JPWO2002054545A1 - 増幅用光ファイバ、光ファイバ増幅器及び光伝送システム - Google Patents

Abstract

この発明は、Ｌバンドの信号増幅に適した増幅用光ファイバ、それを含む光ファイバ増幅器及び光伝送システムに関する。この発明に係る光ファイバ増幅器は、増幅用光ファイバとして、コア領域にＥｒ元素及びＡｌ元素が添加された石英系光ファイバを備え、この増幅用光ファイバは、１５００ｗｔ．ｐｐｍ以下のＥｒ濃度と、波長１．５３μｍにおいて１０ｄＢ／ｍ以上かつ２５ｄＢ／ｍ以下の吸収損失と、そして、９００ｄＢ以下の吸収条長積を有する。

Description

技術分野
この発明は、コア領域にＥｒ元素が添加された増幅用光ファイバ、この増幅用光ファイバを含む光ファイバ増幅器、及び、この光ファイバ増幅器を含む光伝送システムに関するものである。
背景技術
光伝送システムは、光ファイバ伝送路に信号を伝搬させることで、情報の送受信を行う。この際、光ファイバ伝送路を伝搬する信号は減衰するので（伝送損失）、この損失を補償するため、信号増幅を行う光ファイバ増幅器が中継器等に設けられる。従来、光伝送システムにおいて利用されている信号波長帯域は、Ｃバンド（波長１５３０ｎｍ〜１５７０ｎｍ）である。また、このＣバンドにおける各チャネルの信号を増幅する光ファイバ増幅器には、コア領域にＥｒ元素が添加された増幅用光ファイバ（ＥＤＦ：Ｅｒｂｉｕｍ−Ｄｏｐｅｄ　Ｆｉｂｅｒ）を増幅媒体とする光ファイバ増幅器（ＥＤＦＡ：Ｅｒｂｉｕｍ−Ｄｏｐｅｄ　Ｆｉｂｅｒ　Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）が利用されている。
近年では、情報伝送の更なる大容量化を実現すべく、Ｃバンドに加えてＬバンド（波長１５７０ｎｍ〜１６１０ｎｍ）における各チャネルの信号の利用が検討されている。また、Ｌバンドにおける各チャネルの信号を増幅する光ファイバ増幅器としてもＥＤＦＡが利用され得る。例えば、第１従来例として、小野、他、“１．５８μｍ帯Ｅｒ^３＋添加光ファイバ増幅器”、１９９７年電子情報通信学会総合大会、Ｃ−３−８６（１９９７）には、Ｌバンド用ＥＤＦとしてＥｒ添加石英ファイバ及びＥｒ添加フッ化物ファイバが示されている。
発明の開示
発明者らは、上述のような従来の光ファイバ増幅器について検討した結果、以下のような課題を発見した。すなわち、Ｃバンド用ＥＤＦと比べて、Ｌバンド用ＥＤＦは、動作条件が異なり、Ｅｒ元素の総添加量を多くする必要がある。換言すれば、ＥＤＦに添加されるＥｒ元素の濃度自体を高くするか、あるいは、ＥＤＦを長尺にする必要がある。例えば、上記第１従来例に記載された石英系のＬバンド用ＥＤＦは、１３１０ｗｔ．ｐｐｍのＥｒ濃度と、２００ｍの長さを有する。また、特開平１１−１７７１７２号公報（第２従来例）に記載されたＬバンド用ＥＤＦＡは、多段に接続された石英系のＥＤＦを備えており、そのうち２段目以降の各ＥＤＦは、それぞれ５６０ｄＢ以下の吸収条長積を有する。
なお、ＥＤＦの吸収条長積は、その損失スペクトルにおける波長１．５３μｍでの単位長さ当たりの吸収量（日本国特許第２６６９９７６号参照）とその長さの積（＝波長１．５３μｍにおける単位長当たりの吸収損失×長さ）で与えられる。
一方、例えば波長１．４８μｍの励起光をＥＤＦの両端より供給する双方向励起の場合、励起光を出力する励起光源として利用される半導体レーザ光源自体の高出力化や、複数の光源から出力された光を波長合成あるいは偏波合成することによる励起光の高出力化により、ＥＤＦへ供給される励起光のパワーは８００ｍＷ程度まで可能である。これに伴い、１本のＥＤＦの吸収条長積は９００ｄＢ程度まで検討されている。
しかしながら、ＥＤＦの吸収条長積を大きくするには、ＥＤＦを長くする必要があり、このことから、従来のＬバンド用ＥＤＦＡは小型化が困難であった。また、ＥＤＦが長いと、偏波モード分散や非線形光学現象に起因した信号の波形劣化が問題となる。そこで、ＥＤＦの吸収条長積を大きくするためには、波長１．５３μｍにおける吸収損失α_１．５３を大きくすることが重要である。この吸収損失α_１．５３は、ＥＤＦ中のＥｒ濃度と構造とに依存する。Ｅｒ濃度を大きくすれば、吸収損失α_１．５３を大きくすることができるが、これに伴い、濃度消光の影響に起因した増幅効率が低下する。
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたものであり、Ｌバンドにおける各チャネルの信号を増幅するのに適した構造を備えた増幅用光ファイバ、この増幅用光ファイバを含む光ファイバ増幅器、及び、この光ファイバ増幅器を含む光伝送システムを提供することを目的としている。
この発明に係る増幅用光ファイバは、コア領域にＥｒ元素及びＡｌ元素が添加（コア領域の一部にＥｒ元素及びＡｌ元素が含まれる場合を含む）された石英系光ファイバである。特に、この発明に係る増幅用光ファイバは、１５００ｗｔ．ｐｐｍ以下のＥｒ濃度と、波長１．５３μｍにおいて１０ｄＢ／ｍ以上かつ２５ｄＢ／ｍ以下の吸収損失と、９００ｄＢ以下の吸収条長積（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ　ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ）を有する。また、この発明に係る光ファイバ増幅器は、Ｌバンド（波長１５７０ｎｍ〜１６１０ｎｍ）の信号を取り込むための入力端と、励起光が供給されることにより該入力端を介して取り込まれたＬバンドにおける各チャネルの信号を増幅する上記増幅用光ファイバ（この発明に係る増幅用光ファイバ）と、この増幅用光ファイバに励起光を供給する励起光光源を備える。さらに、この発明に係る光伝送システムは、上記光ファイバ増幅器（この発明に係る光ファイバ増幅器）を含み、Ｌバンドの信号増幅及び伝送を可能にする。
上述の構成により、当該増幅用光ファイバは短尺構成が可能なるとともに、偏波モード分散や非線形光学現象に起因した信号の波形劣化が効果的に抑制される。また、当該増幅用光ファイバによれば、濃度消光の影響が低減され、増幅効率が向上する。このような増幅用光ファイバを備えた光ファイバ増幅器は、小型化を可能にするとともに、特にＬバンドの信号に対する増幅特性に優れる。さらに、このような光ファイバ増幅器を備える光伝送システムは、Ｌバンドにおける信号を利用した高速かつ大容量の光伝送を可能にする。
なお、この発明に係る増幅用光ファイバは、２ｍ長において１．２μｍ以上かつ１．５μｍ以下のカットオフ波長を有するのが好ましい。この場合、Ｅｒ濃度を高くすることなく、波長１．５３μｍにおける吸収損失を大きくすることができる。
この発明に係る増幅用光ファイバは、Ｌバンドにおいて０．５ｐｓ以下の偏波モード分散を有するのが好ましい。この場合、Ｌバンドにおける信号の波形劣化を抑制することができ、高速光伝送が可能になる。
また、この発明に係る増幅用光ファイバは、束状態で配置されるか、あるいはボビンに巻かれた状態で配置されるのが好ましい。この場合、光ファイバ増幅器への収納性や取扱性が向上する。
なお、この発明に係る各実施例は、以下の詳細な説明及び添付図面によりさらに十分に理解可能となる。これら実施例は単に例示のために示されるものであって、この発明を限定するものと考えるべきではない。
また、この発明のさらなる応用範囲は、以下の詳細な説明から明らかになる。しかしながら、詳細な説明及び特定の事例はこの発明の好適な実施例を示すものではあるが、例示のためにのみ示されているものであって、この発明の思想及び範囲における様々な変形および改良はこの詳細な説明から当業者には自明であることは明らかである。
発明を実施するための最良の形態
以下、この発明に係る増幅用光ファイバ、光ファイバ増幅器及び光伝送システムの各実施例を、図１〜図２、図３Ａ〜図３Ｂ及び図４〜図７を用いて詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図１は、この発明に係る光伝送システムの一実施例の構成図である。この光伝送システム１は、送信器２、中継器３及び受信器４を備え、送信器２と中継器３とが光ファイバ伝送路５で接続され、中継器３と受信器４とが光ファイバ伝送路６で接続されている。中継器３内には光ファイバ増幅器３Ａが設けられており、受信器４内には光ファイバ増幅器４Ａ及び受信装置４Ｂが設けられている。この光伝送システム１は、Ｌバンドに属する信号伝送に適したシステムであって、光ファイバ増幅器３Ａ、４ＡそれぞれはＬバンドにおける各チャネルの信号を一括増幅する。
送信器２より送出されたＬバンドに属する信号は、光ファイバ伝送路５を伝搬して中継器３に到達する。中継器３では、光ファイバ増幅器３Ａにより到達した信号が増幅される。そして、中継器３より送出されたＬバンドに属する信号は、光ファイバ伝送路６を伝搬して受信器４に到達する。この受信器４でも光ファイバ増幅器４ＡによりＬバンドに属する信号が増幅された後、該増幅された信号が受信装置４Ｂにより受信される。
図２は、この発明に係る光ファイバ増幅器の一実施例の構成を示す図であり、図１に示された光ファイバ増幅器３Ａ、４Ａに相当する。光ファイバ増幅器１０では、入力端１１から出力端１２へ向けて順に、光アイソレータ２１、光カプラ４０、増幅用光ファイバ３１、光カプラ４１及び光アイソレータ２２が設けられている。光カプラ４０には励起光源５０が接続されており、また、光カプラ４１には励起光源５１が接続されている。
光アイソレータ２１は、入力端１１から光カプラ４０への順方向には光を通過させるが、逆方向には光を通過させない。光アイソレータ２２は、光カプラ４１から出力端１２への順方向には光を通過させるが、逆方向には光を通過させない。増幅用光ファイバ３１は、コア領域にＥｒ元素及びＡｌ元素が添加された石英系光ファイバである。この増幅用光ファイバ３１に励起光（波長１．４８μｍ）が供給されることによりＬバンドにおける各チャネルの信号が増幅される。光カプラ４０は、励起光源５０より到達した励起光を増幅用光ファイバ３１へ出力し、光アイソレータ２１より到達した信号を増幅用光ファイバ３１へ出力する。光カプラ４１は、励起光源５１より到達した励起光を増幅用光ファイバ３１へ出力し、増幅用光ファイバ３１より到達した信号を光アイソレータ２２へ出力する。励起光源５０、５１おのおのは、例えば半導体レーザ光源であり、増幅用光ファイバ３１に添加されたＥｒ元素を励起し得る波長の励起光を出力する。
光ファイバ増幅器１０において、励起光源５０から出力された励起光は、光カプラ４０を経て増幅用光ファイバ３１に順方向に供給される。また、励起光源５１から出力された励起光は、光カプラ４１を経て増幅用光ファイバ３１に逆方向に供給される。入力端１１から入力されたＬバンドにおける各チャネルの信号は、光アイソレータ２１及び光カプラ４０を通過して増幅用光ファイバ３１に入射され、増幅用光ファイバ３１において増幅される。そして、この増幅された信号は、光カプラ４１及び光アイソレータ２２を経て出力端１２から出力される。
図３Ａは、増幅用光ファイバ３１における断面構造の一例を示す図である。図３Ａに示されたように、増幅用光ファイバ３１は、所定軸に沿って伸びた、屈折率ｎ１を有する外径ａのコア領域３１１と、該コア領域３１１の外周に設けられた、屈折率ｎ２（＜ｎ１）のクラッド領域３１２とを備える。また、図３Ｂは、図２Ａに示された増幅用光ファイバ３１の屈折率プロファイルである。この屈折率プロファイル３５０は、図３Ａ中の線Ｌ（増幅用光ファイバ３１の光軸と直交する線）上に位置する各部の屈折率を示し、領域３５１は、コア領域３１１の線Ｌ上に位置する部位の屈折率、領域３５２は、クラッド領域３１２の線Ｌ上に位置する部位の屈折率をそれぞれ示す。
ここで、屈折率ｎ１のコア領域３１１と屈折率ｎ２のクラッド領域３１２との比屈折率差Δｎは、以下の式（１）で与えられる。
Δｎ＝（（ｎ１）^２−（ｎ２）^２）／２（ｎ１）^２　…（１）
なお、図３Ａ及び図３Ｂに示された断面構造及び屈折率プロファイルは、この発明に係る増幅用光ファイバ３１を実現するための代表例であって、種々の変形が可能である。当該増幅用光ファイバ３１に適用可能な屈折率プロファイルとしては、例えば、米国特許第５，８３８，８６７号の図７〜図９に示されたような屈折率プロファイルがある。これら屈折率プロファイルには、コア領域３１１が単一ガラス層で構成された屈折率プロファイルと、屈折率の異なる複数のガラス層で構成された屈折率プロファイルが含まれるが、いずれの場合も該コア領域３１１全体に希土類元素が添加される必要はなく、該コア領域３１１の少なくとも一部に希土類元素が添加されていればよい。
特に、この発明に係る増幅用光ファイバ３１は、１５００ｗｔ．ｐｐｍ以下のＥｒ濃度と、波長１．５３μｍにおいて１０ｄＢ／ｍ以上かつ２５ｄＢ／ｍ以下の吸収損失α_１．５３と、９００ｄＢ以下の吸収条長積（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ　ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ）を有する。これにより、増幅用光ファイバ３１は、短尺化が可能になり（例えば１００ｍ以下）、光ファイバ増幅器１０を小型化する上で好ましい。また、偏波モード分散や非線形光学現象に起因した信号の波形劣化をも抑制することができる。さらに、濃度消光の影響も低減して、当該増幅用光ファイバ３１の増幅効率が向上する。
なお、増幅用光ファイバ３１の吸収条長積は、その損失スペクトルにおける波長１．５３μｍでの単位長さ当たりの吸収量（日本国特許第２６６９９７６号）とその長さの積（＝波長１．５３μｍにおける単位長当たりの吸収損失×長さ）で与えられる。
また、増幅用光ファイバ３１のコア領域３１１に添加されるＥｒ濃度（ｗｔ．ｐｐｍ）は、以下のようにＳａｔｕｒａｔｉｏｎ　Ｐａｒａｍｅｔｅｒから導出される。すなわち、増幅用光ファイバ３１におけるＥｒ濃度Ｎｔ（ｍ^−３）は、以下の式（２）により近似的に導出することができる。
Ｎｔ＝ζ・τ／（π・ｂ^２）　　　…（２）
ここで、ζはＳａｔｕｒａｔｉｏｎ　Ｐａｒａｍｅｔｅｒ（ｓ^−１・ｍ^−２）、τは蛍光寿命（ｍｓ）、ｂはＥｒ元素が添加された領域の半径である。Ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ　Ｐａｒａｍｅｔｅｒ　ζは実測により求められ、蛍光寿命τは代表値として１０ｍｓとされる場合が多い。また、添加領域半径ｂは、カットオフ波長と波長１．５５μｍにおけるモードフィールド径から容易に算出される。このとき、Ｅｒ濃度Ｎｔ（ｍ^−３）は、ガラス（ＳｉＯ_２）密度Ｄ（＝２．８６ｇ／ｃｍ^３）、Ｅｒ^３＋の１ｍｏｌでの質量Ｚ（＝１６７．３ｇ）、アボガドロ数Ｎ（＝６．０２×１０^２３）を用いて、以下の式（３）によりＥｒ濃度Ｎｓ（ｗｔ．ｐｐｍ）へ換算される。
Ｎｓ（ｗｔ．ｐｐｍ）＝Ｎｔ（ｍ^−３）・Ｚ／（Ｄ・Ｎ）　　…（３）
さらに、増幅用光ファイバ３１は、２ｍ長において１．２μｍ以上かつ１．５μｍ以下のカットオフ波長を有するのが好ましい。これにより、Ｅｒ濃度を高くすることなく、吸収損失α_１．５３を大きくすることができる。また、増幅用光ファイバ３１は、Ｌバンドにおいて０．５ｐｓ以下の偏波モード分散を有するのが好ましい。信号の波形劣化を抑制することができ、ビットレート１０Ｇｂｐｓ以上の高速光伝送が可能になるからである。さらに、増幅用光ファイバ３１は、光ファイバ増幅器１０への適用に際して、束状態に配置されるか、あるいはボビンに巻かれた状態で配置されるのが好ましい。光ファイバ増幅器１０への収納性や取扱性が向上するからである。
次に、増幅用光ファイバ３１として試作されたサンプルについて説明する。ここでは、ＥＤＦ−Ａは比較例である増幅用光ファイバ、ＥＤＦ−Ｂ〜ＥＤＦ−Ｅは、増幅用光ファイバ３１として試作されたサンプルである。なお、図４は、比較例ＥＤＦ−Ａ及び増幅用光ファイバ３１に相当するサンプルＥＤＦ−Ｂ〜ＥＤＦ−Ｅの諸元をまとめた表である。
比較例であるＥＤＦ−Ａは、５２０ｗｔ．ｐｐｍのＥｒ濃度、３．５ｗｔ％のＡｌ濃度、波長１．５３μｍにおいて５．５ｄＢ／ｍの吸収損失α_１．５３、２ｍ長において０．９１μｍのカットオフ波長、１４２ｍの長さ、７８０ｄＢの吸収条長積、波長１．５８μｍにおいて０．６１ｐｓの偏波モード分散を有する。
サンプルＥＤＦ−Ｂは、７８０ｗｔ．ｐｐｍのＥｒ濃度、２．０ｗｔ％のＡｌ濃度、波長１．５３μｍにおいて１５．６ｄＢ／ｍの吸収損失α_１．５３、２ｍ長において１．４６μｍのカットオフ波長、５０ｍの長さ、７８０ｄＢの吸収条長積、波長１．５８μｍにおいて０．２５ｐｓの偏波モード分散を有する。
サンプルＥＤＦ−Ｃは、９７０ｗｔ．ｐｐｍのＥｒ濃度、３．０ｗｔ％のＡｌ濃度、波長１．５３μｍにおいて１８．８ｄＢ／ｍの吸収損失α_１．５３、２ｍ長において１．３９μｍのカットオフ波長を有する。
サンプルＥＤＦ−Ｄは、８５０ｗｔ．ｐｐｍのＥｒ濃度、３．０ｗｔ％のＡｌ濃度、波長１．５３μｍにおいて１６．０ｄＢ／ｍの吸収損失α_１．５３、２ｍ長において１．３２μｍのカットオフ波長を有する。
サンプルＥＤＦ−Ｅは、１０８０ｗｔ．ｐｐｍのＥｒ濃度、３．５ｗｔ％のＡｌ濃度、波長１．５３μｍにおいて２０．０ｄＢ／ｍの吸収損失α_１．５３、２ｍ長において１．３１μｍのカットオフ波長を有する。
図５は、吸収条長積９００ｄＢ、６００ｄＢ、３００ｄＢを有する増幅用光ファイバ３１について、その吸収損失α_１．５３と長さとの関係を示すグラフである。なお、図５において、グラフＧ５１０は、吸収条長積９００ｄＢを有する増幅用光ファイバ、グラフＧ５２０は吸収条長積６００ｄＢを有する増幅用光ファイバ、グラフＧ５３０は吸収条長積３００ｄＢを有する増幅用光ファイバそれぞれに関し、吸収損失α_１．５３と長さとの関係を示している。また、この図５中には、比較例ＥＤＦ−Ａ及びサンプルＥＤＦ−Ｂがプロットされており、ハッチング領域は、吸収損失α_１．５３が１０ｄＢ／ｍ以上かつ２５ｄＢ／ｍ以下、吸収条長積が９００ｄＢ以下である範囲を示す。この図５から分かるように、比較例ＥＤＦ−Ａはハッチング領域から外れる特性を有するが、サンプルＥＤＦ−Ｂはハッチング領域に含まれる特性を有する。
図６は、カットオフ波長を変えたときの吸収損失α_１．５３とＥｒ濃度との関係を示すグラフである。なお、この図６において、グラフＧ６１０は、カットオフ波長０．９μｍの増幅用光ファイバ、グラフＧ６２０はカットオフ波長１．２μｍの増幅用光ファイバ、Ｇ６３０はカットオフ波長１．５μｍの増幅用光ファイバそれぞれに関し、吸収損失α_１．５３とＥｒ濃度との関係を示している。また、図６中には、比較例ＥＤＦ−Ａ及びサンプルＥＤＦ−Ｂ〜ＥＤＦ−Ｅがプロットされており、ハッチング領域は、吸収損失α_１．５３が１０ｄＢ／ｍ以上かつ２５ｄＢ／ｍ以下、２ｍ長におけるカットオフ波長が１．２μｍ以上かつ１．５μｍ以下である範囲を示す。加えて、図６中、矢印Ａで示された領域は、濃度消光に起因した増幅特性の劣化を回避できる濃度範囲を示す。この図６から分かるように、比較例ＥＤＦ−Ａはハッチング領域から外れる特性を有するが、サンプルＥＤＦ−Ｂ〜ＥＤＦ−Ｅはいずれもハッチング領域に含まれる特性を有する。
さらに図７は、比較例ＥＤＦ−Ａが適用された光ファイバ増幅器の増幅特性と、サンプルＥＤＦ−Ｂが適用された光ファイバ増幅器の増幅特性をそれぞれ示すグラフである。なお、図７において、記号Ｐ７１０は比較例ＥＤＦ−Ａが適用された光ファイバ増幅器の増幅特性、記号Ｐ７２０はサンプルＥＤＦ−Ｂが適用された光ファイバ増幅器の増幅特性をそれぞれ示す。
測定のために用意された光ファイバ増幅器の構成は、図２に示された光ファイバ増幅器の構成と同様である。また、順方向に励起光を供給するための励起光源５０は、出力波長が１４８０ｎｍであって、出力パワーが１００ｍＷであった。逆方向に励起光を供給するための励起光源５１も、出力波長が１４８０ｎｍであって、出力パワーが１００ｍＷであった。入力端１１から入力される信号は、Ｌバンドに属する４チャネル（１５７０ｎｍ、１５８０ｎｍ、１５９０ｎｍ、１６００ｎｍ）の信号であって、各チャネルの信号の入力パワーは−１５ｄＢｍであった。
図７から分かるように、比較例ＥＤＦ−Ａと比較して、１／３の長さを有するサンプルＥＤＦ−Ｂが適用された光ファイバ増幅器は良好な増幅特性を有する。
なお、この発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上述のような構造を有する複数の増幅用光ファイバを接続して、これら複数の増幅用光ファイバそれぞれに励起光を供給するよう、光ファイバ増幅器を構成してもよい。
以上の本発明の説明から、本発明を様々に変形しうることは明らかである。そのような変形は、本発明の思想および範囲から逸脱するものとは認めることはできず、すべての当業者にとって自明である改良は、以下の請求の範囲に含まれるものである。
産業上の利用可能性
以上のようにこの発明によれば、増幅用光ファイバの短尺化が可能になるとともに、偏波モード分散や非線形光学現象に起因した信号の波形劣化を効果的に抑制することができる。濃度消光の影響が低減され、増幅効率が向上する。また、このような増幅用光ファイバが適用された光ファイバ増幅器は、小型化が実現可能になるとともに、増幅特性に優れ、Ｌバンドの信号増幅に適している。さらに、このような光ファイバ増幅器を含む光伝送システムは、Ｌバンドにおける各チャネルの信号を利用した高速かつ大容量の光伝送を可能にする。
【図面の簡単な説明】
図１は、この発明に係る光伝送システムの一実施例の構成を示す図である。
図２は、この発明に係る光ファイバ増幅器の一実施例の構成を示す図である。
図３Ａは、この発明に係る増幅用光ファイバの一実施例の断面構造を示す図であり、図３Ｂは、その屈折率プロファイルである。
図４は、この発明に係る増幅用光ファイバに相当する複数種類のサンプル及び比較例の諸元をまとめた表である。
図５は、吸収条長積を変えたときの、波長１．５３μｍにおける吸収損失α_１．５３と長さとの関係を示すグラフである。
図６は、カットオフ波長を変えたときの、波長１．５３μｍにおける吸収損失α_１．５３とＥｒ濃度との関係を示すグラフである。
図７は、比較例であるＥＤＦ−Ａが適用された光ファイバ増幅器の増幅特性と、この発明に係る増幅用光ファイバに相当するサンプルＥＤＦ−Ｂが適用された光ファイバ増幅器の増幅特性を、それぞれ示すグラフである。

Claims (6)

1. コア領域にＥｒ元素及びＡｌ元素が添加された石英系光ファイバであって、
   １５００ｗｔ．ｐｐｍ以下のＥｒ濃度と、波長１．５３μｍにいて１０ｄＢ／ｍ以上かつ２５ｄＢ／ｍ以下の吸収損失と、９００ｄＢ以下の吸収条長積を有する増幅用光ファイバ。
2. 請求項１記載の増幅用光ファイバは、さらに、
   ２ｍ長において、１．２μｍ以上かつ１．５μｍ以下のカットオフ波長を有する。
3. 請求項１記載の増幅用光ファイバは、さらに、
   Ｌバンド（波長１５７０ｎｍ〜１６１０ｎｍ）において、０．５ｐｓ以下の偏波モード分散を有する。
4. Ｌバンド（波長１５７０ｎｍ〜１６１０ｎｍ）における各チャネルの信号を取り込むための入力端と、
   励起光が供給されることにより前記入力端を介して取り込まれた信号を増幅する請求項１記載の増幅用光ファイバと、
   前記増幅用光ファイバに前記励起光を供給する励起光光源を備えた光ファイバ増幅器。
5. 請求項４記載の光ファイバ増幅器において、
   前記増幅用光ファイバは、束状態で配置されるか、あるいはボビンに巻かれた状態で配置される。
6. 請求項４記載の光ファイバ増幅器を含む光伝送システム。

Images