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JPH01213026A - Logic circuit - Google Patents

Logic circuit

Info

Publication number
JPH01213026A
JPH01213026A JP4154888A JP4154888A JPH01213026A JP H01213026 A JPH01213026 A JP H01213026A JP 4154888 A JP4154888 A JP 4154888A JP 4154888 A JP4154888 A JP 4154888A JP H01213026 A JPH01213026 A JP H01213026A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
emitter
input
collector
potential
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4154888A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takashi Nishimura
尚 西村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP4154888A priority Critical patent/JPH01213026A/en
Publication of JPH01213026A publication Critical patent/JPH01213026A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To reduce a consumption current and to shorten a delay time by adding a switching current and flow it through a transistor when all the input terminals of a logic circuit are in an open condition. CONSTITUTION:When all input terminals I1, I2 and I3 are in an open condition, all input transistors(TR) Q1-Q3 are non-continuity. The electric potential of a point 1 emitter-common-connected becomes a floating condition, and a Q5 for difference goes to non-continuity. Then, a switching current supplied by a current source CS flows through an added TRQ4' for referring. a emitter follower current flows in a TRQ6 and a TRQ4 for referring. Then, the corrector electric potential of the input transistor lowers from a VCC electric potential for the voltage lowering at load resistance R1, and the corrector of the TRQ5 becomes about the VCC. Consequently, an output terminal O1 becomes an 'L', and an output terminal O2 goes to an 'H' by the base electric potential of the TRQ6 and a Q7.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は高速な論理回路、特に速度性能改善と消費電
力削減とを図ったエミッタ結合論理回路の改良に関する
ものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to high-speed logic circuits, and particularly to improvements in emitter-coupled logic circuits that improve speed performance and reduce power consumption.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第2図は速度性能改善と消費電力の削減とを図′つた従
来のエミッタ結合論理回路を示す回路図であシ、特に3
人力構成のOR出力及びNOR出力を有するエミッタ結
合論理回路を示すものである。
Figure 2 is a circuit diagram showing a conventional emitter-coupled logic circuit that improves speed performance and reduces power consumption.
2 illustrates an emitter-coupled logic circuit with a manually configured OR output and a NOR output.

同図において、Q1〜Q3はベースがそれぞれ入力端チ
エ1〜工3に接続された入力トランジスタ、O4は2つ
のコレクタを有しベースが基準電位VBmに接続され一
方のコレクタが入力トランジスタQ1〜Q3の共通接続
されたエミッタに接続されたレファレンストランジスタ
、O5は2つのコレクタを有しベースが入力トランジス
タQ1〜Q3の共通接続されたエミッタに接続され前記
レファレンストランジスタQ4とともに差動増幅型のス
イッチング回路を構成する差動トランジスタ、R1は入
力トランジスタQl−Q3のコレクタに共通接続された
第1の負荷抵抗、R2はトランジスタQ5の一方のコレ
クタに接続された第2の負荷抵抗、O8はレファレンス
トランジスタQ4及び差動トランジスタQ5の各エミッ
タが共通に接続されたスイッチング電流及びエミッタフ
ォロア電流供給用の電流源、O6及びO7はそれぞれベ
ースが入力トランジスタQ1〜Q3のコレクタ及びトラ
ンジスタQ5の一方のコレクタに接続された第、第2の
出力トランジスタ(エミッタフォロアトランジスタ)で
あり、第1の出力トランジスタQ6のエミッタ及びレフ
ァレンストランジスタQ4のもう一方のコレクタはOR
出力端子O1に、第2の出力トランジスタQ7のエミッ
タ及び差動トランジスタQ5のもう一方のコレクタはN
OR出力端子o2にそれぞれ接続されている。
In the same figure, Q1 to Q3 are input transistors whose bases are connected to the input terminals Q1 to Q3, respectively, and O4 has two collectors whose base is connected to the reference potential VBm and one collector is connected to the input transistors Q1 to Q3. A reference transistor O5 has two collectors, and its base is connected to the commonly connected emitters of the input transistors Q1 to Q3, and together with the reference transistor Q4, a differential amplification type switching circuit is formed. The constituent differential transistors, R1 are the first load resistors commonly connected to the collectors of the input transistors Ql-Q3, R2 are the second load resistors connected to one collector of the transistor Q5, and O8 are the reference transistors Q4 and A current source for supplying switching current and emitter follower current to which the emitters of the differential transistor Q5 are commonly connected, and the bases of O6 and O7 are connected to the collectors of the input transistors Q1 to Q3 and one collector of the transistor Q5, respectively. The emitter of the first output transistor Q6 and the other collector of the reference transistor Q4 are OR transistors.
The emitter of the second output transistor Q7 and the other collector of the differential transistor Q5 are connected to the output terminal O1.
They are respectively connected to the OR output terminal o2.

なお、”QCはコレクタ側の第1の電源電位、V、。Note that "QC is the first power supply potential on the collector side, V.

はエミッタ側の第2の電源電位を示す。indicates the second power supply potential on the emitter side.

次にこのように構成された論理回路の動作について説明
する。
Next, the operation of the logic circuit configured as described above will be explained.

まず、入力端子II、I2.I3に印加される入力電位
Vinが全て鰺論理レベルVtの場合、入力トランジス
タQ1〜Q3のエミッタが共通接続された点1の電位は
、入力トランジスタのペースエミッタ間順方向電圧Vb
eだけ低下した電位Vt−Vbeとなる。これは差動ト
ランジスタQ5のペース電位とナフ、レファレンストラ
ンジスタQ4のベースに与えられる基準電位■B1をあ
らかじめ適切に設定トランジスタQ1〜Q3とレファレ
ンストランジスタQ4とは導通状態となり、トランジス
タQ5は非導通状態になる。このため入力トランジスタ
Q1〜Q3のコレクタ電位は負荷抵抗R1での電圧降下
分だけVCC電位から低下し、差動トランジスタQ5の
コレクタ電位はほぼVCC電位になる。従って、出カニ
ミツタフ基テトラン゛ジスタQ6及びO7のベース電位
に従い出力端子01は低論理レベルVt 、出力端子0
2は高論理レベルvhとなる。
First, input terminals II, I2. When the input potentials Vin applied to I3 are all at the logic level Vt, the potential at point 1, where the emitters of the input transistors Q1 to Q3 are commonly connected, is equal to the forward emitter-to-emitter voltage Vb of the input transistors.
The potential becomes Vt-Vbe, which is lowered by e. This is based on the pace potential and NAF of the differential transistor Q5, and the reference potential B1 applied to the base of the reference transistor Q4.The transistors Q1 to Q3 and the reference transistor Q4 are in a conductive state, and the transistor Q5 is in a non-conductive state. Become. Therefore, the collector potentials of the input transistors Q1 to Q3 are lowered from the VCC potential by the voltage drop across the load resistor R1, and the collector potential of the differential transistor Q5 becomes approximately the VCC potential. Therefore, according to the base potential of the output transistor Q6 and O7, the output terminal 01 is at the low logic level Vt, and the output terminal 0
2 becomes the high logic level vh.

一方、入力端子II、I2.I3のうち少なくとも1個
の入力端子に印加され′る入力電位Vinが高論理レベ
ルvhになると、点1の電位はvhから入力トランジス
タのペースエミッタ間順方向電圧Vbeだけ低下した電
位vh−vbθとなシ、入力トランジスタQ1〜Q3と
レファレンストランジスタQ4とは非導通状態、トラン
ジスタQ5は導通状態になる。
On the other hand, input terminals II, I2. When the input potential Vin applied to at least one input terminal of I3 becomes a high logic level vh, the potential at point 1 becomes a potential vh - vbθ which is lower than vh by the pace-emitter forward voltage Vbe of the input transistor. Otherwise, the input transistors Q1 to Q3 and the reference transistor Q4 are in a non-conductive state, and the transistor Q5 is in a conductive state.

このため、入力トランジスタQ1〜Q3のコレクタ電位
はほぼVCC電位になシ、差動トランジスタQ5のコレ
クタ電位は負荷抵抗R2での電圧降下分だけVCC電位
から原下する。従って、出カニミッタフォロアトランジ
スタQ6及びO7のベース電位に従い出力端子01は高
論理レベル■h、出力端子02は低論理レベルVtとな
る。以上の論理動作から01がOR出力端子、02は、
NOR出力端子となる。
Therefore, the collector potentials of the input transistors Q1 to Q3 are approximately equal to the VCC potential, and the collector potential of the differential transistor Q5 is lower than the VCC potential by the voltage drop across the load resistor R2. Therefore, according to the base potentials of the output limiter follower transistors Q6 and O7, the output terminal 01 becomes a high logic level h, and the output terminal 02 becomes a low logic level Vt. From the above logic operation, 01 is the OR output terminal, and 02 is,
It becomes a NOR output terminal.

レファレンストランジスタQ4と差動トランジスタQ5
とは論理動作に加えて次に示すようにエミッタフォロア
トランジスタの電流を制御する。即・ち、入力電位Vi
nが全て凹論理レベルVtの時NOR出力(この時局論
理レベルvhである)を有するエミッタフォロアトラン
ジスタQワには差動トランジスタQ5が非導通状態であ
るためほとんど電流が流れず、OR出力(この時低論理
レベルVt )を有スるエミッタフォロアトランジスタ
Q6にはレファレンストランジスタQ4e通して電流が
流れる。また、入力電位Vinのうち少なくとも1個が
高論理レベルvhのときNOR出力(このとき低論理レ
ベルVt )を有するエミツタフオロアトランジスタQ
7には導通状態にある差動トランジスタQ5全通して電
流が流れ、OR出力(このとき高論理レベルVh )を
有するエミッタフォロアトランジスタQ6にはレファレ
ンストランジスタQ4が非導通状態であるだめほとんど
電流が流れない。すなわち低論理レベルVtを出力する
エミッタフォロアトランジスタにしか電流が流れないよ
うにして、回路電流を削減することができる。
Reference transistor Q4 and differential transistor Q5
In addition to the logic operation, it also controls the current of the emitter follower transistor as shown below. That is, the input potential Vi
When all n are at the negative logic level Vt, almost no current flows through the emitter follower transistor QW having a NOR output (which is at this current logic level vh) because the differential transistor Q5 is in a non-conducting state, and the OR output ( At this time, current flows through the emitter follower transistor Q6, which has a low logic level (Vt), through the reference transistor Q4e. Further, when at least one of the input potentials Vin is at a high logic level vh, an emitter follower transistor Q has a NOR output (low logic level Vt at this time).
Current flows through the differential transistor Q5, which is in a conductive state, and almost all current flows through the emitter follower transistor Q6, which has an OR output (high logic level Vh at this time), since the reference transistor Q4 is in a non-conductive state. do not have. In other words, the circuit current can be reduced by allowing current to flow only to the emitter follower transistor that outputs the low logic level Vt.

また、上記の論理回路において、入力電位Vinが低論
理レベルVtから高論理レベルvhに遷移する場合には
、レファレンストランジスタQ4が非導通状態になるの
で、入力トランジスタQ1〜Q3も非導通状態となり出
カニミッタフォロアトランジスタQ6から供給される電
流は出力端子01に付加されている負荷容量に流れ込む
ので、OR出出力上19時遅延時間が改善される。この
際差動トランジスタQ5は導通状態となり、出力端子0
2に負荷された負荷容量に蓄積されている電荷が差動ト
ランジスタQ5を通して直接引き抜かれるので、NOR
出力立下シ時の遅延時間が改善される。
Furthermore, in the above logic circuit, when the input potential Vin transitions from the low logic level Vt to the high logic level vh, the reference transistor Q4 becomes non-conductive, so the input transistors Q1 to Q3 also become non-conductive. Since the current supplied from the cannimitter follower transistor Q6 flows into the load capacitance added to the output terminal 01, the 19 o'clock delay time on the OR output is improved. At this time, the differential transistor Q5 becomes conductive, and the output terminal 0
Since the charge accumulated in the load capacitance loaded on the transistor Q2 is directly extracted through the differential transistor Q5, the NOR
The delay time when the output falls is improved.

一方、入力電位Vinが高論理レベルvhから低論理レ
ベルVtに遷移する場合は、レファレンストランジスタ
Q4及び入力トランジスタQ1〜Q3が導通状態に、差
動トランジスタQ5は非導通状態になり、OR出力の立
下シ時及びNOR出力の立上シ時の遅延時間が改善され
るものである。
On the other hand, when the input potential Vin transitions from the high logic level vh to the low logic level Vt, the reference transistor Q4 and input transistors Q1 to Q3 become conductive, the differential transistor Q5 becomes non-conductive, and the OR output rises. The delay time at the time of falling and at the time of rising of the NOR output is improved.

さらに上記動作説明にても明らかであるように、従来の
論理回路においては入力トランジスタのベース電位とコ
レクタ電位は同相で遷移するので、ミラー効果による容
量の増加を除去することが可能である。
Furthermore, as is clear from the above description of the operation, in the conventional logic circuit, the base potential and collector potential of the input transistor change in phase, so it is possible to eliminate the increase in capacitance due to the Miller effect.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

上記動作説明は、入力端子に高論理レベル胤又は低論理
レベルVtが必ず与えられている場合であるが、論理回
路の実使用状態においては電源(Vcc * ’V++
 )のみ与えられ全ての入力端子がオープン(開放)状
態である場合も考えられる。エミッタ結合論理の基本回
路(図示せず)では、全入力端子オープンは低論理レベ
ルVtが印加された場合と等価でhD、OR出力は低論
理レベルVtをNOR出力は高論理レベルvhをそれぞ
れ出力するが、上記の論理回路では次のような欠点を有
している。
The above operation description assumes that a high logic level or a low logic level Vt is always given to the input terminal, but in the actual use state of the logic circuit, the power supply (Vcc * 'V++
) is applied and all input terminals are open. In the basic emitter-coupled logic circuit (not shown), opening all input terminals is equivalent to applying a low logic level Vt, which is hD, the OR output outputs a low logic level Vt, and the NOR output outputs a high logic level vh. However, the above logic circuit has the following drawbacks.

第2図において入力端チエ1〜■3が全てオープン状態
であれば、入力トランジスタQ1〜Q3は全て非導通と
なシエミツタが共通接続された点1の電位は70−ティ
ング状態で、差動トランジスタQ5は非導通状態となる
。従って、電流源C8Kよって供給され続ける電流は、
出力トランジスタQ6とレファレンストランジスタQ4
とを通って流れることになる。このとき出力端子02の
電位は(Q5が非導通ゆえ)高論理レベル九となる。−
力出力端子01の電位は、出力トランジスタQ6のベー
ス電流による第1の負荷抵抗R1での電圧降下分と電流
源aSの電流が全て流れることによる出力トランジスタ
Q6のVbe増加分だけ出力端子02の電位よシ低くな
るものの、論理的なレベルとしては高論理レベルvhと
みなせる。すなわち入力端子が全てオープン状態の場合
は01,02両出力ともに高論理レベルvhとなりエミ
ッタ結合論理の基本回路とは異なった論理動作をする。
In Fig. 2, if the input terminals Q1 to Q3 are all open, the input transistors Q1 to Q3 are all non-conductive. Q5 becomes non-conductive. Therefore, the current continued to be supplied by current source C8K is
Output transistor Q6 and reference transistor Q4
It will flow through. At this time, the potential of the output terminal 02 becomes a high logic level 9 (because Q5 is non-conductive). −
The potential of the output terminal 01 is increased by the voltage drop across the first load resistor R1 due to the base current of the output transistor Q6 and the increase in Vbe of the output transistor Q6 due to the flow of all the current from the current source aS. Although the level is lower, it can be regarded as a high logic level vh. That is, when all the input terminals are in an open state, both outputs 01 and 02 are at a high logic level vh, and the logic operation is different from that of the basic emitter-coupled logic circuit.

この発明はかかる不都合点を解決するためになされたも
ので、従来のものの利点を損うことなく、エミッタ結合
論理の基本回路と同一の論理動作を実現できる論理回路
を得ることを目的としている。
The present invention has been made to solve these disadvantages, and aims to provide a logic circuit that can realize the same logic operation as a basic emitter-coupled logic circuit without sacrificing the advantages of the conventional logic circuit.

〔課題を解決するだめの手段〕[Failure to solve the problem]

この発明に係る論理回路は、ベースに基準電位が与えら
れ、コレクタは入力トランジスタ群のコレクタとともに
第1の負荷抵抗を介して第1の電源に接続され、エミッ
タはレファレンストランジスタのエミッタとともに電流
源を介して第2の電源に接続されたトランジスタを従来
回路に対して新たに追加したものである。
In the logic circuit according to the present invention, a reference potential is applied to the base, the collector is connected to the first power source together with the collectors of the input transistor group via the first load resistor, and the emitter is connected to the current source together with the emitter of the reference transistor. A transistor connected to the second power supply via the conventional circuit is newly added to the conventional circuit.

〔作用〕[Effect]

この発明においては、論理回路の入力端子が全てオープ
ン状態であってもスイッチング電流は新たに追加したト
ランジスタを通して通れるので、エミッタ結合論理の基
本回路と同様の論理動作を実現する。
In this invention, even if all the input terminals of the logic circuit are open, the switching current can pass through the newly added transistor, thereby realizing the same logic operation as the basic circuit of emitter-coupled logic.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

第1図はこの発明に係る論理回路の一実施例を示す回路
図であル、特に3人カ構成のOR出力及びNOR出力を
有するエミッタ結合論理回路を示すものである。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a logic circuit according to the present invention, and particularly shows an emitter-coupled logic circuit having three circuits and having an OR output and a NOR output.

同図において、Q1〜Q3はベースがそれぞれ入力端子
11〜工3に接続され走入カトランジスタ、O4は2つ
のコレクタを有しベースが基準t 位VB11に接続さ
れ一方のコレクタが入力トランジスタQ1〜Q3の共通
接続されたエミッタに接続された第1のレファレンスト
ランジスタ、Q4′ハヘースが基準電位■BBに接続さ
れコレクタが前記入力トランジスタQ1〜Q3のコレク
タに接続され、エミッタが前記第1のレファレンストラ
ンジスタQ4のエミッタに接続された第2のレファレン
ストランジスタ、O5は2つのコレクタを有しベースが
入力トランジスタQ1〜Q3の共通接続されたエミッタ
に接続され前記第、第2のレファレンストランジスタQ
4.Q4’とともに差動増幅型のスイッチング回路を構
成する差動トランジスタ、R1は入力トランジスタQ1
〜Q3及び第2のレファレンストランジスタQ4’のコ
レクタに共通接続された第1の負荷抵抗、R2は差動ト
ランジスタQ5の一方のコレクタに接続された第2の負
荷抵抗、O8はml、第2のレファレンストランジスタ
Q 4 、 Q 4’及び差動トランジスタQ5の各エ
ミッタが共通に接続されたスイッチング電流及びエミッ
タフォロア電流供給用の電流源、O6及びO7はそれぞ
れベースが入力トランジスタQ1〜Q3のコレクタ及び
差動トランジスタQ5の一方のコレクタに接続された第
、第2の出力トランジスタ(エミッタ7オロアトランジ
スタ)でアう、第1の出力トランジスタQ6のエミッタ
及び第1のレファレンストランジスタQ4のもう一方の
コレクタはOR出力端子01に、第2の出力トランジス
タQ7のエミッタ及び差動トランジスタQ5のもう一方
のコレクタはNOR出力端子02にそれぞれ接続されて
いる。
In the figure, Q1 to Q3 are input transistors whose bases are connected to input terminals 11 to 3, respectively, and O4 has two collectors, whose base is connected to a reference level VB11 and one collector is connected to input transistors Q1 to Q3. A first reference transistor Q4' connected to the commonly connected emitters of Q3 is connected to the reference potential BB, its collector is connected to the collectors of the input transistors Q1 to Q3, and its emitter is connected to the first reference transistor Q4'. A second reference transistor O5 connected to the emitter of Q4 has two collectors and a base connected to the commonly connected emitters of the input transistors Q1 to Q3.
4. A differential transistor that constitutes a differential amplification type switching circuit together with Q4', R1 is an input transistor Q1
~ Q3 and a first load resistor commonly connected to the collectors of the second reference transistor Q4', R2 is a second load resistor connected to one collector of the differential transistor Q5, O8 is ml, the second load resistor is The emitters of the reference transistors Q4, Q4' and the differential transistor Q5 are connected in common to current sources for supplying switching current and emitter follower current, and O6 and O7 have their bases connected to the collectors and differential transistors of the input transistors Q1 to Q3, respectively. The emitter of the first output transistor Q6 and the other collector of the first reference transistor Q4 are The emitter of the second output transistor Q7 and the other collector of the differential transistor Q5 are connected to the OR output terminal 01, and the NOR output terminal 02, respectively.

すなわち、本実施例では第2図に示す従来回路に対して
、第2のレファレンストランジスタQ4′を追加したも
のである。
That is, in this embodiment, a second reference transistor Q4' is added to the conventional circuit shown in FIG.

次にこのように構成された論理回路の動作について説明
する。
Next, the operation of the logic circuit configured as described above will be explained.

まず、入力端子1、工2.I3に印加される入力電位T
inが全て低論理レベルvtの場合、入力トランジスタ
Q1〜Q3のエミッタが共通接続された点1の電位は、
入力トランジスタQ1〜Q3のベースエミッタ間順方向
電圧Vbeだけ低下した電位Vl−Vbeとなる。これ
は差動トランジスタQ5のベース電位となり、第1及び
第2のレファレンストランジスタQ4eQ4のベースに
与えられる基準電位VBBをあらかじめ適切に設定(こ
の場合vh+vl−Vbe )することによって入力ト
ランジスタQl〜Q3と第1及び第2のレフアレAラン
ジスタ嶋、lとは導通状態となり、差動トランジスタQ
6は非導通状態になる。このとき電流源aSによ(て供
給されるスイッチング電流は入力トランジスタQ1〜c
ut第x及び第2のレファレンストランの電圧降下分だ
けVcc電位から低下し、差動トランジスタQ5のコレ
クタ電位はほぼV’cc電位になる。従って出カニミッ
タ7オロアトランジスタQ6及びQ)のベース電位に従
い出力端子01は低論理レベルV/、出力端子02は高
論理レベルvhとなる。
First, input terminal 1, input terminal 2. Input potential T applied to I3
When in is all at the low logic level vt, the potential at point 1 where the emitters of input transistors Q1 to Q3 are commonly connected is:
The potential Vl-Vbe is lowered by the base-emitter forward voltage Vbe of the input transistors Q1 to Q3. This becomes the base potential of the differential transistor Q5, and by appropriately setting the reference potential VBB applied to the bases of the first and second reference transistors Q4eQ4 (in this case vh+vl-Vbe), the input transistors Ql to Q3 and the The first and second differential transistors A and l become conductive, and the differential transistor Q
6 becomes non-conductive. At this time, the switching current supplied by the current source aS is the input transistor Q1-c.
The collector potential of the differential transistor Q5 is lowered from the Vcc potential by the voltage drop of the x-th and second reference strands, and the collector potential of the differential transistor Q5 becomes approximately the V'cc potential. Accordingly, according to the base potential of the output limiter 7 oror transistors Q6 and Q), the output terminal 01 becomes a low logic level V/, and the output terminal 02 becomes a high logic level vh.

一方、入力端子lit1g、13のうち少なくとも  
51個の入力端子に印加される入力電位Vinが高論理
レベルvhになると、点1の電位はvhから入力トラン
ジスタQ1〜Q3のベースエミッタ間1一方向電圧Vb
eだけ低下し電位Vh−’Vbeとなり、入力トランジ
スタとN1及び第2のレファレンストランジスタQ4.
Q、4’とは非導通状態、差動トランジスタQ5は導通
状態になる。このため入力トランジスタQ1〜Q3のコ
レクタ電位はほぼVcc電位になり、差動トランジスタ
Q5のコレクタ電位は負荷抵抗R2での電圧降下分だけ
Vcc電位から低下する。
On the other hand, at least among the input terminals lit1g and 13
When the input potential Vin applied to the 51 input terminals reaches a high logic level vh, the potential at point 1 changes from vh to 1 unidirectional voltage Vb between the bases and emitters of input transistors Q1 to Q3.
e decreases to the potential Vh-'Vbe, and the input transistor N1 and the second reference transistor Q4.
Q, 4' are in a non-conducting state, and the differential transistor Q5 is in a conducting state. Therefore, the collector potential of the input transistors Q1 to Q3 becomes approximately the Vcc potential, and the collector potential of the differential transistor Q5 decreases from the Vcc potential by the voltage drop across the load resistor R2.

従って出カニミッタフォロアトランジスタQ6及びO7
のベース電位に従い出力端子01は高論理レベルvh、
出力端子02は低論理レベル’VI!となる。
Therefore, output limiter follower transistors Q6 and O7
According to the base potential of the output terminal 01 is at a high logic level vh,
Output terminal 02 is at low logic level 'VI! becomes.

すなわち、01がOR出力端子、O2がNOR出力端子
であることは第2図の従来回路と同一である。
That is, the fact that 01 is an OR output terminal and O2 is a NOR output terminal is the same as in the conventional circuit shown in FIG.

また、第ルファレンストランジスタQ4と差動トランジ
スタQ5との動作によって、低論理レベルVtを出力す
るエミッタフォロアトランジスタにしか電流が流れない
ようにして回路電流を削減することは、従来回路のまま
である。
In addition, the circuit current is reduced by allowing current to flow only to the emitter follower transistor that outputs the low logic level Vt by the operation of the first reference transistor Q4 and the differential transistor Q5, which remains the same as in the conventional circuit. .

ここで入力端チエ、I2.I3が全て開放状態の場合を
考える。入力トランジスタQ1〜Q3は、ペース電流が
供給されないために全て非導通となり、エミッタが共通
接続された点1の電位はフローティングとなる。従って
、差動トランジスタQ5は非導通状態となる。このとき
電流源aSによって供給され続けるスイッチング電流は
新たに設けた第2のレファレンストランジスタQ 4/
を通して流れ、エミッタフォロア電流は出力トランジス
タQ6と第1のレファレンストランジスタQ4を流れる
ことになる。このため入力トランジスタのコレクタ電位
は負荷抵抗R1での電圧降下分だけVCC電位から区下
し、差動トランジスタQ5のコレクタ電位はほぼVCC
電位となる。従って、化カニミッタフォロアトランジス
タQ6及びQ7のベース電位に従い出力端子01は低論
理レベルVt、出力端子02は高論理レベルvhとなる
。上記の論理状態は、入力端チエ1〜I3の電位が全て
低論理レベルVtである場合と等価でアシ、エミッタ結
合論理の基本回路と同一の論理動作である。    ′
また、上記実施例の論理回路において、入力電位Vin
が低論理レベルVtから高論理レベルvhに遷移する場
合には、第1及び第2のレファレンストランジスタQ4
.Q4’が非導通状態になるため入力トランジスタQ1
〜Q3も非導通状態となり化カニミッタフォロアトラン
ジスタQ6から供給される電流は出力端子01に付加さ
れている負荷容量に流れ込むので、OR出出力上19時
遅延時間は従来回路と同様に改善される。この際差動ト
ランジスタQ5は導通状態となシ、出力端子02に負荷
された負荷容量に蓄積されている電荷が差動トランジス
タQ5を通して直接引き抜かれるので、NOR出力立下
9時の遅延時間が改善される。一方、入力電位Vinが
高論理レベルvhから低論理レベルVtに遷移する場合
は、レファレンストランジスタQ4及び入力トランジス
タが導通状態に、差動トランジスタQ5は非導通状態に
なシ、OR出力の立下シ時及びNOR出力の立上シ時の
遅延時間が改善されるものである。上記の改善効果及び
ミラー効果による容量増加の抑制効果は、従来回路例と
同一である。
Here, the input terminal I2. Consider the case where I3 is all open. Since the input transistors Q1 to Q3 are not supplied with pace current, they all become non-conductive, and the potential at point 1, where the emitters are commonly connected, becomes floating. Therefore, differential transistor Q5 becomes non-conductive. At this time, the switching current continued to be supplied by the current source aS is transferred to the newly provided second reference transistor Q4/
The emitter follower current will flow through the output transistor Q6 and the first reference transistor Q4. Therefore, the collector potential of the input transistor is separated from the VCC potential by the voltage drop across the load resistor R1, and the collector potential of the differential transistor Q5 is approximately VCC.
It becomes electric potential. Accordingly, the output terminal 01 becomes the low logic level Vt and the output terminal 02 becomes the high logic level vh according to the base potentials of the capacitor follower transistors Q6 and Q7. The above logic state is equivalent to the case where the potentials of the input terminals 1 to I3 are all at the low logic level Vt, and the logic operation is the same as that of the basic circuit of the emitter coupled logic. ′
Further, in the logic circuit of the above embodiment, the input potential Vin
transitions from the low logic level Vt to the high logic level vh, the first and second reference transistors Q4
.. Since Q4' becomes non-conductive, the input transistor Q1
~Q3 also becomes non-conductive, and the current supplied from the crabmitter follower transistor Q6 flows into the load capacitance added to the output terminal 01, so the 19:00 delay time on the OR output is improved as in the conventional circuit. . At this time, the differential transistor Q5 is not in a conductive state, and the charge accumulated in the load capacitance loaded on the output terminal 02 is directly extracted through the differential transistor Q5, improving the delay time when the NOR output falls at 9. be done. On the other hand, when the input potential Vin transitions from the high logic level vh to the low logic level Vt, the reference transistor Q4 and the input transistor become conductive, the differential transistor Q5 becomes non-conductive, and the falling edge of the OR output This improves the delay time at rise time and the rise time of the NOR output. The above-mentioned improvement effect and the effect of suppressing the increase in capacity due to the Miller effect are the same as in the conventional circuit example.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように、この発明に係るエミッタ結合論理回路に
よれば、第2のレファレンストランジスタを新たに設け
て、入力端子が全て開放状態の場合にスイッチング電流
をこのトランジスタを通して流す回路構成にしたので、
消費電力を削減し併せて遅延時間の改善が得られるとい
う従来回路の利点を損うことなく、エミッタ結合論理の
基本回路と同一の論理動作を得られる効果がある。
As described above, according to the emitter-coupled logic circuit according to the present invention, the second reference transistor is newly provided and the circuit configuration is such that the switching current flows through this transistor when all the input terminals are open.
This has the effect of obtaining the same logic operation as the basic circuit of emitter-coupled logic without sacrificing the advantages of conventional circuits, such as reducing power consumption and improving delay time.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明の実施例を示す回路図、第2図は従来
の論理回路を示す回路図でおる。 図において、Ql、Q2.Q3は入力トランジスタ、I
I、I2.I3は入力端子、Q4は第1のレファレンス
トランジスタ、Q4′は第2のレファレンストランジス
タ、Q5は差動トランジスタ、Q6は第1の出力トラン
ジスタ、Q7は第2の出力トランジスタ、R1は第1の
負荷抵抗、R2は第2の負荷抵抗、asは電流源、VB
Bは基準電圧、VCCは第1の電源、Vlmは第2の電
源、01は第1の出力端子、02は第2の出力端子であ
る0 なお、図中同一符号は同一まだは相当部分を示すO
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram showing a conventional logic circuit. In the figure, Ql, Q2. Q3 is the input transistor, I
I, I2. I3 is an input terminal, Q4 is a first reference transistor, Q4' is a second reference transistor, Q5 is a differential transistor, Q6 is a first output transistor, Q7 is a second output transistor, and R1 is a first load. resistance, R2 is the second load resistance, as is the current source, VB
B is the reference voltage, VCC is the first power supply, Vlm is the second power supply, 01 is the first output terminal, and 02 is the second output terminal. Show O

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)それぞれのベースが入力端子に接続され、共通接
続されたコレクタが第1の負荷抵抗を介して第1の電源
に接続され、各エミッタが共通接続された入力トランジ
スタ群と、 コレクタが上記第1の電源に接続され、ベースが上記入
力トランジスタの共通接続コレクタに接続され、エミッ
タから第1の出力端子が引き出された第1の出力トラン
ジスタと、 コレクタが上記第1の電源に接続され、ベースが第2の
負荷抵抗を介して上記第1の電源に接続され、エミッタ
から第2の出力端子が引き出された第2の出力トランジ
スタと、 2つのコレクタを有し、その一方のコレクタは上記入力
トランジスタの共通接続エミッタに、他方のコレクタは
上記第1の出力端子に接続され、ベースに基準電位が供
給され、エミッタが電流源を介して第2の電源に接続さ
れた第1のレファレンストランジスタと、 2つのコレクタを有し、その一方のコレクタは上記第2
の負荷抵抗を介して上記第1の電源に、他方のコレクタ
は上記第2の出力端子に接続され、ベースが上記入力ト
ランジスタ群の共通接続エミッタに接続され、エミッタ
が上記第1のレファレンストランジスタのエミッタに接
続された差動トランジスタとを有する回路において、 ベースに上記基準電位が供給され、エミッタが上記第1
のレファレンストランジスタのエミッタに、コレクタが
上記入力トランジスタの共通接続コレクタに接続された
第2のレファレンストランジスタを備えたことを特徴と
する論理回路。
(1) A group of input transistors whose respective bases are connected to an input terminal, whose commonly connected collectors are connected to a first power supply via a first load resistor, and whose respective emitters are commonly connected; a first output transistor connected to a first power source, a base connected to the commonly connected collector of the input transistor, and a first output terminal drawn out from the emitter; a collector connected to the first power source; a second output transistor having a base connected to the first power supply through a second load resistor and a second output terminal drawn out from the emitter; and two collectors, one of which is connected to the first power supply. a first reference transistor whose collector is connected to the commonly connected emitter of the input transistor, whose collector is connected to the first output terminal, whose base is supplied with a reference potential, and whose emitter is connected to a second power supply via a current source; and has two collectors, one of which is the second collector.
The other collector is connected to the first power supply through a load resistor, the other collector is connected to the second output terminal, the base is connected to the commonly connected emitter of the input transistor group, and the emitter is connected to the common connection emitter of the first reference transistor. In a circuit having a differential transistor connected to an emitter, the reference potential is supplied to the base, and the emitter is connected to the first differential transistor.
A logic circuit characterized in that the emitter of the reference transistor is provided with a second reference transistor whose collector is connected to the commonly connected collector of the input transistor.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013520133A (en) * 2010-02-15 2013-05-30 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 Low power high speed differential driver with accurate current steering

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2013520133A (en) * 2010-02-15 2013-05-30 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 Low power high speed differential driver with accurate current steering

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