JPH1039330A - Liquid crystal display device and its production - Google Patents
Liquid crystal display device and its productionInfo
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- JPH1039330A JPH1039330A JP19636296A JP19636296A JPH1039330A JP H1039330 A JPH1039330 A JP H1039330A JP 19636296 A JP19636296 A JP 19636296A JP 19636296 A JP19636296 A JP 19636296A JP H1039330 A JPH1039330 A JP H1039330A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置(以
下、単にLCDという)およびその製法に関する。さら
に詳しくは、表示用基板の大面積化、LCDの高画質
化、ならびに、かかる大面積化および高画質化を可能と
するプロセス装置に対応するLCDおよびその製法に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display (hereinafter, simply referred to as LCD) and a method of manufacturing the same. More particularly, the present invention relates to an LCD having a large area for a display substrate, a high image quality of an LCD, and an LCD corresponding to a process apparatus capable of realizing such a large area and high image quality, and a method of manufacturing the LCD.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の液晶表示装置について、図4を用
いて説明する。図4は従来の液晶表示装置に用いられる
表示用基板の平面図である。図4において、1はガラス
基板であり、abcdで囲まれた領域はLCD表示領域
である。また、A、BおよびCは薄膜トランジスタ(以
下、TFTという)を形成する際に用いられる薄膜1枚
の薄膜が堆積された膜厚(以下、デポ膜厚という)分布
の等高線である。ここで、表示用基板とは、ガラスなど
の透明基板上に、TFT、ソース配線、ゲート配線、画
素電極および蓄積容量が設けられてなる基板をいう。2. Description of the Related Art A conventional liquid crystal display device will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a plan view of a display substrate used in a conventional liquid crystal display device. In FIG. 4, reference numeral 1 denotes a glass substrate, and an area surrounded by abcd is an LCD display area. A, B, and C are contour lines of a film thickness (hereinafter, referred to as a deposit film thickness) distribution in which one thin film used for forming a thin film transistor (hereinafter, referred to as a TFT) is deposited. Here, the display substrate refers to a substrate in which a TFT, a source wiring, a gate wiring, a pixel electrode, and a storage capacitor are provided over a transparent substrate such as glass.
【0003】従来のLCD表示画面内のTFTは条件が
すべて同一であるため、すべてのTFTは同一の寸法お
よび形状に設計されている。また、各画素の蓄積容量
(以下、Cst値という)の値もすべて同一になるように
設計されている。たとえばミラープロジェクション方式
の露光機(複数層における各層に対してそれぞれ1枚の
マスクで写真製版を行う)において写真製版法で使用す
るマスクには、表示画面内ですべて同一形状のパターン
が用いられている。[0003] Since all the TFTs in the conventional LCD display screen have the same conditions, all the TFTs are designed to have the same size and shape. In addition, the values of the storage capacities (hereinafter referred to as Cst values) of the respective pixels are all designed to be the same. For example, a mask used in a photolithography method in an exposure machine of a mirror projection system (photolithography is performed with one mask for each layer in a plurality of layers) has a pattern having the same shape in a display screen. I have.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】最近のLCDの画面サ
イズの大面積化に伴い、表示用基板は端部まで使用する
ことが不可避である。しかし、たとえばデポ膜厚の表示
画面内の分布がわるい(すなわち表示画面全域でデポ膜
厚が均一でない)CVD装置を使用すると、TFTの電
気特性が画面中央と画面端部とで異なる。したがって、
LCDの表示むらが発生することがある。With the recent increase in LCD screen size, it is inevitable to use the display substrate up to the end. However, for example, when using a CVD apparatus in which the distribution of the deposited film thickness in the display screen is poor (that is, the deposited film thickness is not uniform over the entire display screen), the electrical characteristics of the TFT are different between the center of the screen and the edge of the screen. Therefore,
LCD display unevenness may occur.
【0005】また、LCDは近年一機種のライフサイク
ルが短く、価格も低下しているが、一方で製造装置は年
々高額化しており、機種ごとに製造装置を購入しなおす
ことはコスト競争力を維持するためには非常に困難であ
る。[0005] Further, in recent years, the life cycle of one model of LCD is short and the price is decreasing. On the other hand, the manufacturing equipment is increasing year by year. Very difficult to maintain.
【0006】本発明はこのようなLCDの表示むらをな
くし、表示用基板の大面積化に対応でき、かつ、従来の
製造装置に対して大きな投資を必要とせずにLCDの高
画質化に対応しうる液晶表示装置を提供することを目的
とする。The present invention eliminates such display unevenness of the LCD, can cope with an increase in the area of the display substrate, and can cope with the high image quality of the LCD without requiring a large investment in the conventional manufacturing apparatus. It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device which can be used.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明は、たとえば膜厚のむらがあってもLCDの表
示特性が均一となるよう、従来は一定値としていたアレ
イ基板(表示用基板)面内のTFTの設計パラメータ
(たとえばチャネル幅(W)、チャネル長(L)、また
はW/L値など)、ゲート電極とドレイン電極との重な
り容量(以下、Cgd値という)またはゲート電極とソー
ス電極との重なり容量(以下、Cgs値という)、およ
び、Cst値を、表示画面を複数の領域に分割したうえで
領域ごとに最適値に変更する。SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the present invention provides an array substrate (display substrate) having a constant value so that the display characteristics of an LCD are uniform even if the film thickness is uneven. ) In-plane TFT design parameters (eg, channel width (W), channel length (L), or W / L value), overlap capacitance between gate electrode and drain electrode (hereinafter referred to as Cgd value), or The overlap capacitance with the source electrode (hereinafter, referred to as Cgs value) and the Cst value are changed to optimal values for each area after dividing the display screen into a plurality of areas.
【0008】また、従来は一定値としていた写真製版時
のマスクのパターン寸法を、同時に表示画面を複数の領
域に分割したうえで、領域ごとに最適値に変更する。Further, the pattern size of the mask at the time of photolithography, which was conventionally set to a constant value, is changed to an optimum value for each region after the display screen is divided into a plurality of regions at the same time.
【0009】[0009]
【発明の実施の形態】つぎに図面を参照しながら本発明
のLCDの一実施の形態を説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, an embodiment of the LCD according to the present invention will be described with reference to the drawings.
【0010】実施の形態1.図1は本発明の液晶表示装
置に用いられる表示用基板の実施の形態1の説明図であ
る。図1において、図4と同一の部分には同一の符号を
付している。本発明において、画素とは画素電極、ゲー
ト電極(ゲート電極線を含む)およびソース電極(ソー
ス電極線を含む)のことをいう。Embodiment 1 FIG. 1 is an explanatory diagram of Embodiment 1 of a display substrate used for a liquid crystal display device of the present invention. In FIG. 1, the same portions as those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals. In the present invention, a pixel means a pixel electrode, a gate electrode (including a gate electrode line), and a source electrode (including a source electrode line).
【0011】LCDの表面内の表示特性を均一化するた
めには、液晶材料の駆動にかかわる画素充電特性(画素
電極に電気信号を入力する際の画素の電位の特性)、フ
ィールドスルー電圧特性(Cgdにより発生するつきぬけ
電圧の特性)、または画素電圧保持特性(入力された電
気信号を保持することに関する特性)などに対するTF
Tアレイの設計パラメータを表示画面内で均一にする必
要がある。In order to equalize the display characteristics on the surface of the LCD, pixel charging characteristics (characteristics of pixel potential when an electric signal is input to a pixel electrode) related to driving of a liquid crystal material, field-through voltage characteristics ( TF for pixel voltage holding characteristics (characteristics of holding an input electric signal) or the like for pixel voltage holding characteristics (characteristics of breakthrough voltage generated by Cgd)
It is necessary to make the design parameters of the T array uniform within the display screen.
【0012】本発明ではとくに、写真製版のマスクを用
いて、TFTなどの寸法をLCDの各表示部で最適化す
ることにより、膜厚分布むらなどのTFTの縦構造、つ
まり、TFTの厚さ方向の構造の寸法変動による表示ム
ラを均一化しようとするものである。写真製版のマスク
を用いて変更することができるTFTの設計パラメータ
の代表的な例として、TFTをオンにする際に流れる電
流Ionに関与するTFTのW/L値、Cgd値(Cgs値)
および蓄積容量のCst値があげられる。In the present invention, in particular, by optimizing the dimensions of the TFT and the like in each display portion of the LCD using a photolithography mask, the vertical structure of the TFT such as uneven film thickness distribution, ie, the thickness of the TFT It is intended to make the display unevenness due to the dimensional fluctuation of the structure in the direction uniform. Representative examples of TFT design parameters that can be changed using a photolithography mask include a W / L value and a Cgd value (Cgs value) of the TFT that are related to a current Ion flowing when the TFT is turned on.
And the Cst value of the storage capacity.
【0013】前記設計パラメータについて、予めガラス
基板1上に形成されたデポ膜厚の分布を測定しておく。
実施の形態1においては、たとえばゲート絶縁膜の膜厚
をデポ膜厚とする。図1には前記デポ膜厚の等高線A、
B、Cが点線で示されており、AからCの順に膜厚が薄
くなっている。With respect to the design parameters, the distribution of the deposited film thickness formed on the glass substrate 1 is measured in advance.
In the first embodiment, for example, the thickness of the gate insulating film is set to a deposition thickness. FIG. 1 shows the contour line A of the deposit thickness.
B and C are indicated by dotted lines, and the film thickness is reduced in the order of A to C.
【0014】デポ膜厚が測定されたのちに、LCDの表
示特性についてシミュレーションを行うか、または予め
TFTの寸法などをふった、すなわち変化させて形成し
た複数のテストLCDセルを用いて各パラメータを割り
当て、表示特性を測定する実験を行う。その結果によ
り、表示画面内の各領域で膜厚分布を補正するための各
設計パラメータ(TFTのW/L値、Cgd値、およびC
st値)の最適値を設計する(設定しなおす)。さらに前
記最適値に対応しうるようにTFTの寸法を定めなおし
たマスクにより写真製版を行い、薄膜が所望の大きさ
(寸法)に形成された表示用基板を作製する。After the thickness of the deposited film is measured, a simulation is performed on the display characteristics of the LCD, or each parameter is measured using a plurality of test LCD cells formed by changing the dimensions of the TFT in advance, that is, changing the parameters. Perform an experiment to measure assignment and display characteristics. Based on the result, the design parameters (W / L value, Cgd value, and Cg value of TFT) for correcting the film thickness distribution in each region in the display screen are obtained.
Design (reset) the optimal value of (st value). Further, photolithography is performed using a mask in which the dimensions of the TFT are determined so as to correspond to the above-mentioned optimum value, and a display substrate in which a thin film is formed in a desired size (dimension) is manufactured.
【0015】実施の形態1においては、各層の写真製版
をそれぞれ1枚のマスクで実施するミラープロジェクシ
ョン方式の露光機で用いられるマスクが、表示画面内で
のマスクの設計値をより変更しやすく用いられやすい。
一方、膜厚分布によって、たとえば画面の2隅のみに補
正が必要なばあい、その部分のショット領域、すなわ
ち、一画面に対する露光を複数回分割して行うばあいに
おいて、1回で露光される領域を露光のパターン原板で
あるレチクルに専用のパターンを追加して設けることに
より、ステップ式投影露光装置(以下、ステッパとい
う)での写真製版による補正を行なうことも可能であ
る。In the first embodiment, a mask used in a mirror projection type exposure apparatus in which photolithography of each layer is performed with one mask is used because the design value of the mask in the display screen can be changed more easily. Easy to be.
On the other hand, if correction is required only at two corners of the screen, for example, depending on the film thickness distribution, exposure is performed only once in a shot area of that part, that is, when exposure for one screen is divided a plurality of times. By providing an area in addition to a dedicated pattern on a reticle which is a pattern original plate for exposure, it is possible to perform correction by photolithography using a step-type projection exposure apparatus (hereinafter, referred to as a stepper).
【0016】実施の形態1においては、SiN膜からな
るゲート絶縁膜の膜厚をデポ膜厚としたが、たとえばク
ロム(Cr)の膜などからなるゲート電極またはアルミ
ニウム(Al)の膜などからなるソース電極のように、
TFTを構成する薄膜であればよく、その際にはそれら
の薄膜を堆積したときのデポ膜厚の膜厚分布にもとづい
て表示画面を複数の表示領域に分割する。かかる膜厚分
布にもとづいて表示画面を分割する方法を具体的な数値
を用いてつぎに説明する。In the first embodiment, the thickness of the gate insulating film made of a SiN film is made to be a deposition film thickness. However, for example, a gate electrode made of a chromium (Cr) film or an aluminum (Al) film is used. Like the source electrode,
Any thin film constituting the TFT may be used. In this case, the display screen is divided into a plurality of display areas based on the film thickness distribution of the deposited film when these thin films are deposited. A method of dividing the display screen based on the film thickness distribution will be described below using specific numerical values.
【0017】図1に示すように、プラズマCVD装置、
スパッタ装置のような薄膜堆積装置のそれぞれで膜厚分
布の等高線は異なるものの、中央部のデポ膜厚が大き
く、周辺部のデポ膜厚が小さいばあいがある。実施の形
態1において、ゲート絶縁膜のデポ膜厚分布の等高線は
長円形を示していた。As shown in FIG. 1, a plasma CVD apparatus,
Although the contour lines of the film thickness distribution are different in each of the thin film deposition apparatuses such as the sputtering apparatus, there is a case where the deposited film thickness in the central portion is large and the deposited film thickness in the peripheral portion is small. In the first embodiment, the contour line of the deposition thickness distribution of the gate insulating film has shown an oval shape.
【0018】まず、たとえば測定された等高線の値とし
て図1に示した等高線A、BおよびCのうちいずれかの
等高線を利用して表示画面を2つの表示領域に分割す
る。表示領域の一方は前記いずれかの等高線の内側の領
域であり、当該領域を標準設計値を用いる領域Xとし、
表示領域の他方は前記いずれかの等高線の外側で、か
つ、abcdで囲まれた領域の内側の領域であり、補正
を必要とする領域Yとした。First, the display screen is divided into two display areas by using any one of the contour lines A, B, and C shown in FIG. 1 as a measured contour value. One of the display regions is a region inside any of the contour lines, and the region is a region X using a standard design value,
The other of the display areas is an area outside any one of the contour lines and inside an area surrounded by abcd, and is an area Y requiring correction.
【0019】実施の形態1においては表示画面を2つの
表示領域に分割したが、表示画面の分割は2つでなくと
も、3つ以上であってもよい。表示領域が3つ以上であ
っても、表示領域ごとに設計パラメータを変え、少なく
とも1つの領域で設計パラメータを補正することによっ
て、画面表示特性を均一にすることができる。In the first embodiment, the display screen is divided into two display areas, but the display screen may be divided into three or more than two. Even if there are three or more display areas, the screen display characteristics can be made uniform by changing the design parameters for each display area and correcting the design parameters in at least one area.
【0020】このように等高線によって設計パラメータ
を補正する方法は、第1の実施の形態の薄膜の形成の際
の膜厚分布に用いられるほか、エッチング時のエッチン
グ特性面内分布(半導体層のエッチング掘りこみ量の面
内分布など)によるTFT特性の面内分布にも適用され
うる。The method of correcting the design parameters by the contour lines as described above is used not only for the film thickness distribution at the time of forming the thin film according to the first embodiment, but also for the in-plane distribution of the etching characteristics at the time of etching (etching of the semiconductor layer). It can also be applied to the in-plane distribution of the TFT characteristics due to the in-plane distribution of the digging amount.
【0021】実施の形態1によれば、従来から用いられ
ている薄膜堆積装置をそのまま用いて、露光装置に用い
るマスクの設計寸法のみを変えればよいので、従来の製
造装置に対して大きな投資を必要とせずに表示むらの発
生しない液晶表示装置を提供することができる。According to the first embodiment, since only the design dimensions of the mask used in the exposure apparatus need to be changed using the conventional thin film deposition apparatus as it is, a large investment is made in the conventional manufacturing apparatus. It is possible to provide a liquid crystal display device that does not require display irregularities.
【0022】実施の形態2.本発明にかかわる実施の形
態2について図2を用いて説明する。図2は、本発明の
液晶表示装置に用いられる表示用基板の実施の形態2の
説明図である。図2において、図4と同一の部分には同
一の符号を付しており、4はゲート端子である。Embodiment 2 FIG. A second embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2 is an explanatory diagram of Embodiment 2 of a display substrate used in the liquid crystal display device of the present invention. 2, the same parts as those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and 4 is a gate terminal.
【0023】LCDの低消費電力化、高画質化が進むな
かで、TFTアレイの高開口率化のため、各電極線寸法
のうち、電極線幅を細くする、いわゆる細線化が必要に
なる。しかし、ゲート電極線を細くすると、電極線が高
抵抗化するため、ゲートの終端部(図2におけるゲート
端子4)では信号の遅延が発生する。したがって、画面
の輝度傾斜がQ部に発生する。実施の形態2は、このよ
うなゲート電極線の細線化による画面の輝度傾斜の発生
を防ぐため、前記複数の表示領域が輝度傾斜の発生する
領域と発生しない領域からなるように表示画面を分割す
るものである。With the progress of lower power consumption and higher image quality of LCDs, it is necessary to reduce the electrode line width among the electrode line dimensions, that is, to reduce the electrode line width in order to increase the aperture ratio of the TFT array. However, when the gate electrode line is made thinner, the resistance of the electrode line becomes higher, so that a signal delay occurs at the terminal portion of the gate (gate terminal 4 in FIG. 2). Therefore, a luminance gradient of the screen occurs in the Q portion. In the second embodiment, the display screen is divided so that the plurality of display regions include a region where the luminance gradient occurs and a region where the luminance gradient does not occur, in order to prevent the luminance gradient from occurring due to the thinning of the gate electrode lines. Is what you do.
【0024】かかる輝度傾斜にもとづいて表示画面を分
割する方法をつぎに説明する。Next, a method of dividing the display screen based on the luminance gradient will be described.
【0025】ゲート電極線が細線化されることにより、
表示画面の端部(右端または左端。図2においては領域
Q)において、表示輝度が低下する傾向がある。実施の
形態2においては、表示領域が輝度傾斜の発生する領域
(領域Q)と輝度傾斜の発生しない領域(領域P)とに
なるよう表示画面を分割する。By making the gate electrode line thinner,
At the end (right end or left end; region Q in FIG. 2) of the display screen, the display luminance tends to decrease. In the second embodiment, the display screen is divided so that the display area is divided into a region where the luminance gradient occurs (region Q) and a region where the luminance gradient does not occur (region P).
【0026】予めLCD表示シミュレータまたは設計パ
ラメータを割り当てたテストLCDセルでの光学特性評
価実験の結果をもとに、図2の領域Qにおける設計パラ
メータであるTFTのW/L値、Cgd値およびCst値な
どを、領域Pとは別に再度設定する。Based on the results of an optical characteristic evaluation experiment using an LCD display simulator or a test LCD cell to which design parameters have been assigned in advance, the W / L value, Cgd value, and Cst value of the TFT, which are the design parameters in the region Q in FIG. Values and the like are set again separately from the area P.
【0027】その結果、画面表示特性(画素充電特性、
フィールドスルー特性、画素保持特性など)が均一にな
るように、領域Pの画面内のTFTの寸法(W/L値)
およびCst値が所望の値になるように分布変化させたマ
スクを用いて写真製版を実施することにより、LCDの
高画質化を図ることができる。すなわち、前述のよう
に、入力端側のTFTではW/L値を小さくすることな
どにより充電特性を抑えておき、終端側の充電特性と同
等にすることにより、表示上均一な画像をうることがで
きる。As a result, the screen display characteristics (pixel charging characteristics,
The dimensions (W / L values) of the TFTs in the screen in the region P so that the field-through characteristics and the pixel holding characteristics are uniform.
By performing photolithography using a mask whose distribution is changed so that the Cst value becomes a desired value, it is possible to improve the image quality of the LCD. That is, as described above, in the TFT on the input end side, the charging characteristic is suppressed by reducing the W / L value and the like, and by making it equal to the charging characteristic on the terminal end side, a uniform image on display can be obtained. Can be.
【0028】実施の形態2においては、表示画面を2つ
の表示領域に分割したが、表示画面を3つ以上の表示領
域に分割し、各表示領域ごとに設計パラメータを変え、
少なくとも1つの領域で設計パラメータを補正すること
によって、画面表示特性を均一にすることができる。In the second embodiment, the display screen is divided into two display areas. However, the display screen is divided into three or more display areas, and design parameters are changed for each display area.
The screen display characteristics can be made uniform by correcting the design parameters in at least one region.
【0029】第2の実施の形態によれば、従来から用い
られている薄膜堆積装置をそのまま用いて、露光装置に
用いるマスクの設計寸法のみを変えればよいので、従来
の製造装置に対して大きな投資を必要とせずに表示むら
の発生しない液晶表示装置を提供することができる。According to the second embodiment, only the design dimensions of the mask used for the exposure apparatus need to be changed using the thin film deposition apparatus conventionally used as it is, which is larger than the conventional manufacturing apparatus. It is possible to provide a liquid crystal display device in which display unevenness does not occur without requiring investment.
【0030】実施の形態3.本発明の実施の形態3につ
いて、図3を用いて説明する。図3は、本発明の液晶表
示装置に用いられる表示用基板の実施の形態3の説明図
である。図3において、図4と同一の部分には同一の符
号を付しており、Eは解像度が保証される領域の境界線
を示しており、Fは露光可能な領域の境界線を示す。Embodiment 3 Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 3 is an explanatory diagram of Embodiment 3 of a display substrate used in the liquid crystal display device of the present invention. In FIG. 3, the same parts as those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, E indicates a boundary line of an area where the resolution is guaranteed, and F indicates a boundary line of an area that can be exposed.
【0031】本実施の形態3においては高精細プロジェ
クション用LCDを作製するためにステッパを用いるば
あいに生じる、解像度が保証される領域(境界線Dの内
側の領域、以下領域Rという)と、解像度が保証されな
い領域(境界線Dの外側で、かつ境界線Eの内側の領
域、以下、領域Sという)を表示領域として表示画面を
分割する方法を説明する。In the third embodiment, a region where the resolution is ensured when a stepper is used to produce a high-definition projection LCD (a region inside the boundary line D, hereinafter referred to as a region R). A method of dividing the display screen using a region where the resolution is not guaranteed (a region outside the boundary line D and inside the boundary line E, hereinafter, referred to as a region S) will be described.
【0032】すなわち、高精細プロジェクション用LC
Dにおいては、プロジェクタ本体の小型化や表示の高精
細化のために、画素の高密度化、表示画素数の増加が必
要となる。画素領域をステッパの1ショットで露光する
製法において、ステッパの解像度が保証される限界であ
る境界線Dの内側か、または境界線Dの外側である領域
Sまで一部はみ出して設計せざるをえないばあいや、ス
テッパのレンズの解像限界ぎりぎりで露光しなければな
らない設計のばあい、かかる保証領域の内外での露光後
のレジスト寸法のばらつきが問題となる。That is, LC for high definition projection
In D, it is necessary to increase the density of pixels and increase the number of display pixels in order to reduce the size of the projector body and increase the definition of display. In a manufacturing method in which a pixel area is exposed with one shot of a stepper, the pixel area must be designed so as to partially protrude from a boundary line D, which is a limit at which the resolution of the stepper is guaranteed, or a region S, which is outside the boundary line D. In other cases, or in the case of a design that requires exposure to the limit of the resolution of the stepper lens, variations in the resist dimensions after exposure inside and outside the guaranteed area become a problem.
【0033】たとえば、前述の解像度が保証される領域
を超えてパターン設計したばあい、はみ出した部分の解
像度が下がり、パターン線幅が内部より若干太くなる
か、または、コンタクトホールの抜きのパターン(抜き
のパターンとは、穴あけ、すなわち薄膜の所望の位置に
貫通孔を形成するパターンである)が小さくなるという
現象が生じる。このとき、レチクル上でそれを見越して
パターン線幅を細めるかまたは抜きパターンでは大きめ
に設計しておけば、露光・現像ののちのレジストパター
ンはLCD表示領域内で均一にすることができる。この
設計のためにはたとえばステッパのテストレチクルを用
いて解像保証領域外部でのレジスト寸法の変動や解像状
態のデータを蓄積しておき、製品用レチクルの作成にフ
ィードバックすればよい。For example, when a pattern is designed beyond the above-mentioned area where the resolution is guaranteed, the resolution of the protruding portion is reduced, and the pattern line width becomes slightly larger than the inside, or the pattern of the contact hole is removed. A punched pattern is a pattern in which a hole is formed, that is, a pattern in which a through hole is formed at a desired position in a thin film. At this time, the resist pattern after exposure and development can be made uniform within the LCD display area by narrowing the pattern line width in anticipation of the pattern on the reticle or designing the pattern pattern to be relatively large. For this design, for example, using a test reticle of a stepper, data of fluctuations in resist dimensions and resolution state outside the resolution assurance area may be accumulated and fed back to the production of a product reticle.
【0034】なお、高精細プロジェクション用小型LC
Dにおいても、高精細化設計のためゲート遅延による輝
度むらが発生するばあい、実施の形態2の大型LCDの
ばあいと同様にレチクルパターンに面内分布をもたせて
表示を均一化することができる。設計値の補正は実施の
形態2と同様にして行う。A small LC for high-definition projection
In the case of D as well, when luminance unevenness occurs due to gate delay due to the high definition design, it is possible to make the reticle pattern have an in-plane distribution and uniform display as in the case of the large LCD of the second embodiment. it can. The correction of the design value is performed in the same manner as in the second embodiment.
【0035】設計値を補正したのちに、領域Sの画面内
のTFTの寸法(W/L値)、Cgd値およびCst値
などが所望の値になるように分布変化させたマスクを用
いて写真製版を実施することにより、画面表示特性(画
素充電特性、フィールドスルー特性、画素保持特性な
ど)が均一になり、したがってLCDの高画質化を図る
ことができる。すなわち、前述のように、入力端側のT
FTではW/L値を小さくすることなどにより充電特性
を抑えておき、終端側の充電特性と同等にすることによ
り、表示上均一な画像をうることができる。After correcting the design values, a photograph is taken using a mask whose distribution is changed so that the dimensions (W / L values), Cgd values, Cst values, etc. of the TFTs in the screen in the region S become desired values. By performing the plate making, the screen display characteristics (pixel charging characteristics, field-through characteristics, pixel holding characteristics, etc.) become uniform, and thus the image quality of the LCD can be improved. That is, as described above, the input end T
In the FT, a charging characteristic is suppressed by reducing the W / L value or the like, and a uniform image on display can be obtained by making the charging characteristic equal to the charging characteristic on the terminal side.
【0036】実施の形態3によれば、従来から用いられ
ている薄膜堆積装置をそのまま用いて、露光装置に用い
るマスクの設計寸法のみを変えればよいので、従来の製
造装置に対して大きな投資を必要とせずに表示むらの発
生しない液晶表示装置を提供することができる。According to the third embodiment, since only the design dimensions of the mask used in the exposure apparatus need to be changed using the conventional thin film deposition apparatus as it is, a large investment is made in the conventional manufacturing apparatus. It is possible to provide a liquid crystal display device that does not require display irregularities.
【0037】[0037]
【発明の効果】本発明にかかわる液晶表示装置によれ
ば、表示用基板を端部までフルに使用することが可能に
なり、TFTの電気特性が画面中央と画面端部とで異な
ることがなく、したがってLCDの表示むらを生ずるこ
とがなくなる。According to the liquid crystal display device according to the present invention, the display substrate can be fully used up to the end, and the electrical characteristics of the TFT are not different between the center of the screen and the end of the screen. Therefore, display unevenness of the LCD does not occur.
【0038】本発明において表示画面を分割する分割形
態は、表示特性の均一化に大きな要因となる画素充電特
性、フィールドスルー電圧特性および画素電圧保持特性
を一定にするものであり、したがってLCDを高画質化
できる。In the present invention, the division of the display screen is such that the pixel charging characteristics, the field-through voltage characteristics and the pixel voltage holding characteristics, which are the major factors in making the display characteristics uniform, are kept constant. Image quality can be improved.
【0039】また、このようなLCDを従来の製造装置
を用いて追加の投資を必要とすることなく作製しうる。Also, such LCDs can be manufactured using conventional manufacturing equipment without requiring additional investment.
【図1】本発明の実施の形態1にかかわる表示用基板を
示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a display substrate according to a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の実施の形態2にかかわる表示用基板を
示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a display substrate according to a second embodiment of the present invention.
【図3】本発明の実施の形態3にかかわる表示用基板を
示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a display substrate according to Embodiment 3 of the present invention.
【図4】従来の表示用基板を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a conventional display substrate.
1 ガラス基板 4 ゲート端子 1 glass substrate 4 gate terminal
Claims (12)
れ駆動する複数の薄膜トランジスタを含んでおり、写真
製版法により、ステッパとパターンを有するマスクとを
用いて薄膜を堆積して作製されてなる表示画面を有する
液晶表示装置であって、前記表示画面を複数の表示領域
に分割し、当該複数の表示領域ごとに前記マスクのパタ
ーンの寸法を変えて表示画面が均一の特性を示すように
形成されてなることを特徴とする液晶表示装置。1. A display comprising a plurality of pixels and a plurality of thin film transistors each of which drives the plurality of pixels, and formed by depositing a thin film by a photoengraving method using a stepper and a mask having a pattern. A liquid crystal display device having a screen, wherein the display screen is divided into a plurality of display areas, and the size of the pattern of the mask is changed for each of the plurality of display areas so that the display screen has uniform characteristics. A liquid crystal display device comprising:
際の膜厚分布の等高線を用いて分割される領域である請
求項1記載の液晶表示装置。2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the plurality of display areas are divided using contour lines of a film thickness distribution when a thin film is deposited.
の輝度傾斜を発生する領域と、少なくとも1つの輝度傾
斜を発生しない領域とからなる請求項1記載の液晶表示
装置。3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the plurality of display regions include at least one region having a luminance gradient and at least one region having no luminance gradient.
に用いられる前記ステッパの解像度が保証される少なく
とも1つの領域と、前記ステッパの解像度が保証されな
い少なくとも1つの領域とからなる請求項1記載の液晶
表示装置。4. The plurality of display areas include at least one area where the resolution of the stepper used in the photoengraving method is guaranteed, and at least one area where the resolution of the stepper is not guaranteed. The liquid crystal display device as described in the above.
れ駆動する複数の薄膜トランジスタを含んでおり、写真
製版法によってステッパとパターンを有するマスクとを
用いて薄膜を堆積して作製されてなる表示画面を有する
液晶表示装置であって、前記表示画面を複数の表示領域
に分割し、当該複数の表示領域ごとに前記複数の薄膜ト
ランジスタの寸法を変えて表示画面が均一の特性を示す
ように形成されてなることを特徴とする液晶表示装置。5. A display screen including a plurality of pixels and a plurality of thin film transistors each of which drives the plurality of pixels, and formed by depositing a thin film by a photoengraving method using a stepper and a mask having a pattern. Wherein the display screen is divided into a plurality of display areas, and the display screen is formed so as to exhibit uniform characteristics by changing the dimensions of the plurality of thin film transistors for each of the plurality of display areas. A liquid crystal display device comprising:
際の膜厚分布の等高線を用いて分割される領域である請
求項5記載の液晶表示装置。6. The liquid crystal display device according to claim 5, wherein the plurality of display areas are divided using contour lines of a film thickness distribution when a thin film is deposited.
の輝度傾斜を発生する領域と、少なくとも1つの輝度傾
斜を発生しない領域とからなる請求項5記載の液晶表示
装置。7. The liquid crystal display device according to claim 5, wherein the plurality of display regions include at least one region where a luminance gradient is generated and at least one region where a luminance gradient is not generated.
に用いられる前記ステッパの解像度が保証される少なく
とも1つの領域と、前記ステッパの解像度が保証されな
い少なくとも1つの領域とからなる請求項5記載の液晶
表示装置。8. The plurality of display areas include at least one area where the resolution of the stepper used in the photoengraving method is guaranteed, and at least one area where the resolution of the stepper is not guaranteed. The liquid crystal display device as described in the above.
れ駆動する薄膜トランジスタを含む液晶表示装置の製法
であって、写真製版法を用いてマスクのパターンを形成
する工程と、前記表示画面を複数の表示領域に分割し
て、該表示領域ごとにマスクのパターンを変えて表示画
面が均一の特性を示すように形成することを特徴とする
液晶表示装置の製法。9. A method for manufacturing a liquid crystal display device including a plurality of pixels and a thin film transistor for driving each of the plurality of pixels, wherein a step of forming a pattern of a mask using a photoengraving method includes the steps of: A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising dividing a display area into display areas and changing a mask pattern for each display area so that a display screen shows uniform characteristics.
る際の膜厚分布の等高線を用いて分割される領域である
請求項9記載の液晶表示装置の製法。10. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 9, wherein the plurality of display regions are regions divided using contour lines of a film thickness distribution when depositing a thin film.
つの輝度傾斜を発生する領域と、少なくとも1つの輝度
傾斜を発生しない領域とからなる請求項9記載の液晶表
示装置の製法。11. The method according to claim 11, wherein the plurality of display areas are at least one.
10. The method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 9, comprising a region where one luminance gradient is generated and at least one region where no luminance gradient is generated.
法に用いられる前記ステッパの解像度が保証される少な
くとも1つの領域と、前記ステッパの解像度が保証され
ない少なくとも1つの領域とからなる請求項9記載の液
晶表示装置の製法。12. The display area according to claim 9, wherein the plurality of display areas include at least one area where the resolution of the stepper used in the photoengraving method is guaranteed, and at least one area where the resolution of the stepper is not guaranteed. Manufacturing method of the liquid crystal display device described in the above.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19636296A JPH1039330A (en) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | Liquid crystal display device and its production |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1039330A true JPH1039330A (en) | 1998-02-13 |
Family
ID=16356592
Family Applications (1)
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JP19636296A Pending JPH1039330A (en) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | Liquid crystal display device and its production |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPH1039330A (en) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006293343A (en) * | 2005-03-17 | 2006-10-26 | Hitachi Displays Ltd | Liquid crystal display device and display device |
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1996
- 1996-07-25 JP JP19636296A patent/JPH1039330A/en active Pending
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