JPH09194233A - 透明導電膜およびその製造方法 - Google Patents
透明導電膜およびその製造方法Info
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- JPH09194233A JPH09194233A JP705396A JP705396A JPH09194233A JP H09194233 A JPH09194233 A JP H09194233A JP 705396 A JP705396 A JP 705396A JP 705396 A JP705396 A JP 705396A JP H09194233 A JPH09194233 A JP H09194233A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明はＩＴＯ微粒子から構成される透明導
電膜およびその製造方法に関するもので、低抵抗で、高
温、高湿環境においても特性変動の少ない信頼性に優れ
た透明導電膜およびその製造方法を安価に提供すること
を目的とする。 【解決手段】 ＩＴＯ微粒子を樹脂および有機溶剤に分
散させたものを基板１１上に塗布し、乾燥後、焼成を行
ってＩＴＯ微粒子からなる膜１２を形成し、その上に金
属化合物の溶液を塗布し、乾燥後、焼成を行って膜１２
の空孔を埋めるように金属酸化物１３を形成して、ガス
や水分の影響を受けにくい信頼性に優れた透明導電膜１
４を得る。
電膜およびその製造方法に関するもので、低抵抗で、高
温、高湿環境においても特性変動の少ない信頼性に優れ
た透明導電膜およびその製造方法を安価に提供すること
を目的とする。 【解決手段】 ＩＴＯ微粒子を樹脂および有機溶剤に分
散させたものを基板１１上に塗布し、乾燥後、焼成を行
ってＩＴＯ微粒子からなる膜１２を形成し、その上に金
属化合物の溶液を塗布し、乾燥後、焼成を行って膜１２
の空孔を埋めるように金属酸化物１３を形成して、ガス
や水分の影響を受けにくい信頼性に優れた透明導電膜１
４を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はインジウム錫酸化物
（以下、ＩＴＯと記す）微粒子から構成される透明導電
膜およびその製造方法に関するものである。
（以下、ＩＴＯと記す）微粒子から構成される透明導電
膜およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】タッチパネル、ＥＬ素子、液晶ディスプ
レイ等の表示素子の電極や、航空機、自動車等の窓ガラ
スの防曇または氷結防止のための抵抗発熱体として、透
明導電膜が広く用いられている。
レイ等の表示素子の電極や、航空機、自動車等の窓ガラ
スの防曇または氷結防止のための抵抗発熱体として、透
明導電膜が広く用いられている。
【０００３】このような透明導電膜は、製造方法により
以下のように分類される。 （１）酸化錫等を直接基板に蒸着成膜する方法 （２）ＩＴＯ等をターゲットにしてスパッタリングで成
膜する方法 （３）金属アルコキシドを用いるＣＶＤ法 （４）錫やインジウムの有機塩を基板に塗布、熱分解す
る方法 （５）ＩＴＯ等の微粒子を含むインキを印刷・塗布する
方法 上記のうち（５）の方法によると、最も低コストでかつ
複雑な工程を要せずに大面積の基板上にも容易にＩＴＯ
透明導電膜を製造できる。現在、ＩＴＯ粉体を樹脂や有
機溶剤に分散させたペースト状のインキを基板上に印刷
・塗布して、乾燥後、焼成してＩＴＯ透明導電膜を形成
させる方法が提案されている（例えば、特開平４−２６
７６８号公報）。
以下のように分類される。 （１）酸化錫等を直接基板に蒸着成膜する方法 （２）ＩＴＯ等をターゲットにしてスパッタリングで成
膜する方法 （３）金属アルコキシドを用いるＣＶＤ法 （４）錫やインジウムの有機塩を基板に塗布、熱分解す
る方法 （５）ＩＴＯ等の微粒子を含むインキを印刷・塗布する
方法 上記のうち（５）の方法によると、最も低コストでかつ
複雑な工程を要せずに大面積の基板上にも容易にＩＴＯ
透明導電膜を製造できる。現在、ＩＴＯ粉体を樹脂や有
機溶剤に分散させたペースト状のインキを基板上に印刷
・塗布して、乾燥後、焼成してＩＴＯ透明導電膜を形成
させる方法が提案されている（例えば、特開平４−２６
７６８号公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ＩＴＯ粉体を印刷・塗布焼成して製造された透明導電膜
は、乾燥および焼成時に揮発成分と熱分解成分とが膜中
から抜け出ていくため、抜けた後には空孔が残り多孔質
の膜となる。また、基板とＩＴＯ粉体およびＩＴＯ粉体
どうしの結合が弱いので膜としての強度に欠ける。以上
の要因から、スパッタリングやＣＶＤによる透明導電膜
に比べて導電性が低く、かつ耐磨耗性、信頼性に劣る
（特に高温高湿環境での抵抗値変化が大きい）という欠
点があった。
ＩＴＯ粉体を印刷・塗布焼成して製造された透明導電膜
は、乾燥および焼成時に揮発成分と熱分解成分とが膜中
から抜け出ていくため、抜けた後には空孔が残り多孔質
の膜となる。また、基板とＩＴＯ粉体およびＩＴＯ粉体
どうしの結合が弱いので膜としての強度に欠ける。以上
の要因から、スパッタリングやＣＶＤによる透明導電膜
に比べて導電性が低く、かつ耐磨耗性、信頼性に劣る
（特に高温高湿環境での抵抗値変化が大きい）という欠
点があった。
【０００５】本発明は上記課題を解決するために、高い
導電性を有し、高温・高湿環境においても特性変動の少
ない信頼性に優れた透明導電膜およびその製造方法を安
価に提供することを目的とする。
導電性を有し、高温・高湿環境においても特性変動の少
ない信頼性に優れた透明導電膜およびその製造方法を安
価に提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに本発明の透明導電膜は、ＩＴＯ微粒子からなる膜
と、前記膜中の空孔を埋める金属酸化物とで構成され
る。
めに本発明の透明導電膜は、ＩＴＯ微粒子からなる膜
と、前記膜中の空孔を埋める金属酸化物とで構成され
る。
【０００７】前記構成とすることにより、高い導電性で
信頼性に優れた透明導電膜が得られる。
信頼性に優れた透明導電膜が得られる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、ＩＴＯ微粒子からなる膜と、前記膜中の空孔を埋め
る金属酸化物とで構成され、ガスや水分の影響を受けに
くい信頼性に優れた透明導電膜となる。
は、ＩＴＯ微粒子からなる膜と、前記膜中の空孔を埋め
る金属酸化物とで構成され、ガスや水分の影響を受けに
くい信頼性に優れた透明導電膜となる。
【０００９】請求項２に記載の発明は、金属酸化物膜が
ＩＴＯ微粒子からなる膜を覆う構成であり、これにより
信頼性と耐磨耗性の優れたものとすることができる。
ＩＴＯ微粒子からなる膜を覆う構成であり、これにより
信頼性と耐磨耗性の優れたものとすることができる。
【００１０】また、請求項３に記載の発明は、金属酸化
物膜がケイ素の酸化物を含む構成であり強度、透明性、
ガスバリア性に優れたものとなる。
物膜がケイ素の酸化物を含む構成であり強度、透明性、
ガスバリア性に優れたものとなる。
【００１１】また、請求項４に記載の発明は、金属酸化
物膜が錫の酸化物を含む構成であり、より低抵抗な膜と
することができる。
物膜が錫の酸化物を含む構成であり、より低抵抗な膜と
することができる。
【００１２】請求項５に記載の発明は、ＩＴＯ微粒子を
樹脂および有機溶剤に分散させたものを基板上に塗布
し、乾燥後、焼成を行ってＩＴＯ微粒子からなる膜を形
成する第１の工程と、その上に金属化合物の溶液を塗布
し、乾燥後、焼成を行って前記膜の空孔を埋めるように
金属酸化物を形成する第２の工程とを備えた方法であ
り、この方法によって低コストで簡便な工程で低抵抗で
信頼性に優れた透明導電膜を得ることができる。
樹脂および有機溶剤に分散させたものを基板上に塗布
し、乾燥後、焼成を行ってＩＴＯ微粒子からなる膜を形
成する第１の工程と、その上に金属化合物の溶液を塗布
し、乾燥後、焼成を行って前記膜の空孔を埋めるように
金属酸化物を形成する第２の工程とを備えた方法であ
り、この方法によって低コストで簡便な工程で低抵抗で
信頼性に優れた透明導電膜を得ることができる。
【００１３】請求項６に記載の発明は、第１の工程で形
成したＩＴＯ微粒子からなる膜を覆うように、第２の工
程で金属酸化物からなる膜を形成する方法であり、耐磨
耗性に優れた透明導電膜を得ることができる。
成したＩＴＯ微粒子からなる膜を覆うように、第２の工
程で金属酸化物からなる膜を形成する方法であり、耐磨
耗性に優れた透明導電膜を得ることができる。
【００１４】請求項７に記載の発明は、金属化合物がケ
イ素化合物を含むものを用いて空孔を埋める方法であ
り、強度透明性、ガスバリア性の優れたものを得ること
ができる。
イ素化合物を含むものを用いて空孔を埋める方法であ
り、強度透明性、ガスバリア性の優れたものを得ること
ができる。
【００１５】さらに、請求項８に記載の発明は、金属化
合物が錫化合物を含むものを用いて空孔を埋める方法で
より低抵抗なものを得ることができる。
合物が錫化合物を含むものを用いて空孔を埋める方法で
より低抵抗なものを得ることができる。
【００１６】また、請求項９に記載の発明は、金属化合
物を焼成する工程が、不活性雰囲気中または還元性雰囲
気中で行われるものであり、より低抵抗で透明性の高い
膜を得ることができる。
物を焼成する工程が、不活性雰囲気中または還元性雰囲
気中で行われるものであり、より低抵抗で透明性の高い
膜を得ることができる。
【００１７】さらに請求項１０に記載の発明は、ＩＴＯ
微粒子を樹脂および有機溶剤に分散させたものを焼成す
る工程が、空気中、続いて不活性雰囲気中または還元性
雰囲気中で順次行われより優れた膜を得ることができ
る。
微粒子を樹脂および有機溶剤に分散させたものを焼成す
る工程が、空気中、続いて不活性雰囲気中または還元性
雰囲気中で順次行われより優れた膜を得ることができ
る。
【００１８】以下、本発明の実施の形態について図１〜
図３を用いて説明する。図１は本発明の透明導電膜の一
実施の形態を示す断面図、図２は透明導電膜の表面近傍
を拡大した図である。シリカコートされたガラス基板１
１上に、ＩＴＯ微粒子１５からなる膜１２と、この膜中
の空孔を埋める金属酸化物１３とで透明導電膜１４が構
成されている。
図３を用いて説明する。図１は本発明の透明導電膜の一
実施の形態を示す断面図、図２は透明導電膜の表面近傍
を拡大した図である。シリカコートされたガラス基板１
１上に、ＩＴＯ微粒子１５からなる膜１２と、この膜中
の空孔を埋める金属酸化物１３とで透明導電膜１４が構
成されている。
【００１９】図３は本発明の透明導電膜の製造方法につ
いて説明するための図である。第１の工程では、ガラス
等の基板２１を用意し、（図３（ａ））、ＩＴＯ微粒子
を樹脂および有機溶剤に分散させたもの２２を、ガラス
等の基板２１上に塗布または印刷する（図３（ｂ））。
溶剤が乾くまで乾燥させた後、焼成工程を行い、ＩＴＯ
微粒子からなる膜２３を得る（図３（ｃ））。
いて説明するための図である。第１の工程では、ガラス
等の基板２１を用意し、（図３（ａ））、ＩＴＯ微粒子
を樹脂および有機溶剤に分散させたもの２２を、ガラス
等の基板２１上に塗布または印刷する（図３（ｂ））。
溶剤が乾くまで乾燥させた後、焼成工程を行い、ＩＴＯ
微粒子からなる膜２３を得る（図３（ｃ））。
【００２０】ソーダガラスを基板に用いる場合、ソーダ
ガラスから溶出するナトリウム成分が透明導電膜の特性
に悪影響を及ぼすので、ナトリウム溶出防止のためのシ
リカコーティングを施したものを用いるのが望ましい。
ガラスから溶出するナトリウム成分が透明導電膜の特性
に悪影響を及ぼすので、ナトリウム溶出防止のためのシ
リカコーティングを施したものを用いるのが望ましい。
【００２１】ＩＴＯ微粒子には平均粒径５０ｎｍ以下の
ものを用いる。ＩＴＯ微粒子を分散させる樹脂として
は、例えばブチラール、アクリル、ポリエステル等の分
散性が良好な樹脂が好ましい。また溶剤としては、例え
ばブチルセロソルブ、イソホロン、ターピネオール等の
高沸点溶剤を用いる。これらの高沸点溶剤に、例えばア
ルコール等の低沸点溶剤を混ぜて乾燥速度を調節するこ
ともできる。
ものを用いる。ＩＴＯ微粒子を分散させる樹脂として
は、例えばブチラール、アクリル、ポリエステル等の分
散性が良好な樹脂が好ましい。また溶剤としては、例え
ばブチルセロソルブ、イソホロン、ターピネオール等の
高沸点溶剤を用いる。これらの高沸点溶剤に、例えばア
ルコール等の低沸点溶剤を混ぜて乾燥速度を調節するこ
ともできる。
【００２２】これらの樹脂と溶剤にＩＴＯ微粒子を１０
〜６０ｗｔ％程度に添加し、ペイントシェーカー等の剪
断力の高い分散手段を用いて十分に分散させ、スクリー
ン、グラビア、凹版、平板オフセット等の印刷法や、デ
ィップコーティング、スピンコーティング、フローコー
ティング等の方法で、基板上に塗布する。
〜６０ｗｔ％程度に添加し、ペイントシェーカー等の剪
断力の高い分散手段を用いて十分に分散させ、スクリー
ン、グラビア、凹版、平板オフセット等の印刷法や、デ
ィップコーティング、スピンコーティング、フローコー
ティング等の方法で、基板上に塗布する。
【００２３】焼成工程は、樹脂および溶剤が完全に熱分
解する温度以上で行う。焼成時には最初に、樹脂を熱分
解させるために空気（酸素を含む雰囲気）中で焼成する
ことが必要である。
解する温度以上で行う。焼成時には最初に、樹脂を熱分
解させるために空気（酸素を含む雰囲気）中で焼成する
ことが必要である。
【００２４】なお、空気中で焼成すると、ＩＴＯの青色
光の吸収が増し、でき上がった透明導電膜は少し黄色み
を帯びてしまう。一方、窒素やアルゴン等の不活性雰囲
気、あるいは窒素と水素の混合ガスのような還元雰囲気
中で焼成すると、ＩＴＯは着色せず、高透明でさらに低
抵抗の膜ができる。よって、焼成工程は空気中、続いて
不活性雰囲気中または還元性雰囲気中で順次行われるこ
とが望ましい。
光の吸収が増し、でき上がった透明導電膜は少し黄色み
を帯びてしまう。一方、窒素やアルゴン等の不活性雰囲
気、あるいは窒素と水素の混合ガスのような還元雰囲気
中で焼成すると、ＩＴＯは着色せず、高透明でさらに低
抵抗の膜ができる。よって、焼成工程は空気中、続いて
不活性雰囲気中または還元性雰囲気中で順次行われるこ
とが望ましい。
【００２５】次に第２の工程では、第１の工程で得られ
たＩＴＯ微粒子からなる膜２３の上に、金属化合物の溶
液２４を塗布し（図３（ｄ））、乾燥後に焼成工程を行
い、膜２３の空孔を金属酸化物２５で埋めて透明導電膜
２６を得る（図３（ｅ））。
たＩＴＯ微粒子からなる膜２３の上に、金属化合物の溶
液２４を塗布し（図３（ｄ））、乾燥後に焼成工程を行
い、膜２３の空孔を金属酸化物２５で埋めて透明導電膜
２６を得る（図３（ｅ））。
【００２６】金属酸化物２５が膜２３の空孔を埋めるだ
けでも、本発明の透明導電膜の特性は発揮されるが、さ
らに膜２３の上を覆うように金属酸化物２５を形成して
もよく、その場合は耐磨耗性、信頼性がより向上する。
けでも、本発明の透明導電膜の特性は発揮されるが、さ
らに膜２３の上を覆うように金属酸化物２５を形成して
もよく、その場合は耐磨耗性、信頼性がより向上する。
【００２７】金属化合物としては、無機化合物である各
種金属の水酸化物、酸化物、硝酸塩、硫酸塩、硫化物
等、あるいは金属を構造中に含む有機化合物である各種
金属のアルコキシド、有機酸塩、有機金属化合物、有機
錯体等が挙げられる。これらは単独で、もしくは２種類
以上混合して用いることができる。
種金属の水酸化物、酸化物、硝酸塩、硫酸塩、硫化物
等、あるいは金属を構造中に含む有機化合物である各種
金属のアルコキシド、有機酸塩、有機金属化合物、有機
錯体等が挙げられる。これらは単独で、もしくは２種類
以上混合して用いることができる。
【００２８】なお、これらの化合物の中でも、特にケイ
素を含む化合物を用いて、ケイ素酸化物を形成すると、
強度が大きく、耐湿性に優れた透明導電膜となり好まし
い。
素を含む化合物を用いて、ケイ素酸化物を形成すると、
強度が大きく、耐湿性に優れた透明導電膜となり好まし
い。
【００２９】さらに、錫を含む化合物を用いて、透明導
電膜に錫の酸化物を含む構造にすると、より低抵抗の膜
となるので好ましい。
電膜に錫の酸化物を含む構造にすると、より低抵抗の膜
となるので好ましい。
【００３０】金属化合物の溶液を塗布する方法として
は、例えばディップコーティング、スピンコーティン
グ、フローコーティング等の方法がある。
は、例えばディップコーティング、スピンコーティン
グ、フローコーティング等の方法がある。
【００３１】焼成工程は、金属化合物が熱分解されて金
属酸化物になる温度以上かつ基板に悪影響を与えない温
度以下で行う。
属酸化物になる温度以上かつ基板に悪影響を与えない温
度以下で行う。
【００３２】なお、空気中で焼成すると、第１の焼成工
程と同様に透明導電膜は少し黄色みを帯びてしまうの
で、窒素やアルゴン等の不活性雰囲気あるいは窒素と水
素の混合ガスのような還元性雰囲気中で焼成することが
望ましい。これにより、ＩＴＯは着色せず、高透明でさ
らに低抵抗の膜とすることができる。
程と同様に透明導電膜は少し黄色みを帯びてしまうの
で、窒素やアルゴン等の不活性雰囲気あるいは窒素と水
素の混合ガスのような還元性雰囲気中で焼成することが
望ましい。これにより、ＩＴＯは着色せず、高透明でさ
らに低抵抗の膜とすることができる。
【００３３】次に、具体的な実施の形態について説明す
る。ＩＴＯ微粒子からなる膜を形成する工程は以下のよ
うに行った。
る。ＩＴＯ微粒子からなる膜を形成する工程は以下のよ
うに行った。
【００３４】ＩＴＯ微粒子（平均粒径２５ｎｍ、錫含有
量５％）１００ｇ、ブチルセロソルブ８０ｇ、イソホロ
ン８０ｇ、アクリルレジン（ダイヤナールＬＲ・１６
７：三菱レイヨン（株）商品名）４０ｇを混合し、ペイ
ントシェーカー（レッドデビル社製）で１２時間ほど分
散した。得られた分散液をシリカコートしたソーダガラ
ス基板（厚さ１．１ｍｍ）にバーコーターを用いて塗布
した。１０分間の自然乾燥の後、乾燥炉内で１２０℃で
１時間乾燥した。塗膜は硬化し、指で軽くこすっても剥
がれない程度に基板上に密着した。次に焼成工程では、
基板を管状炉内、空気雰囲気中で室温から２００℃／ｈ
の速度で５５０℃まで上げて３０分間保持した後、２０
０℃／ｈの速度で室温まで冷却して取り出した。得られ
た焼成膜はやや黄色く着色し、指で少しこすっただけで
剥がれてしまう状態であった。焼成膜の膜厚は約８００
ｎｍであった。
量５％）１００ｇ、ブチルセロソルブ８０ｇ、イソホロ
ン８０ｇ、アクリルレジン（ダイヤナールＬＲ・１６
７：三菱レイヨン（株）商品名）４０ｇを混合し、ペイ
ントシェーカー（レッドデビル社製）で１２時間ほど分
散した。得られた分散液をシリカコートしたソーダガラ
ス基板（厚さ１．１ｍｍ）にバーコーターを用いて塗布
した。１０分間の自然乾燥の後、乾燥炉内で１２０℃で
１時間乾燥した。塗膜は硬化し、指で軽くこすっても剥
がれない程度に基板上に密着した。次に焼成工程では、
基板を管状炉内、空気雰囲気中で室温から２００℃／ｈ
の速度で５５０℃まで上げて３０分間保持した後、２０
０℃／ｈの速度で室温まで冷却して取り出した。得られ
た焼成膜はやや黄色く着色し、指で少しこすっただけで
剥がれてしまう状態であった。焼成膜の膜厚は約８００
ｎｍであった。
【００３５】ＩＴＯ微粒子からなる膜の空孔を埋めるも
しくは膜を覆う金属酸化物を形成する工程は、下記実施
の形態１〜７に記すように行った。
しくは膜を覆う金属酸化物を形成する工程は、下記実施
の形態１〜７に記すように行った。
【００３６】（実施の形態１）シリコンエトキシドをエ
タノール中で３ｗｔ％に調製した塗布液を用意し、上記
ＩＴＯ微粒子からなる膜の上に引き上げ速度６０ｃｍ／
分でディップコートした。この基板を窒素雰囲気中で室
温から２００℃／ｈの速度で５５０℃まで上げて３０分
間保持した後、２００℃／ｈの速度で室温まで冷却して
透明導電膜を得た。
タノール中で３ｗｔ％に調製した塗布液を用意し、上記
ＩＴＯ微粒子からなる膜の上に引き上げ速度６０ｃｍ／
分でディップコートした。この基板を窒素雰囲気中で室
温から２００℃／ｈの速度で５５０℃まで上げて３０分
間保持した後、２００℃／ｈの速度で室温まで冷却して
透明導電膜を得た。
【００３７】（実施の形態２）シリコンエトキシドをエ
タノール中で１ｗｔ％に調製した塗布液を用意し、上記
ＩＴＯ微粒子からなる膜の上に引き上げ速度６０ｃｍ／
分でディップコートした。この基板を窒素雰囲気中で室
温から２００℃／ｈの速度で５５０℃まで上げて３０分
間保持した後、２００℃／ｈの速度で室温まで冷却して
透明導電膜を得た。
タノール中で１ｗｔ％に調製した塗布液を用意し、上記
ＩＴＯ微粒子からなる膜の上に引き上げ速度６０ｃｍ／
分でディップコートした。この基板を窒素雰囲気中で室
温から２００℃／ｈの速度で５５０℃まで上げて３０分
間保持した後、２００℃／ｈの速度で室温まで冷却して
透明導電膜を得た。
【００３８】（実施の形態３）エタノール９６ｗｔ％中
にシリコンエトキシド４ｗｔ％、有機酸錫４ｗｔ％にな
るように調製した溶液を用意し、上記ＩＴＯ微粒子から
なる膜の上に引き上げ速度６０ｃｍ／分でディップコー
トした。この基板を窒素雰囲気中で室温から２００℃／
ｈの速度で５５０℃まで上げて３０分間保持した後、２
００℃／ｈの速度で室温まで冷却して透明導電膜を得
た。
にシリコンエトキシド４ｗｔ％、有機酸錫４ｗｔ％にな
るように調製した溶液を用意し、上記ＩＴＯ微粒子から
なる膜の上に引き上げ速度６０ｃｍ／分でディップコー
トした。この基板を窒素雰囲気中で室温から２００℃／
ｈの速度で５５０℃まで上げて３０分間保持した後、２
００℃／ｈの速度で室温まで冷却して透明導電膜を得
た。
【００３９】（実施の形態４）エタノール９７ｗｔ％中
にシリコンエトキシド１．５ｗｔ％、有機酸錫１．５ｗ
ｔ％になるように調製した溶液を用意し、上記ＩＴＯ微
粒子からなる膜の上に引き上げ速度６０ｃｍ／分でディ
ップコートした。この基板を窒素雰囲気中で室温から２
００℃／ｈの速度で５５０℃まで上げて３０分間保持し
た後、２００℃／ｈの速度で室温まで冷却して透明導電
膜を得た。
にシリコンエトキシド１．５ｗｔ％、有機酸錫１．５ｗ
ｔ％になるように調製した溶液を用意し、上記ＩＴＯ微
粒子からなる膜の上に引き上げ速度６０ｃｍ／分でディ
ップコートした。この基板を窒素雰囲気中で室温から２
００℃／ｈの速度で５５０℃まで上げて３０分間保持し
た後、２００℃／ｈの速度で室温まで冷却して透明導電
膜を得た。
【００４０】（実施の形態５）エタノール９９ｗｔ％中
にシリコンエトキシド０．５ｗｔ％、有機酸錫０．５ｗ
ｔ％になるように調製した溶液を用意し、上記ＩＴＯ微
粒子からなる膜の上に引き上げ速度６０ｃｍ／分でディ
ップコートした。この基板を窒素雰囲気中で室温から２
００℃／ｈの速度で５５０℃まで上げて３０分間保持し
た後、２００℃／ｈの速度で室温まで冷却して透明導電
膜を得た。
にシリコンエトキシド０．５ｗｔ％、有機酸錫０．５ｗ
ｔ％になるように調製した溶液を用意し、上記ＩＴＯ微
粒子からなる膜の上に引き上げ速度６０ｃｍ／分でディ
ップコートした。この基板を窒素雰囲気中で室温から２
００℃／ｈの速度で５５０℃まで上げて３０分間保持し
た後、２００℃／ｈの速度で室温まで冷却して透明導電
膜を得た。
【００４１】（実施の形態６）エタノール９７ｗｔ％中
にシリコンエトキシド１．５ｗｔ％、有機酸錫１．５ｗ
ｔ％になるように調製した溶液を用意し、上記ＩＴＯ微
粒子からなる膜の上に引き上げ速度６０ｃｍ／分でディ
ップコートした。この基板を窒素９０％と水素１０％の
混合ガス雰囲気中で室温から２００℃／ｈの速度で５５
０℃まで上げて３０分間保持した後、２００℃／ｈの速
度で室温まで冷却して透明導電膜を得た。
にシリコンエトキシド１．５ｗｔ％、有機酸錫１．５ｗ
ｔ％になるように調製した溶液を用意し、上記ＩＴＯ微
粒子からなる膜の上に引き上げ速度６０ｃｍ／分でディ
ップコートした。この基板を窒素９０％と水素１０％の
混合ガス雰囲気中で室温から２００℃／ｈの速度で５５
０℃まで上げて３０分間保持した後、２００℃／ｈの速
度で室温まで冷却して透明導電膜を得た。
【００４２】（実施の形態７）ＩＴＯ微粒子からなる膜
を形成する第１の焼成工程において、空気雰囲気中で室
温から２００℃／ｈの速度で５５０℃まで上げて３０分
間保持した後、窒素雰囲気に換えて２００℃／ｈの速度
で室温まで冷却した。得られた焼成膜はほぼ無色透明で
あったが、指で少しこすっただけで剥がれてしまう状態
であった。この焼成膜の上に実施の形態４と同様の条件
で金属酸化物を形成し透明導電膜を得た。
を形成する第１の焼成工程において、空気雰囲気中で室
温から２００℃／ｈの速度で５５０℃まで上げて３０分
間保持した後、窒素雰囲気に換えて２００℃／ｈの速度
で室温まで冷却した。得られた焼成膜はほぼ無色透明で
あったが、指で少しこすっただけで剥がれてしまう状態
であった。この焼成膜の上に実施の形態４と同様の条件
で金属酸化物を形成し透明導電膜を得た。
【００４３】比較例として、以下のＩＴＯ微粒子からな
る膜（金属酸化物による孔埋めがないもの）を用意し
た。
る膜（金属酸化物による孔埋めがないもの）を用意し
た。
【００４４】（比較例１）上記実施の形態１〜６の第１
の工程において形成した空気雰囲気焼成のＩＴＯ微粒子
からなる膜を比較例１とした。
の工程において形成した空気雰囲気焼成のＩＴＯ微粒子
からなる膜を比較例１とした。
【００４５】（比較例２）上記実施の形態７の第１の工
程において形成した空気雰囲気、続いて窒素雰囲気で焼
成したＩＴＯ微粒子からなる膜を比較例２とした。
程において形成した空気雰囲気、続いて窒素雰囲気で焼
成したＩＴＯ微粒子からなる膜を比較例２とした。
【００４６】以上のようにして作製した実施の形態およ
び比較例の透明導電膜について評価した結果を（表１）
に示す。全光線透過率はヘーズメーター（日本電色工業
（株）製）、シート抵抗は４探針式抵抗率計（油化電子
（株）製ハイレスタ）を用いて測定した。
び比較例の透明導電膜について評価した結果を（表１）
に示す。全光線透過率はヘーズメーター（日本電色工業
（株）製）、シート抵抗は４探針式抵抗率計（油化電子
（株）製ハイレスタ）を用いて測定した。
【００４７】
【表１】
【００４８】（表１）から明らかなように、本発明の実
施の形態（ＩＴＯ微粒子からなる膜の空孔を埋めて金属
酸化物を形成したもの）は、比較例（金属酸化物を形成
しないもの）に比べて低抵抗であり、高温高湿環境（６
０℃、９５％ＲＨ）に１０００時間放置後の抵抗値変化
も非常に小さく安定していた。また、比較例は指で軽く
こするだけで膜表面に傷が付いたり、膜が剥がれてしま
ったりしたが、実施の形態はいずれも指で強くこすって
もまったく傷付かなかった。
施の形態（ＩＴＯ微粒子からなる膜の空孔を埋めて金属
酸化物を形成したもの）は、比較例（金属酸化物を形成
しないもの）に比べて低抵抗であり、高温高湿環境（６
０℃、９５％ＲＨ）に１０００時間放置後の抵抗値変化
も非常に小さく安定していた。また、比較例は指で軽く
こするだけで膜表面に傷が付いたり、膜が剥がれてしま
ったりしたが、実施の形態はいずれも指で強くこすって
もまったく傷付かなかった。
【００４９】以上のように本発明の実施の形態によれ
ば、ＩＴＯ微粒子からなる膜の空孔を金属酸化物で埋め
ることによって、ガスや水分の影響を受けにくい信頼性
に優れた膜となる。さらに、膜の強度も増すので耐磨耗
性も向上させることができる。
ば、ＩＴＯ微粒子からなる膜の空孔を金属酸化物で埋め
ることによって、ガスや水分の影響を受けにくい信頼性
に優れた膜となる。さらに、膜の強度も増すので耐磨耗
性も向上させることができる。
【００５０】
【発明の効果】以上のように本発明は、ＩＴＯ微粒子か
らなる膜と、その膜中の空孔を埋めるもしくは膜を覆う
金属酸化物とで透明導電膜を構成することにより、ガス
や水分の影響を受けにくい信頼性に優れた膜を実現し、
さらに膜の強度も増して耐磨耗性を向上させるものであ
る。
らなる膜と、その膜中の空孔を埋めるもしくは膜を覆う
金属酸化物とで透明導電膜を構成することにより、ガス
や水分の影響を受けにくい信頼性に優れた膜を実現し、
さらに膜の強度も増して耐磨耗性を向上させるものであ
る。
【００５１】また、金属酸化物がケイ素の酸化物を含む
ことで強度、透明性、ガスバリア性に優れた膜とし、錫
の酸化物を含むことでより低抵抗の膜とすることができ
る。
ことで強度、透明性、ガスバリア性に優れた膜とし、錫
の酸化物を含むことでより低抵抗の膜とすることができ
る。
【００５２】本発明の透明導電膜の製造方法は、溶液の
塗布・焼成という低コストで簡便な工程で、低抵抗で信
頼性に優れた透明導電膜を製造するものである。
塗布・焼成という低コストで簡便な工程で、低抵抗で信
頼性に優れた透明導電膜を製造するものである。
【図１】本発明の一実施の形態を示す断面図
【図２】同要部の拡大断面図
【図３】（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施の形態を説明
するために用いた工程概念図
するために用いた工程概念図
１１，２１ 基板 １２，２３ ＩＴＯ微粒子からなる膜 １３，２５ 金属酸化物 １４，２６ 透明導電膜 １５ ＩＴＯ微粒子 ２２ ＩＴＯ微粒子を樹脂および有機溶剤に分散させた
もの ２４ 金属化合物の溶液
もの ２４ 金属化合物の溶液
Claims (10)
- 【請求項１】 インジウム錫酸化物微粒子からなる膜
と、前記膜中の空孔を埋める金属酸化物とで構成された
透明導電膜。 - 【請求項２】 インジウム錫酸化物微粒子からなる膜
と、前記膜中の空孔を埋めてさらに前記膜を覆う金属酸
化物膜とで構成された透明導電膜。 - 【請求項３】 金属酸化物がケイ素の酸化物を含む請求
項１または２記載の透明導電膜。 - 【請求項４】 金属酸化物が錫の酸化物を含む請求項３
記載の透明導電膜。 - 【請求項５】 インジウム錫酸化物微粒子を樹脂および
有機溶剤に分散させたものを基板上に塗布し、乾燥後、
焼成を行ってインジウム錫酸化物微粒子からなる膜を形
成する第１の工程と、その上に金属化合物の溶液を塗布
し、乾燥後、焼成を行って前記膜の空孔を埋めるように
金属酸化物を形成する第２の工程とを行う透明導電膜の
製造方法。 - 【請求項６】 インジウム錫酸化物微粒子を樹脂および
有機溶剤に分散させたものを基板上に塗布し、乾燥後、
焼成を行ってインジウム錫酸化物微粒子からなる膜を形
成する第１の工程と、その上に金属化合物の溶液を塗布
し、乾燥後、焼成を行って前記膜の空孔を埋めて、かつ
前記膜を覆うように金属酸化物膜を形成する第２の工程
とを行う透明導電膜の製造方法。 - 【請求項７】 金属化合物がケイ素化合物を含む請求項
５または６記載の透明導電膜の製造方法。 - 【請求項８】 金属化合物が錫化合物を含む請求項７記
載の透明導電膜の製造方法。 - 【請求項９】 金属化合物を焼成する工程が、不活性雰
囲気中または還元性雰囲気中で行われる請求項５，６，
７または８記載の透明導電膜の製造方法。 - 【請求項１０】 インジウム錫酸化物微粒子を樹脂およ
び有機溶剤に分散させたものを焼成する工程が、大気
中、続いて不活性雰囲気中または還元性雰囲気中で順次
行われる請求項９記載の透明導電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP705396A JPH09194233A (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 透明導電膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP705396A JPH09194233A (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 透明導電膜およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09194233A true JPH09194233A (ja) | 1997-07-29 |
Family
ID=11655329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP705396A Pending JPH09194233A (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 透明導電膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09194233A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7847903B2 (en) | 2005-05-27 | 2010-12-07 | Seiko Epson Corporation | Pixel electrode, method for forming the same, electrooptical device, and electronic apparatus |
| JP2011216319A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Teijin Ltd | 透明導電性積層体及びその製造方法 |
| JP2013084628A (ja) * | 2013-02-01 | 2013-05-09 | Konica Minolta Holdings Inc | 透明導電膜、透明導電性フィルム及びフレキシブル透明面電極 |
-
1996
- 1996-01-19 JP JP705396A patent/JPH09194233A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7847903B2 (en) | 2005-05-27 | 2010-12-07 | Seiko Epson Corporation | Pixel electrode, method for forming the same, electrooptical device, and electronic apparatus |
| JP2011216319A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Teijin Ltd | 透明導電性積層体及びその製造方法 |
| JP2013084628A (ja) * | 2013-02-01 | 2013-05-09 | Konica Minolta Holdings Inc | 透明導電膜、透明導電性フィルム及びフレキシブル透明面電極 |
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