JPH09320887A

JPH09320887A - 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法

Info

Publication number: JPH09320887A
Application number: JP8139874A
Authority: JP
Inventors: Hikoharu Okuyama; 彦治奥山; 辰男 ▲高▼橋; Tatsuo Takahashi; Mahito Omiya; 磨人大宮; Hisanao Nakakura; 久直中蔵; Iwao Ishikawa; 巌夫石川
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1996-06-03
Filing date: 1996-06-03
Publication date: 1997-12-12

Abstract

(57)【要約】【課題】高い容量精度が要求される積層セラミックコ
ンデンサの容量命中率の向上と中高圧用積層セラミック
コンデンサの耐沿面放電性の向上とを目的とする。【解決手段】第２のシート４ｂと内部電極層２が交互
に積層された静電容量を得るための実効部分５ｂと、外
部からこの実効部分５ｂを保護する第１の誘電体層５
ａ，５ｃについて、第１の誘電体層５ａ，５ｃの比誘電
率を実効部分５ｂの比誘電率よりも小さくしたものであ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は積層セラミックコン
デンサ及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】積層セラミックコンデンサの製造方法と
しては、まずセラミック誘電体原料と樹脂バインダ、可
塑剤等を混合してスラリー化し、リバースロール法等で
キャリアフィルム上にセラミックグリーンシート（以
下、シートと記す）を作製し、次に、このシート上にス
クリーン印刷法で内部電極層を都度形成しながら図９に
その断面図を示すように、誘電体層１を介して内部電極
層２ａが一定寸法交互にずれるようにシートを積み重ね
て圧着させた後、所望形状のチップに切断し、得られた
積層体を焼成する。その後、焼結体の両端部に外部電極
３を形成して内部電極層２ａとの接続をとる手法が一般
的に行われている。このとき積層に供されるシートは、
内部電極層２ａ間に挟まれた誘電体層１と内部電極層２
ａ間に挟まれていない誘電体層１とは、通常同一のシー
トを用いて構成されている。

【０００３】一方、近年中高圧用セラミックコンデンサ
の積層チップ化の動きが盛んになっている。中高圧用積
層セラミックコンデンサでは、絶縁耐圧を向上させるた
めに、図１０にその断面図を示すように、端部が外部電
極３に接続されている内部電極層２ｂ（以下、対向電極
と記す）と、端部が外部電極３に接続されずかつ対向電
極２ｂのそれぞれに重なるような内部電極層２ｃ（以
下、浮遊電極と記す）とを誘電体層１を介して交互に配
置させることで１層当たりに加わる電界強度が等価回路
的に半減される直並列型の積層構造にする手法が一般的
である。尚、この場合も積層に供されるシートは、素子
上下部のマージン部分とコンデンサの容量に関わる実効
部分とは通常同一のシートを用いて構成されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】一般に、積層セラミッ
クコンデンサは温度補償用と高誘電率用に大別される
が、特に前者は高い容量精度を要求される製品が大半で
ある。このため量産時に所望の容量値を精度よく実現さ
せる容量命中率の向上が製造上の重要課題となっている
のが現状である。しかしながら上記で説明した構成で
は、上、下の内部電極層２ａに挟まれていない誘電体層
を起因とする浮遊容量が発生し、この値の読み込みが非
常に困難であるため、容量命中率の低下を招いている。

【０００５】一方、中高圧用積層セラミックコンデンサ
においては基本的に素子を樹脂モールドせず、そのまま
の形態で使用することが前提となっており、そのため使
用時における素子表面での耐沿面放電特性が品質上の重
要課題となっている。

【０００６】そこで本発明は上記問題点に鑑み、温度補
償用積層セラミックコンデンサにおいては容量命中率の
向上を、中高圧用積層セラミックコンデンサにおいては
耐沿面放電特性の改善を、実現することを目的とするも
のである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の積層セラミックコンデンサは、誘電体層と内
部電極層とを交互に積層した積層体と、この積層体の
上、下両面に設けた保護層とを有するセラミック焼結体
と、このセラミック焼結体の前記内部電極層の露出した
端面に設けた外部電極とを備え、前記保護層の内少なく
とも最外層の比誘電率は、前記内部電極層に挟まれた前
記誘電体層の比誘電率よりも小さくしたことを特徴とす
るものである。

【０００８】一般にセラミック表面の沿面放電電圧Ｖ
は、表面の固有容量をＣ、電極間距離Ｌ、比例定数をα
とすると、概略下記のように表現される。（例えば、放
電ハンドブック［電気学会編］Ｐ２２７参照）Ｖ＝α・Ｌ^m／Ｃ^ｌ（０＜ｌ＜１，０＜ｍ＜１）ここで固有容量Ｃはセラミックの比誘電率εに比例した
値を取ることから、結果的に沿面放電電圧ＶはＬが一定
のときはεに反比例することがわかる。従って上記構成
によって、保護層の内少なくとも最外層の比誘電率を内
部電極層に挟まれた誘電体層の比誘電率よりも小さくし
たので、コンデンサの容量取得には影響を与えることな
く沿面放電開始電圧（以下、ＦＯＶと記す）を向上させ
ることが可能となるわけである。

【０００９】また同時に、保護層の内少なくとも最外層
の比誘電率を低下させることにより、保護層に起因する
浮遊容量が低下し、コンデンサの実質の静電容量は実効
部分の設計寸法のみからほぼ正しい値を算出することが
可能となり、量産時の容量命中率を向上させることがで
きる。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、誘電体層と内部電極層とを交互に積層した積層体
と、この積層体の上、下両面に設けた保護層とを有する
セラミック焼結体と、このセラミック焼結体の前記内部
電極層の露出した端面に設けた外部電極とを備え、前記
保護層の内少なくとも最外層の比誘電率は、前記内部電
極層に挟まれた前記誘電体層の非誘電率よりも小さくし
たことを特徴とする積層セラミックコンデンサであり、
ＦＯＶを向上させ、かつ容量命中率を向上させる作用を
有する。

【００１１】請求項２に記載の発明は、保護層の内少な
くとも最外層の比誘電率をε₁、誘電体層の比誘電率を
ε₂としたとき、ε₂／ε₁≧１．１となるようにした請
求項１に記載の積層セラミックコンデンサであり、ＦＯ
Ｖの改善効果の好ましい条件を与えるものである。

【００１２】請求項３に記載の発明は、内部電極層は、
同一面内において少なくとも２つの電極が一定距離をお
いて対向するとともにその一端が各々別の外部電極に接
続されている第１の内部電極層と、端部が前記外部電極
に非接触の状態でかつ前記第１の内部電極層と誘電体層
を介して重なるように設けられた第２の内部電極層とを
備えた請求項１に記載の積層セラミックコンデンサであ
り、ＦＯＶを向上させ、かつ容量命中率を向上させる作
用を有する。

【００１３】請求項４に記載の発明は、保護層の内少な
くとも最外層の厚みをｔ１、誘電体層の厚みをｔ２とし
た時、１≦ｔ₁／ｔ₂≦４とした請求項３に記載の積層セ
ラミックコンデンサであり、保護層と誘電体層との一体
焼結性を向上させることができる。

【００１４】請求項５に記載の発明は、第１のセラミッ
クシートを所望枚数積層して下部第１の誘電体層を作成
する工程と、次にこの第１の誘電体層上に第２の誘電体
層と内部電極層とを交互に所望の積層数になるように積
層し第１の積層体を得る工程と、この第１の積層体上に
前記第１のセラミックシートを所望枚数積層して上部第
１の誘電体層を形成し第２の積層体を得る工程と、その
後この第２の積層体を所望の形状のチップに切断し、次
いでこのチップを焼成した後前記チップの端面に外部電
極を形成する工程とを有し、前記第１の誘電体層の比誘
電率は前記第２の誘電体層の比誘電率よりも小さい積層
セラミックコンデンサの製造方法であり、ＦＯＶを向上
させ、かつ容量命中率を向上させる作用を有する。

【００１５】請求項６に記載の発明は、第１の誘電体層
の焼成時の収縮率をＳ₁（％）、第２の誘電体層の焼成
時の収縮率をＳ₂（％）としたとき、｜Ｓ₁−Ｓ₂｜≦
３．０となる誘電体層を用いる請求項５に記載の積層セ
ラミックコンデンサの製造方法であり、保護層と誘電体
層との一体焼結性を向上させることができる。

【００１６】請求項７に記載の発明は、第１の誘電体層
と第２の誘電体層との間に少なくとも一層以上の接着用
シートを設けた請求項５に記載の積層セラミックコンデ
ンサの製造方法であり、保護層と誘電体層との固着力を
強固にするための作用を有する。

【００１７】請求項８に記載の発明は、接着用シート
は、少なくとも第１の誘電体層の収縮率と、第２の誘電
体層の収縮率の間の収縮率を有するものである請求項７
に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法であり、
保護層と誘電体層との一体焼結性を向上させることがで
きる。

【００１８】請求項９に記載の発明は、接着用シート
は、第１の誘電体層及び第２の誘電体層よりも高い接着
性を有する請求項７に記載の積層セラミックコンデンサ
の製造方法であり、保護層と誘電体層との固着力を強固
にするための作用を有する。

【００１９】請求項１０に記載の発明は、第２の誘電体
層と内部電極層とを交互に積層して第１の積層体を形成
する工程と、前記第１の積層体の前記内部電極層の非露
出面に第１の誘電体層を圧着して第２の積層体を形成す
る工程と、前記第２の積層体を焼成した後、前記内部電
極層の露出した端面に外部電極を形成する工程を有し、
前記第１の誘電体層の比誘電率は前記第２の誘電体層の
比誘電率よりも小さくした積層セラミックコンデンサの
製造方法であり、ＦＯＶを向上させ、かつ容量命中率を
向上させる作用を有する。

【００２０】請求項１１に記載の発明は、第２の誘電体
層と内部電極層とを交互に積層して角柱状の積層体を形
成する工程と、この積層体を第１の誘電体層を用いて形
成された角筒に圧入して焼成して焼結体を得る工程と、
この焼結体の前記内部電極層の露出した端面に外部電極
を形成する工程とを有し、前記第１の誘電体層の比誘電
率は前記第２の誘電体層の比誘電率よりも小さくした積
層セラミックコンデンサの製造方法であり、ＦＯＶを向
上させ、かつ容量命中率を向上させる作用を有する。

【００２１】以下、本発明の実施の形態について図面を
参照しながら説明する。（実施の形態１）図１は、本発明における積層セラミッ
クコンデンサの積層方法の一例を単体の素子について示
した図である。まず、焼結後の比誘電率がε₁となる第
１のシート４ａを所定枚数積層して下部の第１の誘電体
層５ａを形成し、続いて焼結後の比誘電率がε₂となる
第２の誘電体層用の第２のシート４ｂと内部電極層２ａ
とを交互に、静電容量を得るための実効部分５ｂを作製
し、所望の積層数の終了した時点で、第１のシート４ａ
を所定枚数積層して上部の第１の誘電体層５ｃを作製す
る積層工程を示している。

【００２２】このとき、第１および第２のシート４ａ，
４ｂは、誘電体原料をスラリー化した後リバースロール
コータによりキャリアフィルム上に成形する。また、内
部電極層２ａは通常スクリーン印刷法で形成するが、そ
の形成時期は積層時に印刷と積層をその都度繰り返す方
法や、予め内部電極層２ａを形成した第２のシート４ｂ
を重ね合わせる方法など種々考えられるが、本発明では
特に限定する必要はない。さらに第１の誘電体層５ａ，
５ｃは、同じ厚みにしておくことが焼結性を考慮したと
き好ましい。尚、図１では内部電極層２ａのパターン
は、図９に示す一般的な並列型の構成をとっているが、
図７に示した浮遊電極２ｃを有する中高圧コンデンサの
製造についても内部電極層２ａのパターンを変更するだ
けで同様の積層方法で得られることは言うまでもない。

【００２３】以上の積層工程は通常複数の素子から得ら
れる所定の大きさのグリーンシートで行い、積層終了
後、得られた積層成形体を所望のチップ状に切断し、電
気炉内で有機バインダの脱脂を行った後、１２００〜１
３００℃で焼成して焼結素体を得る。次に、得られた焼
結素子の内部電極層２ａが露出した端面に銀を主成分と
する外部電極３を焼付けによって形成し、積層セラミッ
クコンデンサを作製する。

【００２４】本実施の形態においては、上、下部の第１
の誘電体層５ａ，５ｃに供される第１のシート４ａとし
て焼結後の比誘電率ε₁が５０となるシートを、実効部
分５ｂに供される第２のシート４ｂとして焼結後の比誘
電率ε₂が１００となると共に厚み５０μｍのシートを
用い、素子形状が３２１６タイプ、静電容量が１００ｐ
Ｆとなるように内部電極層２ａ面積及び積層数の所定の
設計を施した後、上述した方法で積層セラミックコンデ
ンサを作製した。

【００２５】また比較例として、焼結後の比誘電率ε₂
が１００となる第２のシート４ｂのみを用いて上記と同
様の方法で積層セラミックコンデンサを作製した。

【００２６】こうして得られた２種類の積層セラミック
コンデンサ各１００個について、初期の静電容量を測定
し、結果を（表１）に示した。

【００２７】

【表１】

【００２８】（表１）を見て明らかなように、本発明品
では静電容量値が所望の１００ｐＦをほぼ忠実に実現
し、かつバラツキも非常に小さくなっているのに対し、
比較例では容量値が全体的に大きくなっているのがわか
る。つまり本発明品では、第１の誘電体体層５ａ，５ｃ
に起因する浮遊容量の影響が打ち消され、コンデンサの
実効部分５ｂのみを考慮した当初の設計値がほぼ得られ
ていることを示している。

【００２９】（実施の形態２）次に図１０にその断面図
を示すように、対向電極２ｂと浮遊電極２ｃとが誘電体
層１を介して交互に配置された直並列型の積層構造を有
する中高圧用の積層セラミックコンデンサの場合につい
ても同様の検討を行った。

【００３０】基本的には上述した第１および第２のシー
ト４ａ，４ｂを用い、このとき高耐圧を得るため第２の
誘電体層は１層当たり第２のシート４ｂを３枚重ねにし
て使用した。本実施の形態の積層セラミックコンデンサ
は、素子形状が４５２０タイプ、静電容量が８２ｐＦと
なるように内部電極層構造を所定形状に設計し（図示せ
ず）、積層数の調整を行い、実施の形態１と全く同様の
方法で積層セラミックコンデンサを作製した。また比較
例として、焼結後の比誘電率ε₂が１００となる第２の
シート４ｂのみを用いて同仕様の積層セラミックコンデ
ンサを作製した。

【００３１】こうして得られた２種類の積層セラミック
コンデンサ各１００個について、初期の静電容量とＦＯ
Ｖを測定し、結果を（表２）に示した。

【００３２】

【表２】

【００３３】（表２）を見て明らかなように、本発明品
では静電容量値が所望の８２ｐＦをほぼ忠実に実現し、
かつバラツキも非常に小さくなっているのに対し、比較
例では容量値は全体的に大きくなっているのがわかる。
また、本発明品では比較例に比べてＦＯＶの値も明らか
に向上している。つまり、内部電極層が直並列構造を成
す中高圧仕様のコンデンサにおいても、上述した本発明
の効果が確実に得られることが確認された。

【００３４】（実施の形態３）実施の形態１，２では本
発明の基本的な効果を確認したが、本実施の形態では本
発明を具現化するに当たっての好ましい条件を例示す
る。

【００３５】本発明の要点は比誘電率の相違する２種の
材料の一体焼結を行うことにあるため、本発明の効果が
発揮される比誘電率の相対比と、かつ実効部分５ｂと第
１の誘電体層５ａとの界面での素体の機械的強度を確保
するための条件を選ぶ必要がある。

【００３６】そこで、比誘電率の相対比、第１の誘電体
層５ａおよび実効部分５ｂの焼結時の収縮率の差、第１
の誘電体層５ａと第２の誘電体層１層当たりの厚み比の
それぞれについて種々の条件下で、上記と全く同様にし
て積層セラミックコンデンサを作製し、最適条件の検討
を行った。尚、検討に用いた積層セラミックコンデンサ
は実施の形態２と同仕様とした。

【００３７】得られた種々のサンプル各１００個につい
て、まず第１にＦＯＶの測定によって比誘電率の相対比
（ε₂／ε₁）を、次に素子の断面観察による構造欠陥の
発生数と抗折強度試験によって、第１の誘電体層５ａ及
び実効部分５ｂの収縮率をそれぞれＳ₁，Ｓ₂（％）とし
たときの最適収縮率の差（｜Ｓ₁−Ｓ₂｜）と第１の誘電
体層５ａ及び第２の誘電体層１層当たりの厚みをそれぞ
れｔ₁，ｔ₂としたときの厚み比（ｔ₁／ｔ₂）の最適値と
を求めた。以上の結果をまとめて（表３），（表４），
（表５）に示した。

【００３８】

【表３】

【００３９】

【表４】

【００４０】

【表５】

【００４１】（表３）を見てわかるように、第１の誘電
体層５ａの比誘電率をε₁、実効部分５ｂの比誘電率ε₂
としたとき、その比率はε₂／ε₁≧１．１が好ましい。

【００４２】次に、（表４）を見てわかるように、第１
の誘電体層５ａの収縮率をＳ₁（％）、実効部分５ｂの
収縮率をＳ₂（％）としたとき収縮率の差は、｜Ｓ₁−Ｓ
₂｜≦３．０が好ましい。

【００４３】最後に、（表５）を見てわかるように第１
の誘電体層５ａの厚みをｔ₁、第２の誘電体層５ｂの１
層当たりの厚みをｔ₂としたときの厚み比は、１≦ｔ₁／
ｔ₂≦４が好ましいということがわかる。

【００４４】尚、これらの三者の条件を同時に満足する
条件が最良ではあるが、機械的強度については実用上問
題無いレベルにあれば、本発明の効果を最大限発揮する
ため比誘電率の相対比率を重視した形で条件を選択すれ
ばよい。

【００４５】（実施の形態４）本実施の形態では、実効
部分５ｂと第１の誘電体層５ａとの界面での素体の機械
的強度を向上させることを目的とした製造方法について
説明する。

【００４６】図２は本発明における積層セラミックコン
デンサの積層方法の一例を単体の素子について示した図
である。まず、焼結後の比誘電率がε₁となる第１のシ
ート４ａを所定枚数積層して下部の第１の誘電体層５ａ
を形成し、次に、第１あるいは第２のシート４ａ，４ｂ
に比べてシート中の樹脂バインダの量を増量させた、す
なわち、第１あるいは第２のシート４ａ，４ｂに比べて
接着性の高い第３のシート４ｃを１枚介在させて積層
し、続いて焼結後の比誘電率がε₂となる第２のシート
４ｂと内部電極層２ａとを交互に積層をし、静電容量を
得るための実効部分５ｂを作製し、所望の積層数が終了
した時点で第３のシート４ｃを１枚介在させて積層し、
最後に第１のシート４ａを所定枚数積層して上部の第１
の誘電体層５ｃを作製する積層工程を示している。

【００４７】ここでは実施の形態１で用いた第１および
第２のシート４ａ，４ｂを使用し、第３のシート４ｃと
して第１のシート４ａにおいてバインダ量を１０％増量
させたシートを作製し、接着用シートとして用いた。
尚、積層セラミックコンデンサの仕様及びその他の製造
方法は実施の形態１と全く同様にした。

【００４８】こうして得られた積層セラミックコンデン
サ１００個について素子の抗折強度を測定した。尚、こ
のとき実施の形態１で作製した発明品、すなわち第１の
誘電体層５ａ，５ｃと実効部分５ｂとの間に接着シート
を用いず、第１および第２のシート４ａ，４ｂのみで積
層を行った積層セラミックコンデンサを比較例とし、同
様の測定を行った。これらの結果を（表６）に示す。

【００４９】

【表６】

【００５０】この（表６）から明らかなように、本発明
品では比較例に比べて抗折強度が増し、機械的特性を向
上させることに成功した。

【００５１】尚、本実施の形態において、接着用シート
は第３のシート４ｃとして第１のシート４ａにおいてバ
インダ量を１０％増量させたシートを用いたが、第１及
び第２のシート４ａ，４ｂよりも粘着性の高いシートで
あれば、誘電体材料を含まず、可塑剤及びバインダーな
どの接着要素のみを含むシートでもかまわない。

【００５２】（実施の形態５）本実施の形態では、実施
の形態４の他に第１の誘電体層５ａ，５ｃと実効部分５
ｂとの界面での素体の機械的強度を向上させることを目
的とした製造方法について述べる。

【００５３】図３はその説明図であるが、基本構成は図
２とまったく同じであり、異なっているのは、上、下部
の第１の誘電体層５ａ，５ｃと実効部分５ｂとの間に介
在させる接着用の第３のシート４ｄの主成分として第１
および第２のシート４ａ，４ｂに含まれるそれぞれ焼結
後の比誘電率の異なる誘電体原料を適正比で混合して構
成している点である。

【００５４】ここでは実施の形態１で用いた第１および
第２のシート４ａ，４ｂを使用し、第３のシート４ｄと
して第１のシート４ａに供される焼結後の比誘電率がε
₁となる誘電体原料と第２のシート４ｂに供される焼結
後の比誘電率がε₂となる誘電体原料を重量比で１：１
となるよう混合し、バインダ量その他の構成は第１のシ
ート４ａと全く同等に設定して作製した第３のシート４
ｄを接着用シートとして用いた。尚、積層セラミックコ
ンデンサの仕様及び製造方法は実施の形態１と全く同様
にした。

【００５５】こうして得られた積層セラミックコンデン
サ１００個について素子の抗折強度を測定した。尚、こ
のとき実施の形態１で作製した発明品、すなわち第１の
誘電体層５ａ，５ｃと実効部分５ｂの間とに接着層を用
いず第１および第２のシート４ａ，４ｂのみで積層を行
った積層セラミックコンデンサを比較例とし、同様の測
定を行った。これらの結果を（表７）に示す。

【００５６】

【表７】

【００５７】この（表７）から明らかなように、本発明
品では比較例に比べて抗折強度が増し、機械的特性を向
上させることに成功した。

【００５８】尚、接着用シートの誘電体原料の混合比
は、その焼結後の比誘電率が第１及び第２のシート４
ａ，４ｂの焼結後の比誘電率の間の値になるようであれ
ばどのように混合してもかまわない。

【００５９】また実施の形態４、５において接着用シー
トは、第１の誘電体層５ａ，５ｃと実効部分５ｂとの間
に１枚用いたが複数枚用いてもかまわない。

【００６０】（実施の形態６）図４は、本発明における
積層セラミックコンデンサの製造方法の概要を単体の素
子について示した図である。

【００６１】まず、焼結後の比誘電率ε₂が１００とな
る第２のシート４ｂと内部電極層２ａを用いて、内部電
極層２ａの外部電極３と接続する側と反対側の端縁以外
の三方の端縁が露出するように、実施の形態１で示した
積層方法などにより実効部分５ｄを作製する。

【００６２】また別途、焼結後の比誘電率ε₁が５０と
なる第１のシート４ａのみを所定枚数積層して第１の誘
電体層を形成するための積層成形体を作製し（図示せ
ず）、次にこの第１の誘電体層を実効部分５ｄの上、下
面および側面に相当する寸法に、この積層成形体を切断
して角板５ｅとした後、図４に示すように実効部分５ｄ
の外部電極３が形成されるべき端面を除く上、下面およ
び側面にそれぞれ圧着して、図５に示すように一体化す
る。その後の製造方法は実施の形態１で説明した方法と
全く同様にして行う。

【００６３】本製造方法では、第１の誘電体層５ｅを実
効部分５ｄの外部電極３が形成されるべき端面を除く
上、下面および側面においても用いることにより、誘電
体の低誘電率化が図られるため本発明の効果を一層発揮
できることとなる。

【００６４】（実施の形態７）図６、７、８は本発明に
おける積層セラミックコンデンサの製造方法の概要を単
体の素子について示した図である。

【００６５】まず、実施の形態６と同様にして静電容量
を得るための実効部分５ｄのみを作製する。

【００６６】また別途、焼結後の比誘電率ε₁が５０と
なる第１のシート４ａのみを用い、所望する成形体素子
の最終形状の厚みに匹敵するまで所定枚数積層して積層
成形体を作製し、次にこの積層成形体を所望する成形体
素子の最終形状に相当する寸法に切断してチップ状とし
た後（図示せず）、実効部分５ｄの寸法に従って図６に
示すようにその内部をプレス等で打ち抜くことで角筒５
ｆに加工し、その後図７、８に示すように実効部分５ｄ
を角筒５ｆの中空部分に圧入して一体化する。その後の
製造方法は実施の形態１で説明した方法と全く同様にし
て行う。

【００６７】本製造方法では、積層セラミックコンデン
サの上下面のみならず、側面においても誘電体の低誘電
率化が図られるため本発明の効果を一層発揮できること
となる。

【００６８】なお、実施の形態３〜７においては、内部
電極層を並列に接続したものと、直列に接続したものの
どちらか一方についてのみ説明したが、どちらのタイプ
においても同様の効果が得られることは言うまでもな
い。

【００６９】また、実施の形態１〜７では、第１の誘電
体層５ａ，５ｃ，５ｅのすべてを低誘電率化した例を主
に説明したが、本発明の効果を得るためには積層セラミ
ックコンデンサの少なくとも最外層からの１層以上を実
効部分５ｂ，５ｄの第２の誘電体層よりも低誘電率化し
てやることでも実施可能である。

【００７０】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、高い容量
精度で積層セラミックコンデンサの量産が可能となり、
かつ素子表面の耐沿面放電特性を大幅に向上させること
もでき、積層セラミックコンデンサの製造上画期的な効
果をもたらすものである。特に厳しい容量精度が要求さ
れる温度補償用コンデンサの製造時の容量命中率の向上
と、高い耐電圧が要求される中高圧用途品の耐沿面放電
特性の改善とが達成される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１における積層工程を示す
分解斜視図

【図２】本発明の実施の形態４における積層工程を示す
分解斜視図

【図３】本発明の実施の形態５における積層工程を示す
分解斜視図

【図４】本発明の実施の形態６における製造工程を示す
分解斜視図

【図５】本発明の実施の形態６における積層体の斜視図

【図６】本発明の実施の形態７における製造工程を示す
分解斜視図

【図７】本発明の実施の形態７における製造工程を示す
分解斜視図

【図８】本発明の実施の形態７における積層体の斜視図

【図９】並列構造を有する一般的な積層セラミックコン
デンサの断面図

【図１０】直列構造を有する中高圧用積層セラミックコ
ンデンサの断面図

【符号の説明】

１誘電体層２ａ内部電極層２ｂ対向電極２ｃ浮遊電極３外部電極４ａ第１のシート４ｂ第２のシート４ｃ第３のシート４ｄ第３のシート５ａ第１の誘電体層５ｂ実効部分５ｃ第１の誘電体層５ｄ実効部分５ｅ角板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者中蔵久直大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者石川巌夫大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】誘電体層と内部電極層とを交互に積層し
た積層体と、この積層体の上、下両面に設けた保護層と
を有するセラミック焼結体と、このセラミック焼結体の
前記内部電極層の露出した端面に設けた外部電極とを備
え、前記保護層の内少なくとも最外層の比誘電率は、前
記内部電極層に挟まれた前記誘電体層の非誘電率よりも
小さくしたことを特徴とする積層セラミックコンデン
サ。
【請求項２】保護層の内少なくとも最外層の比誘電率
をε１、誘電体層の比誘電率をε２としたとき、ε₂／
ε₁≧１．１となるようにした請求項１に記載の積層セ
ラミックコンデンサ。
【請求項３】内部電極層は、同一面内において少なく
とも２つの電極が一定距離をおいて対向するとともにそ
の一端が各々別の外部電極に接続されている第１の内部
電極層と、端部が前記外部電極に非接触の状態でかつ前
記第１の内部電極層と誘電体層を介して重なるように設
けられた第２の内部電極層とを備えた請求項１に記載の
積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】保護層の内少なくとも最外層の厚みをｔ
１、誘電体層の厚みをｔ２とした時、１≦ｔ₁／ｔ₂≦４
とした請求項３に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項５】第１のセラミックシートを所望枚数積層
して下部第１の誘電体層を作成する工程と、次にこの第
１の誘電体層上に第２の誘電体層と内部電極層とを交互
に所望の積層数になるように積層し第１の積層体を得る
工程と、この第１の積層体上に前記第１のセラミックシ
ートを所望枚数積層して上部第１の誘電体層を形成し第
２の積層体を得る工程と、その後この第２の積層体を所
望の形状のチップに切断し、次いでこのチップを焼成し
た後前記チップの端面に外部電極を形成する工程とを有
し、前記第１の誘電体層の比誘電率は前記第２の誘電体
層の比誘電率よりも小さい積層セラミックコンデンサの
製造方法。
【請求項６】第１の誘電体層の焼成時の収縮率をＳ₁
（％）、第２の誘電体層の焼成時の収縮率をＳ₂（％）
としたとき、｜Ｓ₁−Ｓ₂｜≦３．０となる誘電体層を用
いる請求項５に記載の積層セラミックコンデンサの製造
方法。
【請求項７】第１の誘電体層と第２の誘電体層との間
に少なくとも一層以上の接着用シートを設けた請求項５
に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項８】接着用シートは、少なくとも第１の誘電
体層の収縮率と、第２の誘電体層の収縮率の間の収縮率
を有するものである請求項７に記載の積層セラミックコ
ンデンサの製造方法。
【請求項９】接着用シートは、第１の誘電体層及び第
２の誘電体層よりも高い接着性を有する請求項７に記載
の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項１０】第２の誘電体層と内部電極層とを交互
に積層して第１の積層体を形成する工程と、前記第１の
積層体の前記内部電極層の非露出面に第１の誘電体層を
圧着して第２の積層体を形成する工程と、前記第２の積
層体を焼成した後、前記内部電極層の露出した端面に外
部電極を形成する工程を有し、前記第１の誘電体層の比
誘電率は前記第２の誘電体層の比誘電率よりも小さくし
た積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項１１】第２の誘電体層と内部電極層とを交互
に積層して角柱状の積層体を形成する工程と、この積層
体を第１の誘電体層を用いて形成された角筒に圧入して
焼成して焼結体を得る工程と、この焼結体の前記内部電
極層の露出した端面に外部電極を形成する工程とを有
し、前記第１の誘電体層の比誘電率は前記第２の誘電体
層の比誘電率よりも小さくした積層セラミックコンデン
サの製造方法。