JPH0329324A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0329324A JPH0329324A JP16338989A JP16338989A JPH0329324A JP H0329324 A JPH0329324 A JP H0329324A JP 16338989 A JP16338989 A JP 16338989A JP 16338989 A JP16338989 A JP 16338989A JP H0329324 A JPH0329324 A JP H0329324A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置の製造方法に関し、更に詳しく言えば、ドラ
イエッチング装置、又は膜形成装置のチャンバ内の防Ｍ
板からの発塵防止方法に関し、簡単な方法で、かつ短時
間に発塵防止対策を行い、生産性の向上を図ることがで
きる発塵防止方法を提供することを目的とし、 防着仮を備えたチャンバ内で基板上の絶縁膜や導電膜を
エッチングする際に、又は基板上にｋｆ！！縁膜やＲ？
Ｉ１膜を形戊する際に、該防着板上に付着した該絶縁膜
や導電膜の上に、これらの膜と密着性の良い被覆膜を形
成する工程を有することを含み横戒する． 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、更に詳しく言
えばドライエッチング装置、又は膜形成装置のチャンバ
内の防着板からの発塵防止方法に関する． 半導体装置においては、高密度化に伴い、歩留りを向上
するため、ドライエッチング装置、又は枚形威装置など
製造装置内での発塵を防止することが望まれている． 〔従来の技術］ 従来、ドライエッチング装置、又は膜形威装置など半導
体製造装置においては、チャンバ内での発塵防止のため
、工冫チングや膜形戒の際防着板に付着する絶縁膜や金
属膜と品着性の良いアルミニウムやモリブデンからなる
防着仮を用いたり、表面がアルミニウムやモリブデンの
膜で被覆された防着仮を用いて、防着仮に付着する絶縁
膜や金ｙ４欣の剥離を防止している。
イエッチング装置、又は膜形成装置のチャンバ内の防Ｍ
板からの発塵防止方法に関し、簡単な方法で、かつ短時
間に発塵防止対策を行い、生産性の向上を図ることがで
きる発塵防止方法を提供することを目的とし、 防着仮を備えたチャンバ内で基板上の絶縁膜や導電膜を
エッチングする際に、又は基板上にｋｆ！！縁膜やＲ？
Ｉ１膜を形戊する際に、該防着板上に付着した該絶縁膜
や導電膜の上に、これらの膜と密着性の良い被覆膜を形
成する工程を有することを含み横戒する． 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、更に詳しく言
えばドライエッチング装置、又は膜形成装置のチャンバ
内の防着板からの発塵防止方法に関する． 半導体装置においては、高密度化に伴い、歩留りを向上
するため、ドライエッチング装置、又は枚形威装置など
製造装置内での発塵を防止することが望まれている． 〔従来の技術］ 従来、ドライエッチング装置、又は膜形威装置など半導
体製造装置においては、チャンバ内での発塵防止のため
、工冫チングや膜形戒の際防着板に付着する絶縁膜や金
属膜と品着性の良いアルミニウムやモリブデンからなる
防着仮を用いたり、表面がアルミニウムやモリブデンの
膜で被覆された防着仮を用いて、防着仮に付着する絶縁
膜や金ｙ４欣の剥離を防止している。
第３図は、プラズマエンチング装置を示す断面図である
． 同図において、ｌはチャンバ、２はチャンバ内のガスの
排気口、３はチャンバ内１へのガス導入口、４はウエハ
載置台、５はエッチングされる基板６上の膜の材料がチ
ャンバｌ内壁に付着するのを防止するためのステンレス
からなる防着仮で、防着仮５の表面はアルミニウム膜８
で被覆されている． また、９は防着板５に形威されたガス通流孔、１０は半
導体基［６と防着板５との間に電力を印加するための電
源である． 次に、このようなプラズマエッチング装置を用いて半導
体基板上のＰＳＧＷＪをエノチングする場合について説
明する． 第４図は、エッチング前の半導体基板の断面図で、図中
符号６は半導体基板、７は半導体基板６上のＰＳＧＩＦ
Ｊである。
． 同図において、ｌはチャンバ、２はチャンバ内のガスの
排気口、３はチャンバ内１へのガス導入口、４はウエハ
載置台、５はエッチングされる基板６上の膜の材料がチ
ャンバｌ内壁に付着するのを防止するためのステンレス
からなる防着仮で、防着仮５の表面はアルミニウム膜８
で被覆されている． また、９は防着板５に形威されたガス通流孔、１０は半
導体基［６と防着板５との間に電力を印加するための電
源である． 次に、このようなプラズマエッチング装置を用いて半導
体基板上のＰＳＧＷＪをエノチングする場合について説
明する． 第４図は、エッチング前の半導体基板の断面図で、図中
符号６は半導体基板、７は半導体基板６上のＰＳＧＩＦ
Ｊである。
まず、チャンバ１内のウエハ叔万合４に半導休基板６を
ｉ３ｌ置する． 次に、排気口２からチャンバ１内を排気しながら、ガス
導入口３からＡｒガスを導入する。その後、Ａｒガスは
ガス通流孔９から半導体基仮６のある室内に流入する． そして、該室内が所定の圧力に達したら、電源１０によ
り半導体基板６と防着板５との間に電力を印加してＡｒ
ガスをイオン化する．イオン化したＡｒ粒子は電界によ
り半導体基板６上のＰＳＧ膜７に衝突してＰＳＣの粒子
をたたき出し、ＰＳＧ欣７をエッチングしていく。
ｉ３ｌ置する． 次に、排気口２からチャンバ１内を排気しながら、ガス
導入口３からＡｒガスを導入する。その後、Ａｒガスは
ガス通流孔９から半導体基仮６のある室内に流入する． そして、該室内が所定の圧力に達したら、電源１０によ
り半導体基板６と防着板５との間に電力を印加してＡｒ
ガスをイオン化する．イオン化したＡｒ粒子は電界によ
り半導体基板６上のＰＳＧ膜７に衝突してＰＳＣの粒子
をたたき出し、ＰＳＧ欣７をエッチングしていく。
このとき、同時にエッチングされたＰＳＣ膜マの粒子は
飛散して防着板５の表面に付着し、ｌｉｔ ｈ１してい
く．また、半導体基仮６はＡｒガスをプラズマ化するた
めの電力により温められ、２００〜３００゜Ｃ程度にな
る． 所定時間の後、電力印加をやめてエッチングを停止する
．その後、次の半導体基板を載置台４にセットし、次の
エンチングを始める． 〔発明が解決しようとする課８］ ところで、半導体基仮６上のＰＳＧ膜７をエッチングす
るたび毎に、防着仮５の表面にはＰＳＧからなる新しい
膜が次々に堆積していき、その膜厚は次第に厚くなって
いく．そして、基板６の加熱・冷却が繰り返されていく
うちに、熱応力のため、ついにＰＳＧからなる膜は防着
板５から７、りがれ落ちる． このため、通常、半導体基板を１０００枚程度エッチン
グする毎に、防着仮５の表面に付着した膜を除去したり
、防着仮５を取り替えたりしている。
飛散して防着板５の表面に付着し、ｌｉｔ ｈ１してい
く．また、半導体基仮６はＡｒガスをプラズマ化するた
めの電力により温められ、２００〜３００゜Ｃ程度にな
る． 所定時間の後、電力印加をやめてエッチングを停止する
．その後、次の半導体基板を載置台４にセットし、次の
エンチングを始める． 〔発明が解決しようとする課８］ ところで、半導体基仮６上のＰＳＧ膜７をエッチングす
るたび毎に、防着仮５の表面にはＰＳＧからなる新しい
膜が次々に堆積していき、その膜厚は次第に厚くなって
いく．そして、基板６の加熱・冷却が繰り返されていく
うちに、熱応力のため、ついにＰＳＧからなる膜は防着
板５から７、りがれ落ちる． このため、通常、半導体基板を１０００枚程度エッチン
グする毎に、防着仮５の表面に付着した膜を除去したり
、防着仮５を取り替えたりしている。
しかし、この作業に長時間を要し、生産性の向上を図る
ことができないという問題がある．本発明は、かかる従
来の問題点に鑑みてなされたもので、簡単な方法で、か
つ短時間に発塵防止対策を行い、生産性の向上を図るこ
とができる発塵防止方法を提供することを目的とするも
のである。
ことができないという問題がある．本発明は、かかる従
来の問題点に鑑みてなされたもので、簡単な方法で、か
つ短時間に発塵防止対策を行い、生産性の向上を図るこ
とができる発塵防止方法を提供することを目的とするも
のである。
（課題を解決するための手段〕
上記課題は、防看板を備えたチャンバ内で基板上の絶縁
膜や導電膜を工・ノチングする際に、又は基板上に絶縁
膜や導電膜を形戒する際に、該防着板上に付着した該絶
縁膜や導電膜の上に、これらの膜と密着性の良い被覆膜
を形成する工程を打することを特徴とする半導体装置の
製造方法によって解決される． 〔作 用〕 即ち、基板上の絶縁膜や導電膜をエッチング後、又は基
板上に絶縁膜や導電膜を形成後、エンチングされた膜の
粒子、又は形威された膜の粒子と同一の粒子が防着板の
表面に付着し、防着板上にこの粒子からなる膜が形成さ
れる。しかし、このＩＩタの上にこの膜と密着性のよい
被Ｊｉ！膜を形成しているので、防着仮に付着した膜は
被ｒｇＩＷｉによって被覆・固定される。
膜や導電膜を工・ノチングする際に、又は基板上に絶縁
膜や導電膜を形戒する際に、該防着板上に付着した該絶
縁膜や導電膜の上に、これらの膜と密着性の良い被覆膜
を形成する工程を打することを特徴とする半導体装置の
製造方法によって解決される． 〔作 用〕 即ち、基板上の絶縁膜や導電膜をエッチング後、又は基
板上に絶縁膜や導電膜を形成後、エンチングされた膜の
粒子、又は形威された膜の粒子と同一の粒子が防着板の
表面に付着し、防着板上にこの粒子からなる膜が形成さ
れる。しかし、このＩＩタの上にこの膜と密着性のよい
被Ｊｉ！膜を形成しているので、防着仮に付着した膜は
被ｒｇＩＷｉによって被覆・固定される。
このため、防着板に付着した膜が剥離するのを抑えるこ
とができ、防着板からの発塵を防止することができる． 例えば、防着仮に付着した絶縁膜がＰＳＧ膜．Ｓｉ０２
膜又はＳｉ３Ｎ４膜などの場合、被覆膜としてアル兆ニ
ウム モリブデン，タングステン又はチタンからなる膜
を用いることができる． また、防着仮に付着した膜が金属膜の場合も、同一の種
類の金ＷＡＷｉの組合せを除いて、被覆膜としてアルミ
ニウム．モリブデン．タングステン又はチタンからなる
膜を用いることができる．これにより、従来の場合と比
べて、防着板の取替えや防着板の表面の清浄化を行う周
期を長くすることができる， また、絶縁膜や導電膜のエッチングや形成に用いた手段
と同じ手段を用いて、密着性の良い被覆膜を形戒でき、
簡単な方法で、かつ短時間に発塵防止対策を行うことが
できる。
とができ、防着板からの発塵を防止することができる． 例えば、防着仮に付着した絶縁膜がＰＳＧ膜．Ｓｉ０２
膜又はＳｉ３Ｎ４膜などの場合、被覆膜としてアル兆ニ
ウム モリブデン，タングステン又はチタンからなる膜
を用いることができる． また、防着仮に付着した膜が金属膜の場合も、同一の種
類の金ＷＡＷｉの組合せを除いて、被覆膜としてアルミ
ニウム．モリブデン．タングステン又はチタンからなる
膜を用いることができる．これにより、従来の場合と比
べて、防着板の取替えや防着板の表面の清浄化を行う周
期を長くすることができる， また、絶縁膜や導電膜のエッチングや形成に用いた手段
と同じ手段を用いて、密着性の良い被覆膜を形戒でき、
簡単な方法で、かつ短時間に発塵防止対策を行うことが
できる。
これにより、生産性の向上を図ることができる。
（実施例〕
以下、第１図（ａ）〜（ｄ），第２図．第３図及び第４
図を参照しながら本発明の発塵防止方法を、プラズマエ
ッチング装置により半導体基板上のＰＳＧＩＩＪをエッ
チングする場合に適用した実施例について説明する． 第４図は、エッチング前の半導体基板を示す断面図であ
る． 同図において、６は半導体基板、７は半導体基板６上の
ｐｓｃ膜である． この半導体基板６を第３図に示すプラズマエンチング装
置に入れてエッチングを行う。
図を参照しながら本発明の発塵防止方法を、プラズマエ
ッチング装置により半導体基板上のＰＳＧＩＩＪをエッ
チングする場合に適用した実施例について説明する． 第４図は、エッチング前の半導体基板を示す断面図であ
る． 同図において、６は半導体基板、７は半導体基板６上の
ｐｓｃ膜である． この半導体基板６を第３図に示すプラズマエンチング装
置に入れてエッチングを行う。
第３図は、エッチングを行うためのプラズマエッチング
装置の断面図で、図中符号ｌはチャンバ、２はチャンバ
内のガスの排気口、３はチャンバ内へのガス導入口、４
はウエハＩＩｉ！台、５はエッチングされる膜の材料が
チャンバ１内壁に付着するのを防止するためのステンレ
スからなる防着板で、防着板５の表面にはＰＳＧ膜７と
密着性のよい膜厚１０μ慣程度のアルミニウム膜８が形
成されている（第１図（ａ））。
装置の断面図で、図中符号ｌはチャンバ、２はチャンバ
内のガスの排気口、３はチャンバ内へのガス導入口、４
はウエハＩＩｉ！台、５はエッチングされる膜の材料が
チャンバ１内壁に付着するのを防止するためのステンレ
スからなる防着板で、防着板５の表面にはＰＳＧ膜７と
密着性のよい膜厚１０μ慣程度のアルミニウム膜８が形
成されている（第１図（ａ））。
また、９は防着Ｖｉ．５に形成されたガス通流孔、１０
は半導体基板６と防？７仮５との間に電力を印加するた
めの電源である。
は半導体基板６と防？７仮５との間に電力を印加するた
めの電源である。
まず、第３図に示すように、このプラズマエッチング装
置のウエハｉ３！置台４に半導体基板６を載置する。
置のウエハｉ３！置台４に半導体基板６を載置する。
次に、排気口２からチャンバ１内を排気しながら、ガス
導入口３からＡｒガスを導入する。その後、Ａｒガスは
ガス通流孔９から半導体基板６のある室内に流入する． そして、該室内が所定の圧力ＩＸＩＯ−”〜１×１０−
’ Ｔｏｒｒに達したら、電源９により３００〜４００
Ｗの電力を半導体基板６と防着板５との間に印加してＡ
ｒガスをイオン化する。イオン化したＡｒ粒子は電界に
より半導体基板６上のＰ Ｓ ＧＩＰ２７に衝突してＰ
ＳＧの粒子をたたき出し、ＰＳＧ膜７をエッチングして
いく。
導入口３からＡｒガスを導入する。その後、Ａｒガスは
ガス通流孔９から半導体基板６のある室内に流入する． そして、該室内が所定の圧力ＩＸＩＯ−”〜１×１０−
’ Ｔｏｒｒに達したら、電源９により３００〜４００
Ｗの電力を半導体基板６と防着板５との間に印加してＡ
ｒガスをイオン化する。イオン化したＡｒ粒子は電界に
より半導体基板６上のＰ Ｓ ＧＩＰ２７に衝突してＰ
ＳＧの粒子をたたき出し、ＰＳＧ膜７をエッチングして
いく。
このとき同時に、エッチングされたＰＳＧ膜７の粒子は
飛散して防着板５の表面に付着し、堆積していく。また
、半導体基板６はＡｒガスをプラズマ化するための電力
により温められ、２００〜３００′Ｃ程度になる． 所定時間の後、電力の印加をやめて工冫チングを停止す
る．その後、別の半導体基板をウエハ叔置台４にセット
し、次のエッチングを始める。
飛散して防着板５の表面に付着し、堆積していく。また
、半導体基板６はＡｒガスをプラズマ化するための電力
により温められ、２００〜３００′Ｃ程度になる． 所定時間の後、電力の印加をやめて工冫チングを停止す
る．その後、別の半導体基板をウエハ叔置台４にセット
し、次のエッチングを始める。
このようにして次々に別の半導体基板をエッヂングして
いき、約３００枚位終えたところで、防着板５の表面に
は約ｌμｍ程度のＷ１厚のｐｓｃｎｇｔｔが形成される
（第１図（ｂ））。
いき、約３００枚位終えたところで、防着板５の表面に
は約ｌμｍ程度のＷ１厚のｐｓｃｎｇｔｔが形成される
（第１図（ｂ））。
ここで、発塵防止対策としてアルミニウム膜を防着板５
の表面に形威するため、第２図に示すアルミニウム膜１
６の形威された半導体基板１５をウエハｉ！置台４にセ
ットする。
の表面に形威するため、第２図に示すアルミニウム膜１
６の形威された半導体基板１５をウエハｉ！置台４にセ
ットする。
次に、電源により３００〜４００ Ｗの電力を印加して
Ａ『ガスをイオン化する。イオン化したＡｒ粒子は電界
により半導体基板ｌ５上のアルミニウム膜１６に衝突し
てアルミニウムの粒子をたたき出す．たたき出されたア
ルミニウム粒子ば防着仮５のＰＳＧ欣ｌ１の上に堆積し
ていく． これを１枚あたり６０秒間程度続け、連続して２５枚程
度繰り返す。その結果、防着板５上のＰＳＧ膜の上には
Ｉｌ’２ｆｆ．約１０００人のアルミニウム膜１ｌが形
戒される（第１図（Ｃ））。これにより、下地のＰＳＣ
膜１ｌはこのアルミニウム［１２によって被覆・固定さ
れるため、剥離が抑えられる．その後、再び通常のｐｓ
ｃｇ２のエッチングを行う．そして、アルミニウム膜１
２の上に再びＰＳＧ１１２１３が付着していき、その改
厚が約１μ一程度になったとき、前と同しようにして再
びＰＳＧＩＩｌ２１３の上にアルξニウムｆｉｌ４を堆
積する（第ｌ図（ｄ）），このような発塵防止対策を行
った場合、従来、１０００枚程度エッチングした後に必
要だった防着仮の表面の清浄化や防着板の取替えの周期
が、約４０００枚程度と大幅に長くなった． 以上のように、本発明の実施例によれば、簡単な方法で
、かつ短時間に発塵防止対策を行うことができ、更に、
防着板の表面の清浄化や防着仮の取替えの周期を従来の
場合より長くしても発塵の問題はなくなった。これによ
り、生産性の向上を図ることができる。
Ａ『ガスをイオン化する。イオン化したＡｒ粒子は電界
により半導体基板ｌ５上のアルミニウム膜１６に衝突し
てアルミニウムの粒子をたたき出す．たたき出されたア
ルミニウム粒子ば防着仮５のＰＳＧ欣ｌ１の上に堆積し
ていく． これを１枚あたり６０秒間程度続け、連続して２５枚程
度繰り返す。その結果、防着板５上のＰＳＧ膜の上には
Ｉｌ’２ｆｆ．約１０００人のアルミニウム膜１ｌが形
戒される（第１図（Ｃ））。これにより、下地のＰＳＣ
膜１ｌはこのアルミニウム［１２によって被覆・固定さ
れるため、剥離が抑えられる．その後、再び通常のｐｓ
ｃｇ２のエッチングを行う．そして、アルミニウム膜１
２の上に再びＰＳＧ１１２１３が付着していき、その改
厚が約１μ一程度になったとき、前と同しようにして再
びＰＳＧＩＩｌ２１３の上にアルξニウムｆｉｌ４を堆
積する（第ｌ図（ｄ）），このような発塵防止対策を行
った場合、従来、１０００枚程度エッチングした後に必
要だった防着仮の表面の清浄化や防着板の取替えの周期
が、約４０００枚程度と大幅に長くなった． 以上のように、本発明の実施例によれば、簡単な方法で
、かつ短時間に発塵防止対策を行うことができ、更に、
防着板の表面の清浄化や防着仮の取替えの周期を従来の
場合より長くしても発塵の問題はなくなった。これによ
り、生産性の向上を図ることができる。
なお、本発明の実施例では、密着性の良い被覆１１タと
してアルミニウムを用いたが、タングステン、モリブデ
ン又はチタンなどを用いてもよい。
してアルミニウムを用いたが、タングステン、モリブデ
ン又はチタンなどを用いてもよい。
また、半導体基板上のエッチングされる膜としてＰＳＧ
膜に本発明の製造方法を適用したが、他の絶縁膜や金属
膜に適用してもよい。
膜に本発明の製造方法を適用したが、他の絶縁膜や金属
膜に適用してもよい。
更に、プラズマエッチング装置によるエンチングの場合
に本発明の製造方法を適用したが、スパッタ装置など膜
形戒装置の場合にも適用できる。
に本発明の製造方法を適用したが、スパッタ装置など膜
形戒装置の場合にも適用できる。
以上のように、本発明の半導体装置の製造方法によれば
、簡単な方法で、かつ短時間に発塵防止対策を行うこと
ができ、更に、防着板の表面の清浄化や防看板の取替え
の周期を長くすることができる． これにより、生産性の向上を図ることができる．
、簡単な方法で、かつ短時間に発塵防止対策を行うこと
ができ、更に、防着板の表面の清浄化や防看板の取替え
の周期を長くすることができる． これにより、生産性の向上を図ることができる．
第１図は、本発明の実施例の発塵防止方法を説明する断
面図、 第２図は、本発明の実施例の発塵防止のために用いるア
ルミニウム膜の形成された半導体基板の断面図、 第３図は、プラズマエノチング装置を示す断面図、 第４図は、エッチング前の半導体基板の断面図である． ［符号の説明〕 １・・・チャンバ、 ２・・・排気口、 ３・・・ガス導入口、 ４・・・ウエハ載置台、 ５・・・防着板、 ６．１５・・・半導体基板、 ７， １１． １３・・・ＰＳＧ膜、 ８， １２． １４． １６・・・アルミニウム膜、９
・・・ガス通流孔、 １０・・・電源．
面図、 第２図は、本発明の実施例の発塵防止のために用いるア
ルミニウム膜の形成された半導体基板の断面図、 第３図は、プラズマエノチング装置を示す断面図、 第４図は、エッチング前の半導体基板の断面図である． ［符号の説明〕 １・・・チャンバ、 ２・・・排気口、 ３・・・ガス導入口、 ４・・・ウエハ載置台、 ５・・・防着板、 ６．１５・・・半導体基板、 ７， １１． １３・・・ＰＳＧ膜、 ８， １２． １４． １６・・・アルミニウム膜、９
・・・ガス通流孔、 １０・・・電源．
Claims (2)
- （１）防着板を備えたチャンバ内で基板上の絶縁膜や導
電膜をエッチングする際に、又は基板上に絶縁膜や導電
膜を形成する際に、該防着板上に付着した該絶縁膜や導
電膜の上に、これらの膜と密着性の良い被覆膜を形成す
る工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法
。 - （２）請求項１記載の被覆膜がアルミニウム、モリブデ
ン、タングステン又はチタンからなる膜であることを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16338989A JPH0329324A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16338989A JPH0329324A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0329324A true JPH0329324A (ja) | 1991-02-07 |
Family
ID=15772959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16338989A Pending JPH0329324A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0329324A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5639341A (en) * | 1995-02-01 | 1997-06-17 | Yamaha Corporation | Dry etching with less particles |
| US5972114A (en) * | 1995-03-10 | 1999-10-26 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus with anti-adhesion film and chamber cooling means |
| JP2006501609A (ja) * | 2002-09-30 | 2006-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理システムにおける、堆積シールドを有する改良された上部電極板のための方法及び装置 |
-
1989
- 1989-06-26 JP JP16338989A patent/JPH0329324A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5639341A (en) * | 1995-02-01 | 1997-06-17 | Yamaha Corporation | Dry etching with less particles |
| US5972114A (en) * | 1995-03-10 | 1999-10-26 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus with anti-adhesion film and chamber cooling means |
| JP2006501609A (ja) * | 2002-09-30 | 2006-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理システムにおける、堆積シールドを有する改良された上部電極板のための方法及び装置 |
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