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JPS637611B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS637611B2
JPS637611B2 JP55180634A JP18063480A JPS637611B2 JP S637611 B2 JPS637611 B2 JP S637611B2 JP 55180634 A JP55180634 A JP 55180634A JP 18063480 A JP18063480 A JP 18063480A JP S637611 B2 JPS637611 B2 JP S637611B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
infrared detector
thermopile
thin film
pyroelectric
insulating thin
Prior art date
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Expired
Application number
JP55180634A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS57104828A (en
Inventor
Katsuhiko Tomita
Masaru Katsuki
Toshuki Sotani
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Horiba Ltd
Original Assignee
Horiba Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Horiba Ltd filed Critical Horiba Ltd
Priority to JP55180634A priority Critical patent/JPS57104828A/ja
Priority to US06/331,469 priority patent/US4445034A/en
Publication of JPS57104828A publication Critical patent/JPS57104828A/ja
Publication of JPS637611B2 publication Critical patent/JPS637611B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/12—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13062—Junction field-effect transistor [JFET]

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Radiation Pyrometers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、焦電型赤外線検出器の機能と熱電堆
型赤外線検出器の機能を有し、かつ、赤外線感応
部分を同じくした複合赤外線検出器を提供するも
のである。
従来の焦電型赤外線検出器は、第１図に示すよ
うに焦電性を有する薄膜エレメント１の両面に電
極２，３を施し、これらの電極２，３と前記薄膜
エレメント１を保持する基板４上の端子５，６と
を結線し、インピーダンス交換を行なうＪ・
FETを経て外部端子へと信号を取り出すもので
ある。
また、熱電堆型赤外線検出器は、第２図に示す
ように、絶縁フイルム７上に、熱電堆第一物質８
及び熱電堆第二物質９よりなる円形状又は矩形状
の熱電堆を構成し、前記絶縁フイルム７及び熱容
量の大きい厚肉の基板４上に密着されているジヤ
ンクシヨン部（冷接合部）と、赤外線入射面であ
る中央のジヤンクシヨン部（温接合部）との微少
温度差を信号として外部端子へと取り出すもので
ある。
ところで、焦電型赤外線検出器は、高感度では
あるが、微分型であり、光学系のチヨツピング機
構がない場合、赤外線の急激な強度変化、つま
り、急激な温度勾配に対してのみ、検出信号を出
力する。
一方、熱電堆型赤外線検出器は、ゆるやかな温
度変化にも追随して検出信号を出力するが、感度
は高くない。
上記２種の検出器は、適当な信号処理を行なう
ことにより、相互補償的に活用することができる
が、同一光学系内の同一焦点上に、これら２種の
検出器を置くことはできない。このため、２個の
検出器を用いた場合、単に検出器の個数が増すだ
けでなく、これらに対する光学調節、光学部品の
増加等を伴い、検出装置全体として非常に高価な
ものとなる。
本発明は、このような問題を解決できる複合赤
外線検出器を開発したものである。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
第３図乃至第５図は本発明に係る複合赤外線検
出器の一例を示す。図において、１０は焦電性を
有する絶縁薄膜であり、該薄膜１０としては、
PVF2、有機フイルムとPZT等の混成焦電フイル
ム、あるいは、PZT、PbTiO3、LiTaO3等の磁
器薄膜が使用される。
前記薄膜１０の下面には、熱電堆第一物質１１
及び熱電堆第二物質１２よりなる適当な形状の熱
電堆Ａを構成し、その赤外線感応部分、つまり、
前記熱電堆Ａの中央部に形成された温接合部の有
効受光面積に対応する前記薄膜１０の上下両面に
は、上下一対の電極１３，１４を設け、かつ、上
面側（入射面側）の電極１３には黒化膜１５を施
してある。そして、上記の薄膜１０を、アルミナ
等よりなる熱容量の大きい基板１６上にマウント
し、前記基板１６の下面には、Ｊ・FET１７を
備えた焦電型赤外線検出器ａ用ハイブリツド回
路、オペアンプ１８を備えた熱電堆型赤外線検出
器ｂ用ハイブリツド回路を構成してある。１９は
熱電堆型赤外線検出器のリード端子、２０は焦電
型赤外線検出器のリード端子である。
上記構成の複合赤外線検出器は、熱電堆型赤外
線検出器ｂとしての機能はもとより、従来一般の
熱電堆型赤外線検出器ｂに用いられている絶縁フ
イルムに代え、焦電性のある薄膜１０を用い、そ
の両面に電極１３，１４を配したため、焦電型赤
外線検出器ａとしても機能する。しかも、両者は
赤外線感応部分を同じくするため、同一光学系内
の同一焦点上に設置して使用できる。
第６図、第７図は別の実施例を示し、この実施
例は、熱電堆Ａの温接合部と、前記薄膜１０上面
側の前記電極１３に対向する薄膜１０下面側の電
極１４とを兼用した点に特徴がある。その他の構
成は先の実施例と実質的に同一であるから、説明
を省く。
以上のように、本発明による複合赤外線検出器
は、焦電型赤外線検出器としての機能と、熱電堆
型赤外線検出器としての機能を有し、しかも、赤
外線感応部分（受光面部分）を同じくするため、
同一光学系内の同一焦点上に設置して使用でき、
赤外線感応部分に入射する赤外光にずれが生じる
ことがなく、焦電型と熱電堆型の２個の検出器を
用いる場合に比べて、検出器の数が少なくて済み
それだけコンパクトに構成することができると共
に、光学調節、光学部品も少なくて済み、両種の
検出器による相互補償的活用を安価に達成できる
効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の焦電型赤外線検出器の縦断面
図、第２図は従来の熱電堆型赤外線検出器の縦断
面図、第３図は本発明の実施例を示す複合赤外線
検出器の縦断面図、第４図は要部底面図、第５図
は電気回路図、第６図と第７図は別の実施例を示
す要部底面図と電気回路図である。 １０…焦電型絶縁薄膜、１３，１４…電極、Ａ
…熱電堆、ａ…焦電型赤外線検出器、ｂ…熱電堆
型赤外線検出器。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 焦電性を有する絶縁薄膜の一方の面に熱電堆
    型赤外線検出器を構成し、前記一方の面上であつ
    て前記熱電堆型赤外線検出器の温接合部に近接す
    る位置及び前記絶縁薄膜の他方の面であつて前記
    温接合部の真上位置にそれぞれ焦電型赤外線検出
    器の電極を配置したことを特徴とする複合赤外線
    検出器。 ２ 焦電性を有する絶縁薄膜の一方の面に熱電堆
    型赤外線検出器を構成し、この熱電堆型赤外線検
    出器の温接合部を焦電型赤外線検出器の一方の電
    極に兼用すると共に、前記絶縁薄膜の他方の面上
    であつて前記温接合部の真上位置に前記焦電型赤
    外線検出器の他方の電極を配置したことを特徴と
    する複合赤外線検出器。
JP55180634A 1980-12-20 1980-12-20 Composing infrared detector Granted JPS57104828A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP55180634A JPS57104828A (en) 1980-12-20 1980-12-20 Composing infrared detector
US06/331,469 US4445034A (en) 1980-12-20 1981-12-16 Compound infrared detector

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP55180634A JPS57104828A (en) 1980-12-20 1980-12-20 Composing infrared detector

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS57104828A JPS57104828A (en) 1982-06-30
JPS637611B2 true JPS637611B2 (ja) 1988-02-17

Family

ID=16086620

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP55180634A Granted JPS57104828A (en) 1980-12-20 1980-12-20 Composing infrared detector

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US (1) US4445034A (ja)
JP (1) JPS57104828A (ja)

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US4445034A (en) 1984-04-24
JPS57104828A (en) 1982-06-30

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