JPH0793969A - 強誘電体容量素子 - Google Patents
強誘電体容量素子Info
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- JPH0793969A JPH0793969A JP5235330A JP23533093A JPH0793969A JP H0793969 A JPH0793969 A JP H0793969A JP 5235330 A JP5235330 A JP 5235330A JP 23533093 A JP23533093 A JP 23533093A JP H0793969 A JPH0793969 A JP H0793969A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
- H10D1/60—Capacitors
- H10D1/68—Capacitors having no potential barriers
- H10D1/692—Electrodes
- H10D1/696—Electrodes comprising multiple layers, e.g. comprising a barrier layer and a metal layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
- H10D1/60—Capacitors
- H10D1/68—Capacitors having no potential barriers
- H10D1/682—Capacitors having no potential barriers having dielectrics comprising perovskite structures
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- Semiconductor Memories (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、強誘電体容量素子を含む集積回路を
形成する工程における剥離や特性劣化を防止し、高信頼
性、且つ低コストで形成できる構造を有する強誘電体容
量素子を提供することを目的とする。 【構成】本発明は、Ｓｉ酸化物やガラス等からなる基板
１１の上にＴｉ等の接着層１２が形成され、その上層に
は、Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｇ，Ａｕ等のいずれかの貴金属から
なる下部電極１３、強誘電体膜１４、導電性酸化膜１
５、貴金属以外のＡｌ，Ａｌ合金、ＡｌＳｉ，ＡｌＮｉ
他、Ｎｉ合金、Ｃｕ合金、ＡｌＣｕ等の金属材料からな
る上部電極１６が積層形成された強誘電体容量素子であ
る。
形成する工程における剥離や特性劣化を防止し、高信頼
性、且つ低コストで形成できる構造を有する強誘電体容
量素子を提供することを目的とする。 【構成】本発明は、Ｓｉ酸化物やガラス等からなる基板
１１の上にＴｉ等の接着層１２が形成され、その上層に
は、Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｇ，Ａｕ等のいずれかの貴金属から
なる下部電極１３、強誘電体膜１４、導電性酸化膜１
５、貴金属以外のＡｌ，Ａｌ合金、ＡｌＳｉ，ＡｌＮｉ
他、Ｎｉ合金、Ｃｕ合金、ＡｌＣｕ等の金属材料からな
る上部電極１６が積層形成された強誘電体容量素子であ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、強誘電体からなる容量
素子を強誘電体メモリ及び半導体装置等への適用に関す
る。
素子を強誘電体メモリ及び半導体装置等への適用に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、強誘電体薄膜を用いた容量素子
（キャパシタ）を半導体からなるメモリ装置や電子デバ
イスに応用する技術等が公開されている。例えば、日経
エレクトロニクス誌“強誘電体セラミックスがＬＳＩに
載る”１９９２年５月２４日号（Ｎｏ．５８１）に詳し
く記載されている。
（キャパシタ）を半導体からなるメモリ装置や電子デバ
イスに応用する技術等が公開されている。例えば、日経
エレクトロニクス誌“強誘電体セラミックスがＬＳＩに
載る”１９９２年５月２４日号（Ｎｏ．５８１）に詳し
く記載されている。
【０００３】この強誘電体薄膜を容量素子として利用す
る場合には、その強誘電体薄膜の特性を効率よく利用す
ることが重要である。すなわち、強誘電体の残留分極を
大きく、誘電率は低く抑え、抗電圧を小さく、保持時間
を長く、且つ繰り返し分転に耐える等の特性を形成時に
持たせ、さらに、これらの特性をプロセスインテゲレ―
ションの中で変化させないようにする必要がある。
る場合には、その強誘電体薄膜の特性を効率よく利用す
ることが重要である。すなわち、強誘電体の残留分極を
大きく、誘電率は低く抑え、抗電圧を小さく、保持時間
を長く、且つ繰り返し分転に耐える等の特性を形成時に
持たせ、さらに、これらの特性をプロセスインテゲレ―
ションの中で変化させないようにする必要がある。
【０００４】その特性は、電極材料や界面状態、強誘電
体の結晶層、グレインの大きさ等によって変化する。特
に、電極に関しては図８（ａ）の積層構造に示すよう
に、ＳｉＯ2 基板１上の接着層（adhesive layer) ２を
介して、白金（Ｐｔ）からなる下部電極層３、強誘電体
薄膜４、白金（Ｐｔ）からなる上部電極層５が積層され
形成される。この形成工程で強誘電体薄膜４を酸素雰囲
気中で熱処理するために、電極材料には酸化されない白
金（Ｐｔ）、若しくは金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）
等が使われていた。
体の結晶層、グレインの大きさ等によって変化する。特
に、電極に関しては図８（ａ）の積層構造に示すよう
に、ＳｉＯ2 基板１上の接着層（adhesive layer) ２を
介して、白金（Ｐｔ）からなる下部電極層３、強誘電体
薄膜４、白金（Ｐｔ）からなる上部電極層５が積層され
形成される。この形成工程で強誘電体薄膜４を酸素雰囲
気中で熱処理するために、電極材料には酸化されない白
金（Ｐｔ）、若しくは金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）
等が使われていた。
【０００５】この電極材料を他金属、特に導電性の酸化
物への代替えの試みは、その物性や特性変化の点からも
研究され、例えば、ＩＴＯ（ＩｎＳｕＯ）等の電極材料
を用いれば、容量素子として組み込まれた強誘電体のヒ
ステレシス特性が向上する。すなわち、角形比を向上さ
せることも知られている。しかし、実際には具体的なメ
カニズムは解明されず、電子部品等への利用もない。
物への代替えの試みは、その物性や特性変化の点からも
研究され、例えば、ＩＴＯ（ＩｎＳｕＯ）等の電極材料
を用いれば、容量素子として組み込まれた強誘電体のヒ
ステレシス特性が向上する。すなわち、角形比を向上さ
せることも知られている。しかし、実際には具体的なメ
カニズムは解明されず、電子部品等への利用もない。
【０００６】さらに公知な提案として、例えば特開平２
−２４８０８９号公報には、電極としてペロブスカイト
型導電性酸化膜を拡散防止とする例や、特開平４−８５
８７８号公報には、ＩＴＯ等を電極として酸化時の酸素
の拡散防止の例が開示されている。また、特開平４−２
０６８６９号公報及び特開平４−３６７２１１号公報に
は、ＩＴＯ，ＲｕＯ等の導電性酸化物を電極に用いて結
晶性や特性を向上させる技術が提案されている。
−２４８０８９号公報には、電極としてペロブスカイト
型導電性酸化膜を拡散防止とする例や、特開平４−８５
８７８号公報には、ＩＴＯ等を電極として酸化時の酸素
の拡散防止の例が開示されている。また、特開平４−２
０６８６９号公報及び特開平４−３６７２１１号公報に
は、ＩＴＯ，ＲｕＯ等の導電性酸化物を電極に用いて結
晶性や特性を向上させる技術が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述した従来
構造の容量素子をＣＶＤ等により形成する場合に、雰囲
気ガスに用いられるＨ2 を添加した還元性のガス下で強
誘電体の特性が劣化すると問題があった。
構造の容量素子をＣＶＤ等により形成する場合に、雰囲
気ガスに用いられるＨ2 を添加した還元性のガス下で強
誘電体の特性が劣化すると問題があった。
【０００８】つまり、一般的なメモリ装置としては、Ｃ
ＭＯＳ又はＮＭＯＳ構造を基本とするＳｉ基板上に強誘
電体を図８（ｂ）に示すような積層構造が知られてお
り、これを例として説明する。
ＭＯＳ又はＮＭＯＳ構造を基本とするＳｉ基板上に強誘
電体を図８（ｂ）に示すような積層構造が知られてお
り、これを例として説明する。
【０００９】まず、ゲートとしてＳｉ基板上にパスゲー
ト型トランジスタで代表されるＭＯＳＦＥＴ６を形成す
る。次にこのゲートに接続するＰｔ電極−強誘電体薄膜
−Ｐｔ電極のメモリ容量７を形成し、さらに絶縁体から
なる保護膜（パッシベーション層）９を形成した後、第
３電極１０を形成する。
ト型トランジスタで代表されるＭＯＳＦＥＴ６を形成す
る。次にこのゲートに接続するＰｔ電極−強誘電体薄膜
−Ｐｔ電極のメモリ容量７を形成し、さらに絶縁体から
なる保護膜（パッシベーション層）９を形成した後、第
３電極１０を形成する。
【００１０】この形成工程において、形成されたＭＯＳ
ＦＥＴ６は、メモリ容量７を形成する際にプラズマ中の
荷電粒子や種々の形成工程における汚染にさらされる。
このためＶht のシフトすなわち、サブスレッシュホ―
ルド特性の劣化、リ―ク電流の増加が問題となってい
る。
ＦＥＴ６は、メモリ容量７を形成する際にプラズマ中の
荷電粒子や種々の形成工程における汚染にさらされる。
このためＶht のシフトすなわち、サブスレッシュホ―
ルド特性の劣化、リ―ク電流の増加が問題となってい
る。
【００１１】このため劣化した特性を改善するために、
Ｈ2 を２〜１０％の添加したＮ2 雰囲気ガス中で、例え
ば４００〜４５０℃で所定時間アニール処理を行う。し
かし、従来の強誘電体容量素子は、酸化膜と酸化物を作
らないＰｔ等の貴金属をベースとしている。通常、アニ
ール処理における雰囲気ガス（還元性ガス）中では、酸
化物は還元されて金属原子になる。
Ｈ2 を２〜１０％の添加したＮ2 雰囲気ガス中で、例え
ば４００〜４５０℃で所定時間アニール処理を行う。し
かし、従来の強誘電体容量素子は、酸化膜と酸化物を作
らないＰｔ等の貴金属をベースとしている。通常、アニ
ール処理における雰囲気ガス（還元性ガス）中では、酸
化物は還元されて金属原子になる。
【００１２】この場合、Ｐｔと強誘電体との界面近傍で
は結晶欠陥（酸素分子の欠乏等）が多数あり、この界面
にＨ2 分子が拡散し易くなっている。このため強誘電体
側が還元されて、その表面が金属化し、酸化物を作らな
いＰｔとその金属が界面で接合する。
は結晶欠陥（酸素分子の欠乏等）が多数あり、この界面
にＨ2 分子が拡散し易くなっている。このため強誘電体
側が還元されて、その表面が金属化し、酸化物を作らな
いＰｔとその金属が界面で接合する。
【００１３】すなわち、その接合部分には、Ｐｔと金属
による合金化等が作られないため、膜と膜との接着力が
極めて弱い。このため容量素子形成後の製作工程のう
ち、パッシベーション層９のバイアホールの開口部、上
部電極３や下部電極５が第３電極１０の形成時に、これ
らの膜の持つ強いストレスによって界面での剥離が生じ
る。この剥離はメモリセルを破壊するばかりでなく、界
面に空気層を作って電気特性に悪影響を与える。
による合金化等が作られないため、膜と膜との接着力が
極めて弱い。このため容量素子形成後の製作工程のう
ち、パッシベーション層９のバイアホールの開口部、上
部電極３や下部電極５が第３電極１０の形成時に、これ
らの膜の持つ強いストレスによって界面での剥離が生じ
る。この剥離はメモリセルを破壊するばかりでなく、界
面に空気層を作って電気特性に悪影響を与える。
【００１４】前述した各公報には、これらの問題を解決
できる内容の記載がない。そこで本発明は、強誘電体容
量素子を含む集積回路を形成する工程における剥離や特
性劣化を防止し、高信頼性、且つ低コストで形成できる
構造を有する強誘電体容量素子を提供することを目的と
する。
できる内容の記載がない。そこで本発明は、強誘電体容
量素子を含む集積回路を形成する工程における剥離や特
性劣化を防止し、高信頼性、且つ低コストで形成できる
構造を有する強誘電体容量素子を提供することを目的と
する。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、基板上に形成される貴金属からなる下部電
極と、前記下部電極上に形成される強誘電体からなる強
誘電体薄膜と、前記強誘電体膜上に形成される該強誘電
体膜よりも還元能が高い導電性酸化膜と、前記酸化物導
電性膜上に形成される貴金属以外の少なくとも１種類の
金属材料からなる上部電極とで構成される強誘電体容量
素子を提供する。
するために、基板上に形成される貴金属からなる下部電
極と、前記下部電極上に形成される強誘電体からなる強
誘電体薄膜と、前記強誘電体膜上に形成される該強誘電
体膜よりも還元能が高い導電性酸化膜と、前記酸化物導
電性膜上に形成される貴金属以外の少なくとも１種類の
金属材料からなる上部電極とで構成される強誘電体容量
素子を提供する。
【００１６】
【作用】以上のような構成の強誘電体容量素子は、電極
形成および／又は電極アロイ化プロセスにおける温度領
域で強誘電体薄膜を形成する酸化膜よりも還元能の高い
導電性を示す酸化物を貴金属以外の電極又は電極と強誘
電体薄膜との間に形成され、製作工程に置ける熱処理の
温度及び還元性のある雰囲気ガスによる強誘電体膜の特
性劣化、剥離が防止される。
形成および／又は電極アロイ化プロセスにおける温度領
域で強誘電体薄膜を形成する酸化膜よりも還元能の高い
導電性を示す酸化物を貴金属以外の電極又は電極と強誘
電体薄膜との間に形成され、製作工程に置ける熱処理の
温度及び還元性のある雰囲気ガスによる強誘電体膜の特
性劣化、剥離が防止される。
【００１７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。まず図１には本発明による強誘電体容量素
子の概念的な構造を示し説明する。この強誘電体容量素
子の構造は、Ｓｉ酸化物やガラス等からなる基板１１の
上にＴｉ等の接着層１２が形成され、その上層には、Ｐ
ｔ等の下部電極１３、強誘電体膜１４、導電性酸化膜１
５、貴金属以外の金属材料を用いた上部電極１６が積層
される。前記下部電極１３は酸化されない貴金属Ｐｔ，
Ｐｄ，Ａｇ，Ａｕからなる電極が好適する。一般的に、
半導体装置の電極としては、Ｐｔ，Ａｇ，Ａｕ等の貴金
属以外の電極であれば、Ａｌ，Ａｌ合金，ＡｌＳｉ，Ａ
ｌＮｉ他、Ｎｉ合金，Ｃｕ合金，ＡｌＣｕ等の金属が用
いられている。
に説明する。まず図１には本発明による強誘電体容量素
子の概念的な構造を示し説明する。この強誘電体容量素
子の構造は、Ｓｉ酸化物やガラス等からなる基板１１の
上にＴｉ等の接着層１２が形成され、その上層には、Ｐ
ｔ等の下部電極１３、強誘電体膜１４、導電性酸化膜１
５、貴金属以外の金属材料を用いた上部電極１６が積層
される。前記下部電極１３は酸化されない貴金属Ｐｔ，
Ｐｄ，Ａｇ，Ａｕからなる電極が好適する。一般的に、
半導体装置の電極としては、Ｐｔ，Ａｇ，Ａｕ等の貴金
属以外の電極であれば、Ａｌ，Ａｌ合金，ＡｌＳｉ，Ａ
ｌＮｉ他、Ｎｉ合金，Ｃｕ合金，ＡｌＣｕ等の金属が用
いられている。
【００１８】この強誘電体容量素子において、前記接着
層１２と下部電極１３は、ＤＣマグネトロンスパッタリ
ング又はＲＦスパッタリングを用いて、基板温度２０℃
〜２５０℃の範囲で１００〜３００ｎｍ厚で形成し、こ
の後５００℃〜８００℃酸素中でアニール処理する。ま
た強誘電体層１４は、ゲル・ソル法やＭＯＤ（有機金属
法）により、スピンコート法又はＭＯＣＶＤ法、スパッ
タリング法等で形成する。
層１２と下部電極１３は、ＤＣマグネトロンスパッタリ
ング又はＲＦスパッタリングを用いて、基板温度２０℃
〜２５０℃の範囲で１００〜３００ｎｍ厚で形成し、こ
の後５００℃〜８００℃酸素中でアニール処理する。ま
た強誘電体層１４は、ゲル・ソル法やＭＯＤ（有機金属
法）により、スピンコート法又はＭＯＣＶＤ法、スパッ
タリング法等で形成する。
【００１９】これらの材料としては、ペロブスカイト
系、チタン酸塩系、例えばＢａＴｉＯ3 ，（Ｂａ，Ｓ
ｒ）ＴｉＯ3 ，ＳｒＴｉＯ3 ，ＰｂＴｉＯ3 （ＰＴ），
Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 （ＰＺＴ），（Ｐｂ，Ｌａ）
（ＺｒＴｉ）Ｏ3 ，ニオブ酸塩系，例えばＰｂ（Ｍｇ
1/3 ，Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ，ＬｉＮｂ3 Ｏ，ＬｉＴａＯ3 ，
ＫＮｂＯ3 ，Ｋ（Ｔａ，Ｎｂ）Ｏ3 ，タングステン・ブ
ロンス系，例えば（Ｓｖ，Ｂａ）Ｎｂ2 Ｏ6 ，（Ｓｖ，
Ｂａ） 0.8ＲｘＮａ 0.4Ｎｂ2 Ｏ6 ，（Ｐｂ，ＢＡ）Ｎ
ｂ2 Ｏ6 ，（Ｋ，Ｓｒ）Ｎｂ2 Ｏ6 ，（Ｐｂ，Ｋ）Ｎｂ
2 Ｏ6 ，Ｂａ2 ＮａＮｂ5 Ｏ15，ＰＢＮ，ＫＳＮ，ＰＫ
Ｎ，ＢＮＮ，もしくはＢｉ系レイヤ―ドペロブスカイト
系が好適する。
系、チタン酸塩系、例えばＢａＴｉＯ3 ，（Ｂａ，Ｓ
ｒ）ＴｉＯ3 ，ＳｒＴｉＯ3 ，ＰｂＴｉＯ3 （ＰＴ），
Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 （ＰＺＴ），（Ｐｂ，Ｌａ）
（ＺｒＴｉ）Ｏ3 ，ニオブ酸塩系，例えばＰｂ（Ｍｇ
1/3 ，Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ，ＬｉＮｂ3 Ｏ，ＬｉＴａＯ3 ，
ＫＮｂＯ3 ，Ｋ（Ｔａ，Ｎｂ）Ｏ3 ，タングステン・ブ
ロンス系，例えば（Ｓｖ，Ｂａ）Ｎｂ2 Ｏ6 ，（Ｓｖ，
Ｂａ） 0.8ＲｘＮａ 0.4Ｎｂ2 Ｏ6 ，（Ｐｂ，ＢＡ）Ｎ
ｂ2 Ｏ6 ，（Ｋ，Ｓｒ）Ｎｂ2 Ｏ6 ，（Ｐｂ，Ｋ）Ｎｂ
2 Ｏ6 ，Ｂａ2 ＮａＮｂ5 Ｏ15，ＰＢＮ，ＫＳＮ，ＰＫ
Ｎ，ＢＮＮ，もしくはＢｉ系レイヤ―ドペロブスカイト
系が好適する。
【００２０】また製作工程に置ける熱処理は、強誘電体
膜１４の形成直後に酸素雰囲気中で、ＰＺＴ系では５０
０〜７００℃，Ｂｉ系では６００〜８５０℃の温度で行
う。次に導電性酸化膜１５（ＣＯ）を形成する。この材
料は、強誘電体膜１４よりも還元能の高いものが望まし
い。この還元能は、酸化能の逆数であり酸化のされ易さ
は、通常、酸化物の自由エネルギ（Free energy ）で決
まるが、これも（形成エンタルピー）−（温度）×（エ
ントロピィ）と温度と酸素Ｏ2 や水素Ｈ2 の分圧、且つ
強誘電体膜１４や導電性酸化膜１５の構成要素によって
決定されるため容易に自由エネルギのみでは決定され
ず、経験的な組み合せによる。
膜１４の形成直後に酸素雰囲気中で、ＰＺＴ系では５０
０〜７００℃，Ｂｉ系では６００〜８５０℃の温度で行
う。次に導電性酸化膜１５（ＣＯ）を形成する。この材
料は、強誘電体膜１４よりも還元能の高いものが望まし
い。この還元能は、酸化能の逆数であり酸化のされ易さ
は、通常、酸化物の自由エネルギ（Free energy ）で決
まるが、これも（形成エンタルピー）−（温度）×（エ
ントロピィ）と温度と酸素Ｏ2 や水素Ｈ2 の分圧、且つ
強誘電体膜１４や導電性酸化膜１５の構成要素によって
決定されるため容易に自由エネルギのみでは決定され
ず、経験的な組み合せによる。
【００２１】前記導電性酸化膜１５の材料として、ＰＺ
Ｔ，ＰＬＺＴ，ＰＢＮ，ＰＫＮ，Ｐｂ（ＭｇＮｂ）Ｏ，
ＰＴＯ等のＰｂを含むペロブスカイト系が用いられる場
合は、好ましくは、ＺｎＯ，Ａｌを０．５〜５ atomic
％含むＺｎＯ，又はＳｎＯ2,In2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ＋Ｓ
ｎＯ（５〜３０％含）又はＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，又は導
電性立方晶銅酸化物Ｃｕ6 Ｏ8 ・ＭＣ１ここでＭは、Ｉ
ｎ，Ｙ他の３価金属イオンを置換又はＡｇ5 Ｐｂ2 Ｏ6
等酸化物，（Ｓｔ，Ｌａ）ＣｕＯ2 ，ＰｒＢａＣｕＯ，
ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 等の超電導物質が好適する。
Ｔ，ＰＬＺＴ，ＰＢＮ，ＰＫＮ，Ｐｂ（ＭｇＮｂ）Ｏ，
ＰＴＯ等のＰｂを含むペロブスカイト系が用いられる場
合は、好ましくは、ＺｎＯ，Ａｌを０．５〜５ atomic
％含むＺｎＯ，又はＳｎＯ2,In2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ＋Ｓ
ｎＯ（５〜３０％含）又はＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，又は導
電性立方晶銅酸化物Ｃｕ6 Ｏ8 ・ＭＣ１ここでＭは、Ｉ
ｎ，Ｙ他の３価金属イオンを置換又はＡｇ5 Ｐｂ2 Ｏ6
等酸化物，（Ｓｔ，Ｌａ）ＣｕＯ2 ，ＰｒＢａＣｕＯ，
ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 等の超電導物質が好適する。
【００２２】一方、ＬｉＮｂＯ3 ，ＬｉＴａＯ3 ，（Ｓ
ｖ，Ｂａ）ＮｂＯ，（Ｐｂ，Ｋ）Ｎｂ2 Ｏ6 ，Ｂｉレイ
ヤ―ドペロブスカイト系では、その形成温度がきわめい
高いため、前述したＺｎＯ，ＳｎＯ2 ，ＩｎＯ3 ，ＩＴ
Ｏ，ＺｎＯ2 ，ＹＢＣＯ等の他に、ＲｕＯ2 ，酸化レニ
ウム，半導体化した強誘電体すなわち、ＳｒＴａＯ，Ｂ
ａＳｒＴｉＯ3 ，Ｂｉ系超伝導体（Ｂｉ−２２１２，Ｂ
ｉ2 Ｓｒ2 ＣａＣｕ2Ｏ8 ），Ｂｉ−２２０１，Ｂｉ−
２２２３，及びＴｌ2 Ｂａ2 Ｃａ1-x Ｎｄx Ｃｕ2 Ｏy
等が用いられる。
ｖ，Ｂａ）ＮｂＯ，（Ｐｂ，Ｋ）Ｎｂ2 Ｏ6 ，Ｂｉレイ
ヤ―ドペロブスカイト系では、その形成温度がきわめい
高いため、前述したＺｎＯ，ＳｎＯ2 ，ＩｎＯ3 ，ＩＴ
Ｏ，ＺｎＯ2 ，ＹＢＣＯ等の他に、ＲｕＯ2 ，酸化レニ
ウム，半導体化した強誘電体すなわち、ＳｒＴａＯ，Ｂ
ａＳｒＴｉＯ3 ，Ｂｉ系超伝導体（Ｂｉ−２２１２，Ｂ
ｉ2 Ｓｒ2 ＣａＣｕ2Ｏ8 ），Ｂｉ−２２０１，Ｂｉ−
２２２３，及びＴｌ2 Ｂａ2 Ｃａ1-x Ｎｄx Ｃｕ2 Ｏy
等が用いられる。
【００２３】この導電性酸化膜１５の形成温度は前記強
誘電体層１４の形成温度と同温若しくは、それより１０
０〜２００℃前後低温で処理する。その上にＰｔ，Ａ
ｇ，Ａｕ等の貴金属以外の電極１６、すなわち、Ａｌ，
Ａｌ合金，ＡｌＳｉ，ＡｌＮｉ，Ｎｉ，Ｎｉ合金，Ｃｕ
合金等の電極材料をＤＣマグネトロンスパッタリングを
用いて形成する。この後ＳＯＧやＰＳＧ等の酸化膜又
は、Ａｌ2 Ｏ3 やＳｉ3 Ｎ4 およびプラズマ中で作成さ
れるＰ−ＳｉＯ2 ，低温ＣＶＤで形成される酸化膜の単
独又は組み合せで行われる。この後開口部をＲＩＥ，イ
オンミリング，ウェットエッチング等で除去する。その
後、例えばＡｌ，Ａｌ合金，Ａｌ・Ｓｉ，Ａｌ・Ｎｉ，
Ｎｉ合金，ＡｌＣｕ合金又はＣｕ，Ｃｕ合金又はＴｉ，
Ｔａ，ＴｉＮ，ＴｉＷ等の単独又は重ね膜からなる第３
電極２６を形成する。
誘電体層１４の形成温度と同温若しくは、それより１０
０〜２００℃前後低温で処理する。その上にＰｔ，Ａ
ｇ，Ａｕ等の貴金属以外の電極１６、すなわち、Ａｌ，
Ａｌ合金，ＡｌＳｉ，ＡｌＮｉ，Ｎｉ，Ｎｉ合金，Ｃｕ
合金等の電極材料をＤＣマグネトロンスパッタリングを
用いて形成する。この後ＳＯＧやＰＳＧ等の酸化膜又
は、Ａｌ2 Ｏ3 やＳｉ3 Ｎ4 およびプラズマ中で作成さ
れるＰ−ＳｉＯ2 ，低温ＣＶＤで形成される酸化膜の単
独又は組み合せで行われる。この後開口部をＲＩＥ，イ
オンミリング，ウェットエッチング等で除去する。その
後、例えばＡｌ，Ａｌ合金，Ａｌ・Ｓｉ，Ａｌ・Ｎｉ，
Ｎｉ合金，ＡｌＣｕ合金又はＣｕ，Ｃｕ合金又はＴｉ，
Ｔａ，ＴｉＮ，ＴｉＷ等の単独又は重ね膜からなる第３
電極２６を形成する。
【００２４】このようにして得られた構造は、ＭＯＳ−
Ｔｒの特性を改善するために（Ｈ2＋Ｎ2 ）又はＮ2 ，
Ａｒガスによるアニール処理、すなわち酸素Ｏ2 を含ま
ない比較的還元性のあるガス雰囲気中における４００℃
〜５５０℃のアニ―ル処理でも、最初に導電性酸化膜層
の金属酸化物が還元されるのみで、強誘電体膜１４の特
性は劣化しない。また導電性酸化膜１５の還元は、導電
性をむしろ高める方向に働く。またＡｌ合金はもともと
界面に導電性のＡｌ2 Ｏ3 を作る傾向にあり、これを一
部還元されたとしても問題はない。このように還元性の
雰囲気であっても強誘電体膜１４の特性劣化がなく且つ
剥離がないことを確認した。
Ｔｒの特性を改善するために（Ｈ2＋Ｎ2 ）又はＮ2 ，
Ａｒガスによるアニール処理、すなわち酸素Ｏ2 を含ま
ない比較的還元性のあるガス雰囲気中における４００℃
〜５５０℃のアニ―ル処理でも、最初に導電性酸化膜層
の金属酸化物が還元されるのみで、強誘電体膜１４の特
性は劣化しない。また導電性酸化膜１５の還元は、導電
性をむしろ高める方向に働く。またＡｌ合金はもともと
界面に導電性のＡｌ2 Ｏ3 を作る傾向にあり、これを一
部還元されたとしても問題はない。このように還元性の
雰囲気であっても強誘電体膜１４の特性劣化がなく且つ
剥離がないことを確認した。
【００２５】次に図２には、本発明による第１実施例と
しての強誘電体容量素子とＭＯＳＦＥＴと組み合せる強
誘電体メモリ装置の概略的な構造を示し説明する。ここ
で、図２に示す構成部材で図１と同等の部材には、同じ
参照符号を付して、その説明を省略する。
しての強誘電体容量素子とＭＯＳＦＥＴと組み合せる強
誘電体メモリ装置の概略的な構造を示し説明する。ここ
で、図２に示す構成部材で図１と同等の部材には、同じ
参照符号を付して、その説明を省略する。
【００２６】この強誘電体メモリ装置は、大別してＭＯ
ＳＦＥＴ１７と、強誘電体容量素子１８とで構成され
る。前記ＭＯＳＦＥＴ１７は、ＳｉもしくはＧａＡｓの
基板１９の上方にソ―ス２０、ドレイン２１、ゲ―ト２
２が形成され、ＬＯＣＯＳ領域２３で電気的に分離さ
れ、それらを覆うＰＳＧ等のパッシベーション層２５で
形成される。
ＳＦＥＴ１７と、強誘電体容量素子１８とで構成され
る。前記ＭＯＳＦＥＴ１７は、ＳｉもしくはＧａＡｓの
基板１９の上方にソ―ス２０、ドレイン２１、ゲ―ト２
２が形成され、ＬＯＣＯＳ領域２３で電気的に分離さ
れ、それらを覆うＰＳＧ等のパッシベーション層２５で
形成される。
【００２７】このパッシベーション層２５上に形成され
た強誘電体容量素子１８の上部電極１６の一部が層間膜
２４から露出するように開口し、その上部電極１６に接
続する第３電極２６を形成する。
た強誘電体容量素子１８の上部電極１６の一部が層間膜
２４から露出するように開口し、その上部電極１６に接
続する第３電極２６を形成する。
【００２８】その後、ＭＯＳＦＥＴ１７の特性改善を図
るため、Ｈ2 ＋Ｎ2 混合ガスの雰囲気中で４００〜５０
０℃の熱処理を施す。この場合、強誘電体自体や界面が
還元に先立って、導電性酸化物１５が還元され、かつＡ
ｌ等からなる上部電極１６の界面に形成されるＡｌ2 Ｏ
3 は、容易に還元されないので、上部電極１６−導電性
酸化膜１５、導電性酸化膜１５−強誘電体膜１４自身の
特性に影響を与えず、剥離等の発生しない容量素子が形
成される。
るため、Ｈ2 ＋Ｎ2 混合ガスの雰囲気中で４００〜５０
０℃の熱処理を施す。この場合、強誘電体自体や界面が
還元に先立って、導電性酸化物１５が還元され、かつＡ
ｌ等からなる上部電極１６の界面に形成されるＡｌ2 Ｏ
3 は、容易に還元されないので、上部電極１６−導電性
酸化膜１５、導電性酸化膜１５−強誘電体膜１４自身の
特性に影響を与えず、剥離等の発生しない容量素子が形
成される。
【００２９】次に図３には本発明による第２実施例とし
ての強誘電体容量素子の構造を示し説明する。この第２
実施例は、強誘電体メモリ装置の強誘電体容量素子を取
り出して特徴部分を述べたものであり、全体の構成は図
２に示した強誘電体メモリ装置と同等である。ここで、
図３に示す構成部材で図２に示す部材と同等の部材には
同じ参照符号を付してその説明を省略する。
ての強誘電体容量素子の構造を示し説明する。この第２
実施例は、強誘電体メモリ装置の強誘電体容量素子を取
り出して特徴部分を述べたものであり、全体の構成は図
２に示した強誘電体メモリ装置と同等である。ここで、
図３に示す構成部材で図２に示す部材と同等の部材には
同じ参照符号を付してその説明を省略する。
【００３０】この強誘電体容量素子は、図２に示した強
誘電体容量素子の下部電極２７が２層からなり、下部に
Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｕ等からなる貴金属層２７ａと、上部に
導電性酸化膜（ＣＯ）２７ｂとを形成した例である。こ
の場合、下部電極２７ａは高温処理かつ酸素中の高温処
理に耐え得るために貴金属を用いている。その上層に強
誘電体膜１４、導電性酸化膜１５、上部電極１６を積層
する。
誘電体容量素子の下部電極２７が２層からなり、下部に
Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｕ等からなる貴金属層２７ａと、上部に
導電性酸化膜（ＣＯ）２７ｂとを形成した例である。こ
の場合、下部電極２７ａは高温処理かつ酸素中の高温処
理に耐え得るために貴金属を用いている。その上層に強
誘電体膜１４、導電性酸化膜１５、上部電極１６を積層
する。
【００３１】このような場合に、導電性酸化膜２７ｂは
強誘電体膜１４を強誘電体結晶層とするための熱処理温
度よりも高温であっても耐え得る必要があり、材料とし
ては、ＴｉＯ2 ，ＺｎＯ2 ，ＲｕＯ2 ，酸化レニウムの
他に（Ｓｒ，Ｌａ）ＣｕＯ2，ＰｒＢａＣｕＯ，ＹＢａ2
Ｃｕ3 Ｏ7-x ，（Ｂｉ−２２１２，Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ
Ｃｕ2 Ｏ8 ）やＢｉ２２０１，Ｂｉ２２２３等のＢｉ系
超伝導体，Ｔｌ2 Ｂａ2 Ｃａ1-x Ｎｄx Ｃｕ2 Ｏy 等が
好適する。
強誘電体膜１４を強誘電体結晶層とするための熱処理温
度よりも高温であっても耐え得る必要があり、材料とし
ては、ＴｉＯ2 ，ＺｎＯ2 ，ＲｕＯ2 ，酸化レニウムの
他に（Ｓｒ，Ｌａ）ＣｕＯ2，ＰｒＢａＣｕＯ，ＹＢａ2
Ｃｕ3 Ｏ7-x ，（Ｂｉ−２２１２，Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ
Ｃｕ2 Ｏ8 ）やＢｉ２２０１，Ｂｉ２２２３等のＢｉ系
超伝導体，Ｔｌ2 Ｂａ2 Ｃａ1-x Ｎｄx Ｃｕ2 Ｏy 等が
好適する。
【００３２】次に図４には、本発明による第３実施例と
しての強誘電体容量素子の構造を示し説明する。この第
３実施例は、基本的な構造は図３の示す第２実施例と同
一であり、導電性酸化膜１５の上部に高融点金属膜２８
を形成したものである。この場合、高融点金属膜２８を
適当に選ぶことにより、上部電極１６の材料の適用範囲
を広げることができる。例えば導電性酸化膜２７ｂにＢ
ｉ2 Ｓｒ2 ＣａＣｕ2 Ｏ8 を用い、強誘電体膜１４にＢ
ｉ層状化合物を用いた場合には、導電性酸化膜１５にＡ
ｌド―プＺｎＯを用いると、高融点金属膜２８にはＴｉ
ＮやＴｉ，ＴｉＷ等を用い、且つ上部電極１５には、Ａ
ｌやＡｌＳｉ，ＡｌＣｕＳｉ等の自由な組み合せができ
る。これはＴｉＮ，Ｔｉ，ＴｉＷが接着層としても有効
であり、また上部電極１６及び高融点金属膜２８を第３
電極として、他の素子との間を結ぶ場合も有効である。
しての強誘電体容量素子の構造を示し説明する。この第
３実施例は、基本的な構造は図３の示す第２実施例と同
一であり、導電性酸化膜１５の上部に高融点金属膜２８
を形成したものである。この場合、高融点金属膜２８を
適当に選ぶことにより、上部電極１６の材料の適用範囲
を広げることができる。例えば導電性酸化膜２７ｂにＢ
ｉ2 Ｓｒ2 ＣａＣｕ2 Ｏ8 を用い、強誘電体膜１４にＢ
ｉ層状化合物を用いた場合には、導電性酸化膜１５にＡ
ｌド―プＺｎＯを用いると、高融点金属膜２８にはＴｉ
ＮやＴｉ，ＴｉＷ等を用い、且つ上部電極１５には、Ａ
ｌやＡｌＳｉ，ＡｌＣｕＳｉ等の自由な組み合せができ
る。これはＴｉＮ，Ｔｉ，ＴｉＷが接着層としても有効
であり、また上部電極１６及び高融点金属膜２８を第３
電極として、他の素子との間を結ぶ場合も有効である。
【００３３】次に図５には、本発明による第４実施例と
しての強誘電体容量素子の構造を示し説明する。この第
４実施例は、基本的な構造は図３に示した第２実施例と
同一であり、特徴部分を述べるものである。
しての強誘電体容量素子の構造を示し説明する。この第
４実施例は、基本的な構造は図３に示した第２実施例と
同一であり、特徴部分を述べるものである。
【００３４】この強誘電体容量素子は、下部電極２７は
導電性酸化膜のみで形成されている。この構成を例え
ば、下部電極２７をＢｉ2 Ｓｒ2 ＣａＣｕ2 Ｏ7 、強誘
電体膜１４をＢｉ層状化合物、導電性酸化膜１５をＡｌ
ドープＺｎＯ、上部電極１６をＡｌ化合物で形成する。
導電性酸化膜のみで形成されている。この構成を例え
ば、下部電極２７をＢｉ2 Ｓｒ2 ＣａＣｕ2 Ｏ7 、強誘
電体膜１４をＢｉ層状化合物、導電性酸化膜１５をＡｌ
ドープＺｎＯ、上部電極１６をＡｌ化合物で形成する。
【００３５】また基板２９にＳｉＯ2 等を用いた場合
で、下部電極２７が必らずしも良好な結晶状態にならな
い時に、下部電極２７を比較的高温で形成すると、内部
の自由キャリアにより金属的になり、より密着力及び結
晶性が増加する。
で、下部電極２７が必らずしも良好な結晶状態にならな
い時に、下部電極２７を比較的高温で形成すると、内部
の自由キャリアにより金属的になり、より密着力及び結
晶性が増加する。
【００３６】また前記Ｂｉ系の強誘電体膜１４は、Ｓｉ
Ｏ2 の上でもクラックがはいらず、きわめて高温８００
〜８５０℃の処理後でも、きわめて平坦性の良い多結晶
体が得られることを見いだしており、下部電極２７にＢ
ｉ系超電導体、強誘電体膜１４にＢｉ系層状化合物を用
いると最も秀れた効果が得られる。
Ｏ2 の上でもクラックがはいらず、きわめて高温８００
〜８５０℃の処理後でも、きわめて平坦性の良い多結晶
体が得られることを見いだしており、下部電極２７にＢ
ｉ系超電導体、強誘電体膜１４にＢｉ系層状化合物を用
いると最も秀れた効果が得られる。
【００３７】次に図６には、本発明による第５実施例と
しての強誘電体容量素子の構造を示し説明する。この第
５実施例は、基本的な構造は図３に示した第２実施例と
同一であり、特徴部分を述べるものである。
しての強誘電体容量素子の構造を示し説明する。この第
５実施例は、基本的な構造は図３に示した第２実施例と
同一であり、特徴部分を述べるものである。
【００３８】この強誘電体容量素子は、金属からなる上
部電極１６は形成せず、導電性酸化膜２７ａ，１５で強
誘電体膜１４を挟んで構成する例である。次に図７に
は、本発明による第６実施例としての強誘電体容量素子
の構造を示し説明する。ここで第６実施例の構成部材で
図２の構成部材と同等の部材には、同じ参照符号を付し
てその説明を省略する。
部電極１６は形成せず、導電性酸化膜２７ａ，１５で強
誘電体膜１４を挟んで構成する例である。次に図７に
は、本発明による第６実施例としての強誘電体容量素子
の構造を示し説明する。ここで第６実施例の構成部材で
図２の構成部材と同等の部材には、同じ参照符号を付し
てその説明を省略する。
【００３９】この第６実施例は、強誘電体容量素子を前
述した第５実施例の下部電極（導電性酸化膜２７ａ）２
７−強誘電体膜１４−上部電極（導電性酸化膜）１５の
構造に形成した後、その上層に保護膜２４をＳＯＧやＢ
ＰＳＧ，Ｐ−ＳｉＯ2 等の方法にて形成する。そしてＭ
ＯＳ１７のドレイン２１、強誘電体容量素子の下部電極
２７、上部電極１５の一部を露出するようにコンタクト
ホールを開口した後、ドレイン２１と下部電極２７を接
続する、若しくは上部電極を取り出すための第３電極２
６を形成する。
述した第５実施例の下部電極（導電性酸化膜２７ａ）２
７−強誘電体膜１４−上部電極（導電性酸化膜）１５の
構造に形成した後、その上層に保護膜２４をＳＯＧやＢ
ＰＳＧ，Ｐ−ＳｉＯ2 等の方法にて形成する。そしてＭ
ＯＳ１７のドレイン２１、強誘電体容量素子の下部電極
２７、上部電極１５の一部を露出するようにコンタクト
ホールを開口した後、ドレイン２１と下部電極２７を接
続する、若しくは上部電極を取り出すための第３電極２
６を形成する。
【００４０】この実施例において、下部電極（導電性酸
化膜２７ａ）２７−強誘電体膜１４−上部電極（導電性
酸化膜）１５による構造の容量素子は、全て酸化物で構
成しているため、基板２９となるＳｉＯ2 に対して、き
わめて強い接着力があり、さらに熱処理（雰囲気ガスを
含む）に対する安定性が高い。この後、通常の製作工程
にて、例えばＡｌからなる電極や配線を形成し、メモリ
装置を製作する。
化膜２７ａ）２７−強誘電体膜１４−上部電極（導電性
酸化膜）１５による構造の容量素子は、全て酸化物で構
成しているため、基板２９となるＳｉＯ2 に対して、き
わめて強い接着力があり、さらに熱処理（雰囲気ガスを
含む）に対する安定性が高い。この後、通常の製作工程
にて、例えばＡｌからなる電極や配線を形成し、メモリ
装置を製作する。
【００４１】以上のように本実施例の強誘電体容量素子
は、ＭＯＳＦＥＴなどの他の駆動素子と同一基板に形成
する際に生じる剥離や結晶欠陥の発生を防ぎ、高信頼性
で、且つ低コストで形成することができる。従って、高
密度の不揮発性メモリを高信頼，低コストで製造でき
る。また本発明は、前述した実施例に限定されるもので
はなく、他にも発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変
形や応用が可能であることは勿論である。
は、ＭＯＳＦＥＴなどの他の駆動素子と同一基板に形成
する際に生じる剥離や結晶欠陥の発生を防ぎ、高信頼性
で、且つ低コストで形成することができる。従って、高
密度の不揮発性メモリを高信頼，低コストで製造でき
る。また本発明は、前述した実施例に限定されるもので
はなく、他にも発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変
形や応用が可能であることは勿論である。
【００４２】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、強
誘電体容量素子を含む集積回路を形成する工程における
剥離や特性劣化を防止し、高信頼性、且つ低コストで形
成できる構造を有する強誘電体容量素子を提供すること
ができる。
誘電体容量素子を含む集積回路を形成する工程における
剥離や特性劣化を防止し、高信頼性、且つ低コストで形
成できる構造を有する強誘電体容量素子を提供すること
ができる。
【図１】本発明による強誘電体容量素子の概念的な構造
を示す図である。
を示す図である。
【図２】本発明による第１実施例としての強誘電体容量
素子とＭＯＳＦＥＴと組み合せる強誘電体メモリ装置の
概略的な構造を示す図である。
素子とＭＯＳＦＥＴと組み合せる強誘電体メモリ装置の
概略的な構造を示す図である。
【図３】本発明による第２実施例としての強誘電体容量
素子の構造を示す図である。
素子の構造を示す図である。
【図４】本発明による第３実施例としての強誘電体容量
素子の構造を示す図である。
素子の構造を示す図である。
【図５】本発明による第４実施例としての強誘電体容量
素子の構造を示す図である。
素子の構造を示す図である。
【図６】本発明による第５実施例としての強誘電体容量
素子の構造を示す図である。
素子の構造を示す図である。
【図７】本発明による第６実施例としての強誘電体容量
素子の構造を示す図である。
素子の構造を示す図である。
【図８】従来の強誘電体薄膜用いた容量素子の構造を示
す図である。
す図である。
１…ＳｉＯ2 基板、２，１２…接着層（adhesive laye
r) 、３，１３，２７…下部電極層、４，１４…強誘電
体薄膜、５，１６…上部電極層、６，１７…ＭＯＳＦＥ
Ｔ、７，１８…メモリ素子、８…絶縁層、９，２４…パ
ッシベーション層、１０，２６…第３電極、１１，１
９，２９…基板、１５，２７ｂ…導電性酸化膜、１９…
ＳｉもしくはＧａＡｓの基板、２０…ソ―ス、２１…ド
レイン、２２…ゲ―ト、２３…ＬＯＣＯＳ領域、２７…
貴金属層、２８…高融点金属膜。
r) 、３，１３，２７…下部電極層、４，１４…強誘電
体薄膜、５，１６…上部電極層、６，１７…ＭＯＳＦＥ
Ｔ、７，１８…メモリ素子、８…絶縁層、９，２４…パ
ッシベーション層、１０，２６…第３電極、１１，１
９，２９…基板、１５，２７ｂ…導電性酸化膜、１９…
ＳｉもしくはＧａＡｓの基板、２０…ソ―ス、２１…ド
レイン、２２…ゲ―ト、２３…ＬＯＣＯＳ領域、２７…
貴金属層、２８…高融点金属膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 14/08 Ｎ 9271−4Ｋ Ｈ０１Ｌ 27/04 21/822 21/8242 27/108 27/10 ４５１ 7210−4Ｍ 39/02 ＺＡＡ Ｂ 9276−4Ｍ
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に形成される貴金属からなる下部
電極と、 前記下部電極上に形成される強誘電体からなる強誘電体
薄膜と、 前記強誘電体膜上に形成される該強誘電体膜よりも還元
能が高い導電性酸化膜と、 前記酸化物導電性膜上に形成される貴金属以外の少なく
とも１種類の金属材料からなる上部電極とで構成される
強誘電体容量素子。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP5235330A JPH0793969A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 強誘電体容量素子 |
| US08/308,647 US5471363A (en) | 1993-09-22 | 1994-09-19 | Ferroelectric capacitive element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5235330A JPH0793969A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 強誘電体容量素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0793969A true JPH0793969A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=16984514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5235330A Pending JPH0793969A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 強誘電体容量素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| JP (1) | JPH0793969A (ja) |
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- 1994-09-19 US US08/308,647 patent/US5471363A/en not_active Expired - Fee Related
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