JPS5817784A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS5817784A JPS5817784A JP56115059A JP11505981A JPS5817784A JP S5817784 A JPS5817784 A JP S5817784A JP 56115059 A JP56115059 A JP 56115059A JP 11505981 A JP11505981 A JP 11505981A JP S5817784 A JPS5817784 A JP S5817784A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- film
- voltage
- solid
- imaging device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 20
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910005171 Si3O4 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
- H01L27/14672—Blooming suppression
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光導電性薄膜を光電変換部に用いた固体撮像
装置に関する１％に、入射光によって各画素に発生した
電荷の横流れによる解像度の劣化を防止する技術に関す
る。
装置に関する１％に、入射光によって各画素に発生した
電荷の横流れによる解像度の劣化を防止する技術に関す
る。
固体撮像装置の例として半導体基板上に走査回路とこれ
につながるスイッチ群のみを配列し、この上部に光電変
換機能のための光導電性薄膜を形成するものがある。こ
れは走査回路およびスイツチ群の上部に光電変換素子を
形成する２階建構造のため、絵素の来彼度（すなわち解
像力）およびパ受光率がより高くなるため、これからの
兜体撮像装置として期待されているものである。εあ捕
固一体撮像装置の例は特開昭５１−１０７１５ （昭和
４９年７月５日出願）Ｋ開示されるものである。第１図
にその原理を説明するための構成を示す。同図において
１は水平位置選択スイッチ３を開閉する水平走査回路％
２は垂直位置選択スイッチ４を開閉する垂直走査回路、
５は光４電性薄膜を利用した光電変換素子、６は光電変
換素子５を駆動する電源電圧端子、１０−１．１０−２
は信号出力線、Ｒは抵抗である。第２図は第１図の光電
変換領域の新聞構造を示したもので、５′は光導電性薄
膜、６′は透明電極γを介して設けた嵯源電圧、４′恍
垂直スイツチ、また８は絶縁膜である。また１１は半纏
体基板、１２はゲート電極、１３はスイッチ４′の一端
９（基板１！と異なる導電型の不純物で形成された拡散
領域）に抵抗性接触した電極（例えばＡｔ）である。光
学像がレンズを通して光導電性薄膜上に結像すると、光
学像の光強度に応じて光導電性膜の抵抗値が変化し、垂
直スイイチ４（４’）の一端９には光学像に対応した電
圧凌化が現われ、この変化分を信号出力線１０−１゜１
Ｏ−２（第１図に゛図示した）を通して出力端ＯＵＴよ
シ映像信号として取シ出す。なお、１６は信号出力線１
Ｏ−ＩＫ接続される９と同じ導電型の不純物拡散領域で
ある。
につながるスイッチ群のみを配列し、この上部に光電変
換機能のための光導電性薄膜を形成するものがある。こ
れは走査回路およびスイツチ群の上部に光電変換素子を
形成する２階建構造のため、絵素の来彼度（すなわち解
像力）およびパ受光率がより高くなるため、これからの
兜体撮像装置として期待されているものである。εあ捕
固一体撮像装置の例は特開昭５１−１０７１５ （昭和
４９年７月５日出願）Ｋ開示されるものである。第１図
にその原理を説明するための構成を示す。同図において
１は水平位置選択スイッチ３を開閉する水平走査回路％
２は垂直位置選択スイッチ４を開閉する垂直走査回路、
５は光４電性薄膜を利用した光電変換素子、６は光電変
換素子５を駆動する電源電圧端子、１０−１．１０−２
は信号出力線、Ｒは抵抗である。第２図は第１図の光電
変換領域の新聞構造を示したもので、５′は光導電性薄
膜、６′は透明電極γを介して設けた嵯源電圧、４′恍
垂直スイツチ、また８は絶縁膜である。また１１は半纏
体基板、１２はゲート電極、１３はスイッチ４′の一端
９（基板１！と異なる導電型の不純物で形成された拡散
領域）に抵抗性接触した電極（例えばＡｔ）である。光
学像がレンズを通して光導電性薄膜上に結像すると、光
学像の光強度に応じて光導電性膜の抵抗値が変化し、垂
直スイイチ４（４’）の一端９には光学像に対応した電
圧凌化が現われ、この変化分を信号出力線１０−１゜１
Ｏ−２（第１図に゛図示した）を通して出力端ＯＵＴよ
シ映像信号として取シ出す。なお、１６は信号出力線１
Ｏ−ＩＫ接続される９と同じ導電型の不純物拡散領域で
ある。
、 ところで本構造の固体撮像装置において、各画素は
光導電性薄膜５′の下部電極１３によ、つて位置が決め
られかつ分離されている。しかし入射光が電荷に変換さ
れる光導電性薄膜５′は各画素ごとに分離せず、お互に
りな、かった膜の形で形成されている。そのため入射光
によって光導−性博展内に発生し些箪荷の一部は、光導
電性薄膜の厚さ方向だけでなく横方向にもｉれ、近隣の
画素位置にある下部電極にも流入して、画素間の信号電
荷の混合が起きる。特に下部電極間の間隙で発生した電
荷の影響が大きく、解像度その他の画質の劣化を引き起
こしている。
光導電性薄膜５′の下部電極１３によ、つて位置が決め
られかつ分離されている。しかし入射光が電荷に変換さ
れる光導電性薄膜５′は各画素ごとに分離せず、お互に
りな、かった膜の形で形成されている。そのため入射光
によって光導−性博展内に発生し些箪荷の一部は、光導
電性薄膜の厚さ方向だけでなく横方向にもｉれ、近隣の
画素位置にある下部電極にも流入して、画素間の信号電
荷の混合が起きる。特に下部電極間の間隙で発生した電
荷の影響が大きく、解像度その他の画質の劣化を引き起
こしている。
本発明は洸−導電性薄膜内において、画素間にわたる電
荷の横流れを低減あるいは防止し、解像度その他の画質
め劣化を防止する固体撮像装置に関するもので“ある。
荷の横流れを低減あるいは防止し、解像度その他の画質
め劣化を防止する固体撮像装置に関するもので“ある。
第３図は本発明の実施例たる固体撮像装置の断面構造図
で一＠漬。この固体撮像装置はζ第２図に示した従来の
固体撮像装置において各画素の位置を決める下部電極１
３間の間隙に、新たに電極１７を設けたものである。
で一＠漬。この固体撮像装置はζ第２図に示した従来の
固体撮像装置において各画素の位置を決める下部電極１
３間の間隙に、新たに電極１７を設けたものである。
第・４図は光導電体層５１を形成゛するまえの半導体表
面の部分平面図を示す。１３は各画素の下部電極の呂１
領域、１７は新たな電極を示している。
面の部分平面図を示す。１３は各画素の下部電極の呂１
領域、１７は新たな電極を示している。
８は基板上の絶縁層である。′
本発明は新たに設け′たｉｉｔ極１７に一定の電圧を加
え、この電極から発生する電場によって電荷の横流れを
低減することを骨子とする。これにより解像度その他の
画質の劣化を防止するものである。
え、この電極から発生する電場によって電荷の横流れを
低減することを骨子とする。これにより解像度その他の
画質の劣化を防止するものである。
ところでこの固体撮像装置において、・電荷の横流れを
低減するーための方法として２つの方法がある。
低減するーための方法として２つの方法がある。
その一つは、電極１７から発生する！＋ｋＩＪによって
各画素間の間隙に電気的な壁を形成し、電荷の極１３に
印加するビデオ電圧Ｖｖに対する光透過性電極７に印゛
加″する電圧Ｖ！の極性と同極性の電圧を印加する。即
ち、 Ｖｙ＞Ｖマ゛め′時Ｖ？’＞Ｖマ Ｖｔ＜Ｖマの時Ｖｙ’＜Ｖマ である、′ なお、■！′の上限或いは下部電極１３と電極１７との
間の破壊が生じない範囲で゛設定される゛。
各画素間の間隙に電気的な壁を形成し、電荷の極１３に
印加するビデオ電圧Ｖｖに対する光透過性電極７に印゛
加″する電圧Ｖ！の極性と同極性の電圧を印加する。即
ち、 Ｖｙ＞Ｖマ゛め′時Ｖ？’＞Ｖマ Ｖｔ＜Ｖマの時Ｖｙ’＜Ｖマ である、′ なお、■！′の上限或いは下部電極１３と電極１７との
間の破壊が生じない範囲で゛設定される゛。
他の一つは、解像度その他の画質劣化の原因になる電荷
”すなわち入射光によつそ下部電極１３間の間隙に発生
した電荷を、電極１７から発生する電場によって引きよ
せて吸収し、画素間にわたる電荷の横流れを防止する用
い方である。
”すなわち入射光によつそ下部電極１３間の間隙に発生
した電荷を、電極１７から発生する電場によって引きよ
せて吸収し、画素間にわたる電荷の横流れを防止する用
い方である。
この場合、電＃；１７に印加する電圧は、下部電極１３
に印加するビデオ電圧ＶｖＫ対する光透過性電極７に印
加する電圧Ｖ！の極性と反対の極性め電圧ないしはビデ
オ電圧と同電位を印加する。
に印加するビデオ電圧ＶｖＫ対する光透過性電極７に印
加する電圧Ｖ！の極性と反対の極性め電圧ないしはビデ
オ電圧と同電位を印加する。
即ち、
Ｖｔ ）Ｖｖ ０１４Ｖｔ ’≦Ｖｖ
Ｖ？＜Ｖｖの時Ｖｔ’≧Ｖｖ
である。
Ｖｔ’の印加に当って下部電極１３と電極１７との間の
破壊を生じない様にすべきことはいうまでもない。
破壊を生じない様にすべきことはいうまでもない。
以下、実施例によって更に具体的に説明する。
実施例
本例の基本的構造は第３図であるのでこれをもとに説明
する。半導体基板に形成されるスイッチ回路等走査回路
部は通常の半導体装置の工程を用いて製造される。ｐ型
シリコン基板１１・上に８００人程鹿の薄いＳｉ□、膜
を形成し、との５ｔＯ１膜上の所定の位置に１４００
人程度のｓｉ、Ｎ、膜を形成する。８ｔＯ１膜は通常の
ＣＶＤ法、ＢｉＮ、膜はＢｉ、ＮいＮ門を流したＣＶＤ
法によった。次いでＨ，：０．＝１：８：ｇ囲気中でシ
リコンを局所欧化Ｌ％ ８ｉ０．／４８を形成する。こ
の方法は一般にＬＯＧＯ８と呼ばれている素子分離のた
めのシリコンの局所酸化法である。−担、前述のｓｉ、
Ｎ、膜およびＳｉへ膜を除去し、ＭＯＳトランジスタの
ゲート絶縁膜を８ｉｏ、膜で形成する。 −次い
でポリシリコンによるゲート部１２、および拡散領域９
．１６を形成し、更にこの上部にＳｉ０．膜を形成する
。そしてこの膜中に不純物領域１６に対する電極取り出
し口をエツチングで開孔する。電極１０−１としてＡｔ
を８００ＯＡ蒸着する。更に５ｉｆｔ膜８１を７５０Ｏ
Ａに形成し、続いて不純物領域９の上部に９に対する電
極取り出し口をニー゛ツチングで開孔し、電極１３とし
てＡｔ又はＭＯを１μｍ蒸着する。なお、電極１３は領
域９，１６、およびゲート部を覆う如く広く形成した。
する。半導体基板に形成されるスイッチ回路等走査回路
部は通常の半導体装置の工程を用いて製造される。ｐ型
シリコン基板１１・上に８００人程鹿の薄いＳｉ□、膜
を形成し、との５ｔＯ１膜上の所定の位置に１４００
人程度のｓｉ、Ｎ、膜を形成する。８ｔＯ１膜は通常の
ＣＶＤ法、ＢｉＮ、膜はＢｉ、ＮいＮ門を流したＣＶＤ
法によった。次いでＨ，：０．＝１：８：ｇ囲気中でシ
リコンを局所欧化Ｌ％ ８ｉ０．／４８を形成する。こ
の方法は一般にＬＯＧＯ８と呼ばれている素子分離のた
めのシリコンの局所酸化法である。−担、前述のｓｉ、
Ｎ、膜およびＳｉへ膜を除去し、ＭＯＳトランジスタの
ゲート絶縁膜を８ｉｏ、膜で形成する。 −次い
でポリシリコンによるゲート部１２、および拡散領域９
．１６を形成し、更にこの上部にＳｉ０．膜を形成する
。そしてこの膜中に不純物領域１６に対する電極取り出
し口をエツチングで開孔する。電極１０−１としてＡｔ
を８００ＯＡ蒸着する。更に５ｉｆｔ膜８１を７５０Ｏ
Ａに形成し、続いて不純物領域９の上部に９に対する電
極取り出し口をニー゛ツチングで開孔し、電極１３とし
てＡｔ又はＭＯを１μｍ蒸着する。なお、電極１３は領
域９，１６、およびゲート部を覆う如く広く形成した。
これは素子間の信号処理領域に光が入射するとブルーば
ングの原因となシ望ましくないためである。
ングの原因となシ望ましくないためである。
同時に電極７がＡｔ又は、ＭＯ等で形成される。
なお、アルｉ電極１３上Ｋ ８ ｂ、 ８．等の再結合
層を設けるのは自由である。
層を設けるのは自由である。
次いでこれ・、までの工程によプ準備された半導体基体
をマグネトロン型のスパッター装置に装着する。雰囲気
はＡｒと水素の混合ガスで０．２’１’ｏｒｒとなした
。水素含有量は６モル％である。スパッター・ターゲッ
トはシリコンを用いる。周波数１３．５６ＭＨｚ 、入
力ａｏｏｗで反応性スパッターを行ない、前記半導体基
体上に水素を含有する非晶質シリコン薄膜５°１を５０
Ｏｒ１ｍの厚さに堆積する。この非晶質薄膜中の水素含
有量は２ｏ原子％で、比抵抗は５Ｘ１０”Ω・口であっ
た。
をマグネトロン型のスパッター装置に装着する。雰囲気
はＡｒと水素の混合ガスで０．２’１’ｏｒｒとなした
。水素含有量は６モル％である。スパッター・ターゲッ
トはシリコンを用いる。周波数１３．５６ＭＨｚ 、入
力ａｏｏｗで反応性スパッターを行ない、前記半導体基
体上に水素を含有する非晶質シリコン薄膜５°１を５０
Ｏｒ１ｍの厚さに堆積する。この非晶質薄膜中の水素含
有量は２ｏ原子％で、比抵抗は５Ｘ１０”Ω・口であっ
た。
次いで４極７として１００ＯＡ〜２μｍ厚のＳｎＱ、を
用いた。
用いた。
なお、光導電住換５′としてはこの例に限られるもので
ないことはいうまでもない。たとえば、。
ないことはいうまでもない。たとえば、。
ｆ３ ｅ −Ａ Ｓ −Ｔ ６の膜或いはこの多膚膜、
７．ｎ−８ｅとＺ ｎ −Ｃｄ −Ｔｅ等の膜等広く用
い得る。
７．ｎ−８ｅとＺ ｎ −Ｃｄ −Ｔｅ等の膜等広く用
い得る。
たとえば第３図の構造において電極１７と光透過性電極
膜７とを電気的に接続し、電極１７に光透過性電極膜７
と同一電圧Ｖｔを加える。これにより電極１７の近傍は
画素位置にある下部電極１３近傍より電気的なポテンシ
ャルが高くなる。そのため電極１７近傍にある電荷はそ
の近くの画素位置にある下部電極の方に退けられると共
に、電極１７近傍を通る電荷の移動は妨げられる。すな
わち電極１７の近傍にある高い電気的ポテンシャルが各
画素間の間隙の電気的壁となって電荷の横流れを防止す
るため、解像度その他の画質の劣化は低減される。この
様な電気的ポテンシャルによる壁を形成するには、前述
した通り電極１７に下部゛電極１３に加えるビデオ電圧
Ｖｖに対する光□透過性電極膜７の電圧’Ｖｙと同極性
の電圧Ｖｔ’例えばＴ？＞ＶＶＯ時Ｖｔ’）Ｖｖめ電圧
を加えれば良い。
膜７とを電気的に接続し、電極１７に光透過性電極膜７
と同一電圧Ｖｔを加える。これにより電極１７の近傍は
画素位置にある下部電極１３近傍より電気的なポテンシ
ャルが高くなる。そのため電極１７近傍にある電荷はそ
の近くの画素位置にある下部電極の方に退けられると共
に、電極１７近傍を通る電荷の移動は妨げられる。すな
わち電極１７の近傍にある高い電気的ポテンシャルが各
画素間の間隙の電気的壁となって電荷の横流れを防止す
るため、解像度その他の画質の劣化は低減される。この
様な電気的ポテンシャルによる壁を形成するには、前述
した通り電極１７に下部゛電極１３に加えるビデオ電圧
Ｖｖに対する光□透過性電極膜７の電圧’Ｖｙと同極性
の電圧Ｖｔ’例えばＴ？＞ＶＶＯ時Ｖｔ’）Ｖｖめ電圧
を加えれば良い。
ここでは簡単のためＶｔ’＝Ｖｔとした。−具体的接続
は電極１７の引き出し端子と光透過性竺極７の引き出し
端子を用いれば良い。なお電荷の横流れを防止するＫは
電気的な壁の高さは高いほど好ましい。
は電極１７の引き出し端子と光透過性竺極７の引き出し
端子を用いれば良い。なお電荷の横流れを防止するＫは
電気的な壁の高さは高いほど好ましい。
一方、第２の電圧の印加方法は次の通りである。
第３図におけるＭ０８トラン′ジスタによるスイッチ群
をＮチャンネル形のスイッチ回路で形成、Ｊ、、信号出
力＃Ｍ（第１図１０−２＞にはビデオ電圧Ｖｖ）０（例
えば３Ｖ）ｆ、加える。また、光透過性！を極膜７には
電圧Ｖｙ）’Ｖｖ例えば２０Ｖを、電４１７には基板と
同じアース′亀圧Ｏｖを加える。
をＮチャンネル形のスイッチ回路で形成、Ｊ、、信号出
力＃Ｍ（第１図１０−２＞にはビデオ電圧Ｖｖ）０（例
えば３Ｖ）ｆ、加える。また、光透過性！を極膜７には
電圧Ｖｙ）’Ｖｖ例えば２０Ｖを、電４１７には基板と
同じアース′亀圧Ｏｖを加える。
これにより光導電性薄膜５′内において電極１７の近傍
は他の位置より電気的なポテンシャルは低くなる。その
ため電極１７近傍を通る電荷は電極１７に引き付けられ
吸収される。従って入射光によって下部電極１３間の間
隙で発生した′電荷は電極１７に吸収され、電荷の横流
れによって他の画素に信号電荷が混入することがないの
で、解像度その他の画質の劣化は低減される。この様に
横流れする電荷を電極１７に吸収するには、ビデオ電圧
Ｖｖに対する光透過性電極膜７の電圧Ｖ！とは反対の極
性の電圧Ｖ！〆すなわち本例においてはＶｙ＞Ｖｖであ
るのでＶｔ’≦Ｖｖの１圧を〃口えれば良い。この例で
は簡単のためｖｌをアース電圧−〇ｖとした。なお本実
施例では光透過性電極膜７にビデオ電圧Ｖｖより高い′
電圧Ｖｔ）Ｖｖを加える場貧について述べた。これに対
し光透過性′藏懺展７にビデオ電圧Ｖｖより低い゛直圧
Ｖｖを加える場合は、電極１７にはビデオ電圧Ｖｖよシ
高い電圧Ｖｔ’≧Ｖｖ例えば駆動回路の電源電圧ＶＤＤ
を加えれば良い。またスイッチ回路群としてＮチャンネ
ルのＭＯＳ形についてのみ記したが、ＰチャンネルのＭ
ＯＳ形、ＣＣＤ形等広く用いることができる。
は他の位置より電気的なポテンシャルは低くなる。その
ため電極１７近傍を通る電荷は電極１７に引き付けられ
吸収される。従って入射光によって下部電極１３間の間
隙で発生した′電荷は電極１７に吸収され、電荷の横流
れによって他の画素に信号電荷が混入することがないの
で、解像度その他の画質の劣化は低減される。この様に
横流れする電荷を電極１７に吸収するには、ビデオ電圧
Ｖｖに対する光透過性電極膜７の電圧Ｖ！とは反対の極
性の電圧Ｖ！〆すなわち本例においてはＶｙ＞Ｖｖであ
るのでＶｔ’≦Ｖｖの１圧を〃口えれば良い。この例で
は簡単のためｖｌをアース電圧−〇ｖとした。なお本実
施例では光透過性電極膜７にビデオ電圧Ｖｖより高い′
電圧Ｖｔ）Ｖｖを加える場貧について述べた。これに対
し光透過性′藏懺展７にビデオ電圧Ｖｖより低い゛直圧
Ｖｖを加える場合は、電極１７にはビデオ電圧Ｖｖよシ
高い電圧Ｖｔ’≧Ｖｖ例えば駆動回路の電源電圧ＶＤＤ
を加えれば良い。またスイッチ回路群としてＮチャンネ
ルのＭＯＳ形についてのみ記したが、ＰチャンネルのＭ
ＯＳ形、ＣＣＤ形等広く用いることができる。
第１図は光導電性薄膜を光電変換部として用いた固体撮
像装置の概略を示す図、第２図は光導電性薄膜を光電変
換部として用いた従来の固体撮像装置の断面図、第３図
は本発明の固体撮像装置の実施例の断面図、第４図は第
３図に示した半導体基板表面の部分平面図である。 １１・・・半導体基板、９．１６・・・不純物拡散層、
１２・・・ゲート、１３・・・下部電極、８．８’・・
・絶縁層、５′・・・光導電体層、１７・・・電極、７
・・・光透過第 １ 図 ！ 第 ２． の 第 ３ 図 ＶＪ４１２］
像装置の概略を示す図、第２図は光導電性薄膜を光電変
換部として用いた従来の固体撮像装置の断面図、第３図
は本発明の固体撮像装置の実施例の断面図、第４図は第
３図に示した半導体基板表面の部分平面図である。 １１・・・半導体基板、９．１６・・・不純物拡散層、
１２・・・ゲート、１３・・・下部電極、８．８’・・
・絶縁層、５′・・・光導電体層、１７・・・電極、７
・・・光透過第 １ 図 ！ 第 ２． の 第 ３ 図 ＶＪ４１２］
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、所定の基板上に複数個配列され且実質的に画、 素
位置を決定している第１の電極と、こ９第１の電極を覆
って形成された光導電体膜と、この光導電体膜の上部に
光透過性の第２の電極とを少なくとも有する固体撮像装
置において、前記容筒１の電極相互の間に第３の電極を
有することを特徴とする固体撮像装置。 ２ 前記基板中には各画素を選択する複数のスイッチ素
子と、該スイッチ素子を順次に開閉する走査回路とが少
なくとも形成され、前記各スイッチ素子の電極のひとつ
が前記第１の電極として基板表面に配されて成ることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の固体撮像装置。 ふ 前記第３の電極に印加する電圧を、前記第１の電極
に印加する電圧に対する前記第２の電極に印加する電圧
の極性と同極性の電圧として印加せしめる手段を有する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載
の同体撮像装置。 ４、 前記第３の電極に印加する電圧を、前記第１の電
極に印加する電圧に対する前記第２の′−極に印加する
電圧と逆極性の電圧として印加せしめる手段を有するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載の
固体撮像装置。 −５、前記第３の電極に印加する電
圧を前記第２の電極に印加する電圧と同一電圧を印加せ
しめる手段を有することを特徴とする特許請求の範囲第
１項又は第２項記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56115059A JPS5817784A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56115059A JPS5817784A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5817784A true JPS5817784A (ja) | 1983-02-02 |
Family
ID=14653150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56115059A Pending JPS5817784A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5817784A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59225561A (ja) * | 1983-06-07 | 1984-12-18 | Toshiba Corp | 電荷結合素子 |
| EP0186162A2 (en) * | 1984-12-24 | 1986-07-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid state image sensor |
| US4740824A (en) * | 1985-07-18 | 1988-04-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state image sensor |
| EP0294833A2 (en) * | 1987-06-12 | 1988-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Contact photoelectric conversion device |
| US5610404A (en) * | 1995-09-05 | 1997-03-11 | General Electric Company | Flat panel imaging device with ground plane electrode |
| EP1102321A2 (en) * | 1999-11-19 | 2001-05-23 | Agilent Technologies Inc. (a Delaware Corporation) | Conductive guard rings for active pixel sensors |
| WO2005098957A1 (en) * | 2004-04-07 | 2005-10-20 | E2V Technologies (Uk) Limited | Multiplication register for amplifying signal charge |
| JP2008112907A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Powerchip Semiconductor Corp | イメージセンサー及びその製作方法 |
| US9602743B2 (en) | 2014-10-23 | 2017-03-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device and image acquisition device |
-
1981
- 1981-07-24 JP JP56115059A patent/JPS5817784A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59225561A (ja) * | 1983-06-07 | 1984-12-18 | Toshiba Corp | 電荷結合素子 |
| EP0186162A2 (en) * | 1984-12-24 | 1986-07-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid state image sensor |
| US4688098A (en) * | 1984-12-24 | 1987-08-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid state image sensor with means for removing excess photocharges |
| US4740824A (en) * | 1985-07-18 | 1988-04-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state image sensor |
| EP0294833A2 (en) * | 1987-06-12 | 1988-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Contact photoelectric conversion device |
| US4922117A (en) * | 1987-06-12 | 1990-05-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device having a constant potential wiring at the sides of the common wiring |
| US4939592A (en) * | 1987-06-12 | 1990-07-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Contact photoelectric conversion device |
| US5610404A (en) * | 1995-09-05 | 1997-03-11 | General Electric Company | Flat panel imaging device with ground plane electrode |
| EP1102321A2 (en) * | 1999-11-19 | 2001-05-23 | Agilent Technologies Inc. (a Delaware Corporation) | Conductive guard rings for active pixel sensors |
| EP1102321A3 (en) * | 1999-11-19 | 2003-11-26 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Conductive guard rings for active pixel sensors |
| WO2005098957A1 (en) * | 2004-04-07 | 2005-10-20 | E2V Technologies (Uk) Limited | Multiplication register for amplifying signal charge |
| JP2008112907A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Powerchip Semiconductor Corp | イメージセンサー及びその製作方法 |
| US9602743B2 (en) | 2014-10-23 | 2017-03-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device and image acquisition device |
| US10057518B2 (en) | 2014-10-23 | 2018-08-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device and image acquisition device |
| US10142570B1 (en) | 2014-10-23 | 2018-11-27 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device and image acquisition device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7217983B2 (en) | Photoelectric conversion film-stacked type solid-state imaging device | |
| US4517733A (en) | Process for fabricating thin film image pick-up element | |
| CA1135821A (en) | Solid-state imaging device | |
| US5016108A (en) | Solid-state imaging device having series-connected pairs of switching MOS transistors for transferring signal electric charges therethrough | |
| JPS5817784A (ja) | 固体撮像装置 | |
| US7515187B2 (en) | Photoelectric conversion film-stacked type solid-state imaging device | |
| CA1161534A (en) | Photoelectric converter | |
| JPS5822901B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| US5416344A (en) | Solid state imaging device and method for producing the same | |
| Sakai et al. | Color image sensor with organic photoconductive films | |
| JPS6286855A (ja) | 放射線用固体撮像素子 | |
| JPS60254886A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2001189441A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH08204165A (ja) | 積層型固体撮像装置 | |
| JPS639753B2 (ja) | ||
| KR840001604B1 (ko) | 고체촬상소자의 제조방법 | |
| JP2831752B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS6175563A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS5894281A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS60171A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0316477A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS62194667A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS611177A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS5840985A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH01291460A (ja) | 固体撮像装置 |