した。このワニスの塗布、ダイス通過、焼付を13回繰り返して、ポリイミド樹脂被膜を絶縁層とする絶縁電線(No.1)を製造した。
No.1〜No.5の絶縁電線について、絶縁層の気孔率、絶縁層の平均膜厚、標準偏差σ、バラツキ割合、誘電率及びコロナ放電開始電圧(PDIV)を、下記方法に従い評価した。評価結果を表1に合わせて示す。
得られた絶縁電線において、絶縁層を導体から筒状に剥離し、この筒状の絶縁層の質量W2を測定した。また、筒状の絶縁層の外形から見かけの体積V1を求め、このV1に絶縁層の材質の密度ρ1を乗じて気孔がない場合の質量W1と算出した。これらW1及びW2の値から、下記式により気孔率を算出した。
気孔率=(W1−W2)×100/W1 (体積%)
得られた絶縁電線の断面について、図2の丸数字で示した8点の膜厚を測定した。50cm間隔で、N=30の断面について、膜厚を測定し、8点×30=240点について、測定した膜厚の平均値(算術平均)を求め、これを平均膜厚とした。また、測定値の標準偏差σを求めた。平均膜厚が同程度であっても、4σの値が大きいものは、バラツキが大きいことを意味する。
上記求めた平均膜厚及び標準偏差σの値を用いて、絶縁層の膜厚のバラツキ割合を下記式により求めた。
バラツキ割合=(4σ/平均膜厚)×100(%)
バラツキ割合25%を超えるものは、膜厚の均一性が低く、いわゆるドッグボーン形状の絶縁層が形成され易いといえる。
No.1〜No.5の絶縁電線について、絶縁層2の誘電率εを測定した。図3は、誘電率の測定方法を説明するための模式図である。まず、絶縁電線の表面3カ所に銀ペーストPを塗布すると共に、絶縁電線の一端側の絶縁層2を剥離して導体1を露出させた測定用のサンプルを作製した。ここで、絶縁電線の表面3カ所に塗布した銀ペーストPの絶縁電線長手方向の塗布長さは、長手方向に沿って順に10mm、100mm、10mmとした。長さ10mmで塗布した2カ所の銀ペーストPを接地し、これらの2カ所の銀ペーストの間に塗布した長さ100mmの銀ペーストPと上記露出させた導体1との間の静電容量をLCRメータMで測定した。この測定した静電容量及び絶縁層2の平均膜厚から絶縁層2の誘電率εを算出した。なお、上記誘電率εの測定は、105℃で1時間加熱した後にn=3で実施し、その平均値を求めた。
部分放電試験機(菊水電子工業社の「KPD2050S」)を使用して測定した。2本の絶縁電線の面同士を長さ100mmにわたって隙間が無いように密着させ、2本の導体間に電極を繋いだ。25℃にて、周波数60Hzで昇圧し、100pC以上の部分放電が発生した時の電圧を読み取った。n=5で実施し、その平均値で評価した。
2 絶縁層
3 気孔
M LCRメータ
P 銀ペースト
Claims (3)
- 線状の導体と、この導体の外周面に被覆される絶縁層とを備える絶縁電線であって、
上記絶縁層が複数の気孔を含み、
上記絶縁層の気孔率が20体積%以上65体積%以下であり、
上記絶縁電線の長手方向に50cm間隔で30個所の断面で、各断面毎に8点の上記絶縁層の膜厚を測定し、これらの測定値から算定される下記式(1)のバラツキ割合が25%以下である絶縁電線。
バラツキ割合(%)=(4σ/平均膜厚)×100 ・・・(1)
(上記式(1)中、平均膜厚は各測定値の平均値を示し、σは各測定値の標準偏差を示す。) - 上記絶縁層の平均膜厚が60μm以上である請求項1に記載の絶縁電線。
- 上記導体が、断面長方形の平角導体である請求項1又は請求項2に記載の絶縁電線。
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