JPH07130501A - サーミスタセンサ - Google Patents
サーミスタセンサInfo
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- JPH07130501A JPH07130501A JP5274085A JP27408593A JPH07130501A JP H07130501 A JPH07130501 A JP H07130501A JP 5274085 A JP5274085 A JP 5274085A JP 27408593 A JP27408593 A JP 27408593A JP H07130501 A JPH07130501 A JP H07130501A
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Abstract
イグレーションの発生を防止する。結果として電気的信
頼性を高くする。 【構成】 サーミスタ素体11の相対向する両面に一対
の電極12が形成され、これらの電極12に一対のリー
ド線14,15がそれぞれ接続され、これらのリード線
の接続部分を覆うように樹脂で封止される。電極12の
材料がAg−Pd合金からなり、相対向する両面のそれ
ぞれの外周縁に電極の形成されない部分19を有する。
リード線がCu−Ni,Ni,Sn又はAuであって、
上記両面に垂直な方向又は上記両面に平行な方向のいず
れか又は2つの方向からリード線を投影したときのリー
ド線14,15の間隔a2,a3がサーミスタ素体11の
厚さa1より広い。部分19にはリード線が接触しな
い。
Description
ミスタセンサに関する。更に詳しくは空調機、冷蔵庫等
の多湿な雰囲気で使用され、耐水性、耐湿性の要求され
る温度センサに適したサーミスタセンサに関するもので
ある。
て、図7及び図8に示すようにサーミスタ素体1の相対
向する上下両面に一対の電極2,3が形成され、これら
の電極2,3に一対のCuからなるリード線4,5がS
n成分を60重量%程度含むはんだ6により接続され、
これらのリード線4,5の接続部分を覆うように樹脂7
で封止されたサーミスタセンサ8が知られている。一対
の電極2,3はサーミスタ素体1の上面及び下面と同一
面積を有し、リード線4,5は上下両面に垂直な方向か
らリード線を投影したときには互いに1本の線に重な
り、上下両面に平行な方向からリード線を投影したとき
にはリード線4,5の間隔a3はサーミスタ素体1の厚
さa1に等しい。
タセンサ8を多湿の雰囲気や水中に置くと、封止樹脂7
とリード線4,5との界面、又は封止樹脂7の内部を透
過して水分が電極2,3に達する。この電極2,3にA
g又はAgを主成分とする合金を使用した場合には、到
達した水分や水分に溶けた塩素イオン等により、Agが
イオン化してマイグレーションを起こし、サーミスタセ
ンサ8の抵抗値が急激に変化し、最悪の場合には電極2
と電極3とがショートする恐れがあった。本発明の目的
は、電極に水分や塩素イオン等が到達しても、マイグレ
ーションの発生を防止して、電気的信頼性が高いサーミ
スタセンサを提供することにある。
に、図1に示すように、本発明はサーミスタ素体11の
相対向する両面に一対の電極12が形成され、これらの
電極12に一対のリード線14,15がそれぞれはんだ
16により接続され、これらのリード線14,15の接
続部分を覆うように樹脂で封止されたサーミスタセンサ
の改良である。その特徴ある構成は、電極12がAg−
Pd合金からなり、相対向する両面のそれぞれの外周縁
にリード線14,15が接触しない、電極の形成されな
い部分19を有し、リード線14,15がCu−Ni,
Ni,Sn又はAuからなり、上記両面に垂直な方向又
は上記両面に平行な方向のいずれか又は2つの方向から
リード線14,15を投影したときのリード線の間隔a
2,a3がサーミスタ素体11の厚さa1より広いことに
ある。
u,Al等の金属の酸化物セラミック材料のみならず、
BaTiO3等のセラミック材料から作られる。従って
本発明は負特性サーミスタセンサに限らず、正特性サー
ミスタセンサにも適用される。このサーミスタ素体は使
用目的に応じて円板状、円柱状、直方体状、球状、楕円
状等種々の形状に作られるものを含む。
ることにより銀のイオン化が起こりにくくなる。Pd成
分は20重量%以上含むことが好ましい。本発明の電極
はサーミスタ素体の相対向する両面のそれぞれの外周縁
にリード線が接触しない、電極の形成されない部分を有
するように作られる。これは外周縁にリード線が接触す
ると、両電極間の距離を計測する上での始点又は終点が
実質的にリード線の接触点となり、また外周縁まで電極
を形成すると、一対の電極がサーミスタ素体の側面上に
臨むことになり、それぞれ多湿な雰囲気では一対の電極
がショートし易くなるからである。表1にAgのみから
なる電極と、Ag−Pd合金からなる電極のマイグレー
ション発生時間を示す。ここでは直径4.2mm、厚さ
0.8mmの円板状のサーミスタ素体を図6に示すイオ
ン交換水21に浸漬し、サーミスタ素体の電圧が急激に
降下するまでの時間をマイグレーション発生時間として
測定した。
いずれかにより構成される。その中でもCu−Ni,N
i又はAuが好ましい。Cu線の表面にNi,Sn又は
Auをめっきしたものでもよい。リード線は図1に示す
ようにサーミスタ素体の上下両面に垂直な方向からリー
ド線を投影したときのリード線14と15の間隔a
2と、その上下両面に平行な方向からリード線を投影し
たときのリード線14と15の間隔a3がともにサーミ
スタ素体の厚さa1より広いことが好ましいが、間隔a2
又は間隔a3のいずれかが厚さa1より広いだけでもよ
い。こうすることにより、リード線同士のマイグレーシ
ョンが発生しにくくなる。またリード線はその表面積を
小さくして外気に触れる面積を減少させるために撚り線
よりも単線の方が好ましい。
及びAuにより構成されたリード線のマイグレーション
発生時間を示す。ここでは一対の単線からなるリード線
を2mmの間隔をあけて平行に絶縁基板上に配置した状
態でイオン交換水に浸漬し、リード線間の電圧が急激に
降下するまでの時間をマイグレーション発生時間として
測定した。
好ましい。表3にSn成分が15重量%、60重量%、
65重量%及び95重量%の各はんだのマイグレーショ
ン発生時間を示す。このマイグレーション発生時間は一
対のはんだ線を上記(c)のリード線と同様にして測定し
た。
ーミスタセンサの各要素に同時に合致させると、マイグ
レーション発生時間は各条件の総和でなく、これらの効
果が相乗的に発現し、極めて顕著にマイグレーションの
発生を防止する。
く説明する。 <実施例1>図4及び図5に示すように、この例ではサ
ーミスタセンサ10のサーミスタ素体11は円板状であ
って、Mn等の酸化物セラミック材料で構成され、その
上下両面には72%Ag−28%Pdからなる電極1
2,13が形成される。サーミスタ素体11は直径が
4.2mmで、厚さa1が0.8mmである。また電極
12,13の直径は3.8mmであって、サーミスタ素
体11の上下両面の外周縁には電極の形成されない部分
19が形成される。電極12,13にはそれぞれCu−
Niからなる単線のリード線14,15が60%Sn−
40%Pbからなるはんだ16により接続される。この
ときリード線14,15は上記部分19に接触しない。
リード線14はサーミスタ素体の上下両面に垂直な方向
からリード線を投影したときにリード線15に重なり
(a2=0)、その上下両面に平行な方向からリード線を
投影したときのリード線14と15の間隔a3はサーミ
スタ素体11の厚さより広い1.0mmである。
にSnめっきしたものに変えた以外は、実施例1と同様
にしてサーミスタセンサ10を得た。
実施例1と同一のサーミスタ素体11の上下両面には8
0%Ag−20%Pdからなる実施例1と同一直径の電
極12,13が形成される。サーミスタ素体11の上下
両面の外周縁には電極の形成されない部分19が形成さ
れる。電極12,13にはそれぞれSn線からなるリー
ド線14,15が実施例1と同一のはんだ16により接
続される。このときリード線14,15は上記部分19
に接触しない。サーミスタ素体の上下両面に垂直な方向
からリード線を投影したときのリード線14と15の間
隔a2はサーミスタ素体11の厚さより広い1.0mm
であり、その上下両面に平行な方向からリード線を投影
したときのリード線14と15の間隔a3はサーミスタ
素体11の厚さとほぼ等しい0.8mmである。
n−5%Pbに変え、リード線14,15の材質をCu
線にNiめっきしたものに変えた以外は、実施例3と同
様にしてサーミスタセンサ10を得た。
Au線に変え、図1に示すようにサーミスタ素体の上下
両面に平行な方向からリード線を投影したときのリード
線14と15の間隔a3をサーミスタ素体11の厚さよ
り広い1.0mmにした以外は、実施例4と同様にして
サーミスタセンサ10を得た。
実施例1と同一のサーミスタ素体1の上下両面には10
0%Agからなる電極2,3が形成される。電極2,3
の直径はサーミスタ素体と同一の4.2mmである。電
極2,3にはそれぞれCu線からなるリード線4,5が
60%Sn−40%Pbからなるはんだ6により接続さ
れる。リード線4はサーミスタ素体の上下両面に垂直な
方向からリード線を投影したときにリード線5に重なり
(a2=0)、その上下両面に平行な方向からリード線を
投影したときのリード線4と5の間隔a3はサーミスタ
素体11の厚さとほぼ等しい広い0.8mmである。
g−20%Pdに変え、はんだ6の材料を15%Sn−
85%Pbに変え、リード線4,5の材質をSnに変え
た以外は、比較例1と同様にしてサーミスタセンサ8を
得た。
線にNiめっきしたものに変えた以外は、比較例2と同
様にしてサーミスタセンサ8を得た。
g−28%Pdに変えた以外は、比較例1と同様にして
サーミスタセンサ8を得た。
mにして、サーミスタ素体1の上下両面の外周縁には電
極の形成されない部分(図示せず)を形成し、この部分
にリード線4,5を接触しないようにした以外は、比較
例4と同様にしてサーミスタセンサ8を得た。
5のサーミスタセンサを図6に示すように、それぞれイ
オン交換水21に浸漬し、9Vの直流電圧を印加してサ
ーミスタセンサのリード線間の電圧が急激に低下する時
間をマイグレーションの発生する時間として測定した。
その結果を表4に示す。図6において、22は電圧計で
ある。
ン発生時間が比較例1〜比較例5のサーミスタセンサが
最長でも120分であったのに対して実施例1〜実施例
5のサーミスタセンサは全て8000分以上であった。
極材料をAg−Pd合金にし、両面の外周縁に電極の形
成されない部分を形成し、リード線をCu−Ni,N
i,Sn又はAuにして一対のリード線の間隔a2,a3
をサーミスタ素体の厚さa1より広くすることにより、
それぞれ単独に改善した効果が単に総和されるのでな
く、これらの条件を同時に備えることにより、電極に水
分や塩素イオン等が到達してもマイグレーションが発生
する時間を相乗的に長くすることができ、電気的信頼性
が高い優れた効果を奏する。
センサの外観斜視図。
Claims (4)
- 【請求項1】 サーミスタ素体(11)の相対向する両面に
一対の電極(12,13)が形成され、前記一対の電極(12,13)
に一対のリード線(14,15)がそれぞれはんだ(16)により
接続され、前記リード線(14,15)の接続部分を覆うよう
に樹脂(17)で封止されたサーミスタセンサにおいて、 前記電極(12,13)がAg−Pd合金からなり、 前記相対向する両面のそれぞれの外周縁に前記リード線
(14,15)が接触しない、電極の形成されない部分(19)が
形成され、 前記リード線(14,15)がCu−Ni,Ni,Sn又はA
uからなり、 前記両面に垂直な方向又は前記両面に平行な方向のいず
れか又は2つの方向から前記リード線(14,15)を投影し
たときの前記リード線(14,15)の間隔(a2,a3)が前記素体
(11)の厚さ(a1)より広いことを特徴とするサーミスタセ
ンサ。 - 【請求項2】 電極(12,13)がPd成分を20重量%以
上含むAg−Pd合金である請求項1記載のサーミスタ
センサ。 - 【請求項3】 はんだ(16)がSn成分を65重量%以上
含む請求項1記載のサーミスタセンサ。 - 【請求項4】 リード線(14,15)が単線である請求項1
記載のサーミスタセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27408593A JP3356508B2 (ja) | 1993-11-02 | 1993-11-02 | サーミスタセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27408593A JP3356508B2 (ja) | 1993-11-02 | 1993-11-02 | サーミスタセンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07130501A true JPH07130501A (ja) | 1995-05-19 |
JP3356508B2 JP3356508B2 (ja) | 2002-12-16 |
Family
ID=17536777
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27408593A Expired - Lifetime JP3356508B2 (ja) | 1993-11-02 | 1993-11-02 | サーミスタセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3356508B2 (ja) |
-
1993
- 1993-11-02 JP JP27408593A patent/JP3356508B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3356508B2 (ja) | 2002-12-16 |
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