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JPH0888170A - 標的の位置及び傾斜の制御装置 - Google Patents

標的の位置及び傾斜の制御装置

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Publication number
JPH0888170A
JPH0888170A JP7214917A JP21491795A JPH0888170A JP H0888170 A JPH0888170 A JP H0888170A JP 7214917 A JP7214917 A JP 7214917A JP 21491795 A JP21491795 A JP 21491795A JP H0888170 A JPH0888170 A JP H0888170A
Authority
JP
Japan
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light
target
photodetector
mask
target position
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7214917A
Other languages
English (en)
Inventor
Sang-Cheol Kim
相哲 金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hanwha Aerospace Co Ltd
Original Assignee
Samsung Aerospace Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Aerospace Industries Ltd filed Critical Samsung Aerospace Industries Ltd
Publication of JPH0888170A publication Critical patent/JPH0888170A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

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  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Automatic Focus Adjustment (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体等の露光に際し、ウェハ等の標的の光
軸方向の位置及び傾斜を同時に検出して投影レンズの焦
点深度範囲内に保つように制御する。 【解決手段】 光源１の光は第１マスク２を通過した
後、第２レンズ３２で集光されるとともに、第１ミラー
４で反射されて支持台２００上のウェハ等の標的３００
に向かい、ここで反射する。この反射光はミラー５で反
射した後、第１ビーム分割器２１によって２本の経路に
分割される。一方の光は、レンズ３３を介して第１光検
出器１１に結像する。他方の光は、レンズ３４を介して
第２光検出器１２に結像する。第１マスク２には、非対
称形状の像が刻まれており、ＣＣＤ等からなる光検出器
１１，１２によって、その反射像が検出される。制御部
３５０は、この反射像と、標的３００が所定位置にある
ときの基準像と比較し、駆動装置２５０を介して支持台
２００の位置を調整する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は標的の位置及び傾斜
の制御装置に係わり、さらに詳しく説明すると、半導体
及び液晶表示装置の製造に用いられる露光装置において
ウェハまたは基板のような標的の位置及び傾斜を検出し
て投影レンズの焦点深度範囲内に置かれるように制御す
る装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、半導体素子を製造する工程に
用いられる露光装置は、投影レンズと基板支持台を含
む。露光を行う時には、パターンが形成されているマス
クを投影レンズの上部に位置させた後、マスクの上部に
おいて露光させる。
【０００３】マスクを通過した光は、投影レンズを経て
基板支持台上に置かれている半導体基板に達する。この
際、投影レンズの焦点距離に基板が正確に位置していな
ければならず、かつ水平に保たれていなければならな
い。
【０００４】なぜならば、マスクに刻まれたパターンは
非常に微細であるだけでなく、基板の歪曲、基板上に既
に形成されているパターンによる段差、投影レンズの歪
みのため、標的が少しでも焦点から外れているか、若し
くは少しでも傾いている場合には、正確に露出されず、
製造された半導体装置が不良なものとなる。
【０００５】従って、かかる露光装置においては、基板
の位置及び傾斜を精密に感知して基板を投影レンズの焦
点距離に水平に正確に位置させることが非常に重要であ
る。
【０００６】今までに知られている光学的な方法を利用
した標的の位置及び傾斜の制御装置の基本的な作動原理
は殆ど同一である。基板のような任意のある物体から反
射された光は一定な経路に沿って進行する。
【０００７】もし、その物体が基準位置から僅かでも位
置が変化したら、位置変化後の反射光は、位置変化が起
こる前の経路とは別の経路へ進行する。かかる反射光の
経路変化を検出することによって任意の物体の位置変化
を検出することができる。
【０００８】従来は前記経路変化を検出するため様々な
形の光検出器を用いている。例えば、光検出器の前にピ
ンボール（ｐｉｎ ｈｏｌｅ）を置いて経路変化に従っ
て一部または全体の光を遮断することによって反射光の
経路変化を検出したり、位置検出素子（ＰＳＤ：ｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ ｄｅｔｅｃｔｏｒ）
を利用して直接的に経路変化を検出したりしている。
【０００９】この従来における半導体素子製造用露光装
置に用いられる基板位置検出装置について図面を参照し
て詳細に説明する。
【００１０】図１は、投影レンズの焦点位置に半導体基
板を位置させるための従来の基板位置検出装置である。
【００１１】本装置は、露光装置の一部である投影レン
ズ（１００）とその下の基板支持台（２００）とを中心
に、左右に配置されている構造を有している。ここで露
光の対象である基板（３００）は、基板支持台（２０
０）の上に置かれる。
【００１２】投影レンズ（１００）の一方には、光を放
出する光源（４００）、前記光源（４００）からの光を
平行にする第１レンズ（４１０）、前記第１レンズ（４
１０）を通過した平行光を反射する第１ミラー（４２
０）、前記第１ミラー（４２０）から反射された光を基
板支持台（２００）上の基板（３００）に集光する第２
レンズ（４３０）がある。
【００１３】投影レンズ（１００）の他方には、基板
（３００）によって反射された光を集光する第３レンズ
（４４０）、前記第３レンズ（４４０）から集光された
光を反射する第２ミラー（４５０）、そして前記第２ミ
ラー（４５０）によって反射された光を通じて基板の位
置を検出する位置検出素子（４６０）がある。
【００１４】かかる基板位置検出装置の動作は次のとお
りである。
【００１５】使用者によって電源が印加されれば、光源
（４００）から光が放出される。前記光源（４００）か
ら放出された光は、第１レンズ（４１０）を通過しなが
ら平行光に変わる。前記光は、第１ミラー（４２０）で
反射され、第２レンズ（４３０）を通過して基板支持台
（２００）上の基板（３００）表面に集光される。
【００１６】集光された光は、基板（３００）表面で反
射されて第３レンズ（４４０）を通じて集光され、第２
ミラー（４５０）で反射されて位置検出素子（４６０）
に着く。
【００１７】ここで、基板（３００）が投影レンズ（１
００）の光軸方向に移動すれば、位置検出素子（４６
０）に着いた光点の位置も変化し、基板（３００）の位
置変化Δｚと位置検出素子（４６０）に当たる光点の位
置変化Δｘの関係は基板（３００）に入射する光の入射
角を通じて計算できる。
【００１８】従って、位置検出素子（４６０）に当たる
光点の位置変化を通じて基板（３００）の位置変化を決
定した後、使用者は基板支持台（２００）を駆動して基
板（３００）の位置を選択することができる。
【００１９】図２は、半導体基板製造用露光装置に用い
られる他の従来の基板位置検出装置である。
【００２０】露光装置の投影レンズ（１００）の一方に
は、光を放出する光源（５００）、前記光源（５００）
から放出された光を平行にする第１レンズ（５１０）、
前記第１レンズ（５１０）を通過した光はそのまま透過
させ、前記第１レンズ（５１０）の反対側から入射する
光は反射するビーム分割器（ｂｅａｍ ｓｐｌｉｔｅ
ｒ）（６００）、前記ビーム分割器（６００）によって
反射された光を集光する第４レンズ（５７０）、前記第
４レンズ（５７０）によって集光された光が通過するピ
ンホールを有する板（５８０）、前記板（５８０）のピ
ンホールを通過した光を検出する光検出器（５６０）、
前記ビーム分割器（６００）を通過した光を反射する第
１ミラー（５２０）、そして前記第１ミラー（５２０）
によって反射された光を集光する第２レンズ（５３０）
がある。
【００２１】投影レンズ（１００）の他方には、基板に
よって反射された光を集光する第３レンズ（５４０）、
前記第３レンズ（５４０）で集光された光を反射する第
２ミラー（５５０）、そして前記第２ミラー（５５０）
によって反射された光をさらに第２ミラー（５５０）に
向けて反射する第３ミラー（５９０）がある。
【００２２】かかる基板位置検出装置の動作は次のとお
りである。
【００２３】使用者によって電源が印加されれば、光源
（５００）から光が放出される。前記光源（５００）か
ら放出された光は、第１レンズ（５１０）を通過しなが
ら平行光に変わる。この光は、ビーム分割器（６００）
を通過して第１ミラー（５２０）で反射され、第２レン
ズ（５３０）を通過して基板支持台（２００）上の基板
（３００）の表面に集光される。
【００２４】集光された光は基板（３００）の表面で反
射されて第３レンズ（５４０）を通じて集光され、第２
ミラー（５５０）から反射されて第３ミラー（５９０）
に達する。
【００２５】第３ミラーに達した光は反射されてさらに
第２ミラー（５５０）に進行して反射され、第３レンズ
（５４０）を通じてさらに基板（３００）の表面に集光
される。
【００２６】この基板（３００）の表面に集光された反
射光は、基板（３００）によって再び反射されて第２レ
ンズ（５３０）に向かい、第２レンズ（５３０）はこれ
を平行光に転換させて第１ミラー（５２０）に送る。
【００２７】この光は第１ミラー（５２０）で反射され
てビーム分割器（６００）へ向かい、ビーム分割器（６
００）によって反射されて第４レンズ（５７０）に進行
する。第４レンズ（５７０）はこの光を集光させてピン
ホールのある板（５８０）に送り、このピンホールを通
過した光が光検出器（５６０）に達する。
【００２８】ここで、基板（３００）が投影レンズ（１
００）の光軸方向に移動すれば、すなわち、図１のΔｚ
の方向に変化すれば、光検出器（５６０）に着いた光点
の位置も変化し、基板（３００）の位置変化と光検出器
（５６０）に現れた光点の位置変化の関係は図１の装置
と同様に基板（３００）に入射する光の入射角を通じて
計算することができる。
【００２９】従って、位置検出素子（５６０）に現れた
光点の位置変化を通じて基板（３００）の位置変化を決
定した後、使用者は基板支持台（２００）を駆動して基
板（３００）の位置を選択することができる。
【００３０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たとおり、かかる従来の装置は基板の位置のみを検出で
きる装置であり、基板の傾斜を検出するためにはまた他
の装置を利用するほかないので多くの経費と時間を要す
るという問題点がある。
【００３１】
【課題を解決するための手段】従って、本発明の目的は
前記従来の短所を解決するためのものであって、一つの
装置でもって標的の位置及び傾斜を同時に検出して標的
を正確な位置に移動することにある。
【００３２】かかる目的を達成するために本発明は、一
定形態の光を放出して標的に送る発光手段と、前記標的
によって反射された光の経路を２つ以上に分ける第１ビ
ーム分割器と、前記第１ビーム分割器によって経路が分
けられた光のうち、一つの経路の光が入力され、これに
該当する信号を出力する第１光検出器と、そして、前記
第１ビーム分割器によって経路が分けられた光のうち、
前記第１光の検出器に向かう経路の光でない他方の経路
の光が入力され、これに該当する信号を出力する第２光
検出器とを含む。
【００３３】この装置を利用して標的の位置を感知しよ
うとすれば、第１光検出器に現われた信号と第２光検出
器に現われた信号とを比較すればよい。
【００３４】すなわち、標的が正確な位置と傾斜とを有
する時に第１及び第２光検出器に結ばれる像の形態を各
光検出器に設定して置き、この形態と各光検出器に実際
に結ばれる像の形態とを比較して制御部を通じて調節す
ればよい。
【００３５】下記において具体的に原理を説明する。
【００３６】前記光源から放出された光は、レンズとミ
ラーなどの光学系を経て標的に入射した後、標的で反射
されて光検出器に入射する。この際、標的の位置変化は
光検出器に入射する光経路の変化として現れる。
【００３７】ところが、本発明においては、光検出器に
入射する光経路変化を感知する方法として、光源と標的
との間にマスクを置いてこのマスクに刻まれたパターン
がレンズによって標的の表面に結像された後、さらに反
射されて光検出器に入射される。
【００３８】この際、光経路がビーム分割器から２つに
分けられてそれぞれ異なる光検出器に入射され、各光検
出器の表面に前記マスクに刻まれたパターンが結像され
る。
【００３９】この際、標的の位置変化は、光検出器に結
像される前記マスクに記録されたパターンの位置変化で
示され、前記光検出器はこの位置変化を感知して標的の
位置及び傾斜変化を感知し、これを標的が置かれたステ
ージの駆動部を制御する制御部にフィードバックして、
所望の位置に標的の位置を調節する。
【００４０】そして、本発明においては、光検出器を２
個（１１、１２）用いるため、標的の傾斜と投影レンズ
（１００）の光軸方向の位置変化とを同時に感知するこ
とができる。図面を参照すれば次のとおりである。
【００４１】図４において、太い線は標的の傾斜と位置
変化なしに所望の位置にある時の標的とミラー（５）か
ら反射された光線の方向である。細い実線は標的の位置
が傾いていないで投影レンズ（１００）の光軸方向につ
いての位置変化のみがある時の標的とミラー（５）から
反射された光線の方向である。点線は標的の位置が投影
レンズ（１００）の光軸方向については位置変化なしで
傾斜のみある時の標的とミラー（５）から反射された光
線の方向である。
【００４２】さらに、図面を参照して見れば、標的の位
置変化のみある場合には、標的から反射された光線は、
標的の傾斜と位置変化なしに所望の位置にある時に標的
から反射される光線（太い実線）に対して平行に進行
し、最終的に両光検出器（１１、１２）に入射する光線
（細い実線）の位置変化は、互いに同じ値（Ａ）とな
る。
【００４３】ところが、標的が位置変化なしで傾斜のみ
ある場合には、標的から反射された光線は、標的が傾斜
と位置変化なしで所望の位置にある時に標的から反射さ
れる光線（太い実線）に対して平行に進行しないで傾い
ている形態で進行する。
【００４４】従って、レンズ（３３、３４）として、焦
点距離の異なるレンズを用いると両光検出器（１１、１
２）に入射する光線（点線）の位置変化は、それぞれＢ
１，Ｂ２のように異なる値となる。
【００４５】従って、両光検出器に入射される光線の位
置変化が基準光線（太い実線）に対して同じ距離だけ離
れているか、若しくは異なる距離だけ離れているかを感
知することにより標的の傾斜と位置変化を区別して感知
することができる。
【００４６】この装置は、標的によって反射された光を
さらに標的に進行させて標的に２回反射させた後、前記
第１及び第２光検出器を利用して検出することができ
る。
【００４７】この装置は前記標的によって反射された光
を前記第１ビーム分割器に送る手段をさらに含む。
【００４８】前記発光手段は、光を放出する光源と前記
光源から放出された光が通過する一定パターンが刻まれ
た第１マスクを含むことができ、前記第１マスクに刻ま
れたパターンは非対称的なものが標的の位置及び傾斜を
判断するに適切である。
【００４９】前記発光手段は前記光源から放出された光
を平行にして前記第１マスクに送る平行手段をさらに含
むことができ、前記第１マスクを通過した光を前記標的
に集光する第１集光手段をさらに含むことができる。
【００５０】前記第１集光手段は前記第１マスクを通過
した光を集光するレンズと前記レンズによって集光され
た光を標的に反射するミラーを含むことができる。
【００５１】前記第１ビーム分割器から放出された光を
前記第１光検出器に集光する第２集光手段と、前記第１
ビーム分割器から放出された光を前記第２光検出器に集
光する第３集光手段が、この装置に追加され得る。
【００５２】前記第１及び第２光検出器は電荷結合素子
であるか、若しくはそれぞれ前記第１ビーム分割器から
分けられた光を通過させ、前記第１マスクと同一なパタ
ーンを有するマスクとフォトダイオードであり得る。
【００５３】後者の場合、前記第１及び第２光検出器を
なすそれぞれのマスクを通過した光を前記第１及び第２
光検出器にそれぞれ集光する集光手段、または前記第１
ビーム分割器から放出された光を結像して前記第１及び
第２光検出器をなすそれぞれのマスクに送るレンズをさ
らに含むこともできる。
【００５４】この装置には前記発光手段から放出された
光の強度変化を補正するための第３光検出器をさらに含
むことができ、この場合前記発光手段から放出された光
の経路を分けて一部は前記第１マスクに送り、一部は前
記第３光検出器に送る第２ビーム分割器をさらに含むこ
とができる。
【００５５】かかる装置を利用して標的の位置及び傾斜
を検出した後、標的を制御するためには前記第１及び第
２光検出器からの信号を判読して標的の位置及び傾斜を
計算し、これを制御する命令を下す制御部、そして前記
制御部からの命令に従って前記標的を移動させる駆動部
をさらに含むことができる。
【００５６】
【実施の形態】前記構成によって本発明を容易に実施で
きる最も好ましい実施の形態を添付の図面を参照して説
明すると次のとおりである。
【００５７】図３及び図４は、本発明の第１実施の形態
に基づいた露光装置における標的の位置及び傾斜の制御
装置の図面であり、図５は本発明の第２実施の形態に基
づいた露光装備における標的の位置及び傾斜の制御装置
の図面であり、図６は、本発明の実施の形態に基づいた
露光装置における標的の位置及び傾斜の制御装置に用い
られるマスクの構造を示した図面である。
【００５８】図７は、本発明の実施の形態に基づいた露
光装置における標的の位置及び傾斜の制御装置における
整列信号の強度分布が作る関数のグラフであり、図８
は、本発明の実施の形態に基づいた露光装置における標
的の位置及び傾斜の制御装置に用いられる第１電荷結合
素子及び第２電荷結合素子のピクセル構造を示した図面
である。
【００５９】図３及び図４は、本発明の第１実施の形態
に基づいた標的の位置及び傾斜の制御装置を図示したも
のであって、中央には、露光装備の一部である投影レン
ズ（１００）と、該投影レンズ（１００）の下段におい
て投影された微細回路が結像される半導体ウェハや基板
などの標的（３００）が置かれる支持台（２００）とが
あり、前記支持台（２００）は、制御部（３５０）の制
御を受ける駆動装置（２５０）に連結されている。
【００６０】前記投影レンズ（１００）の一方には、一
定形態の光を放出して標的に送る発光手段が位置してい
る。この発光手段は次のようないくつかの構成要素から
なる。
【００６１】先ず、一定形態の光を放出するためには、
光を放出する光源（１）と、像が刻まれている第１マス
ク（２）とが必要である。この第１マスク（２）は、例
えば図６のような非対称の像が刻まれていて、光検出器
に検出される像の位置変化を容易に区別することができ
る。
【００６２】図６において、斜線を引いた部分は光が通
過できない不透明な部分であり、そうでない部分は光が
通過できる部分である。
【００６３】前記光源（１）としては、レーザー、発光
ダイオード、水銀燈、ハロゲンランプ等を用いることが
できる。また、この光の波長は、標的の表面に塗布され
ている感光物質を感光させないものであることが好まし
い。
【００６４】前記光源（１）から第１マスク（２）に入
る光を平行光に転換する第１レンズ（３１）があり、前
記第１マスク（２）の下には第１マスク（２）を通過し
た光を集光する第２レンズ（３２）がある。そして、前
記第２レンズ（３２）を通過した光が標的に向かうよう
にする第１ミラー（４）が位置している。
【００６５】また、前記光源（１）から放出された光の
強度を補正するための付随的な手段を付加することがで
きるが、前記光源（１）の光の経路を２つの経路に分け
る第２ビーム分割器（２２）と、該第２ビーム分割器
（２２）から分けられた光を検出して光の強度を補正す
るための第３光検出器（１３）を用いる。ここで、ビー
ム分割器（２２）としては半透過性ミラーなどを用いる
ことができる。
【００６６】投影レンズ（１００）の他方には、前記標
的（３００）によって反射された光の経路を２つに分け
てそれぞれ光を検出する手段が備えられているが、具体
的には前記標的（３００）によって反射された光の経路
を２つ以上に分ける第１ビーム分割器（２１）と、前記
第１ビーム分割器（２１）によって経路が分けられた光
のうち、１つの経路の光が入力され、これに該当する信
号を出力する第１光検出器（１１）と、前記第１ビーム
分割器（２１）によって経路が分けられた光のうち、前
記第１光検出器（１１）にむかう経路の光でない他方の
経路の光が入力され、これに該当する信号を出力する第
２光検出器（１２）とからなる。
【００６７】また、標的（３００）によって反射された
後、前記第１ビーム分割器（２１）によって分けられた
光を結像する手段として前記第１及び第２光検出器（１
１、１２）の前にそれぞれレンズ（３３、３４）を置
く。そして、前記標的（３００）によって反射された光
を第１ビーム分割器（２１）に向かうようにするミラー
（５）を置く。
【００６８】第１及び第２光検出器（１１、１２）とし
ては、電荷結合素子（ＣＣＤ：ｃｈａｒｇｅ ｃｏｕｐ
ｌｅｄ ｄｅｖｉｃｅ）を用いることもでき、あるいは
前記第１マスクと同一なパターンが形成されているマス
クとフォトダイオードを結合して用いることもできる。
後者の場合には、第１ビーム分割器（２１）から放出さ
れた光をマスクに結像するレンズと、このマスクを通過
した光を集光するレンズをさらに含むこともできる。
【００６９】最後に、制御部（３５０）は、前記第３光
検出器（１３）からの信号を判読して光の強度によって
生じる第１、２光検出器における信号の強度変化を補正
し、前記第１及び第２光検出器（２１、２２）における
信号を判読して標的（３００）の位置及び傾斜を判断
し、モーターなどの駆動装置（２５０）を利用して標的
（３００）が置かれている支持台（２００）を動かして
標的（３００）の位置及び傾斜を調節する。
【００７０】前記構成による本発明の第１実施の形態に
基づいた標的の位置及び傾斜の制御装置の作用は次のと
おりである。
【００７１】電源が印加されれば、光源（１）から光が
放出され、この光のうち一部は第２ビーム分割器（２
２）から分けられて第３光検出器（１３）に入射され
る。第３光検出器（１３）は、光源（１）から放出され
た光の強度を感知して該当する信号を出力し、制御部
（３５０）はこの信号を判読して第１、２光検出器にお
ける信号の強度が適当な値になるように利得を調節す
る。
【００７２】光源（１）から分けられた残りの光は、第
２ビーム分割器（２２）を通過し、第１レンズ（３１）
によって平行光に転換されて第１マスク（２）を照ら
す。この第１マスク（２）を通過して第１マスク（２）
に刻まれたパターンの像となった光は、第２レンズ（３
２）によって集光されて第１ミラー（４）に進行し、第
１ミラー（４）によって反射されて、支持台（２００）
の上に置かれた標的（３００）の表面に結像され、かつ
同時に反射される。
【００７３】標的（３００）から反射された像は、ミラ
ー（５）でさらに反射され、第１ビーム分割器（２１）
に達する。第１ビーム分割器（２１）によって経路が分
けられた光のうち１つの経路の光はレンズ（３３）によ
って第１光検出器（１１）に結像される。
【００７４】第１ビーム分割器（２１）によって経路が
分けられた光のうち第１光検出器（１１）に向かう光で
ない他方の経路の光は、レンズ（３４）によって第２光
検出器（１２）に結像される。
【００７５】前記第１及び第２光検出器（１１、１２）
に内蔵されている基準像は、前記第１マスク（２）のパ
ターンと同一である。両光検出器（１１、１２）は、そ
の基準像と実際に結ばれた像とを比較して該当する信号
を出力する。制御部（３５０）はこの信号を分析して標
的の位置及び傾斜を判断した後、駆動装置（２５０）に
命令を下して標的の位置及び傾斜を調節する。
【００７６】図７は、第１光検出器（１１）及び第２光
検出器（１２）から出力されて演算過程を経た後の整列
信号の形態を図示したグラフであって、横軸は投影レン
ズの光軸に沿って計った距離であり、縦軸は光の強度を
示す。これは整列光の強度分布が作る関数と指定された
ピクセルによって作られた相関関数から得られる。
【００７７】標的（３００）が投影レンズ（１００）の
像点から外れているか、若しくは光軸について傾いてい
れば、相関関数から得た整列信号の値は最大値より小さ
な値を有し、正確に投影レンズ（１００）の像点に位置
するか、若しくは傾いていなければ最大値を有する。
【００７８】制御部（３５０）は、標的（３００）が置
かれている支持台（２００）を駆動する駆動装置（２５
０）を利用して支持台（２００）の位置及び傾斜を変化
させながら前記第１及び第２光検出器（１１、１２）か
らの信号を判読して整列信号の値が最大となるようにす
る。
【００７９】図５は、本発明の第２実施の形態に基づい
た標的の位置及び傾斜の制御装置を図示した図面であ
る。
【００８０】図５に図示されているとおり、本発明の第
２実施の形態に基づいた露光装備における標的の位置及
び傾斜の制御装置においては、第１実施の形態とは異な
り、２個の光検出器（１１、１２）が光源（１）と同じ
側にある。下記においてこれについてより詳しく説明す
る。
【００８１】前記投影レンズ（１００）の一方には、一
定形態の光を放出して標的（３００）に送る発光手段
と、前記標的（３００）によって２回反射された光の経
路を２つに分けてそれぞれ光を検出する手段とが備えら
れている。
【００８２】発光手段は次のようないくつかの構成要素
からなる。
【００８３】先ず、一定形態の光を放出するためには、
光を放出する光源（１）と、像が刻まれている第１マス
ク（２）とが必要である。この第１マスク（２）は、例
えば図６のような非対称の像が刻まれていて検出器によ
って検出される像の位置変化を容易に区別することがで
きる。図６において、斜線を引いた部分は光が通過でき
ない不透明な部分であり、そうでない部分は光が通過で
きる部分である。
【００８４】前記光源（１）から第１マスク（２）に入
る光を平行光に転換する第１レンズ（３１）があり、前
記第１マスク（２）の下には第１マスク（２）を通過し
た光を標的に結像させる第２レンズ（３２）がある。そ
して、前記第２レンズ（３２）を通過した光が標的に向
かうようにする第１ミラー（４）が位置している。
【００８５】また、前記光源（１）から放出された光の
強度によって生じる第１、２光検出器における信号の強
度変化を補正するための付随的な手段を付加することが
できるが、前記光源（１）の光の経路を２つの経路に分
ける第２ビーム分割器（２２）と、該第２ビーム分割器
（２２）から分けられた光を検出するための光検出器
（１３）とを用いる。ここで、ビーム分割器（２２）と
しては半透過性ミラーなどを用いることができる。
【００８６】また、前記標的（３００）によって２回反
射された光の経路を２つに分けてそれぞれ光を検出する
手段が備えられているが、具体的には、前記標的（３０
０）によって反射された光の経路を２つに分ける第１ビ
ーム分割器（２１）と、前記第１ビーム分割器（２１）
によって経路が分けられた光のうち１つの経路の光が入
力され、これに該当する信号を出力する第１光検出器
（１１）と、前記第１ビーム分割器（２１）によって経
路が分けられた光のうち前記第１光検出器（１１）に向
かう経路の光でない他方の経路の光が入力され、これに
該当する信号を出力する第２光検出器（１２）とからな
る。前記第１ビーム分割器（２１）は、光源（１）から
放出された光が進行する経路上にあり得るため、前記光
源（１）から放出された光はそのまま透過しなければな
らない。
【００８７】また、前記第１ビーム分割器（２１）から
放出された光が第２光検出器（１２）に向かうようにす
る第３ビーム分割器（７）を含むことができる。この第
３ビーム分割器（７）は、光源（１）から放出された光
が進行する経路上にあり得るため前記光源（１）から放
出された光はそのまま透過しなければならない。
【００８８】また、標的（３００）によって反射された
後、前記第１ビーム分割器（２１）によって分けられた
光を結像する手段として、前記第１及び第２光検出器
（１１、１２）の前にそれぞれレンズ（３３、３４）を
置き、前記第２レンズ（３２）を利用して、標的（３０
０）によって２回反射された光を集光してさらに第１ビ
ーム分割器（２１）に送る。
【００８９】第１及び第２光検出器（１１、１２）とし
ては、電荷結合素子（ＣＣＤ：ｃｈａｒｇｅ ｃｏｕｐ
ｌｅｄ ｄｅｖｉｃｅ）を用いることができ、あるいは
前記第１マスクと同一なパターンが形成されているマス
クとフォトダイオードを結合して用いることもできる。
後者の場合には、第１ビーム分割器（２１）から放出さ
れた光を集光してマスクに送るレンズと、マスクを通過
した光を集光するレンズとをさらに含むことができる。
【００９０】投影レンズ（１００）の他方には、前記発
光手段から放出されて標的（３００）によって反射され
た光をさらに標的（３００）に反射する反射手段があ
る。前記反射手段は、前記標的（３００）から放出され
た光を集光するレンズ（３５）と、前記レンズ（３５）
を通過した光を反射して再び標的（３００）に送るミラ
ー（６）とからなり、前記標的（３００）から放出され
た光を前記レンズ（３５）に送るミラー（５）を含むこ
とができる。
【００９１】最後に、制御部（３５０）は、前記第３光
検出器（１３）からの信号を判読して第１、２光検出器
（１１、１２）において信号の強度が適当な値となるよ
うに利得を調節する。そして、前記第１及び第２光検出
器（１１、１２）における信号を判読して標的（３０
０）の位置及び傾斜を判断し、モーターなどの駆動装置
（２５０）を利用して標的（３００）が置かれている支
持台（２００）を動かして、標的（３００）の位置及び
傾斜を調節する。
【００９２】前記構成による本発明の第２実施の形態に
基づいた標的の位置及び傾斜の制御装置の作用を下記に
おいて詳細に説明する。
【００９３】電源が印加されれば、光源（１）から光が
発生し、この光のうち一部は第２ビーム分割器（２２）
から分けられて第３光検出器（１３）に入射される。第
３光検出器（１３）は、光源（１）から放出される光の
強度を感知して該当する信号を出力し、制御部（３５
０）はこの信号を判読して第１、２光検出器において信
号の強度が適当な値となるように利得を調節する。
【００９４】光源（１）から分けられた残りの光は、第
２ビーム分割器（２２）を通過し、第１レンズ（３１）
によって平行光に転換されて第１マスク（２）を照ら
す。第１マスク（２）を通過した光は、第３ビーム分割
器（７）と第１ビーム分割器（２１）をそのまま通過し
て第２レンズ（３２）ならびに第１ミラー（４）に進行
し、第１ミラー（４）によって反射されて支持台（２０
０）の上に置かれた標的（３００）の表面に結像され、
かつ同時に反射される。
【００９５】標的（３００）から反射された像は、ミラ
ー（５）で反射されてレンズ（３５）によって結像さ
れ、さらにミラー（６）で反射される。この光は、さら
にレンズ（３５）によって集光されるとともにミラー
（５）で反射されて標的（３００）に達する。
【００９６】標的（３００）から２番目に反射された光
は、ミラー（４）によって反射され、第２レンズ（３
２）を経て第１ビーム分割器（２１）に着く。
【００９７】第１ビーム分割器（２１）によって経路が
分けられた光のうち一つの経路の光はレンズ（３３）に
よって第１光検出器（１１）に結像される。
【００９８】第１ビーム分割器（２１）によって経路が
分けられた光のうち第１光検出器（１１）に向かう光で
ない他方の経路の光は、レンズ（３４）によって第２光
検出器（１２）に結像される。
【００９９】前記第１及び第２光検出器（１１、１２）
に内蔵されている基準像は、前記第１マスク（２）のパ
ターンと同一である。
【０１００】両光検出器（１１、１２）は、基準像と実
際に結ばれた像とを比較して該当する信号を出力する。
制御部（３５０）は、この信号を分析して標的の位置及
び傾斜を判断した後、駆動装置（２５０）に命令を下し
て標的の位置及び傾斜を調節する。
【０１０１】図７は、第１光検出器（１１）及び第２光
検出器（１２）から出力される整列信号の形態を図示し
たグラフであって、横軸は投影レンズの光軸に沿って計
った距離であり、縦軸は光の強度を示す。これは整列光
の強度分布が作る関数と指定されたピクセルによって作
られた相関関係から得られる。
【０１０２】標的（３００）が投影レンズ（１００）の
像点から外れているか、若しくは光軸について傾いてい
れば、相関関係から得た整列信号の値は最大値より小さ
な値を有し、正確に投影レンズ（１００）の像点に位置
するか、若しくは傾いていなければ、最大値を有する。
【０１０３】制御部（３５０）は、標的（３００）が置
かれている支持台（２００）を駆動する駆動装置（２５
０）を利用して支持台（２００）の位置及び角度を変化
させながら前記第１及び第２光検出器（１１、１２）か
らの信号を判読して整列信号の値が最大となるようにす
る。
【０１０４】この実施の形態において、標的（３００）
に像を２回反射させるのは、光検出器に検出される信号
分解能を高めるためである。
【０１０５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、光検出
器を２個以上用いて標的の位置及び傾斜を同時に検出し
て調節することができる。また、光検出器としては電荷
結合素子を用いるか、若しくはフォトダイオードにレン
ズとマスクとを結合したものを用いて光経路変化を感知
する効果を与える。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体素子の製造工程に用いられる露光装置に
おける基板の位置を検出する従来の装置例を示した図面
である。
【図２】半導体素子の製造工程に用いられる露光装置に
おける基板の位置を検出する従来の他の装置例を示した
図面である。
【図３】本発明の第１実施の形態に基づいた標的の位置
及び傾斜の制御装置の構造を示した図面である。
【図４】本発明の検出原理を示す説明図である。
【図５】本発明の第２実施の形態に基づいた標的の位置
及び傾斜の制御装置の構造を示した図面である。
【図６】本発明の実施の形態において用いられる第１マ
スクのパターンを示した図面である。
【図７】本発明の実施の形態に基づいた標的の位置及び
傾斜の制御装置の整列信号の強度分布が作る関数のグラ
フである。
【図８】本発明の実施の形態に基づいた露光装備におけ
る標的の位置及び傾斜の制御装置に用いられる第１電荷
結合素子および第２電荷結合素子のピクセル構造を示し
た図面である。
【符号の説明】
１００…投影レンズ ２００…支持台 ２５０…駆動装置 ３００…標的 ３５０…制御部 １…光源 ２…第１マスク ３１、３２…第１及び第２レンズ ４…ミラー １１、１２、１３…第１、第２、第３光検出器 ２１、２２…第１及び第２ビーム分割器

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 標的に入射されて反射される光を放出す
    る光源と、 前記光源から放出された光が通過し、非対称的な形状が
    記録された第１マスクと、 標的から反射された光を検出する第１及び第２光検出器
    と、 光検出器から受け入れた信号に基づいて標的の位置と傾
    斜とを調節する制御装置と、を含む標的の位置及び傾斜
    の制御装置。
  2. 【請求項２】 光源と第１マスクとの間に置かれたビー
    ム分割器（ｂｅａｍｓｐｌｉｔｅｒ）と、前記ビーム分
    割器と連結されて前記ビーム分割器から反射された光の
    強度変化を測定する別途の光検出器と、前記別途の光検
    出器の出力に基づいて前記光検出器から取られた信号の
    利得を調節する装置と、をさらに含むことを特徴とする
    請求項１記載の標的の位置及び傾斜の制御装置。
  3. 【請求項３】 第１マスクと標的との間に置かれ、かつ
    マスクの形状を利用して標的に結像させるレンズを含む
    ことを特徴とする請求項１記載の標的の位置及び傾斜の
    制御装置。
  4. 【請求項４】 標的と光検出器との間に置かれ、かつ入
    射された光を第１光経路と第２光経路とに分けて、第１
    光経路は第１レンズを通じて前記光検出器に向かうよう
    にし、第２光経路は第２レンズを通じて第２光検出器に
    向かうようにするビーム分割器をさらに含むことを特徴
    とする請求項１記載の標的の位置及び傾斜の制御装置。
  5. 【請求項５】 前記光検出器が電荷結合素子を含むこと
    を特徴とする請求項１記載の標的の位置及び傾斜の制御
    装置。
  6. 【請求項６】 入射された光の波長が標的の表面に塗布
    されている感光物質を感光させないことを特徴とする請
    求項１記載の標的の位置及び傾斜の制御装置。
  7. 【請求項７】 レーザーを光源として用いることを特徴
    とする請求項１記載の標的の位置及び傾斜の制御装置。
  8. 【請求項８】 発光ダイオード（ＬＥＤ）を光源として
    用いることを特徴とする請求項１記載の標的の位置及び
    傾斜の制御装置。
  9. 【請求項９】 水銀燈を光源として用いることを特徴と
    する請求項１記載の標的の位置及び傾斜の制御装置。
  10. 【請求項１０】 ハロゲンランプを光源として用いるこ
    とを特徴とする請求項１記載の標的の位置及び傾斜の制
    御装置。
  11. 【請求項１１】 光検出器が第１マスクと同一な構造を
    有する第２マスク及びフォトダイオードを含むことを特
    徴とする請求項１記載の標的の位置及び傾斜の制御装
    置。
  12. 【請求項１２】 標的が正確な位置にある時、光検出器
    上の第１マスクの前記非対称的な形状による最初の標準
    結像手段と、 前記第１及び第２光検出器によって受け入れたマスク像
    を標準像と比較するための手段を含むことを特徴とする
    請求項１記載の標的の位置及び傾斜の制御装置。
  13. 【請求項１３】 光検出器が第１マスクと同一な構造を
    有する第２マスク及びフォトダイオードをさらに含むこ
    とを特徴とする請求項４記載の標的の位置及び傾斜の制
    御装置。
  14. 【請求項１４】 標的に入射されて反射される光を放出
    する光源と、 光源から放出された光が標的から反射される前に通過
    し、その上に非対称的な形状が記録されている第１マス
    クと、 前記標的から反射された入射光を前記標的にさらに反射
    するミラーと、 光が前記ミラー及び前記標的から反射された後、その光
    経路に位置したビーム分割器から光を検出する第１及び
    第２光検出器と、を含むことを特徴とする標的の位置及
    び傾斜の制御装置。
  15. 【請求項１５】 前記標的から反射された光を前記標的
    が置かれた位置に戻すためのコーナーキューブを用いる
    ことを特徴とする請求項１４記載の標的の位置及び傾斜
    の制御装置。
  16. 【請求項１６】 光源と第１マスクとの間に置かれたビ
    ーム分割器と、前記ビーム分割器と連結されて前記ビー
    ム分割器から反射された光の強度変化を測定する別途の
    光検出器と、前記別途の光検出器の出力に基づいて前記
    光検出器から取られた信号の利得を調節する装置と、を
    さらに含むことを特徴とする請求項１４記載の標的の位
    置及び傾斜の制御装置。
  17. 【請求項１７】 第１マスクと標的との間に置かれ、か
    つマスクの形状を利用して標的に結像させるレンズをさ
    らに含むことを特徴とする請求項１４記載の標的の位置
    及び傾斜の制御装置。
  18. 【請求項１８】 それぞれの光検出器が電荷結合素子を
    含むことを特徴とする請求項１４記載の標的の位置及び
    傾斜の制御装置。
  19. 【請求項１９】 入射された光の波長が標的の表面に塗
    布されている感光物質を感光させない請求項１４記載の
    標的の位置及び傾斜の制御装置。
  20. 【請求項２０】 レーザーを光源として用いることを特
    徴とする請求項１４記載の標的の位置及び傾斜の制御装
    置。
  21. 【請求項２１】 発光ダイオード（ＬＥＤ）を光源とし
    て用いることを特徴とする請求項１４記載の標的の位置
    及び傾斜の制御装置。
  22. 【請求項２２】 水銀燈を光源として用いることを特徴
    とする請求項１４記載の標的の位置及び傾斜の制御装
    置。
  23. 【請求項２３】 ハロゲンランプを光源として用いるこ
    とを特徴とする請求項１４記載の標的の位置及び傾斜の
    制御装置。
  24. 【請求項２４】 標的と光検出器との間に置かれ、かつ
    入射された光を第１光経路と第２光経路とに分けて、第
    １光経路は第１レンズを通じて前記光検出器に向かうよ
    うにし、第２光経路は第２レンズを通じて第２光検出器
    に向かうようにするビーム分割器をさらに含むことを特
    徴とする請求項１４記載の標的の位置及び傾斜の制御装
    置。
  25. 【請求項２５】 光検出器が第１マスクと同一な構造を
    有する第２マスク及びフォトダイオードを含むことを特
    徴とする請求項１４記載の標的の位置及び傾斜の制御装
    置。
  26. 【請求項２６】 光検出器が第１マスクと同一な構造を
    有する第２マスク及びフォトダイオードを含むことを特
    徴とする請求項２４記載の標的の位置及び傾斜の制御装
    置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103926799A (zh) * 2013-01-11 2014-07-16 上海微电子装备有限公司 一种调焦调平测量方法
KR20190084109A (ko) * 2016-11-30 2019-07-15 상하이 마이크로 일렉트로닉스 이큅먼트(그룹) 컴퍼니 리미티드 포커싱 및 레벨링 장치

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09304015A (ja) * 1996-05-09 1997-11-28 Nikon Corp 面位置検出方法及び面位置調整装置並びに投影露光装置
JP3408118B2 (ja) * 1997-07-03 2003-05-19 キヤノン株式会社 投影露光方法および装置
US6339604B1 (en) 1998-06-12 2002-01-15 General Scanning, Inc. Pulse control in laser systems
USD418705S (en) * 1999-05-18 2000-01-11 Wakam Bonaventure J Toilet paper roll storage and dispenser
JP4235392B2 (ja) * 2002-03-08 2009-03-11 キヤノン株式会社 位置検出装置、面形状推測装置、露光装置、及びデバイスの製造方法
JP4211272B2 (ja) * 2002-04-12 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP3677263B2 (ja) * 2002-09-30 2005-07-27 株式会社東芝 試料面の高さ位置調整方法
US7580131B2 (en) * 2007-04-17 2009-08-25 Asml Netherlands B.V. Angularly resolved scatterometer and inspection method
DE102009012293A1 (de) * 2009-03-11 2010-09-16 Sensovation Ag Autofokusverfahren und Autofokuseinrichtung
CN102768477A (zh) * 2011-05-05 2012-11-07 上海微电子装备有限公司 一种调焦调平检测装置
US9368379B2 (en) * 2012-03-14 2016-06-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems and methods of controlling semiconductor wafer fabrication processes
CN103885457B (zh) * 2013-12-11 2016-09-07 杭州电子科技大学 一种光敏太阳定位传感器
CN111457856B (zh) * 2020-05-28 2021-11-16 合肥工业大学 一种完全消除重力影响的薄基片变形测量装置
US20240355579A1 (en) * 2023-04-24 2024-10-24 Kla Corporation Height sensing system for electron beam metrology tool

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3588738A (en) * 1968-09-03 1971-06-28 Hughes Aircraft Co Frequency stabilized laser
US3609588A (en) * 1969-12-30 1971-09-28 Us Army Repetitively pulsed high peak power laser
US3747019A (en) * 1970-07-16 1973-07-17 Union Carbide Corp Method and means for stabilizing the amplitude and repetition frequency of a repetitively q-switched laser
JPS5827891B2 (ja) * 1976-09-14 1983-06-13 日本ビクター株式会社 レ−ザ光束の安定化装置
US4902900A (en) * 1987-12-21 1990-02-20 Nikon Corporation Device for detecting the levelling of the surface of an object
JPH0228312A (ja) * 1988-07-18 1990-01-30 Nikon Corp 露光装置
US5114236A (en) * 1989-08-04 1992-05-19 Canon Kabushiki Kaisha Position detection method and apparatus
JP2862311B2 (ja) * 1990-02-23 1999-03-03 キヤノン株式会社 面位置検出装置
US5216235A (en) * 1992-04-24 1993-06-01 Amray, Inc. Opto-mechanical automatic focusing system and method
US5461237A (en) * 1993-03-26 1995-10-24 Nikon Corporation Surface-position setting apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103926799A (zh) * 2013-01-11 2014-07-16 上海微电子装备有限公司 一种调焦调平测量方法
KR20190084109A (ko) * 2016-11-30 2019-07-15 상하이 마이크로 일렉트로닉스 이큅먼트(그룹) 컴퍼니 리미티드 포커싱 및 레벨링 장치
US10809059B2 (en) 2016-11-30 2020-10-20 Shanghai Micro Electronics Equipment (Group) Co., Ltd. Focusing and leveling device

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