JPH09311743A - Bus driver circuit and its control method - Google Patents
Bus driver circuit and its control methodInfo
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- JPH09311743A JPH09311743A JP12835596A JP12835596A JPH09311743A JP H09311743 A JPH09311743 A JP H09311743A JP 12835596 A JP12835596 A JP 12835596A JP 12835596 A JP12835596 A JP 12835596A JP H09311743 A JPH09311743 A JP H09311743A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明はバスドライバ回路
およびその制御方法に関し、特に複数のデバイスが同一
伝送路に接続されるバスを高速ドライブするためのバス
ドライバ回路およびその制御方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bus driver circuit and a control method thereof, and more particularly to a bus driver circuit and a control method thereof for driving a bus in which a plurality of devices are connected to the same transmission path at high speed.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、コンピュータの分野では、半導体
技術の進歩およびシステムアーキテクチャの進展が図ら
れており、これに伴い、バス転送の高速化が要求されて
いる。これにより、最近では、バスのクロック周波数も
高められ、例えば、マイクロプロセッサとメモリ、ある
いは複数のマイクロプロセッサ同士などを結ぶバスのク
ロック周波数は66〜100MHzにまでなろうとして
いる。2. Description of the Related Art In recent years, advances in semiconductor technology and system architecture have been made in the field of computers, and accordingly, high-speed bus transfer is required. Due to this, recently, the clock frequency of the bus is also increased, and for example, the clock frequency of the bus connecting the microprocessor and the memory, or a plurality of microprocessors is about 66 to 100 MHz.
【0003】従来では、バスに接続された各デバイスに
はTTL構成のバスインターフェースが採用されている
が、このようなTTL構成のバスインターフェースでは
高速バスに十分に対応することが困難となってきてい
る。そこで、最近では、バスの高速化に対応するための
新たな高速バスインターフェースの開発が活発に進めら
れている。Conventionally, a TTL-structured bus interface has been adopted for each device connected to the bus. However, it becomes difficult for such a TTL-structured bus interface to sufficiently support a high-speed bus. There is. Therefore, recently, a new high-speed bus interface has been actively developed in order to cope with an increase in bus speed.
【0004】高速バスインターフェースの1つに、GT
L(Gunning Tranceiver Logi
c)が知られている。GTLは、大規模ASICで使用
されるCMOS素子によるオープンドレイン型バッファ
回路から構成される小振幅インターフェースである。GT is one of the high-speed bus interfaces.
L (Gunning Transceiver Logi)
c) is known. The GTL is a small-amplitude interface composed of an open drain type buffer circuit using CMOS devices used in a large-scale ASIC.
【0005】オープンドレイン型バッファ回路は活線挿
抜可能なバスインターフェースとして従来より広く使用
されている回路であるが、GTLはそのオープンドレイ
ン型バッファ回路に、さらにその動作速度を高速化する
ための回路を付加した構成である。オープンドレイン型
バッファ回路の構成を図5、GTL回路の構成を図7に
示す。The open drain type buffer circuit is a circuit that has been widely used as a hot-pluggable bus interface, but the GTL is a circuit for further increasing the operating speed of the open drain type buffer circuit. Is added. FIG. 5 shows the configuration of the open drain type buffer circuit, and FIG. 7 shows the configuration of the GTL circuit.
【0006】図5に示されているように、オープンドレ
イン型バッファ回路は、NチャネルMOSトランジスタ
Q1のドレインをバス伝送線路に接続し、そのトランジ
スタQ1を、PチャネルMOSトランジスタQ11およ
びNチャネルMOSトランジスタQ12から構成される
CMOSインバータによって動作制御する構成である。
このオープンドレイン型バッファ回路の出力信号Vou
tのhigh側電圧は外部終端抵抗Rtによって保持さ
れる。As shown in FIG. 5, in the open drain type buffer circuit, the drain of an N channel MOS transistor Q1 is connected to a bus transmission line, and the transistor Q1 is connected to a P channel MOS transistor Q11 and an N channel MOS transistor. The configuration is such that the operation is controlled by the CMOS inverter composed of Q12.
Output signal Vou of this open drain type buffer circuit
The high-side voltage of t is held by the external termination resistor Rt.
【0007】なお、Vttは終端抵抗Rtに供給される
電源電圧であり、通常、内部の電源電圧Vcc(5Vま
たは3.3V)よりも低い値、例えば1.2Vである。
このVttの電圧値は、出力信号Voutのhigh側
の電圧値となる。Note that Vtt is a power supply voltage supplied to the terminating resistor Rt, and is usually a value lower than the internal power supply voltage Vcc (5 V or 3.3 V), for example, 1.2 V.
The voltage value of this Vtt becomes the voltage value on the high side of the output signal Vout.
【0008】オープンドレイン型バッファ回路の出力特
性を図6に示す。この出力特性は、トランジスタQ1の
ターンオフにより出力信号VoutがLowからhig
hに立ち上がる時のものである。図中、VrefはNチ
ャネルMOSトランジスタQ1から構成される出力回路
の回路しきい値電圧であり、出力信号VoutのLow
/Highの境界を示している。Vrefは、通常、
0.8Vである。The output characteristics of the open drain type buffer circuit are shown in FIG. This output characteristic is that the output signal Vout changes from Low to high due to the turn-off of the transistor Q1.
It is when you stand up to h. In the figure, Vref is the circuit threshold voltage of the output circuit composed of the N-channel MOS transistor Q1, and the output signal Vout is Low.
The boundary of / High is shown. Vref is usually
It is 0.8V.
【0009】図6から分かるように、入力信号INが0
VからVccに変化した時点から出力信号VoutがV
ttに達するまでには、比較的大きな遅延時間Tが必要
となる。このような遅延発生の原因は、CMOSインバ
ータの出力信号電圧Vaの立ち下がり速度の遅れであ
る。つまり、小振幅インターフェースではVrefの値
が0.8Vと低いため、トランジスタQ1のゲートに供
給される電圧VaがVCC(5V)からトランジスタQ
1がターンオフするVref(0.8V)程度の電圧に
まで低下するのに多くの時間が必要であり、これにより
出力信号Voutの立ち上がりの遅れが引き起こされ
る。As can be seen from FIG. 6, the input signal IN is 0
The output signal Vout becomes V from the time when it changes from V to Vcc.
A relatively large delay time T is required before reaching tt. The cause of such a delay is a delay in the falling speed of the output signal voltage Va of the CMOS inverter. That is, in the small-amplitude interface, the value of Vref is as low as 0.8V, so the voltage Va supplied to the gate of the transistor Q1 changes from VCC (5V) to the transistor Q.
It takes a lot of time for the 1 to turn off to a voltage of about Vref (0.8V) at which the output signal Vout rises with a delay.
【0010】一方、GTLでは、図7に示されているよ
うに、図5のオープンドレイン型出力回路に加え、2つ
のトランジスタQ2,Q3から構成される電流ブースト
回路と、2つのインバータから構成されるディレイ回路
とがさらに付加されている。電流ブースト回路は、CM
OSインバータの出力信号電圧Vaの電圧低下を早める
ためのものであり、その有効動作期間はディレイ回路に
よる遅延時間によって決定される。また、電流ブースト
回路は、オーバーシュート、アンダーシートなどの出力
信号Voutの波形ひずみを緩和するためのフィードバ
ック回路としても機能する。On the other hand, in the GTL, as shown in FIG. 7, in addition to the open drain type output circuit of FIG. 5, a current boost circuit composed of two transistors Q2 and Q3 and two inverters are composed. And a delay circuit are added. The current boost circuit is CM
This is to accelerate the voltage drop of the output signal voltage Va of the OS inverter, and its effective operation period is determined by the delay time by the delay circuit. The current boost circuit also functions as a feedback circuit for reducing waveform distortion of the output signal Vout such as overshoot and undersheet.
【0011】このGTLの出力特性を図8に示す。この
出力特性は、トランジスタQ1のターンオフ時、つまり
出力信号VoutがLowからhighに立ち上がる時
のものである。The output characteristic of this GTL is shown in FIG. This output characteristic is when the transistor Q1 is turned off, that is, when the output signal Vout rises from Low to high.
【0012】図8から分かるように、入力信号INが0
VからVccに変化した時点からしばらくの間は、ディ
レイ回路の遅延時間によって規定される時間だけ、電流
ブースト回路のトランジスタQ3のゲートに供給される
電圧VbはVccに保持される。したがって、入力信号
INがVccに変化してからディレイ回路の遅延時間が
経過するまでの期間は、トランジスタQ2、Q3が共に
オン状態となる。これにより、これらトランジスタQ
2、Q3を介してCMOSインバータの出力信号電圧V
aの電位が出力端子側に抜かれ、CMOSインバータの
出力信号電圧Vaの電圧低下が早められる。As can be seen from FIG. 8, the input signal IN is 0
For a while after the change from V to Vcc, the voltage Vb supplied to the gate of the transistor Q3 of the current boost circuit is held at Vcc for a time defined by the delay time of the delay circuit. Therefore, both the transistors Q2 and Q3 are in the ON state during the period from when the input signal IN changes to Vcc until the delay time of the delay circuit elapses. As a result, these transistors Q
2, output signal voltage V of the CMOS inverter via Q3
The potential of a is pulled to the output terminal side, and the voltage drop of the output signal voltage Va of the CMOS inverter is accelerated.
【0013】Vaの立ち下がりの傾斜が急峻であればあ
る程、出力信号Voutの立ち上がりを早めることがで
きる。また、Vref付近におけるVaの立ち下がりの
傾斜は、そのまま出力信号Voutの立ち上がりの急峻
度としてVoutの波形に反映されるので、出力信号V
outの急激な変化によるノイズを防止するためには、
Vref付近においてはVaの立ち下がりの傾斜はなる
べく滑らかにすることが好ましい。The steeper the slope of the fall of Va, the faster the rise of the output signal Vout. Further, the falling slope of Va near Vref is reflected as it is on the waveform of Vout as the steepness of the rising of the output signal Vout.
To prevent noise caused by a sudden change in out,
It is preferable that the falling slope of Va be as smooth as possible near Vref.
【0014】しかし、電流ブースト回路の有効動作期間
を規定しているのは2つのインバータから構成されるデ
ィレイ回路であるため、インバータのプロセスばらつき
などによってそのディレイ時間が設計値からずれると、
電流ブースト回路の有効動作期間に変動が生じてしま
う。このため、入力信号INの立ち上がり直後はVaの
立ち下がりの傾斜を急峻にし、VaがVref付近にな
ってからはその立ち下がりの傾斜を滑らかにするといっ
た制御を精度良く行うことは実際上困難である。However, since the delay circuit composed of two inverters defines the effective operation period of the current boost circuit, if the delay time deviates from the design value due to the process variation of the inverter,
Variation occurs during the effective operation period of the current boost circuit. Therefore, it is practically difficult to accurately control the falling slope of Va immediately after the rising of the input signal IN and to smooth the falling slope after Va becomes close to Vref. is there.
【0015】また、もしディレイ回路のディレイ時間の
ずれが大きく、これによって電流ブースト回路の有効動
作期間が長過ぎてしまうと、Vaの電圧値が出力信号V
outよりも高くなった後もトランジスタQ2、Q3が
オン状態に維持されてしまい、これによって、図示のよ
うに、Vaの電圧低下の過程でそのVaの電圧値が一旦
上昇するという電流の後戻り現象が生じる。このような
Vaの変動は、出力信号Voutにノイズを発生させる
要因となる。If the delay time of the delay circuit is large and the effective operation period of the current boost circuit is too long, the voltage value of Va becomes the output signal V.
The transistors Q2 and Q3 are maintained in the ON state even after the voltage becomes higher than out, and as a result, as shown in the figure, the current reversion phenomenon in which the voltage value of Va once increases during the process of voltage decrease of Va. Occurs. Such fluctuation of Va becomes a factor that causes noise in the output signal Vout.
【0016】[0016]
【発明が解決しようとする課題】上述したように、ディ
レイ回路の遅延時間を利用して電流ブースト回路の有効
動作期間を規定するという従来の時間制御方式のGTL
回路では、ディレイ回路の遅延時間がプロセスばらつき
などによって変動してしまうため、入力信号INの立ち
上がり直後はVaの立ち下がりの傾斜を急峻にし、Va
がVref付近になってからはその立ち下がりの傾斜を
滑らかにするといった制御を行うことは実際上困難であ
った。したがって、高速バスドライブのための出力遅延
時間の短縮と出力信号歪みの低減との両立を行うことが
できないという欠点があった。As described above, the GTL of the conventional time control system in which the effective operation period of the current boost circuit is defined by utilizing the delay time of the delay circuit.
In the circuit, since the delay time of the delay circuit fluctuates due to process variations and the like, immediately after the rising edge of the input signal IN, the slope of the falling edge of Va is made steep and Va
It was practically difficult to perform control such that the slope of the falling edge is smoothed after V becomes near Vref. Therefore, there is a drawback that it is not possible to achieve both the reduction of the output delay time for the high-speed bus drive and the reduction of the output signal distortion.
【0017】この発明はこのような点に鑑みてなされた
ものであり、入力信号INの立ち上がり直後はVaの立
ち下がりの傾斜を急峻にし、VaがVref付近になっ
てからはその立ち下がりの傾斜を滑らかにするといった
制御を容易に実現できるようにし、高速バスドライブの
ための出力遅延時間の短縮と出力信号歪みの低減とを両
立することが可能なバスドライブ回路およびその制御方
法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above point. The slope of the fall of Va is made steep immediately after the rise of the input signal IN, and the slope of the fall is made after Va becomes close to Vref. To provide a bus drive circuit and a control method thereof that can easily realize control such as smoothing, and can achieve both reduction of output delay time for high-speed bus drive and reduction of output signal distortion. With the goal.
【0018】[0018]
【課題を解決するための手段】この発明は、複数のデバ
イスが共通接続されるバスをドライブするためのバスド
ライブ回路において、オープンドレイン型の出力回路
と、この出力回路のスルーレートを制御する電流ブース
ト回路であって、制御入力端に供給されるブースト制御
電圧に応じて電流ブースト能力が可変設定される電流ブ
ースト回路とを具備し、前記出力回路の入力端と前記電
流ブースト回路の制御入力端とを接続することにより、
前記電流ブースト回路の電流ブースト能力が前記出力回
路の入力端に入力される入力信号電圧の値に応じて可変
設定されるように構成されていることを特徴とする。According to the present invention, in a bus drive circuit for driving a bus to which a plurality of devices are commonly connected, an open drain type output circuit and a current for controlling a slew rate of the output circuit are provided. A boost circuit, comprising: a current boost circuit in which a current boost capability is variably set according to a boost control voltage supplied to a control input terminal, the input terminal of the output circuit and the control input terminal of the current boost circuit. By connecting and
The current boosting capability of the current boosting circuit is variably set according to the value of the input signal voltage input to the input end of the output circuit.
【0019】このバスドライブ回路においては、ディレ
イ回路の遅延時間を利用して電流ブースト回路の有効動
作期間を規定するという従来の時間制御方式ではなく、
オープンドレイン型出力回路の入力端に入力される入力
信号電圧の値そのものを使用した電圧制御方式が採用さ
れている。すなわち、オープンドレイン型の出力回路の
入力端と電流ブースト回路の制御入力端との間は互いに
接続されており、出力回路の入力端に入力される入力信
号電圧の値に応じて電流ブースト回路の電流ブースト能
力が可変設定される構成である。したがって、入力信号
電圧の低下に合わせて電流ブースト回路の電流ブースト
能力を徐々に低くすることができるので、入力信号の立
ち下がり直後は大きな電流ブースト能力によってその入
力信号の立ち下がり傾斜を急峻にでき、入力信号電圧の
値が低くなるにつれてその立ち下がりの傾斜を滑らかに
することができる。また、オープンドレイン型出力回路
と電流ブースト回路とが同一信号電圧で制御されるた
め、それら出力回路と電流ブースト回路の動作のバラン
スを取ることができる。よって、オープンドレイン型出
力回路のトランジスタがターンオフした後も電流ブース
ト回路が動作し続けるといった不具合を解消でき、電流
の後戻り現象による出力信号波形の乱れを防止すること
もできる。In this bus drive circuit, instead of the conventional time control method of defining the effective operation period of the current boost circuit by utilizing the delay time of the delay circuit,
A voltage control method using the value itself of the input signal voltage input to the input terminal of the open drain type output circuit is adopted. That is, the input terminal of the open drain type output circuit and the control input terminal of the current boost circuit are connected to each other, and the current boost circuit of the current boost circuit is connected according to the value of the input signal voltage input to the input terminal of the output circuit. The current boost capability is variably set. Therefore, the current boost capability of the current boost circuit can be gradually reduced as the input signal voltage drops, and the falling slope of the input signal can be made steep by the large current boost capability immediately after the input signal falls. As the value of the input signal voltage decreases, the falling slope can be smoothed. Further, since the open drain type output circuit and the current boost circuit are controlled by the same signal voltage, the operations of the output circuit and the current boost circuit can be balanced. Therefore, it is possible to solve the problem that the current boost circuit continues to operate even after the transistor of the open drain type output circuit is turned off, and it is also possible to prevent the output signal waveform from being disturbed due to the current backtracking phenomenon.
【0020】また、この発明は、複数のデバイスが共通
接続されるバスをドライブするためのバスドライブ回路
において、オープンドレイン型の出力回路と、互いに並
列接続され、前記出力回路のスルーレートをそれぞれ制
御する複数の電流ブースト回路であって、前記出力回路
の入力端に入力される入力信号電圧の値に応じて電流ブ
ースト能力が各々可変設定される複数の電流ブースト回
路と、これら複数の電流ブースト回路を選択的に動作さ
せる手段とを具備することを特徴とする。Also, according to the present invention, in a bus drive circuit for driving a bus to which a plurality of devices are commonly connected, an open drain type output circuit and a slew rate of the output circuit which are connected in parallel with each other are controlled. A plurality of current boost circuits, each of which has a current boost capability variably set according to a value of an input signal voltage input to an input terminal of the output circuit, and the plurality of current boost circuits. Is selectively operated.
【0021】このバスドライブ回路においては、出力回
路の入力端に入力される入力信号電圧の値に応じて電流
ブースト能力が可変設定される電流ブースト回路が複数
個並列接続されて設けられており、それら複数の電流ブ
ースト回路が選択的に動作される。したがって、特性の
異なる複数の電流ブースト回路の中で動作させる電流ブ
ースト回路を選択したり、または並列動作する電流ブー
スト回路の数を制御することにより、電流ブースト能力
を変化させることができる。よって、例えば半導体製造
プロセスのばらつきによるブースト電流のばらつきを、
選択する電流ブースト回路や、並列度の増減によって調
整可能となり、最適な出力信号特性を実現することがで
きる。また、ドライブ対象のバス構成(スタブ長、ライ
ン長、パッケージ)に合わせて、出力信号の遅延の度合
いや、出力波形の滑らかさの度合いを最適に設定するこ
とができる。In this bus drive circuit, a plurality of current boost circuits whose current boosting capability is variably set according to the value of the input signal voltage input to the input terminal of the output circuit are connected in parallel. The plurality of current boost circuits are selectively operated. Therefore, the current boost capability can be changed by selecting a current boost circuit to be operated among a plurality of current boost circuits having different characteristics, or by controlling the number of current boost circuits operating in parallel. Therefore, for example, variations in boost current due to variations in semiconductor manufacturing process
The current boost circuit to be selected and the parallelism can be adjusted depending on the increase / decrease of the parallelism, and the optimum output signal characteristic can be realized. Further, the degree of delay of the output signal and the degree of smoothness of the output waveform can be optimally set according to the bus configuration (stub length, line length, package) to be driven.
【0022】[0022]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
実施形態を説明する。図1には、この発明の第1実施形
態に係わるバスドライブ回路を用いたコンピュータシス
テムの構成が示されている。このコンピュータシステム
においては、プロセッサや各種コントローラなどの複数
のシステムデバイス11,12,13,…が同一のバス
10上に接続されており、それシステムデバイス11,
12,13,…を実現するLSI内部には、それぞれ高
速バスインターフェースとして利用される入出力バッフ
ァ群が設けられている。各入出力バッファはGTL構成
のバスドライバおよびレシーバから構成されている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows the configuration of a computer system using a bus drive circuit according to the first embodiment of the present invention. In this computer system, a plurality of system devices 11, 12, 13, ... Such as processors and various controllers are connected to the same bus 10, and the system devices 11, 12, 13 ,.
Input / output buffer groups used as high-speed bus interfaces are provided inside the LSIs for realizing 12, 13, ... Each input / output buffer is composed of a GTL-configured bus driver and a receiver.
【0023】各GTLバスドライバはバス10上の1本
の伝送ラインをドライブするためのものであり、オープ
ンドレイン型バッファ回路と、このバッファ回路の出力
スルーレートを制御するための電流ブースト回路とから
構成されている。Each GTL bus driver is for driving one transmission line on the bus 10, and comprises an open drain type buffer circuit and a current boost circuit for controlling the output slew rate of this buffer circuit. It is configured.
【0024】オープンドレイン型バッファ回路は、図示
のように、ドレインがバス伝送線路に接続されたNチャ
ネルMOSトランジスタQ1から構成されるオープンド
レイン型出力回路を含んでおり、そのトランジスタQ1
を、PチャネルMOSトランジスタQ11およびNチャ
ネルMOSトランジスタQ12から構成されるCMOS
インバータの出力信号Vaによって動作制御する構成で
ある。As shown, the open drain type buffer circuit includes an open drain type output circuit composed of an N-channel MOS transistor Q1 whose drain is connected to the bus transmission line.
Is a CMOS composed of a P-channel MOS transistor Q11 and an N-channel MOS transistor Q12.
The operation is controlled by the output signal Va of the inverter.
【0025】このオープンドレイン型バッファ回路の出
力信号Voutのhigh側電圧は外部終端抵抗Rtに
よって保持される。なお、Vttは終端抵抗Rtに供給
される電源電圧であり、通常、内部の電源電圧Vcc
(5Vまたは3.3V)よりも低い値、例えば1.2V
である。このVttの電圧値は、出力信号Voutのh
igh側の電圧値となる。The high side voltage of the output signal Vout of the open drain type buffer circuit is held by the external terminating resistor Rt. Note that Vtt is a power supply voltage supplied to the terminating resistor Rt, and is usually the internal power supply voltage Vcc.
Value lower than (5V or 3.3V), eg 1.2V
It is. The voltage value of this Vtt is h of the output signal Vout.
It becomes the voltage value on the high side.
【0026】電流ブースト回路は、CMOSインバータ
の出力信号Vaの低下を加速すると共に、オープンドレ
イン型出力回路の出力信号立ち上がり時のスルーレート
を最適化してオーバーシュートやアンダーシュートの発
生を防止するために使用される。The current boost circuit accelerates the decrease of the output signal Va of the CMOS inverter and optimizes the slew rate at the time of rising of the output signal of the open drain type output circuit to prevent the occurrence of overshoot or undershoot. used.
【0027】すなわち、バス10の伝送ラインをドライ
ブする場合には、その伝送ラインの特性インピーダンス
による信号波形の歪みによって、図2に点線で示されて
いるようなオーバーシュートおよびアンダーシュートが
生じることがある。これは、バス10に接続されている
他のデバイスの誤動作を引き起こす大きな要因となる。
このため、高速バスインターフェースにおいては、オー
プンドレイン型出力回路の応答速度を早めるだけでな
く、その出力信号の立ち上がりを図2の実線のように十
分に滑らかにすることが必要となる。これを実現するた
め、電流ブースト回路は、次のように構成されている。That is, when the transmission line of the bus 10 is driven, overshoot and undershoot as shown by the dotted line in FIG. 2 may occur due to the distortion of the signal waveform due to the characteristic impedance of the transmission line. is there. This is a major factor causing malfunction of other devices connected to the bus 10.
Therefore, in the high-speed bus interface, it is necessary not only to increase the response speed of the open drain type output circuit but also to make the rising edge of the output signal sufficiently smooth as shown by the solid line in FIG. In order to achieve this, the current boost circuit is configured as follows.
【0028】すなわち、電流ブースト回路は、オープン
ドレイン型出力回路の信号入力端となるトランジスタQ
1のゲートとオープンドレイン型出力回路の信号出力端
となるトランジスタQ1のドレインとの間に直列接続さ
れた2つのNチャネルMOSトランジスタQ2,Q3か
ら構成されており、その電流ブースト能力は、トランジ
スタQ3のゲートに供給される電圧によって制御され
る。この実施形態においては、オープンドレイン型出力
回路の信号入力端に入力される信号電圧Vaの値そのも
のを使用した電圧制御方式で電流ブースト回路を動作制
御する構成を実現するために、トランジスタQ3のゲー
トを、PチャネルMOSトランジスタQ11およびNチ
ャネルMOSトランジスタQ12から構成されるCMO
Sインバータの出力に直接接続している。That is, the current boost circuit includes a transistor Q which serves as a signal input terminal of the open drain type output circuit.
1 and the drain of the transistor Q1 which is the signal output terminal of the open drain type output circuit, and is composed of two N-channel MOS transistors Q2 and Q3 which are connected in series. Controlled by the voltage supplied to the gate of the. In this embodiment, in order to realize a configuration in which the operation of the current boost circuit is controlled by the voltage control method using the value itself of the signal voltage Va input to the signal input terminal of the open drain type output circuit, the gate of the transistor Q3 is realized. Is a CMO composed of a P-channel MOS transistor Q11 and an N-channel MOS transistor Q12.
It is directly connected to the output of the S inverter.
【0029】NチャネルMOSトランジスタQ2,Q3
のサイズは図7に示した従来のブースト回路のトランジ
スタよりも大きく設定されている。これは、Vaの立ち
下がりを十分に加速して、VaとVoutとの間の伝搬
遅延を短縮するためである。N-channel MOS transistors Q2 and Q3
Is set to be larger than the transistor of the conventional boost circuit shown in FIG. This is to accelerate the fall of Va sufficiently to shorten the propagation delay between Va and Vout.
【0030】すなわち、この実施形態においては、図7
に示した従来の回路のようにトランジスタQ3のゲート
がディレイ回路によって一定期間highレベルに保持
される構成ではなく、トランジスタQ3のゲートはCM
OSインバータの出力に直結されているので、電流ブー
スト回路の電流ブースト能力はVaの低下と共に減少す
る。よって、トランジスタQ2,Q3のサイズを大きく
してVaの立ち下がり直後における電流ブースト能力を
高めておくことが重要である。That is, in this embodiment, as shown in FIG.
Instead of the configuration in which the gate of the transistor Q3 is held at the high level for a certain period by the delay circuit as in the conventional circuit shown in FIG.
Since it is directly connected to the output of the OS inverter, the current boost capability of the current boost circuit decreases as Va decreases. Therefore, it is important to increase the size of the transistors Q2 and Q3 to enhance the current boosting capability immediately after the fall of Va.
【0031】トランジスタQ2,Q3のサイズはトラン
ジスタQ1に比べて十分に小さいので、トランジスタQ
2,Q3を大きくすることによるGTLバスドライバ全
体サイズへの影響はない。また、トランジスタQ2,Q
3のサイズをどの程度の値に設定するかについては、バ
ス伝送線路の特性(スタブ長、ライン長など)に応じて
決定すればよい。また、電流ブースト回路の電流ブース
ト能力の変化特性は、トランジスタQ3のしきい値電圧
の値とトランジスタQ1のしきい値電圧値との関係を調
整することによっても制御することができる。この場
合、トランジスタQ3のしきい値電圧をトランジスタQ
1のしきい値電圧の値よりも高く設定しておけば、電流
ブースト回路の電流ブースト動作をトランジスタQ1が
ターンオフする前に終了させることができる。The size of the transistors Q2 and Q3 is sufficiently smaller than that of the transistor Q1.
Increasing 2 and Q3 does not affect the overall size of the GTL bus driver. Also, the transistors Q2, Q
The value to be set for the size of 3 may be determined according to the characteristics of the bus transmission line (stub length, line length, etc.). The change characteristic of the current boosting capability of the current boosting circuit can also be controlled by adjusting the relationship between the threshold voltage value of the transistor Q3 and the threshold voltage value of the transistor Q1. In this case, the threshold voltage of the transistor Q3 is
If it is set higher than the threshold voltage value of 1, the current boost operation of the current boost circuit can be terminated before the transistor Q1 is turned off.
【0032】このGTLバスドライバの出力特性を図3
に示す。この出力特性は、トランジスタQ1のターンオ
フ時、つまり出力信号VoutがLowからhighに
立ち上がる時のものである。The output characteristics of this GTL bus driver are shown in FIG.
Shown in This output characteristic is when the transistor Q1 is turned off, that is, when the output signal Vout rises from Low to high.
【0033】入力信号INがLowからHighに立ち
上がると、Vaが低下し始める。このVaの低下直後に
おいては、電流ブースト回路の電流ブースト能力は大き
いので、トランジスタQ2、Q3を介してCMOSイン
バータの出力信号電圧Vaの電位が出力端子側に抜か
れ、CMOSインバータの出力信号電圧Vaの電圧低下
が早められる。Vaの電圧が、トランジスタQ1がター
ンオフを開始する電圧領域(a)に入ると、トランジス
タQ3の導通抵抗が大きくなり、電流ブースト回路の電
流ブースト能力は低下され始める。よって、以降は、V
aの値が低くなるにつれてその立ち下がりの傾斜を滑ら
かにすることができる。When the input signal IN rises from Low to High, Va starts to drop. Immediately after this decrease in Va, the current boosting capability of the current boost circuit is large, so that the potential of the output signal voltage Va of the CMOS inverter is extracted to the output terminal side via the transistors Q2 and Q3, and the output signal voltage Va of the CMOS inverter The voltage drop is accelerated. When the voltage of Va enters the voltage region (a) where the transistor Q1 starts to turn off, the conduction resistance of the transistor Q3 increases, and the current boosting capability of the current boosting circuit starts to decrease. Therefore, after that, V
The lower the value of a, the smoother the slope of the fall.
【0034】電圧領域(a)におけるVaの立ち下がり
の傾斜は、そのまま出力信号Voutの立ち上がりの急
峻度としてそのVoutの波形に反映される。したがっ
て、入力信号INの立ち上がり直後はVaの立ち下がり
傾斜を急峻にし、Vaが電圧領域(a)になってからは
その立ち下がりの傾斜を滑らかにするといった制御を実
現することができる。これにより、Voutの伝搬遅延
を短縮できると共に、その立ち上がり波形を十分に滑ら
かにすることができる。The falling slope of Va in the voltage region (a) is directly reflected on the waveform of Vout as the steepness of rising of the output signal Vout. Therefore, it is possible to realize control such that the falling slope of Va is made steep immediately after the rising of the input signal IN, and the slope of the falling is made smooth after Va becomes the voltage region (a). Thereby, the propagation delay of Vout can be shortened and the rising waveform thereof can be made sufficiently smooth.
【0035】以上のように、この実施形態のGTLバス
ドライバにおいては、ディレイ回路の遅延時間を利用し
た時間制御方式ではなく、オープンドレイン型出力バッ
ファの入力端に入力される信号電圧Vaの値そのものを
使用した電圧制御方式が採用されており、Vaの値に応
じて電流ブースト回路の電流ブースト能力が可変設定さ
れる。したがって、Vaの低下に合わせて電流ブースト
回路の電流ブースト能力を徐々に低くすることができる
ので、Vaの立ち下がり直後は大きな電流ブースト能力
によってそのVaの立ち下がり傾斜を急峻にでき、Va
の値が低くなるにつれてその立ち下がりの傾斜を滑らか
にすることができる。また、オープンドレイン型出力バ
ッファと電流ブースト回路とが同一信号電圧Vaで制御
されるため、それら出力バッファと電流ブースト回路の
動作のバランスを取ることができる。よって、トランジ
スタQ1がターンオフした後も電流ブースト回路が動作
し続けるといった不具合を解消でき、電流の後戻り現象
による出力信号波形の乱れを防止することができる。As described above, in the GTL bus driver of this embodiment, the value itself of the signal voltage Va input to the input terminal of the open drain type output buffer is used instead of the time control method using the delay time of the delay circuit. Is used, and the current boost capability of the current boost circuit is variably set according to the value of Va. Therefore, the current boosting capability of the current boosting circuit can be gradually lowered in accordance with the decrease in Va, so that the falling slope of Va can be made steep by the large current boosting capability immediately after the fall of Va.
The lower the value of, the smoother the falling slope can be. Moreover, since the open drain type output buffer and the current boost circuit are controlled by the same signal voltage Va, the operations of the output buffer and the current boost circuit can be balanced. Therefore, it is possible to solve the problem that the current boost circuit continues to operate even after the transistor Q1 is turned off, and it is possible to prevent the output signal waveform from being disturbed due to the current backtracking phenomenon.
【0036】図4には、GTLバスドライバの第2実施
形態が示されている。このGTLバスドライバにおいて
は、電圧Vaの値に応じて電流ブースト能力が可変設定
される第1および第2の2つの電流ブースト回路(ブー
スト回路1、ブースト回路2)が並列接続されており、
それら電流ブースト回路の中で動作する電流ブースト回
路の数が外部制御信号CONTによって制御される構成
である。FIG. 4 shows a second embodiment of the GTL bus driver. In this GTL bus driver, two first and second current boost circuits (boost circuit 1 and boost circuit 2) whose current boost capability is variably set according to the value of the voltage Va are connected in parallel,
The number of current boost circuits operating in the current boost circuits is controlled by the external control signal CONT.
【0037】すなわち、第1の電流ブースト回路は、オ
ープンドレイン型出力回路の信号入力端となるトランジ
スタQ1のゲートとオープンドレイン型出力回路の信号
出力端となるトランジスタQ1のドレインとの間に直列
接続された2つのNチャネルMOSトランジスタQ2,
Q3から構成されており、トランジスタQ3のゲートに
はVaが供給される。また、第2の電流ブースト回路
は、オープンドレイン型出力回路の信号入力端となるト
ランジスタQ1のゲートとオープンドレイン型出力回路
の信号出力端となるトランジスタQ1のドレインとの間
に直列接続された2つのNチャネルMOSトランジスタ
Q4,Q5から構成されており、トランジスタQ5のゲ
ートにはANDゲートG1を介してVaが供給される。That is, the first current boost circuit is connected in series between the gate of the transistor Q1 which is the signal input terminal of the open drain type output circuit and the drain of the transistor Q1 which is the signal output terminal of the open drain type output circuit. Two N-channel MOS transistors Q2,
It is composed of Q3, and Va is supplied to the gate of the transistor Q3. The second current boost circuit is connected in series between the gate of the transistor Q1 which is the signal input terminal of the open drain type output circuit and the drain of the transistor Q1 which is the signal output terminal of the open drain type output circuit. It is composed of two N-channel MOS transistors Q4 and Q5, and Va is supplied to the gate of the transistor Q5 through an AND gate G1.
【0038】ANDゲートG1は、電流ブースト回路の
並列度を制御するためのものであり、外部制御信号CO
NTがLowレベルの時は第2の電流ブースト回路に対
するVaの供給を禁止して第1の電流ブースト回路の動
作だけを有効にする。一方、外部制御信号CONTがH
ighレベルの時は、ANDゲートG1は、第2の電流
ブースト回路に対してVaをそのまま供給することによ
り、第1および第2の2つの電流ブースト回路を同時動
作させる。The AND gate G1 is for controlling the degree of parallelism of the current boost circuit, and the external control signal CO
When NT is at the Low level, the supply of Va to the second current boost circuit is prohibited and only the operation of the first current boost circuit is enabled. On the other hand, the external control signal CONT is H
When it is at the high level, the AND gate G1 supplies Va to the second current boost circuit as it is, thereby operating the first and second current boost circuits simultaneously.
【0039】このように、電流ブースト回路の並列度を
可変設定することにより、電流ブースト能力を変化させ
ることができる。よって、例えば半導体製造プロセスの
ばらつきによるブースト電流のばらつきを並列度の増減
によって調整可能となり、最適な出力信号特性を実現す
ることができる。また、ドライブ対象のバス構成(スタ
ブ長、ライン長、パッケージ)に合わせて、出力信号の
遅延の度合いや、出力波形の滑らかさの度合いを最適に
設定することもできる。Thus, the current boost capability can be changed by variably setting the parallel degree of the current boost circuit. Therefore, for example, variations in boost current due to variations in semiconductor manufacturing process can be adjusted by increasing or decreasing the degree of parallelism, and optimal output signal characteristics can be realized. Also, the degree of delay of the output signal and the degree of smoothness of the output waveform can be optimally set according to the bus configuration (stub length, line length, package) to be driven.
【0040】制御信号CONTとしては、LSIパッケ
ージの外部ピンの電圧を利用することができる。これに
より、その外部ピンを接地するか電源端子に接続するか
などの実装形態によって電流ブースト回路の並列度を容
易に調整することができる。また、制御信号CONTの
電圧値は、LSIチップ内部の配線処理によって決定し
ても良い。The voltage of the external pin of the LSI package can be used as the control signal CONT. This makes it possible to easily adjust the parallelism of the current boost circuit depending on the mounting form such as grounding the external pin or connecting it to the power supply terminal. The voltage value of the control signal CONT may be determined by the wiring process inside the LSI chip.
【0041】なお、この第2実施形態では、2つの電流
ブースト回路を並列接続して電流ブースト能力を2段階
に切り替える構成を採用したが、さらに多くの電流ブー
スト回路を並列接続し、外部制御信号によって電流ブー
スト能力を多段階に切り替えられるようにしても良い。
これは、例えば、2段目以降の電流ブースト回路毎にA
NDゲートを設け、それら各ANDゲートの第1入力に
Vaを供給し、第2入力にそれぞれ異なる外部制御信号
を供給することにより、2段目以降の電流ブースト回路
毎にVaの供給を許可または禁止することによって実現
することができる。実現することができる。In the second embodiment, two current boost circuits are connected in parallel to switch the current boosting capability in two steps. However, more current boost circuits are connected in parallel and the external control signal is supplied. The current boost capability may be switched in multiple stages by.
This is, for example, A for each of the second and subsequent current boost circuits.
An ND gate is provided, Va is supplied to the first input of each AND gate, and different external control signals are supplied to the second input, so that the supply of Va is permitted for each current boost circuit from the second stage onward. It can be realized by prohibiting. Can be realized.
【0042】また、特性の異なる複数の電流ブースト回
路を並列接続しておき、それら電流ブースト回路を外部
制御信号によって択一的に選択し、その選択した電流ブ
ースト回路にのみVaを供給して動作させるように構成
しても良い。これは、例えば、電流ブースト回路毎にA
NDゲートを設け、それら各ANDゲートの第1入力に
Vaを供給し、第2入力にそれぞれ異なる外部制御信号
を供給することにより、電流ブースト回路毎にVaの供
給を許可または禁止することによって実現することがで
きる。Further, a plurality of current boost circuits having different characteristics are connected in parallel, the current boost circuits are selectively selected by an external control signal, and Va is supplied only to the selected current boost circuit to operate. You may comprise so that it may be made. This is, for example, A for each current boost circuit.
This is realized by providing an ND gate, supplying Va to the first input of each AND gate, and supplying different external control signals to the second input, thereby permitting or prohibiting the supply of Va for each current boost circuit. can do.
【0043】[0043]
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、入力
信号INの立ち上がり直後はVaの立ち下がりの傾斜を
急峻にし、Vaがオープンドレイン型出力回路のトラン
ジスタがターンオフを開始する電圧領域に入ってからは
その立ち下がりの傾斜を滑らかにするといった制御を実
現できるようになり、高速バスドライブのための出力遅
延時間の短縮と出力信号歪みの低減とを両立することが
可能となる。また、複数の電流ブースト回路を並列接続
し、それら電流ブースト回路を外部制御信号に応じて選
択的に動作させることにより、使用するバスの特性など
に応じて出力波形を調整することが可能となる。As described above, according to the present invention, the slope of the fall of Va is made steep immediately after the rise of the input signal IN, and Va is in the voltage region where the transistor of the open drain type output circuit starts turning off. After entering the control, it becomes possible to realize control such as smoothing the falling slope, and it is possible to achieve both reduction of output delay time for high-speed bus drive and reduction of output signal distortion. Further, by connecting a plurality of current boost circuits in parallel and selectively operating the current boost circuits in accordance with an external control signal, it becomes possible to adjust the output waveform according to the characteristics of the bus to be used. .
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図1】この発明の第1実施形態に係るバスドライバ回
路を用いたコンピュータシステムの構成を示すブロック
図。FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a computer system using a bus driver circuit according to a first embodiment of the present invention.
【図2】同第1実施形態のシステムで必要なバス伝送線
路の信号波形を説明するための図。FIG. 2 is a diagram for explaining a signal waveform of a bus transmission line required in the system of the first embodiment.
【図3】同第1実施形態のシステムで使用されるバスド
ライバ回路の動作特性を説明するための図。FIG. 3 is a diagram for explaining operating characteristics of a bus driver circuit used in the system of the first embodiment.
【図4】この発明の第2実施形態に係るバスドライバ回
路の構成を示す回路図。FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of a bus driver circuit according to a second embodiment of the present invention.
【図5】通常のオープンドレイン型出力バッファ回路の
構成を示す回路図。FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of a normal open drain type output buffer circuit.
【図6】図5のオープンドレイン型出力バッファ回路の
動作特性を説明するための図。FIG. 6 is a diagram for explaining operating characteristics of the open drain type output buffer circuit of FIG.
【図7】従来のGTL回路の構成を示す回路図。FIG. 7 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional GTL circuit.
【図8】図7のGTL回路の動作特性を説明するための
図。FIG. 8 is a diagram for explaining operating characteristics of the GTL circuit of FIG.
10…バス、11〜13…システムデバイス、Q1…オ
ープンドレイン型出力回路の出力用トランジスタ、Q
2,Q3…電流ブースト回路用トランジスタ、Q4,Q
5…電流ブースト回路用トランジスタ、G1…ゲート回
路。10 ... Bus, 11-13 ... System device, Q1 ... Output transistor of open drain type output circuit, Q
2, Q3 ... Transistors for current boost circuit, Q4, Q
5 ... Transistor for current boost circuit, G1 ... Gate circuit.
Claims (7)
ドライブするためのバスドライブ回路において、 オープンドレイン型の出力回路と、 この出力回路のスルースレートを制御する電流ブースト
回路であって、制御入力端に供給されるブースト制御電
圧に応じて電流ブースト能力が可変設定される電流ブー
スト回路とを具備し、 前記出力回路の入力端と前記電流ブースト回路の制御入
力端とを接続することにより、前記電流ブースト回路の
電流ブースト能力が前記出力回路の入力端に入力される
入力信号電圧の値に応じて可変設定されるように構成さ
れていることを特徴とするバスドライブ回路。1. A bus drive circuit for driving a bus to which a plurality of devices are commonly connected, comprising: an open drain type output circuit; and a current boost circuit for controlling a slew rate of the output circuit, wherein a control input A current boost circuit in which a current boost capability is variably set according to a boost control voltage supplied to the terminal, and by connecting an input terminal of the output circuit and a control input terminal of the current boost circuit, A bus drive circuit characterized in that the current boosting capability of the current boosting circuit is variably set according to the value of the input signal voltage input to the input terminal of the output circuit.
ドライブするためのバスドライブ回路において、 オープンドレイン型の出力回路と、 この出力回路のトランジスタのゲートとドレインとの間
に直列接続された第1および第2のトランジスタから構
成され、前記第1トランジスタのゲートに供給されるブ
ースト制御電圧に応じて電流ブースト能力が可変設定さ
れる電流ブースト回路とを具備し、 前記出力回路のトランジスタのゲートと前記電流ブース
ト回路の前記第1トランジスタのゲートとを接続するこ
とにより、前記電流ブースト回路の電流ブースト能力が
前記出力回路のトランジスタのゲートに入力される入力
信号電圧の値に応じて可変設定されるように構成されて
いることを特徴とするバスドライブ回路。2. A bus drive circuit for driving a bus to which a plurality of devices are commonly connected, wherein an open-drain type output circuit and a first and second series-connected output gates of transistors of the output circuit are connected in series. A current boost circuit configured to variably set a current boost capability according to a boost control voltage supplied to the gate of the first transistor, and a gate of the transistor of the output circuit. By connecting the gate of the first transistor of the current boost circuit, the current boost capability of the current boost circuit is variably set according to the value of the input signal voltage input to the gate of the transistor of the output circuit. A bus drive circuit characterized by being configured as follows.
ドライブするためのバスドライブ回路において、 オープンドレイン型の出力回路と、 互いに並列接続され、前記出力回路のスルーレートをそ
れぞれ制御する複数の電流ブースト回路であって、前記
出力回路の入力端に入力される入力信号電圧の値に応じ
て電流ブースト能力が各々可変設定される複数の電流ブ
ースト回路と、 これら複数の電流ブースト回路を選択的に動作させる手
段とを具備することを特徴とするバスドライブ回路。3. A bus drive circuit for driving a bus to which a plurality of devices are commonly connected, wherein an open drain type output circuit and a plurality of currents connected in parallel to each other and controlling the slew rates of the output circuits respectively. A plurality of current boost circuits, each of which has a current boost capability variably set according to a value of an input signal voltage input to an input terminal of the output circuit, and the plurality of current boost circuits are selectively selected. A bus drive circuit comprising: means for operating the bus drive circuit.
手段は、 バスドライブ回路を内蔵したLSIパッケージの外部ピ
ンに供給される外部からの制御信号に応じて、前記複数
の電流ブースト回路の中で動作させるべき電流ブースト
回路、またはその個数を決定し、その電流ブースト回路
に前記入力信号電圧を供給することを特徴とする請求項
3記載のバスドライブ回路。4. The means for selectively operating the current boost circuit includes a plurality of current boost circuits in response to an external control signal supplied to an external pin of an LSI package containing a bus drive circuit. 4. The bus drive circuit according to claim 3, wherein the current boost circuits to be operated or the number thereof are determined and the input signal voltage is supplied to the current boost circuits.
ドライブするためのバスドライブ回路において、 オープンドレイン型の出力回路と、 この出力回路のトランジスタのゲートとドレインとの間
に直列接続された第1および第2のトランジスタから構
成され、前記第1のトランジスタのゲートには前記出力
回路のトランジスタのゲートに入力される入力信号電圧
が供給され、その入力信号電圧に応じて電流ブースト能
力が可変設定される第1の電流ブースト回路と、 前記出力回路のトランジスタのゲートとドレインとの間
に直列接続された第3および第4のトランジスタから構
成され、前記第3のトランジスタのゲートには前記出力
回路のトランジスタのゲートに入力される入力信号電圧
が供給され、その入力信号電圧に応じて電流ブースト能
力が可変設定される第2の電流ブースト回路と、 外部からの制御信号に応じて、前記第2の電流ブースト
回路に対する前記入力信号電圧の供給を許可または禁止
する手段とを具備することを特徴とするバスドライブ回
路。5. A bus drive circuit for driving a bus to which a plurality of devices are commonly connected, wherein an open drain type output circuit and a first and a second series connection between a gate and a drain of a transistor of the output circuit are provided. An input signal voltage input to the gate of the transistor of the output circuit is supplied to the gate of the first transistor, and the current boost capability is variably set according to the input signal voltage. A first current boost circuit, and third and fourth transistors connected in series between the gate and drain of the transistor of the output circuit, the gate of the third transistor being connected to the output circuit. The input signal voltage that is input to the gate of the transistor of the A second current boost circuit whose variability is set, and means for permitting or prohibiting the supply of the input signal voltage to the second current boost circuit according to an external control signal. Characteristic bus drive circuit.
入力端に供給されるブースト制御電圧に応じて電流ブー
スト能力が可変設定され、前記出力回路のスルースレー
トを制御する電流ブースト回路とを含むバスドライブ回
路を制御する制御方法であって、 前記出力回路の入力端に入力される入力信号電圧を、前
記電流ブースト回路の制御入力端に直接的に供給し、 前記入力信号電圧の電圧遷移に応じて前記電流ブースト
回路の電流ブースト能力を動的に変化させることによ
り、前記バスドライブ回路の出力信号の立ち上がり時の
スルーレートを制御することを特徴とする制御方法。6. A bus including an open drain type output circuit, and a current boost circuit which has a current boost capability variably set according to a boost control voltage supplied to a control input terminal and which controls a slew rate of the output circuit. A control method for controlling a drive circuit, wherein an input signal voltage input to an input terminal of the output circuit is directly supplied to a control input terminal of the current boost circuit, and the input signal voltage is changed according to a voltage transition of the input signal voltage. The control method is characterized in that the slew rate at the time of rising of the output signal of the bus drive circuit is controlled by dynamically changing the current boost capability of the current boost circuit.
出力回路の入力端に入力される入力信号電圧の値に応じ
て電流ブースト能力が各々可変設定され、前記出力回路
のスルースレートを制御する複数の電流ブースト回路と
を含むバスドライブ回路を制御する制御方法であって、 外部からの制御信号に応じて、前記複数の電流ブースト
回路の中で動作させるべき電流ブースト回路、またはそ
の個数を決定し、 動作許可される電流ブースト回路、またはその個数を可
変設定することによって、前記バスドライブ回路の出力
信号の立ち上がり時のスルーレートを制御することを特
徴とする制御方法。7. An open drain type output circuit, and a plurality of current boosting capacities that are variably set according to a value of an input signal voltage input to an input terminal of the output circuit, and control a slew rate of the output circuit. A method for controlling a bus drive circuit including a current boost circuit according to claim 1, wherein the current boost circuits to be operated in the plurality of current boost circuits or the number thereof are determined in accordance with an external control signal. A control method, wherein the slew rate at the time of rising of the output signal of the bus drive circuit is controlled by variably setting the current boost circuits permitted to operate, or the number thereof.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12835596A JPH09311743A (en) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | Bus driver circuit and its control method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12835596A JPH09311743A (en) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | Bus driver circuit and its control method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09311743A true JPH09311743A (en) | 1997-12-02 |
Family
ID=14982778
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JP12835596A Pending JPH09311743A (en) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | Bus driver circuit and its control method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09311743A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1087528A1 (en) * | 1999-09-22 | 2001-03-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Output circuit for semiconductor integrated circuit |
-
1996
- 1996-05-23 JP JP12835596A patent/JPH09311743A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP1087528A1 (en) * | 1999-09-22 | 2001-03-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Output circuit for semiconductor integrated circuit |
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