JPH08102263A - ジャイロトロン装置 - Google Patents
ジャイロトロン装置Info
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- JPH08102263A JPH08102263A JP7180134A JP18013495A JPH08102263A JP H08102263 A JPH08102263 A JP H08102263A JP 7180134 A JP7180134 A JP 7180134A JP 18013495 A JP18013495 A JP 18013495A JP H08102263 A JPH08102263 A JP H08102263A
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 abstract description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 241000931526 Acer campestre Species 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000004323 axial length Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/36—Coupling devices having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube, for introducing or removing wave energy
- H01J23/54—Filtering devices preventing unwanted frequencies or modes to be coupled to, or out of, the interaction circuit; Prevention of high frequency leakage in the environment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J25/00—Transit-time tubes, e.g. klystrons, travelling-wave tubes, magnetrons
- H01J25/02—Tubes with electron stream modulated in velocity or density in a modulator zone and thereafter giving up energy in an inducing zone, the zones being associated with one or more resonators
- H01J25/025—Tubes with electron stream modulated in velocity or density in a modulator zone and thereafter giving up energy in an inducing zone, the zones being associated with one or more resonators with an electron stream following a helical path
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、コレクタ電位を低下させて動作
させるための絶縁筒を通って不要イクロ波が外部に漏洩
するのを抑制することができるジャイロトロン装置を提
供することを目的とする。 【構成】 この発明は、マイクロ波反射伝送部11とコ
レクタ12との間にこれらを電気的に絶縁し且つ真空容
器の一部を構成する絶縁筒14の外周にマイクロ波吸収
部材30が配置されてなるジャイロトロン装置である。
させるための絶縁筒を通って不要イクロ波が外部に漏洩
するのを抑制することができるジャイロトロン装置を提
供することを目的とする。 【構成】 この発明は、マイクロ波反射伝送部11とコ
レクタ12との間にこれらを電気的に絶縁し且つ真空容
器の一部を構成する絶縁筒14の外周にマイクロ波吸収
部材30が配置されてなるジャイロトロン装置である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、マイクロ波ビ−ムを
準光学的に方向変換して伝送、放出できる構成のジャイ
ロトロン装置に係わり、とくにコレクタ電位を共振空胴
部やマイクロ波反射伝送部に対してマイナス電位にして
動作させ得るジャイロトロン装置に関する。
準光学的に方向変換して伝送、放出できる構成のジャイ
ロトロン装置に係わり、とくにコレクタ電位を共振空胴
部やマイクロ波反射伝送部に対してマイナス電位にして
動作させ得るジャイロトロン装置に関する。
【0002】
【従来の技術】ジャイロトロン装置は、周知のようにサ
イクロトロンメ―ザ作用を動作原理とする電子管で、ミ
リ波からサブミリ波帯における高周波大電力源として利
用されている。そして最近は、電子ビ−ムとマイクロ波
の行路を分離するモード変換器を内蔵するジャイロトロ
ン装置が提案され、実用になっている。このジャイロト
ロン装置は、例えばUSP5266868号明細書に開
示されているように、例えばブラソフ変換器でモ−ド変
換されたマイクロ波を幾つかのミラ−を用いて準光学的
に方向変換して伝送し、電子ビ−ムとは別の方向例えば
管軸に直交する横方向にマイクロ波出力を取り出す構成
である。
イクロトロンメ―ザ作用を動作原理とする電子管で、ミ
リ波からサブミリ波帯における高周波大電力源として利
用されている。そして最近は、電子ビ−ムとマイクロ波
の行路を分離するモード変換器を内蔵するジャイロトロ
ン装置が提案され、実用になっている。このジャイロト
ロン装置は、例えばUSP5266868号明細書に開
示されているように、例えばブラソフ変換器でモ−ド変
換されたマイクロ波を幾つかのミラ−を用いて準光学的
に方向変換して伝送し、電子ビ−ムとは別の方向例えば
管軸に直交する横方向にマイクロ波出力を取り出す構成
である。
【0003】このようなジャイロトロン装置の管本体
は、中空の電子ビームを発生する電子銃部、その電子ビ
ーム下流に順次配置された共振空胴部、この共振空胴部
で発生され伝送されるマイクロ波をモード変換するとと
もに電子ビームの進行方向と異なる方向に設けられた高
周波出力部に向けて反射及び伝送する複数の高周波ミラ
ーを備えるマイクロ波反射伝送部、及び相互作用済の電
子ビームを捕捉するコレクタを備えている。
は、中空の電子ビームを発生する電子銃部、その電子ビ
ーム下流に順次配置された共振空胴部、この共振空胴部
で発生され伝送されるマイクロ波をモード変換するとと
もに電子ビームの進行方向と異なる方向に設けられた高
周波出力部に向けて反射及び伝送する複数の高周波ミラ
ーを備えるマイクロ波反射伝送部、及び相互作用済の電
子ビームを捕捉するコレクタを備えている。
【0004】そして、マイクロ波反射伝送部とコレクタ
との間に、これら両者を電気的に絶縁するとともに真空
容器の一部を構成するセラミックス製の絶縁筒が設けら
れる。それによって、動作に際してコレクタの電位を共
振空胴部やマイクロ波反射伝送部に対してマイナスの高
電位にし、高効率動作を得る。なお、この絶縁筒を利用
してマイクロ波反射伝送部の電流やコレクタの電流をそ
れぞれ独立して測定することもできる。この場合は、絶
縁筒による耐電圧は数V程度あればよく、そのための絶
縁筒の軸方向寸法は1〜2cm程度で十分である。
との間に、これら両者を電気的に絶縁するとともに真空
容器の一部を構成するセラミックス製の絶縁筒が設けら
れる。それによって、動作に際してコレクタの電位を共
振空胴部やマイクロ波反射伝送部に対してマイナスの高
電位にし、高効率動作を得る。なお、この絶縁筒を利用
してマイクロ波反射伝送部の電流やコレクタの電流をそ
れぞれ独立して測定することもできる。この場合は、絶
縁筒による耐電圧は数V程度あればよく、そのための絶
縁筒の軸方向寸法は1〜2cm程度で十分である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
なジャイロトロン装置において、マイクロ波反射伝送部
に対するコレクタの電位を十分低下させて電子ビ−ムを
減速させ、動作電力の総合効率を高めるためには、20
kV〜50kV程度の電位差を持たせる必要がある。そ
のための絶縁筒の軸方向寸法は、約10cm以上の軸方
向長さが必要となる。絶縁筒の材料には一般的にセラミ
ックスが使用されるが、セラミックスはマイクロ波を透
過するので、このようなジャイロトロン装置では絶縁筒
の軸方向寸法が大きくなることにより、絶縁筒からのマ
イクロ波の漏洩が大きな問題となる。なお、絶縁筒から
漏れるマイクロ波は、主として、モード変換器でモ−ド
変換されずに管内に残る高周波成分の一部であり、とく
に波長の短い成分ほど光に準ずる振舞いをする。
なジャイロトロン装置において、マイクロ波反射伝送部
に対するコレクタの電位を十分低下させて電子ビ−ムを
減速させ、動作電力の総合効率を高めるためには、20
kV〜50kV程度の電位差を持たせる必要がある。そ
のための絶縁筒の軸方向寸法は、約10cm以上の軸方
向長さが必要となる。絶縁筒の材料には一般的にセラミ
ックスが使用されるが、セラミックスはマイクロ波を透
過するので、このようなジャイロトロン装置では絶縁筒
の軸方向寸法が大きくなることにより、絶縁筒からのマ
イクロ波の漏洩が大きな問題となる。なお、絶縁筒から
漏れるマイクロ波は、主として、モード変換器でモ−ド
変換されずに管内に残る高周波成分の一部であり、とく
に波長の短い成分ほど光に準ずる振舞いをする。
【0006】この発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、マイクロ波反射伝送部とコレクタとの間の電気的絶
縁を損なうことなく、絶縁筒からのマイクロ波の外部漏
洩を抑制し、コレクタ電位を低下させて安全に高効率動
作を保証し得るジャイロトロン装置を提供することを目
的とする。
で、マイクロ波反射伝送部とコレクタとの間の電気的絶
縁を損なうことなく、絶縁筒からのマイクロ波の外部漏
洩を抑制し、コレクタ電位を低下させて安全に高効率動
作を保証し得るジャイロトロン装置を提供することを目
的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明は、ジャイロト
ロン管本体のマイクロ波反射伝送部とコレクタとの間
に、真空容器の一部を構成する絶縁筒が設けられてな
り、この絶縁筒の外周にマイクロ波吸収部材が配置され
てなるジャイロトロン装置である。
ロン管本体のマイクロ波反射伝送部とコレクタとの間
に、真空容器の一部を構成する絶縁筒が設けられてな
り、この絶縁筒の外周にマイクロ波吸収部材が配置され
てなるジャイロトロン装置である。
【0008】
【作用】この発明によれば、ジャイロトロン管本体のマ
イクロ波反射伝送部とコレクタとの間の電気的絶縁性能
を損なうことなく、管内に残る不要マイクロ波が絶縁筒
から管外に漏洩するのを確実に抑制することができる。
イクロ波反射伝送部とコレクタとの間の電気的絶縁性能
を損なうことなく、管内に残る不要マイクロ波が絶縁筒
から管外に漏洩するのを確実に抑制することができる。
【0009】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の実施例を
説明する。なお、同一部分は同一符号であらわす。この
発明を適用したモード変換器を内蔵し且つコレクタ電位
を低下させて動作させるジャイロトロン装置は、図1お
よび図2に示すように構成されている。すなわち、この
ジャイロトロン装置は、管本体10と、その外周の所定
位置に配置された電磁石40,41,42を備えてい
る。ジャイロトロン管本体10は、中空の電子ビ―ムe
を発生する電子銃部1を有し、さらにその電子ビ―ム下
流に順次配列されたところの、次第に径小となるテ―パ
状電子ビ―ム導入部2、共振空胴部3、ブラソフ変換器
4、複数の高周波ミラ−6,7、8とそれに対向して横
方向反対側に設けられたマイクロ波出力部9とを備える
マイクロ波反射伝送部11、相互作用済みの電子ビーム
eを捕捉するコレクタ12を有している。
説明する。なお、同一部分は同一符号であらわす。この
発明を適用したモード変換器を内蔵し且つコレクタ電位
を低下させて動作させるジャイロトロン装置は、図1お
よび図2に示すように構成されている。すなわち、この
ジャイロトロン装置は、管本体10と、その外周の所定
位置に配置された電磁石40,41,42を備えてい
る。ジャイロトロン管本体10は、中空の電子ビ―ムe
を発生する電子銃部1を有し、さらにその電子ビ―ム下
流に順次配列されたところの、次第に径小となるテ―パ
状電子ビ―ム導入部2、共振空胴部3、ブラソフ変換器
4、複数の高周波ミラ−6,7、8とそれに対向して横
方向反対側に設けられたマイクロ波出力部9とを備える
マイクロ波反射伝送部11、相互作用済みの電子ビーム
eを捕捉するコレクタ12を有している。
【0010】そして、内側に共振空胴部3やモード変換
器4、マイクロ波反射伝送部11を有する金属製の真空
容器13のコレクタ側端部とコレクタ12との間に、真
空容器の一部を構成するセラミックス製の絶縁筒14が
設けられている。この絶縁筒14は、コレクタ側のフラ
ンジ15とマイクロ波反射伝送部側のフランジ16との
間に真空気密に接合されており、コレクタ電位を低下さ
せて動作させる際に両フランジ間にかかる電圧に対して
十分な絶縁を保つ軸方向寸法を有している。なお、図2
の符号15a,16aは薄肉の封止用金属リング、2
4,25はバックアップ用のセラミックスリングをそれ
ぞれあらわしている。コレクタ12の外側には、冷却水
を供給してこのコレクタを冷却するためのボイラ・ジャ
ケット17が配置されている。
器4、マイクロ波反射伝送部11を有する金属製の真空
容器13のコレクタ側端部とコレクタ12との間に、真
空容器の一部を構成するセラミックス製の絶縁筒14が
設けられている。この絶縁筒14は、コレクタ側のフラ
ンジ15とマイクロ波反射伝送部側のフランジ16との
間に真空気密に接合されており、コレクタ電位を低下さ
せて動作させる際に両フランジ間にかかる電圧に対して
十分な絶縁を保つ軸方向寸法を有している。なお、図2
の符号15a,16aは薄肉の封止用金属リング、2
4,25はバックアップ用のセラミックスリングをそれ
ぞれあらわしている。コレクタ12の外側には、冷却水
を供給してこのコレクタを冷却するためのボイラ・ジャ
ケット17が配置されている。
【0011】また、絶縁筒14の内側即ち真空側には、
2個の導電体製のマイクロ波反射筒18,19が軸方向
に一部重なり合い、半径方向に離隔してそれぞれフラン
ジ15,16に固定されている。これらマイクロ波反射
筒18,19は、管内にモード変換器の回折損失等によ
り不所望に残る不要マイクロ波mが、絶縁筒14の方に
漏れ出るのを最小とする位置に置かれ、この不要マイク
ロ波mを内側に反射する機能を有する。
2個の導電体製のマイクロ波反射筒18,19が軸方向
に一部重なり合い、半径方向に離隔してそれぞれフラン
ジ15,16に固定されている。これらマイクロ波反射
筒18,19は、管内にモード変換器の回折損失等によ
り不所望に残る不要マイクロ波mが、絶縁筒14の方に
漏れ出るのを最小とする位置に置かれ、この不要マイク
ロ波mを内側に反射する機能を有する。
【0012】さらにまた、絶縁筒14の外周即ち大気側
には、この絶縁筒14を取り巻いてマイクロ波吸収体3
0が配置されている。この実施例におけるマイクロ波吸
収体30は、3個の円筒状マイクロ波吸収体21,2
2,23が、一方の軸方向の一部が他方に入り込み且つ
半径方向に相互に離隔して配設されている。これらマイ
クロ波吸収体は、例えば炭素や炭化硅素等からなり、各
フランジ15,16に交互に固着されている。一般的
に、炭素や炭化硅素等のマイクロ波吸収体は、比抵抗が
数Ω・cm〜数kΩ・cmの範囲のものであり、これは
絶縁体としての使用は不向きであるが、半径方向に交互
に離隔して配置することにより、耐電圧を損なうことな
くマイクロ波を吸収又は反射させることができる。すな
わち、動作時に絶縁筒14を不所望に透過し外部に漏れ
ようとする回折損失マイクロ波mは、マイクロ波吸収体
21,22,23に当り、一部は吸収され、一部は反射
され、その繰返しで減衰され、吸収される。なお、マイ
クロ波吸収体の数や形状、配置は、漏れマイクロ波の吸
収や反射回数を多くして外部に漏れないように選定する
ことができる。
には、この絶縁筒14を取り巻いてマイクロ波吸収体3
0が配置されている。この実施例におけるマイクロ波吸
収体30は、3個の円筒状マイクロ波吸収体21,2
2,23が、一方の軸方向の一部が他方に入り込み且つ
半径方向に相互に離隔して配設されている。これらマイ
クロ波吸収体は、例えば炭素や炭化硅素等からなり、各
フランジ15,16に交互に固着されている。一般的
に、炭素や炭化硅素等のマイクロ波吸収体は、比抵抗が
数Ω・cm〜数kΩ・cmの範囲のものであり、これは
絶縁体としての使用は不向きであるが、半径方向に交互
に離隔して配置することにより、耐電圧を損なうことな
くマイクロ波を吸収又は反射させることができる。すな
わち、動作時に絶縁筒14を不所望に透過し外部に漏れ
ようとする回折損失マイクロ波mは、マイクロ波吸収体
21,22,23に当り、一部は吸収され、一部は反射
され、その繰返しで減衰され、吸収される。なお、マイ
クロ波吸収体の数や形状、配置は、漏れマイクロ波の吸
収や反射回数を多くして外部に漏れないように選定する
ことができる。
【0013】さて、このような構成のジャイロトロン装
置の動作に際しては、コレクタ12が接地され、内側に
共振空胴部やマイクロ波反射伝送部を備える金属製真空
容器13に例えばプラス約50kVの電圧Ebが印加さ
れる。絶縁筒14は、この電圧に対して十分な電気的絶
縁を維持する。そして、管内に残る不要マイクロ波は、
絶縁筒14の内側に配置されているマイクロ波反射筒
や、外周に配置されているマイクロ波吸収体によって反
射又は吸収され、外部に漏洩することが抑制される。し
たがって、安全で高効率の動作が保証される。なお、絶
縁筒の外周に配置したマイクロ波吸収体は必要不可欠で
あるが、とくに上述の実施例のように、内側に配置した
マイクロ波反射筒と組合わせることにより、より一層確
実に不要マイクロ波の外部漏洩を抑制することができ
る。
置の動作に際しては、コレクタ12が接地され、内側に
共振空胴部やマイクロ波反射伝送部を備える金属製真空
容器13に例えばプラス約50kVの電圧Ebが印加さ
れる。絶縁筒14は、この電圧に対して十分な電気的絶
縁を維持する。そして、管内に残る不要マイクロ波は、
絶縁筒14の内側に配置されているマイクロ波反射筒
や、外周に配置されているマイクロ波吸収体によって反
射又は吸収され、外部に漏洩することが抑制される。し
たがって、安全で高効率の動作が保証される。なお、絶
縁筒の外周に配置したマイクロ波吸収体は必要不可欠で
あるが、とくに上述の実施例のように、内側に配置した
マイクロ波反射筒と組合わせることにより、より一層確
実に不要マイクロ波の外部漏洩を抑制することができ
る。
【0014】図3に示す実施例は、絶縁筒14の内側に
配置した一方のビーム上流側マイクロ波反射筒18を、
ビーム下流側即ちコレクタ側に次第に径小となる円錐筒
状とし且つ先端をカールしてコロナリング部18aとし
たものである。また、他方のマイクロ波反射筒19は、
逆にビーム上流側に次第に径小となる円錐筒状で、先端
にコロナリング部19aを形成したものである。そして
両反射筒18,19は、互いに途中まで軸方向の一部が
重なり且つ放電を生じない距離だけ半径方向に離して置
かれ、しかも内側の電子ビームeの主通路から絶縁筒1
4の内壁が直接見通せない位置関係で配置されている。
それによって、電子ビーム通路を含む管内に残る不要マ
イクロ波が直接絶縁筒に至りこの絶縁筒を通過して外部
に漏洩する不都合は、より一層確実に抑制される。
配置した一方のビーム上流側マイクロ波反射筒18を、
ビーム下流側即ちコレクタ側に次第に径小となる円錐筒
状とし且つ先端をカールしてコロナリング部18aとし
たものである。また、他方のマイクロ波反射筒19は、
逆にビーム上流側に次第に径小となる円錐筒状で、先端
にコロナリング部19aを形成したものである。そして
両反射筒18,19は、互いに途中まで軸方向の一部が
重なり且つ放電を生じない距離だけ半径方向に離して置
かれ、しかも内側の電子ビームeの主通路から絶縁筒1
4の内壁が直接見通せない位置関係で配置されている。
それによって、電子ビーム通路を含む管内に残る不要マ
イクロ波が直接絶縁筒に至りこの絶縁筒を通過して外部
に漏洩する不都合は、より一層確実に抑制される。
【0015】さらにこの実施例は、絶縁筒14の外周に
配置したマイクロ波吸収部材30として、両フランジ1
5,16のまわりに配置したアクリル樹脂やテフロン
(商品名)樹脂のような保護カバーを兼ねる円筒状絶縁
スペーサ26の外周に、らせん状に密着巻きした同じく
テフロンのような誘電体製の通水パイプ27の中に水の
ようなマイクロ波吸収性液体28を矢印のように循環さ
せる構成になっている。この実施例によれば、絶縁筒1
4を通して大気側に漏れる漏れマイクロ波は、密着巻き
されパイプ中の水に吸収されるので、より一層確実に外
部漏洩が防止される。なお、マイクロ波吸収性液体とし
ては、水以外の液体であってもよい。
配置したマイクロ波吸収部材30として、両フランジ1
5,16のまわりに配置したアクリル樹脂やテフロン
(商品名)樹脂のような保護カバーを兼ねる円筒状絶縁
スペーサ26の外周に、らせん状に密着巻きした同じく
テフロンのような誘電体製の通水パイプ27の中に水の
ようなマイクロ波吸収性液体28を矢印のように循環さ
せる構成になっている。この実施例によれば、絶縁筒1
4を通して大気側に漏れる漏れマイクロ波は、密着巻き
されパイプ中の水に吸収されるので、より一層確実に外
部漏洩が防止される。なお、マイクロ波吸収性液体とし
ては、水以外の液体であってもよい。
【0016】図4に示す実施例は、絶縁筒14の外周に
内周面が波状の凹凸を有する絶縁スペーサ26、及び誘
電体製の通水ジャケット29によりマイクロ波吸収部材
30を構成したものである。この通水ジャケット29に
水のようなマイクロ波吸収性の液体28を矢印のように
循環させるようにしてある。この実施例によれば、絶縁
筒の外周の両フランジ間に配置された通水ジャケット中
の水に、漏れマイクロ波がより一層確実に吸収される。
内周面が波状の凹凸を有する絶縁スペーサ26、及び誘
電体製の通水ジャケット29によりマイクロ波吸収部材
30を構成したものである。この通水ジャケット29に
水のようなマイクロ波吸収性の液体28を矢印のように
循環させるようにしてある。この実施例によれば、絶縁
筒の外周の両フランジ間に配置された通水ジャケット中
の水に、漏れマイクロ波がより一層確実に吸収される。
【0017】図5に示す実施例は、絶縁筒14の内側に
配置したマイクロ波反射筒18,19の外周壁面、及び
フランジ15,16の絶縁筒に対向する壁面に、マイク
ロ波吸収被膜18b,19b,15b,16bを付着形
成したものである。これによって、乱反射等により電子
ビーム路側から絶縁筒側に至る不要マイクロ波があって
も、その一部はマイクロ波吸収被膜に吸収されるので、
絶縁筒14を通過して管外に漏れ出る量を一層低減する
ことができる。
配置したマイクロ波反射筒18,19の外周壁面、及び
フランジ15,16の絶縁筒に対向する壁面に、マイク
ロ波吸収被膜18b,19b,15b,16bを付着形
成したものである。これによって、乱反射等により電子
ビーム路側から絶縁筒側に至る不要マイクロ波があって
も、その一部はマイクロ波吸収被膜に吸収されるので、
絶縁筒14を通過して管外に漏れ出る量を一層低減する
ことができる。
【0018】また、この実施例は、絶縁筒14の外周の
両フランジ15,16の間に絶縁体の円筒状ジャケット
31を図示しないパッキングにより液密に固定し、この
円筒状ジャケット31と絶縁筒14とで囲まれる空間に
マイクロ波吸収性を有する絶縁油32を矢印のように循
環させる構造のものである。なお、円筒状ジャケット3
1の内周壁面に、高抵抗のマイクロ波吸収被膜31aを
付着してあり、それによって、不要マイクロ波の外部漏
洩を一層確実に防止することができる。また、この実施
例によれば、絶縁筒14の外周面を絶縁油で覆う構成で
あるので、絶縁筒の耐電圧性能が増強され、したがって
また、それによって絶縁筒の軸方向寸法を短くしてジャ
イロトロン装置の長さを短縮することができる。
両フランジ15,16の間に絶縁体の円筒状ジャケット
31を図示しないパッキングにより液密に固定し、この
円筒状ジャケット31と絶縁筒14とで囲まれる空間に
マイクロ波吸収性を有する絶縁油32を矢印のように循
環させる構造のものである。なお、円筒状ジャケット3
1の内周壁面に、高抵抗のマイクロ波吸収被膜31aを
付着してあり、それによって、不要マイクロ波の外部漏
洩を一層確実に防止することができる。また、この実施
例によれば、絶縁筒14の外周面を絶縁油で覆う構成で
あるので、絶縁筒の耐電圧性能が増強され、したがって
また、それによって絶縁筒の軸方向寸法を短くしてジャ
イロトロン装置の長さを短縮することができる。
【0019】なお、以上の実施例は、マイクロ波反射体
が2個の導電体円筒を組合わせたものであるが、それに
限らず、1個や3個以上の円筒によって構成してもよ
い。或いはまた、他の形状や、例えば多数の短冊状の導
電体板をリング状に配列したもの等であってもよい。さ
らに、管外に配置するマイクロ波吸収体は、種々の公知
のマイクロ波吸収材を使用し得る。さらにまた、以上の
実施例のマイクロ波反射体やマイクロ波吸収体を適当に
組合わせた構造にしてもよい。
が2個の導電体円筒を組合わせたものであるが、それに
限らず、1個や3個以上の円筒によって構成してもよ
い。或いはまた、他の形状や、例えば多数の短冊状の導
電体板をリング状に配列したもの等であってもよい。さ
らに、管外に配置するマイクロ波吸収体は、種々の公知
のマイクロ波吸収材を使用し得る。さらにまた、以上の
実施例のマイクロ波反射体やマイクロ波吸収体を適当に
組合わせた構造にしてもよい。
【0020】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
コレクタの電位を低下させて動作させるための絶縁筒か
ら不要なマイクロ波が外部に漏洩するのをより確実に抑
制することができる。したがって、安全に高効率動作を
させることができる。
コレクタの電位を低下させて動作させるための絶縁筒か
ら不要なマイクロ波が外部に漏洩するのをより確実に抑
制することができる。したがって、安全に高効率動作を
させることができる。
【図1】この発明の一実施例に係るジャイロトロン装置
を示す縦断面図。
を示す縦断面図。
【図2】図1の要部を拡大して示す半縦断面図。
【図3】この発明の他の実施例を示す要部半縦断面図。
【図4】この発明のさらに他の実施例を示す要部半縦断
面図。
面図。
【図5】この発明のさらに他の実施例を示す要部半縦断
面図。
面図。
1…電子銃部、e…電子ビ−ム、3…共振空胴部、4…
モード変換器、6,7,8…高周波ミラ−、9…出力
部、11…マイクロ波反射伝送部、12…コレクタ、1
3…真空容器、14…絶縁筒、18,19…マイクロ波
反射体、30…マイクロ波吸収部材。
モード変換器、6,7,8…高周波ミラ−、9…出力
部、11…マイクロ波反射伝送部、12…コレクタ、1
3…真空容器、14…絶縁筒、18,19…マイクロ波
反射体、30…マイクロ波吸収部材。
フロントページの続き (72)発明者 春日井 敦 茨城県那珂郡那珂町大字向山801番地の1 日本原子力研究所那珂研究所内 (72)発明者 假家 強 栃木県大田原市下石上1385番の1 株式会 社東芝那須電子管工場内
Claims (4)
- 【請求項1】 電子銃部、共振空胴部、前記共振空胴部
から伝送されるマイクロ波を電子ビームの進行方向と異
なる方向に設けられたマイクロ波出力部に向けて反射及
び伝送する複数の高周波ミラーを備えるマイクロ波反射
伝送部、及び前記マイクロ波反射伝送部よりも電子ビー
ム下流に配置されたコレクタを具備し、前記マイクロ波
反射伝送部とコレクタとの間にこれらを電気的に絶縁し
且つ真空容器の一部を構成する絶縁筒が設けられてなる
ジャイロトロン装置において、 上記絶縁筒の外周にマイクロ波吸収部材が配置されてな
ることを特徴とするジャイロトロン装置。 - 【請求項2】 絶縁筒の内側に、電子ビーム通路を取り
巻くように導電体製のマイクロ波反射体が配置されてい
る請求項1記載のジャイロトロン装置。 - 【請求項3】 マイクロ波反射体は、電子ビーム通路か
ら絶縁筒が直接見通せない位置関係で配置されている請
求項2記載のジャイロトロン装置。 - 【請求項4】 マイクロ波吸収部材は、絶縁筒の外周を
取り巻いて配置されたパイプ又はジャケット内に供給さ
れたマイクロ波吸収性の液体である請求項1記載のジャ
イロトロン装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7180134A JPH08102263A (ja) | 1994-08-05 | 1995-07-17 | ジャイロトロン装置 |
US08/510,655 US5780969A (en) | 1994-08-05 | 1995-08-03 | Gyrotron apparatus including reflecting cylinders which provide undesired wave absorption |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18486894 | 1994-08-05 | ||
JP6-184868 | 1994-08-05 | ||
JP7180134A JPH08102263A (ja) | 1994-08-05 | 1995-07-17 | ジャイロトロン装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08102263A true JPH08102263A (ja) | 1996-04-16 |
Family
ID=26499769
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7180134A Pending JPH08102263A (ja) | 1994-08-05 | 1995-07-17 | ジャイロトロン装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5780969A (ja) |
JP (1) | JPH08102263A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009032759A1 (de) * | 2009-07-11 | 2011-01-27 | Karlsruher Institut für Technologie | Vorrichtung zur Vermeidung von parasitären Schwingungen in Elektronenstrahlröhren |
JP2014506712A (ja) * | 2011-01-21 | 2014-03-17 | イー2ヴイ テクノロジーズ (ユーケイ) リミテッド | 電子管 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6424090B1 (en) * | 1999-11-12 | 2002-07-23 | Gti | Modification of millimetric wavelength microwave beam power distribution |
JP2001338586A (ja) * | 2000-05-29 | 2001-12-07 | Japan Atom Energy Res Inst | モード変換器およびそれを備えたジャイロトロン装置 |
US8390200B2 (en) * | 2005-12-16 | 2013-03-05 | Shenggang Liu | Coaxial cavity gyrotron with two electron beams |
RU202819U1 (ru) * | 2020-06-08 | 2021-03-09 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Оротрон |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1035399A (en) * | 1964-07-10 | 1966-07-06 | English Electric Valve Co Ltd | Improvements in or relating to klystrons |
US3748513A (en) * | 1969-06-16 | 1973-07-24 | Varian Associates | High frequency beam tube having an r.f. shielded and insulated collector |
GB1398428A (en) * | 1972-10-11 | 1975-06-18 | English Electric Valve Co Ltd | Klystrons |
JPS5838904B2 (ja) * | 1974-04-20 | 1983-08-26 | 日本電気株式会社 | マイクロハカン |
CH664044A5 (de) * | 1984-10-02 | 1988-01-29 | En Physiquedes Plasmas Crpp Ce | Vorrichtung zur fuehrung eines elektronenstrahls. |
IT1200609B (it) * | 1985-04-04 | 1989-01-27 | Poli Ind Chimica Spa | Composizione farmaceutice per il trattamento delle turbe cerebrovascolari e del cervello anziano |
DE59006432D1 (de) * | 1990-01-15 | 1994-08-18 | Asea Brown Boveri | Quasi-optische Komponente für Mikrowellenstrahlung. |
JP2892151B2 (ja) * | 1990-11-27 | 1999-05-17 | 日本原子力研究所 | ジャイロトロン装置 |
JP3133379B2 (ja) * | 1991-06-19 | 2001-02-05 | 株式会社東芝 | ジャイロトロン発振管 |
-
1995
- 1995-07-17 JP JP7180134A patent/JPH08102263A/ja active Pending
- 1995-08-03 US US08/510,655 patent/US5780969A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009032759A1 (de) * | 2009-07-11 | 2011-01-27 | Karlsruher Institut für Technologie | Vorrichtung zur Vermeidung von parasitären Schwingungen in Elektronenstrahlröhren |
DE102009032759B4 (de) * | 2009-07-11 | 2011-12-15 | Karlsruher Institut für Technologie | Vorrichtung zur Vermeidung von parasitären Schwingungen in Elektronenstrahlröhren |
JP2014506712A (ja) * | 2011-01-21 | 2014-03-17 | イー2ヴイ テクノロジーズ (ユーケイ) リミテッド | 電子管 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5780969A (en) | 1998-07-14 |
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