JPH08123012A - Method for correcting mask defect - Google Patents
Method for correcting mask defectInfo
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- JPH08123012A JPH08123012A JP26043094A JP26043094A JPH08123012A JP H08123012 A JPH08123012 A JP H08123012A JP 26043094 A JP26043094 A JP 26043094A JP 26043094 A JP26043094 A JP 26043094A JP H08123012 A JPH08123012 A JP H08123012A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、微細パターンを形成す
るために用いるマスクに発生した残渣による欠陥を、Ｆ
ＩＢ（フォーカストイオンビーム）を用いて修正を行う
方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention eliminates defects caused by residues generated in a mask used for forming a fine pattern.
The present invention relates to a method of performing correction using IB (focused ion beam).
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、マスクの欠陥の修正に用いられる
ＦＩＢでの修正方法においては、図４に示すように、予
め欠陥検査装置によって、遮光パターン２を形成したマ
スク基板１に発生した欠陥３を検出し、マスク上での座
標位置及び欠陥寸法、種類に関する情報が得られる。し
かる後に、この欠陥３を修正するために、図４に示すよ
うな、ＦＩＢ装置にローディングして、Ｇａ等のイオン
をガン４から加速したイオンビーム５をマスク基板１上
で焦点合わせを行って、欠陥３をスキャン照射して欠陥
３を除去することで修正を行う。2. Description of the Related Art In a conventional FIB repair method used for repairing a mask defect, as shown in FIG. 4, a defect 3 generated on a mask substrate 1 on which a light-shielding pattern 2 has been formed by a defect inspection device in advance. Is detected to obtain information on the coordinate position on the mask, the defect size, and the type. Then, in order to correct this defect 3, the ion beam 5 obtained by accelerating ions such as Ga from the gun 4 is loaded on the mask substrate 1 by loading the FIB device as shown in FIG. , The defect 3 is scanned and irradiated, and the defect 3 is removed to correct the defect.
【０００３】この修正に際しては、遮光膜残渣による欠
陥に対しては、イオンビーム照射によって発生する反射
イオン６を、逐時反射イオン検出器７によってモニタす
る。反射イオン検出器７からの信号は、照射部の材質、
材料によって変化することを用いて、加工深さの終点検
出を行うことで、遮光膜残渣の欠陥３を除去し、更に、
修正部等のＧａイオンが注入された領域をＸｅＦ2 ガス
雰囲気を導入して除去して修正を行う。At the time of this correction, for the defect due to the light-shielding film residue, the reflected ion 6 generated by the ion beam irradiation is monitored by the instantaneous reflected ion detector 7. The signal from the reflected ion detector 7 is the material of the irradiation part,
The defect 3 of the light-shielding film residue is removed by detecting the processing depth end point by using the change depending on the material.
A region in which Ga ions are implanted, such as a correction portion, is introduced and removed in a XeF 2 gas atmosphere to perform correction.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５に
示すように、遮光パターン１２を形成したマスク基板１
１上での、Ｇａイオン注入領域のＸｅＦ2 ガス雰囲気中
での除去に際しては、Ｇａ注入除去部１３、つまり、欠
陥部とその周辺の無欠陥部のマスク基板露出部でエッチ
ングが生じたり、また、図６に示すように、遮光パター
ン２２を形成したマスク基板２１をエッチングして、位
相差を発生させる位相差マスクで、位相シフタ部２３に
発生した残渣欠陥２４の修正では、残渣部の膜厚が不明
であり、終点検出を行う手段がないため、修正が不可能
である。However, as shown in FIG. 5, the mask substrate 1 on which the light shielding pattern 12 is formed is shown.
When removing the Ga ion-implanted region in the XeF 2 gas atmosphere on No. 1, etching may occur in the Ga-implanted removed portion 13, that is, in the defect portion and the mask substrate exposed portion of the defect-free portion around it. As shown in FIG. 6, the mask substrate 21 on which the light-shielding pattern 22 is formed is etched to correct the residual defect 24 generated in the phase shifter portion 23 with a phase difference mask that generates a phase difference. Since the thickness is unknown and there is no means for detecting the end point, correction is impossible.
【０００５】また、図７に示すように、修正を行う前に
修正部分の確認を行うためのパターン画像の取り込みに
際して行うイオンビームのスキャン時に、遮光パターン
３２を形成したマスク基板３１の露出部のイオン注入部
３３にイオンが注入された層が形成され、このイオン注
入層が光の透過率を低下させる問題点があった。本発明
は、上記問題点を除去し、修正加工部以外がイオンビー
ムに晒されることがなく、マスク基板の露出部及び遮光
膜パターン部へのイオン注入や、エッチングによるダメ
ージを防ぐことができるマスク欠陥の修正方法を提供す
ることを目的とする。Further, as shown in FIG. 7, when the ion beam is scanned when the pattern image is taken in to confirm the corrected portion before the correction, the exposed portion of the mask substrate 31 on which the light shielding pattern 32 is formed. A layer in which ions are implanted is formed in the ion-implanted portion 33, and this ion-implanted layer has a problem of reducing light transmittance. The present invention eliminates the above-mentioned problems, and a mask capable of preventing ion exposure to an exposed portion of a mask substrate and a light-shielding film pattern portion and damage due to etching without being exposed to an ion beam except for a repaired portion. The purpose is to provide a method for correcting defects.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 （１）ＦＩＢ（フォーカスト・イオンビーム）を用いて
マスクに発生した孤立の残渣によるパターン欠陥の修正
を行う方法において、修正前にマスク全面あるいは加工
部周辺に平坦な面を有するコート膜を形成する工程と、
残渣欠陥部よりも広い領域のコート膜を除去し、欠陥修
正部の加工を行う領域を確認した後、修正加工を開始す
る工程と、前記残渣欠陥部とコート膜の境界を検出し、
非残渣欠陥部上にそのコート膜を残したまま残渣欠陥部
のみを修正加工する工程と、修正加工後、前記コート膜
を除去する工程とを有する。In order to achieve the above object, the present invention provides (1) a method of repairing a pattern defect due to an isolated residue generated in a mask using FIB (focused ion beam). In the above, in the step of forming a coat film having a flat surface on the entire surface of the mask or around the processed portion before correction,
After removing the coating film in a region wider than the residue defect portion and confirming the region to be processed in the defect correction portion, a step of starting the correction processing and detecting the boundary between the residue defect portion and the coating film,
The method includes a step of correcting only the residual defect portion while leaving the coating film on the non-residual defect portion, and a step of removing the coat film after the correction processing.
【０００７】（２）上記（１）記載のマスク欠陥の修正
方法において、前記コート膜はビームスキャン時に反射
イオンの信号が遮光膜、マスク基板もしくは位相シフタ
膜の少なくとも１つ以上と異なる反射イオン信号または
ピーク値が出力される材質を用いる。 （３）上記（１）記載のマスク欠陥の修正方法におい
て、前記コート膜はマスク上に設けられた遮光膜パター
ンまたは位相シフタ層によって形成された段差よりも
１．２倍以上の膜厚を有する。(2) In the method of repairing a mask defect described in (1) above, in the coating film, a signal of a reflected ion at the time of beam scanning is different from at least one of a light shielding film, a mask substrate or a phase shifter film and a reflected ion signal. Alternatively, use a material that outputs a peak value. (3) In the method of repairing a mask defect according to (1) above, the coat film has a film thickness 1.2 times or more than a step formed by a light-shielding film pattern or a phase shifter layer provided on the mask. .
【０００８】（４）上記（１）記載のマスク欠陥の修正
方法において、残渣欠陥部の露出までのコート膜の除去
及び欠陥部とコート膜との境界の検出は、残渣欠陥部と
コート膜との反射イオンの信号あるいはピークの少なく
ともどちらか１つを含む検出により求める。 （５）上記（１）記載のマスク欠陥の修正方法におい
て、残渣欠陥部の加工終了後に、引き続きＦＩＢによっ
て修正加工境界部のコート膜を５０Å以上除去する。(4) In the method of repairing a mask defect according to (1) above, the removal of the coat film until the exposure of the residue defect portion and the detection of the boundary between the defect portion and the coat film are performed by using the residue defect portion and the coat film. It is determined by the detection including at least one of the signal or the peak of the reflected ions of. (5) In the method of repairing a mask defect described in (1) above, after the processing of the residue defect portion is completed, the coating film at the repair processing boundary portion is continuously removed by 50 liters or more by FIB.
【０００９】[0009]
（１）上記（１）記載の発明によれば、ＦＩＢによる修
正加工前にマスク全面、あるいは加工部周辺にコート膜
（保護膜）を設けるようにしたので、修正加工部以外が
イオンビームに晒されることがないために、マスク基板
の露出部及び遮光膜パターン部へのイオン注入や、エッ
チングによるダメージを防ぐことができる。(1) According to the invention described in (1) above, since the coat film (protective film) is provided on the entire surface of the mask or around the processed portion before the correction processing by FIB, the portion other than the corrected processing portion is exposed to the ion beam. Therefore, damage to the exposed portion of the mask substrate and the light-shielding film pattern portion due to ion implantation and etching can be prevented.
【００１０】また、欠陥の修正加工を行うに際して、ま
ず欠陥部より広い領域のコート膜を除去して、欠陥部表
面を露出させた時点で、修正加工部の形状、位置、材質
を確認した後に、修正加工を開始することによって修正
の加工部の誤認を防ぎ、かつ修正加工を高精度で行うこ
とができる。更に、欠陥部以外の周辺部には、コート膜
を残したままで、欠陥部のみを加工することで、欠陥部
以外がイオンビームに晒されることなく加工を終了する
ために、加工部周辺へのダメージを生じさせないで、修
正加工をすることができる。また、ダメージを受けたコ
ート膜は、全て修正後に洗浄加工で除去することによ
り、マスク基板にダメージを与えずに修正を行うことが
できる。Further, in performing the defect correction processing, first, the shape, position, and material of the correction processed portion are confirmed after the coating film in a region wider than the defect portion is removed to expose the surface of the defect portion. By starting the correction processing, it is possible to prevent erroneous recognition of the correction processing portion and perform the correction processing with high accuracy. Further, in the peripheral portion other than the defective portion, the coating film is left, and only the defective portion is processed, so that the processing is completed without being exposed to the ion beam except the defective portion. It can be modified without causing damage. Further, by removing all the damaged coat film by the cleaning process after the repair, the repair can be performed without damaging the mask substrate.
【００１１】（２）上記（２）記載の発明によれば、コ
ート膜はマスク基板もしくは位相シフタ膜の少なくとも
１つ以上異なる反射イオン信号もしくはピーク値が出力
される材料としたので、加工部の材質が加工時に逐次検
出することが可能となるため、加工の終点検出や加工領
域の選択ができる。 （３）上記（３）記載の発明によれば、コート膜の厚さ
をマスク上のパターンによる最大段差の１．２倍以上の
膜厚で設けるようにしたので、加工時に生じる散乱イオ
ン等による加工部以外に対して生じるダメージに対し
て、非加工部の領域を保護することができる。(2) According to the invention described in (2) above, the coat film is made of a material that outputs at least one or more different reflected ion signals or peak values of the mask substrate or the phase shifter film. Since the material can be sequentially detected during processing, the processing end point can be detected and the processing area can be selected. (3) According to the invention described in (3) above, since the thickness of the coat film is set to be 1.2 times or more the maximum step difference due to the pattern on the mask, it is caused by scattered ions generated during processing. It is possible to protect the region of the non-processed portion against damage that occurs in areas other than the processed portion.
【００１２】（４）上記（４）記載の発明によれば、反
射イオンの信号もしくはピークを加工時に逐次検出する
ことによって、欠陥部と周辺部及びマスク基板との境界
を検出することにより、所望の加工部を高精度で選択し
て加工を行うことができる。 （５）上記（５）記載の発明によれば、加工部とコート
膜保存領域を５０Å以上ＦＩＢで引き続き除去すること
によって、洗浄工程でコート膜の除去に際して、除去が
不可能となる部分が発生することを防いで、高い清浄度
のマスク洗浄を行うことができる。(4) According to the invention described in (4) above, the signal or peak of the reflected ions is sequentially detected during processing to detect the boundaries between the defective portion and the peripheral portion and the mask substrate, thereby making it possible to obtain a desired signal. It is possible to perform processing by selecting the processed portion of with high accuracy. (5) According to the invention described in (5) above, by continuously removing the processed portion and the coating film storage region by 50 Å or more with the FIB, a part that cannot be removed occurs when the coating film is removed in the cleaning step. It is possible to perform mask cleaning with high cleanliness.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。図１は本発明の第１実施例を示すマスク欠陥
の修正工程図（その１）、図２はそのマスク欠陥の修正
工程図（その２）である。まず、図１（ａ）に示すよう
に、遮光パターン４２が形成されたマスク基板４１上に
は、遮光膜（Ｃｒ）残渣欠陥４３が生じており、欠陥検
査装置によって検出された遮光膜残渣欠陥４３の修正に
際して、マスク基板４１上の基板露出部及び遮光パター
ン４２上を全て覆う、表面の平坦な層からなる保護（コ
ート）膜４４を、例えば、スピンコート法等で形成す
る。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a mask defect repairing process diagram (No. 1) showing a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a mask defect repairing process diagram (No. 2). First, as shown in FIG. 1A, a light-shielding film (Cr) residue defect 43 is generated on the mask substrate 41 on which the light-shielding pattern 42 is formed, and the light-shielding film residue defect detected by the defect inspection device is detected. At the time of correcting 43, a protective (coat) film 44 having a flat surface layer is formed by, for example, a spin coating method so as to cover the entire substrate exposed portion on the mask substrate 41 and the light shielding pattern 42.
【００１４】次いで、そのコート膜４４を形成したマス
ク基板４１上の遮光膜残渣欠陥４３をＦＩＢ修正装置に
ロードして欠陥の修正を行う。修正に際しては、欠陥検
査装置によって得られたマスクの欠陥位置座標をもと
に、マスク基板４１をＦＩＢ装置のイオンビームスキャ
ンが可能な位置に移動させる。そこで、図１（ｂ）に示
すように、遮光膜残渣欠陥４３の修正を行うために、ま
ずマスク基板４１を覆っているコート膜４４を、欠陥検
査装置で検出された遮光膜残渣欠陥４３の欠陥寸法ｄ1
の大きさよりも広い領域ｄ2 のビームスキャンを行っ
て、表面を覆っているコート膜４４の除去を開始する。Next, the light-shielding film residue defect 43 on the mask substrate 41 on which the coat film 44 is formed is loaded into the FIB repair device to repair the defect. At the time of correction, the mask substrate 41 is moved to a position where ion beam scanning of the FIB device is possible based on the defect position coordinates of the mask obtained by the defect inspection device. Therefore, as shown in FIG. 1B, in order to repair the light-shielding film residue defect 43, first, the coat film 44 covering the mask substrate 41 is covered with the light-shielding film residue defect 43 detected by the defect inspection apparatus. Defect size d 1
A beam scan of a region d 2 wider than the size of is performed, and the removal of the coat film 44 covering the surface is started.
【００１５】ここで、孤立した遮光パターン４２の残渣
欠陥の修正に対しては、Ｇａイオンのみ、もしくはＸｅ
Ｆ2 ガス雰囲気中で、ＦＩＢのビームをスキャン領域の
表面が平坦に保たれるようにスキャンを行って、コート
膜４４の除去を進めると、図１（ｂ）に示すように、遮
光膜残渣欠陥４３が露出する。このビームのスキャンに
際しては、反射電子の検出を行いながら進めておくこと
により、遮光膜残渣欠陥４３が露出したことを検出する
ことが可能である。Here, in order to repair the residual defect of the isolated light-shielding pattern 42, only Ga ions or Xe are used.
When the FIB beam is scanned in the F 2 gas atmosphere so that the surface of the scan region is kept flat and the coating film 44 is removed, as shown in FIG. The defect 43 is exposed. It is possible to detect that the light-shielding film residual defect 43 is exposed by advancing while scanning the beam while detecting reflected electrons.
【００１６】次に、遮光膜残渣欠陥４３の除去に際して
は、図１（ｃ）に示すように、常時、反射イオンの検出
を行いながら、例えば、遮光膜残渣欠陥４３の遮光膜の
エッジＡよりスキャンを開始し、もう一端の遮光膜残渣
欠陥４３のエッジＢで反射イオンの検出値が変化する部
分までのスキャンを、遮光膜残渣欠陥４３の全面に対し
て行い、遮光膜残渣欠陥部４３のみの除去を進める。Next, when removing the light-shielding film residue defect 43, as shown in FIG. 1C, for example, from the edge A of the light-shielding film of the light-shielding film residue defect 43 while constantly detecting the reflected ions. The scanning is started, and the scanning up to the portion where the detected value of the reflected ions changes at the edge B of the light shielding film residue defect 43 at the other end is performed on the entire surface of the light shielding film residue defect 43, and only the light shielding film residue defect portion 43 is formed. Proceed with the removal.
【００１７】遮光膜残渣欠陥４３の除去の進行によっ
て、遮光膜残渣欠陥４３の除去が完了してマスク基板４
１が露出すると、反射イオンの検出値が変化することを
用いて、イオンビームによる除去の終点判定をすること
によって、図１（ｃ）に示すように、散乱イオン及びラ
ジカル等によるマスク基板４１へのダメージを、コート
膜４４によって防いで、図２（ａ）に示すように、遮光
膜残渣欠陥４３の除去を行うことができる。ここで、４
５は遮光膜残渣欠陥４３が除去された痕跡である。As the removal of the light-shielding film residue defect 43 progresses, the removal of the light-shielding film residue defect 43 is completed and the mask substrate 4 is removed.
When 1 is exposed, the detection value of the reflected ions changes, and the end point of the removal by the ion beam is determined. As a result, as shown in FIG. 2A can be prevented by the coat film 44, and the light-shielding film residue defect 43 can be removed as shown in FIG. Where 4
Reference numeral 5 is a trace in which the light-shielding film residual defect 43 is removed.
【００１８】次に、図２（ｂ）に示すように、修正を完
了したマスクをＦＩＢ修正装置より取り出し、コート膜
４４を除去し、洗浄を行うことによって、欠陥の修正を
完了する。前記ＦＩＢ加工時に、欠陥発生部以外へのダ
メージを防ぐために設けるコート膜は、表面を平坦に形
成する必要があり、また、修正加工後には、新たな欠陥
発生を防ぐために除去可能であることが必要がある。こ
のための材料としては、ポジ型のホトレジスト等に用い
られているノボラック系樹脂や、水溶性のポリビニル等
の有機膜系の樹脂を用いれば、スピンコート法によって
平坦な表面の形成が可能である。Next, as shown in FIG. 2B, the mask whose repair is completed is taken out from the FIB repair device, the coat film 44 is removed, and cleaning is performed to complete the repair of the defect. The coating film provided to prevent damage to other than the defect-generating portion during the FIB processing needs to have a flat surface, and can be removed after the correction processing to prevent new defect generation. There is a need. As a material for this, if a novolac resin used for positive photoresist or the like or an organic film resin such as water-soluble polyvinyl is used, it is possible to form a flat surface by spin coating. .
【００１９】また、これらの樹脂をコーティングする際
には、このコート（保護）膜へのＦＩＢ加工のダメージ
を考慮して、遮光膜や位相シフタ層によるマスク上の最
大の段差の１．２倍以上の膜厚で形成することで、遮光
膜や位相シフタ層へのダメージを防ぐことが可能であ
る。更に、前記有機系樹脂は、ＦＩＢ加工時の反射イオ
ン信号は、遮光膜に用いられている金属層及び位相シフ
タに用いられている、例えば、ＳＯＧ（スピンオングラ
ス）やＳｉＯ2 と異なる値となるために、欠陥部とコー
ト（保護）膜及び欠陥部とマスク基板の境界部を容易に
検出することが可能である。When coating these resins, 1.2 times the maximum step difference on the mask due to the light shielding film or the phase shifter layer is taken into consideration in consideration of damage to the coating (protective) film due to FIB processing. By forming the film with the above film thickness, it is possible to prevent damage to the light shielding film and the phase shifter layer. Further, in the organic resin, the reflected ion signal at the time of FIB processing has a value different from that of, for example, SOG (spin on glass) or SiO 2 used in the metal layer used in the light shielding film and the phase shifter. Therefore, it is possible to easily detect the defective portion and the coat (protective) film and the boundary portion between the defective portion and the mask substrate.
【００２０】ＦＩＢによる修正で、欠陥部が露出するま
で欠陥寸法より広い領域を加工することは、欠陥検査装
置とＦＩＢ修正装置との座標のズレやＦＩＢ修正装置の
座標精度内でのズレ等により、修正の際に、欠陥部の修
正残りやマスク基板へのダメージ加工を軽減もしくは防
ぐために、欠陥部自身の検出により、マスク基板を保護
しながら、加工位置（加工部）を決定できる効果があ
る。In the correction by FIB, processing a region wider than the defect size until the defective portion is exposed is caused by a coordinate shift between the defect inspection apparatus and the FIB correction apparatus or a shift within the coordinate accuracy of the FIB correction apparatus. When repairing, there is an effect that the processing position (processed portion) can be determined while protecting the mask substrate by detecting the defective portion itself in order to reduce or prevent the uncorrected portion of the defective portion and the damage processing to the mask substrate. .
【００２１】図３は本発明の第２実施例を示すマスク欠
陥の要部修正工程図である。第１実施例における図２
（ａ）の工程における前記の有機系樹脂からなるコート
膜を用いた修正加工においては、図３（ａ）及び図３
（ｂ）に示すように、欠陥修正加工領域ａとコート膜保
存領域ｂの境界部近傍のコート膜４６は、欠陥修正の加
工時の昇温等によって重合が進み、分子量が増大するこ
とや、遮光膜材料の混入によって欠陥修正後の除去工程
で、除去不可能となる場合がある。これを防ぐために、
修正加工終了後に、修正加工領域ａとコート膜保存領域
ｂの境界部近傍のコート膜４６の除去を、図３（ｃ）に
示すように、引き続きＦＩＢによって行うことにより、
コート膜除去部４７を除去する。したがって、コート膜
の除去工程における残渣を防ぐことが可能となる。FIG. 3 is a process diagram for repairing a main portion of a mask defect showing a second embodiment of the present invention. FIG. 2 in the first embodiment
In the correction processing using the above-mentioned organic resin-based coating film in the step (a), FIG.
As shown in (b), the coat film 46 in the vicinity of the boundary between the defect correction processing region a and the coat film storage region b undergoes polymerization due to a temperature increase during the defect correction processing, resulting in an increase in the molecular weight, In some cases, due to the mixture of the light-shielding film material, the removal becomes impossible in the removal process after the defect is repaired. To prevent this,
After the correction processing is completed, the removal of the coat film 46 in the vicinity of the boundary between the correction processing area a and the coat film storage area b is continuously performed by FIB as shown in FIG.
The coat film removing portion 47 is removed. Therefore, it becomes possible to prevent residues in the process of removing the coat film.
【００２２】次に、図３（ｄ）に示すように、コート膜
４４を除去して、遮光膜残渣欠陥の修正を完了する。上
記実施例においては、遮光膜（Ｃｒ）残渣欠陥について
説明したが、位相シフタ（ＳＯＧ）残り欠陥や塵埃欠陥
についても同様に除去することができる。また、通常は
遮光膜としては、Ｃｒを用いるが、ＷやＭｏであっても
よい。Next, as shown in FIG. 3D, the coat film 44 is removed to complete the correction of the light-shielding film residue defect. Although the light shielding film (Cr) residual defects have been described in the above embodiments, phase shifter (SOG) residual defects and dust defects can be similarly removed. Further, Cr is usually used as the light shielding film, but W or Mo may be used.
【００２３】上記した遮光膜や位相シフタはシリコン基
板又はコート膜（ノボラック系樹脂や水溶性のポリビニ
ル等の有機膜系樹脂）とは明らかに材料が相違するの
で、確実な欠陥の終点検出や加工領域の選択ができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。Since the above-mentioned light-shielding film and phase shifter are obviously different in material from the silicon substrate or the coating film (novolac resin or organic film resin such as water-soluble polyvinyl), reliable defect end point detection and processing can be performed. You can select the area.
The present invention is not limited to the above embodiment,
Various modifications are possible based on the spirit of the present invention, and these are not excluded from the scope of the present invention.
【００２４】[0024]
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、ＦＩＢによる修正
加工前にマスク全面、あるいは加工部周辺にコート膜を
設けるようにしたので、修正加工部以外がイオンビーム
に晒されることがないために、マスク基板の露出部及び
遮光膜パターン部へのイオン注入やエッチングによるダ
メージを防ぐことができる。As described in detail above, according to the present invention, the following effects can be achieved. (1) According to the invention described in claim 1, since the coat film is provided on the entire surface of the mask or around the processing portion before the correction processing by FIB, the portions other than the correction processing portion are not exposed to the ion beam. In addition, it is possible to prevent damage to the exposed portion of the mask substrate and the light-shielding film pattern portion due to ion implantation or etching.
【００２５】また、欠陥の修正加工を行うに際して、ま
ず欠陥部より広い領域のコート膜を除去して、欠陥部表
面を露出させた時点で、修正加工部の形状、位置、材質
を確認した後に、修正加工を開始することによって修正
の加工部の誤認を防ぎ、かつ修正加工を高精度で行うこ
とができる。更に、欠陥部以外の周辺部には、コート膜
を残したままで、欠陥部のみを加工することで、欠陥部
以外がイオンビームに晒されることなく加工を終了する
ために、加工部周辺へのダメージを生じさせないで、修
正加工をすることができる。また、ダメージを受けたコ
ート膜は、全て修正後に洗浄加工で除去することによ
り、マスク基板にダメージを与えずに修正を行うことが
できる。Further, in performing the defect correction processing, first, the shape, position, and material of the correction processed portion are confirmed after the coating film in a region wider than the defect portion is removed to expose the surface of the defect portion. By starting the correction processing, it is possible to prevent erroneous recognition of the correction processing portion and perform the correction processing with high accuracy. Further, in the peripheral portion other than the defective portion, the coating film is left, and only the defective portion is processed, so that the processing is completed without being exposed to the ion beam except the defective portion. It can be modified without causing damage. Further, by removing all the damaged coat film by the cleaning process after the repair, the repair can be performed without damaging the mask substrate.
【００２６】（２）請求項２記載の発明によれば、コー
ト膜はマスク基板もしくは位相シフタ膜の少なくとも１
つ以上異なる反射イオン信号もしくはピーク値が出力さ
れる材料としたので、加工部の材質が加工時に逐次検出
することが可能となるため、加工の終点検出や加工領域
の選択ができる。 （３）請求項３記載の発明によれば、コート膜の厚さを
マスク上のパターンによる最大段差の１．２倍以上の膜
厚で設けるようにしたので、加工時に生じる散乱イオン
等による加工部以外に対して生じるダメージに対して、
非加工部の領域を保護することができる。(2) According to the invention of claim 2, the coat film is at least one of a mask substrate or a phase shifter film.
Since the material that outputs three or more different reflected ion signals or peak values is used, the material of the processing portion can be sequentially detected during processing, and thus the processing end point can be detected and the processing area can be selected. (3) According to the invention of claim 3, the thickness of the coat film is 1.2 times or more the maximum step difference due to the pattern on the mask. For damage caused to other parts,
The area of the non-processed portion can be protected.
【００２７】（４）請求項４記載の発明によれば、反射
イオンの信号もしくはピークを加工時に逐次検出するこ
とによって、欠陥部と周辺部及びマスク基板との境界を
検出することによって、所望の加工部を高精度で選択し
て加工を行うことができる。 （５）請求項５記載の発明によれば、加工部とコート膜
保存領域を５０Å以上ＦＩＢで引き続き除去することに
よって、洗浄工程で保護膜の除去に際して、除去が不可
能となる部分が発生することを防いで、高い清浄度のマ
スク洗浄を行うことができる。(4) According to the fourth aspect of the invention, the signal or peak of the reflected ions is sequentially detected at the time of processing to detect the boundary between the defective portion and the peripheral portion and the mask substrate. It is possible to select a processing portion with high accuracy and perform processing. (5) According to the invention of claim 5, by continuously removing 50 Å or more of the processed portion and the coat film storage region with the FIB, a part which cannot be removed occurs when the protective film is removed in the cleaning step. It is possible to perform mask cleaning with high cleanliness.
【図１】本発明の第１実施例を示すマスク欠陥の修正工
程図（その１）である。FIG. 1 is a mask defect correction process diagram (No. 1) showing a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１実施例を示すマスク欠陥の修正工
程図（その２）である。FIG. 2 is a process diagram (No. 2) of correcting a mask defect showing the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第２実施例を示すマスク欠陥の要部修
正工程図である。FIG. 3 is a process drawing of a main portion of a mask defect showing a second embodiment of the present invention.
【図４】従来のマスク欠陥の修正方法の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of a conventional mask defect correction method.
【図５】従来の第１のマスク欠陥の修正方法の説明図で
ある。FIG. 5 is an explanatory diagram of a conventional first mask defect correcting method.
【図６】従来の第２のマスク欠陥の修正方法の説明図で
ある。FIG. 6 is an explanatory diagram of a conventional second mask defect correcting method.
【図７】従来の第３のマスク欠陥の修正方法の説明図で
ある。FIG. 7 is an explanatory diagram of a conventional third mask defect correcting method.
４１ マスク基板 ４２ 遮光パターン ４３ 遮光膜残渣欠陥 ４４ コート膜 ４６ 欠陥修正加工領域とコート膜保存領域の境界部
近傍のコート膜 ４７ コート膜除去部41 mask substrate 42 light-shielding pattern 43 light-shielding film residue defect 44 coat film 46 coat film in the vicinity of the boundary between the defect correction processing area and the coat film storage area 47 coat film removing portion
Claims (5)
を用いてマスクに発生した孤立の残渣によるパターン欠
陥の修正を行う方法において、（ａ）修正前にマスク全
面あるいは加工部周辺に平坦な面を有するコート膜を形
成する工程と、（ｂ）残渣欠陥部よりも広い領域のコー
ト膜を除去し、欠陥修正部の加工を行う領域を確認した
後、修正加工を開始する工程と、（ｃ）前記残渣欠陥部
とコート膜の境界を検出し、非残渣欠陥部上に前記コー
ト膜を残したまま残渣欠陥部のみを修正加工する工程
と、（ｄ）修正加工後、前記コート膜を除去する工程と
を有することを特徴とするマスク欠陥の修正方法。1. FIB (focused ion beam)
In a method of correcting a pattern defect due to an isolated residue generated in a mask by using, (a) a step of forming a coat film having a flat surface on the entire surface of the mask or around the processed portion before the correction; Removing the coat film in a region wider than the defect portion, confirming the region to be processed in the defect correction portion, and then starting the correction processing, and (c) detecting the boundary between the residual defect portion and the coat film, Mask defect repair comprising: a step of repairing only the residue defect portion while leaving the coat film on the non-residue defect portion; and (d) a step of removing the coat film after the repair processing. Method.
おいて、前記コート膜はビームスキャン時に反射イオン
の信号が遮光膜、マスク基板もしくは位相シフタ膜の少
なくとも１つ以上と異なる反射イオン信号あるいはピー
ク値が出力される材質を用いることを特徴とするマスク
欠陥の修正方法。2. The mask defect repairing method according to claim 1, wherein the reflected ion signal or peak of the coated film is different from that of at least one of the light-shielding film, the mask substrate and the phase shifter film during the beam scanning. A method for repairing a mask defect, which uses a material whose value is output.
おいて、前記コート膜はマスク上に設けられた遮光膜パ
ターンまたは位相シフタ層によって形成された段差より
も１．２倍以上の膜厚を有することを特徴とするマスク
欠陥の修正方法。3. The mask defect repairing method according to claim 1, wherein the coating film has a film thickness 1.2 times or more than a step formed by a light shielding film pattern or a phase shifter layer provided on the mask. A method for repairing a mask defect, which comprises:
おいて、残渣欠陥部の露出までのコート膜の除去及び欠
陥部とコート膜との境界の検出は、残渣欠陥部とコート
膜との反射イオンの信号あるいはピークの少なくともど
ちらか１つを含む検出により求めることを特徴とするマ
スク欠陥の修正方法。4. The method of repairing a mask defect according to claim 1, wherein the removal of the coat film until the exposure of the residue defect portion and the detection of the boundary between the defect portion and the coat film are performed by reflection between the residue defect portion and the coat film. A method for repairing a mask defect, which is obtained by detection including at least one of an ion signal and a peak.
おいて、残渣欠陥部の加工終了後に、引き続きＦＩＢに
よって修正加工境界部のコート膜を５０Å以上除去する
ことを特徴とするマスク欠陥の修正方法。5. The method of repairing a mask defect according to claim 1, wherein after the processing of the residue defect portion is completed, 50 Å or more of the coating film at the repair processing boundary portion is continuously removed by FIB. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26043094A JP3392958B2 (en) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | How to repair mask defects |
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|---|---|---|---|
| JP26043094A JP3392958B2 (en) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | How to repair mask defects |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08123012A true JPH08123012A (en) | 1996-05-17 |
| JP3392958B2 JP3392958B2 (en) | 2003-03-31 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3392958B2 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100755077B1 (en) * | 2006-06-29 | 2007-09-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | Method for repairing defects of photo mask |
| CN102539448A (en) * | 2010-12-08 | 2012-07-04 | 无锡华润上华科技有限公司 | Development residue detecting method |
| CN106571315A (en) * | 2016-11-16 | 2017-04-19 | 上海华力微电子有限公司 | Method for detecting quality of photoresist |
| CN107785282A (en) * | 2016-08-30 | 2018-03-09 | 无锡华润上华科技有限公司 | Detection method, the semiconductor devices preparation method of photoetching residue |
| JP2021092780A (en) * | 2019-12-10 | 2021-06-17 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Device and method for processing microstructured component |
-
1994
- 1994-10-25 JP JP26043094A patent/JP3392958B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100755077B1 (en) * | 2006-06-29 | 2007-09-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | Method for repairing defects of photo mask |
| CN102539448A (en) * | 2010-12-08 | 2012-07-04 | 无锡华润上华科技有限公司 | Development residue detecting method |
| CN107785282A (en) * | 2016-08-30 | 2018-03-09 | 无锡华润上华科技有限公司 | Detection method, the semiconductor devices preparation method of photoetching residue |
| CN106571315A (en) * | 2016-11-16 | 2017-04-19 | 上海华力微电子有限公司 | Method for detecting quality of photoresist |
| JP2021092780A (en) * | 2019-12-10 | 2021-06-17 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Device and method for processing microstructured component |
| US11487211B2 (en) | 2019-12-10 | 2022-11-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Device and method for processing a microstructured component |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3392958B2 (en) | 2003-03-31 |
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