JPH07326756A

JPH07326756A - 薄膜トランジスタおよびその製造方法

Info

Publication number: JPH07326756A
Application number: JP11699494A
Authority: JP
Inventors: Mitsuru Hirose; 満広瀬; Kiyonari Tanaka; 聖也田中; Shirou Sakujima; 史朗作島
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1994-05-30
Filing date: 1994-05-30
Publication date: 1995-12-12

Abstract

(57)【要約】（修正有）【構成】非晶質半導体膜の一方側にゲート絶縁膜とゲ
ート電極を設け、この非晶質半導体膜の他方側にソース
電極とドレイン電極を分離して設けた薄膜トランジスタ
において、前記非晶質半導体膜のソース電極およびドレ
イン電極側に、厚みが５〜２０Åの窒化シリコン膜から
成るバリヤ層を設けた。【効果】上記のような構造としたことにより、ソース
およびドレイン電極および薄膜絶縁層および非晶質半導
体膜からなるＭＩＳトンネルダイオードが形成され良好
なコンタクトが得られる。またソース電極およびドレイ
ン電極の下に窒化シリコン膜から成るバリヤ層を形成す
ることから、電極から半導体への金属の拡散を防止でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は薄膜トランジスタおよび
その製造方法に関し、例えばアクティブマトリックス型
液晶表示装置などのスイッチング素子として好適に用い
られる薄膜トランジスタおよびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術および発明が解決しようとする課題】アク
ティブマトリックス型液晶表示装置などのスイッチング
素子に使用される薄膜トランジスタは、チャネルエッチ
ング型とチャネルストッパ型に大別される。

【０００３】以下、図面を参照しながら、これらの薄膜
トランジスタを説明する。図６に、チャネルエッチング
型薄膜トランジスタの断面図を示す。ガラスなどの絶縁
性基板１上に、金属薄膜よりなるゲート電極２を設け
る。このゲート電極２上にゲート絶縁膜３を設け、さら
にゲート電極２の上部にゲート絶縁膜３を介し非晶質シ
リコンなどから成る非晶質半導体膜４を形成する。この
非晶質半導体膜４上には、オーミックコンタクトをとる
ために、半導体用不純物が高濃度に添加されたコンタク
ト層５、６を形成し、このコンタクト層５、６上に、電
流を取り出すためのソース電極７とドレイン電極８を設
ける。

【０００４】このチャネルエッチング型薄膜トランジス
タでは、ソース・ドレイン電極７、８とコンタクト層
５、６をエッチングして分離する際に、下地の非晶質半
導体膜４の表面がエッチング液またはエッチングガスに
晒され、ダメージや膜厚減少により特性劣化が生じると
いう問題があった。一方、コンタクト層５、６のエッチ
ングが不充分であると、ソース電極７とドレイン電極８
間のリークが大きくなり、トランジスタのオン電流とオ
フ電流の比を充分に大きくできないという問題があっ
た。したがって、半導体用不純物を高濃度に含有する半
導体層をコンタクト層５、６として用いる場合、非晶質
半導体膜４を３０００Å以上の厚さにしなければならな
い。

【０００５】このような問題を解決するために、半導体
用不純物を高濃度に含有したコンタクト層５、６に代え
て、マグネシウム（Ｍｇ）やその合金をコンタクト層
５、６として用いることが提案されている（例えば特公
平５−７８１９２号公報参照）。すなわち非晶質半導体
層４上に、マグネシウムから成るソース電極７とドレイ
ン電極８を形成すると、非晶質半導体層４とマグネシウ
ム層との間に、マグネシウムシリサイド（ＭｇＳｉ）か
ら成るコンタクト層５、６が形成される。このマグネシ
ウムシリサイドは、エッチングの際に非晶質半導体膜４
との間に選択性を持たせることができる。

【０００６】ところが、ソース電極７とドレイン電極８
にマグネシウムを用いる場合、パターン形成が困難であ
ると共に、マグネシウムと非晶質半導体との電位障壁が
低いため、ホール電導が抑えられずに薄膜トランジスタ
のオフ電流が上昇し、オフ状態での電気電導が問題とな
っていた。

【０００７】図７にチャネルストッパー型薄膜トランジ
スタの断面図を示す。ガラスなどの絶縁性基板１上に、
金属薄膜よりなるゲート電極２を形成する。このゲート
電極２上にゲート絶縁膜３を形成し、さらにゲート電極
２の上部にはゲート絶縁膜３を介して非晶質半導体膜４
を形成する。この非晶質半導体膜４には上部のソース電
極７およびドレイン電極８などをエッチングする際に非
晶質半導体膜４がダメージを受けないようにするための
窒化シリコン膜などから成るエッチング用保護膜９を形
成する。このエッチング用保護膜９に非晶質半導体膜４
とコンタクト層５、６が接触できるように孔９ａ、９ｂ
を開け、さらにこのコンタクト層５、６上にソース電極
７とドレイン電極８を形成する。

【０００８】ところが、このチャネルストッパー型薄膜
トランジスタでは、窒化シリコン膜などから成るエッチ
ング用保護膜９を形成してパターニングした後に、コン
タクト層５、６を形成しなければならず、成膜工程が極
めて煩雑になると共に、孔９ａ、９ｂ部分で露出する非
晶質半導体膜４を厳密に洗浄した後でなければ、コンタ
クト層５、６を形成できないとう問題もあった。

【０００９】図８に従来の薄膜トランジスタの電流・電
圧特性を示す。ゲート電圧０〜２０Ｖ間での立ち上がり
特性が悪いことが判る。

【００１０】本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みて
なされたものであり、ソース電極とドレイン電極を分離
する際に、非晶質半導体膜がオーバーエッチングされる
ことのない薄膜トラジスタを提供することを目的とす
る。

【００１１】またコンタク層に使用される半導体用不純
物で非晶質半導体膜が汚染されることのない薄膜トラン
ジスタを提供することを目的とする。

【００１２】またソース電極およびドレイン電極に用い
る金属材料で非晶質半導体膜が汚染されることを防止
し、トランジスタのオフ電流の上昇を抑えることを目的
とする。

【００１３】さらに製造工程の煩雑化を防止した薄膜ト
ランジスタを提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載した薄膜トランジスタは、非晶質半
導体膜の一方側にゲート絶縁膜とゲート電極を設け、こ
の非晶質半導体膜の他方側にソース電極とドレイン電極
を分離して設けた薄膜トランジスタにおいて、前記非晶
質半導体膜の他方側に、厚みが５〜５０Åの窒化シリコ
ン膜または炭化シリコン膜から成るバリヤ層を設けた。

【００１５】また請求項３に記載した薄膜トランジスタ
の製造方法では、基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁
膜、非晶質半導体膜、厚みが５〜２０Åの酸化シリコン
膜から成るバリヤ層、およびソース電極とドレイン電極
を順次積層して形成する薄膜トランジスタの製造方法に
おいて、前記バリヤ層を前記非晶質半導体膜に紫外線ま
たはオゾンを照射することにより形成する。

【００１６】さらに請求項４に記載した薄膜トランジス
タの製造方法では、基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁
膜、非晶質半導体膜、窒化シリコン膜、炭化シリコン膜
または酸化シリコン膜から成るバリヤ層を順次積層して
形成すると共に、このバリヤ層上に金属薄膜を形成し
て、この金属薄膜を分離することによりソース電極とド
レイン電極を形成する薄膜トランジスタの製造方法にお
いて、前記金属薄膜を分離する際に、塩素を含むエッチ
ングガスを用いたガスプラズマによりエッチングする。

【００１７】

【作用】上記のように非晶質半導体膜のソース電極およ
びドレイン電極側に、厚みが５〜５０Åの窒化シリコン
膜または炭化シリコン膜から成るバリヤ層を設けると、
トンネル効果等を利用したコンタクトをとることがで
き、トランジスタ特性の向上した薄膜トランジスタとな
る。

【００１８】また、この窒化シリコン膜または炭化シリ
コン膜から成るバリヤ層は、ソース電極とドレイン電極
を分離する際のエッチング用保護膜となり、非晶質半導
体膜がオーバーエッチングされることもない。

【００１９】また、半導体用不純物を高濃度に含有する
コンタクト層を設けないことから、この半導体用不純物
で非晶質半導体膜が汚染されることもない。

【００２０】また、ソース電極およびドレイン電極に用
いる金属材料はバリヤ層でブロックされ、このソース電
極およびドレイン電極の金属材料で非晶質半導体膜が汚
染されることはなく、トランジスタのオフ電流の上昇を
抑えることができると共に、非晶質半導体膜とソース電
極およびドレイン電極の間にバリヤ層が存在するため、
アルミニムや銅など非晶質半導体膜に悪影響を与える金
属でも、Ｔｉなどの高融点金属を介さずにソース電極お
よびドレイン電極として使用でき、あるいはＩＴＯなど
非晶質半導体膜を酸化する恐れのある透明導電膜でも使
用できる。

【００２１】さらに、コンタクト層やエッチング用保護
膜を格別に形成する必要はなく、製造工程が簡略化され
た薄膜トランジスタの製造方法となる。

【００２２】

【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づき詳
細に説明する。図１は、本発明に係る薄膜トランジスタ
の一実施例を示す断面図であり、１は基板、２はゲート
電極、３はゲート絶縁膜、４は非晶質半導体膜、７はソ
ース電極、８はドレイン電極、１０はバリヤ層である。

【００２３】基板１は、例えばほう珪酸ガラスなどの絶
縁性基板から成る。この基板１上の一部には、ゲート電
極２が形成される。このゲート電極２は、例えば一層目
を窒化ニオブ（ＮｂＮ）とし二層目をタンタル（Ｔａ）
としたり、一層目を窒化タンタル（ＴａＮ）とし二層目
をタンタルとしたり、一層目をチタン（Ｔｉ）とし二層
目をアルムニウム（Ａｌ）としたり、モリブデン（Ｍ
ｏ）やクロム（Ｃｒ）の単層とすることができる。この
ゲート電極は５００〜１５００Å程度の厚みに形成され
る。

【００２４】このゲート電極２上には、ゲート電極２を
覆ってゲート絶縁膜３が形成される。ゲート絶縁膜３
は、例えば酸化タンタル膜（ＴａＯ_X）、酸化シリコン
膜（ＳｉＯ_X）、窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）、あるい
はこれらの積層膜などから成る。このゲート絶縁膜３
は、２０００〜４０００Å程度の厚みに形成される。

【００２５】このゲート絶縁膜３上の一部には、非晶質
半導体膜４が形成される。非晶質半導体膜４は、例えば
非晶質シリコンなどから成る。この非晶質半導体膜４
は、例えば１００〜３０００Å程度の厚みに形成すれば
よい。ソース電極７およびドレイン電極８をエチングし
て分離する際には、バリヤ層１０が保護膜となることか
ら、非晶質半導体膜４がオーバーエッチングされること
を考慮した厚みに形成する必要はない。

【００２６】また非晶質半導体膜４に、Ｐ、Ｎ、Ｏまた
はＡｓなどの半導体用不純物またはＢやＡｌなどの半導
体用不純物を添加して電気伝導率を１×１０^-5（Ωｃ
ｍ）^-1以下とすることが望ましい。すなわち、非晶質半
導体膜４に半導体用不純物を添加して、その電気伝導率
を１×１０^-5（Ωｃｍ）^-1以下とすると、非晶質半導体
膜４とソース・ドレイン電極７、８の電位障壁が小さく
なり、トランジスタのオン状態で満足な特性を得ること
ができると共に、ノンドープの非晶質半導体膜４では用
いることができないチタン（Ｔｉ）よりも電位障壁の大
きな金属も使用できるようになる。例えば非晶質半導体
膜４にの成膜時の反応ガスの流量比（ＰＨ₃／Ｓｉ
Ｈ₄）を１ｐｐｍとすることで、電気伝導率は、４×１
０^-8・（Ωｃｍ）^-1になる。

【００２７】なお、半導体用不純物を非晶質半導体膜４
の全体に添加する場合に限らず、半導体用不純物を非晶
質半導体膜４のソース・ドレイン電極７、８側のみに添
加してもよい。また、半導体用不純物を添加した非晶質
半導体膜と半導体用不純物を添加しない非晶質半導体膜
の二層構造としてもよい。

【００２８】この非晶質半導体膜４上には、バリヤ層１
０が形成される。バリヤ層１０は、厚みが５〜５０Åの
窒化シリコン膜（ＳｉＮ_X）、炭化シリコン膜（ＳｉＣ
_x）あるいは酸化シリコン膜（ＳｉＯ_X）などの絶縁膜
から成る。このバリヤ層１０は、プラズマＣＶＤ法で形
成したり、窒化シリコン膜を形成する場合は、非晶質半
導体膜４上をＮＨ₃、ＣＨ₄、Ｎ₂などのプラズマに晒
して変質させることにより形成される。このように窒化
シリコン膜から成るバリヤ層１０をプラズマ処理により
形成すれば、成膜層を改めて形成する必要はなく、装置
内の付着物に対するメンテナンスが簡略になる。

【００２９】また、非晶質半導体膜４上にバリヤ層１０
を設けると、ソース・ドレイン電極７、８となる導電性
薄膜の元素が拡散することが防止され、非晶質半導体膜
４と導電性薄膜の元素の反応による層が形成されること
はなく、電位障壁をより小さくできる。

【００３０】バリヤ層１０の厚みが５Å以下の場合は、
ソース・ドレイン電極７、８となる導電性薄膜の元素の
ブロッキング効果がなく、トランジスタを形成した場合
のオン電流が低下する。また、バリヤ層１０の厚みが５
０Å以上の場合は、キャリヤの電導が阻害されトランジ
スタを形成した場合のオン電流が低下する。したがっ
て、このバリヤ層１０は、その厚みを５〜５０Åに設定
することが必要である。

【００３１】このバリヤ層１０を酸化シリコン膜で形成
する場合、非晶質半導体膜１０にオゾンまたは紫外線を
照射することによって形成することができる。すなわ
ち、非晶質半導体膜１０の一部をオゾンまたは紫外線を
照射することによって酸化する。紫外線を照射する場
合、紫外線の発光スペクトルは、例えば２５３．７ｎｍ
を主に１８９．９ｎｍなどの線スペクトルにすればよ
い。このようにバリヤ層１０を非晶質半導体膜１０にオ
ゾンまたは紫外線を照射することによって形成する場
合、ＣＶＤ装置などのように格別な装置を用いずに、形
成することができる。

【００３２】上記バリヤ層１０上には、ソース・ドレイ
ン電極７、８が分離して形成される。このソース・ドレ
イン電極７、８は、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、タンタル（Ｔａ）、モリ
ブンデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）な
どの金属、あるいはこれら金属の合金、またはこれら金
属の積層膜、さらにはＩＴＯなどの透明導電膜などから
成る。上記のように、非晶質半導体膜４上に薄い絶縁層
から成るバリヤ層１０を形成すると、ＭＩＳ型トンネル
ダイオードに類似する半導体接合となるが、このような
半導体接合において、ソース・ドレイン電極７、８は非
晶質半導体膜４との電位障壁が小さい金属の方が好まし
い。非晶質半導体膜４上には窒化シリコン膜、炭化シリ
コン膜、あるいは酸化シリコン膜などから成るバリヤ層
１０が形成されていることから、ＩＴＯ以外の金属は、
薄いフッ硝酸液（例えば弗酸：硝酸：水＝１：１：５
０）を用いることによって非晶質半導体膜４に殆どダメ
ージを与えずソース電極７とドレイン電極８に分離でき
る。またＩＴＯは、ガスプラズマなどを用いることによ
って、非晶質半導体膜４に殆どダメージを与えずソース
電極７とドレイン電極８に分離できる。

【００３３】また、ソース電極７とドレイン電極８に分
離する際に、ＢＣｌ₃＝５０ｓｃｃｍ、Ｃｌ₂＝５０ｓ
ｃｃｍ、反応圧２００ｍＴｏｒｒ、パワー２００Ｗでエ
ッチングする場合、チタン（Ｔｉ）を用いたソース・ド
レイン電極７、８と非晶質シリコンを用いた非晶質半導
体膜４のエッチングの選択比は５以上となる。また、非
晶質半導体膜４のソース電極７とドレイン電極８を設け
る側に酸化シリコンから成るバリヤ層１０を厚み１５Å
に設けた場合、その選択比は１２以上となる。したがっ
て、非晶質半導体膜４を全くエッチングせずに、ソース
電極７とドレイン電極８に分離することができる。な
お、エッチングガスは、上記以外に、ＨＣｌやＣＣｌ₄
など塩素原子を含むものであればよい。すなわちＳｉＣ
ｌ₄の結合を形成し、エッチング装置内で基体状態とな
って、蒸発するためである。また反応圧は、より高い圧
力を用いることでソース・ドレイン電極７、８となる金
属薄膜に入射するエネルギを減少させ、より高い選択比
を得ることができる。さらに入射エネルギの中心値が１
５ｅＶ以下の場合、シリコンはエッチングされないこと
から、この入射エネルギの中心値を１５ｅＶ以下に設定
することが望ましい。

【００３４】上記のように非晶質半導体膜４の一方側
に、薄いバリヤ層１０を設けた場合のダイオード特性を
調べるために、図２に示すようなダイオードを形成し
た。図２のダイオードは、ガラス基板１１上に、タンタ
ル（Ｔａ）の電極１２を形成し、この電極１２上にリン
（Ｐ）を５×１０¹⁹atm ／ｃｍ³含有した微結晶シリコ
ンを形成し、この微結晶シリコン１３上に非晶質シリコ
ン１４を形成し、さらに非晶質シリコンをＮＨ₃プラズ
マ中に放置することにより、１５Åの窒化シリコン膜か
ら成るバリヤ層１５を形成し、さらにこのバリヤ層１５
上にチタン（Ｔｉ）から成る導電性薄膜１６を形成した
ものである。

【００３５】図２に示すダイオードの特性を図３に示
す。またバリヤ層１５を形成しないダイオードの特性を
図４に示す。図４のバリヤ層１５を形成しないダイオー
ドでは、ショットキ−接合が明確に形成され、非オ−ミ
ック接触となっている。これに対し図３の窒化シリコン
膜から成るバリヤ層１５を形成したダイオードでは、オ
−ミック接触により近くなっており、バリヤ層１５を設
けたことによって電位障壁が減少していることがわか
る。この実験では非晶質シリコン層１４には、半導体用
不純物を含んでいないが、微量のＮ型不純物をド−プす
ることでより接触抵抗を小さくしうることが判る。

【００３６】図５は、図１に示す薄膜トランジスタの電
流・電圧特性を示す図である。ガラス基板１に、厚み１
０００Åのタンタル薄膜から成るゲ−ト電極２、厚み４
０００Åの窒化シリコン膜から成るゲート絶縁膜３、厚
み１０００Åの非晶質シリコン膜４、厚み１５Åの窒化
シリコン膜または炭化シリコン膜から成るバリヤ層１
０、さらに厚み１４００Åのチタンから成るソース電極
７およびドレイン電極８を形成したものである。図５か
ら明らかなように、オン電流とオフ電流の比が６桁以上
あり、良好なＴＦＴ特性が得られている。

【００３７】なお、上記実施例では、逆スタガ型の薄膜
トランジスタについて述べたが、スタガ型の薄膜トラン
ジスタでもよいことは当業者には自明である。

【００３８】

【発明の効果】以上のように、請求項１に記載した薄膜
トランジスタによれば、非晶質半導体膜のソース電極お
よびドレイン電極側に、厚みが５〜５０Åの窒化シリコ
ン膜または炭化シリコン膜から成るバリヤ層を設けたこ
とから、トンネル効果を利用したコンタクトをとること
ができ、トランジスタ特性が向上した薄膜トランジスタ
となる。

【００３９】また、このバリヤ層は、ソース電極とドレ
イン電極を分離する際のエッチング用保護膜となり、非
晶質半導体膜がオーバーエッチングされることもない。

【００４０】また、半導体用不純物を高濃度に含有する
コンタクト層を設けないことから、この半導体用不純物
で非晶質半導体膜が汚染されることもない。

【００４１】また、ソース電極およびドレイン電極に用
いる金属材料はバリヤ層でブロックされ、このソース電
極およびドレイン電極の金属材料で非晶質半導体膜が汚
染されることはなく、トランジスタのオン電流の低下を
抑えることができると共に、非晶質半導体膜とソース電
極およびドレイン電極の間にバリヤ層が存在するため、
アルミニウムや銅など非晶質半導体膜に悪影響を与える
金属薄膜をＴｉなどの高融点金属を介さずにソース電極
およびドレイン電極として使用でき、あるいはＩＴＯな
ど非晶質半導体膜を酸化する恐れのある透明導電膜でも
使用できる。

【００４２】さらに、コンタクト層やエッチング用保護
膜を格別に形成する必要はなく、製造工程が簡略化され
た薄膜トランジスタとなる。

【００４３】また、請求項３に記載した薄膜トランジス
タの製造方法によれば、バリヤ層を非晶質半導体膜に紫
外線またはオゾンを照射することにより形成することか
ら、ＣＶＤ装置などのように格別な装置を用いずに、簡
単に形成することができる。

【００４４】さらに、請求項４に記載した薄膜トランジ
スタの製造方法によれば、ソース電極とドレイン電極と
なる金属薄膜を分離する際に、塩素を含むエッチングガ
スを用いたガスプラズマによりエッチングすることか
ら、非晶質半導体膜を薄くしても非晶質半導体膜がエッ
チングされることはなく、より高い生産性で薄膜トラン
ジスタを形成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る薄膜トランジスタの一実施例を示
す断面図である。

【図２】バリヤ層を形成した場合のダイオード特性を調
べるための構造を示す図である。

【図３】バリヤ層を形成した場合のダイオード特性を示
す図である。

【図４】バリヤ層を形成しない場合のダイオード特性を
示す図である。

【図５】本発明に係る薄膜トランジスタの電流・電圧特
性を示す図である。

【図６】従来のチャネルエッチング型薄膜トランジスタ
を示す断面図である。

【図７】従来のチャネルストッパー型薄膜トランジスタ
を示す断面図である。

【図８】従来の薄膜トランジスタの電流・電圧特性を示
す図である。

【符号の説明】

１・・・絶縁性基板、２・・・ゲート電極、３・・・ゲ
ート絶縁膜、４・・・非晶質半導体膜、５、６・・・コ
ンタクト層、７・・・ソース電極、８・・・ドレイン電
極、９・・・エッチング用保護膜、１０・・・窒化シリ
コン膜から成るバリヤ層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非晶質半導体膜の一方側にゲート絶縁膜
とゲート電極を設け、この非晶質半導体膜の他方側にソ
ース電極とドレイン電極を分離して設けた薄膜トランジ
スタにおいて、前記非晶質半導体膜の他方側に、厚みが
５〜５０Åの窒化シリコン膜または炭化シリコン膜から
成るバリヤ層を設けたことを特徴とする薄膜トランジス
タ。
【請求項２】前記非晶質半導体膜が少なくともソース
電極とドレイン電極側において半導体用不純物を含有し
ており、その半導体用不純物を含有した領域の電気導電
率が１×１０^-5（Ωｃｍ）^-1以下であることを特徴とす
る請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、
非晶質半導体膜、厚みが５〜２０Åの酸化シリコン膜か
ら成るバリヤ層、およびソース電極とドレイン電極を順
次積層して形成する薄膜トランジスタの製造方法におい
て、前記バリヤ層を前記非晶質半導体膜に紫外線または
オゾンを照射することにより形成することを特徴とする
薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、
非晶質半導体膜、窒化シリコン膜、炭化シリコン膜また
は酸化シリコン膜から成るバリヤ層を順次積層して形成
すると共に、このバリヤ層上に金属薄膜を形成して、こ
の金属薄膜を分離することによりソース電極とドレイン
電極を形成する薄膜トランジスタの製造方法において、
前記金属薄膜を分離する際に、塩素を含むエッチングガ
スを用いたガスプラズマによりエッチングすることを特
徴とする薄膜トランジスタの製造方法。