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JPH0645336U - 半導体装置の製造に用いる樹脂封止用金型 - Google Patents

半導体装置の製造に用いる樹脂封止用金型

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JPH0645336U
JPH0645336U JP7495692U JP7495692U JPH0645336U JP H0645336 U JPH0645336 U JP H0645336U JP 7495692 U JP7495692 U JP 7495692U JP 7495692 U JP7495692 U JP 7495692U JP H0645336 U JPH0645336 U JP H0645336U
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JP
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mold
putting
resin
outer lead
die
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JP7495692U
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淳 白石
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Mitsui High Tech Inc
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  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本考案は、アウターリードの曲げ加工を行う
際に生じる集中応力を緩和すると共に、その曲げ部分の
段差部に発生するクラックや表面処理層の剥離を防ぎ、
信頼性の高い半導体装置の製造に用いる樹脂封止用金型
を提供することにある。 【構成】 本考案は、樹脂封止用金型10の上型18、
下型19のチェイスブロックのパッティングエリア2
4、29の内、前記下型のパッティングエリアよりも前
記上型のパッティングエリアを広くし、アウターリード
16を衝合圧接するように構成している。または、樹脂
封止用金型の前記上型18、下型19のチェイスブロッ
クのパッティングラインエリア24、29の内、前記上
型のパッティングエリアまたは両方のパッティングエリ
アが前記アウターリードのU曲げ領域Sa、Sbを含む
ように構成している。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、半導体装置の製造に用いる樹脂封止用金型に関する。
【0002】
【従来の技術】
図4、5によれば、半導体素子111を搭載し、ワイヤ112を介して電気的 導通回路を構成したリードフレーム113を樹脂封止した半導体装置114は、 前記半導体素子を搭載した搭載部115がキャビティ部116に位置するように 樹脂封止用金型117の下型118の上面に載置し、前記樹脂封止用金型117 の上型119を前記リードフレーム113に衝合させて前記上型及び下型の型締 めを行った後、上型に設けたポット内(図示しない)に挿入した樹脂タブレット を前記ポット内で往復作動するプランジャ(図示しない)で加圧し、該加圧樹脂 を、図示しない、カル、ランナ及びゲートを通ってキャビティ116内への圧入 を行い、樹脂部から突出した前記リードフレーム113のアウターリード120 をU型、Z型又はJ型などの曲げ加工を行って形成している。
【0003】 従来、この種の樹脂封止に用いる金型117は、ベースプレート121とその 上に固定されたセンターブロックとこれらを貫通して装着したポットと複数のキ ャビティ116を埋設したチェイスブロック122を備えた前記リードフレーム 113のアウターリード120の上面に圧接する上型119と、ベースプレート 123とその上に固定されたセンターブロックに前記ポットに対応する、図示し ないカルと溶融樹脂を圧流するランナとゲートを備えた複数のキャビティ116 aを埋設したチェイスブロック124を備えた前記リードフレーム113のアウ ターリード120の下面に圧接する下型118とを具備しており、前記金型11 7の上型及び下型119、118のセンターブロックやチェイスブロック122 、124に適切なパッティング逃げ部125、126を設けて圧接精度を向上さ せると共に、前記アウターリード120を連結する樹脂止め用ダムバー128の 上面及び下面の同一範囲に前記チェイスブロック122、124のパッティング エリアL、Laが位置するように構成されており、溶融樹脂がリードフレームの 不用部分に流入する樹脂漏れを防止するように構成されたものが一般的である。
【0004】
【考案が解決しようとする課題】
しかしながら、前記アウターリード120の曲げ領域に前記チェイスブロック 122、124のパッティングエリアLa、Lbが衝合圧接し、アウターリード 120の上面及び下面に凹状のパッティングマーク129、130が刻印される 、このため、前記半導体素子111を搭載し、これを樹脂封止して半導体装置1 14を形成した後、樹脂封止部から突出したアウターリード120を分離独立し た後、曲げ加工を行ってU型、Z型又はJ型などリード形状を成形する際に、そ の上面に刻印された凹状のパッティングマーク129の段差部131に曲げ加工 による引張応力が集中してクラックや表面処理層の剥離が生じ、前記アウターリ ード120の表面が腐食するなどの外観品質及び長期信頼性を低下させる問題が あった。
【0005】 本考案は上記事情に鑑みてなされたものであって、アウターリードの曲げ加工 を行う際に、前記段差部に生じる集中応力を緩和すると共に、その集中応力によ って発生するクラックや表面処理層の剥離を防ぐ半導体装置の製造に用いる樹脂 封止用金型を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的に沿う請求項1記載の半導体装置の製造に用いる樹脂封止用金型は、 半導体素子を搭載したリードフレームを樹脂封止したパッケージを形成するキャ ビティを有し、ベースプレートに固定されたチェイスブロックとセンターブロッ クとを具備した上型及び下型とで構成された樹脂封止用金型であって、前記樹脂 封止用金型が型締め状態で前記リードフレームのアウターリードの上面及び下面 に衝合圧接する上型、下型のチェイスブロックのパッティングエリアの内、前記 上型のパッティングエリアを前記下型のパッティングエリアよりも広く構成した ことを特徴とするものである。請求項2記載の半導体装置の製造に用いる樹脂封 止用金型は、請求項1記載の半導体装置の製造に用いる樹脂封止用金型において 、前記樹脂封止用金型が型締め状態で前記リードフレームのアウターリードの上 面及び下面に衝合圧接する上型、下型のチェイスブロックのパッティングエリア の内、前記上型のパッィリングエリア又は両方のパッティングエリアが前記アウ ターリードのU曲げ領域を含むように構成してなることを特徴とするものである 。請求項3記載の半導体装置の製造に用いる樹脂封止用金型は、請求項1、2記 載の半導体装置の製造に用いる樹脂封止用金型において、前記リードフレームの 表面にめっき等の表面処理層を予め形成したリードフレームが用いられているこ とを特徴とするものである。
【0007】
【作用】
上記のように構成された請求項1記載の半導体装置の製造に用いる樹脂封止用 金型においては、上型、下型のチェイスブロックのパッティングエリアの内、前 記下型のパッティングエリアよりも前記上型のパッティングエリアを広く構成し ているので、従来技術に比較して前記アウターリードの上面に刻印される凹状の パッティングマークが著しく浅くなり、前記アウターリードのU曲げを行う際の 応力の集中を緩和することができる。さらに、請求項2記載の半導体装置の製造 に用いる樹脂封止用金型においては、前記上型、下型のチェイスブロックのパッ ティングエリアの内、前記上型のパッティングエリア又は両方のパッティングエ リアが前記アウターリードのU曲げ領域を含むように構成しているから前記アウ ターリードの上面にU曲げ領域を含む凹状のパッティングマークが刻印されるの で、従来技術のように前記アウターリードをU曲げ加工する際に段差部に発生す る集中応力によって生じるクラックやめっきなどの表面処理層が剥離するのを防 止することができる。
【0008】
【実施例】
案の実施例に係る樹脂封止用金型の型締め状態を示す要部断面図、図2は、本考 案の実施例に係る樹脂封止後のアウターリードの一部を示す平面図、図3は、本 考案の実施例に係る樹脂封止後のアウターリードのU曲げ部を示す部分断面図で ある。
【0009】 本考案の一実施例に係る半導体装置の製造に用いる樹脂封止用金型10は、図 1に示すように、半導体素子11を搭載した搭載部12を備え、該素子11のパ ットとワイヤ13を介して電気的導通回路を形成する複数のインナーリード14 とこれらを相互連結して樹脂の流出を防ぐダムバー15と前記インナーリードに 延設するアウターリード16を具備したリードフレーム17の上面、下面に衝合 圧接するパッティング面PL1、PL2を有する上型18と下型19とを備えて 構成されている。
【0010】 前記上型18は、樹脂を圧流するプランジャとポット(図示しない)と、ベー スプレート20上に装着したチェイスブロック21とを有し、該ブロック21の パッティング面PL1に窪設した複数のキャビティ22と該キャビティ22間に 所定の凹状のパッティング逃げ部23を備えており、該逃げ部23を区画するパ ッティングエリア24がアウターリード16のU曲げ領域(引張応力の作用範囲 )Sa外に位置するように前記逃げ部23を形成している。前記下型19は、樹 脂をキャビティ27に圧流するカル、ランナ及びゲート(図示しない)と、ベー スプレート25上に装着したチェイスブロック26とを有し、該ブロック26の パッティング面PL2に窪設した複数の前記キャビティ27と該キャビティ27 間に所定の凹状のパッティング逃げ部28を備えており、該逃げ部28を区画す るパッティングエリア29がアウターリード16のU曲げ領域(圧縮応力の作用 範囲)Sbに位置するように前記逃げ部28を形成している。
【0011】 したがって、図2、図3に示すように、前記金型を型締め状態にすると、前記 ブロック21のパッティングエリア24は前記アウターリード16の上面のU曲 げ全領域Saを含む領域に圧接し、前記ブロック26のパッティングエリア29 は前記アウターリード16の下面のU曲げ領域Sa内に圧接して、それぞれの面 に凹状のパッティングマーク30、31が刻印される。即ち、前記アウターリー ド16の上面にはU曲げの引張応力の作用範囲Sa外に応力が集中する段差部3 2が形成され、その下面にはU曲げの圧縮応力の作用範囲Sb内に段差部33が 形成されており、前記アウターリード16のU曲げを行う際に前記アウターリー ドの上面の段差部32に生じる集中応力によるクラックや先付けめっき層の剥離 を防ぐことができる。
【0012】 また、前記アウターリード16の下面のU曲げの圧縮応力の作用範囲Sb内に 段差部33を形成するように構成したが、その下面のU曲げ圧縮応力の作用範囲 Sb外に段差部33を形成するように構成しても同一効果が得られる。また、パ ッティング逃げ部24、28を区画するパッティングエリア24、29の稜線部 に円弧形状の面取を付して応力の集中を緩和するように構成してもよい。
【0013】
【考案の効果】
本考案の樹脂封止用金型は上記のように構成されているから、前記下型のパッ ティングエリアよりも前記上型のパッティングエリアを広くしているので、アウ ターリードの上面に刻印されるパッティングマークが著しく浅くなり集中応力の 発生を緩和することができる。さらに、前記上型のパッティングエリア又は両方 のパッティングエリアがアウターリードのU曲げ領域外で圧接するように構成し ているので、前記アウターリードをU曲げする際に発生する従来技術のクラック や表面処理層の剥離がなくなり、アウターリードの外観品質を向上させると共に 、長期信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【0014】
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の一実施例に係る樹脂封止用金型の型締
め状態を示す要部断面図である。
【図2】本考案の一実施例に係る樹脂封止後のアウター
リードの一部を示す平面図である。
【図3】本考案の一実施例に係る半導体装置の部分断面
図である。
【符号の説明】
10 樹脂封止用金型 11 半導体素子 12 搭載部 13 ワイヤ 14 インナーリード 15 ダムバー 16 アウターリード 17 リードフレーム 18 上型 19 下型 20 ベースプレート 21 チェイスブロック 22 キャビティ 23 パッティング逃げ部 24 パッティングエリア 25 ベースプレート 26 チェイスブロック 27 キャビティ 28 パッティング逃げ部 29 パッティングエリア 30 パッティングマーク 31 パッティングマーク 32 段差部 33 段差部 PL1 パッティング面 PL2 パッティング面 Sa U曲げ領域(引張応力の作用範囲) Sb U曲げ領域(圧縮応力の作用範囲)
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年11月17日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】追加
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の一実施例に係る樹脂封止用金型の型締
め状態を示す要部断面図である。
【図2】本考案の一実施例に係る樹脂封止後のアウター
リードの一部を示す平面図である
【図3】本考案の一実施例に係る半導体装置の部分断面
図である。
【図4】従来の実施例に係る樹脂封止用金型の型締め状
態を示す要部断面図である。
【図5】従来の実施例に係る半導体装置の部分断面図で
ある。
【符号の説明】 10 樹脂封止用金型 11 半導体素子 12 搭載部 13 ワイヤ 14 インナーリード 15 ダムバー 16 アウターリード 17 リードフレーム 18 上型 19 下型 20 ベースプレート 21 チェイスブロック 22 キャビティ 23 パッティング逃げ部 24 パッテング゛エリア 25 ベースプレート 26 チェイスブロック 27 キャビティ 28 パッティング逃げ部 29 パッテング゛エリア 30 パッティングマーク 31 パッティングマーク 32 段差部 33 段差部 PL1 パッティング面 PL2 パッティング面 Sa U曲げ領域(引張応力の作用範囲) Sb U曲げ領域(圧縮応力の作用範囲) 111 半導体素子 112 ワイヤ 113 リードフレーム 114 半導体装置 115 搭載部 116 キャビティ部 117 樹脂封止用金型 118 下型 119 上型 120 アウターリードベースプレート 121 ベースプレート(上型) 122 チェイスブロック(上型) 123 ベースブレート(下型) 124 チェイスブロック(下型) 125 パッティング逃げ部(上型) 126 パッティング逃げ部(下型) 128 樹脂止め用ダムバー 129 パッティングマーク(上面) 130 パッティングマーク(下面) 131 段差部

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体素子を搭載したリードフレームを
    樹脂封止したパッケージを形成するキャビティを有し、
    ベースプレートに固定されたチェイスブロックとセンタ
    ーブロックとを具備した上型及び下型とで構成された樹
    脂封止用金型であって、前記樹脂封止用金型が型締め状
    態で前記リードフレームのアウターリードの上面及び下
    面に衝合圧接する上型、下型のチェイスブロックのパッ
    ティングエリアの内、前記上型のパッティングエリアを
    前記下型のパッティングエリアよりも広く構成してなる
    ことを特徴とする半導体装置の製造に用いる樹脂封止用
    金型。
  2. 【請求項2】 前記樹脂封止用金型が型締め状態で前記
    リードフレームのアウターリードの上面及び下面に衝合
    圧接する上型、下型のチェイスブロックのパッティング
    エリアの内、前記上型のパッティングエリアまたは両方
    のパッティングエリアが前記アウターリードのU曲げ領
    域を含むように構成してなることを特徴とする請求項1
    記載の半導体装置の製造に用いる樹脂封止用金型。
  3. 【請求項3】 前記リードフレームの表面にめっき等の
    表面処理層を予め形成したリードフレームが用いられて
    いることを特徴とする請求項1、2記載の半導体装置の
    製造に用いる樹脂封止用金型。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP6259137B1 (ja) * 2017-03-13 2018-01-10 東洋ゴム工業株式会社 タイヤ加硫金型、及びそれを用いたタイヤの製造方法
US10029433B1 (en) 2017-03-13 2018-07-24 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Tire vulcanization mold and tire manufacturing method using the same
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