JPH02167478A - 電流センサ - Google Patents
電流センサInfo
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- JPH02167478A JPH02167478A JP1210135A JP21013589A JPH02167478A JP H02167478 A JPH02167478 A JP H02167478A JP 1210135 A JP1210135 A JP 1210135A JP 21013589 A JP21013589 A JP 21013589A JP H02167478 A JPH02167478 A JP H02167478A
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- magnetic field
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
- G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
- G01R15/20—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、電流センサに関する。
(従来の技術)
電流を検出する代表的な方法としては、抵抗器の両端に
生じる電圧降下を検出する電圧降下法、ホール素子によ
る磁界検出法、変流器法等が知られている。
生じる電圧降下を検出する電圧降下法、ホール素子によ
る磁界検出法、変流器法等が知られている。
しかしながら、電圧降下法では線路電圧が高いときに絶
縁を確保することが困難である。したがって、利用でき
る範囲が非常に限られる。また、線路に流れる電流が大
きいときには抵抗器での発熱も問題となる。ホール素子
を用いた磁界検出法では、ホール素子特有の温度ドリフ
トの問題かある。このため、電流を正確に検出すること
が本質的に困難である。また、変流器法は磁束の変化を
利用するものであるが、安定性に難点がある。このよう
に、従来の電流検出法にあっては、簡便で、直流から交
流まで精度良く、しかも安定に検出できない問題があっ
た。
縁を確保することが困難である。したがって、利用でき
る範囲が非常に限られる。また、線路に流れる電流が大
きいときには抵抗器での発熱も問題となる。ホール素子
を用いた磁界検出法では、ホール素子特有の温度ドリフ
トの問題かある。このため、電流を正確に検出すること
が本質的に困難である。また、変流器法は磁束の変化を
利用するものであるが、安定性に難点がある。このよう
に、従来の電流検出法にあっては、簡便で、直流から交
流まで精度良く、しかも安定に検出できない問題があっ
た。
(発明が解決しようとする課題)
上述の如く、従来の電流検出法では利用できる範囲が非
常に狭かったり、安定性に欠けたり、あるいは検出精度
を高めることができなかったりする問題があった。
常に狭かったり、安定性に欠けたり、あるいは検出精度
を高めることができなかったりする問題があった。
そこで本発明は、線路電圧に左右されずに、また温度の
影響を受けずに直流から交流まで高精度に検出でき、し
かも使いやすい電流センサを提供することを目的として
いる。
影響を受けずに直流から交流まで高精度に検出でき、し
かも使いやすい電流センサを提供することを目的として
いる。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
上記目的を遠戚するために、本発明に係る電流センサは
、被検出電流の通路となる導体の近傍に配置され、この
導体に流れる電流によって生じる磁界に感応して磁気特
性か変化する磁気異方性の付与された非晶質磁性金属体
と、この非晶質磁性金属体に直流バイアス磁界を印加す
る手段と、発生した磁束の少なくとも一部を前記非晶質
磁性材に通過させ得る位置に上記非晶質磁性金属体と組
をなす関係に設けられ、上記非晶質磁性金属体の磁気特
性に対応した電気的特性値を示すコイルと、このコイル
の電気的特性値に対応した出力を送出する手段とで構成
されている。
、被検出電流の通路となる導体の近傍に配置され、この
導体に流れる電流によって生じる磁界に感応して磁気特
性か変化する磁気異方性の付与された非晶質磁性金属体
と、この非晶質磁性金属体に直流バイアス磁界を印加す
る手段と、発生した磁束の少なくとも一部を前記非晶質
磁性材に通過させ得る位置に上記非晶質磁性金属体と組
をなす関係に設けられ、上記非晶質磁性金属体の磁気特
性に対応した電気的特性値を示すコイルと、このコイル
の電気的特性値に対応した出力を送出する手段とで構成
されている。
(作 用)
磁気異方性の付与された非晶質磁性金属体は、印加磁界
の変化に対して、その磁気特性が高感度に変化する。こ
の感度は温度の変化に対して安定している。導体に電流
が流れると、導体の回りに電流の大きさに対応した強さ
の磁界が発生する。
の変化に対して、その磁気特性が高感度に変化する。こ
の感度は温度の変化に対して安定している。導体に電流
が流れると、導体の回りに電流の大きさに対応した強さ
の磁界が発生する。
この磁界に感応して非晶質磁性金属体の磁気特性が変化
する。この変化に応じてコイルの電気的特性値、たとえ
ば交流インピーダンスが変化する。
する。この変化に応じてコイルの電気的特性値、たとえ
ば交流インピーダンスが変化する。
したがって、コイルの交流インピーダンスは導体に流れ
る電流に対応したものとなる。このとき、直流バイアス
磁界は、導体に流れる電流に対する交流インピーダンス
変化の直線性の向上に寄与する。
る電流に対応したものとなる。このとき、直流バイアス
磁界は、導体に流れる電流に対する交流インピーダンス
変化の直線性の向上に寄与する。
(実施例)
以下、図面を参照しながら実施例を説明する。
第1図には本発明の一実施例に係る電流センサ10の概
略構成が示されている。
略構成が示されている。
この電流センサー0は、大きく分けて、検出部12と、
信号処理部14とで構成されている。
信号処理部14とで構成されている。
検出部12は、この例では非磁性材で円柱状あるいは角
柱状に形成された芯材16と、この芯材16の外周に巻
き付けられた非晶質磁性金属箔18と、この非晶質磁性
金属箔18の外周に装着されたコイル20と、このコイ
ル20の外周にコイル20とは絶縁状態に数ターンだけ
巻回された被検出電流通電用の導体22と、図示極性に
着磁された直流バイアス磁界印加用の永久磁石24と、
互いの一端側で永久磁石24を挟むとともに互いの他端
側で芯材16を軸心線方向に挟むように配置されたヨー
ク26.28とて構成されている。
柱状に形成された芯材16と、この芯材16の外周に巻
き付けられた非晶質磁性金属箔18と、この非晶質磁性
金属箔18の外周に装着されたコイル20と、このコイ
ル20の外周にコイル20とは絶縁状態に数ターンだけ
巻回された被検出電流通電用の導体22と、図示極性に
着磁された直流バイアス磁界印加用の永久磁石24と、
互いの一端側で永久磁石24を挟むとともに互いの他端
側で芯材16を軸心線方向に挟むように配置されたヨー
ク26.28とて構成されている。
非晶質磁性金属箔18としては、芯材16の軸心線と直
交する線に対して角度αの方向を磁化容易軸とする一軸
異方性の付与されたものが用いられている。
交する線に対して角度αの方向を磁化容易軸とする一軸
異方性の付与されたものが用いられている。
一方、信号処理部14は、ある周波数fの交流電圧をコ
イル20に印加し、コイル20の交流インピーダンスに
対応したレベルの出力■。を送出するように構成されて
いる。
イル20に印加し、コイル20の交流インピーダンスに
対応したレベルの出力■。を送出するように構成されて
いる。
次に、上記のように構成された電流センサー0の動作を
説明する。
説明する。
ます、信号処理部14を動作させると、コイル20が交
流電源によって励磁される。この状態で、導体22に被
検出電流Iを流すと、この導体22で、コイル20の外
周に巻回されている部分22aが電流■に対応した磁界
H1を発生する。
流電源によって励磁される。この状態で、導体22に被
検出電流Iを流すと、この導体22で、コイル20の外
周に巻回されている部分22aが電流■に対応した磁界
H1を発生する。
この磁界H,は非晶質磁性金属箔18に対して軸方向に
印加される。非晶質磁性金属箔18は、軸異方性を有し
ているため、磁界H1が印加されると、この磁界H,に
感応して磁気特性、具体的には透磁率が変化する。
印加される。非晶質磁性金属箔18は、軸異方性を有し
ているため、磁界H1が印加されると、この磁界H,に
感応して磁気特性、具体的には透磁率が変化する。
このように非晶質磁性金属箔18の透磁率が変化すると
、コイル20の交流インピーダンスが変化する。したが
って、導体22に流れる電流Iのレベルに応じてコイル
20の交流インピーダンスが変化することになる。信号
処理部14は、コイル20の交流インピーダンスに対応
した出力V。
、コイル20の交流インピーダンスが変化する。したが
って、導体22に流れる電流Iのレベルに応じてコイル
20の交流インピーダンスが変化することになる。信号
処理部14は、コイル20の交流インピーダンスに対応
した出力V。
を送出する。
ところで、永久磁石24は、ヨーク26.28を介して
非晶質磁性金属箔18に軸方向の直流バイアス磁界HB
を印加する。この直流バイアス磁界HBの印加によって
、非晶質磁性金属箔18の透磁率変化が非直線となる領
域、つまり磁界H。
非晶質磁性金属箔18に軸方向の直流バイアス磁界HB
を印加する。この直流バイアス磁界HBの印加によって
、非晶質磁性金属箔18の透磁率変化が非直線となる領
域、つまり磁界H。
の零付近において透磁率変化が非直線になるのを防止す
る。この防止によって、導体22に流れる電流■と出力
V。との対応関係を直線に近付けることが可能となる。
る。この防止によって、導体22に流れる電流■と出力
V。との対応関係を直線に近付けることが可能となる。
ここで、−軸異方性を有した非晶質磁性金属箔18に磁
界Mlを印加すると、磁界H1に応じて非晶質磁性金属
箔18の透磁率が変化する現象をさらに詳しく説明する
と以下の通りである。
界Mlを印加すると、磁界H1に応じて非晶質磁性金属
箔18の透磁率が変化する現象をさらに詳しく説明する
と以下の通りである。
すなわち、導体22に流れる電流■によって生じた磁界
をHl、永久磁石24による直流バイアス磁界をHB1
コイル20で発生した磁界をHPとすると、これらは第
2図に示すように、非晶質磁性金属箔体8に対して同一
の線に沿って印加される。第2図では、磁界H1、HB
が同一方向に、また磁界H7が磁界HBとは反対方向に
印加された場合を示している。非晶質磁性金属箔18の
磁気異方性定数をKuとすると、このKuは箔材の組成
によって決まる。Kuの方向、つまり磁化容易軸の方向
αは、通常Oくα〈±π/2の範囲である。第2図では
、α霊π/4の場合を示している。第2図中、I5は飽
和磁化を示している。この飽和磁化ISは非晶質磁性金
属箔18の組成や処理によって決まる定数である。
をHl、永久磁石24による直流バイアス磁界をHB1
コイル20で発生した磁界をHPとすると、これらは第
2図に示すように、非晶質磁性金属箔体8に対して同一
の線に沿って印加される。第2図では、磁界H1、HB
が同一方向に、また磁界H7が磁界HBとは反対方向に
印加された場合を示している。非晶質磁性金属箔18の
磁気異方性定数をKuとすると、このKuは箔材の組成
によって決まる。Kuの方向、つまり磁化容易軸の方向
αは、通常Oくα〈±π/2の範囲である。第2図では
、α霊π/4の場合を示している。第2図中、I5は飽
和磁化を示している。この飽和磁化ISは非晶質磁性金
属箔18の組成や処理によって決まる定数である。
第2図から非晶質磁性金属箔18の磁気的エネルギEを
求めると、 E=Ku 5in2(π/4−θ) Is (HP +HB Hl ) sinθ・・・
(1) となる。飽和磁化ISの角度θは、(1)式のエネルギ
が最小となる条件、ill E/9θ=0により求まる
。一方、磁界HPの方向の飽和磁化の大きさloは、 lo−ISsinθ −(2)となる
。コイル20の交流インピーダンスは■。
求めると、 E=Ku 5in2(π/4−θ) Is (HP +HB Hl ) sinθ・・・
(1) となる。飽和磁化ISの角度θは、(1)式のエネルギ
が最小となる条件、ill E/9θ=0により求まる
。一方、磁界HPの方向の飽和磁化の大きさloは、 lo−ISsinθ −(2)となる
。コイル20の交流インピーダンスは■。
に比例する。(1) 、(2)式から判るように、I。
は導体22に流れる電流Iによって生じる磁界H1の関
数である。したがって、コイル2oの交流インピーダン
スは電流Iによって変化する。このため、信号処理部1
4の出力V。は電流■に対応したものとなり、結局、電
流センサとしての機能が発揮されることになる。
数である。したがって、コイル2oの交流インピーダン
スは電流Iによって変化する。このため、信号処理部1
4の出力V。は電流■に対応したものとなり、結局、電
流センサとしての機能が発揮されることになる。
第3図には本発明の別の実施例に係る電流センサ10a
の概略構成が示されている。この実施例に係る電流セン
サ10aは、周囲温度の影響を完全に除去できるように
している。
の概略構成が示されている。この実施例に係る電流セン
サ10aは、周囲温度の影響を完全に除去できるように
している。
この電流センサ10aも、大きく分けると、検出部12
aと、信号処理部14aとで構成されている。
aと、信号処理部14aとで構成されている。
検出部12aは、非磁性材で円柱状あるいは角柱状に形
成されて平行に配置された一対の芯材30.32と、こ
れら芯材30,32の外周に巻き付けられた非晶質磁性
金属箔34.36と、これら非晶質磁性金属箔34.3
6の外周に装着されたコイル38.4のと、これらコイ
ル38.40の外周に絶縁状態で順次数ターンずつ巻回
された被検出電流通電用の導体42と、芯材3oと32
との間に配置されるとともに図示極性に着磁された直流
バイアス磁界印加用の永久磁石44と、この永久磁石4
4から出た磁束を非晶質磁性金属箔34.36に対して
軸方向に印加すべく配置されたヨーク46.48とで構
成されている。なお、非晶質磁性金属箔34.36とし
ては、芯材30.32の軸心線と直交する線に対して角
度α(α−π/4)の方向を磁化容易軸とする一軸異方
性の付与されたものが用いられている。そして、これら
非晶質磁性金属箔34.36は、互いの磁化容易軸の方
向間に(π/2)の位相差を持つように各芯材30.3
2に巻き付けられている。また、導体42で、各コイル
38.40の外周に数タンずつ巻回された部分42a、
42bは、導体42に電流■が流れたとき、図中破線矢
印で示すように逆向きの磁界H■、HI2を発生するよ
うに巻回方向が設定されている。
成されて平行に配置された一対の芯材30.32と、こ
れら芯材30,32の外周に巻き付けられた非晶質磁性
金属箔34.36と、これら非晶質磁性金属箔34.3
6の外周に装着されたコイル38.4のと、これらコイ
ル38.40の外周に絶縁状態で順次数ターンずつ巻回
された被検出電流通電用の導体42と、芯材3oと32
との間に配置されるとともに図示極性に着磁された直流
バイアス磁界印加用の永久磁石44と、この永久磁石4
4から出た磁束を非晶質磁性金属箔34.36に対して
軸方向に印加すべく配置されたヨーク46.48とで構
成されている。なお、非晶質磁性金属箔34.36とし
ては、芯材30.32の軸心線と直交する線に対して角
度α(α−π/4)の方向を磁化容易軸とする一軸異方
性の付与されたものが用いられている。そして、これら
非晶質磁性金属箔34.36は、互いの磁化容易軸の方
向間に(π/2)の位相差を持つように各芯材30.3
2に巻き付けられている。また、導体42で、各コイル
38.40の外周に数タンずつ巻回された部分42a、
42bは、導体42に電流■が流れたとき、図中破線矢
印で示すように逆向きの磁界H■、HI2を発生するよ
うに巻回方向が設定されている。
一方、信号処理部14aは第4図に示すように構成され
ている。すなわち、上述したコイル38.40と抵抗器
50,52とでブリッジ回路53を構成し、このブリッ
ジ回路53の電源入力端をバランス調整用の可変抵抗器
54.56を介して交流発振器58の出力端に接続して
いる。そして、ブリッジ回路の中点間型位差を差動増幅
器60に入力し、この差動増幅器60の出力を位相設定
器62によって位相設定された位相検波回路64で検波
整流し、この出力をフィルタ回路66で平滑した後、出
力V。として送出するようにしている。
ている。すなわち、上述したコイル38.40と抵抗器
50,52とでブリッジ回路53を構成し、このブリッ
ジ回路53の電源入力端をバランス調整用の可変抵抗器
54.56を介して交流発振器58の出力端に接続して
いる。そして、ブリッジ回路の中点間型位差を差動増幅
器60に入力し、この差動増幅器60の出力を位相設定
器62によって位相設定された位相検波回路64で検波
整流し、この出力をフィルタ回路66で平滑した後、出
力V。として送出するようにしている。
このように槽底された電流センサ10aでは、温度変化
の影響をほとんど受けない。したかって、正確な電流検
出を実現できる。
の影響をほとんど受けない。したかって、正確な電流検
出を実現できる。
すなわち、導体42に電流Iが流れると、部分42a、
42bにおいて図中破線矢印で示す磁界H1l、B12
が発生する。この磁界H11、H,□は非晶質磁性金属
箔34.36に対して第5図に示すように印加される。
42bにおいて図中破線矢印で示す磁界H1l、B12
が発生する。この磁界H11、H,□は非晶質磁性金属
箔34.36に対して第5図に示すように印加される。
一方、各非晶質磁性金属箔34.36には永久磁石44
による直流バイアス磁界HB1、HB2と、コイル38
.40で発生した磁界HP1、B12とが第5図に示す
ように印加される。この例では、非晶質磁性金属箔34
については、Hlo、HB□、HPlが同方向に印加さ
れる。ま1 ま た、非晶質磁性金属箔36については、HB2、HF2
が同方向に、HI3が逆方向に印加される。第5図中、
Ku、、Ku2は第2図において説明した磁気異方性定
数であり、この例ではαらπ/4である。また、ISI
、IS2も第2図において説明した飽和磁化である。
による直流バイアス磁界HB1、HB2と、コイル38
.40で発生した磁界HP1、B12とが第5図に示す
ように印加される。この例では、非晶質磁性金属箔34
については、Hlo、HB□、HPlが同方向に印加さ
れる。ま1 ま た、非晶質磁性金属箔36については、HB2、HF2
が同方向に、HI3が逆方向に印加される。第5図中、
Ku、、Ku2は第2図において説明した磁気異方性定
数であり、この例ではαらπ/4である。また、ISI
、IS2も第2図において説明した飽和磁化である。
非晶質磁性金属箔34の磁気的エネルギE1は、E、−
Ku、sin 2 (π/4−01)I s+ (Hp
++ HBl+ Hz) Sinθ1・・・(3〉 で表され、同様に非晶質磁性金属箔36の磁気的エネル
ギE2は、 B2−KLI2 sin 2(θ2 π/4)I S
2 (HP2+ HB2 H12) sinθ2・・
・(4) で表される。飽和磁化ISI、I S2の角度θ1θ2
は、(3)、(4)式のエネルギが最小になる条件、a
El /2 B+ =0. aE2 /aθ2=Oi
::より求まる。
Ku、sin 2 (π/4−01)I s+ (Hp
++ HBl+ Hz) Sinθ1・・・(3〉 で表され、同様に非晶質磁性金属箔36の磁気的エネル
ギE2は、 B2−KLI2 sin 2(θ2 π/4)I S
2 (HP2+ HB2 H12) sinθ2・・
・(4) で表される。飽和磁化ISI、I S2の角度θ1θ2
は、(3)、(4)式のエネルギが最小になる条件、a
El /2 B+ =0. aE2 /aθ2=Oi
::より求まる。
磁界HP1、B22の方向の飽和磁化の大きさ、IOI
S IO2は1 1 o+= I s+!;in θ1−(5)I 0
2= I 52sin θ2
−(6)。
S IO2は1 1 o+= I s+!;in θ1−(5)I 0
2= I 52sin θ2
−(6)。
である。
コイル38.40の交流インピーダンスは、それぞれI
OI、IO2に比例する。(3) 、(4) 、(5)
、(6)式から分かるように、Ioい I。2は導体4
2に流れる電流■によって生じる磁界H1□、H1□の
関数である。したがって、コイル38.40の交流イン
ピーダンスは導体42に流れる電流Iによって変化する
ことになる。このため、信号処理部14aの出力V。は
導体42に流れる電流の大きさに対応したものとなり、
結局、この例のおいても電流センサとしての機能が発揮
されることになる。
OI、IO2に比例する。(3) 、(4) 、(5)
、(6)式から分かるように、Ioい I。2は導体4
2に流れる電流■によって生じる磁界H1□、H1□の
関数である。したがって、コイル38.40の交流イン
ピーダンスは導体42に流れる電流Iによって変化する
ことになる。このため、信号処理部14aの出力V。は
導体42に流れる電流の大きさに対応したものとなり、
結局、この例のおいても電流センサとしての機能が発揮
されることになる。
そして、この実施例の場合には永久磁石44で直流バイ
アス磁界を印加したことによる効果は勿論のこと、いわ
ゆる2組の検出部を設けてブリッジ回路構成で出力を取
り出すようにしているので、温度による影響を相殺でき
、誤差の少ない検出が可能となる。
アス磁界を印加したことによる効果は勿論のこと、いわ
ゆる2組の検出部を設けてブリッジ回路構成で出力を取
り出すようにしているので、温度による影響を相殺でき
、誤差の少ない検出が可能となる。
実験によると、導体42の部分42a、42bのターン
数4、永久磁石44の表面磁束密度500ガウス、コイ
ル38.40のターン数240、芯材30.32の長さ
30111111%径6111111%非晶質磁性金属
箔34.36の幅4)に設定された第3図に示す検出部
構成で、周波数100 K Hz 、 1.[i V
(rms )の電圧をブリッジ回路53に印加し、導体
電流■と出力V。との関係を調べたところ、第6図中に
実線で示す結果を得た。この図から分かるように、導体
電流■が±5Aの範囲で直線性の良い出力voが得られ
ている。これに対し、永久磁石44およびヨーク46.
48を取り外したところ、第6図中に零点を合わせて二
点鎖線で示すように、導体電流が小さい領域において出
力V。に非直線性の現れる結果が得られた。この結果か
ら、直流バイアス磁界を印加して非直線領域を避けるこ
とが有効であることが分かる。
数4、永久磁石44の表面磁束密度500ガウス、コイ
ル38.40のターン数240、芯材30.32の長さ
30111111%径6111111%非晶質磁性金属
箔34.36の幅4)に設定された第3図に示す検出部
構成で、周波数100 K Hz 、 1.[i V
(rms )の電圧をブリッジ回路53に印加し、導体
電流■と出力V。との関係を調べたところ、第6図中に
実線で示す結果を得た。この図から分かるように、導体
電流■が±5Aの範囲で直線性の良い出力voが得られ
ている。これに対し、永久磁石44およびヨーク46.
48を取り外したところ、第6図中に零点を合わせて二
点鎖線で示すように、導体電流が小さい領域において出
力V。に非直線性の現れる結果が得られた。この結果か
ら、直流バイアス磁界を印加して非直線領域を避けるこ
とが有効であることが分かる。
また、導体電流Iを5Aに保ち、検出部の温度を一20
℃から+60℃まで変化させ、このときの出力の変動を
調べてみた。この結果、±0,04%/℃の割合で変動
した。しかし、この値は検出電流の1/2500であり
、温度変化に対して十分な安定性を有していることも判
った。
℃から+60℃まで変化させ、このときの出力の変動を
調べてみた。この結果、±0,04%/℃の割合で変動
した。しかし、この値は検出電流の1/2500であり
、温度変化に対して十分な安定性を有していることも判
った。
第7図には本発明の別の実施例に係る電流センサ10b
が示されている。
が示されている。
この電流センサ10bは、検出部12bの構成に特徴を
有している。この検出部12bは、非晶質磁性金属箔と
コイルとからなる組を2組設け、これらを同軸的に配置
したものとなっている。
有している。この検出部12bは、非晶質磁性金属箔と
コイルとからなる組を2組設け、これらを同軸的に配置
したものとなっている。
すなわち、図中70は磁性材で形成された筒体を示して
いる。この筒体70内には、絶縁材で環状に形成された
ボビン72と、図示極性に着磁され、環状に形成された
バイアス磁界印加用の永久磁石74と、絶縁材で環状に
形成されたボビン76とが上記順に同軸的に収容されて
いる。ボビン72.76の外周にはそれぞれ非晶質磁性
金属箔78.80が巻き付けられており、これら非晶質
磁性金属箔78.80の外周にはそれぞれコイル82.
84が装着されている。非晶質磁性金属箔78.80に
は、ボビン72.74の軸心線と直交する線に対して角
度αの方向を磁化容易軸とする一軸異方性処理が施され
ている。コイル82.84の外周には被検出電流通電用
の導体86が絶縁材を介して数ターンずつ巻回されてい
る。なお、導体86は、各ボビン72.76の枠壁に形
成された孔を経由して巻回されている。筒体70の両端
には磁性材で形成された端板88.90が装着されてい
る。端板88の中央部には比較的大きな孔92が形成さ
れており、端板90の中央部にはねじ孔94が形成され
ている。また、端板88.90の周縁部には前述した導
体86を貫通させるための孔96.98がそれぞれ形成
されている。
いる。この筒体70内には、絶縁材で環状に形成された
ボビン72と、図示極性に着磁され、環状に形成された
バイアス磁界印加用の永久磁石74と、絶縁材で環状に
形成されたボビン76とが上記順に同軸的に収容されて
いる。ボビン72.76の外周にはそれぞれ非晶質磁性
金属箔78.80が巻き付けられており、これら非晶質
磁性金属箔78.80の外周にはそれぞれコイル82.
84が装着されている。非晶質磁性金属箔78.80に
は、ボビン72.74の軸心線と直交する線に対して角
度αの方向を磁化容易軸とする一軸異方性処理が施され
ている。コイル82.84の外周には被検出電流通電用
の導体86が絶縁材を介して数ターンずつ巻回されてい
る。なお、導体86は、各ボビン72.76の枠壁に形
成された孔を経由して巻回されている。筒体70の両端
には磁性材で形成された端板88.90が装着されてい
る。端板88の中央部には比較的大きな孔92が形成さ
れており、端板90の中央部にはねじ孔94が形成され
ている。また、端板88.90の周縁部には前述した導
体86を貫通させるための孔96.98がそれぞれ形成
されている。
そして、端板88側から、端板88に設けられた孔92
、ボビン72の軸心部に設けられた孔1001永久磁石
74の軸心部に設けられた孔102、ボビン76の軸心
部に設けられた孔104を通して非磁性材で形成された
ボルト106を挿入し、このボルト106を端板90に
設けられたねじ孔94に締め付けることによって、筒体
70、端板88.90からなるヨークの形成と、筒体7
0内に収容されている要素の固定とを実現している。な
お、コイル82.84の両端は、各ボビン72.76の
枠壁に形成された図示しない孔および各端板88.90
に形成された図示しない孔を通して外部へ導かれている
。
、ボビン72の軸心部に設けられた孔1001永久磁石
74の軸心部に設けられた孔102、ボビン76の軸心
部に設けられた孔104を通して非磁性材で形成された
ボルト106を挿入し、このボルト106を端板90に
設けられたねじ孔94に締め付けることによって、筒体
70、端板88.90からなるヨークの形成と、筒体7
0内に収容されている要素の固定とを実現している。な
お、コイル82.84の両端は、各ボビン72.76の
枠壁に形成された図示しない孔および各端板88.90
に形成された図示しない孔を通して外部へ導かれている
。
このように構成された検出部12bにおける各コイル8
2.84は、信号処理部14bに接続されている。信号
処理部14bは、第4図に示した信号処理部14aと同
様に構成されている。すなわち、第4図におけるコイル
38.40をコイル82.84に置き換えたものとなっ
ている。
2.84は、信号処理部14bに接続されている。信号
処理部14bは、第4図に示した信号処理部14aと同
様に構成されている。すなわち、第4図におけるコイル
38.40をコイル82.84に置き換えたものとなっ
ている。
したがって、この実施例に係る電流センサ10bも、第
3図に示した電流センサ10aと同様な原理で電流を高
精度に検出することができる。
3図に示した電流センサ10aと同様な原理で電流を高
精度に検出することができる。
第8図には本発明のさらに別の実施例に係る電流センサ
10cが示されている。この実施例に係る電流センサ1
0cは、既に配設されている電流通電用の導体や大型の
電流通電用の導体をそのまま利用できるように工夫され
ている。
10cが示されている。この実施例に係る電流センサ1
0cは、既に配設されている電流通電用の導体や大型の
電流通電用の導体をそのまま利用できるように工夫され
ている。
すなわち、図中200は、たとえば数10OA以上の電
流を流すことが可能な電流通電用の導体を示している。
流を流すことが可能な電流通電用の導体を示している。
このような導体200は、通常、断面が矩形に形成され
ている場合が多い。導体200の図中上面には絶縁基板
202が適宜な手段で固定されており、この絶縁基板2
02上に電流センサ10cの主要部が搭載されている。
ている場合が多い。導体200の図中上面には絶縁基板
202が適宜な手段で固定されており、この絶縁基板2
02上に電流センサ10cの主要部が搭載されている。
電流センサ10cは、大きく分けて、検出部12cと、
信号処理部14cとで構成されている。
信号処理部14cとで構成されている。
検出部12cは、第9図に示すように、検出部本体20
4と、バイアス磁界印加用の永久磁石206とで構成さ
れている。検出部本体204は、第10図に示すように
、平板状に形成されるとともに長手辺を導体200に流
れる電流Iの方向に対して直交させて絶縁基板202上
に固定された非晶質磁性金属板20gと、この非晶質磁
性金属板208上に固定された薄い絶縁板210と、こ
の絶縁板210上に固定された可撓性を有する絶縁板2
12と、この絶縁板212上に非晶質磁性金属板208
の長手辺に沿う方向に2個設けられた渦巻状パターンコ
イル2]4a、2]、4bと、絶縁板212上に渦巻状
パターンコイル214 a %214bを覆うように固
定された薄い絶縁板216とで構成されている。なお、
非晶質磁性金属板208には、その長手辺と直交する線
に対して角度αの方向を磁化容易軸とする一軸異方性処
理が施されている。また、渦巻状パターンコイル214
a、214bは、互いに渦巻き方向が同方向となるよう
に形成されており、中心端同志が絶縁板212の背面に
配設された接続線218によって接続されている。そし
て、渦巻状パターンコイル214aの最外端はリード線
220を介して端子222に接続されている。同様に渦
巻状バタンコイル214bの最外端もリード線224を
介して端子226に接続されている。
4と、バイアス磁界印加用の永久磁石206とで構成さ
れている。検出部本体204は、第10図に示すように
、平板状に形成されるとともに長手辺を導体200に流
れる電流Iの方向に対して直交させて絶縁基板202上
に固定された非晶質磁性金属板20gと、この非晶質磁
性金属板208上に固定された薄い絶縁板210と、こ
の絶縁板210上に固定された可撓性を有する絶縁板2
12と、この絶縁板212上に非晶質磁性金属板208
の長手辺に沿う方向に2個設けられた渦巻状パターンコ
イル2]4a、2]、4bと、絶縁板212上に渦巻状
パターンコイル214 a %214bを覆うように固
定された薄い絶縁板216とで構成されている。なお、
非晶質磁性金属板208には、その長手辺と直交する線
に対して角度αの方向を磁化容易軸とする一軸異方性処
理が施されている。また、渦巻状パターンコイル214
a、214bは、互いに渦巻き方向が同方向となるよう
に形成されており、中心端同志が絶縁板212の背面に
配設された接続線218によって接続されている。そし
て、渦巻状パターンコイル214aの最外端はリード線
220を介して端子222に接続されている。同様に渦
巻状バタンコイル214bの最外端もリード線224を
介して端子226に接続されている。
一方、前記永久磁石206は、第9図に示すように、N
極を渦巻状パターンコイル214aに対向させ、S極を
渦巻状パターンコイル214bに対向させる関係に絶縁
板216上に固定されている。
極を渦巻状パターンコイル214aに対向させ、S極を
渦巻状パターンコイル214bに対向させる関係に絶縁
板216上に固定されている。
直列に接続された渦巻状パターンコイル21.4a、2
14bは、信号処理装置14cに接続されている。この
信号処理装置14cは、第4図に示したものとほぼ同様
に構成されている。
14bは、信号処理装置14cに接続されている。この
信号処理装置14cは、第4図に示したものとほぼ同様
に構成されている。
このような構成であると、導体200に第8図中に実戦
矢印で示すように電流Iが流れると。この電流Iによっ
て導体200の回りに第8図中に2点鎖線で示すように
磁界H!が発生する。この磁界H,は第11図に示すよ
うに非晶質磁性金属板208に印加される。一方、信号
処理装置14cを動作させると、直列接続された渦巻状
パターンコイル214a、214bに交流電源が印加さ
れる。このため、渦巻状パターンコイル214a、21
4bが磁界を発生する。この場合、渦巻状パターンコイ
ル214a、214bで発生した磁界は互いに逆向きで
ある。このため、非晶質磁性金属板208には、第11
図中に実線で示すように、渦巻状パターンコイル214
a、214bで発生した磁界HPか磁界H1と平行に印
加される。また、永久磁石206の存在にょって非晶質
磁性金属板208にはバイアス磁界HBが磁界H1と平
行に印加される。
矢印で示すように電流Iが流れると。この電流Iによっ
て導体200の回りに第8図中に2点鎖線で示すように
磁界H!が発生する。この磁界H,は第11図に示すよ
うに非晶質磁性金属板208に印加される。一方、信号
処理装置14cを動作させると、直列接続された渦巻状
パターンコイル214a、214bに交流電源が印加さ
れる。このため、渦巻状パターンコイル214a、21
4bが磁界を発生する。この場合、渦巻状パターンコイ
ル214a、214bで発生した磁界は互いに逆向きで
ある。このため、非晶質磁性金属板208には、第11
図中に実線で示すように、渦巻状パターンコイル214
a、214bで発生した磁界HPか磁界H1と平行に印
加される。また、永久磁石206の存在にょって非晶質
磁性金属板208にはバイアス磁界HBが磁界H1と平
行に印加される。
前述の如く、非晶質磁性金属板208は、その長手辺と
直交する線、換言すると、磁界H1の方向と直交する線
に対して角度αの方向を磁化容易軸とする磁気異方性が
付与されている。このような非晶質磁性金属板208に
磁界HI HP、HBが印加される様子は、第2図を
用いて説明した状態とまった(同じである。したがって
、この例においても、導体200に流れる電流Iが変化
すると、これに伴って渦巻状パターンコイル214a、
214bの交流インピーダンスが変化するとことになり
、結局、前記実施例と同様に電流を検出することができ
る。
直交する線、換言すると、磁界H1の方向と直交する線
に対して角度αの方向を磁化容易軸とする磁気異方性が
付与されている。このような非晶質磁性金属板208に
磁界HI HP、HBが印加される様子は、第2図を
用いて説明した状態とまった(同じである。したがって
、この例においても、導体200に流れる電流Iが変化
すると、これに伴って渦巻状パターンコイル214a、
214bの交流インピーダンスが変化するとことになり
、結局、前記実施例と同様に電流を検出することができ
る。
そして、この場合には、平板状の非晶質磁性金属板20
8と一対の渦巻状パターンコイル214a、214bと
を前記関係に組み合わせているので、格別な電流通電用
の導体を設ける必要がなく、既存の導体等をそのまま利
用することが可能となる。
8と一対の渦巻状パターンコイル214a、214bと
を前記関係に組み合わせているので、格別な電流通電用
の導体を設ける必要がなく、既存の導体等をそのまま利
用することが可能となる。
第12図には本発明のさらに異なる実施例に係る電流セ
ンサ10dが示されている。この実施例に係る電流セン
サ10dは、第8図に示した検出部構成を採用し、かつ
周囲温度の影響を除去できるようにしている。したがっ
て、この第12図では第8図と同一部分が同一符号で示
されている。
ンサ10dが示されている。この実施例に係る電流セン
サ10dは、第8図に示した検出部構成を採用し、かつ
周囲温度の影響を除去できるようにしている。したがっ
て、この第12図では第8図と同一部分が同一符号で示
されている。
この実施例に係る電流センサ10dも、検出部]−2d
と、信号処理部14dとで構成されている。
と、信号処理部14dとで構成されている。
検出部12dは、絶縁基板202上に、長手辺を導体2
00に流れる電流■の方向に対して直交させ、互いに平
行に配置された第1、第2の検出部230 aと230
bとで構成されている。第1、第2の検出部230a、
230bは、それぞれ第9図および第10図に示した検
出部と同様に構成されている。ただし、この例では、第
13図に示すように、直流バイアス磁界HB1、HB□
の印加方向に180度の位相差を持たせている。
00に流れる電流■の方向に対して直交させ、互いに平
行に配置された第1、第2の検出部230 aと230
bとで構成されている。第1、第2の検出部230a、
230bは、それぞれ第9図および第10図に示した検
出部と同様に構成されている。ただし、この例では、第
13図に示すように、直流バイアス磁界HB1、HB□
の印加方向に180度の位相差を持たせている。
第1および第2の検出部230a、230bのそれぞれ
直列接続された渦巻状パターンコイルは、信号処理部1
4dに接続されている。この信号処理部14dは第4図
に示す信号処理部1.4 aと同様に構成されている。
直列接続された渦巻状パターンコイルは、信号処理部1
4dに接続されている。この信号処理部14dは第4図
に示す信号処理部1.4 aと同様に構成されている。
すなわち、第4図に示すコイル38.40を、第1およ
び第2の検出部230a、230bのそれぞれ直列接続
された渦\ 巻状パターンコイルに置き換えたものとなっている。
び第2の検出部230a、230bのそれぞれ直列接続
された渦\ 巻状パターンコイルに置き換えたものとなっている。
このような構成であると、格別な電流通電用の導体を設
ける必要かなく、既存の導体等をそのまま利用できるば
かりか、第1および第2の検出部230a、230bに
組み込まれた渦巻状パターンコイルをブリッジ回路の2
辺として信号処理を行うようにしているので、第3図に
示した電流センサコ−Oaと同様に温度の影響を除去す
ることができる。
ける必要かなく、既存の導体等をそのまま利用できるば
かりか、第1および第2の検出部230a、230bに
組み込まれた渦巻状パターンコイルをブリッジ回路の2
辺として信号処理を行うようにしているので、第3図に
示した電流センサコ−Oaと同様に温度の影響を除去す
ることができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではない。
すなわち、上述した各実施例では、直流バイアス磁界を
永久磁石を用いて印加しているが、コイルを用いて印加
するようにしてもよい。また、第1図および第3図に示
した各実施例では検出用のコイルの外周に、被検出電流
通電用の導体を数ターンずつ巻回しているが、これはヨ
ークの部分に巻回してもよく、また芯材と永久磁石との
間に形成された空間部を貫通させるだけでもよい。
永久磁石を用いて印加しているが、コイルを用いて印加
するようにしてもよい。また、第1図および第3図に示
した各実施例では検出用のコイルの外周に、被検出電流
通電用の導体を数ターンずつ巻回しているが、これはヨ
ークの部分に巻回してもよく、また芯材と永久磁石との
間に形成された空間部を貫通させるだけでもよい。
また、芯材は必ずしも必要とするものではなく、非晶質
磁性金属体そのものを芯材と兼用させてもよい。また、
非晶質磁性金属箔を複数層に亙って巻き付ける場合には
、必要に応じて層間に絶縁層あるいは絶縁膜を設けるよ
うにしてもよい。また、本発明に係る電流センサは、交
流の場合でも検出できることは勿論である。その他、本
発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形することができ
る。
磁性金属体そのものを芯材と兼用させてもよい。また、
非晶質磁性金属箔を複数層に亙って巻き付ける場合には
、必要に応じて層間に絶縁層あるいは絶縁膜を設けるよ
うにしてもよい。また、本発明に係る電流センサは、交
流の場合でも検出できることは勿論である。その他、本
発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形することができ
る。
[発明の効果コ
以上のように、本発明によれば、線路導体に流れ電流に
よって生じる磁界に感応して磁気特性が変化する磁気異
方性を有した非晶質磁性金属体を設けるとともに上記非
晶質磁性金属体の磁気特性に感応して電気的特性値が変
化するコイルを用いて電流を検出しているので、電流セ
ンサと線路導体とを完全に電気絶縁できるばかりか、温
度によるドリフトを防止でき、しかも1つのセンサで直
流電流および交流電流を高精度に検出できる。また、非
晶質磁性金属体に常に直流バイアス磁界を印加するよう
にしているので、被検出電流と出力との間の直線性を向
上させることができ、使い易さも向上させることができ
る。
よって生じる磁界に感応して磁気特性が変化する磁気異
方性を有した非晶質磁性金属体を設けるとともに上記非
晶質磁性金属体の磁気特性に感応して電気的特性値が変
化するコイルを用いて電流を検出しているので、電流セ
ンサと線路導体とを完全に電気絶縁できるばかりか、温
度によるドリフトを防止でき、しかも1つのセンサで直
流電流および交流電流を高精度に検出できる。また、非
晶質磁性金属体に常に直流バイアス磁界を印加するよう
にしているので、被検出電流と出力との間の直線性を向
上させることができ、使い易さも向上させることができ
る。
第1図は本発明の一実施例に係る電流センサの概略構成
図、第2図は同センサの動作を説明するための図、第3
図は本発明の別の実施例に係る電流センサの概略構成図
、第4図は同センサにおける信号処理部の構成図、第5
図は同センサに組み込まれた非晶質磁性金属箔に印加さ
れる各磁界の方向を説明するための図、第6図は第3図
に示した電流センサの被検出電流と出力との関係の一例
を示す図、第7図は本発明のさらに別の実施例に係る電
流センサの概略構成図、第8図は本発明のさらに異なる
実施例に係る電流センサの斜視図、第9図は同センサに
おける検出部の側面図、第10図は同検出部を局部的に
取り出して示す分解斜視図、第11図は同検出部の作用
を説明するための図、第12図は本発明のさらに別の実
施例に係る電流センサの斜視図、第13図は同センサの
第1および第2の検出部に組み込まれた非晶質磁性金属
板に印加される磁界の方向を説明するための図である。 10.10a、10b、10c、10d−・・電流セン
サ、12,12a、12b、12c、12d・・・検出
部、14,14a、14b、14c。 14d・・・信号処理部、18,34,36,78゜8
0・・・非晶質磁性金属箔、20.38.40゜82.
84・・・コイル、22,42,86,200・・・被
検出電流通電用の導体、24,44,74゜206・・
・永久磁石、53・・・ブリッジ回路、208・・・非
晶質磁性金属板、214a、214b・・・渦巻状パタ
ーンコイル。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 HR> 6
図、第2図は同センサの動作を説明するための図、第3
図は本発明の別の実施例に係る電流センサの概略構成図
、第4図は同センサにおける信号処理部の構成図、第5
図は同センサに組み込まれた非晶質磁性金属箔に印加さ
れる各磁界の方向を説明するための図、第6図は第3図
に示した電流センサの被検出電流と出力との関係の一例
を示す図、第7図は本発明のさらに別の実施例に係る電
流センサの概略構成図、第8図は本発明のさらに異なる
実施例に係る電流センサの斜視図、第9図は同センサに
おける検出部の側面図、第10図は同検出部を局部的に
取り出して示す分解斜視図、第11図は同検出部の作用
を説明するための図、第12図は本発明のさらに別の実
施例に係る電流センサの斜視図、第13図は同センサの
第1および第2の検出部に組み込まれた非晶質磁性金属
板に印加される磁界の方向を説明するための図である。 10.10a、10b、10c、10d−・・電流セン
サ、12,12a、12b、12c、12d・・・検出
部、14,14a、14b、14c。 14d・・・信号処理部、18,34,36,78゜8
0・・・非晶質磁性金属箔、20.38.40゜82.
84・・・コイル、22,42,86,200・・・被
検出電流通電用の導体、24,44,74゜206・・
・永久磁石、53・・・ブリッジ回路、208・・・非
晶質磁性金属板、214a、214b・・・渦巻状パタ
ーンコイル。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 HR> 6
Claims (5)
- (1)被検出電流の通路となる導体の近傍に配置され、
上記導体に流れる電流によって生じる磁界に感応して磁
気特性が変化する磁気異方性の付与された非晶質磁性金
属体と、この非晶質磁性金属体に直流バイアス磁界を印
加する手段と、発生した磁束の少なくとも一部を前記非
晶質磁性金属体に通過させる得る位置に上記非晶質磁性
金属体と組をなす関係に設けられ、上記非晶質磁性金属
体の磁気特性に対応した電気的特性値を示すコイルと、
このコイルの電気的特性値に対応した出力を送出する手
段とを具備してなることを特徴とする電流センサ。 - (2)前記直流バイアス磁界を印加する手段は、永久磁
石を主体にして構成されていることを特徴とする請求項
1に記載の電流センサ。 - (3)前記非晶質磁性金属体は、前記導体に流れる電流
によって生じる磁界と、前記直流バイアス磁界と、前記
コイルが発生する磁界とが同一の線に沿って印加される
関係に配置されていることを特徴とする請求項1に記載
の電流センサ。 - (4)前記非晶質磁性金属体は平板状に形成されており
、この非晶質磁性金属体と組をなすコイルは上記非晶質
磁性金属体と平行に設けられた絶縁板上に、それぞれが
発生する磁束の向きが逆向きとなるように設けられた一
対の渦巻状パターンコイルで形成されていることを特徴
とする請求項1に記載の電流センサ。 - (5)前記非晶質磁性金属体と前記コイルとからなる組
が2組設けられており、前記出力を送出する手段は2つ
の辺を上記各組のコイルで構成したブリッジ回路の中点
間から得た信号を処理していることを特徴とする請求項
1に記載の電流センサ。
Priority Applications (4)
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- 1989-09-18 US US07/408,366 patent/US4963818A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-09-20 DE DE89309541T patent/DE68911449T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-09-20 EP EP89309541A patent/EP0360574B1/en not_active Expired - Lifetime
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EP0360574B1 (en) | 1993-12-15 |
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