JPH11214152A - Organic el element - Google Patents
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、有機化合物を用い
た有機EL素子に関し、さらに詳細には、基板上に積層
された有機EL構造体を保護するための封止板を固定す
る接着剤の改良に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic EL device using an organic compound, and more particularly, to an adhesive for fixing a sealing plate for protecting an organic EL structure laminated on a substrate. Regarding improvement.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、有機EL素子が盛んに研究されて
いる。これは、ホール注入電極上にトリフェニルジアミ
ン(TPD)などのホール輸送材料を蒸着により薄膜と
し、さらにアルミキノリノール錯体(Alq3 )などの
蛍光物質を発光層として積層し、さらにMgなどの仕事
関数の小さな金属電極(電子注入電極)を形成した基本
構成を有する素子で、10V前後の電圧で数100から
数10,000cd/m2ときわめて高い輝度が得られるこ
とで注目されている。2. Description of the Related Art In recent years, organic EL devices have been actively studied. This involves depositing a hole transporting material such as triphenyldiamine (TPD) on a hole injecting electrode to form a thin film, further laminating a fluorescent substance such as an aluminum quinolinol complex (Alq 3 ) as a light emitting layer, and further forming a work function such as Mg. It is an element that has a basic structure in which a small metal electrode (electron injection electrode) is formed, and is attracting attention because it can obtain an extremely high luminance of several hundreds to several 10,000 cd / m 2 at a voltage of about 10 V.
【0003】ところで、有機EL素子は、水分に極めて
弱いという問題がある。たとえば、水分の影響により、
発光層と電極層の間で剥離が生じたり、構成材料が変質
してしまったりして、ダークスポットと称する非発光領
域が生じたり、発光が維持できなっくなってしまうとい
った問題が生じている。Incidentally, the organic EL element has a problem that it is extremely weak to moisture. For example, due to the effect of moisture,
There is a problem in that separation occurs between the light emitting layer and the electrode layer, or a constituent material is altered, a non-light emitting region called a dark spot is generated, or light emission cannot be maintained. .
【0004】この問題を解決するための一方法として、
例えば、特開平5−36475号公報、同5−8995
9号公報、同7−169567号公報等に記載されてい
るように、有機EL積層構造体部分を被う気密ケース、
封止層等を基板上に密着固定して外部と遮断する技術が
知られている。[0004] As one method for solving this problem,
For example, JP-A-5-36475 and JP-A-5-8995
No. 9, No. 7-169567, etc., an airtight case covering the organic EL laminated structure portion,
2. Description of the Related Art There is known a technique in which a sealing layer or the like is tightly fixed on a substrate to shut off the outside.
【0005】しかし、このような封止層等を設けたとし
ても、駆動時間の経過に伴い発光輝度が減少したり、ダ
ークスポットが生じたり、これが拡大したりして素子が
劣化し、ついには使用不能になってしまうという問題を
有していた。However, even if such a sealing layer or the like is provided, the light emission luminance is reduced with the elapse of the driving time, dark spots are generated, or these spots are enlarged, and the element is deteriorated. There was a problem that it could not be used.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、経時
劣化を極力抑え、初期性能を長期間維持できる長寿命の
有機EL素子を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a long-life organic EL device capable of minimizing deterioration over time and maintaining its initial performance for a long period of time.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明者等は、有機EL
素子を劣化させる要因について種々検討した結果、その
原因の1つとして、封止用接着剤から生じるガスが有機
EL素子の各構造膜と反応し、これにより素子が劣化す
ることを見出し本発明に想到した。Means for Solving the Problems The present inventors have proposed an organic EL device.
As a result of various studies on the factors that cause deterioration of the device, it was found that one of the causes is that gas generated from the sealing adhesive reacts with each structural film of the organic EL device, thereby deteriorating the device. I arrived.
【0008】すなわち、上記目的は以下の構成により達
成される。 (1) 基板と、この基板上に積層された有機EL構造
体と、この有機EL構造体上に所定の空隙を置いて配置
される封止板と、この封止板を基板上に固定すると共に
前記有機EL構造体を密閉する封止用接着剤とを有し、
前記封止用接着剤は、光硬化型の接着剤であって、光硬
化後に85℃、60分の加熱条件により発生するガスの
うち、ベンゼン換算で、 プロピレンカーボネート:25μg /g 以下、 プロピレングリコール:15μg /g 以下、 トルエン:20μg /g 以下 である有機EL素子。 (2) 前記ガスは、ヨードベンゼンを1μg /g 以上
含有する上記(1)の有機EL素子。 (3) 前記接着剤はカチオン重合エポキシUV硬化型
接着剤である上記(1)または(2)の有機EL素子。 (4) 基板と、この基板上に積層された有機EL構造
体と、この有機EL構造体上に所定の空隙を置いて配置
される封止板と、この封止板を基板上に固定すると共に
前記有機EL構造体を密閉する封止用接着剤とを有し、
前記封止用接着剤は光硬化型の接着剤であって、光硬化
後に85℃、60分の加熱条件により発生するガスのう
ち、置換されていてもよい低分子の直鎖状脂肪族炭化水
素、置換されていてもよい芳香族炭化水素、置換されて
いてもよい脂環式炭化水素、置換されていてもよい複素
環化合物およびシロキサンの総計が、ベンゼン換算で2
00μg /g 以下であり、前記発生するガスのうち、ベ
ンゼン換算で、プロピレンカーボネート:25μg /g
以下、プロピレングリコール:15μg /g 以下、トル
エン:20μg /g 以下である有機EL素子。 (5) 前記ガスは、ヨードベンゼンを1μg /g 以上
含有する上記(4)の有機EL素子。 (6) 前記接着剤はカチオン重合エポキシUV硬化型
接着剤である上記(4)または(5)の有機EL素子。That is, the above object is achieved by the following constitution. (1) A substrate, an organic EL structure laminated on the substrate, a sealing plate arranged with a predetermined gap on the organic EL structure, and fixing the sealing plate on the substrate. Together with a sealing adhesive for sealing the organic EL structure,
The sealing adhesive is a photo-curing adhesive, and among the gas generated under heating conditions of 85 ° C. and 60 minutes after photo-curing, propylene carbonate: 25 μg / g or less in terms of benzene, propylene glycol : 15 μg / g or less, toluene: 20 μg / g or less. (2) The organic EL device according to (1), wherein the gas contains iodobenzene in an amount of 1 μg / g or more. (3) The organic EL device according to (1) or (2), wherein the adhesive is a cationic polymerization epoxy UV-curable adhesive. (4) A substrate, an organic EL structure laminated on the substrate, a sealing plate arranged at a predetermined gap on the organic EL structure, and fixing the sealing plate on the substrate. Together with a sealing adhesive for sealing the organic EL structure,
The sealing adhesive is a light-curing adhesive, and may be a low-molecular-weight linear aliphatic carbon which may be substituted among gases generated under heating conditions of 85 ° C. and 60 minutes after light curing. The total of hydrogen, an optionally substituted aromatic hydrocarbon, an optionally substituted alicyclic hydrocarbon, an optionally substituted heterocyclic compound and siloxane is 2 in terms of benzene.
Propylene carbonate: 25 μg / g in terms of benzene.
Hereinafter, an organic EL device in which propylene glycol is 15 μg / g or less and toluene is 20 μg / g or less. (5) The organic EL device according to (4), wherein the gas contains iodobenzene in an amount of 1 μg / g or more. (6) The organic EL device according to (4) or (5), wherein the adhesive is a cationic polymerization epoxy UV-curable adhesive.
【0009】[0009]
【発明の実施の形態】本発明の有機EL素子は、基板
と、この基板上に積層された有機EL構造体と、この有
機EL構造体上に所定の空隙を置いて配置される封止板
と、この封止板を基板上に固定すると共に前記有機EL
構造体を密閉する封止用接着剤とを有し、前記封止用接
着剤は光硬化型の接着剤であって、光硬化後に85℃、
60分の加熱条件により発生するガスのうち、ベンゼン
換算で、プロピレンカーボネート:25μg /g 以下、
プロピレングリコール:15μg /g 以下、トルエン:
20μg /g 以下である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An organic EL device according to the present invention comprises a substrate, an organic EL structure laminated on the substrate, and a sealing plate disposed on the organic EL structure with a predetermined gap. And fixing the sealing plate on a substrate and the organic EL.
A sealing adhesive for hermetically sealing the structure, wherein the sealing adhesive is a photocurable adhesive,
Of the gas generated under heating conditions of 60 minutes, propylene carbonate: 25 μg / g or less in terms of benzene;
Propylene glycol: 15 μg / g or less, toluene:
It is 20 μg / g or less.
【0010】また、これに加えて、置換されていてもよ
い低分子の直鎖状脂肪族炭化水素、置換されていてもよ
い芳香族炭化水素、置換されていてもよい脂環式炭化水
素、置換されていてもよい複素環化合物およびシロキサ
ンの総計が、ベンゼン換算で200μg /g 以下である
ことが好ましい。[0010] In addition, a low-molecular-weight linear aliphatic hydrocarbon which may be substituted, an aromatic hydrocarbon which may be substituted, an alicyclic hydrocarbon which may be substituted, The total of the optionally substituted heterocyclic compound and siloxane is preferably 200 μg / g or less in terms of benzene.
【0011】このように封止用接着剤から発生するガス
量を所定の値以下に抑えることにより、有機EL構造体
がガスに侵され、劣化することを防止できる。As described above, by suppressing the amount of gas generated from the sealing adhesive to a predetermined value or less, it is possible to prevent the organic EL structure from being attacked by gas and deteriorated.
【0012】封止用接着剤から発生するガスとしては、
硬化前と、硬化後に発生するガスに大別されるが、本発
明では専ら有機EL素子の劣化に寄与する割合の高い、
硬化後に発生するガスについて問題にする。硬化後に発
生するガスとしては、使用する樹脂の種類や触媒の種類
などにより異なり、特に規制されるものではないが、例
えば、プロピレンカーボネート、アセトン、アクロレイ
ン、ジクロロメタン等の低分子の置換基を有していても
よい直鎖状脂肪族炭化水素や、ベンゼン、ヨードベンゼ
ン、ベンズアルデヒド、アセトフェノン、メチルフェニ
ルスルフィド、塩化ベンゾイル等の置換基を有していて
もよい芳香族炭化水素、シクロヘキサノン等の置換基を
有していてもよい脂環式炭化水素、γ−ブチロラクトン
等の置換基を有していてもよい複素環化合物、環状ジメ
チルシロキサン等のシロキサンを挙げることができる。
これらのガスは主に重合反応によって生じ、触媒等に由
来するものと考えられる。The gas generated from the sealing adhesive includes:
It is roughly classified into gas generated before curing and gas generated after curing. In the present invention, the ratio of the gas mainly contributing to the deterioration of the organic EL element is high.
The gas generated after curing is a problem. The gas generated after curing varies depending on the type of resin or catalyst used, and is not particularly limited.For example, propylene carbonate, acetone, acrolein, has a low molecular substituent such as dichloromethane. May be substituted linear aliphatic hydrocarbons, benzene, iodobenzene, benzaldehyde, acetophenone, methylphenyl sulfide, aromatic hydrocarbons which may have a substituent such as benzoyl chloride, a substituent such as cyclohexanone. Examples include alicyclic hydrocarbons which may be possessed, heterocyclic compounds which may have a substituent such as γ-butyrolactone, and siloxanes such as cyclic dimethylsiloxane.
It is considered that these gases are mainly generated by a polymerization reaction and are derived from a catalyst or the like.
【0013】測定されるガスの量は、試料の単位グラム
当たりの測定量として求められる。この場合、各種ガス
をベンゼン換算で、試料の単位グラム当たりプロピレン
カーボネートが25μg /g 以下、好ましくは10μg
/g 以下、プロピレングリコールが15μg /g 以下、
好ましくは8μg /g 以下、トルエン:20μg /g以
下、好ましくは10μg /g 以下である接着剤を用い
る。これらの下限は、検出限界以下であることが好まし
い。また、好ましくはこれらのガスにはヨードベンゼン
を1μg /g 以上、より好ましくは5〜70μg /g 含
有する接着剤であることが好ましい。プロピレンカーボ
ネート、プロピレングリコールおよびトルエンが上記範
囲を超えると、有機EL素子の各構造膜と反応し、これ
らを浸食したり、その機能を阻害したりして、ダークス
ポットを生じる等、素子を劣化させたり、発光特性を劣
化させたりする。なお、ヨードベンゼンは反応開始剤に
由来するものと考えられる。また、発生する各ガスのう
ち、プロピレンカーボネート、プロピレングリコール、
トルエン、およびヨードベンゼンのベンゼン換算量が上
記範囲であれば上記総量を超えたものであってもよい。
特にヨードベンゼンの発生量を加えることにより上記総
量を超えても問題はない。The amount of gas to be measured is determined as a measured amount per unit gram of the sample. In this case, various gases are converted to benzene in an amount of not more than 25 μg / g, preferably 10 μg, of propylene carbonate per unit gram of the sample.
/ G or less, propylene glycol is 15 μg / g or less,
Preferably, an adhesive having a concentration of 8 μg / g or less, toluene: 20 μg / g or less, and preferably 10 μg / g or less is used. These lower limits are preferably lower than the detection limit. Preferably, these gases are adhesives containing iodobenzene of 1 μg / g or more, more preferably 5 to 70 μg / g. If propylene carbonate, propylene glycol and toluene exceed the above range, they react with the respective structural films of the organic EL device, erode or inhibit their functions, and cause deterioration of the device such as dark spots. Or degrade the light emission characteristics. In addition, iodobenzene is considered to be derived from the reaction initiator. Further, among the generated gases, propylene carbonate, propylene glycol,
If the amount of toluene and iodobenzene in terms of benzene is within the above range, the amount may exceed the total amount.
In particular, there is no problem if the total amount is exceeded by adding the amount of iodobenzene generated.
【0014】また、さらに好ましくは上記ガス成分のう
ちで、置換されていてもよい低分子の直鎖状脂肪族炭化
水素、置換されていてもよい芳香族炭化水素、置換され
ていてもよい脂環式炭化水素、置換されていてもよい複
素環化合物およびシロキサンの総計が、ベンゼン換算と
した場合好ましくは200μg /g 以下であり、より好
ましくは150μg /g 以下、特に100μg /g 以下
である。その下限としては特に規制されるものではな
く、0μg /g であってもよいが、通常50μg/g 程
度である。ここで、ベンゼン換算量とは、定量分析にお
けるベンゼン換算値、例えば、定量分析において、標準
試料として用いたベンゼンの検量線換算により求められ
る値である。More preferably, among the above-mentioned gas components, a low-molecular-weight linear aliphatic hydrocarbon which may be substituted, an aromatic hydrocarbon which may be substituted, and a fat which may be substituted. The total amount of the cyclic hydrocarbon, the optionally substituted heterocyclic compound and the siloxane is preferably not more than 200 μg / g, more preferably not more than 150 μg / g, especially not more than 100 μg / g in terms of benzene. The lower limit is not particularly limited and may be 0 μg / g, but is usually about 50 μg / g. Here, the benzene conversion amount is a benzene conversion value in the quantitative analysis, for example, a value obtained by converting a benzene used as a standard sample into a calibration curve in the quantitative analysis.
【0015】発生したガスを定性、定量する方法として
は、特に規制されるものではなく、通常のガスの定性、
定量法を用いればよく、例えばガスクロマトグラフィー
等を挙げることができ、特にヘッドスペース・ガスクロ
マトグラム・質量分析法が好ましい。また、発生するガ
スの加速評価を行うため、本発明では85℃で60分間
保持したときに発生したガスの量を測定する。The method for qualitatively and quantitatively determining the generated gas is not particularly limited, and the qualitative and qualitative methods of ordinary gas can be used.
A quantitative method may be used, and examples thereof include gas chromatography and the like, and particularly preferred is head space, gas chromatogram, and mass spectrometry. In addition, in order to perform acceleration evaluation of the generated gas, in the present invention, the amount of gas generated when the gas is held at 85 ° C. for 60 minutes is measured.
【0016】本発明に使用される封止用接着剤として
は、光硬化型の接着剤で、各ガスの発生量が上記範囲内
であれば特に限定されるものではないが、例えば、エス
テルアクリレート,ウレタンアクリレート,エポキシア
クリレート,メラミンアクリレート,アクリル樹脂アク
リレート等の各種アクリレート、ウレタンポリエステル
等の樹脂を用いたラジカル系接着剤や、エポキシ、ビニ
ルエーテル等の樹脂を用いたカチオン系接着剤、チオー
ル・エン付加型樹脂系接着剤等が挙げられ、中でも酸素
による阻害が無く、光照射後も重合反応が進行するカチ
オン系接着剤が好ましい。The sealing adhesive used in the present invention is a photo-curing adhesive and is not particularly limited as long as the amount of each gas generated is within the above range. Adhesives using resins such as acrylates, urethane acrylates, epoxy acrylates, melamine acrylates, acrylic resin acrylates, resins such as urethane polyesters, cationic adhesives using resins such as epoxy, vinyl ether, thiol / ene addition And the like. Among them, a cationic adhesive which is not inhibited by oxygen and in which the polymerization reaction proceeds even after light irradiation is preferable.
【0017】カチオン系接着剤としては、カチオン硬化
タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤が好ましい。
有機EL構造体部分の各有機層構成材料のガラス転移温
度は、通常140℃以下、特に80〜100℃程度であ
る。従って、通常の熱硬化型の接着剤を用いると、その
硬化温度が140〜180℃程度であるため、その硬化
の際に有機EL構造体が軟化してしまい、特性の劣化が
生じてしまうという問題がある。一方、紫外線硬化型接
着剤の場合は、このような有機EL構造体の軟化という
ような問題は生じないが、現在一般に用いられている紫
外線硬化型接着剤はアクリル系であり、その硬化の際に
その成分中のアクリルモノマーが揮発し、それが上記有
機EL構造体の各構成材料に悪影響を及ぼし、その特性
を劣化させるという問題がある。そこで、本発明におい
ては、以上のような問題のない、あるいは極めて少ない
接着剤である、上記のカチオン硬化タイプの紫外線硬化
型エポキシ樹脂接着剤を用いることが好ましい。As the cationic adhesive, a cationic curing type ultraviolet curing epoxy resin adhesive is preferable.
The glass transition temperature of each organic layer constituting material of the organic EL structure portion is usually 140 ° C. or lower, particularly about 80 to 100 ° C. Therefore, when a normal thermosetting adhesive is used, the curing temperature is about 140 to 180 ° C., and the organic EL structure is softened during the curing, and the characteristics are deteriorated. There's a problem. On the other hand, in the case of an ultraviolet-curable adhesive, such a problem as softening of the organic EL structure does not occur, but an ultraviolet-curable adhesive generally used at present is of an acrylic type. In addition, there is a problem that the acrylic monomer in the component volatilizes, which adversely affects each constituent material of the organic EL structure and deteriorates its characteristics. Therefore, in the present invention, it is preferable to use the above-mentioned cationically-curable ultraviolet-curable epoxy resin adhesive, which does not have the above-described problems or is an extremely small amount of adhesive.
【0018】なお、紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤と
して市販されているものの中には、紫外線加熱硬化併用
型のエポキシ樹脂接着剤が含まれる場合があるが、この
場合には、ラジカル硬化タイプのアクリル系樹脂と加熱
硬化タイプのエポキシ樹脂が混合あるいは変性してある
場合が多く、前記のアクリル系樹脂のアクリルモノマー
の揮発の問題や熱硬化型エポキシ樹脂の硬化温度の問題
が解決しておらず、本発明の有機ELディスプレイに用
いる接着剤としては好ましくない。In some cases, an ultraviolet-curable epoxy resin adhesive is commercially available as an ultraviolet-curable epoxy resin adhesive. In this case, a radical-curable acrylic resin is used. In many cases, the epoxy resin of the heat-curable type is mixed or denatured, and the problem of volatilization of the acrylic monomer of the acrylic resin and the problem of the curing temperature of the thermosetting epoxy resin have not been solved. It is not preferable as an adhesive used for the organic EL display of the present invention.
【0019】カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキ
シ樹脂接着剤とは、主たる硬化剤として紫外線等の光照
射による光分解でルイス酸触媒を放出するルイス酸塩型
硬化剤を含み、光照射により発生されたルイス酸が触媒
となって主成分であるエポキシ樹脂がカチオン重合型の
反応機構により重合し、硬化するタイプの接着剤であ
る。The cationically curable UV-curable epoxy resin adhesive includes a Lewis acid salt type curing agent which releases a Lewis acid catalyst by photolysis by irradiation with light such as ultraviolet rays as a main curing agent, and is generated by light irradiation. This type of adhesive is a type in which an epoxy resin, which is a main component, is polymerized by a cationic polymerization type reaction mechanism by using a Lewis acid as a catalyst and cured.
【0020】上記接着剤の主成分たるエポキシ樹脂とし
ては、エポキシ化オレフィン樹脂、脂環式エポキシ樹
脂、ノボラックエポキシ樹脂等が挙げられる。また、上
記硬化剤としては、芳香族ジアゾニウムのルイス酸塩、
ジアリルヨードニウムのルイス酸塩、トリアリルスルホ
ニウムのルイス酸塩、トリアリルセレニウムのルイス酸
塩等が挙げられる。これらのうちでは、ジアリルヨード
ニウムのルイス酸塩が好ましい。The epoxy resin which is the main component of the adhesive includes an epoxidized olefin resin, an alicyclic epoxy resin and a novolak epoxy resin. Further, as the curing agent, Lewis acid salt of aromatic diazonium,
Examples thereof include Lewis acid salts of diallyliodonium, Lewis acid salts of triallylsulfonium, Lewis acid salts of triallyl selenium, and the like. Of these, Lewis acid salts of diallyliodonium are preferred.
【0021】接着剤の塗布量としては、積層されている
有機EL構造体の大きさや有機EL素子で構成されるデ
ィスプレイの種類や構造等にもよるが、好ましくは6×
10-2〜2×10-4g/cm2 、特に9×10-3〜2×1
0-4g/cm2 程度が好ましい。また、接着剤層の厚みと
しては、通常封止板の配置位置の高さ、すなわち積層さ
れている有機EL構造体の厚みに、所定の空隙を確保で
きる厚みとなり、特に規制されるものではないが、通常
5×105 〜1×103 nm、特に2×104 〜2×10
3 nm程度である。The amount of the adhesive to be applied depends on the size of the laminated organic EL structure and the type and structure of the display constituted by the organic EL elements.
10 −2 to 2 × 10 −4 g / cm 2 , especially 9 × 10 −3 to 2 × 1
It is preferably about 0 -4 g / cm 2 . In addition, the thickness of the adhesive layer is usually a thickness at which a predetermined gap can be secured at the height of the arrangement position of the sealing plate, that is, the thickness of the stacked organic EL structure, and is not particularly limited. Is usually 5 × 10 5 to 1 × 10 3 nm, especially 2 × 10 4 to 2 × 10
It is about 3 nm.
【0022】次に、本発明に用いられる封止用接着剤の
評価方法についてより具体的に説明する。本発明では、
接着剤から発生するガスが有機EL構造体へ影響を与え
ることを防止するものであり、接着剤の評価方法も、実
際に有機ELディスプレイに使用した場合と同一、ある
いはこれに近い条件で行うことが好ましい。Next, the method for evaluating the sealing adhesive used in the present invention will be described more specifically. In the present invention,
This is to prevent the gas generated from the adhesive from affecting the organic EL structure, and the method for evaluating the adhesive should be the same as or similar to that used when actually used for an organic EL display. Is preferred.
【0023】従って、例えば、基板と封止板に相当する
ガラス板とを用意し、これの一方に未硬化の接着剤を所
定量塗布し、2つのガラス板をすりあわせながら所定の
圧力で加圧し、ガラス板間に接着剤の薄層を形成する。
このとき、有機EL構造体の厚み、および所定の空隙を
確保するように所定の大きさのスペーサーを介在させ
る。その後、メタルハライドランプ等の硬化用ランプを
用いて、接着剤を硬化させる。硬化後、ガラス板同士を
剥離して、接着剤を露呈させ、ガラス基板上の接着剤を
所定量取りだし、これを正確に秤量した後、分析用バイ
アル瓶等に入れて測定用試料とし、これから発生するガ
スを分析すればよい。Therefore, for example, a substrate and a glass plate corresponding to a sealing plate are prepared, a predetermined amount of an uncured adhesive is applied to one of them, and a predetermined pressure is applied while the two glass plates are rubbed together. Press to form a thin layer of adhesive between the glass plates.
At this time, a spacer of a predetermined size is interposed so as to secure the thickness of the organic EL structure and a predetermined gap. Thereafter, the adhesive is cured using a curing lamp such as a metal halide lamp. After curing, the glass plates are peeled from each other to expose the adhesive, a predetermined amount of the adhesive on the glass substrate is taken out, accurately weighed, placed in an analysis vial, etc., and used as a sample for measurement. The generated gas may be analyzed.
【0024】次に、図を参照しつつ本発明の有機EL素
子について説明する。Next, the organic EL device of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0025】図1は、本発明の有機EL素子の一構成例
を示した概略断面図である。図において、本発明の有機
EL素子は、基板上1に有機EL構造体2と、この有機
EL構造体2の上に所定の空隙を有するように配置され
る封止板3と、この封止板3の接続部に配置され、封止
板3を基板1から所定の距離に維持する粒状、またはフ
ァイバー状のスペーサ4と、封止板を固定し、有機EL
構造体を密閉するための封止用接着剤5を有する。図示
例のように有機EL素子構造体の上端から封止板の下端
面までの距離は、有機EL構造体の高さcに、所定の空
隙aをおいた距離となる。FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of the configuration of the organic EL device of the present invention. In the figure, an organic EL device according to the present invention comprises an organic EL structure 2 on a substrate 1, a sealing plate 3 arranged on the organic EL structure 2 so as to have a predetermined gap, An organic EL is fixed to a granular or fiber-shaped spacer 4 which is arranged at a connection portion of the plate 3 and maintains the sealing plate 3 at a predetermined distance from the substrate 1, and the sealing plate.
It has a sealing adhesive 5 for sealing the structure. As shown in the illustrated example, the distance from the upper end of the organic EL element structure to the lower end surface of the sealing plate is a distance having a predetermined gap a at the height c of the organic EL structure.
【0026】次に本発明の有機EL素子を構成する有機
EL構造体について説明する。本発明の有機EL構造体
は、基板上にホール注入電極と、電子注入電極と、これ
らの電極間に設けられた1種以上の有機層とを有する。
有機層は、それぞれ少なくとも1層のホール輸送層およ
び発光層を有し、その上に電子注入電極を有し、さらに
最上層として保護電極を設けてもよい。なお、ホール輸
送層は省略可能である。そして、電子注入電極は、蒸
着、スパッタ法等、好ましくはスパッタ法で成膜される
仕事関数の小さい金属、化合物または合金で構成され
る。Next, the organic EL structure constituting the organic EL device of the present invention will be described. The organic EL structure of the present invention has a hole injection electrode, an electron injection electrode, and one or more organic layers provided between these electrodes on a substrate.
The organic layer may have at least one hole transport layer and at least one light emitting layer, an electron injection electrode thereon, and a protective electrode as the uppermost layer. Note that the hole transport layer can be omitted. The electron injection electrode is made of a metal, a compound or an alloy having a small work function, which is preferably formed by vapor deposition, sputtering, or the like, preferably by sputtering.
【0027】ホール注入電極としては、通常、基板側か
ら発光した光を取り出す構造であるため、透明な電極が
好ましく、ITO(錫ドープ酸化インジウム)、IZO
(亜鉛ドープ酸化インジウム)、ZnO、SnO2 、I
n2 O3 等が挙げられるが、好ましくはITO(錫ドー
プ酸化インジウム)、IZO(亜鉛ドープ酸化インジウ
ム)が好ましい。In2 O3 に対しSnO2 の混合比
は、1〜20wt%が好ましく、さらには5〜12wt%が
好ましい。In2 O3 に対しZnOの混合比は、1〜2
0wt%が好ましく、さらには5〜12wt%、あるいは特
に12〜32wt%が好ましい。その他にSn、Ti、P
b等が酸化物の形で、酸化物換算にして1wt%以下含ま
れていてもよい。The hole injecting electrode usually has a structure in which light emitted from the substrate side is taken out. Therefore, a transparent electrode is preferable, and ITO (tin-doped indium oxide), IZO
(Zinc-doped indium oxide), ZnO, SnO 2 , I
Examples include n 2 O 3 , and preferably ITO (tin-doped indium oxide) and IZO (zinc-doped indium oxide). The mixing ratio of SnO 2 with respect to In 2 O 3 is preferably 1 to 20 wt%, more preferably 5~12wt%. The mixing ratio of ZnO to In 2 O 3 is 1-2.
It is preferably 0 wt%, more preferably 5 to 12 wt%, or particularly preferably 12 to 32 wt%. In addition, Sn, Ti, P
b and the like may be contained in the form of an oxide in an amount of 1 wt% or less in terms of oxide.
【0028】ホール注入電極は蒸着法等によっても形成
できるが、好ましくはスパッタ法により形成することが
好ましい。ITO、IZO電極の形成にスパッタ法を用
いる場合、好ましくはIn2 O3 にSnO2 やZnOを
ドープしたターゲットを用いる。スパッタ法によりIT
O透明電極を成膜した場合、蒸着により成膜したものよ
り発光輝度の経時変化が少ない。スパッタ法としてはD
Cスパッタが好ましく、その投入電力としては、好まし
くは0.1〜10W/cm2、特に0.2〜5W/cm2の範
囲である。また、成膜レートは2〜100nm/min 、特
に5〜50nm/min の範囲が好ましい。The hole injection electrode can be formed by a vapor deposition method or the like, but is preferably formed by a sputtering method. When a sputtering method is used for forming the ITO or IZO electrode, a target in which Sn 2 or ZnO is doped into In 2 O 3 is preferably used. IT by sputtering method
When the O-transparent electrode is formed, the change in emission luminance with time is less than that of the film formed by vapor deposition. The sputtering method is D
C sputtering is preferred, and the input power is preferably in the range of 0.1 to 10 W / cm 2 , particularly 0.2 to 5 W / cm 2 . Further, the film formation rate is preferably in the range of 2 to 100 nm / min, particularly preferably in the range of 5 to 50 nm / min.
【0029】スパッタガスとしては特に限定するもので
はなく、Ar、He、Ne、Kr、Xe等の不活性ガ
ス、あるいはこれらの混合ガスを用いればよい。このよ
うなスパッタガスのスパッタ時における圧力としては、
通常0.1〜20Pa程度でよい。The sputtering gas is not particularly limited, and an inert gas such as Ar, He, Ne, Kr, Xe, or a mixed gas thereof may be used. As the pressure at the time of sputtering such a sputtering gas,
Usually, it may be about 0.1 to 20 Pa.
【0030】ホール注入電極の厚さは、ホール注入を十
分行える一定以上の厚さを有すれば良く、通常5〜50
0nm、特に10〜300nmの範囲が好ましい。The thickness of the hole injecting electrode may be at least a certain value for sufficiently injecting holes.
0 nm, preferably in the range of 10 to 300 nm.
【0031】成膜される電子注入電極の構成材料として
は、電子注入を効果的に行う低仕事関数の物質が好まし
く、例えば、K、Li、Na、Mg、La、Ce、C
a、Sr、Ba、Al、Ag、In、Sn、Zn、Z
r、Cs、Er、Eu、Ga、Hf、Nd、Rb、S
c、Sm、Ta、Y、Yb等の金属元素単体、あるい
は、BaO、BaS、CaO、HfC、LaB6、Mg
O、MoC、NbC、PbS、SrO、TaC、Th
C、ThO2、ThS、TiC、TiN、UC、UN、
UO2、W2C、Y2O3、ZrC、ZrN、ZrO2等の
化合物を用いると良い。または安定性を向上させるため
には、金属元素を含む2成分、3成分の合金系を用いる
ことが好ましい。合金系としては、例えばAgMg(A
g:1〜20at%)、Al・Ca(Ca:0.01〜2
0at%、特に5〜20at%)、Al・In(In:1〜
10at%)、Al・Li(Li:0.1〜20at%未
満、特に0.3〜14at%)、Al・R〔RはY,Sc
を含む希土類元素を表す〕等のアルミニウム系合金やI
n・Mg(Mg:50〜80at%)等が好ましい。これ
らの中でも、特にAl単体やAl・Li(Li:0.4
〜6.5(ただし6.5を含まず)at%)または(L
i:6.5〜14at%)または(Li:0.01〜12
at%)、Al・R(R:0.1〜25、特に0.5〜2
0at%)等のアルミニウム系合金が圧縮応力が発生しに
くく好ましい。したがって、スパッタターゲットとして
は、通常このような電子注入電極構成金属、合金を用い
る。これらの仕事関数は4.5eV以下であり、特に仕
事関数が4.0eV以下の金属、合金が好ましい。As a constituent material of the electron injection electrode to be formed, a material having a low work function for effectively injecting electrons is preferable. For example, K, Li, Na, Mg, La, Ce, C
a, Sr, Ba, Al, Ag, In, Sn, Zn, Z
r, Cs, Er, Eu, Ga, Hf, Nd, Rb, S
Metal element simple substance such as c, Sm, Ta, Y, Yb, or BaO, BaS, CaO, HfC, LaB 6 , Mg
O, MoC, NbC, PbS, SrO, TaC, Th
C, ThO 2 , ThS, TiC, TiN, UC, UN,
It is preferable to use compounds such as UO 2 , W 2 C, Y 2 O 3 , ZrC, ZrN, and ZrO 2 . Alternatively, in order to improve stability, it is preferable to use a two-component or three-component alloy system containing a metal element. As an alloy system, for example, AgMg (A
g: 1 to 20 at%), Al.Ca (Ca: 0.01 to 2)
0 at%, particularly 5 to 20 at%), Al.In (In: 1 to 1)
10 at%), Al.Li (Li: 0.1 to less than 20 at%, especially 0.3 to 14 at%), Al.R [R is Y, Sc
Aluminum alloys such as
n.Mg (Mg: 50 to 80 at%) and the like are preferable. Among these, in particular, Al alone or Al.Li (Li: 0.4
~ 6.5 (but not including 6.5) at%) or (L
i: 6.5 to 14 at%) or (Li: 0.01 to 12)
at%), Al.R (R: 0.1 to 25, especially 0.5 to 2)
Aluminum alloys such as 0 at%) are preferable because they do not easily generate compressive stress. Therefore, such a metal or alloy constituting an electron injection electrode is usually used as a sputter target. These work functions are 4.5 eV or less, and metals and alloys having a work function of 4.0 eV or less are particularly preferable.
【0032】電子注入電極の成膜にスパッタ法を用いる
ことにより、成膜された電子注入電極膜は、蒸着の場合
と比較して、スパッタされる原子や原子団が比較的高い
運動エネルギーを有するため、表面マイグレーション効
果が働き、有機層界面での密着性が向上する。また、プ
レスパッタを行うことで、真空中で表面酸化物層を除去
したり、逆スパッタにより有機層界面に吸着した水分や
酸素を除去できるので、クリーンな電極−有機層界面や
電極を形成でき、その結果、高品位で安定した有機EL
ディスプレイができる。ターゲットとしては前記組成範
囲の合金や、金属単独でも良く、これらに加えて添加成
分のターゲットを用いても良い。さらに、蒸気圧の大き
く異なる材料の混合物をターゲットとして用いても、生
成する膜とターゲットとの組成のズレは少なく、蒸着法
のように蒸気圧等による使用材料の制限もない。また、
蒸着法に比較して材料を長時間供給する必要がなく、膜
厚や膜質の均一性に優れ、生産性の点で有利である。By using a sputtering method for forming the electron injection electrode, the formed electron injection electrode film has relatively higher kinetic energy in the sputtered atoms and atomic groups than in the case of vapor deposition. Therefore, the surface migration effect works and the adhesion at the organic layer interface is improved. In addition, by performing pre-sputtering, a surface oxide layer can be removed in a vacuum, or moisture and oxygen adsorbed at the organic layer interface can be removed by reverse sputtering, so that a clean electrode-organic layer interface and electrodes can be formed. As a result, high-quality and stable organic EL
Display is possible. As the target, an alloy having the above composition range or a metal alone may be used, and in addition to these, a target of an additional component may be used. Further, even when a mixture of materials having greatly different vapor pressures is used as a target, there is little deviation in composition between a film to be formed and the target, and there is no limitation on a material to be used due to vapor pressure or the like as in a vapor deposition method. Also,
Compared with the vapor deposition method, there is no need to supply a material for a long time, the film thickness and the film quality are excellent in uniformity, and it is advantageous in terms of productivity.
【0033】スパッタ法により形成された電子注入電極
は緻密な膜なので、粗な蒸着膜に比較して膜中への水分
の進入が非常に少なく、化学的安定性が高く、長寿命の
有機EL素子が得られる。Since the electron injection electrode formed by the sputtering method is a dense film, the penetration of moisture into the film is very small, the chemical stability is high, and the organic EL has a long life as compared with a coarse vapor deposition film. An element is obtained.
【0034】スパッタ時のスパッタガスの圧力は、好ま
しくは0.1〜5Paの範囲が好ましく、この範囲でスパ
ッタガスの圧力を調節することにより、前記範囲のLi
濃度のAlLi合金を容易に得ることができる。また、
成膜中にスパッタガスの圧力を、前記範囲内で変化させ
ることにより、上記Li濃度勾配を有する電子注入電極
を容易に得ることができる。The pressure of the sputtering gas at the time of sputtering is preferably in the range of 0.1 to 5 Pa. By adjusting the pressure of the sputtering gas within this range, the Li gas in the above range can be obtained.
A high concentration of AlLi alloy can be easily obtained. Also,
By changing the pressure of the sputtering gas within the above range during the film formation, an electron injection electrode having the above-mentioned Li concentration gradient can be easily obtained.
【0035】スパッタガスは、通常のスパッタ装置に使
用される不活性ガスや、反応性スパッタではこれに加え
てN2、H2、O2、C2H4、NH3等の反応性ガスが使用
可能である。The sputtering gas may be an inert gas used in a normal sputtering apparatus, or a reactive gas such as N 2 , H 2 , O 2 , C 2 H 4 , NH 3 in the case of reactive sputtering. Can be used.
【0036】スパッタ法としてはRF電源を用いた高周
波スパッタ法等も可能であるが、成膜レートの制御が容
易であり、有機EL構造体へのダメージを少なくするた
めにはDCスパッタ法を用いることが好ましい。DCス
パッタ装置の電力としては、好ましくは0.1〜10W
/cm2、特に0.5〜7W/cm2の範囲である。また、成
膜レートは5〜100nm/min 、特に10〜50nm/mi
n の範囲が好ましい。As a sputtering method, a high-frequency sputtering method using an RF power source or the like is also possible, but a DC sputtering method is used in order to easily control a film forming rate and to reduce damage to the organic EL structure. Is preferred. The power of the DC sputtering apparatus is preferably 0.1 to 10 W
/ Cm 2 , especially in the range of 0.5 to 7 W / cm 2 . The deposition rate is 5 to 100 nm / min, especially 10 to 50 nm / mi.
The range of n is preferred.
【0037】電子注入電極薄膜の厚さは、電子注入を十
分行える一定以上の厚さとすれば良く、1nm以上、好ま
しくは3nm以上とすればよい。また、その上限値には特
に制限はないが、通常膜厚は3〜500nm程度とすれば
よい。The thickness of the electron injecting electrode thin film may be a certain thickness or more for sufficiently injecting electrons, and may be 1 nm or more, preferably 3 nm or more. The upper limit is not particularly limited, but the thickness may be generally about 3 to 500 nm.
【0038】本発明の有機EL素子(ディスプレイ)
は、電子注入電極の上、つまり有機層と反対側には保護
電極を設けてもよい。保護電極を設けることにより、電
子注入電極が外気や水分等から保護され、構成薄膜の劣
化が防止され、電子注入効率が安定し、素子寿命が飛躍
的に向上する。また、この保護電極は、非常に低抵抗で
あり、電子注入電極の抵抗が高い場合には配線電極とし
ての機能も有する。この保護電極は、Al、Alおよび
遷移金属(ただしTiを除く)、Tiまたは窒化チタン
(TiN)のいずれか1種または2種以上を含有し、こ
れらを単独で用いた場合、それぞれ保護電極中に少なく
とも、Al:90〜100at%、Ti:90〜100at
%、TiN:90〜100 mol%程度含有されているこ
とが好ましい。また、2種以上用いるときの混合比は任
意であるが、AlとTiの混合では、Tiの含有量は1
0at%以下が好ましい。また、これらを単独で含有する
層を積層してもよい。特にAl、Alおよび遷移金属
は、後述の配線電極として用いた場合、良好な効果が得
られ、TiNは耐腐食性が高く、封止膜としての効果が
大きい。TiNは、その化学量論組成から10%程度偏
倚していてもよい。さらに、Alおよび遷移金属の合金
は、遷移金属、特にSc,Nb,Zr,Hf,Nd,T
a,Cu,Si,Cr,Mo,Mn,Ni,Pd,Pt
およびW等を、好ましくはこれらの総計が10at%以
下、特に5at%以下、特に2at%以下含有していてもよ
い。遷移金属の含有量は少ないほど、配線材として機能
させた場合の薄膜抵抗は下げられる。The organic EL device (display) of the present invention
A protective electrode may be provided on the electron injection electrode, that is, on the side opposite to the organic layer. By providing the protective electrode, the electron injection electrode is protected from the outside air, moisture, and the like, the deterioration of the constituent thin film is prevented, the electron injection efficiency is stabilized, and the element life is dramatically improved. The protection electrode has a very low resistance, and also has a function as a wiring electrode when the resistance of the electron injection electrode is high. This protective electrode contains one or more of Al, Al and a transition metal (except for Ti), Ti and titanium nitride (TiN), and when these are used alone, each of the protective electrodes contains Al: 90 to 100 at%, Ti: 90 to 100 at%
%, TiN: preferably about 90 to 100 mol%. When two or more kinds are used, the mixing ratio is arbitrary, but in the case of mixing Al and Ti, the content of Ti is 1
0 at% or less is preferable. Further, a layer containing these alone may be laminated. In particular, when Al, Al and transition metals are used as wiring electrodes described later, good effects are obtained, and TiN has high corrosion resistance and a large effect as a sealing film. TiN may deviate by about 10% from its stoichiometric composition. Furthermore, alloys of Al and transition metals are particularly suitable for transition metals, especially Sc, Nb, Zr, Hf, Nd, Td.
a, Cu, Si, Cr, Mo, Mn, Ni, Pd, Pt
And W, etc., preferably in a total of 10 at% or less, especially 5 at% or less, especially 2 at% or less. The lower the content of the transition metal, the lower the thin film resistance when functioning as a wiring material.
【0039】保護電極の厚さは、電子注入効率を確保
し、水分や酸素あるいは有機溶媒の進入を防止するた
め、一定以上の厚さとすればよく、好ましくは50nm以
上、さらに100nm以上、特に100〜1000nmの範
囲が好ましい。保護電極層が薄すぎると、本発明の効果
が得られず、また、保護電極層の段差被覆性が低くなっ
てしまい、端子電極との接続が十分ではなくなる。一
方、保護電極層が厚すぎると、保護電極層の応力が大き
くなるため、ダークスポットの成長速度が高くなってし
まう。なお、配線電極として機能させる場合の厚さは、
電子注入電極の膜厚が薄いために膜抵抗が高く、これを
補う場合には、通常100〜500nm 程度、その他の
配線電極として機能される場合には100〜300nm程
度である。The thickness of the protective electrode may be a certain thickness or more, preferably 50 nm or more, more preferably 100 nm or more, particularly 100 nm, in order to secure electron injection efficiency and prevent entry of moisture, oxygen or an organic solvent. A range of ~ 1000 nm is preferred. If the protective electrode layer is too thin, the effect of the present invention cannot be obtained, and the step coverage of the protective electrode layer will be low, and the connection with the terminal electrode will not be sufficient. On the other hand, if the thickness of the protective electrode layer is too large, the stress of the protective electrode layer increases, and the dark spot growth rate increases. The thickness when functioning as a wiring electrode is
Since the thickness of the electron injection electrode is small, the film resistance is high. To compensate for this, the thickness is usually about 100 to 500 nm, and when it functions as another wiring electrode, it is about 100 to 300 nm.
【0040】電子注入電極と保護電極とを併せた全体の
厚さとしては、特に制限はないが、通常100〜100
0nm程度とすればよい。The total thickness of the electron injecting electrode and the protective electrode is not particularly limited, but is usually 100 to 100.
It may be about 0 nm.
【0041】電極成膜後に、前記保護電極に加えて、S
iOX 等の無機材料、テフロン、塩素を含むフッ化炭素
重合体等の有機材料等を用いた保護膜を形成してもよ
い。保護膜は透明でも不透明であってもよく、保護膜の
厚さは50〜1200nm程度とする。保護膜は前記した
反応性スパッタ法の他に、一般的なスパッタ法、蒸着
法、PECVD法等により形成すればよい。After forming the electrode, in addition to the protective electrode, S
inorganic materials iO X such as Teflon, a protective film may be formed using an organic material such as fluorocarbon polymers containing chlorine. The protective film may be transparent or opaque, and the thickness of the protective film is about 50 to 1200 nm. The protective film may be formed by a general sputtering method, a vapor deposition method, a PECVD method or the like in addition to the reactive sputtering method described above.
【0042】そして、有機EL構造体の有機層や電極の
酸化を防ぐために有機EL構造体上に封止板を配置す
る。封止板は、湿気等の侵入を防ぐために前記の封止用
接着材を用いて、ガラス板等の封止板を接着し密封す
る。ガラス板以外にも金属板、プラスチック板等を用い
ることもできる。Then, a sealing plate is disposed on the organic EL structure in order to prevent oxidation of the organic layers and electrodes of the organic EL structure. The sealing plate adheres and seals a sealing plate such as a glass plate using the above-mentioned sealing adhesive in order to prevent invasion of moisture or the like. Besides a glass plate, a metal plate, a plastic plate or the like can be used.
【0043】また、有機EL構造体の厚みと、所定の空
隙を確保できるように、接着剤により封止板を固定する
際に所定の大きさのスペーサを用いてもよい。このよう
なスペーサーとしては、上記のような接着剤の膜厚に対
応したものであればよく、その大きさとしては、好まし
くは円換算の直径が、1000〜20000nm、特に1
500〜8000nm程度のものが好ましい。また、その
材質としては、好ましくはガラス、ジビニルベンゼン系
等の樹脂等を挙げることができる。粒状またはファイバ
ー状のスペーサーは、接着剤の層中に、0.01〜30
wt%、好ましくは0.1〜5wt%程度含有される。In order to secure the thickness of the organic EL structure and a predetermined gap, a spacer of a predetermined size may be used when fixing the sealing plate with an adhesive. Such a spacer may be any as long as it corresponds to the thickness of the adhesive as described above, and its size is preferably a circle-equivalent diameter of 1,000 to 20,000 nm, particularly 1 to 20,000 nm.
Those having a thickness of about 500 to 8000 nm are preferred. In addition, as the material thereof, glass, a resin such as divinylbenzene and the like can be preferably mentioned. Granular or fibrous spacers may be present in the adhesive layer between 0.01 and 30
wt%, preferably about 0.1 to 5 wt%.
【0044】接着剤により密閉される有機EL素子(デ
ィスプレイ)内部には、好ましくは、He、N2 、Ar
等の不活性ガスが充填される。また、この気密空間内の
不活性ガスの水分含有量は、100ppm 以下、好ましく
は10ppm 以下、特に好ましくは、1ppm 以下であるこ
とが望ましい。この水分含有量に特に下限値はないが、
通常0.1ppm 程度である。The interior of the organic EL element (display) sealed with an adhesive is preferably made of He, N 2 , Ar
And the like. Further, the water content of the inert gas in the hermetic space is desirably 100 ppm or less, preferably 10 ppm or less, particularly preferably 1 ppm or less. Although there is no particular lower limit for this water content,
Usually, it is about 0.1 ppm.
【0045】次に、本発明のEL素子(ディスプレイ)
に設けられる有機物層について述べる。発光層は、ホー
ル(正孔)および電子の注入機能、それらの輸送機能、
ホールと電子の再結合により励起子を生成させる機能を
有する。発光層には比較的電子的にニュートラルな化合
物を用いることが好ましい。Next, the EL device (display) of the present invention
The organic layer provided in the above will be described. The light emitting layer has a hole (hole) and electron injection function, their transport function,
It has a function of generating excitons by recombination of holes and electrons. It is preferable to use a relatively electronically neutral compound for the light emitting layer.
【0046】ホール注入輸送層は、ホール注入電極から
のホールの注入を容易にする機能、ホールを安定に輸送
する機能および電子を妨げる機能を有し、電子注入輸送
層は、電子注入電極からの電子の注入を容易にする機
能、電子を安定に輸送する機能およびホールを妨げる機
能を有するものであり、これらの層は、発光層に注入さ
れるホールや電子を増大・閉じこめさせ、再結合領域を
最適化させ、発光効率を改善する。The hole injecting / transporting layer has a function of facilitating the injection of holes from the hole injecting electrode, a function of stably transporting holes, and a function of hindering electrons. It has a function of facilitating electron injection, a function of stably transporting electrons, and a function of hindering holes. These layers increase and confine holes and electrons injected into the light-emitting layer, and form a recombination region. To optimize luminous efficiency.
【0047】発光層の厚さ、ホール注入輸送層の厚さお
よび電子注入輸送層の厚さは特に限定されず、形成方法
によっても異なるが、通常、5〜500nm程度、特に1
0〜300nmとすることが好ましい。The thickness of the light emitting layer, the thickness of the hole injecting and transporting layer, and the thickness of the electron injecting and transporting layer are not particularly limited, and vary depending on the forming method.
The thickness is preferably from 0 to 300 nm.
【0048】ホール注入輸送層の厚さおよび電子注入輸
送層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光
層の厚さと同程度もしくは1/10〜10倍程度とすれ
ばよい。ホールもしくは電子の、各々の注入層と輸送層
を分ける場合は、注入層は1nm以上、輸送層は1nm以上
とするのが好ましい。このときの注入層、輸送層の厚さ
の上限は、通常、注入層で500nm程度、輸送層で50
0nm程度である。このような膜厚については注入輸送層
を2層設けるときも同じである。The thickness of the hole injecting and transporting layer and the thickness of the electron injecting and transporting layer depend on the design of the recombination / light emitting region, but may be about the same as the thickness of the light emitting layer or about 1/10 to 10 times. When the injection layer and the transport layer for holes or electrons are separated from each other, it is preferable that the injection layer has a thickness of 1 nm or more and the transport layer has a thickness of 1 nm or more. At this time, the upper limit of the thickness of the injection layer and the transport layer is usually about 500 nm for the injection layer and 50 nm for the transport layer.
It is about 0 nm. Such a film thickness is the same when two injection / transport layers are provided.
【0049】本発明の有機EL素子(ディスプレイ)の
発光層には発光機能を有する化合物である蛍光性物質を
含有させる。このような蛍光性物質としては、例えば、
特開昭63−264692号公報に開示されているよう
な化合物、例えばキナクリドン、ルブレン、スチリル系
色素等の化合物から選択される少なくとも1種が挙げら
れる。また、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム
等の8−キノリノールないしその誘導体を配位子とする
金属錯体色素などのキノリン誘導体、テトラフェニルブ
タジエン、アントラセン、ペリレン、コロネン、12−
フタロペリノン誘導体等が挙げられる。さらには、特開
平8−12600号公報(特願平6−110569号)
に記載のフェニルアントラセン誘導体、特開平8−12
969号公報(特願平6−114456号)に記載のテ
トラアリールエテン誘導体等を用いることができる。The light emitting layer of the organic EL device (display) of the present invention contains a fluorescent substance which is a compound having a light emitting function. As such a fluorescent substance, for example,
Examples include compounds as disclosed in JP-A-63-264892, such as at least one selected from compounds such as quinacridone, rubrene, and styryl dyes. Also, quinoline derivatives such as metal complex dyes having 8-quinolinol or its derivatives as ligands, such as tris (8-quinolinolato) aluminum, tetraphenylbutadiene, anthracene, perylene, coronene, 12-
And phthaloperinone derivatives. Further, JP-A-8-12600 (Japanese Patent Application No. 6-110569)
Phenylanthracene derivatives described in JP-A-8-12
No. 969 (Japanese Patent Application No. 6-114456) can be used.
【0050】また、それ自体で発光が可能なホスト物質
と組み合わせて使用することが好ましく、ドーパントと
しての使用が好ましい。このような場合の発光層におけ
る化合物の含有量は0.01〜10wt% 、さらには0.
1〜5wt% であることが好ましい。ホスト物質と組み合
わせて使用することによって、ホスト物質の発光波長特
性を変化させることができ、長波長に移行した発光が可
能になるとともに、素子の発光効率や安定性が向上す
る。Further, it is preferable to use in combination with a host substance capable of emitting light by itself, and it is preferable to use it as a dopant. In such a case, the content of the compound in the light emitting layer is 0.01 to 10% by weight, and more preferably 0.1 to 10% by weight.
It is preferably 1 to 5% by weight. When used in combination with a host substance, the emission wavelength characteristics of the host substance can be changed, light emission shifted to a longer wavelength becomes possible, and the luminous efficiency and stability of the device are improved.
【0051】ホスト物質としては、キノリノラト錯体が
好ましく、さらには8−キノリノールないしその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭63−26469
2号、特開平3−255190号、特開平5−7073
3号、特開平5−258859号、特開平6−2158
74号等に開示されているものを挙げることができる。As the host substance, a quinolinolato complex is preferable, and an aluminum complex having 8-quinolinol or a derivative thereof as a ligand is preferable. Such an aluminum complex is disclosed in JP-A-63-26469.
No. 2, JP-A-3-255190, JP-A-5-7073
3, JP-A-5-258859, JP-A-6-2158
No. 74 and the like.
【0052】具体的には、まず、トリス(8−キノリノ
ラト)アルミニウム、ビス(8−キノリノラト)マグネ
シウム、ビス(ベンゾ{f}−8−キノリノラト)亜
鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウ
ムオキシド、トリス(8−キノリノラト)インジウム、
トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウ
ム、8−キノリノラトリチウム、トリス(5−クロロ−
8−キノリノラト)ガリウム、ビス(5−クロロ−8−
キノリノラト)カルシウム、5,7−ジクロル−8−キ
ノリノラトアルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−
8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム、ポリ[亜
鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリニル)メ
タン]、等がある。Specifically, first, tris (8-quinolinolato) aluminum, bis (8-quinolinolato) magnesium, bis (benzo {f} -8-quinolinolato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum Oxide, tris (8-quinolinolato) indium,
Tris (5-methyl-8-quinolinolato) aluminum, 8-quinolinolatolithium, tris (5-chloro-
8-quinolinolato) gallium, bis (5-chloro-8-
Quinolinolato) calcium, 5,7-dichloro-8-quinolinolatoaluminum, tris (5,7-dibromo-
8-hydroxyquinolinolato) aluminum, poly [zinc (II) -bis (8-hydroxy-5-quinolinyl) methane], and the like.
【0053】また、8−キノリノールないしその誘導体
のほかに他の配位子を有するアルミニウム錯体であって
もよく、このようなものとしては、ビス(2−メチル−
8−キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム(III)
、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(オルト−
クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−
8−キノリノラト)(メタークレゾラト)アルミニウム
(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ
−クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル
−8−キノリノラト)(オルト−フェニルフェノラト)
アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノ
ラト)(メタ−フェニルフェノラト)アルミニウム(II
I) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ−
フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−
メチル−8−キノリノラト)(2,3−ジメチルフェノ
ラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キ
ノリノラト)(2,6−ジメチルフェノラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)
(3,4−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(3,5−ジメ
チルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチ
ル−8−キノリノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフ
ェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8
−キノリノラト)(2,6−ジフェニルフェノラト)ア
ルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラ
ト)(2,4,6−トリフェニルフェノラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)
(2,3,6−トリメチルフェノラト)アルミニウム(I
II) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(2,
3,5,6−テトラメチルフェノラト)アルミニウム(I
II) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(1−ナ
フトラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8
−キノリノラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(II
I) 、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)
(オルト−フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)(パラ−
フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,
4−ジメチル−8−キノリノラト)(メタ−フェニルフ
ェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチ
ル−8−キノリノラト)(3,5−ジメチルフェノラ
ト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチル−8
−キノリノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフェノラ
ト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4−エチ
ル−8−キノリノラト)(パラ−クレゾラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−4−メトキシ−8−キ
ノリノラト)(パラ−フェニルフェノラト)アルミニウ
ム(III) 、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリ
ノラト)(オルト−クレゾラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2−メチル−6−トリフルオロメチル−8−キノ
リノラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(III) 等が
ある。In addition to 8-quinolinol or its derivative, an aluminum complex having another ligand may be used, such as bis (2-methyl-
8-quinolinolato) (phenolato) aluminum (III)
, Bis (2-methyl-8-quinolinolato) (ortho-
Cresolato) aluminum (III), bis (2-methyl-
8-quinolinolato) (meth-cresolate) aluminum
(III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (para-cresolato) aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (ortho-phenylphenolate)
Aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (meth-phenylphenolato) aluminum (II
I), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (para-
Phenylphenolato) aluminum (III), bis (2-
Methyl-8-quinolinolato) (2,3-dimethylphenolato) aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,6-dimethylphenolato) aluminum (III), bis (2-methyl- 8-quinolinolato)
(3,4-dimethylphenolato) aluminum (III),
Bis (2-methyl-8-quinolinolato) (3,5-dimethylphenolato) aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (3,5-di-tert-butylphenolato) aluminum (III) ), Bis (2-methyl-8)
-Quinolinolato) (2,6-diphenylphenolato) aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,4,6-triphenylphenolato) aluminum (III), bis (2-methyl- 8-quinolinolato)
(2,3,6-trimethylphenolato) aluminum (I
II), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,
3,5,6-tetramethylphenolato) aluminum (I
II), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (1-naphthrat) aluminum (III), bis (2-methyl-8
-Quinolinolato) (2-naphthrat) aluminum (II
I), bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato)
(Ortho-phenylphenolato) aluminum (III),
Bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) (para-
Phenylphenolato) aluminum (III), bis (2,
4-dimethyl-8-quinolinolato) (meta-phenylphenolato) aluminum (III), bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) (3,5-dimethylphenolato) aluminum (III), bis (2 4-dimethyl-8
-Quinolinolato) (3,5-di-tert-butylphenolato) aluminum (III), bis (2-methyl-4-ethyl-8-quinolinolato) (para-cresolato) aluminum (III), bis (2-methyl) -4-methoxy-8-quinolinolato) (para-phenylphenolato) aluminum (III), bis (2-methyl-5-cyano-8-quinolinolato) (ortho-cresolato) aluminum (III),
Bis (2-methyl-6-trifluoromethyl-8-quinolinolato) (2-naphthrat) aluminum (III);
【0054】このほか、ビス(2−メチル−8−キノリ
ノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス(2−
メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス
(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)アルミニウム
(III) −μ−オキソ−ビス(2,4−ジメチル−8−キ
ノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス(4−エチル−
2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −
μ−オキソ−ビス(4−エチル−2−メチル−8−キノ
リノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4
−メトキシキノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オ
キソ−ビス(2−メチル−4−メトキシキノリノラト)
アルミニウム(III) 、ビス(5−シアノ−2−メチル−
8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−
ビス(5−シアノ−2−メチル−8−キノリノラト)ア
ルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−5−トリフルオ
ロメチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ
−オキソ−ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル
−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 等であっても
よい。In addition, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum (III) -μ-oxo-bis (2-
Methyl-8-quinolinolato) aluminum (III), bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) aluminum
(III) -μ-oxo-bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) aluminum (III), bis (4-ethyl-
2-methyl-8-quinolinolato) aluminum (III)-
μ-oxo-bis (4-ethyl-2-methyl-8-quinolinolato) aluminum (III), bis (2-methyl-4
-Methoxyquinolinolato) aluminum (III) -μ-oxo-bis (2-methyl-4-methoxyquinolinolato)
Aluminum (III), bis (5-cyano-2-methyl-
8-quinolinolato) aluminum (III) -μ-oxo-
Bis (5-cyano-2-methyl-8-quinolinolato) aluminum (III), bis (2-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolato) aluminum (III) -μ
-Oxo-bis (2-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolato) aluminum (III) and the like.
【0055】このほかのホスト物質としては、特開平8
−12600号公報(特願平6−110569号)に記
載のフェニルアントラセン誘導体や特開平8−1296
9号公報(特願平6−114456号)に記載のテトラ
アリールエテン誘導体なども好ましい。Other host materials are disclosed in
Phenylanthracene derivative described in JP-A-12600 (Japanese Patent Application No. 6-110569) and JP-A-8-1296
No. 9 (Japanese Patent Application No. 6-114456) is also preferable.
【0056】発光層は電子注入輸送層を兼ねたものであ
ってもよく、このような場合はトリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム等を使用することが好ましい。これら
の蛍光性物質を蒸着すればよい。The light emitting layer may also serve as the electron injection / transport layer. In such a case, it is preferable to use tris (8-quinolinolato) aluminum or the like. These fluorescent substances may be deposited.
【0057】また、必要に応じて発光層は、少なくとも
一種以上のホール注入輸送性化合物と少なくとも1種以
上の電子注入輸送性化合物との混合層とすることも好ま
しく、この混合層中にドーパントを含有させることが好
ましい。このような混合層における化合物の含有量は、
0.01〜20wt% 、さらには0.1〜15wt% とする
ことが好ましい。Further, if necessary, the light emitting layer is preferably a mixed layer of at least one or more hole injecting / transporting compounds and at least one or more electron injecting / transporting compounds. It is preferable to include them. The content of the compound in such a mixed layer is
It is preferably 0.01 to 20% by weight, more preferably 0.1 to 15% by weight.
【0058】混合層では、キャリアのホッピング伝導パ
スができるため、各キャリアは極性的に優勢な物質中を
移動し、逆の極性のキャリア注入は起こり難くなり、有
機化合物がダメージを受け難くなり、素子寿命がのびる
という利点があるが、前述のドーパントをこのような混
合層に含有させることにより、混合層自体のもつ発光波
長特性を変化させることができ、発光波長を長波長に移
行させることができるとともに、発光強度を高め、かつ
素子の安定性を向上させることができる。In the mixed layer, a carrier hopping conduction path is formed, so that each carrier moves in a material having a polarity predominant, injection of a carrier having the opposite polarity hardly occurs, and organic compounds are hardly damaged. There is an advantage that the device life is extended, but by including the above-mentioned dopant in such a mixed layer, the emission wavelength characteristic of the mixed layer itself can be changed, and the emission wavelength can be shifted to a longer wavelength. In addition, the emission intensity can be increased and the stability of the element can be improved.
【0059】混合層に用いられるホール注入輸送性化合
物および電子注入輸送性化合物は、各々、後述のホール
注入輸送層用の化合物および電子注入輸送層用の化合物
の中から選択すればよい。なかでも、ホール注入輸送層
用の化合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、
例えばホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導
体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持
つアミン誘導体を用いるのが好ましい。The hole injecting / transporting compound and the electron injecting / transporting compound used in the mixed layer may be selected from the compounds for the hole injecting / transporting layer and the compounds for the electron injecting / transporting layer described below, respectively. Among them, compounds for the hole injection transport layer include amine derivatives having strong fluorescence,
For example, it is preferable to use a triphenyldiamine derivative which is a hole transport material, a styrylamine derivative, or an amine derivative having an aromatic condensed ring.
【0060】電子注入輸送性の化合物としては、キノリ
ン誘導体、さらには8−キノリノールないしその誘導体
を配位子とする金属錯体、特にトリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム(Alq3 )を用いることが好まし
い。また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラ
アリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。As the compound capable of injecting and transporting electrons, it is preferable to use a quinoline derivative, furthermore a metal complex having 8-quinolinol or a derivative thereof as a ligand, particularly tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq 3 ). It is also preferable to use the above-mentioned phenylanthracene derivatives and tetraarylethene derivatives.
【0061】ホール注入輸送層用の化合物としては、強
い蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記のホール輸送
材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチ
リルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を
用いるのが好ましい。As the compound for the hole injecting and transporting layer, an amine derivative having strong fluorescence, for example, a triphenyldiamine derivative which is the above-described hole transporting material, a styrylamine derivative, or an amine derivative having an aromatic condensed ring is used. Is preferred.
【0062】この場合の混合比は、それぞれのキャリア
移動度とキャリア濃度を考慮する事で決定するが、一般
的には、ホール注入輸送性化合物の化合物/電子注入輸
送機能を有する化合物の重量比が、1/99〜99/
1、さらには10/90〜90/10、特には20/8
0〜80/20程度となるようにすることが好ましい。The mixing ratio in this case is determined by considering the respective carrier mobilities and carrier concentrations. In general, the weight ratio of the compound of the hole injecting / transporting compound / the compound having the electron injecting / transporting function is used. But 1 / 99-99 /
1, further from 10/90 to 90/10, especially 20/8
It is preferable to set it to about 0 to 80/20.
【0063】また、混合層の厚さは、分子層一層に相当
する厚みから、有機化合物層の膜厚未満とすることが好
ましく、具体的には1〜85nmとすることが好ましく、
さらには5〜60nm、特には5〜50nmとすることが好
ましい。Further, the thickness of the mixed layer is preferably less than the thickness of the organic compound layer from the thickness corresponding to one molecular layer, more preferably 1 to 85 nm.
Further, the thickness is preferably 5 to 60 nm, particularly preferably 5 to 50 nm.
【0064】また、混合層の形成方法としては、異なる
蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧(蒸
発温度)が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同
じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもでき
る。混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ま
しいが、場合によっては、化合物が島状に存在するもの
であってもよい。発光層は、一般的には、有機蛍光物質
を蒸着するか、あるいは樹脂バインダー中に分散させて
コーティングすることにより、発光層を所定の厚さに形
成する。As a method for forming a mixed layer, co-evaporation in which evaporation is performed from different evaporation sources is preferable. However, when the vapor pressures (evaporation temperatures) are approximately the same or very close, they are mixed in advance in the same evaporation board. Alternatively, it can be deposited. In the mixed layer, it is preferable that the compounds are uniformly mixed, but in some cases, the compounds may exist in an island shape. The light-emitting layer is generally formed to a predetermined thickness by vapor-depositing an organic fluorescent substance or by dispersing and coating the resin in a resin binder.
【0065】また、ホール注入輸送層には、例えば、特
開昭63−295695号公報、特開平2−19169
4号公報、特開平3−792号公報、特開平5−234
681号公報、特開平5−239455号公報、特開平
5−299174号公報、特開平7−126225号公
報、特開平7−126226号公報、特開平8−100
172号公報、EP0650955A1等に記載されて
いる各種有機化合物を用いることができる。例えば、テ
トラアリールベンジシン化合物(トリアリールジアミン
ないしトリフェニルジアミン:TPD)、芳香族三級ア
ミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリア
ゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有する
オキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン等である。こ
れらの化合物は2種以上を併用してもよく、併用すると
きは別層にして積層したり、混合したりすればよい。The hole injecting and transporting layer is described in, for example, JP-A-63-295695 and JP-A-2-19169.
4, JP-A-3-792, JP-A-5-234
681, JP-A-5-239455, JP-A-5-299174, JP-A-7-126225, JP-A-7-126226, JP-A-8-100
Various organic compounds described in JP-A-172, EP0650955A1, and the like can be used. For example, a tetraarylbendicine compound (triaryldiamine or triphenyldiamine: TPD), an aromatic tertiary amine, a hydrazone derivative, a carbazole derivative, a triazole derivative, an imidazole derivative, an oxadiazole derivative having an amino group, polythiophene, etc. . Two or more of these compounds may be used in combination, and when they are used in combination, they may be stacked as separate layers or mixed.
【0066】ホール注入輸送層をホール注入層とホール
輸送層とに分けて積層する場合は、ホール注入輸送層用
の化合物のなかから好ましい組合せを選択して用いるこ
とができる。このとき、ホール注入電極(ITO等)側
からイオン化ポテンシャルの小さい化合物の層の順に積
層することが好ましい。またホール注入電極表面には薄
膜性の良好な化合物を用いることが好ましい。このよう
な積層順については、ホール注入輸送層を2層以上設け
るときも同様である。このような積層順とすることによ
って、駆動電圧が低下し、電流リークの発生やダークス
ポットの発生・成長を防ぐことができる。また、素子化
する場合、蒸着を用いているので1〜10nm程度の薄い
膜も、均一かつピンホールフリーとすることができるた
め、ホール注入層にイオン化ポテンシャルが小さく、可
視部に吸収をもつような化合物を用いても、発光色の色
調変化や再吸収による効率の低下を防ぐことができる。
ホール注入輸送層は、発光層等と同様に上記の化合物を
蒸着することにより形成することができる。When the hole injecting and transporting layer is divided into a hole injecting layer and a hole transporting layer, a preferable combination can be selected from the compounds for the hole injecting and transporting layer. At this time, it is preferable to stack the layers of the compound having the smaller ionization potential in order from the hole injection electrode (ITO or the like) side. It is preferable to use a compound having good thin film properties on the surface of the hole injection electrode. Such a stacking order is the same when two or more hole injection transport layers are provided. With such a stacking order, the driving voltage is reduced, and the occurrence of current leakage and the occurrence and growth of dark spots can be prevented. In the case of forming an element, a thin film of about 1 to 10 nm can be made uniform and pinhole-free because of the use of vapor deposition, so that the hole injection layer has a small ionization potential and has absorption in the visible part. Even when such a compound is used, it is possible to prevent a change in the color tone of the emission color or a decrease in efficiency due to reabsorption.
The hole injecting and transporting layer can be formed by vapor deposition of the above compound in the same manner as the light emitting layer and the like.
【0067】また、必要に応じて設けられる電子注入輸
送層には、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム
(Alq3 )等の8−キノリノールなしいその誘導体を
配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキ
サジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導
体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニ
ルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等を用い
ることができる。電子注入輸送層は発光層を兼ねたもの
であってもよく、このような場合はトリス(8−キノリ
ノラト)アルミニウム等を使用することが好ましい。電
子注入輸送層の形成は発光層と同様に蒸着等によればよ
い。The electron injecting and transporting layer, which is provided as necessary, includes quinoline such as an organometallic complex having 8-quinolinol or a derivative thereof such as tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq 3 ) as a ligand. Derivatives, oxadiazole derivatives, perylene derivatives, pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, quinoxaline derivatives, diphenylquinone derivatives, nitro-substituted fluorene derivatives, and the like can be used. The electron injection / transport layer may also serve as the light emitting layer. In such a case, it is preferable to use tris (8-quinolinolato) aluminum or the like. The electron injecting and transporting layer may be formed by vapor deposition or the like, similarly to the light emitting layer.
【0068】電子注入輸送層を電子注入層と電子輸送層
とに分けて積層する場合には、電子注入輸送層用の化合
物の中から好ましい組み合わせを選択して用いることが
できる。このとき、電子注入電極側から電子親和力の値
の大きい化合物の順に積層することが好ましい。このよ
うな積層順については電子注入輸送層を2層以上設ける
ときも同様である。When the electron injecting and transporting layer is divided into an electron injecting layer and an electron transporting layer, a preferable combination can be selected from the compounds for the electron injecting and transporting layer. At this time, it is preferable to stack the compounds in descending order of the electron affinity value from the electron injection electrode side. This stacking order is the same when two or more electron injection / transport layers are provided.
【0069】基板に色フィルター膜や蛍光性物質を含む
色変換膜、あるいは誘電体反射膜を用いて発光色をコン
トロールしてもよい。The emission color may be controlled by using a color filter film, a color conversion film containing a fluorescent substance, or a dielectric reflection film on the substrate.
【0070】色フィルター膜には、液晶ディスプレイ等
で用いられているカラーフィルターを用いれば良いが、
有機ELの発光する光に合わせてカラーフィルターの特
性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化すればよ
い。As the color filter film, a color filter used in a liquid crystal display or the like may be used.
The characteristics of the color filter may be adjusted in accordance with the light emitted from the organic EL to optimize the extraction efficiency and the color purity.
【0071】また、EL素子材料や蛍光変換層が光吸収
するような短波長の外光をカットできるカラーフィルタ
ーを用いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向
上する。When a color filter capable of cutting off short-wavelength external light that is absorbed by the EL element material or the fluorescence conversion layer is used, the light resistance of the element and the contrast of display are improved.
【0072】また、誘電体多層膜のような光学薄膜を用
いてカラーフィルターの代わりにしても良い。Further, an optical thin film such as a dielectric multilayer film may be used instead of the color filter.
【0073】蛍光変換フィルター膜は、EL発光の光を
吸収し、蛍光変換膜中の蛍光体から光を放出させること
で、発光色の色変換を行うものであるが、組成として
は、バインダー、蛍光材料、光吸収材料の三つから形成
される。The fluorescence conversion filter film absorbs EL light and emits light from the phosphor in the fluorescence conversion film, thereby performing color conversion of the emission color. It is formed from a fluorescent material and a light absorbing material.
【0074】蛍光材料は、基本的には蛍光量子収率が高
いものを用いれば良く、EL発光波長域に吸収が強いこ
とが望ましい。実際には、レーザー色素などが適してお
り、ローダミン系化合物・ペリレン系化合物・シアニン
系化合物・フタロシアニン系化合物(サブフタロ等も含
む)ナフタロイミド系化合物・縮合環炭化水素系化合物
・縮合複素環系化合物・スチリル系化合物・クマリン系
化合物等を用いればよい。As the fluorescent material, basically, a material having a high fluorescence quantum yield may be used, and it is desirable that the fluorescent material has strong absorption in the EL emission wavelength region. Actually, laser dyes are suitable, and rhodamine compounds, perylene compounds, cyanine compounds, phthalocyanine compounds (including subphthalo, etc.) naphthaloimide compounds, condensed ring hydrocarbon compounds, condensed heterocyclic compounds, A styryl compound, a coumarin compound, or the like may be used.
【0075】バインダーは基本的に蛍光を消光しないよ
うな材料を選べば良く、フォトリソグラフィー・印刷等
で微細なパターニングが出来るようなものが好ましい。
また、ITO、IZOの成膜時にダメージを受けないよ
うな材料が好ましい。Basically, a material that does not extinguish the fluorescence may be selected as the binder, and a material that can be finely patterned by photolithography, printing, or the like is preferable.
Further, a material that does not suffer damage during the formation of ITO or IZO is preferable.
【0076】光吸収材料は、蛍光材料の光吸収が足りな
い場合に用いるが、必要の無い場合は用いなくても良
い。また、光吸収材料は、蛍光性材料の蛍光を消光しな
いような材料を選べば良い。The light absorbing material is used when the light absorption of the fluorescent material is insufficient, but may be omitted when unnecessary. As the light absorbing material, a material that does not quench the fluorescence of the fluorescent material may be selected.
【0077】ホール注入輸送層、発光層および電子注入
輸送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから真
空蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法を用いた
場合、アモルファス状態または結晶粒径が0.2、好ま
しくは0.1μm 以下の均質な薄膜が得られる。結晶粒
径が0.2μm を超えていると、不均一な発光となり、
素子の駆動電圧を高くしなければならなくなり、電荷の
注入効率も著しく低下する。For forming the hole injection transport layer, the light emitting layer and the electron injection transport layer, it is preferable to use a vacuum deposition method since a uniform thin film can be formed. When a vacuum deposition method is used, a homogeneous thin film having an amorphous state or a crystal grain size of 0.2, preferably 0.1 μm or less can be obtained. If the crystal grain size exceeds 0.2 μm, uneven light emission will occur.
The drive voltage of the device must be increased, and the charge injection efficiency is significantly reduced.
【0078】真空蒸着の条件は特に限定されないが、1
0-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は0.01〜1nm/
sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続し
て各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形
成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げる
ため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低く
したり、ダークスポットの成長・発生を抑えたりするこ
とができる。The conditions for vacuum deposition are not particularly limited.
The degree of vacuum is 0 -4 Pa or less, and the deposition rate is 0.01 to 1 nm /
It is preferable to set it to about sec. Further, it is preferable to form each layer continuously in a vacuum. If they are formed continuously in a vacuum, impurities can be prevented from adsorbing at the interface between the layers, so that high characteristics can be obtained. Further, the driving voltage of the element can be reduced, and the growth and generation of dark spots can be suppressed.
【0079】これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場
合において、1層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。In the case where a plurality of compounds are contained in one layer when a vacuum evaporation method is used for forming each of these layers, it is preferable to co-deposit each boat containing the compounds by individually controlling the temperature.
【0080】本発明の有機ELディスプレイは、通常、
直流駆動型のEL素子として用いられるが、交流駆動ま
たはパルス駆動とすることもできる。印加電圧は、通
常、2〜30V 、特に2〜20V 程度とされる。The organic EL display of the present invention usually comprises
Although used as a DC drive type EL element, AC drive or pulse drive can be used. The applied voltage is usually about 2 to 30 V, especially about 2 to 20 V.
【0081】実施例 次に実験例、実施例を示し、本発明をより具体的に説明
する。 <実験例1>コーニング社製7059ガラス基板上に、
紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤として市販されている
スリーボンド製の30Y296Dを用い、これを未硬化
の状態で100mg塗布した。さらに封止板として、別の
コーニング社製7059ガラスを重ねて、基板同士を摺
り合わせながら3kg/cm2 の圧力で加圧し、ガラス基板
と封止板間に接着剤の薄層を形成した。このとき、接着
剤中には7μm のスペーサを1wt%分散させ、接着剤の
膜厚が7μm となるようにした。次いで、ガラス基板越
しに接着剤面に対して、メタルハライドランプを用い積
算光量が6000mJとなるようにUV光を照射し、接着
剤を硬化させた。硬化後、ガラス基板から封止板を剥離
して接着面を露呈させ、これから50mg程度を目安にし
て接着剤をかき取った。採取した試料を正確に秤量した
後、分析用バイアル瓶中に入れこれをヘッドスペースと
して恒温槽中に配置すると共に、試料ガスをガスクロマ
トグラフへ導入するためのチューブを瓶の口に接続し
た。EXAMPLES Next, the present invention will be described more specifically with reference to experimental examples and examples. <Experimental example 1> On a Corning 7059 glass substrate,
A commercially available Three Bond 30Y296D was used as an ultraviolet-curable epoxy resin adhesive, and 100 mg of this was applied in an uncured state. Further, another 7059 glass manufactured by Corning was overlaid as a sealing plate, and a pressure of 3 kg / cm 2 was applied to the substrates while sliding the substrates together to form a thin layer of adhesive between the glass substrate and the sealing plate. At this time, a 7 μm spacer was dispersed in the adhesive in an amount of 1 wt% so that the adhesive had a thickness of 7 μm. Next, the adhesive surface was irradiated with UV light through a glass substrate using a metal halide lamp so that the integrated light amount became 6000 mJ, thereby curing the adhesive. After curing, the sealing plate was peeled off from the glass substrate to expose the adhesive surface, and the adhesive was scraped off from about 50 mg as a guide. After the collected sample was accurately weighed, it was placed in a vial for analysis, placed in a thermostat as a head space, and a tube for introducing the sample gas into the gas chromatograph was connected to the mouth of the bottle.
【0082】試料をヘッドスペース・ガスクロマトグラ
フ・質量分析法(HS−GC−MS法)にて分析した。
分析装置にはヒュ−レット・パッカード社製5970B
を用いた。測定条件としては、ヘッドスペースの恒温槽
を85℃で60分間保持し、発生したガスを分析した。
このとき、バイアル瓶からガスクロマトグラフの試料導
入口に至るループ温度を150℃とした。ガスクロマト
グラフのカラムにはHP−WAX:0.2mm×25m を
用い、カラムの温度を40〜230℃(10℃/分)と
なるようにした。キャリアーガスにはヘリウムガス:1
3psi (0.5ml/min )を用い、試料導入部のインジ
ェクション温度を250℃、試料のスプリットレシオ:
50として2%導入するようにした。また、質量分析の
条件として、マスモニタ:M/Z=35〜550とし、
ディテクタの温度を280℃とした。The sample was analyzed by headspace gas chromatography / mass spectrometry (HS-GC-MS method).
The analyzer is a Hewlett-Packard 5970B
Was used. As measurement conditions, a thermostat in a head space was kept at 85 ° C. for 60 minutes, and generated gas was analyzed.
At this time, the loop temperature from the vial bottle to the sample inlet of the gas chromatograph was set to 150 ° C. HP-WAX: 0.2 mm × 25 m was used for the column of the gas chromatograph, and the temperature of the column was adjusted to 40 to 230 ° C. (10 ° C./min). Helium gas: 1 as carrier gas
Using 3 psi (0.5 ml / min), the injection temperature at the sample inlet was 250 ° C., and the sample split ratio was:
As 50, 2% was introduced. As mass spectrometry conditions, mass monitor: M / Z = 35 to 550,
The temperature of the detector was 280 ° C.
【0083】TICの保持時間とマススペクトルから定
性分析を行い、標準試料であるベンゼンの検量線換算か
ら定量分析を行った。得られた結果を表1に示す。A qualitative analysis was carried out from the TIC retention time and the mass spectrum, and a quantitative analysis was carried out based on the calibration curve conversion of benzene as a standard sample. Table 1 shows the obtained results.
【0084】[0084]
【表1】 [Table 1]
【0085】表1から明らかなように、本発明の接着剤
サンプルは、UV硬化後におけるガス発生量がベンゼン
換算で総計118μg /g と少ない値になっている。As is clear from Table 1, the adhesive sample of the present invention has a small amount of gas generation after UV curing of 118 μg / g in total in terms of benzene.
【0086】<実験例2>実験例1において、比較サン
プル用接着剤として、反応開始剤をメタロセン系化合物
とした接着剤を用意し、その他は実験例1と同様にして
試料を分析した。その結果、比較接着剤サンプルは、U
V硬化後におけるガス発生量がベンゼン換算で総計21
7μg /g と極めて多い値になった。<Experimental Example 2> In Experimental example 1, an adhesive using a metallocene compound as a reaction initiator was prepared as an adhesive for a comparative sample, and the other samples were analyzed in the same manner as in Experimental example 1. As a result, the comparative adhesive sample
The total amount of gas generated after V curing is 21
This was an extremely large value of 7 μg / g.
【0087】<実施例1>実験例1で用いた本発明のサ
ンプルを用いて有機EL素子を作製した。Example 1 An organic EL device was manufactured using the sample of the present invention used in Experimental Example 1.
【0088】ガラス基板上に、ITO透明電極(ホール
注入電極)を膜厚85nmで64ドット×7ラインの画素
(一画素当たり280×280μm )を構成するよう成
膜、パターニングした。次いで、パターニングされたホ
ール注入電極が形成された基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール
中から引き上げて乾燥した。次いで、表面をUV/O3
洗浄した後、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定して、
槽内を1×10-4Pa以下まで減圧した。4,4’,4”
−トリス(−N−(3−メチルフェニル)−N−フェニ
ルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)を
蒸着速度0.2nm/sec.で40nmの厚さに蒸着し、ホー
ル注入層とし、次いで減圧状態を保ったまま、N,N’
−ジフェニル−N,N’−m−トリル−4,4’−ジア
ミノ−1,1’−ビフェニル(以下、TPD)を蒸着速
度0.2nm/sec.で35nmの厚さに蒸着し、ホール輸送
層とした。さらに、減圧を保ったまま、トリス(8−キ
ノリノラト)アルミニウム(以下、Alq3 )を蒸着速
度0.2nm/sec.で50nmの厚さに蒸着して、電子注入
輸送・発光層とした。次いで減圧を保ったまま、MgA
gを共蒸着(2元蒸着)で蒸着速度比Mg:Ag=1:
10にて200nmの厚さに成膜し、電子注入電極とし
た。さらに、減圧を保ったまま、このEL素子基板をス
パッタ装置に移し、Alターゲットを用いたDCスパッ
タ法により、スパッタ圧力0.3PaにてAl保護電極を
200nmの厚さに成膜した。この時スパッタガスにはA
rを用い、投入電力は500W、ターゲットの大きさは
4インチ径、基板とターゲットの距離は90mmとした。
最後に、本発明の接着剤と直径7μm のスペーサーを用
いて、実験例で用いたガラス材を封止板として接着し、
密封した。On a glass substrate, an ITO transparent electrode (hole injecting electrode) was formed and patterned so as to constitute pixels of 64 dots × 7 lines (280 × 280 μm per pixel) with a film thickness of 85 nm. Next, the substrate on which the patterned hole injection electrode was formed was subjected to ultrasonic cleaning using a neutral detergent, acetone and ethanol, pulled up from boiling ethanol, and dried. Then, the surface is UV / O 3
After cleaning, fix it on the substrate holder of the vacuum evaporation device,
The pressure in the tank was reduced to 1 × 10 −4 Pa or less. 4,4 ', 4 "
-Tris (-N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino) triphenylamine (m-MTDATA) was deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec. To a thickness of 40 nm to form a hole injection layer, N, N 'while maintaining the reduced pressure
-Diphenyl-N, N'-m-tolyl-4,4'-diamino-1,1'-biphenyl (TPD) was deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec. To a thickness of 35 nm and transported by holes. Layers. Further, while maintaining the reduced pressure, tris (8-quinolinolato) aluminum (hereinafter, Alq 3 ) was vapor-deposited at a vapor deposition rate of 0.2 nm / sec. To a thickness of 50 nm to form an electron injection transport / light-emitting layer. Then, while maintaining the reduced pressure, MgA
g by co-evaporation (binary evaporation) at an evaporation speed ratio of Mg: Ag = 1:
A film was formed to a thickness of 200 nm at 10 to form an electron injection electrode. Further, while maintaining the reduced pressure, the EL element substrate was transferred to a sputtering apparatus, and an Al protective electrode was formed to a thickness of 200 nm by a DC sputtering method using an Al target at a sputtering pressure of 0.3 Pa. At this time, the sputtering gas is A
r, the input power was 500 W, the size of the target was 4 inches in diameter, and the distance between the substrate and the target was 90 mm.
Finally, using the adhesive of the present invention and a spacer having a diameter of 7 μm, the glass material used in the experimental example was bonded as a sealing plate.
Sealed.
【0089】得られた有機EL素子に、大気雰囲気中で
直流電圧を印加し、10mA/cm2 の定電流密度で駆動
し、初期状態ではダークスポットの発生が認められない
ことを確認した。次いで、温度60℃、湿度95%の加
速条件下で100時間、および500時間保存した後、
同一条件で駆動させ、ダークスポットの発生について評
価した。The obtained organic EL device was driven at a constant current density of 10 mA / cm 2 by applying a DC voltage in the air atmosphere, and it was confirmed that no dark spot was observed in the initial state. Then, after storing for 100 hours and 500 hours under accelerated conditions of a temperature of 60 ° C. and a humidity of 95%,
The device was driven under the same conditions, and the occurrence of dark spots was evaluated.
【0090】本発明のサンプルは100時間保存後で
は、64×7=448画素中、直径50μm 以下のダー
クスポットは発見されず、500時間保存後に直径10
0μm以下のダークスポットが1〜5個確認された。In the sample of the present invention, no dark spots having a diameter of 50 μm or less were found in 64 × 7 = 448 pixels after storage for 100 hours.
1 to 5 dark spots of 0 μm or less were confirmed.
【0091】<比較例1>実施例1において、接着剤を
実験例2で用いた比較用サンプルとした他は実施例1と
同様にして有機EL素子を得た。得られた有機EL素子
について実施例1と同様にして評価したところ、100
時間保存後では、直径50μm 以下のダークスポットは
発見されず、500時間保存後に直径100μm 以下の
ダークスポットが10〜15個確認された。Comparative Example 1 An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 1, except that the adhesive was changed to a comparative sample used in Experimental Example 2. The obtained organic EL device was evaluated in the same manner as in Example 1.
After storage for a time, no dark spots with a diameter of 50 μm or less were found, and after storage for 500 hours, 10 to 15 dark spots with a diameter of 100 μm or less were confirmed.
【0092】<実施例2>実験例1と同様にして紫外線
硬化型エポキシ樹脂接着剤として市販されている各サン
プル1〜5を評価し、定量分析を行った。得られた結果
を表2に示す。Example 2 In the same manner as in Experimental Example 1, samples 1 to 5 commercially available as an ultraviolet-curable epoxy resin adhesive were evaluated and quantitatively analyzed. Table 2 shows the obtained results.
【0093】[0093]
【表2】 [Table 2]
【0094】表2から明らかなように、本発明の接着剤
サンプルは、UV硬化後におけるガス発生量がベンゼン
換算で、プロピレンカーボネート:30μg /g 以下、
プロピレングリコール:20μg /g 以下、トルエン:
20μg /g 以下になっている。As is clear from Table 2, the adhesive sample of the present invention has a gas generation amount after UV curing of propylene carbonate: 30 μg / g or less in terms of benzene.
Propylene glycol: 20 μg / g or less, toluene:
It is less than 20 μg / g.
【0095】ガラス基板上に、ITO透明電極(ホール
注入電極)を膜厚85nmで64ドット×7ラインの画素
(一画素当たり280×280μm )を構成するよう成
膜、パターニングした。次いで、パターニングされたホ
ール注入電極が形成された基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール
中から引き上げて乾燥した。次いで、表面をUV/O3
洗浄した後、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定して、
槽内を1×10-4Pa以下まで減圧した。4,4’,4”
−トリス(−N−(3−メチルフェニル)−N−フェニ
ルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)を
蒸着速度0.2nm/sec.で40nmの厚さに蒸着し、ホー
ル注入層とし、次いで減圧状態を保ったまま、N,N’
−ジフェニル−N,N’−m−トリル−4,4’−ジア
ミノ−1,1’−ビフェニル(以下、TPD)を蒸着速
度0.2nm/sec.で35nmの厚さに蒸着し、ホール輸送
層とした。さらに、減圧を保ったまま、トリス(8−キ
ノリノラト)アルミニウム(以下、Alq3 )を蒸着速
度0.2nm/sec.で50nmの厚さに蒸着して、電子注入
輸送・発光層とした。次いで減圧を保ったまま、MgA
gを共蒸着(2元蒸着)で蒸着速度比Mg:Ag=1:
10にて200nmの厚さに成膜し、電子注入電極とし
た。さらに、減圧を保ったまま、このEL素子基板をス
パッタ装置に移し、Alターゲットを用いたDCスパッ
タ法により、スパッタ圧力0.3PaにてAl保護電極を
200nmの厚さに成膜した。この時スパッタガスにはA
rを用い、投入電力は500W、ターゲットの大きさは
4インチ径、基板とターゲットの距離は90mmとした。
最後に、上記各サンプル1〜5の接着剤と直径7μm の
スペーサーを用いて、上記と同様なガラス材を封止板と
して接着し、密封した。On a glass substrate, an ITO transparent electrode (hole injection electrode) was formed and patterned so as to form a pixel of 85 dots in thickness and 64 dots × 7 lines (280 × 280 μm per pixel). Next, the substrate on which the patterned hole injection electrode was formed was subjected to ultrasonic cleaning using a neutral detergent, acetone and ethanol, pulled up from boiling ethanol, and dried. Then, the surface is UV / O 3
After cleaning, fix it on the substrate holder of the vacuum evaporation device,
The pressure in the tank was reduced to 1 × 10 −4 Pa or less. 4,4 ', 4 "
-Tris (-N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino) triphenylamine (m-MTDATA) was deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec. To a thickness of 40 nm to form a hole injection layer, N, N 'while maintaining the reduced pressure
-Diphenyl-N, N'-m-tolyl-4,4'-diamino-1,1'-biphenyl (TPD) was deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec. To a thickness of 35 nm and transported by holes. Layers. Further, while maintaining the reduced pressure, tris (8-quinolinolato) aluminum (hereinafter, Alq 3 ) was deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec. To a thickness of 50 nm to form an electron injection transport / light emitting layer. Then, while maintaining the reduced pressure, MgA
g by co-evaporation (binary evaporation) at an evaporation speed ratio of Mg: Ag = 1:
A film was formed to a thickness of 200 nm at 10 to form an electron injection electrode. Further, while maintaining the reduced pressure, the EL element substrate was transferred to a sputtering apparatus, and an Al protective electrode was formed to a thickness of 200 nm by a DC sputtering method using an Al target at a sputtering pressure of 0.3 Pa. At this time, the sputtering gas is A
r, the input power was 500 W, the size of the target was 4 inches in diameter, and the distance between the substrate and the target was 90 mm.
Finally, the same glass material as above was used as a sealing plate by using the adhesive of each of the above samples 1 to 5 and a spacer having a diameter of 7 μm, followed by sealing.
【0096】得られた有機ELディスプレイに、大気雰
囲気中で直流電圧を印加し、10mA/cm2 の定電流密度
で駆動し、初期状態で、85℃1時間の加熱処理を行っ
たものと、加熱処理を行わないサンプルのダークスポッ
トの発生およびその大きさについて評価した。次いで、
温度60℃、湿度95%の加速条件下で300時間保存
した後、同一条件で駆動させ、85℃1時間の加熱処理
を行ったものと、加熱処理を行わないサンプルのダーク
スポットの発生およびその大きさについて評価した。結
果を表2に示す。なお、ダークスポットは、1素子当り
4つの発光面について、最大の径のものを選び出し、こ
れをさらに4素子についての平均にした値で評価した。The obtained organic EL display was heated at 85 ° C. for 1 hour in an initial state by applying a DC voltage in an air atmosphere and driving at a constant current density of 10 mA / cm 2 . The generation of the dark spot and the size of the dark spot of the sample not subjected to the heat treatment were evaluated. Then
After storage under accelerated conditions of a temperature of 60 ° C. and a humidity of 95% for 300 hours, the samples were driven under the same conditions and subjected to a heat treatment at 85 ° C. for 1 hour, and the occurrence of dark spots in a sample not subjected to the heat treatment and its dark spots. The size was evaluated. Table 2 shows the results. In addition, the dark spot was selected with the largest diameter for four light emitting surfaces per element, and was evaluated by averaging the four elements.
【0097】[0097]
【表3】 [Table 3]
【0098】表3から明らかなように、本発明のサンプ
ルは、初期状態でダークスポットの発生が無く、保存試
験後も熱処理をしない場合には発生したダークスポット
の径が小さく、許容範囲内であることがわかる。なお、
ダークスポットの径が100μm 以下は許容範囲内であ
る。As is clear from Table 3, the sample of the present invention had no dark spots in the initial state, and the diameter of the dark spots generated was small when heat treatment was not performed after the storage test. You can see that there is. In addition,
A diameter of the dark spot of 100 μm or less is within the allowable range.
【0099】熱処理を行ったサンプルについては、保存
試験後のダークスポットの径が大きくなっているが、初
期輝度は向上し、輝度の半減期も伸びていることが確認
された。このことから、総合的な特性を考慮して熱処理
を行うか否かを決めることが望ましい。In the heat-treated sample, although the diameter of the dark spot after the storage test was large, it was confirmed that the initial luminance was improved and the half-life of the luminance was also increased. For this reason, it is desirable to determine whether or not to perform heat treatment in consideration of overall characteristics.
【0100】[0100]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、経時劣化
を極力抑え、初期性能を長期間維持できる長寿命の有機
EL素子を提供することができる。As described above, according to the present invention, it is possible to provide a long-life organic EL device capable of minimizing deterioration over time and maintaining initial performance for a long time.
【図1】本発明の有機EL素子の具体的な構成例を示し
た概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a specific configuration example of an organic EL device of the present invention.
1 基板 2 有機EL構造体 3 封止板 4 スペーサ 5 封止用接着剤 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Organic EL structure 3 Sealing plate 4 Spacer 5 Sealing adhesive
フロントページの続き (72)発明者 島村 淳一 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 鬼塚 理 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 海老沢 晃 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内Continuation of the front page (72) Inventor Junichi Shimamura 1-13-1 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo TDK Corporation (72) Inventor Osamu Onitsuka 1-13-1 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo TDK Corporation (72) Inventor Akira Ebisawa 1-13-1 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo Inside TDK Corporation
Claims (6)
L構造体と、 この有機EL構造体上に所定の空隙を置いて配置される
封止板と、 この封止板を基板上に固定すると共に前記有機EL構造
体を密閉する封止用接着剤とを有し、 前記封止用接着剤は、光硬化型の接着剤であって、光硬
化後に85℃、60分の加熱条件により発生するガスの
うち、ベンゼン換算で、 プロピレンカーボネート:25μg /g 以下、 プロピレングリコール:15μg /g 以下、 トルエン:20μg /g 以下 である有機EL素子。1. A substrate, and organic E laminated on the substrate.
An L structure; a sealing plate disposed at a predetermined gap on the organic EL structure; and a sealing adhesive for fixing the sealing plate on a substrate and sealing the organic EL structure. The sealing adhesive is a photo-curing adhesive, and among the gas generated under heating conditions of 85 ° C. and 60 minutes after photo-curing, propylene carbonate: 25 μg / g or less, propylene glycol: 15 μg / g or less, toluene: 20 μg / g or less.
g 以上含有する請求項1の有機EL素子。2. The gas contains 1 μg of iodobenzene /
2. The organic EL device according to claim 1, which contains at least g.
硬化型接着剤である請求項1または2の有機EL素子。3. The adhesive is a cationic polymerization epoxy UV.
3. The organic EL device according to claim 1, which is a curable adhesive.
L構造体と、 この有機EL構造体上に所定の空隙を置いて配置される
封止板と、 この封止板を基板上に固定すると共に前記有機EL構造
体を密閉する封止用接着剤とを有し、 前記封止用接着剤は光硬化型の接着剤であって、光硬化
後に85℃、60分の加熱条件により発生するガスのう
ち、 置換されていてもよい低分子の直鎖状脂肪族炭化水素、
置換されていてもよい芳香族炭化水素、置換されていて
もよい脂環式炭化水素、置換されていてもよい複素環化
合物およびシロキサンの総計が、 ベンゼン換算で200μg /g 以下であり、前記発生す
るガスのうち、ベンゼン換算で、 プロピレンカーボネート:25μg /g 以下、 プロピレングリコール:15μg /g 以下、 トルエン:20μg /g 以下 である有機EL素子。4. A substrate, and organic E laminated on the substrate.
An L structure; a sealing plate disposed at a predetermined gap on the organic EL structure; and a sealing adhesive for fixing the sealing plate on a substrate and sealing the organic EL structure. The sealing adhesive is a photo-curable adhesive, and is a gas generated by heating at 85 ° C. for 60 minutes after photo-curing, which is a low-molecular-weight straight-chain which may be replaced. Chain aliphatic hydrocarbons,
The total of the optionally substituted aromatic hydrocarbon, the optionally substituted alicyclic hydrocarbon, the optionally substituted heterocyclic compound and the siloxane is not more than 200 μg / g in terms of benzene; The organic EL element in which, in terms of benzene, propylene carbonate: 25 μg / g or less, propylene glycol: 15 μg / g or less, and toluene: 20 μg / g or less in terms of benzene.
g 以上含有する請求項4の有機EL素子。5. The gas comprises 1 μg / iodobenzene /
5. The organic EL device according to claim 4, wherein the organic EL device contains at least g.
硬化型接着剤である請求項4または5の有機EL素子。6. The adhesive is a cationic polymerization epoxy UV.
6. The organic EL device according to claim 4, which is a curable adhesive.
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