JPH10290103A - 誘電体積層フィルタ - Google Patents
誘電体積層フィルタInfo
- Publication number
- JPH10290103A JPH10290103A JP9993397A JP9993397A JPH10290103A JP H10290103 A JPH10290103 A JP H10290103A JP 9993397 A JP9993397 A JP 9993397A JP 9993397 A JP9993397 A JP 9993397A JP H10290103 A JPH10290103 A JP H10290103A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filter
- notch
- transmission line
- stripline
- resonator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ストリップライン共振器を用いた誘電体積層
フィルタにおいて、通過帯域外の減衰特性が従来のフィ
ルタは良くない。 【解決手段】 セラミックシート10a上に形成された
ストリップライン共振器電極11a,11bによってバ
ンドパスフィルタを形成し、さらにノッチ用ストリップ
ライン共振器電極11cによりノッチフィルタを形成す
る。ノッチフィルタの減衰極の周波数を調節することに
よって簡単な構造で減衰極を形成でき、フィルタの通過
帯域外の減衰特性を改善する。
フィルタにおいて、通過帯域外の減衰特性が従来のフィ
ルタは良くない。 【解決手段】 セラミックシート10a上に形成された
ストリップライン共振器電極11a,11bによってバ
ンドパスフィルタを形成し、さらにノッチ用ストリップ
ライン共振器電極11cによりノッチフィルタを形成す
る。ノッチフィルタの減衰極の周波数を調節することに
よって簡単な構造で減衰極を形成でき、フィルタの通過
帯域外の減衰特性を改善する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として携帯電話
機などの高周波無線機器に用いる誘電体積層フィルタに
関するものである。
機などの高周波無線機器に用いる誘電体積層フィルタに
関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、誘電体フィルタは携帯電話機など
の無線機器に多数使用され、一層の小型化、高性能化が
要望されている。以下に図面を参照しながら上記した従
来の誘電体フィルタの一例について説明する。
の無線機器に多数使用され、一層の小型化、高性能化が
要望されている。以下に図面を参照しながら上記した従
来の誘電体フィルタの一例について説明する。
【0003】図13は従来の積層型の誘電体フィルタの
分解斜視図を示す。図13においてセラミックシート2
0a上にはストリップライン共振器電極21a,21b
が形成され、セラミックシート20b上には容量電極2
2a,22b,22c、ローディング容量電極22dが
形成されている。
分解斜視図を示す。図13においてセラミックシート2
0a上にはストリップライン共振器電極21a,21b
が形成され、セラミックシート20b上には容量電極2
2a,22b,22c、ローディング容量電極22dが
形成されている。
【0004】ストリップライン共振器電極21a,21
bは一端で共通接地電極26を通じて接地されている。
第1のストリップライン共振器電極21aは、特性イン
ピーダンスが高い第1の伝送線路部27aと、一端が開
放され特性インピーダンスが低い第2の伝送線路部28
aとの縦続接続で構成され、同じく第2のストリップラ
イン共振器電極21bは、特性インピーダンスが高い第
1の伝送線路部27bと、一端が開放され特性インピー
ダンスが低い第2の伝送線路部28bとの縦続接続で構
成されている。このような構成により全線路長が4分の
1波長より短いSIR(Stepped impedance Resonator)
構造となっている。
bは一端で共通接地電極26を通じて接地されている。
第1のストリップライン共振器電極21aは、特性イン
ピーダンスが高い第1の伝送線路部27aと、一端が開
放され特性インピーダンスが低い第2の伝送線路部28
aとの縦続接続で構成され、同じく第2のストリップラ
イン共振器電極21bは、特性インピーダンスが高い第
1の伝送線路部27bと、一端が開放され特性インピー
ダンスが低い第2の伝送線路部28bとの縦続接続で構
成されている。このような構成により全線路長が4分の
1波長より短いSIR(Stepped impedance Resonator)
構造となっている。
【0005】第1の伝送線路27a,27bどうし、お
よび第2の伝送線路28a,28bどうしはそれぞれ互
いに電磁界結合している。また第2の伝送線路28a,
28bは容量電極22bを介して容量結合している。第
1の伝送線路27a,27bの短絡端側は共通接地電極
26を介して接地されている。
よび第2の伝送線路28a,28bどうしはそれぞれ互
いに電磁界結合している。また第2の伝送線路28a,
28bは容量電極22bを介して容量結合している。第
1の伝送線路27a,27bの短絡端側は共通接地電極
26を介して接地されている。
【0006】ストリップライン共振器電極21aは、そ
の開放端の伝送線路28aで容量電極22aと容量結合
し、容量電極22aは入出力端子24aと接続されてい
る。ストリップライン共振器電極21bは、その開放端
の伝送線路28bで容量電極22cと容量結合し、容量
電極22cは入出力端子24bと接続されている。スト
リップライン共振器電極21a,21bは第2の伝送線
路部28a,28bとローディング容量電極22dとの
間に容量を形成している。
の開放端の伝送線路28aで容量電極22aと容量結合
し、容量電極22aは入出力端子24aと接続されてい
る。ストリップライン共振器電極21bは、その開放端
の伝送線路28bで容量電極22cと容量結合し、容量
電極22cは入出力端子24bと接続されている。スト
リップライン共振器電極21a,21bは第2の伝送線
路部28a,28bとローディング容量電極22dとの
間に容量を形成している。
【0007】誘電体シート20c,20d上にはそれぞ
れシールド電極23a,23bが形成されている。各シ
ールド電極23a,23b、およびローディング容量電
極22d,共通接地電極26は、側面電極で形成された
接地端子25a,25bにより接地される。電極保護の
ためのセラミックシート20eと各電極を形成したセラ
ミックシート20c,20a,20b,20dとを図の
順に重ねて全体を積層化して一体焼成する。
れシールド電極23a,23bが形成されている。各シ
ールド電極23a,23b、およびローディング容量電
極22d,共通接地電極26は、側面電極で形成された
接地端子25a,25bにより接地される。電極保護の
ためのセラミックシート20eと各電極を形成したセラ
ミックシート20c,20a,20b,20dとを図の
順に重ねて全体を積層化して一体焼成する。
【0008】図14にこのように構成した従来の誘電体
積層フィルタの等価回路図を示す。図14において、入
力端子INは、入出力容量Coを介して、第1のストリ
ップライン共振器L1の特性インピーダンスの低い開放
端に接続され、かつローディング容量CLで接地される
とともに、段間結合容量Ccで第2のストリップライン
共振器L2の開放端に接続されている。この接続点もロ
ーディング容量CLで接地されるとともに入出力容量C
oを介して出力端子OUTに接続されている。第1、第
2のストリップライン共振器L1,L2の特性インピー
ダンスの高い他端は接地されている。
積層フィルタの等価回路図を示す。図14において、入
力端子INは、入出力容量Coを介して、第1のストリ
ップライン共振器L1の特性インピーダンスの低い開放
端に接続され、かつローディング容量CLで接地される
とともに、段間結合容量Ccで第2のストリップライン
共振器L2の開放端に接続されている。この接続点もロ
ーディング容量CLで接地されるとともに入出力容量C
oを介して出力端子OUTに接続されている。第1、第
2のストリップライン共振器L1,L2の特性インピー
ダンスの高い他端は接地されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の誘電体積層フィルタにおいては、図15の通
過特性図に示すように、有極による減衰極によってわず
かしか減衰が得られない。一方、フィルタには他の通信
システムからの干渉や、通信システムの送受間隔の狭帯
域化などによってさらに通過帯域外の減衰量を高めるこ
とが要求されている。
うな従来の誘電体積層フィルタにおいては、図15の通
過特性図に示すように、有極による減衰極によってわず
かしか減衰が得られない。一方、フィルタには他の通信
システムからの干渉や、通信システムの送受間隔の狭帯
域化などによってさらに通過帯域外の減衰量を高めるこ
とが要求されている。
【0010】そこで、本発明は、上記のような要求に応
えて、さらなる減衰量を追求した誘電体積層フィルタを
提供することを目的としてなされたものである。
えて、さらなる減衰量を追求した誘電体積層フィルタを
提供することを目的としてなされたものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の誘電体積層フィルタは、請求項1において誘
電体積層フィルタ内にバンドパスフィルタとノッチフィ
ルタを設け、フィルタの通過帯域外の減衰特性を良くす
るように作用する。さらに請求項2において、バンドパ
スフィルタを形成する一端が接地された第1の伝送線路
部と一端が開放され第1の伝送線路部より特性インピー
ダンスが低い第2の伝送線路部との縦続接続で構成され
隣接する第2の伝送線路間を容量で結合した2組以上の
ストリップライン共振器と、ノッチフィルタを形成する
一端が接地された第1の伝送線路部と一端が開放され第
1の伝送線路より特性インピーダンスが低い第2の伝送
線路部との縦続接続で構成され、第2の伝送線路と隣接
するバンドパスフィルタ用ストリップライン共振器の1
組の第2の伝送線路とが容量で結合した1組のノッチ用
ストリップライン共振器とを備えた構成となっている。
に本発明の誘電体積層フィルタは、請求項1において誘
電体積層フィルタ内にバンドパスフィルタとノッチフィ
ルタを設け、フィルタの通過帯域外の減衰特性を良くす
るように作用する。さらに請求項2において、バンドパ
スフィルタを形成する一端が接地された第1の伝送線路
部と一端が開放され第1の伝送線路部より特性インピー
ダンスが低い第2の伝送線路部との縦続接続で構成され
隣接する第2の伝送線路間を容量で結合した2組以上の
ストリップライン共振器と、ノッチフィルタを形成する
一端が接地された第1の伝送線路部と一端が開放され第
1の伝送線路より特性インピーダンスが低い第2の伝送
線路部との縦続接続で構成され、第2の伝送線路と隣接
するバンドパスフィルタ用ストリップライン共振器の1
組の第2の伝送線路とが容量で結合した1組のノッチ用
ストリップライン共振器とを備えた構成となっている。
【0012】この構成において、2組以上のストリップ
ライン共振器の第1の伝送線路どうしおよび第2の伝送
線路どうしをそれぞれ互いに電磁界結合させるととも
に、第2の伝送線路間を容量電極によって形成される容
量結合を用いバンドパスフィルタを構成している。さら
にバンドパスフィルタを構成している前記2組以上のス
トリップライン共振器に隣接するノッチ用ストリップラ
イン共振器による減衰極をバンドパスフィルタの通過帯
域の近傍に生じるように構成することによりフィルタの
通過帯域外の減衰特性を良くするように作用する。また
本発明の誘電体積層フィルタは請求項3において、ノッ
チフィルタによる減衰極を通過帯域近傍に設けることに
よりフィルタの減衰特性を良くしている。また本発明の
誘電体積層フィルタは請求項4において、ストリップラ
イン共振器の任意のいずれかまたは全部の第2の伝送線
路部を容量で接地し共振器長の短縮をはかっている。ま
た本発明の誘電体積層フィルタは請求項5において、ノ
ッチ用ストリップライン共振器の共振周波数を任意の周
波数にし、ノッチの周波数を通過帯域の上側または下側
にし帯域外の減衰特性を良くしている。
ライン共振器の第1の伝送線路どうしおよび第2の伝送
線路どうしをそれぞれ互いに電磁界結合させるととも
に、第2の伝送線路間を容量電極によって形成される容
量結合を用いバンドパスフィルタを構成している。さら
にバンドパスフィルタを構成している前記2組以上のス
トリップライン共振器に隣接するノッチ用ストリップラ
イン共振器による減衰極をバンドパスフィルタの通過帯
域の近傍に生じるように構成することによりフィルタの
通過帯域外の減衰特性を良くするように作用する。また
本発明の誘電体積層フィルタは請求項3において、ノッ
チフィルタによる減衰極を通過帯域近傍に設けることに
よりフィルタの減衰特性を良くしている。また本発明の
誘電体積層フィルタは請求項4において、ストリップラ
イン共振器の任意のいずれかまたは全部の第2の伝送線
路部を容量で接地し共振器長の短縮をはかっている。ま
た本発明の誘電体積層フィルタは請求項5において、ノ
ッチ用ストリップライン共振器の共振周波数を任意の周
波数にし、ノッチの周波数を通過帯域の上側または下側
にし帯域外の減衰特性を良くしている。
【0013】また本発明の誘電体積層フィルタは請求項
6において、ノッチ用ストリップライン共振器を2組備
えた構成であり、この構成によりフィルタの通過帯域の
近傍にノッチによる複数の減衰極を生じさせることがで
き、通過帯域外の減衰量をさらに大きくすることができ
る。
6において、ノッチ用ストリップライン共振器を2組備
えた構成であり、この構成によりフィルタの通過帯域の
近傍にノッチによる複数の減衰極を生じさせることがで
き、通過帯域外の減衰量をさらに大きくすることができ
る。
【0014】さらに本発明の誘電体積層フィルタは請求
項7、請求項8において、請求項6の構成で、ノッチ用
ストリップライン共振器の共振周波数を任意に設定する
ことにより通過帯域外の減衰特性を所望の特性にするこ
とができる構成であり、この構成により高性能な誘電体
積層フィルタを得ることができる。
項7、請求項8において、請求項6の構成で、ノッチ用
ストリップライン共振器の共振周波数を任意に設定する
ことにより通過帯域外の減衰特性を所望の特性にするこ
とができる構成であり、この構成により高性能な誘電体
積層フィルタを得ることができる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面を参照して説明する。
面を参照して説明する。
【0016】(実施の形態1)図1は本発明の実施の形
態1の誘電体積層フィルタの分解斜視図、図2は同じく
その等価回路図、図3はセラミックシートに印刷したノ
ッチ用を含むストリップライン共振器電極のパターン
図、図4はセラミックシートに印刷した容量電極パター
ン図、図5は通過特性図である。図1において、セラミ
ックシート10a上にはストリップライン共振器電極1
1a,11bおよびノッチ用ストリップライン共振器電
極11cが形成され、セラミックシート10b上には容
量電極12a,12b,12c、ローディング容量電極
12dが形成されている。
態1の誘電体積層フィルタの分解斜視図、図2は同じく
その等価回路図、図3はセラミックシートに印刷したノ
ッチ用を含むストリップライン共振器電極のパターン
図、図4はセラミックシートに印刷した容量電極パター
ン図、図5は通過特性図である。図1において、セラミ
ックシート10a上にはストリップライン共振器電極1
1a,11bおよびノッチ用ストリップライン共振器電
極11cが形成され、セラミックシート10b上には容
量電極12a,12b,12c、ローディング容量電極
12dが形成されている。
【0017】従来技術と同様にストリップライン共振器
電極11a,11bは一端で共通接地電極16を通じて
接地され、第1のストリップライン共振器電極11a
は、特性インピーダンスが高い第1の伝送線路部17a
と、一端が開放され特性インピーダンスが低い第2の伝
送線路部18aとの縦続接続で構成され、同じく第2の
ストリップライン共振器電極11bは、特性インピーダ
ンスが高い第1の伝送線路部17bと一端が開放され特
性インピーダンスが低い第2の伝送線路部18bとの縦
続接続で構成されている。このような構成により全線路
長が4分の1波長より短いSIR(Stepped impedance R
esonator)構造となっている。
電極11a,11bは一端で共通接地電極16を通じて
接地され、第1のストリップライン共振器電極11a
は、特性インピーダンスが高い第1の伝送線路部17a
と、一端が開放され特性インピーダンスが低い第2の伝
送線路部18aとの縦続接続で構成され、同じく第2の
ストリップライン共振器電極11bは、特性インピーダ
ンスが高い第1の伝送線路部17bと一端が開放され特
性インピーダンスが低い第2の伝送線路部18bとの縦
続接続で構成されている。このような構成により全線路
長が4分の1波長より短いSIR(Stepped impedance R
esonator)構造となっている。
【0018】第1の伝送線路17a,17bどうし、お
よび第2の伝送線路18a,18bどうしはそれぞれ互
いに電磁界結合している。また第2の伝送線路18a,
18bは容量電極12bを介して容量結合している。第
1の伝送線路17a,17bの短絡端側は共通接地電極
16を介して接地することにより、誘電体シートを切断
する際の切断誤差による共振周波数のばらつきを低減す
ることができる。
よび第2の伝送線路18a,18bどうしはそれぞれ互
いに電磁界結合している。また第2の伝送線路18a,
18bは容量電極12bを介して容量結合している。第
1の伝送線路17a,17bの短絡端側は共通接地電極
16を介して接地することにより、誘電体シートを切断
する際の切断誤差による共振周波数のばらつきを低減す
ることができる。
【0019】ストリップライン共振器電極11aは、そ
の開放端側の伝送線路18aで容量電極12aとの間で
容量結合し、容量電極12aは入出力端子14aと接続
し、ストリップライン共振器電極11bは、その開放端
側の伝送線路18bで容量電極12cとの間で容量結合
し、容量電極12cは入出力端子14bに接続されてい
る。
の開放端側の伝送線路18aで容量電極12aとの間で
容量結合し、容量電極12aは入出力端子14aと接続
し、ストリップライン共振器電極11bは、その開放端
側の伝送線路18bで容量電極12cとの間で容量結合
し、容量電極12cは入出力端子14bに接続されてい
る。
【0020】ストリップライン共振器電極11a,11
bは第2の伝送線路部18a,18bとローディング容
量電極12dとの間に容量を形成している。このローデ
ィング容量によってストリップライン共振器電極11
a,11bの長さを短縮することができる。
bは第2の伝送線路部18a,18bとローディング容
量電極12dとの間に容量を形成している。このローデ
ィング容量によってストリップライン共振器電極11
a,11bの長さを短縮することができる。
【0021】本発明の誘電体積層フィルタが従来の技術
と異なる点は、共通接地電極16から上記同様にノッチ
用ストリップライン共振器電極11cが特性インピーダ
ンスが高い第1の伝送線路部17cと、一端が開放され
特性インピーダンスが低い第2の伝送線路部18cとの
縦続接続で構成されていることである。ノッチ用ストリ
ップライン共振器電極11cは、その開放端側の第2の
伝送線路18cで容量電極12cを介して入出力端子1
4bと容量結合するとともにローディング容量電極12
dとの間に容量を形成する。
と異なる点は、共通接地電極16から上記同様にノッチ
用ストリップライン共振器電極11cが特性インピーダ
ンスが高い第1の伝送線路部17cと、一端が開放され
特性インピーダンスが低い第2の伝送線路部18cとの
縦続接続で構成されていることである。ノッチ用ストリ
ップライン共振器電極11cは、その開放端側の第2の
伝送線路18cで容量電極12cを介して入出力端子1
4bと容量結合するとともにローディング容量電極12
dとの間に容量を形成する。
【0022】誘電体シート10c,10d上にはそれぞ
れシールド電極13a,13bが形成されている。各シ
ールド電極13a,13b、およびローディング容量電
極12d,共通接地電極16は、側面電極で形成された
接地端子15a,15bにより接地される。電極保護の
ためのセラミックシート10eと各電極を形成したセラ
ミックシート10c,10a,10b,10dとを図の
順に重ねて全体を積層化して一体焼成する。
れシールド電極13a,13bが形成されている。各シ
ールド電極13a,13b、およびローディング容量電
極12d,共通接地電極16は、側面電極で形成された
接地端子15a,15bにより接地される。電極保護の
ためのセラミックシート10eと各電極を形成したセラ
ミックシート10c,10a,10b,10dとを図の
順に重ねて全体を積層化して一体焼成する。
【0023】セラミックシートは誘電体材料として、た
とえばBi−Ca−Nb−O系のセラミックなどを厚さ
数十ミクロンに形成したグリーンシートを複数枚重ねて
必要な厚さにする。図1においてセラミックシート10
aは0.05mm、10bは0.45mm、10cは
0.5mm、10d,10eはそれぞれ0.1mmとし
た。電極パターンは銀、銅、金などの導電率の高い金属
ペーストで電極パターンを印刷する。
とえばBi−Ca−Nb−O系のセラミックなどを厚さ
数十ミクロンに形成したグリーンシートを複数枚重ねて
必要な厚さにする。図1においてセラミックシート10
aは0.05mm、10bは0.45mm、10cは
0.5mm、10d,10eはそれぞれ0.1mmとし
た。電極パターンは銀、銅、金などの導電率の高い金属
ペーストで電極パターンを印刷する。
【0024】このような構成の誘電体積層フィルタの等
価回路図を図2に示す。図2において入力端子INは、
入出力容量Coを介して第1のストリップライン共振器
L1の開放端側に接続され、かつローディング容量CL
で接地されるとともに、段間結合容量Ccで第2のスト
リップライン共振器L2の開放端側に接続されている。
この接続点もローディング容量CLで接地されるととも
に入出力容量Coで出力端子OUTに接続されている。
この入出力容量Coの出力端子OUT側にノッチ容量C
nを介してノッチ用共振器Nが接続されるとともにノッ
チ用ローディング容量CLnで接地されている。このノ
ッチ用ローディング容量CLnによってノッチ用ストリ
ップライン共振器電極の長さを短縮することができる。
価回路図を図2に示す。図2において入力端子INは、
入出力容量Coを介して第1のストリップライン共振器
L1の開放端側に接続され、かつローディング容量CL
で接地されるとともに、段間結合容量Ccで第2のスト
リップライン共振器L2の開放端側に接続されている。
この接続点もローディング容量CLで接地されるととも
に入出力容量Coで出力端子OUTに接続されている。
この入出力容量Coの出力端子OUT側にノッチ容量C
nを介してノッチ用共振器Nが接続されるとともにノッ
チ用ローディング容量CLnで接地されている。このノ
ッチ用ローディング容量CLnによってノッチ用ストリ
ップライン共振器電極の長さを短縮することができる。
【0025】図3のセラミックシート10aに印刷した
ノッチ用を含むストリップライン共振器電極のパター
ン、図4のセラミックシート10bに印刷した容量電極
パターンともそれぞれ図示のような寸法に印刷した。図
4中の破線でノッチ用を含むストリップライン共振器電
極のパターンを示した。
ノッチ用を含むストリップライン共振器電極のパター
ン、図4のセラミックシート10bに印刷した容量電極
パターンともそれぞれ図示のような寸法に印刷した。図
4中の破線でノッチ用を含むストリップライン共振器電
極のパターンを示した。
【0026】上記のような条件で試作した結果、入出力
容量Coは3.4pF、段間結合容量Ccは0.9p
F、ローディング容量CLは2.2pF、ノッチ容量C
nは1.8pF、ノッチ用ローディング容量CLnは
2.2pFとなった。
容量Coは3.4pF、段間結合容量Ccは0.9p
F、ローディング容量CLは2.2pF、ノッチ容量C
nは1.8pF、ノッチ用ローディング容量CLnは
2.2pFとなった。
【0027】図3では3個のストリップライン共振器の
パターンは同一寸法であるが、ノッチ容量Cnが直列に
介在することによってノッチ用ストリップライン共振器
の共振周波数をバンドパスフィルタの通過帯域から低い
方へずらし、結果としてノッチの減衰極によって誘電体
積層フィルタの帯域外の減衰量をさらに大きくすること
ができる。
パターンは同一寸法であるが、ノッチ容量Cnが直列に
介在することによってノッチ用ストリップライン共振器
の共振周波数をバンドパスフィルタの通過帯域から低い
方へずらし、結果としてノッチの減衰極によって誘電体
積層フィルタの帯域外の減衰量をさらに大きくすること
ができる。
【0028】図5は上記実施形態の誘電体積層フィルタ
の通過特性図である。従来例の図15に比べて図5にお
いては1,600MHz付近のノッチによる減衰極のデ
ィップが大きく、ノッチ回路の効果が生じているのが分
かる。f0 の1,870MHzの点でのロスは2.7d
B、バンドパスフィルタの有極による減衰極は1,50
2MHz、ノッチによる減衰極が1,572MHzであ
った。
の通過特性図である。従来例の図15に比べて図5にお
いては1,600MHz付近のノッチによる減衰極のデ
ィップが大きく、ノッチ回路の効果が生じているのが分
かる。f0 の1,870MHzの点でのロスは2.7d
B、バンドパスフィルタの有極による減衰極は1,50
2MHz、ノッチによる減衰極が1,572MHzであ
った。
【0029】上記のように本実施形態によれば、第1の
ストリップライン共振器電極11aと第2のストリップ
ライン共振器電極11bとによる2段のバンドパスフィ
ルタにノッチ用ストリップライン共振器電極11cを加
え、このノッチ用ストリップライン共振器の減衰極をフ
ィルタの減衰極に近づけることによって従来の誘電体積
層フィルタでの有極による減衰に比べ、より急峻で大き
な減衰特性の得られる誘電体積層フィルタを得ることが
できる。
ストリップライン共振器電極11aと第2のストリップ
ライン共振器電極11bとによる2段のバンドパスフィ
ルタにノッチ用ストリップライン共振器電極11cを加
え、このノッチ用ストリップライン共振器の減衰極をフ
ィルタの減衰極に近づけることによって従来の誘電体積
層フィルタでの有極による減衰に比べ、より急峻で大き
な減衰特性の得られる誘電体積層フィルタを得ることが
できる。
【0030】(実施の形態2)図6に本発明の実施の形
態2の誘電体積層フィルタの等価回路図、図7にその通
過特性図を示す。図6において、実施の形態1の等価回
路図の図2に比べて異なる点はノッチ用ローディング容
量CLnがないことで、ノッチ用共振器Nのパターン形
状及びローディング容量CLnによってノッチ用共振器
Nの減衰極の周波数を任意に制御できる。これにより図
7に示すように通過帯域外の高い周波数側になるように
変えることが可能となり、第1および第2のストリップ
ライン共振器L1,L2によるバンドパスフィルタの減
衰極とノッチ用ストリップライン共振器Nによる減衰極
とを通過帯域の下側と上側に設けることができ、ノッチ
用ストリップライン共振器の減衰極の周波数を調整する
のみでバンドパスフィルタの通過域の高域側にも減衰極
を形成できる。これにより簡単な構造でフィルタの通過
帯域の両側に減衰極を形成でき通過帯域外の減衰特性を
さらに良くすることができる。
態2の誘電体積層フィルタの等価回路図、図7にその通
過特性図を示す。図6において、実施の形態1の等価回
路図の図2に比べて異なる点はノッチ用ローディング容
量CLnがないことで、ノッチ用共振器Nのパターン形
状及びローディング容量CLnによってノッチ用共振器
Nの減衰極の周波数を任意に制御できる。これにより図
7に示すように通過帯域外の高い周波数側になるように
変えることが可能となり、第1および第2のストリップ
ライン共振器L1,L2によるバンドパスフィルタの減
衰極とノッチ用ストリップライン共振器Nによる減衰極
とを通過帯域の下側と上側に設けることができ、ノッチ
用ストリップライン共振器の減衰極の周波数を調整する
のみでバンドパスフィルタの通過域の高域側にも減衰極
を形成できる。これにより簡単な構造でフィルタの通過
帯域の両側に減衰極を形成でき通過帯域外の減衰特性を
さらに良くすることができる。
【0031】(実施の形態3)図8に本発明の実施の形
態3の誘電体積層フィルタの分解斜視図、図9に本発明
の実施の形態3の誘電体積層フィルタの等価回路図、図
10にその通過特性図を示す。図9において、実施の形
態2の等価回路図の図6の入力端子INに、さらに第2
のノッチ用ストリップライン共振器N2を加えたもの
で、第1のノッチ用ストリップライン共振器N1よりさ
らに高い周波数で共振させることによって図10のよう
に通過帯域より高い周波数における減衰量をさらに大き
くすることができる。
態3の誘電体積層フィルタの分解斜視図、図9に本発明
の実施の形態3の誘電体積層フィルタの等価回路図、図
10にその通過特性図を示す。図9において、実施の形
態2の等価回路図の図6の入力端子INに、さらに第2
のノッチ用ストリップライン共振器N2を加えたもの
で、第1のノッチ用ストリップライン共振器N1よりさ
らに高い周波数で共振させることによって図10のよう
に通過帯域より高い周波数における減衰量をさらに大き
くすることができる。
【0032】(実施の形態4)図11に本発明の実施の
形態4の誘電体積層フィルタの等価回路図、図12にそ
の通過特性図を示す。図11において、実施の形態1の
等価回路図の図2の入力端子INに、さらに第2のノッ
チ用ストリップライン共振器N2を加えたもので、第1
のノッチ用ストリップライン共振器N1はノッチ用ロー
ディング容量CLnによって実施の形態1と同じく通過
帯域より低い周波数側に減衰極を有し、第2のノッチ用
ストリップライン共振器N2は通過帯域より高い周波数
側に減衰極を有するので図12のように通過帯域の上下
における減衰量をさらに大きくすることができる。
形態4の誘電体積層フィルタの等価回路図、図12にそ
の通過特性図を示す。図11において、実施の形態1の
等価回路図の図2の入力端子INに、さらに第2のノッ
チ用ストリップライン共振器N2を加えたもので、第1
のノッチ用ストリップライン共振器N1はノッチ用ロー
ディング容量CLnによって実施の形態1と同じく通過
帯域より低い周波数側に減衰極を有し、第2のノッチ用
ストリップライン共振器N2は通過帯域より高い周波数
側に減衰極を有するので図12のように通過帯域の上下
における減衰量をさらに大きくすることができる。
【0033】以上のように上記実施の形態2のバンドパ
スフィルタによる減衰極と異なる側にノッチによる減衰
極を設けたり、また実施の形態3および4のようにノッ
チ用ストリップライン共振器の数を増やすことによって
通過帯域外の減衰特性をさらに良くすることができる。
スフィルタによる減衰極と異なる側にノッチによる減衰
極を設けたり、また実施の形態3および4のようにノッ
チ用ストリップライン共振器の数を増やすことによって
通過帯域外の減衰特性をさらに良くすることができる。
【0034】上記各実施形態からもわかるようにノッチ
用ストリップライン共振器は必要に応じて個々にローデ
ィング容量を負荷するか否かを任意に決めればよく、ま
た例示していないがバンドパスフィルタを形成する2組
以上のストリップライン共振器も同様である。
用ストリップライン共振器は必要に応じて個々にローデ
ィング容量を負荷するか否かを任意に決めればよく、ま
た例示していないがバンドパスフィルタを形成する2組
以上のストリップライン共振器も同様である。
【0035】なおバンドパスフィルタを形成するストリ
ップライン共振器は2組の場合を例示したが、3組以上
を備えていても差し支えない。同じくノッチ用ストリッ
プライン共振器も必要に応じて2組以上備えていてもよ
い。また各実施形態に例示のものの数値、材質、加工条
件、パターンの形状等は一例であり、これに限定される
ものではない。
ップライン共振器は2組の場合を例示したが、3組以上
を備えていても差し支えない。同じくノッチ用ストリッ
プライン共振器も必要に応じて2組以上備えていてもよ
い。また各実施形態に例示のものの数値、材質、加工条
件、パターンの形状等は一例であり、これに限定される
ものではない。
【0036】
【発明の効果】以上説明したように本発明の誘電体積層
フィルタによれば、請求項1の構成によって、誘電体積
層フィルタ内にバンドパスフィルタとノッチフィルタを
設け通過帯域外の減衰特性を改善している。請求項2の
ようなストリップラインの構成を用いることにより容易
に実現できる。請求項3によってノッチ用ストリップラ
イン共振器による減衰極をバンドパスフィルタの通過帯
域の近傍に設け、フィルタの通過帯域の損失を増やすこ
となく通過帯域外の減衰特性を良くすることができる。
フィルタによれば、請求項1の構成によって、誘電体積
層フィルタ内にバンドパスフィルタとノッチフィルタを
設け通過帯域外の減衰特性を改善している。請求項2の
ようなストリップラインの構成を用いることにより容易
に実現できる。請求項3によってノッチ用ストリップラ
イン共振器による減衰極をバンドパスフィルタの通過帯
域の近傍に設け、フィルタの通過帯域の損失を増やすこ
となく通過帯域外の減衰特性を良くすることができる。
【0037】また本発明の誘電体積層フィルタは請求項
4の構成によって共振器長を変えることなくフィルタの
共振周波数を下げることができる。
4の構成によって共振器長を変えることなくフィルタの
共振周波数を下げることができる。
【0038】また本発明の誘電体積層フィルタは請求項
5のようにノッチ用ストリップライン共振器の共振周波
数を制御することにより所望の周波数に容易に減衰極を
入れることが出来る。
5のようにノッチ用ストリップライン共振器の共振周波
数を制御することにより所望の周波数に容易に減衰極を
入れることが出来る。
【0039】また本発明の誘電体積層フィルタは請求項
6のようにノッチ用ストリップライン共振器を2本設け
ることによりさらに減衰特性の優れた誘電体積層フィル
タを構成できる。
6のようにノッチ用ストリップライン共振器を2本設け
ることによりさらに減衰特性の優れた誘電体積層フィル
タを構成できる。
【0040】また請求項7または請求項8のようにノッ
チ用ストリップライン共振器を2本備えることによって
フィルタの通過帯域の近傍にノッチによる複数の減衰極
を生じさせることができ、通過帯域外の減衰特性を良く
することができる。
チ用ストリップライン共振器を2本備えることによって
フィルタの通過帯域の近傍にノッチによる複数の減衰極
を生じさせることができ、通過帯域外の減衰特性を良く
することができる。
【0041】このように本発明によれば簡単な構造で減
衰特性の良い誘電体積層フィルタを提供することが出来
る。
衰特性の良い誘電体積層フィルタを提供することが出来
る。
【図1】本発明の実施の形態1の誘電体積層フィルタの
分解斜視図
分解斜視図
【図2】同じくその等価回路図
【図3】同じくセラミックシートに印刷したノッチ用を
含むストリップライン共振器電極のパターン図
含むストリップライン共振器電極のパターン図
【図4】同じくセラミックシートに印刷した容量電極パ
ターン図
ターン図
【図5】同じく誘電体積層フィルタの通過特性図
【図6】本発明の実施の形態2の誘電体積層フィルタの
等価回路図
等価回路図
【図7】本発明の実施の形態2の誘電体積層フィルタの
通過特性図
通過特性図
【図8】本発明の実施の形態3の誘電体積層フィルタの
分解斜視図
分解斜視図
【図9】実施の形態3の等価回路図
【図10】実施の形態3の通過特性図
【図11】本発明の実施の形態4の誘電体積層フィルタ
の等価回路図
の等価回路図
【図12】本発明の実施の形態4の誘電体積層フィルタ
の通過特性図
の通過特性図
【図13】従来の誘電体積層フィルタの分解斜視図
【図14】同じくその等価回路図
【図15】同じくその通過特性図
10a,10b,10c,10d,10e セラミック
シート 11a,11b ストリップライン共振器電極 11c,11d ノッチ用ストリップライン共振器電
極 12a,12b,12c 容量電極 12d ローディング容量電極 13a,13b シールド電極 14a,14b 入出力端子 15a,15b 接地端子 16 共通接地電極 17a,17b,17c,17d 第1の伝送線路部 18a,18b,18c,18d 第2の伝送線路部 Co 入出力容量 Cc 段間結合容量 CL ローディング容量 Cn ノッチ容量 CLn ノッチ用ローディング容量 L1 第1のフィルタ用のストリップライン共振器 L2 第2のフィルタ用のストリップライン共振器 N ノッチ用ストリップライン共振器 N1 第1のノッチ用ストリップライン共振器 N2 第2のノッチ用ストリップライン共振器
シート 11a,11b ストリップライン共振器電極 11c,11d ノッチ用ストリップライン共振器電
極 12a,12b,12c 容量電極 12d ローディング容量電極 13a,13b シールド電極 14a,14b 入出力端子 15a,15b 接地端子 16 共通接地電極 17a,17b,17c,17d 第1の伝送線路部 18a,18b,18c,18d 第2の伝送線路部 Co 入出力容量 Cc 段間結合容量 CL ローディング容量 Cn ノッチ容量 CLn ノッチ用ローディング容量 L1 第1のフィルタ用のストリップライン共振器 L2 第2のフィルタ用のストリップライン共振器 N ノッチ用ストリップライン共振器 N1 第1のノッチ用ストリップライン共振器 N2 第2のノッチ用ストリップライン共振器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中久保 英明 京都府綴喜郡田辺町大字大住小字浜55番12 号 松下日東電器株式会社内 (72)発明者 藤川 誠 京都府綴喜郡田辺町大字大住小字浜55番12 号 松下日東電器株式会社内
Claims (8)
- 【請求項1】 誘電体積層フィルタ内に、バンドパスフ
ィルタを構成する共振器と、ノッチフィルタを構成する
ノッチ共振器とが設けられ、前記バンドパスフィルタの
目標とする帯域外減衰特性は、前記ノッチフィルタによ
る減衰極により得られていることを特徴とする誘電体積
層フィルタ。 - 【請求項2】 一端が接地された第1の伝送線路部と、
一端が開放され前記第1の伝送線路部より特性インピー
ダンスが低い第2の伝送線路部との縦続接続で構成され
た、2組以上のストリップライン共振器を備え、前記第
1の伝送線路どうしおよび前記第2の伝送線路どうしを
それぞれ互いに電磁界結合させるとともに、隣接する前
記第2の伝送線路間を容量で結合しバンドパスフィルタ
を構成し、また、 一端が接地された別の第1の伝送線路部と、一端が開放
され前記別の第1の伝送線路より特性インピーダンスが
低い別の第2の伝送線路部との縦続接続で構成されたノ
ッチフィルタを構成する1組のノッチ用ストリップライ
ン共振器を備え、 前記ノッチ用ストリップライン共振器の第2の伝送線路
と、前記バンドパスフィルタを構成する2組以上のスト
リップライン共振器の1組の第2の伝送線路とが容量で
結合していることを特徴とする誘電体積層フィルタ。 - 【請求項3】 前記ノッチ用ストリップライン共振器の
減衰極を前記2組以上のストリップライン共振器からな
るバンドパスフィルタの通過帯域の近傍に生じるように
構成したことを特徴とする請求項1又は2記載の誘電体
積層フィルタ。 - 【請求項4】 前記2組以上のストリップライン共振器
と前記ノッチ用ストリップライン共振器の任意のいずれ
かまたはすべての第2の伝送線路部は、容量で接地され
ていることを特徴とする請求項2に記載の誘電体積層フ
ィルタ。 - 【請求項5】 前記ノッチ用ストリップライン共振器に
よる減衰極を、前記2組以上のストリップライン共振器
からなるバンドパスフィルタの通過帯域の高域側もしく
は低域側に設けたことを特徴とする請求項2に記載の誘
電体積層フィルタ。 - 【請求項6】 一端が接地された第1の伝送線路部と、
一端が開放され前記第1の伝送線路部より特性インピー
ダンスが低い第2の伝送線路部との縦続接続で構成され
た2組以上のストリップライン共振器を備え、前記第1
の伝送線路どうしおよび前記第2の伝送線路どうしをそ
れぞれ互いに電磁界結合させるとともに、隣接する前記
第2の伝送線路間を容量で結合しバンドパスフィルタを
構成し、 一端が接地された別の第1の伝送線路部と、一端が開放
され前記別の第1の伝送線路より特性インピーダンスが
低い別の第2の伝送線路部との縦続接続で構成されたノ
ッチフィルタを構成する2組のノッチ用ストリップライ
ン共振器とを備えたことを特徴とする誘電体積層フィル
タ。 - 【請求項7】 前記2組のノッチ用ストリップライン共
振器を前記2組以上のストリップライン共振器にそれぞ
れ隣接して備え、前記一方のノッチ用ストリップライン
共振器は、前記2組以上のストリップライン共振器から
なるフィルタの通過帯域の低域側に減衰極を設け、もう
一方は、高域側に減衰極を設けたことを特徴とする請求
項6に記載の誘電体積層フィルタ。 - 【請求項8】 前記2組のノッチ用ストリップライン共
振器を前記2組以上のストリップライン共振器にそれぞ
れ隣接して備え、前記ノッチ用ストリップライン共振器
による減衰極を、前記2組以上のストリップライン共振
器からなるフィルタの通過帯域の低域側に設け、若しく
は、高域側に減衰極を設けたことを特徴とする請求項6
に記載の誘電体積層フィルタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9993397A JPH10290103A (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | 誘電体積層フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9993397A JPH10290103A (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | 誘電体積層フィルタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10290103A true JPH10290103A (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=14260540
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9993397A Pending JPH10290103A (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | 誘電体積層フィルタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10290103A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100313717B1 (ko) * | 1999-09-13 | 2001-11-15 | 최춘권 | 대칭적인 감쇄극 특성을 갖는 유전체 공진기형 대역 통과 필터 |
JP2002252330A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波直列容量素子およびこれを用いた高域通過フィルタ |
US6696903B1 (en) | 1999-08-05 | 2004-02-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laminated dielectric filter, and antenna duplexer and communication equipment using the same |
JP2019117971A (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-18 | Tdk株式会社 | バンドパスフィルタ |
JP2019117970A (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-18 | Tdk株式会社 | バンドパスフィルタ |
JP2020155836A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | Tdk株式会社 | 積層型フィルタ装置 |
-
1997
- 1997-04-17 JP JP9993397A patent/JPH10290103A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6696903B1 (en) | 1999-08-05 | 2004-02-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laminated dielectric filter, and antenna duplexer and communication equipment using the same |
KR100313717B1 (ko) * | 1999-09-13 | 2001-11-15 | 최춘권 | 대칭적인 감쇄극 특성을 갖는 유전체 공진기형 대역 통과 필터 |
JP2002252330A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波直列容量素子およびこれを用いた高域通過フィルタ |
JP2019117971A (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-18 | Tdk株式会社 | バンドパスフィルタ |
JP2019117970A (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-18 | Tdk株式会社 | バンドパスフィルタ |
JP2020155836A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | Tdk株式会社 | 積層型フィルタ装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0917232B1 (en) | Laminated dielectric filter | |
US5608364A (en) | Layered stripline filter including inductive coupling adjustment strip | |
EP1432133A1 (en) | Duplexer and communication apparatus | |
JP3289643B2 (ja) | 方向性結合器 | |
WO1998031066A1 (fr) | Filtre multicouche | |
US20010050599A1 (en) | Dielectric filter, antenna duplexer, and communications appliance | |
US20030129957A1 (en) | Multilayer LC filter | |
JPH10290103A (ja) | 誘電体積層フィルタ | |
JPH05218705A (ja) | 積層型帯域除去フィルター | |
JPH07226602A (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
JPH10209710A (ja) | 積層型バンドパスフィルタ | |
JP3916061B2 (ja) | バンドパスフィルタ | |
JP2851981B2 (ja) | 積層型誘電体フィルター | |
JPH10117104A (ja) | 積層誘電体フィルタ | |
JPH10178302A (ja) | 誘電体積層フィルタ及び通信装置 | |
JP2000082932A (ja) | 積層型分波器 | |
JP3176859B2 (ja) | 誘電体フィルタ | |
JP2710904B2 (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
CN221687748U (zh) | 一种拓扑结构、低通滤波器及通信设备 | |
JP2000091807A (ja) | 誘電体バンドパス・フィルタ | |
JP2002016403A (ja) | 誘電体フィルタ、アンテナ共用器及び通信機器 | |
JPH11186807A (ja) | 積層バンドパスフィルタとその帯域幅制御方法 | |
JP2004023334A (ja) | バンドパスフィルタ | |
KR100550879B1 (ko) | 적층형 유전체 필터 | |
JPH11136001A (ja) | 周波数特性が改善された積層型ストリップライン・フィルタ |