JPS62257756A - シリコン基板 - Google Patents
シリコン基板Info
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- JPS62257756A JPS62257756A JP10035886A JP10035886A JPS62257756A JP S62257756 A JPS62257756 A JP S62257756A JP 10035886 A JP10035886 A JP 10035886A JP 10035886 A JP10035886 A JP 10035886A JP S62257756 A JPS62257756 A JP S62257756A
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- chip
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Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 28
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/147—Semiconductor insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、シリコン基板、特にICやLSI等の半導体
チップを搭載する際用いられるシリコン基板に関する。
チップを搭載する際用いられるシリコン基板に関する。
[従来の技術]
電子パッケージの小形化に伴ない、複数のICヤjLS
I等のチップを裸のままプリン1〜基板に搭載する傾向
にある。
I等のチップを裸のままプリン1〜基板に搭載する傾向
にある。
現在使用されている基板(セラミック等)ては熱膨張率
が異なるため、ワイヤボンディングでチップと基板とを
接続する方法がとられている。
が異なるため、ワイヤボンディングでチップと基板とを
接続する方法がとられている。
また、チップ内での不良箇所を修理する技術としてミラ
ーチップ技術が開発されこれが実用化されている。
ーチップ技術が開発されこれが実用化されている。
[発明が解決しようとする問題点]
上述した従来のセラミック基板にICやLSIの半導体
チップをワイヤボンディングにより搭載するため、1ケ
でもチップの不良が発生した場合、その不良チップのみ
の交換ができないため、正常なチップが含まれているに
も拘らず、基板全体を廃棄しなければならない。
チップをワイヤボンディングにより搭載するため、1ケ
でもチップの不良が発生した場合、その不良チップのみ
の交換ができないため、正常なチップが含まれているに
も拘らず、基板全体を廃棄しなければならない。
一方、ミラーチップ技術はあくまでチップ内の不良を灯
正するものであり、複数のチップを搭載するシリコン基
板においては、不良チップをミラーデツプ技術でた即し
た場合、ロス1〜高になり、工数が多くなる欠点があっ
た。
正するものであり、複数のチップを搭載するシリコン基
板においては、不良チップをミラーデツプ技術でた即し
た場合、ロス1〜高になり、工数が多くなる欠点があっ
た。
本発明の目的は半導体チップの交換を可能ならしめたシ
リコン基板を提供することにおる。
リコン基板を提供することにおる。
[問題点を解決するための手段]
本発明はシリコンからなる基板本体に、半導体チップを
収容する凹部と、該凹部内の半導体チップの端子に圧着
する接点を備えた突起と、該突起の接点と外部接続端子
とを結線するパターンとを右することを特徴とするシリ
コン基板でおる。
収容する凹部と、該凹部内の半導体チップの端子に圧着
する接点を備えた突起と、該突起の接点と外部接続端子
とを結線するパターンとを右することを特徴とするシリ
コン基板でおる。
[実施例1
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第1図に示すように、本発明に係る基板は基板本体1を
シリコンから構成し、基板本体1に半導体デツプ2を収
容する少数の凹部3a、 3b、 3c・・・を設け、
各凹部3a、 31)・・・の内周に半導体チップ2の
端子8の数に合けて複数本突起4をシリコンのエツチン
グ技術によりシリコンの金属的性質を利用してばね性を
もたせて一体に形成し、各突起4の上面に接点7を蒸着
し、ざらに突起4の接点7と外部接続端子5とを結ぶパ
ターン6を基板本体1の表面に形成したものである。
シリコンから構成し、基板本体1に半導体デツプ2を収
容する少数の凹部3a、 3b、 3c・・・を設け、
各凹部3a、 31)・・・の内周に半導体チップ2の
端子8の数に合けて複数本突起4をシリコンのエツチン
グ技術によりシリコンの金属的性質を利用してばね性を
もたせて一体に形成し、各突起4の上面に接点7を蒸着
し、ざらに突起4の接点7と外部接続端子5とを結ぶパ
ターン6を基板本体1の表面に形成したものである。
実施例において、半導体チップの実装は次の工程により
行う。すなわち第1図、第2図に示すように基板本体1
の各凹部3a、 3b・・・内にそれぞれ半導体デツプ
2を収容し、凹部3a、 3b・・・内の突起4の接点
7に半導体チップ2の端子8を接触させる。
行う。すなわち第1図、第2図に示すように基板本体1
の各凹部3a、 3b・・・内にそれぞれ半導体デツプ
2を収容し、凹部3a、 3b・・・内の突起4の接点
7に半導体チップ2の端子8を接触させる。
この状態で、まず外部接続端子5を通して半導体チップ
2の検査を行う。その検査結果で異状がなければ、別の
基板9で各半導体チップ2を圧下して突起4を撓ませ、
その反力で突起4の接点7とチップ2の端子8とを圧着
させ安定した接続特性を得て該基板9を基板本体1に固
着し、半導体チップ2の最終的な実装を行う。尚、基板
9に代えてガラスを静電ボンディングすることにより半
導体チップ2の実装を行ってもよい。
2の検査を行う。その検査結果で異状がなければ、別の
基板9で各半導体チップ2を圧下して突起4を撓ませ、
その反力で突起4の接点7とチップ2の端子8とを圧着
させ安定した接続特性を得て該基板9を基板本体1に固
着し、半導体チップ2の最終的な実装を行う。尚、基板
9に代えてガラスを静電ボンディングすることにより半
導体チップ2の実装を行ってもよい。
[発明の効果]
以上説明したように本発明は凹部に収容した半導体チッ
プの端子と突起の接点とを接触させた状態で実装チップ
の検査を行った後、最終的な実装を行う手順によりチッ
プの組立を実施することができ、その工程途中で不良チ
ップのみの交換が可能となり、従来のように良品チップ
を含めた基板全体を廃棄する必要がなく、経済的に有利
になる。
プの端子と突起の接点とを接触させた状態で実装チップ
の検査を行った後、最終的な実装を行う手順によりチッ
プの組立を実施することができ、その工程途中で不良チ
ップのみの交換が可能となり、従来のように良品チップ
を含めた基板全体を廃棄する必要がなく、経済的に有利
になる。
ざらに半導体チップを基板の凹部を利用して直接搭載す
ることにより、高密度でかつ実装組立品の厚味を薄くし
た実装を実現できる効果を有するものでおる。
ることにより、高密度でかつ実装組立品の厚味を薄くし
た実装を実現できる効果を有するものでおる。
第1図は本発明のシリコン基板とチップとの関係を示す
斜視図、第2図は第1図の縦断面図である。 1・・・シリコン基板 2・・・半導体チップ3a
、 3b、 3c・・・凹部 4・・・突起5・・
・外部接続端子 6・・・パターン7・・・接点 8・・・半導体チップの端子 9・・・シリコン基板 持直出願人 日本電気株式会社 4、−、パ′− 代理人 弁理士菅野 中・・′い1 、゛、z、−− ニー七− 第′1図
斜視図、第2図は第1図の縦断面図である。 1・・・シリコン基板 2・・・半導体チップ3a
、 3b、 3c・・・凹部 4・・・突起5・・
・外部接続端子 6・・・パターン7・・・接点 8・・・半導体チップの端子 9・・・シリコン基板 持直出願人 日本電気株式会社 4、−、パ′− 代理人 弁理士菅野 中・・′い1 、゛、z、−− ニー七− 第′1図
Claims (1)
- (1)シリコンからなる基板本体に、半導体チップを収
容する凹部と、該凹部内の半導体チップの端子に圧着す
る接点を備えた突起と、該突起の接点と外部接続端子と
を結線するパターンとを有することを特徴とするシリコ
ン基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10035886A JPS62257756A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | シリコン基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10035886A JPS62257756A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | シリコン基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62257756A true JPS62257756A (ja) | 1987-11-10 |
Family
ID=14271859
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10035886A Pending JPS62257756A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | シリコン基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62257756A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0631312A1 (en) * | 1993-06-25 | 1994-12-28 | Fujitsu Limited | Single inline package |
JP2006054493A (ja) * | 2000-10-20 | 2006-02-23 | Silverbrook Research Pty Ltd | マルチチップ集積回路キャリヤ |
JP2006080556A (ja) * | 2000-10-20 | 2006-03-23 | Silverbrook Research Pty Ltd | 集積回路キャリヤ |
-
1986
- 1986-04-30 JP JP10035886A patent/JPS62257756A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0631312A1 (en) * | 1993-06-25 | 1994-12-28 | Fujitsu Limited | Single inline package |
US5451815A (en) * | 1993-06-25 | 1995-09-19 | Fujitsu Limited | Semiconductor device with surface mount package adapted for vertical mounting |
JP2006054493A (ja) * | 2000-10-20 | 2006-02-23 | Silverbrook Research Pty Ltd | マルチチップ集積回路キャリヤ |
JP2006080556A (ja) * | 2000-10-20 | 2006-03-23 | Silverbrook Research Pty Ltd | 集積回路キャリヤ |
JP4528246B2 (ja) * | 2000-10-20 | 2010-08-18 | シルバーブルック リサーチ ピーティワイ リミテッド | マルチチップ集積回路パッケージ |
JP4528245B2 (ja) * | 2000-10-20 | 2010-08-18 | シルバーブルック リサーチ ピーティワイ リミテッド | 集積回路パッケージ |
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