JPS5887535A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPS5887535A JPS5887535A JP56186334A JP18633481A JPS5887535A JP S5887535 A JPS5887535 A JP S5887535A JP 56186334 A JP56186334 A JP 56186334A JP 18633481 A JP18633481 A JP 18633481A JP S5887535 A JPS5887535 A JP S5887535A
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- liquid crystal
- smectic
- smetic
- crystal display
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/132—Thermal activation of liquid crystals exhibiting a thermo-optic effect
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/13781—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering using smectic liquid crystals
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、液晶表示装置に関するものであり、史に詳
細には、特にレーザー熱書き込み液晶ライトバルブに基
づく液晶表示装置に関するものである。
細には、特にレーザー熱書き込み液晶ライトバルブに基
づく液晶表示装置に関するものである。
従来のレーザー熱書き込み液晶ライトバルブは、レーザ
ー九によって元散乱中心を作ることを％値としている。
ー九によって元散乱中心を作ることを％値としている。
その原理をスメクテイツク液晶を用いて簡単に説明する
と次の通りである。スメクテイツク液晶は、Ｉａｌ＆の
上昇に伴って、クリスタル相、スメクティックＣ相、ス
メクティックＡ相、ネマ・ティック相、アイソトロピッ
ク相のＩＩＩに相転移をする。そして動作時には、スメ
クティックＣ相からスメクテインク人相への相転移する
温度’ｒ。
と次の通りである。スメクテイツク液晶は、Ｉａｌ＆の
上昇に伴って、クリスタル相、スメクティックＣ相、ス
メクティックＡ相、ネマ・ティック相、アイソトロピッ
ク相のＩＩＩに相転移をする。そして動作時には、スメ
クティックＣ相からスメクテインク人相への相転移する
温度’ｒ。
と、スメクティックＡ相からネマティック相への相転移
する温度Ｔ２との間の温度、すなわちスメクテイツク人
相が保持される温間にしておく。スメクテイツク人相で
は、その液晶分子か層状構造になっていて、かつ、各層
に垂面に並んでいる。ガラス基板表面を予じめ表面処理
しておくと、その液晶分子は、そのガラス基板の表面に
対して垂的に層状をなして配列される。このような＾１
夕ＩＪｊ（Ｌ。
する温度Ｔ２との間の温度、すなわちスメクテイツク人
相が保持される温間にしておく。スメクテイツク人相で
は、その液晶分子か層状構造になっていて、かつ、各層
に垂面に並んでいる。ガラス基板表面を予じめ表面処理
しておくと、その液晶分子は、そのガラス基板の表面に
対して垂的に層状をなして配列される。このような＾１
夕ＩＪｊ（Ｌ。
でおいた液晶層Ｋ 、レーサー元を集光してｓ 髪、ｒ
すると、そのレーザー元か照射さねた部分には熱が発生
し、この熱が液晶に伝坪されて、スメクティツクＡ−ネ
マティンク相転移温度１゛２を縮え、史にネマティック
−アイソトロピック相転ｓ ｗ 廣Ｔ、を超えてアイソ
トロピック相が生成する。そこで、レーザー尤の照射を
停止すると、〃１」熱されたアイソトロピック相か冷え
て丹ひスメクテインクＡａに戻る挙動を示すが、急冷す
ることによって当初の整然と配列された状態には戻らず
、その配向方向が乱れた状態のま才保持されることにな
り、その部分がメモリーきして書き込まれることになる
。
すると、そのレーザー元か照射さねた部分には熱が発生
し、この熱が液晶に伝坪されて、スメクティツクＡ−ネ
マティンク相転移温度１゛２を縮え、史にネマティック
−アイソトロピック相転ｓ ｗ 廣Ｔ、を超えてアイソ
トロピック相が生成する。そこで、レーザー尤の照射を
停止すると、〃１」熱されたアイソトロピック相か冷え
て丹ひスメクテインクＡａに戻る挙動を示すが、急冷す
ることによって当初の整然と配列された状態には戻らず
、その配向方向が乱れた状態のま才保持されることにな
り、その部分がメモリーきして書き込まれることになる
。
なお、このようにして書き込まねた液晶セルに電圧を印
加して、液晶分子の長袖方向の誘電率が短軸方向のそれ
よりも大キ′くなると、そのように乱れた状態で配列し
ていた液晶分子は褥び整然とした層状の配列に戻り、書
き込まれた情報が消去されることになる。すなわち、こ
のような動作原理によって、レーザー光を走査し、それ
に同期させてレーザー党強度を変−させねばｕｌｕ像の
書き込み、次いで消去ができる。
加して、液晶分子の長袖方向の誘電率が短軸方向のそれ
よりも大キ′くなると、そのように乱れた状態で配列し
ていた液晶分子は褥び整然とした層状の配列に戻り、書
き込まれた情報が消去されることになる。すなわち、こ
のような動作原理によって、レーザー光を走査し、それ
に同期させてレーザー党強度を変−させねばｕｌｕ像の
書き込み、次いで消去ができる。
ところで、この参合、スメクテイツクーネマテイツク転
移會たはネマテイツクーアイントロピンク転移は一次の
相転移であるために、相転移を起させるためには潜熱か
必貴すなるので、普き込みの際に照射されるレーザー光
の熱エネルギーかその分だけ温度上昇に奇与しなくなΦ
。これは書き込み速度を上けるうえで大きな障害になる
◎また、書き込まわた表示をメモリーとして保持できる
には、十分な散乱状態を起させることか必要となり、そ
のためには急冷か不可欠きなる。したかつて、レーザー
光によって加熱するときのｆ＃Ａ＃上昇をできるだけ大
きくしてやる必髪力）あるので、レーサー光照射による
熱エネルギーに損失があることは非常に不利である。
移會たはネマテイツクーアイントロピンク転移は一次の
相転移であるために、相転移を起させるためには潜熱か
必貴すなるので、普き込みの際に照射されるレーザー光
の熱エネルギーかその分だけ温度上昇に奇与しなくなΦ
。これは書き込み速度を上けるうえで大きな障害になる
◎また、書き込まわた表示をメモリーとして保持できる
には、十分な散乱状態を起させることか必要となり、そ
のためには急冷か不可欠きなる。したかつて、レーザー
光によって加熱するときのｆ＃Ａ＃上昇をできるだけ大
きくしてやる必髪力）あるので、レーサー光照射による
熱エネルギーに損失があることは非常に不利である。
また、書き込み状態として散乱状態を使用することは、
コントラストを上けるたｊｌζ困難な間叩が生じてくる
。すなわち、前述した問題を解決するために、照射した
レーザー光の元エネルキーをできるだ行多くの熱エネル
ギーにｆ換する目的で、アルミニウムやゲルマニウムな
どの元吸収層を設けると光吸収効率は上かり書き込み効
率は上昇するけれども、表示方式は反射型となってしま
うので、透過型のように商いコントラストか得られない
という欠点かある。
コントラストを上けるたｊｌζ困難な間叩が生じてくる
。すなわち、前述した問題を解決するために、照射した
レーザー光の元エネルキーをできるだ行多くの熱エネル
ギーにｆ換する目的で、アルミニウムやゲルマニウムな
どの元吸収層を設けると光吸収効率は上かり書き込み効
率は上昇するけれども、表示方式は反射型となってしま
うので、透過型のように商いコントラストか得られない
という欠点かある。
それで、透過型にするには、酸化インジウム−酸化チタ
ンなどの透明専電狭を元吸収増とすく）か、または液晶
中に光吸収のできる色票を混入させる方法などが考えら
ねるが、これらはいずれもレーザー光の吸収率に限界か
あり、液晶の十分な篇蜜上昇をもたらすためにはまだ幾
多の困難な間石を解決しなけれはならない。
ンなどの透明専電狭を元吸収増とすく）か、または液晶
中に光吸収のできる色票を混入させる方法などが考えら
ねるが、これらはいずれもレーザー光の吸収率に限界か
あり、液晶の十分な篇蜜上昇をもたらすためにはまだ幾
多の困難な間石を解決しなけれはならない。
この発明は、従来の液晶表示装置における諸欠点を大巾
に改善することができる液晶表示装置であって、それに
使用さイーｌる液晶表示装置は極めて高い光吸収効率な
らひにコントラストを与λるＣとができるものを提供す
るものである。
に改善することができる液晶表示装置であって、それに
使用さイーｌる液晶表示装置は極めて高い光吸収効率な
らひにコントラストを与λるＣとができるものを提供す
るものである。
この発明において使用される液晶分子は、スメクテイツ
クＣ相と呼Ｆ！、ねる状態にあるスメクテイツク液晶で
ある。このスメクテイツクＣ相は、スメクテイツク相に
共通の層状−造を有しており、スメクテイツク人相か、
その分子長軸かその階方向に対して垂直になっているの
に対し、纂１図に示すように、その分子長軸かその層に
対する法柳からある角ｍ （ｔＩ） Ｍいていることを
特徴として（看る。
クＣ相と呼Ｆ！、ねる状態にあるスメクテイツク液晶で
ある。このスメクテイツクＣ相は、スメクテイツク相に
共通の層状−造を有しており、スメクテイツク人相か、
その分子長軸かその階方向に対して垂直になっているの
に対し、纂１図に示すように、その分子長軸かその層に
対する法柳からある角ｍ （ｔＩ） Ｍいていることを
特徴として（看る。
そして、この角震は温度依存性かめる。すなわち、第２
図に示すように、スメクテイツク相は、そのｆ＆＆度か
上昇するにつれて、その角［（＃ｌか零に辺づ赤、ある
温度Ｔｃで零になる。つまり、この状態はスメクテイツ
ク人相であるので、その幅＃ ＴｃはスメクテイツクＣ
−スメク子イックＡ相転移温度ということになる。
図に示すように、スメクテイツク相は、そのｆ＆＆度か
上昇するにつれて、その角［（＃ｌか零に辺づ赤、ある
温度Ｔｃで零になる。つまり、この状態はスメクテイツ
ク人相であるので、その幅＃ ＴｃはスメクテイツクＣ
−スメク子イックＡ相転移温度ということになる。
かかるスメクテイツクＣ相は、光学活性中心を導入する
ことによってカイラルスメク子イックＣ相（＆ｒＩＣ＊
）になるこさが知られていて、この状態で琲強誘電性を
示す。このカイラルスメク子イックＣ相の構造は、第６
図で示すように、各層の液晶分子は、スメクテイツクＣ
相の各層と同様に、その分子長軸がその層に対する法−
からある角度（＃）傾いていて、かつ、隣接する層の液
晶分子ＩＨ＋志がその法線を軸として回転しているよう
ならせん構造になっていることを特徴としている。した
かって、分子の双惨子モーメントは、第６図に示すよう
に、分子短軸方向で分子長軸と法ｈａか作る面に対′し
て垂直力向である。かかるカイラルスメクテイツクＣ相
をもつ欣晶としてハ、４１１」えねｐ−デシルオキシ−
ベンシリテン−ｐ′−アミノーン−メチルブチルシンナ
メート（Ｌ）ＬＪＨＡＩｕｌＢＵ ） 、ｐ−へキシル
オキシ−ペンシリテン−ｐ′−アミノ−２−クロロプロ
ピルシンナメート（ｍｍｃｐｅ ）などが挙ｒｒｒられ
る。
ことによってカイラルスメク子イックＣ相（＆ｒＩＣ＊
）になるこさが知られていて、この状態で琲強誘電性を
示す。このカイラルスメク子イックＣ相の構造は、第６
図で示すように、各層の液晶分子は、スメクテイツクＣ
相の各層と同様に、その分子長軸がその層に対する法−
からある角度（＃）傾いていて、かつ、隣接する層の液
晶分子ＩＨ＋志がその法線を軸として回転しているよう
ならせん構造になっていることを特徴としている。した
かって、分子の双惨子モーメントは、第６図に示すよう
に、分子短軸方向で分子長軸と法ｈａか作る面に対′し
て垂直力向である。かかるカイラルスメクテイツクＣ相
をもつ欣晶としてハ、４１１」えねｐ−デシルオキシ−
ベンシリテン−ｐ′−アミノーン−メチルブチルシンナ
メート（Ｌ）ＬＪＨＡＩｕｌＢＵ ） 、ｐ−へキシル
オキシ−ペンシリテン−ｐ′−アミノ−２−クロロプロ
ピルシンナメート（ｍｍｃｐｅ ）などが挙ｒｒｒられ
る。
前述したような液晶を使用してこの発明に係る液晶表示
装置に適用できる液晶表示素子は、ｗ４図に示すように
、例えば、ガラス基板（１ａ）（１ｂ）の表面に透明電
働（２ａ）（２ｂ）をそれぞわ設け、その透明電極上に
更に例えはポリビニルアルコールラスピンコートして得
られた水平配向層（３ｍ）（３ｂ）をそれぞれ設けて水
平配向処理し、ラビングすることなしに、これらの水平
配向層が数ミクロンないし１０ミクロン程度の間隔を置
いて互いに対向するように配置され、そのガラス基板の
両端ｌごスペーサー（４ａ ）（４ｂ）を配重しで空間
を作り、そのｇ！間に液晶、例えＶｉＤＯ隨１０を封入
することによって作成することができる。
装置に適用できる液晶表示素子は、ｗ４図に示すように
、例えば、ガラス基板（１ａ）（１ｂ）の表面に透明電
働（２ａ）（２ｂ）をそれぞわ設け、その透明電極上に
更に例えはポリビニルアルコールラスピンコートして得
られた水平配向層（３ｍ）（３ｂ）をそれぞれ設けて水
平配向処理し、ラビングすることなしに、これらの水平
配向層が数ミクロンないし１０ミクロン程度の間隔を置
いて互いに対向するように配置され、そのガラス基板の
両端ｌごスペーサー（４ａ ）（４ｂ）を配重しで空間
を作り、そのｇ！間に液晶、例えＶｉＤＯ隨１０を封入
することによって作成することができる。
このような構成における液晶表示素子における条件下で
は、カイラルスメクテイツクＣ３ｌ（スメクテイツクＣ
１相）の＠Ａ度＄ｇ囲内でも、第６図に不すようならせ
ん構造は取ることができず、第４１に示すような構造に
なっている。その理由ｉｒ、カラスＩＩ面での強い配タ
リ税制力がセル厚か薄いた１により強く影曽を及はしら
せん構造を♂れ八くなるためであると考えらねる〇 なお、第５図に示すように、液晶分子がカラス壁面に対
して取り°）る平行な１夕！］は２辿りあって、図中に
おいてＡおよびＢとして示すようにこの二つの配列Ａお
よびＢは、ドメインとなって表わわ、エネルギー的には
全く等価であって、分子の双ｈ・Ｆ子モーメントの方向
が迎になっている。したかって、これに■流電圧を印加
し、・その極性を切使えることによって、これらの二Ｐ
＠ａの内１タリのとちらか一方を選択でき、双安定（バ
イステーブル）スイッチング動作が可能であ６゜ 前述したような構成をもつ液晶表示素子をＸ餉するこの
発明に係る液晶表示装置１−こふ・いては、液晶表示素
子以外の＃１或は、従来の液晶表示装置と例ら変わるこ
となく、その桝飲安索となる部品を過当に組合せること
によって作成することかできるＯ 第６図において示したライトバルブに応用したこの液晶
表示装置の一例を用いて書き込みを行なうには、レーザ
ー光源０υから照射された例λばＧａＡｓレーザーなど
のレーザー光は、ビームエキスパンダー０２１を介して
変調器（１３１に導ひかね、次いでＸ−Ｙｔｆルパノミ
→−０４１、集光レンズ０５）およびハーフミラ−Ｑ６
１を介して、液晶表示装置推の所定位置に集光される。
は、カイラルスメクテイツクＣ３ｌ（スメクテイツクＣ
１相）の＠Ａ度＄ｇ囲内でも、第６図に不すようならせ
ん構造は取ることができず、第４１に示すような構造に
なっている。その理由ｉｒ、カラスＩＩ面での強い配タ
リ税制力がセル厚か薄いた１により強く影曽を及はしら
せん構造を♂れ八くなるためであると考えらねる〇 なお、第５図に示すように、液晶分子がカラス壁面に対
して取り°）る平行な１夕！］は２辿りあって、図中に
おいてＡおよびＢとして示すようにこの二つの配列Ａお
よびＢは、ドメインとなって表わわ、エネルギー的には
全く等価であって、分子の双ｈ・Ｆ子モーメントの方向
が迎になっている。したかって、これに■流電圧を印加
し、・その極性を切使えることによって、これらの二Ｐ
＠ａの内１タリのとちらか一方を選択でき、双安定（バ
イステーブル）スイッチング動作が可能であ６゜ 前述したような構成をもつ液晶表示素子をＸ餉するこの
発明に係る液晶表示装置１−こふ・いては、液晶表示素
子以外の＃１或は、従来の液晶表示装置と例ら変わるこ
となく、その桝飲安索となる部品を過当に組合せること
によって作成することかできるＯ 第６図において示したライトバルブに応用したこの液晶
表示装置の一例を用いて書き込みを行なうには、レーザ
ー光源０υから照射された例λばＧａＡｓレーザーなど
のレーザー光は、ビームエキスパンダー０２１を介して
変調器（１３１に導ひかね、次いでＸ−Ｙｔｆルパノミ
→−０４１、集光レンズ０５）およびハーフミラ−Ｑ６
１を介して、液晶表示装置推の所定位置に集光される。
この場合、レーザー光の１部は、その液晶表示素子の透
明電接によって吸収され、これが熱に変換されて液晶層
（５）に伝わり、その部分の温度が上昇する。すなわち
、嬉２図で示すように、液晶分子がカイラルスメクテイ
ツクＣ相を保持する温度Ｔ、にヒーターｔｉｎ （＃
６図）によって当初設定しておき、レーザー光照狙によ
りその照射された液晶層部分が加熱されて、角度（＃）
が零になる温度、すなわちカイラルスメクテイツクＣ−
スメクテイツクＡ相転杉ｆＭ 震ｌ１ｌＣよりも縄いｇ
ｕ ’ｉ’２にする。この場合、Ｔ、はＴｃよりも約
２ないし１０Ｃ程度低い温度に設定するのか好証しい。
明電接によって吸収され、これが熱に変換されて液晶層
（５）に伝わり、その部分の温度が上昇する。すなわち
、嬉２図で示すように、液晶分子がカイラルスメクテイ
ツクＣ相を保持する温度Ｔ、にヒーターｔｉｎ （＃
６図）によって当初設定しておき、レーザー光照狙によ
りその照射された液晶層部分が加熱されて、角度（＃）
が零になる温度、すなわちカイラルスメクテイツクＣ−
スメクテイツクＡ相転杉ｆＭ 震ｌ１ｌＣよりも縄いｇ
ｕ ’ｉ’２にする。この場合、Ｔ、はＴｃよりも約
２ないし１０Ｃ程度低い温度に設定するのか好証しい。
この壱酋の液晶分子の状態は、第７図に示すよう６ζ、
レーサー元照射部分ＣはスメクテイツクＡ相になってい
る。次いでレーザー光の照射を停止するさ、スメクテイ
ツク人相に相転移した部分は沓ひスメクテイツクＣＩ相
に冷えて戻る。己かし、この場合に、そのセルの厚み方
向に刺いｍ 流′Ｉ！ｌｌ５４Ｆを印加しておけは、第
５図に示すように、自１゛夕ＩＡ７たけ＾１列Ｂのいず
れかに選択的に極性を決めることができる。すなわち、
１夕ＩＪ Ａでは液晶分子の双極ｔモーメントは上向き
であるのに対し、麹［′列Ｂでは液晶分子の双惨子モー
メントは下向きになっているからである。ただし、この
ときのＩｌ：Ｉｊ加・酸圧は、智Ｉｆ Ｔｔのときに配
列Ａ≠配、夕ｌＩ Ｂのスイッチングをするには小さす
ぎる程度の倣小電汁である必要かある。このようにして
書き込まれた状態は第８ν・のように示される。
レーサー元照射部分ＣはスメクテイツクＡ相になってい
る。次いでレーザー光の照射を停止するさ、スメクテイ
ツク人相に相転移した部分は沓ひスメクテイツクＣＩ相
に冷えて戻る。己かし、この場合に、そのセルの厚み方
向に刺いｍ 流′Ｉ！ｌｌ５４Ｆを印加しておけは、第
５図に示すように、自１゛夕ＩＡ７たけ＾１列Ｂのいず
れかに選択的に極性を決めることができる。すなわち、
１夕ＩＪ Ａでは液晶分子の双極ｔモーメントは上向き
であるのに対し、麹［′列Ｂでは液晶分子の双惨子モー
メントは下向きになっているからである。ただし、この
ときのＩｌ：Ｉｊ加・酸圧は、智Ｉｆ Ｔｔのときに配
列Ａ≠配、夕ｌＩ Ｂのスイッチングをするには小さす
ぎる程度の倣小電汁である必要かある。このようにして
書き込まれた状態は第８ν・のように示される。
更に、第６ト目Ｃおいて示すように、前述したように書
き込まれた液晶表示素子００１を、儂元子（７ａ）と検
光子（７ｂ）ではさむことによって、貴き込まれた部分
と資き込まわていｔい部分のコントラストをつけること
かできる。この半合には、消去状のときの分子−！！に
＠方向に偏光子を置き、またこれに山角になるように検
光子を置くことによって、光源−からの元は、コンデン
サー〇Ｉｋひ偏光子（７ａ）を通って液晶表示素子ａα
に入射した光は全く劣化を受けずにその液晶来示素子を
通過し検光子（７ｂ）で光は遮断されて暗くなる。一方
、書き込まれた部分は、そこの液晶の分子長軸方向と偏
光子の偏光方向が一致していないので、その素子の液晶
セルゆで複屈折４Ｃよる劣化を受けてその液晶セルを出
て行くときには楕円偏光となるので、一部の光は検光子
をもれて出てきて、次いでレンズ（２１）を通してディ
スプレイスクリーンのに投影されて読み取れるようにな
っている。
き込まれた液晶表示素子００１を、儂元子（７ａ）と検
光子（７ｂ）ではさむことによって、貴き込まれた部分
と資き込まわていｔい部分のコントラストをつけること
かできる。この半合には、消去状のときの分子−！！に
＠方向に偏光子を置き、またこれに山角になるように検
光子を置くことによって、光源−からの元は、コンデン
サー〇Ｉｋひ偏光子（７ａ）を通って液晶表示素子ａα
に入射した光は全く劣化を受けずにその液晶来示素子を
通過し検光子（７ｂ）で光は遮断されて暗くなる。一方
、書き込まれた部分は、そこの液晶の分子長軸方向と偏
光子の偏光方向が一致していないので、その素子の液晶
セルゆで複屈折４Ｃよる劣化を受けてその液晶セルを出
て行くときには楕円偏光となるので、一部の光は検光子
をもれて出てきて、次いでレンズ（２１）を通してディ
スプレイスクリーンのに投影されて読み取れるようにな
っている。
前述したように、この発明に係る液晶表示装置は、従来
法におけるようなスメクテイツクＡ−アイソトロピック
、コレステリツクーアイントロビックなどの相転移を利
用して急冷によって形成されるフォーカル・コニック・
テキスチャーを表示として用いる方法とは巣なっていて
、スメクテイツクＣ−スメクテイツク人相転移を用いる
ため情熱がなく、更に特、冷も会費としｌＡいので、大
きな温度上昇をさせなくでも済むから◆き込み速度の大
幅な向上が実現できるといつ大きな不１」やがあ４更に
、表示方法かＴＮ＃晶表斥セルに類似したやり方なので
、単一な光学系で高いコントラストか得られ、才た、レ
ーザー光の吸収は、その液晶１−中に、そのレーザーの
発振波長付近ＩＣλｍａｘをもつ色素を混入することに
よって実現できる。
法におけるようなスメクテイツクＡ−アイソトロピック
、コレステリツクーアイントロビックなどの相転移を利
用して急冷によって形成されるフォーカル・コニック・
テキスチャーを表示として用いる方法とは巣なっていて
、スメクテイツクＣ−スメクテイツク人相転移を用いる
ため情熱がなく、更に特、冷も会費としｌＡいので、大
きな温度上昇をさせなくでも済むから◆き込み速度の大
幅な向上が実現できるといつ大きな不１」やがあ４更に
、表示方法かＴＮ＃晶表斥セルに類似したやり方なので
、単一な光学系で高いコントラストか得られ、才た、レ
ーザー光の吸収は、その液晶１−中に、そのレーザーの
発振波長付近ＩＣλｍａｘをもつ色素を混入することに
よって実現できる。
１１図はスメクテイツクＣ相の１−状構造を示す断面図
、第２図はスメクテイツクＣ相の相転移の変化と温度と
の関係を示すグラフ、第６し１はカイラルスメクテイツ
クＣ相（スメクテイツクＣ＊相）の層状構造を示す断面
図と双欅子モーメントの向きを示す一明図、第４図はこ
の発明に係る液晶表示装置に使用される液晶表示素子の
一例を示す断面図、第５図は第４図の液晶分子の配列を
下す半面図、ｉ６・図はこの発明に係る献品表示装置の
１例を示す配ａｔ図、第７図はレーサー元照射ββ分の
液晶分子配列リを示す平圓図、および第８し１は誉き込
まねた表示の液晶分子配列を示す平面図であもなお図面
に用いられた符号において、 （１ａＸ１ｂ）・・・・・・ガラス基板（５１・・・・
・・・・・・・・・液晶層Ｑ（１・・・・・・・・・・
・・・・・液晶表示素子である。 代 理 人 土 屋 勝 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 ａ ｌノ 第６図 （自発）手続補正書 昭和５７年１１月１７日 １、事件の表示 昭和５６年特許願第１８６３５４号 東京部品川区北品川６−Ｔ’ ＋］７ａｔ３５号（２１
８）ソニー株式会社 ６ 補正により増加する発明の数 （１）、特許請求の範囲を別紙のとおり補正する。 （２＋、５５１細書第４頁第１３行の「アルミニウムや
ゲルマニウム」を１アルミニウム」と補正する。 （３）、同第４貴第１９行の「＃化チタン」を「酸化ス
ズ」と補正する。 （４１、ｌｊ３第５１ｆ第１９行の「スメクテイツク相
」を「スメクテイツクＣ相」と補正する。 （５へｆｊｌ第７頁第１１〜１２行の「数ミクロンない
し１０ミクロン」ヲ「数ミクロン」と補正する。 （６）、同第８貫第９行の「全く」を削除する。 （７）、同第１１買第４〜５行の「光は全く劣化を受け
ずに」を「直線偏光の菫ま」と補正する。 （８）、同第１１１に第９行の「複屈折による劣化」を
「複屈折の影響」と補正する。 一以上一 ２、特許請求の範囲 エネルギー的には等価であるが、その双極子モーメント
が逆であるスメクテイツク液晶分子の配列を互いにスイ
ッチングするには小さすぎる電圧を印加しながら、光照
射して表示を行なうごきを特徴とする液晶表示装置。 ２５８−
、第２図はスメクテイツクＣ相の相転移の変化と温度と
の関係を示すグラフ、第６し１はカイラルスメクテイツ
クＣ相（スメクテイツクＣ＊相）の層状構造を示す断面
図と双欅子モーメントの向きを示す一明図、第４図はこ
の発明に係る液晶表示装置に使用される液晶表示素子の
一例を示す断面図、第５図は第４図の液晶分子の配列を
下す半面図、ｉ６・図はこの発明に係る献品表示装置の
１例を示す配ａｔ図、第７図はレーサー元照射ββ分の
液晶分子配列リを示す平圓図、および第８し１は誉き込
まねた表示の液晶分子配列を示す平面図であもなお図面
に用いられた符号において、 （１ａＸ１ｂ）・・・・・・ガラス基板（５１・・・・
・・・・・・・・・液晶層Ｑ（１・・・・・・・・・・
・・・・・液晶表示素子である。 代 理 人 土 屋 勝 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 ａ ｌノ 第６図 （自発）手続補正書 昭和５７年１１月１７日 １、事件の表示 昭和５６年特許願第１８６３５４号 東京部品川区北品川６−Ｔ’ ＋］７ａｔ３５号（２１
８）ソニー株式会社 ６ 補正により増加する発明の数 （１）、特許請求の範囲を別紙のとおり補正する。 （２＋、５５１細書第４頁第１３行の「アルミニウムや
ゲルマニウム」を１アルミニウム」と補正する。 （３）、同第４貴第１９行の「＃化チタン」を「酸化ス
ズ」と補正する。 （４１、ｌｊ３第５１ｆ第１９行の「スメクテイツク相
」を「スメクテイツクＣ相」と補正する。 （５へｆｊｌ第７頁第１１〜１２行の「数ミクロンない
し１０ミクロン」ヲ「数ミクロン」と補正する。 （６）、同第８貫第９行の「全く」を削除する。 （７）、同第１１買第４〜５行の「光は全く劣化を受け
ずに」を「直線偏光の菫ま」と補正する。 （８）、同第１１１に第９行の「複屈折による劣化」を
「複屈折の影響」と補正する。 一以上一 ２、特許請求の範囲 エネルギー的には等価であるが、その双極子モーメント
が逆であるスメクテイツク液晶分子の配列を互いにスイ
ッチングするには小さすぎる電圧を印加しながら、光照
射して表示を行なうごきを特徴とする液晶表示装置。 ２５８−
Claims (1)
- エネルギー的には等価であるか、その双愉子モーメント
が逆であるスメクテイック液晶分子の配列を互いにスイ
ッチングするに目小さすぎる電圧を印加しながら、光照
射してスメク子イックＣ相からスメクテイツクＡ相にし
て表示を行なうことを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (6)
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|---|---|---|---|
| JP56186334A JPS5887535A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 液晶表示装置 |
| KR1019820005212A KR840002532A (ko) | 1981-11-20 | 1982-11-18 | 액정표시장치 |
| EP82903343A EP0094432B1 (en) | 1981-11-20 | 1982-11-19 | Liquid crystal display unit |
| DE8282903343T DE3279596D1 (en) | 1981-11-20 | 1982-11-19 | Liquid crystal display unit |
| US06/530,596 US4639722A (en) | 1981-11-20 | 1982-11-19 | Liquid crystal display apparatus |
| PCT/JP1982/000442 WO1983001841A1 (en) | 1981-11-20 | 1982-11-19 | Liquid crystal display unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56186334A JPS5887535A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5887535A true JPS5887535A (ja) | 1983-05-25 |
| JPS6230614B2 JPS6230614B2 (ja) | 1987-07-03 |
Family
ID=16186525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56186334A Granted JPS5887535A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 液晶表示装置 |
Country Status (6)
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|---|---|
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| EP (1) | EP0094432B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5887535A (ja) |
| KR (1) | KR840002532A (ja) |
| DE (1) | DE3279596D1 (ja) |
| WO (1) | WO1983001841A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4528562A (en) * | 1980-01-16 | 1985-07-09 | International Standard Electric Corporation | Co-ordinate addressing of smectic display cells |
| JPS62291624A (ja) * | 1986-06-11 | 1987-12-18 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JPS6310132A (ja) * | 1986-07-02 | 1988-01-16 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| US4893907A (en) * | 1986-04-04 | 1990-01-16 | British Telecommunications Public Limited Company | Optical devices |
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| US4958916A (en) * | 1980-01-08 | 1990-09-25 | Clark Noel A | Surface stabilized ferroelectric liquid crystal devices |
| US5083855A (en) * | 1980-01-08 | 1992-01-28 | Clark Noel A | Surface stabilized ferroelectric liquid crystal devices |
| US4840463A (en) * | 1987-08-19 | 1989-06-20 | Clark Noel A | Surface stabilized ferroelectric liquid crystal devices |
| USRE34950E (en) * | 1980-01-08 | 1995-05-23 | Clark Noel A | Surface stabilized ferroelectric liquid crystal devices with means for aligning LC molecules at Ω(α) from normal to the means |
| USRE34966E (en) * | 1980-01-08 | 1995-06-13 | Clark Noel A | Surface stabilized ferroelectric liquid crystal devices with LC molecules aligned at angle Ω(α) from normal to substrates |
| US4655561A (en) * | 1983-04-19 | 1987-04-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of driving optical modulation device using ferroelectric liquid crystal |
| US4938570A (en) * | 1985-04-18 | 1990-07-03 | Sony Corporation | Method and system for data display and input via display screen |
| JPS61256321A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-13 | Hitachi Ltd | 液晶投射型表示装置 |
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| GB8616165D0 (en) * | 1986-07-02 | 1986-08-06 | Stc Plc | Liquid crystal cell |
| US4995705A (en) * | 1986-12-17 | 1991-02-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Device, method and apparatus for optical modulation using ferroelectric polymer liquid crystals |
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| US5026145A (en) * | 1987-09-24 | 1991-06-25 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
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| US7631877B2 (en) * | 2006-01-26 | 2009-12-15 | Battenfeld Technologies, Inc. | Firearm targets and methods for manufacturing firearm targets |
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| EP3031967B1 (de) * | 2014-12-11 | 2019-02-27 | SIPRA Patententwicklungs- und Beteiligungsgesellschaft mbH | Maschine und Verfahren zur Herstellung von Maschenware |
Family Cites Families (13)
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| FR2292254A1 (fr) * | 1974-11-21 | 1976-06-18 | Thomson Csf | Procede de visualisation a cristal liquide, dispositif de traitement de l'information appliquant ce procede |
| FR2296198A1 (fr) * | 1974-12-24 | 1976-07-23 | Commissariat Energie Atomique | Procede thermique de commande de proprietes optiques d'un cristal liquide et dispositifs mettant en oeuvre ledit procede |
| FR2404272A1 (fr) * | 1977-09-23 | 1979-04-20 | Thomson Csf | Dispositif de reproduction d'images monochromes et systeme de teletransmission d'images utilisant un tel dispositif |
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| EP0032362B1 (en) * | 1980-01-10 | 1984-08-22 | Noel A. Clark | Chiral smectic liquid crystal electro-optical device and process of making the same |
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| FR2507802A1 (fr) * | 1981-06-10 | 1982-12-17 | Thomson Csf | Dispositif d'affichage a cristal liquide associant deux modes d'adressage |
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1981
- 1981-11-20 JP JP56186334A patent/JPS5887535A/ja active Granted
-
1982
- 1982-11-18 KR KR1019820005212A patent/KR840002532A/ko unknown
- 1982-11-19 WO PCT/JP1982/000442 patent/WO1983001841A1/ja active IP Right Grant
- 1982-11-19 US US06/530,596 patent/US4639722A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-11-19 EP EP82903343A patent/EP0094432B1/en not_active Expired
- 1982-11-19 DE DE8282903343T patent/DE3279596D1/de not_active Expired
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| JPS6310132A (ja) * | 1986-07-02 | 1988-01-16 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
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| EP0094432B1 (en) | 1989-04-05 |
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| US4639722A (en) | 1987-01-27 |
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