JPH01211939A - Ion-implantation device - Google Patents
Ion-implantation deviceInfo
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- JPH01211939A JPH01211939A JP63037275A JP3727588A JPH01211939A JP H01211939 A JPH01211939 A JP H01211939A JP 63037275 A JP63037275 A JP 63037275A JP 3727588 A JP3727588 A JP 3727588A JP H01211939 A JPH01211939 A JP H01211939A
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- wafer
- implantation
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はICの製造に用いられるイオン注入装置に関す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an ion implantation apparatus used in the manufacture of ICs.
従来、この種のイオン注入装置においては、注入ターゲ
ットのステージは、回転軸に1枚固定され、水平から垂
直に90”回転するように構成されており、ウェハーの
立て替えは次のように行なわれていた。Conventionally, in this type of ion implanter, the implantation target stage is fixed to a rotating shaft and rotated 90" from horizontal to vertical, and the wafer is repositioned as follows. was.
すなわち、ウェハーはキャリアから搬送ベルトにより水
平に置かれたステージ上に運ばれたのち、ステージ上に
設けられた搬送ベルトにより所定の位置に置かれ、次に
ウェハー押えにより押えられる。次にステージが垂直に
可動した後ウェハーにイオンが注入される。イオン注入
終了後は再びステージは水平となり、シリンダーにより
ウェハー押えが持ち上げられ、注入済みウェハーは搬送
ベルトにより収納ステージに収納される。That is, the wafer is transported from the carrier onto a stage placed horizontally by a transport belt, placed at a predetermined position by a transport belt provided on the stage, and then held down by a wafer presser. Next, after the stage moves vertically, ions are implanted into the wafer. After the ion implantation is completed, the stage becomes horizontal again, the wafer holder is lifted by the cylinder, and the implanted wafer is stored on the storage stage by the conveyor belt.
上述した従来のイオン注入装置においては、回転軸には
1枚のステージしか固定されていない為、注入終了後、
注入済ウェハーと未注入ウェハーを立て替えなけ、れば
ならない。従ってイオン注入処理には多くの時間が必要
であるという欠点があった。In the conventional ion implanter mentioned above, only one stage is fixed to the rotating shaft, so after the implantation is completed,
Implanted and unimplanted wafers must be exchanged. Therefore, there is a drawback that the ion implantation process requires a lot of time.
本発明の目的は、処理時間の短いイオン注入装置を提供
することにある。An object of the present invention is to provide an ion implantation device with short processing time.
本発明のイオン注入装置は、モータに連結された回転軸
と、該回転軸に一辺が固定された注入ターゲットのステ
ージと、該ステージに設けられた搬送ベルト7とウェハ
ー押えとを有するイオン注入装置であって、前記回転軸
には4枚のステージが固定され、かつ、各ステージの面
がほぼ直角に位置するように構成されているものである
。The ion implantation apparatus of the present invention includes a rotating shaft connected to a motor, an implantation target stage having one side fixed to the rotating shaft, and a conveyor belt 7 and a wafer holder provided on the stage. Four stages are fixed to the rotating shaft, and the surfaces of each stage are positioned at approximately right angles.
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例のステージの斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a stage according to an embodiment of the present invention.
第1図において、モータ2に連結された回転軸3には4
枚のステージIA〜IDが固定されており、各ステージ
の面がほぼ直角に位置するように構成されている。そし
て、4枚の各ステージIA〜IDには、従来のステージ
と同様に搬送ベルト4とウェハー押え5とが設けられて
いる。In FIG. 1, the rotating shaft 3 connected to the motor 2 has four
The stages IA to ID are fixed, and the surfaces of each stage are positioned at approximately right angles. Each of the four stages IA to ID is provided with a conveyor belt 4 and a wafer presser 5 as in the conventional stage.
このように構成されたステージを有するイオン注入装置
においては、ウェハーの立て替えは次のようにして行な
われる。In the ion implantation apparatus having the stage configured as described above, the wafer is repositioned as follows.
垂直に位置するステージIB上のウェハーにイオン注入
が行なわれる。この時、イオン注入済みのウェハーは、
水平の位置に移動したステージIA上にある。そして、
ステージIA上のウェハー押え5がシリンダーにより突
き上げられ、注入済みのウェハーは搬送ベルト4等によ
り運ばれ、未注入ウェハーと入れ替えられる。Ion implantation is performed on a wafer on a vertically positioned stage IB. At this time, the ion-implanted wafer is
It is on stage IA which has been moved to a horizontal position. and,
The wafer holder 5 on the stage IA is pushed up by a cylinder, and the injected wafers are carried by the conveyor belt 4 or the like and replaced with uninjected wafers.
ステージIB上のウェハーへのイオン注入と、ステージ
IA上のウェハーの立て替えが終了した時点で、モータ
2により回転軸3が90°回転し、ステージIBはステ
ージIAの位置に、また未注入ウェハーを保持したステ
ージICはステージIBの位置に移動し、再びイオン注
入とウェハーの立て替えが行なわれる。When the ion implantation into the wafer on stage IB and the repositioning of the wafer on stage IA are completed, the rotary shaft 3 is rotated by 90 degrees by the motor 2, and the stage IB returns to the position of stage IA, and the unimplanted wafer is returned to the position of stage IA. The held stage IC is moved to the position of stage IB, and ion implantation and wafer replacement are performed again.
このように本実施例によれば、イオン注入中にウェハー
の立て替えを行なうことができるため、イオン注入の処
理時間は大幅に短縮される。As described above, according to this embodiment, since the wafer can be repositioned during ion implantation, the processing time for ion implantation can be significantly shortened.
以上説明したように本発明は、イオン注入装置の回転軸
に4枚の注入ターゲット用のステージを固定することに
より、ウェハーへのイオン注入と注入済みのウェハーの
立て替えを同時に行なう事ができるため、イオン注入の
処理時間を短くできる効果がある。As explained above, in the present invention, by fixing stages for four implantation targets to the rotating shaft of the ion implanter, ions can be implanted into a wafer and the implanted wafer can be repositioned at the same time. This has the effect of shortening the processing time for ion implantation.
第1図は本発明の一実施例のステージの斜視図である。
■A〜ID・・・ステージ、2・・・モータ、3・・・
回転軸、4・・・搬送ベルト、5・・・ウェハー押え。FIG. 1 is a perspective view of a stage according to an embodiment of the present invention. ■A~ID...Stage, 2...Motor, 3...
Rotating shaft, 4... Conveyor belt, 5... Wafer holder.
Claims (1)
された注入ターゲットのステージと、該ステージに設け
られた搬送ベルトとウェハー押えとを有するイオン注入
装置において、前記回転軸には4枚のステージが固定さ
れ、かつ、各ステージの面がほぼ直角に位置するように
構成されていることを特徴とするイオン注入装置。In an ion implantation apparatus having a rotating shaft connected to a motor, a stage for an implantation target having one side fixed to the rotating shaft, and a conveyor belt and a wafer holder provided on the stage, the rotating shaft has four plates. An ion implantation apparatus characterized in that the stages are fixed and the surfaces of each stage are positioned at substantially right angles.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63037275A JPH01211939A (en) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | Ion-implantation device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63037275A JPH01211939A (en) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | Ion-implantation device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01211939A true JPH01211939A (en) | 1989-08-25 |
Family
ID=12493138
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63037275A Pending JPH01211939A (en) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | Ion-implantation device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01211939A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006344949A (en) * | 2005-06-03 | 2006-12-21 | Wafermasters Inc | Treatment chamber and wafer annealing system and method for treating semiconductor wafer |
KR100814893B1 (en) * | 2006-08-03 | 2008-03-18 | 주식회사 에스에프에이 | Device loading and unloading, and method thereof |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6163666A (en) * | 1984-06-26 | 1986-04-01 | メルク エンド カムパニー インコーポレーテッド | Benzodiazepine analogue |
JPS63238069A (en) * | 1987-03-16 | 1988-10-04 | メルク エンド カムパニー インコーポレーテツド | Benzodiazepine analogue |
JPH0256481A (en) * | 1988-07-07 | 1990-02-26 | Fujisawa Pharmaceut Co Ltd | Benzodiazepine derivative |
-
1988
- 1988-02-18 JP JP63037275A patent/JPH01211939A/en active Pending
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JPS6163666A (en) * | 1984-06-26 | 1986-04-01 | メルク エンド カムパニー インコーポレーテッド | Benzodiazepine analogue |
JPS63238069A (en) * | 1987-03-16 | 1988-10-04 | メルク エンド カムパニー インコーポレーテツド | Benzodiazepine analogue |
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