JPH02143604A - 超高周波増幅器 - Google Patents
超高周波増幅器Info
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- JPH02143604A JPH02143604A JP29611688A JP29611688A JPH02143604A JP H02143604 A JPH02143604 A JP H02143604A JP 29611688 A JP29611688 A JP 29611688A JP 29611688 A JP29611688 A JP 29611688A JP H02143604 A JPH02143604 A JP H02143604A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し産業上の利用分野］
本発明は、半導体を使用した超高周波増幅器に関し、特
に混変調歪特性を改善できるようにした超高周波増幅器
に関する。
に混変調歪特性を改善できるようにした超高周波増幅器
に関する。
［従来の技術］
従来、半導体を使用した超高周波増幅器には、Ｇ、Ａ、
ＩＩＩＥＳ ＦＥＴを使用したソース接地型増幅器、
シリコンポーラトランジスタを使用したエミッタ接地型
増幅器あるいはベース接地型増幅器等が広く使用されて
いる。
ＩＩＩＥＳ ＦＥＴを使用したソース接地型増幅器、
シリコンポーラトランジスタを使用したエミッタ接地型
増幅器あるいはベース接地型増幅器等が広く使用されて
いる。
上述した超高周波増幅器の共通端子、すなわちソース接
地型増幅器におけるソース電極、あるいはエミッタ接地
型増幅器におけるエミッタ電極は、高周波的に最短距離
をもって接地されるように構成してあった。このような
構成は、共通端子に抵抗成分あるいはインダクタンス成
分が装荷されると見かけ上の相互コンダクタンスを減少
させ、これによって増幅器の利得か減少したり、高周波
特性を劣化させるためであった。
地型増幅器におけるソース電極、あるいはエミッタ接地
型増幅器におけるエミッタ電極は、高周波的に最短距離
をもって接地されるように構成してあった。このような
構成は、共通端子に抵抗成分あるいはインダクタンス成
分が装荷されると見かけ上の相互コンダクタンスを減少
させ、これによって増幅器の利得か減少したり、高周波
特性を劣化させるためであった。
ｔ５３図はソース接地ボンディングワイヤを最短距離を
もって接地した超高周波増幅器に要部拡大模式図である
。
もって接地した超高周波増幅器に要部拡大模式図である
。
同図において、ｌはハイブリッドＩＣの金属ケース、２
は金属ケースｌの上面に設けた半導体チップ、３は半導
体チップ２の近傍に設けた入力用基板、４は同じく出力
用基板である。３ａは入力用基板３に設けた入カバター
ンであり、半導体チップ２の入力端子側に入力側ボンデ
ィングワイヤ５によって接続しである。４ａは出力用基
板４に設けた出カバターンてあり、半導体チップ２の出
力端子側に出力側ボンディングワイヤ６によって接続し
である。
は金属ケースｌの上面に設けた半導体チップ、３は半導
体チップ２の近傍に設けた入力用基板、４は同じく出力
用基板である。３ａは入力用基板３に設けた入カバター
ンであり、半導体チップ２の入力端子側に入力側ボンデ
ィングワイヤ５によって接続しである。４ａは出力用基
板４に設けた出カバターンてあり、半導体チップ２の出
力端子側に出力側ボンディングワイヤ６によって接続し
である。
ｌＯは半導体チップ２に隣接して設けた一対の金属片で
あり、半導体チップ２のソース側にそれぞれソース接地
ボンディングワイヤ７によって接続しである。ソース接
地ボンディングワイヤ７は高周波特性が得られるように
最短距離をもって一対の金属片１０に接地されており、
それぞれの長さは０．５■鳳以下に形成されている。し
たがって、ソース接地ボンディングワイヤ７のインダク
タンスは、０．３〜０．５ｎＨ以下となっている。
あり、半導体チップ２のソース側にそれぞれソース接地
ボンディングワイヤ７によって接続しである。ソース接
地ボンディングワイヤ７は高周波特性が得られるように
最短距離をもって一対の金属片１０に接地されており、
それぞれの長さは０．５■鳳以下に形成されている。し
たがって、ソース接地ボンディングワイヤ７のインダク
タンスは、０．３〜０．５ｎＨ以下となっている。
また、二本並列接続にした場合のインダクタンスは０．
１５〜０．２５ｎＨ以下となっている。
１５〜０．２５ｎＨ以下となっている。
［解決すべき課題］
上述したように従来の超高周波増幅器は高周波特性を得
るために共通端子の抵抗成分、インダクタンス成分を減
少させていた。しかしながら、高周波特性を重視するあ
まりに抵抗成分、インダクタンス成分の減少を行なって
いくと増幅素子の相互コンダクタンスのばらつきを発生
し、このばらつきか増幅器の特性に影響を与え、製品の
歩留りを悪くするという問題かあった。また、＊導体素
子の有している非直線性も、同様に共通端子の抵抗成分
、インダクタンス成分か小さい場合には増幅器の特性に
影響を及ぼすため、混変調歪特性を悪化させるという問
題もあった。
るために共通端子の抵抗成分、インダクタンス成分を減
少させていた。しかしながら、高周波特性を重視するあ
まりに抵抗成分、インダクタンス成分の減少を行なって
いくと増幅素子の相互コンダクタンスのばらつきを発生
し、このばらつきか増幅器の特性に影響を与え、製品の
歩留りを悪くするという問題かあった。また、＊導体素
子の有している非直線性も、同様に共通端子の抵抗成分
、インダクタンス成分か小さい場合には増幅器の特性に
影響を及ぼすため、混変調歪特性を悪化させるという問
題もあった。
本発明は上述した問題点にかんがみてなされたもので、
製品の歩留りを悪化させることなく良好な混変調歪特性
を得られるようにした超高周波増幅器の提供を目的とす
る。
製品の歩留りを悪化させることなく良好な混変調歪特性
を得られるようにした超高周波増幅器の提供を目的とす
る。
［課題の解決手段］
上記目的を達成するために本発明の超高周波増幅器は半
導体を使用した超高周波増幅器であって、入力信号と出
力信号が共通して通過する半導体素子の端子に、インダ
クタンスを装荷した構成としてあり、好ましくは０．３
ｎｌ＋以上のインダクタンスを装荷している。
導体を使用した超高周波増幅器であって、入力信号と出
力信号が共通して通過する半導体素子の端子に、インダ
クタンスを装荷した構成としてあり、好ましくは０．３
ｎｌ＋以上のインダクタンスを装荷している。
さらに好ましくは、上記半導体としてバイポーラ型トラ
ンジスタあるいは静電誘導型トランジスタ等の三個以上
の端子を有する半導体素子を用いている。
ンジスタあるいは静電誘導型トランジスタ等の三個以上
の端子を有する半導体素子を用いている。
［実施例］
以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本実施例における超高周波増幅器の回路図であ
る。なお、先に示した第３図と同一の部分については同
一の符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
る。なお、先に示した第３図と同一の部分については同
一の符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
同図において、半導体チップ２のソース側はソース接地
ボンディングワイヤ８によって設置されている。
ボンディングワイヤ８によって設置されている。
第２（２！は半導体チップにインダクタンスを装荷した
場合の要部拡大模式図てあり、半導体としてＧ、Ａ、
ＭＥＳ ＦＥＴを使用し、ハイブリッドＩＣを構成した
場合を示している。
場合の要部拡大模式図てあり、半導体としてＧ、Ａ、
ＭＥＳ ＦＥＴを使用し、ハイブリッドＩＣを構成した
場合を示している。
同図において、ソース接地ボンディングワイヤ８は通常
より長く形成してあり、半導体チップ２のソース側に装
荷するインダクタンスとして一端側を半導体チップ２の
ソース側に接続し、他端側を金属ケース１に接続しであ
る。
より長く形成してあり、半導体チップ２のソース側に装
荷するインダクタンスとして一端側を半導体チップ２の
ソース側に接続し、他端側を金属ケース１に接続しであ
る。
上述した構成とすることにより、ソース接地ボンデイン
クワイヤ８の長さをｌｌｌ１１〜２１１麿として接地す
ることか製造上可能となる。したがって、ソースインダ
クタンスは０．３〜１ｎｌｌの値を得ることかできる。
クワイヤ８の長さをｌｌｌ１１〜２１１麿として接地す
ることか製造上可能となる。したがって、ソースインダ
クタンスは０．３〜１ｎｌｌの値を得ることかできる。
このようにして得られたソースインダクタンスを用いる
と、小信号利得は減少するか、飽和出力は減少しないた
め、入出力特性における直線性が改良され混変調歪は減
少する。
と、小信号利得は減少するか、飽和出力は減少しないた
め、入出力特性における直線性が改良され混変調歪は減
少する。
［発明の効果］
以上説明したように１本発明の超高周波増幅器は、贋産
レベルを考慮した簡単な構成で製品の歩留りを悪化させ
ることなく、良好な混変調歪特性を得ることかてきる。
レベルを考慮した簡単な構成で製品の歩留りを悪化させ
ることなく、良好な混変調歪特性を得ることかてきる。
第１Ｉ２１は本発明実施例における超高周波増幅器の回
路図、第２図は半導体チップにインダクタンスを装荷し
た場合の要部拡大模式図、第３図は従来の超高周波増幅
器の要部拡大模式図である。 ｌ゛金属ケース ２：半導体チップ８゛ソース接地
ボンデインクワイヤ
路図、第２図は半導体チップにインダクタンスを装荷し
た場合の要部拡大模式図、第３図は従来の超高周波増幅
器の要部拡大模式図である。 ｌ゛金属ケース ２：半導体チップ８゛ソース接地
ボンデインクワイヤ
Claims (1)
- 半導体を使用した超高周波増幅器であって、入力信号と
出力信号が共通して通過する半導体素子の端子に、イン
ダクタンスを装荷したことを特徴とする超高周波増幅器
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29611688A JPH02143604A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | 超高周波増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29611688A JPH02143604A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | 超高周波増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02143604A true JPH02143604A (ja) | 1990-06-01 |
Family
ID=17829345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29611688A Pending JPH02143604A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | 超高周波増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02143604A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008085929A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Sony Corp | 電力増幅装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5892243A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-06-01 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果トランジスタ用パツケ−ジ |
| JPS59143406A (ja) * | 1983-01-28 | 1984-08-17 | マイクロウエイブ．セミコンダクタ−．コ−ポレ−シヨン | 混成マイクロ波サブシステム |
| JPS61167209A (ja) * | 1985-01-14 | 1986-07-28 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド | 低雑音増幅器 |
-
1988
- 1988-11-25 JP JP29611688A patent/JPH02143604A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5892243A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-06-01 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果トランジスタ用パツケ−ジ |
| JPS59143406A (ja) * | 1983-01-28 | 1984-08-17 | マイクロウエイブ．セミコンダクタ−．コ−ポレ−シヨン | 混成マイクロ波サブシステム |
| JPS61167209A (ja) * | 1985-01-14 | 1986-07-28 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド | 低雑音増幅器 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008085929A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Sony Corp | 電力増幅装置 |
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