JPH0954228A - 光受信モジュール - Google Patents
光受信モジュールInfo
- Publication number
- JPH0954228A JPH0954228A JP20859895A JP20859895A JPH0954228A JP H0954228 A JPH0954228 A JP H0954228A JP 20859895 A JP20859895 A JP 20859895A JP 20859895 A JP20859895 A JP 20859895A JP H0954228 A JPH0954228 A JP H0954228A
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- optical fiber
- groove
- optical
- light receiving
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の光受信モジュールでは、半導体受光素
子の下に光ファイバの先端が入り込むので、光ファイバ
の実装時に先端の位置が確認できなかった。 【解決手段】 光ファイバ３を固定するためにＳｉ基板
２に形成されるＶ溝４を形状の異なる２つの部分から構
成し、Ｖ溝４の幅の広い部分は光ファイバ３の固定部９
とし、Ｖ溝４の形状の異なる境界部分を光ファイバ３先
端の固定面１１とするとともに、この固定面１１の位置
が半導体受光素子５の下に入り込まない位置とし、かつ
固定部９の深さを光ファイバ３の全体がＶ溝４に入り込
まない深さとする。
子の下に光ファイバの先端が入り込むので、光ファイバ
の実装時に先端の位置が確認できなかった。 【解決手段】 光ファイバ３を固定するためにＳｉ基板
２に形成されるＶ溝４を形状の異なる２つの部分から構
成し、Ｖ溝４の幅の広い部分は光ファイバ３の固定部９
とし、Ｖ溝４の形状の異なる境界部分を光ファイバ３先
端の固定面１１とするとともに、この固定面１１の位置
が半導体受光素子５の下に入り込まない位置とし、かつ
固定部９の深さを光ファイバ３の全体がＶ溝４に入り込
まない深さとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高速光通信用の平
面実装光受信モジュールの構造に関するものである。
面実装光受信モジュールの構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の光受信モジュー
ルの技術としては、「ＡＴ＆Ｔ“１３１−Ｔｙｐｅ ｗ
ｉｔｈ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｐｒｅ−Ａｍｐ”」の
技術資料に開示されるものがある。図３は上記文献に開
示された従来の光受信モジュールの構成例を示す説明図
で、図３（ａ）は分解斜視図、図３（ｂ）は受光部分の
側断面図、図３（ｃ）は光ファイバを固定する部分の正
面断面図である。
ルの技術としては、「ＡＴ＆Ｔ“１３１−Ｔｙｐｅ ｗ
ｉｔｈ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｐｒｅ−Ａｍｐ”」の
技術資料に開示されるものがある。図３は上記文献に開
示された従来の光受信モジュールの構成例を示す説明図
で、図３（ａ）は分解斜視図、図３（ｂ）は受光部分の
側断面図、図３（ｃ）は光ファイバを固定する部分の正
面断面図である。
【０００３】図において、５１は光受信モジュールで、
この光受信モジュール５１は半導体受光素子５２、光フ
ァイバ５３を搭載するＶ溝５４が形成されたＳｉ基板５
５、このＳｉ基板５５と前置増幅器５６を収納するパッ
ケージ５７および電気信号を出力する出力端子と前記半
導体受光素子５２と前置増幅器５６に電源を供給する電
源供給端子とを備えた端子５８より構成される。
この光受信モジュール５１は半導体受光素子５２、光フ
ァイバ５３を搭載するＶ溝５４が形成されたＳｉ基板５
５、このＳｉ基板５５と前置増幅器５６を収納するパッ
ケージ５７および電気信号を出力する出力端子と前記半
導体受光素子５２と前置増幅器５６に電源を供給する電
源供給端子とを備えた端子５８より構成される。
【０００４】前記Ｖ溝５４は、図３（ｃ）に示すように
前記光ファイバ５３全体が入り込む深さがあり、このＶ
溝の先端の斜面に光ファイバ５３の先端を付き当てて位
置決めが行えるようになっている。また、この斜面を反
射面として、光ファイバ５３から放射した光を反射し、
その光をＳｉ基板５５上に実装した半導体受光素子５２
に入光するようになっている。ここで、光ファイバ５３
の先端から半導体受光素子５２までの距離を短くするた
め、該光ファイバ５３の先端は半導体受光素子５２の下
に入り込む位置で固定される。
前記光ファイバ５３全体が入り込む深さがあり、このＶ
溝の先端の斜面に光ファイバ５３の先端を付き当てて位
置決めが行えるようになっている。また、この斜面を反
射面として、光ファイバ５３から放射した光を反射し、
その光をＳｉ基板５５上に実装した半導体受光素子５２
に入光するようになっている。ここで、光ファイバ５３
の先端から半導体受光素子５２までの距離を短くするた
め、該光ファイバ５３の先端は半導体受光素子５２の下
に入り込む位置で固定される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の光受信モジュールでは、光ファイバの先端が半
導体受光素子の下に入り込む構造のため、半導体受光素
子をＳｉ基板に実装した後に光ファイバを実装しようと
すると、光ファイバの先端の位置を確認できないため、
光ファイバの先端で半導体受光素子を破損したり、光フ
ァイバの先端を破損したりするという問題がある。
た従来の光受信モジュールでは、光ファイバの先端が半
導体受光素子の下に入り込む構造のため、半導体受光素
子をＳｉ基板に実装した後に光ファイバを実装しようと
すると、光ファイバの先端の位置を確認できないため、
光ファイバの先端で半導体受光素子を破損したり、光フ
ァイバの先端を破損したりするという問題がある。
【０００６】また、光ファイバの先端の位置が確認でき
ないので、正規の位置に光ファイバが固定されず、結合
効率が低下するという問題がある。さらに、光ファイバ
を先に実装すると、半導体受光素子実装時に加えられる
熱で光ファイバの固定の信頼性が劣化するという問題が
ある。
ないので、正規の位置に光ファイバが固定されず、結合
効率が低下するという問題がある。さらに、光ファイバ
を先に実装すると、半導体受光素子実装時に加えられる
熱で光ファイバの固定の信頼性が劣化するという問題が
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明は、基板に形成されたＶ溝に光ファイバを
固定し、Ｖ溝の先端に反射面を形成して光ファイバの光
軸を変換し、前記基板に実装される半導体受光素子に光
を入力する光受信モジュールにおいて、前記Ｖ溝を形状
の異なる２つの部分から構成し、形状の異なる境界部分
に前記光ファイバ先端の固定面を形成し、Ｖ溝のこの固
定面より先端側の部分に光ファイバの光軸を変換する反
射面を設けたもので、前記固定面の位置が半導体受光素
子の下に入り込まない位置とし、かつ、前記Ｖ溝の光フ
ァイバの固定される部分の深さは、光ファイバ全体がＶ
溝に入り込まない深さとしたものである。
ため、本発明は、基板に形成されたＶ溝に光ファイバを
固定し、Ｖ溝の先端に反射面を形成して光ファイバの光
軸を変換し、前記基板に実装される半導体受光素子に光
を入力する光受信モジュールにおいて、前記Ｖ溝を形状
の異なる２つの部分から構成し、形状の異なる境界部分
に前記光ファイバ先端の固定面を形成し、Ｖ溝のこの固
定面より先端側の部分に光ファイバの光軸を変換する反
射面を設けたもので、前記固定面の位置が半導体受光素
子の下に入り込まない位置とし、かつ、前記Ｖ溝の光フ
ァイバの固定される部分の深さは、光ファイバ全体がＶ
溝に入り込まない深さとしたものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１は本発明の光受信モジュール
の第１の発明の形態を示す説明図で、図１（ａ）は分解
斜視図、図１（ｃ）は受光部分の側断面図である。図に
おいて、１は光受信モジュールで、光受信モジュール１
は以下に示す構成よりなる。
の第１の発明の形態を示す説明図で、図１（ａ）は分解
斜視図、図１（ｃ）は受光部分の側断面図である。図に
おいて、１は光受信モジュールで、光受信モジュール１
は以下に示す構成よりなる。
【０００９】２はＳｉ基板で、このＳｉ基板２には光フ
ァイバ３を固定するためのＶ溝４が設けられている。５
は半導体受光素子で、裏面には光の入射面が設けられ、
この入射面が前記Ｖ溝４上の所定の位置ににくるように
前記Ｓｉ基板２上に実装される。６は前置増幅器で、こ
の前置増幅器６と前記Ｓｉ基板２はパッケージ７に収納
される。このパッケージ７には、電気信号を出力する出
力端子と前記半導体受光素子５と前置増幅器６に電源を
供給する電源供給端子とよりなる端子８が備えられてい
る。
ァイバ３を固定するためのＶ溝４が設けられている。５
は半導体受光素子で、裏面には光の入射面が設けられ、
この入射面が前記Ｖ溝４上の所定の位置ににくるように
前記Ｓｉ基板２上に実装される。６は前置増幅器で、こ
の前置増幅器６と前記Ｓｉ基板２はパッケージ７に収納
される。このパッケージ７には、電気信号を出力する出
力端子と前記半導体受光素子５と前置増幅器６に電源を
供給する電源供給端子とよりなる端子８が備えられてい
る。
【００１０】次に、前記Ｖ溝４の形状について説明す
る。図２はＶ溝の第１の実施の形態を示す説明図で、図
２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は側断面図、図２（ｃ）
は正面断面図である。図２に示すように、Ｖ溝４は幅お
よび深さの異なる２つの部分から構成される。
る。図２はＶ溝の第１の実施の形態を示す説明図で、図
２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は側断面図、図２（ｃ）
は正面断面図である。図２に示すように、Ｖ溝４は幅お
よび深さの異なる２つの部分から構成される。
【００１１】すなわち、Ｖ溝４の幅が広く深さの深い部
分は光ファイバ３の固定部９となり、Ｖ溝４のこの固定
部９より先端側は幅を狭く深さを浅くした光軸変換部１
０となり、固定部９と光軸変換部１０との境界部分に光
ファイバ３の先端の位置を決める固定面１１が形成され
る。この固定面１１の位置は、半導体受光素子５の下に
入り込まない位置とする。
分は光ファイバ３の固定部９となり、Ｖ溝４のこの固定
部９より先端側は幅を狭く深さを浅くした光軸変換部１
０となり、固定部９と光軸変換部１０との境界部分に光
ファイバ３の先端の位置を決める固定面１１が形成され
る。この固定面１１の位置は、半導体受光素子５の下に
入り込まない位置とする。
【００１２】ここで、Ｖ溝４の固定部９の幅は、光ファ
イバ３全体がＶ溝４の中に入り込む深さでなく、光ファ
イバ３のコア３ａまでがＶ溝４に入り込む深さとなるよ
うな幅としている。例えば、光ファイバ３がコア径１０
μｍ、クラッド径１２５μｍのシングルモード光ファイ
バの場合、Ｖ溝４の固定部９の幅を１８０μｍとする
と、光ファイバ３がＶ溝４に入り込む深さは８１μｍと
なって、光ファイバ３全体がＶ溝４に入り込まない。
イバ３全体がＶ溝４の中に入り込む深さでなく、光ファ
イバ３のコア３ａまでがＶ溝４に入り込む深さとなるよ
うな幅としている。例えば、光ファイバ３がコア径１０
μｍ、クラッド径１２５μｍのシングルモード光ファイ
バの場合、Ｖ溝４の固定部９の幅を１８０μｍとする
と、光ファイバ３がＶ溝４に入り込む深さは８１μｍと
なって、光ファイバ３全体がＶ溝４に入り込まない。
【００１３】また、光軸変換部１０の幅は、前記固定部
９の半分程度とすることで、光軸変換部１０と固定部９
の境界の斜面に光ファイバ３が突き当たり、これにより
光ファイバ３の固定面１１が形成できるとともに、光フ
ァイバ３から放射される光は光軸変換部１０を通過する
ことができる。そして、光軸変換部１０の先端には斜面
を形成し、この斜面を反射面１２として、光ファイバ３
から放射される光の光軸をＳｉ基板２の表面方向に変換
する。前記半導体受光素子５は、その裏面に設けられた
図示しない光の入射面がＶ溝４の反射面１２の上にくる
ようにＳｉ基板２に実装される。
９の半分程度とすることで、光軸変換部１０と固定部９
の境界の斜面に光ファイバ３が突き当たり、これにより
光ファイバ３の固定面１１が形成できるとともに、光フ
ァイバ３から放射される光は光軸変換部１０を通過する
ことができる。そして、光軸変換部１０の先端には斜面
を形成し、この斜面を反射面１２として、光ファイバ３
から放射される光の光軸をＳｉ基板２の表面方向に変換
する。前記半導体受光素子５は、その裏面に設けられた
図示しない光の入射面がＶ溝４の反射面１２の上にくる
ようにＳｉ基板２に実装される。
【００１４】以下に、上述した第１の実施の形態の光受
信モジュールの動作を説明する。光ファイバ３の端面か
ら放射される光はＶ溝４の先端に設けられた反射面１２
で反射し、その光をＳｉ基板２のＶ溝４の光軸変換部１
０上に設けた半導体受光素子５で受光する。そして、半
導体受光素子５にて光電変換を行って光信号を電気信号
に変換し、この電気信号を前置増幅器６で増幅して、端
子８から出力する。
信モジュールの動作を説明する。光ファイバ３の端面か
ら放射される光はＶ溝４の先端に設けられた反射面１２
で反射し、その光をＳｉ基板２のＶ溝４の光軸変換部１
０上に設けた半導体受光素子５で受光する。そして、半
導体受光素子５にて光電変換を行って光信号を電気信号
に変換し、この電気信号を前置増幅器６で増幅して、端
子８から出力する。
【００１５】以上の構成によると、光ファイバ３はＶ溝
４の固定部９で固定され、さらに光ファイバ３の先端は
Ｖ溝４の固定部９と光軸変換部１０の境界部分に形成し
た固定面１１に付き当てて固定されるので、無調整で光
ファイバ３と半導体受光素子５との結合ができる。ま
た、レンズを用いずＶ溝４の先端の斜面を反射面１２と
して光軸変換する平面実装とし、光ファイバ３の端面か
ら放射した光を前記反射面１２で反射し、その光をＶ溝
４が設けられているＳｉ基板２上の半導体受光素子５で
受光する構造であるため、光受信モジュールは小型で薄
型にすることができる。
４の固定部９で固定され、さらに光ファイバ３の先端は
Ｖ溝４の固定部９と光軸変換部１０の境界部分に形成し
た固定面１１に付き当てて固定されるので、無調整で光
ファイバ３と半導体受光素子５との結合ができる。ま
た、レンズを用いずＶ溝４の先端の斜面を反射面１２と
して光軸変換する平面実装とし、光ファイバ３の端面か
ら放射した光を前記反射面１２で反射し、その光をＶ溝
４が設けられているＳｉ基板２上の半導体受光素子５で
受光する構造であるため、光受信モジュールは小型で薄
型にすることができる。
【００１６】ここで、本発明第１の実施の形態の光受信
モジュールにおいては、光ファイバ３の全体がＶ溝４に
入り込まないように該Ｖ溝４の固定部９の幅を決めてお
り、このとき、光ファイバ３のコア３ａ全体が半導体受
光素子５の底面の入射表面よりも低い位置にあって、光
ファイバ３からの放射パターンが反射面１２に当たるよ
うにすればよいので、反射面１２から半導体受光素子５
の入射面までの距離が短くなり、このため、光ファイバ
３の先端を半導体受光素子５の下に入り込ませない位置
まで後退させても光ファイバ３の先端から半導体受光素
子５の入射面までの距離が延びることはなく、光ファイ
バ３がコア径１０μｍ、クラッド径１２５μｍのシング
ルモードの光ファイバの場合、光ファイバ３の端面から
半導体受光素子５の入射面までの距離は１４０〜１７０
μｍとなり、この距離は、光ファイバの先端を半導体受
光素子５の下に入り込ませていた従来のものと変わらな
い。
モジュールにおいては、光ファイバ３の全体がＶ溝４に
入り込まないように該Ｖ溝４の固定部９の幅を決めてお
り、このとき、光ファイバ３のコア３ａ全体が半導体受
光素子５の底面の入射表面よりも低い位置にあって、光
ファイバ３からの放射パターンが反射面１２に当たるよ
うにすればよいので、反射面１２から半導体受光素子５
の入射面までの距離が短くなり、このため、光ファイバ
３の先端を半導体受光素子５の下に入り込ませない位置
まで後退させても光ファイバ３の先端から半導体受光素
子５の入射面までの距離が延びることはなく、光ファイ
バ３がコア径１０μｍ、クラッド径１２５μｍのシング
ルモードの光ファイバの場合、光ファイバ３の端面から
半導体受光素子５の入射面までの距離は１４０〜１７０
μｍとなり、この距離は、光ファイバの先端を半導体受
光素子５の下に入り込ませていた従来のものと変わらな
い。
【００１７】また、光ファイバ３の先端を半導体受光素
子５の下に入り込ませずに露出した位置で固定するの
で、組み立てが容易となる。すなわち、半導体受光素子
５をＳｉ基板２に実装した後、光ファイバ３の先端の位
置を確認して該光ファイバを固定するため、光ファイバ
３の先端で半導体受光素子５を破損したり、正規の位置
に光ファイバ３が固定されず結合効率が低下するという
ことはない。さらに、光ファイバ３の先端の位置を確認
してから該光ファイバ３を固定するので、組み立て精度
が向上し、組み立て許容範囲が向上する。
子５の下に入り込ませずに露出した位置で固定するの
で、組み立てが容易となる。すなわち、半導体受光素子
５をＳｉ基板２に実装した後、光ファイバ３の先端の位
置を確認して該光ファイバを固定するため、光ファイバ
３の先端で半導体受光素子５を破損したり、正規の位置
に光ファイバ３が固定されず結合効率が低下するという
ことはない。さらに、光ファイバ３の先端の位置を確認
してから該光ファイバ３を固定するので、組み立て精度
が向上し、組み立て許容範囲が向上する。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、光ファ
イバを固定するために基板に形成されるＶ溝を形状の異
なる２つの部分から構成し、形状の異なる境界部分に前
記光ファイバ先端の固定面を形成し、Ｖ溝のこの固定面
より先端側の部分に光ファイバの光軸を変換する反射面
を設けるとともに、前記固定面の位置が半導体受光素子
の下に入り込まない位置としたので、半導体受光素子を
基板に実装した後、光ファイバの先端の位置を確認して
該光ファイバを固定することができるため、光ファイバ
の先端で半導体受光素子を破損したり、正規の位置に光
ファイバが固定されず結合効率が低下するということは
ない。さらに、光ファイバの先端の位置を確認してから
該光ファイバを固定するので、組み立て精度が向上し、
組み立て許容範囲が向上して、これにより、組み立て工
数、組み立て歩留りの向上が期待できる。
イバを固定するために基板に形成されるＶ溝を形状の異
なる２つの部分から構成し、形状の異なる境界部分に前
記光ファイバ先端の固定面を形成し、Ｖ溝のこの固定面
より先端側の部分に光ファイバの光軸を変換する反射面
を設けるとともに、前記固定面の位置が半導体受光素子
の下に入り込まない位置としたので、半導体受光素子を
基板に実装した後、光ファイバの先端の位置を確認して
該光ファイバを固定することができるため、光ファイバ
の先端で半導体受光素子を破損したり、正規の位置に光
ファイバが固定されず結合効率が低下するということは
ない。さらに、光ファイバの先端の位置を確認してから
該光ファイバを固定するので、組み立て精度が向上し、
組み立て許容範囲が向上して、これにより、組み立て工
数、組み立て歩留りの向上が期待できる。
【００１９】また、Ｖ溝の深さを光ファイバ全体が入り
込まない深さとしたので、Ｖ溝先端の反射面から半導体
受光素子までの距離を短くでき、これにより、光ファイ
バの先端を半導体受光素子の下に入り込ませない位置ま
で後退させても、光ファイバの端面から半導体受光素子
までの距離は短くでき、結合効率が低下することはな
い。
込まない深さとしたので、Ｖ溝先端の反射面から半導体
受光素子までの距離を短くでき、これにより、光ファイ
バの先端を半導体受光素子の下に入り込ませない位置ま
で後退させても、光ファイバの端面から半導体受光素子
までの距離は短くでき、結合効率が低下することはな
い。
【図１】本発明の光受信モジュールの第１の発明の形態
を示す説明図
を示す説明図
【図２】Ｖ溝の第１の実施の形態を示す説明図
【図３】従来の光受信モジュールの説明図
１ 光受信モジュール ２ Ｓｉ基板 ３ 光ファイバ ４ Ｖ溝 ５ 半導体受光素子 ９ 固定部 １０ 光軸変換部 １１ 固定面 １２ 反射面
Claims (2)
- 【請求項１】 基板に形成されたＶ溝に光ファイバを固
定し、Ｖ溝の先端に反射面を形成して光ファイバの光軸
を変換し、前記基板に実装される半導体受光素子に光を
入力する光受信モジュールにおいて、 前記Ｖ溝を形状の異なる２つの部分から構成し、形状の
異なる境界部分に前記光ファイバ先端の固定面を形成
し、Ｖ溝のこの固定面より先端側の部分に光ファイバの
光軸を変換する反射面を設けるとともに、前記固定面の
位置が半導体受光素子の下に入り込まない位置とするこ
とを特徴とする光受信モジュール。 - 【請求項２】 請求項１記載の光受信モジュールにおい
て、 前記Ｖ溝の光ファイバの固定される部分の深さは、光フ
ァイバ全体がＶ溝に入り込まない深さとすることを特徴
とする光受信モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20859895A JPH0954228A (ja) | 1995-08-16 | 1995-08-16 | 光受信モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20859895A JPH0954228A (ja) | 1995-08-16 | 1995-08-16 | 光受信モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0954228A true JPH0954228A (ja) | 1997-02-25 |
Family
ID=16558863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20859895A Pending JPH0954228A (ja) | 1995-08-16 | 1995-08-16 | 光受信モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0954228A (ja) |
Cited By (12)
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-
1995
- 1995-08-16 JP JP20859895A patent/JPH0954228A/ja active Pending
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