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JPH06203658A - 透明導電膜形成用塗布液 - Google Patents

透明導電膜形成用塗布液

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Publication number
JPH06203658A
JPH06203658A JP36074992A JP36074992A JPH06203658A JP H06203658 A JPH06203658 A JP H06203658A JP 36074992 A JP36074992 A JP 36074992A JP 36074992 A JP36074992 A JP 36074992A JP H06203658 A JPH06203658 A JP H06203658A
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JP
Japan
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conductive film
coating liquid
transparent conductive
coating
forming
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JP36074992A
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Masaya Yukinobu
雅也 行延
Shiro Tsunoda
志郎 角田
Keiichi Orita
桂一 折田
Keiju Koizumi
啓寿 小泉
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Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Tohoku Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Tohoku Chemical Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 高粘度,低抵抗の透明導電膜形成用塗布液を
提供する。 【構成】 AcAcInと有機Snとをフェノール−2
塩基酸及び/あるいはフェノール酢酸ベンジルに溶解さ
せ、この系にヒドロキシプロピルセルロースを添加して
粘性を与える。ヒドロキシプロピルセルロースの添加量
5wt%以下で高粘度,低抵抗の透明導電膜形成用塗布
液が得られ、セルロースの添加量が少ないため、焼成時
に容易に熱分解し、良好な透明導電膜を形成できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、透明導電膜形成用塗布
液に関する。さらに詳しくは、ガラス,セラミックス等
の基板上に塗布して透明な導電性膜の形成に適した塗布
液に関する。
【0002】
【従来の技術】透明導電膜は、例えば液晶ディスプレイ
などの表示管,タッチパネル,太陽電池などの透明電
極,冷凍ショーケースなどの窓の防雲、あるいは水着防
止用透明発熱体、さらに赤外線反射膜,帯電防止に用い
られる。
【0003】このような目的に用いる透明導電膜とし
て、有機又は無機金属化合物の溶液を基板に塗布し、加
熱焼成することによって導電膜を形成する方法が知られ
ている。この方法は、溶液の塗布に、印刷法を用いる
と、パターン印刷,乾燥,焼成という簡単な工程で実現
でき、基板上に任意の形状の導電膜を大面積に形成する
ことが可能である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この方法に用いる塗布
液として、例えば、硝酸インジウム,有機錫化合物,ヘ
キシレングリコール,酢酸及び/又は無水酢酸を含有す
る透明な導電性膜形成用塗布液(特開平4−25576
8号公報参照)がある。この塗布液は、粘度が50〜1
00cpsであり、100〜200cpsを必要とする
フレキソ印刷、あるいは50〜100cpsを必要とす
るスピンコート,グラビア印刷を用いた製膜は可能であ
るが、塗布粘度50,000〜300,000cpを必
要とする平版印刷,10,000〜80,000cpを
必要とする凸版印刷,500〜1,000cpを必要と
するスクリーン印刷によって製膜することができない。
【0005】また、特公昭63−25448号公報に
は、インジウム化合物に、抵抗値調整用として錫化合物
と、粘性剤としてニトロセルロースと、溶媒としてブチ
ルソルブ,ブチルカルビトール,ベンジルアセテート及
びジメチルフタレートの混合溶媒とを添加して得られる
高粘度の透明導電性被膜形成用ペーストが開示されてい
る。このペーストは、スクリーン印刷性と寿命特性を改
善するため、ニトロセルロースをよく溶解するセルソル
ブ、あるいはカルビトール類を使用したものであるが、
粘性剤の添加量が13〜17重量%と高く、このため焼
成時に熱分解性が悪くなり、形成される膜の導電性、あ
るいは透明性が低下するという欠点がある。
【0006】本発明の目的は、少なくともスクリーン印
刷による製膜が可能な高粘度特性を有し、塗布膜が良好
な導電性を示し、機械的強度,光透過性に優れ、面内バ
ラツキが小さい透明導電膜形成用塗布液を提供すること
にある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明による透明導電膜形成用塗布液においては、
アセチルアセトンインジウムと、有機錫とを溶剤中に溶
解させ、粘性剤を添加した透明導電膜形成用塗布液であ
って、溶剤は、アルキルフェノール及び/又はアルケニ
ルフェノールと、二塩基性酸エステル及び/又は酢酸ベ
ンジルであり、粘性剤は、ヒドロキシプロピルセルロー
スであり、その添加量は、5重量%以下である。
【0008】また、アセチルアセトンインジウムと、有
機錫との含有量は、7重量%〜40重量%である。
【0009】また、有機錫は、アセチルアセトン錫であ
る。
【0010】また、アルキルフェノール及び/又はアル
ケニルフェノールの添加量は40重量%以下である。
【0011】また、さらに希釈剤を含み、希釈剤は、塗
布液の粘度を低下させる有機溶剤である。
【0012】
【作用】アセチルアセトンインジウム(AcAcIn)
は、一般式
【式1】 で示される化合物である。有機錫には、特にアセチルア
セトン錫が好ましい。
【0013】ヒドロキシプロピルセルロースは、一般式
【式2】 で示される化合物である。
【0014】アルキルフェノール及び/又はアルケニル
フェノールとしては、クレゾール類,パラターシャリィ
ーブチルフェノール,オクチルフェノール,ノニルフェ
ノール及びカシューナット殻液[3ペンタデカデシール
フェノール]を挙げることができる。
【0015】二塩基性酸エステルは、一般式
【式3】 で示される化合物である。
【0016】特に、高沸点溶剤(蒸留範囲196〜22
5℃)であるグルタル酸
【式4】 が好ましい。
【0017】発明者らは、アルキルフェノール及び/又
はアルケニルフェノールと二塩基性エステルとの混合溶
剤あるいは、アルキルフェノール及び/又はアルケニル
フェノールと酢酸ベンジルとの混合溶剤は、アセチルア
セトンインジウムと有機錫とを非常に良く溶解し、且つ
これらの混合溶剤にヒドロキシプロピルセルロースを加
えると、ヒドロキシプロピルセルロースの添加量が5重
量%以下の範囲で粘度が高くなることを見い出した。そ
して、また、このセルロースの添加量が少ないことから
塗布後の焼成時には容易に熱分解する。このため透明性
が良く、導電性の高い膜が得られる。
【0018】本発明による塗布液は、上記各成分を含有
してなる透明で均一な溶液である。係る溶液は、例えば
これらの成分を60〜200℃の下で0.5〜12時間
撹拌することにより得られる。
【0019】表1にパラターシャリィーブチルフェノー
ルと、ヒドロキシプロピルセルロースの変量試験結果に
ついて示す。
【0020】
【表1】
【0021】表2にフェノール類の相違による塗布液の
到達飽和粘度について示す。
【0022】
【表2】 AcAcIn 11.4 AcAcSn 0.6 ヒドロキシプロピルセルロース y フェノール誘導体 20.0 DBE 68−y 製造条件 120℃×3hrs
【0023】本発明によって得られる塗布液の粘度は、
粘性剤であるヒドロキシプロピルセルロースの添加量が
5重量%以下の小量であるにもかかわらず、フェノール
類との組合せによって120k〜300kcps/25
℃のような高粘度にまで達するのは、ヒドロキシプロピ
ルセルロースとフェノール類との間に少量存在する−C
2OH,−CHO,ベンゼン核のフェノール性OH基
とが化学的な反応を生じることによるものと思われる。
【0024】フェノール類が40重量%以上に過剰に加
えられたり、ヒドロキシプロピルセルロースが5重量%
以上過剰に加えられると膜特性が劣るようになる。この
理由は、相互間で架橋反応によるゲル状物が生じ、印刷
などの方法でガラス基板上に塗布し、400℃〜620
℃で焼成した際に、ゲル状物焼却跡が比較的粗大で不均
質なボイドを形成するため、光の乱反射を生じて光学特
性が劣るからであると思われる。
【0025】上記成分配合によって得られる本発明の透
明導電膜形成用塗布液は、少なくともスクリーン印刷に
要求される粘度以上の印刷法に好適な高粘度のものが得
られる。
【0026】塗布液の粘度に関し、スクリーン印刷の場
合には、塗布液の粘度が200cps/25℃のように
低粘度になると、塗布液返しの際に、塗布液が網目の間
から裏側に廻り込んで印刷不良となるフローダウン現象
が生じ、膜厚が厚くなる。参考までに表3に、エチルセ
ルロース[N200]を用いた場合の塗布液粘度を示
す。エチルセルロース[N200]を用いたときの塗布
液の粘度は、ヒドロキシプロピルセルロースを用いた場
合の大略1/100以下である。
【0027】
【表3】
【0028】本発明は、ヒドロキシプロピルセルロース
とフェノール類との化学的反応に基づき、ヒドロキシプ
ロピルセルロースの添加量が比較的少ないにもかかわら
ず、高粘度塗布液が得られることから、スクリーン印
刷、のように塗布液に高粘度を要する印刷法を用いて基
板上に任意の形状の繊細で微細な透明導電膜パターンを
形成できる。
【0029】しかも、本発明によって得られる塗布液
は、基板に対する漏れ性も申し分なく、使用されている
溶剤が高沸点で蒸発速度が遅いことから、塗布作業中の
粘度安定性及び塗布後のレベリング性が良好であり、従
って膜厚や屈曲率などの面内バラツキが非常に小さい透
明導電膜が得られる。
【0030】塗布膜の乾燥は、一般に塗布液が塗布され
た基板を80〜160℃の温度下に10〜60分保持す
ることにより行われ、塗布膜の焼成は、乾燥した塗布基
板を焼成炉に入れ、400〜620℃に昇温することに
より行われる。
【0031】図1に、塗布液中のAcAcIn+AcA
cSnの含有量と膜特性としてのシート抵抗値(R),
全光線透過率(LT)及びヘイズ値(H)との関係を示
した。図1により、(AcAcIn+AcAcSn)量
が6%以下の場合には、シート抵抗値が低くならず、7
%以上であることが好ましいことが判る。また、実用的
な上限は40%である。なお、成分配合,製造条件は、
図中に示したとおりである。
【0032】AcAcInは、溶剤に対する溶解性に限
界があるのは、過剰に加えられると不均質に分散した状
態で存在する未溶解部分が焼成膜中のIn/Sn濃度を
不均一にするため、光学特性が劣ることになるものと思
われる。
【0033】図2に印刷焼成膜の(AcAcSn/Ac
AcIn+AcAcSn)×100%と膜特性について
示した。AcAcSn量の増加に伴い、膜は、青色に着
色し、その度合いを増す。AcAcSn量と共に光学特
性が低下するのはこの着色に起因する。成分配合並びに
製造条件は図中に示した。
【0034】図2により、AcAcSn量としては、5
重量%が最適であり、AcAcSn以外の有機錫に同様
の傾向を示す。表4に、塗布液の材料構成の相違と焼成
膜特性との関係について示す。表4においては、ヒドロ
キシプロピルセルロース及び/あるいはパラターシャリ
ィーブチルフェノールが少ない程、焼成膜の導電特性が
優れる傾向を示している。
【0035】
【表4】
【0036】さらに、焼成温度の膜特性に及ぼす影響を
図3に示す。図3は、図中に示す配合の試料1,2につ
いて、焼成温度400〜600℃の範囲の膜特性を示し
たものである。図3より、膜特性は、高温焼成の程、膜
特性に優れることが分かる。
【0037】本発明により得られた導電膜形成用塗布液
の塗布方法は特に限定されず、浸漬法,スピンコート
法,印刷法など、従来公知の方法がいずれも可能であ
る。
【0038】本発明の塗布液は減粘が可能である。例え
ばイソホロン,アセチルアセトン,ターピネオール,エ
チレンブラシレート,酢酸ブチルシクロヘキシルなどの
有機溶剤を単独及び/又は混合し、これを希釈剤として
適宜添加するとよい。これによって、スピンコート,ス
プレーコート,バーコート及びブレードコートを製膜で
きる。
【0039】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する
が、本発明はこれらの実施例により何ら制約されるもの
ではない。
【0040】(実施例1)二塩基性酸エステルとして、
64grの高沸点溶剤(DBE(デュポンジャパン社
製))に、20grのパラターシャリィーブチルフェノ
ールを加えて10分間室温で撹拌しながら溶解した。次
いで4grのヒドロキシプロピルセルロースを加え、6
0℃で1時間撹拌しながら溶解し、粘稠液を得た。この
粘稠液に0.6grのAcAcSnと最後に11.4g
rのAcAcInを加えて撹拌しながら160℃に昇温
し、そのまま1時間保持した。まだ熱いうちに500m
eshスクリーンを使用し、吸引濾過して80kcps
/25℃の導電膜形成用塗布液を得た。
【0041】100,150,200,250,270
及び300meshのマスクにより、窓ガラスなどとし
て汎用の青板ガラス(厚さ3mm)を10cm角に切っ
た基板上に、得られた塗布液を5cm角にスクリーン印
刷した。
【0042】120℃で10分間乾燥後焼成炉に入れ、
室温から500℃まで約80分を掛けて昇温し、そのま
ま10分間保持した。次いで30分後炉温が300℃以
下になったところで取り出し、導電膜を得た。
【0043】得られた導電膜について、シート抵抗値を
四端子法で、全光線透過率(LT)とヘイズ価(H)を
ヘイズメーターで、硬度を鉛筆硬度計で、膜厚を表面粗
度計でそれぞれ測定した。その結果を表5に示す。
【0044】
【表5】
【0045】(実施例2)64grの酢酸ベンジルに2
0grのパラターシャリィーブチルフェノールを加えて
10分間室温で撹拌しながら溶解した。次いで4grの
ヒドロキシプロピルセルロースを加え、60℃で1時間
撹拌しながら溶解して粘稠液を得た。この粘稠液に0.
6grのAcAcSnと11.4grのAcAcInを
加えて、撹拌しながら160℃に昇温し、そのまま1時
間保持した。まだ熱いうちに500meshのスクリー
ンを使用し、吸引濾過して24kcps/25℃の導電
膜形成用塗布液を得た。
【0046】270mesh及び150meshのマス
クを使用して実施例1と同様に印刷,乾燥,焼成を行
い、導電膜を得た。得られた導電膜の特性を表6に示
す。
【0047】
【表6】
【0048】(実施例3)実施例1で得た導電膜形成塗
布液を270meshのマスクを使用して実施例1と同
様に印刷,乾燥した。次いで酸素中で45分を掛け、4
20℃に昇温した。この温度に達した後、窒素を流入さ
せ、炉内が窒素雰囲気になったところで再び昇温し、5
00℃で10分間焼成した。
【0049】約4時間掛けて冷却し、炉内温度が150
℃に達してから取り出した焼成膜の特性を表7に示す。
【0050】
【表7】
【0051】(実施例4)64grのDBEに20gr
のオクチルフェノールを加えて10分間室温で撹拌しな
がら溶解した。次いで4grのヒドロキシプロピルセル
ロースを加え、60℃で1時間撹拌しながら溶解し、粘
稠液とした。この粘稠液に0.6grのAcAcSnと
11.4grのAcAcInを加えて撹拌しながら16
0℃に昇温し、そのまま1時間保持した。いまだ熱いう
ちに、粘稠液を500meshのスクリーンを使用して
吸引濾過し、150kcps/25℃の導電膜形成用塗
布液を得た。次に、270meshのマスクを使用して
得られた塗布液を実施例1と同様に印刷,乾燥,焼成を
行い、基板上に透明導電膜を形成した。導電膜の特性は
表8のとおりである。
【0052】
【表8】
【0053】(実施例5)64grのDBEに20gr
のノニルフェノールの混液に、4grのヒドロキシプロ
ピルセルロースを加え、60℃で1時間溶解して粘稠液
を得た。次いで0.6grのAcAcSnと11.4g
rのAcAcInを加えて実施例4と同様の方法によ
り、200kcps/25℃の導電膜形成用塗布液を得
た。次に、150,200及び270meshのマスク
を用い得られた塗布液を実施例1と同様に印刷,乾燥,
焼成して基板上に透明導電膜を形成した。150mes
hのマスクを使用した焼成膜には微細な亀裂が発生して
いた。200及び270meshによる導電膜の特性は
表9のとおりである。
【0054】
【表9】
【0055】(実施例6)64grのDBEに20gr
のカシューナット殻液(3pentodecadecy
l phenol)の混液に、4grのヒドロキシプロ
ピルセルロースを加え、60℃で1時間溶解して粘稠液
を得た。次いで0.6grのAcAcSnと11.4g
rのAcAcInを加えて実施例1と同様の方法によ
り、300kcps/25℃の導電膜形成用塗布液を得
た。次に、200,250,270及び300mesh
のマスクを用い、得られた塗布液を実施例1と同様の方
法で印刷,乾燥し,500℃で1時間焼成して基板上に
透明導電膜を形成した。200及び250meshのマ
スクを使用した焼成膜には微細な亀裂が発生していた。
導電膜の特性は表10のとおりである。
【0056】
【表10】
【0057】(実施例7)87grのDBEに5grの
パラターシャリィーブチルフェノール5grを加え、1
0分間室温で撹拌しながら溶解した。次いで1grのヒ
ドロキシプロピルセルロースを加えて60℃で1時間溶
解し、0.3grのAcAcSn及び6.7grのAc
AcInを加えた。160℃で1時間撹拌しながら溶解
したのち、液がいまだ熱いうちに500meshスクリ
ーンにより吸引濾過して140kcps/25℃の導電
膜形成用塗布液を得た。この塗布液をアセチルアセトン
で希釈したときの粘度は表11のとおりである。
【0058】
【表11】
【0059】一方、15cm×20cmで厚2mmtの
青板ガラス(LT91.6%,H0.0%)を80℃の
オーブンに20分間入れて加温した後、炉から取り出
し、このガラス板を、スピンコーターにて300rpm
の回転速度で回転させ、その上に塗布液/アセチルアセ
トン=60/40の希釈液8grを一瞬のうちに塗布
し、塗布後2分間回転を継続した。次いで実施例1と同
様の方法で500℃で10分間焼成し、透明導電膜を形
成した。導電膜の形成は、200rpmの回転速度でも
同様に行った。得られた導電膜の特性は表12のとおり
である。
【0060】
【表12】
【0061】(実施例8)270grのDBEに180
grのパラターシャリィーブチルフェノールを加えて1
0分間室温で撹拌しながら溶解した。次いで13grの
ヒドロキシプロピルセルロースを加え、60℃で1時間
撹拌しながら溶解して粘稠液を得た。この粘稠液に2.
1grのモノブチル錫トリアセテートと、最後に47.
5grのAcAcInを加え撹拌しながら160℃に昇
温し、そのまま1時間保持した。
【0062】まだ熱いうちに500meshスクリーン
を使用して粘稠液を吸引濾過し、16kcps/25℃
の導電膜形成用塗布液を得た。
【0063】一方、200meshのマスクにより10
cm×10cm×0.3cmの青板ガラス基板上に得ら
れた塗布液をスクリーン印刷した。
【0064】120℃で10分間乾燥後焼成炉に入れ、
室温から550℃まで約90分を掛けて昇温し、20分
間保持した。次いで30分後炉温が300℃以下になっ
たところで取り出して導電膜を得た。
【0065】得られた導電膜の特性は表13のとおりで
あった。
【0066】
【表13】
【0067】(実施例9)2.1grのモノブチル錫ト
リアセテートの代りに3.9grのジ−n−ブトキシ錫
を用いたほかは実施例8と全く同様の方法で32kcp
s/25℃の導電膜形成用塗布液を得た。
【0068】実施例8と同様の方法で印刷,乾燥,焼成
して得た導電膜の特性は表14のとおりであった。
【0069】
【表14】
【0070】(実施例10)2.1grのモノブチル錫
トリアセテートの代りに2.5grのオクチル酸錫を用
いたほかは実施例8と全く同様の方法で25kcps/
25℃の導電膜形成用塗布液を得た。
【0071】実施例8と同様の方法で印刷,乾燥,焼成
して得た導電膜の特性は表15のとおりであった。
【0072】
【表15】
【0073】(比較例1)2.1grのモノブチル錫ト
リアセテートの代りに1.3grの塩化錫SnCl2
2H2Oを用いたほかは実施例8と全く同様の方法で2
5kcps/25℃の導電膜形成用塗布液を得た。
【0074】実施例8と同様の方法で印刷,乾燥,焼成
して得た導電膜の特性は表16のとおりであった。
【0075】
【表16】
【0076】(比較例2)酢酸ベンジル26.33g
r,ターピネオール42.33gr,イソホロン9.1
5gr,アセチルアセトン9.14grの混合溶液中に
2.94grのヒドロキシプロピルセルロースを加え、
撹拌しながら160℃で8時間加熱溶解して粘稠液を得
た。
【0077】この粘稠液に9.60grのオクチル酸イ
ンジウムと0.51grのオクチル酸錫を加え、実施例
8と同様の方法により1.8kcps/25℃の導電膜
形成用塗布液を得た。
【0078】実施例8と同様の方法で印刷,乾燥,焼成
して得た導電膜の特性は表17のとおりであった。
【0079】
【表17】
【00080】以上、実施例と比較例とを較べて明らか
なとおり、比較例による導電膜は、いずれも全光線透過
率,ヘイズ値に劣り抵抗値が大きく、殊に粘度を高めた
ものはさらに抵抗値が大きくなっているのに対し、本発
明の塗布液は、高粘度で得られた導電膜は抵抗値が小さ
く、全光線透過率,ヘイズ値は共に優れ、また、本発明
によれば希釈液を用いてスピンコートにより実用的な透
明導電膜を形成できることが実証された。
【0081】
【発明の効果】以上のように本発明の導電膜形成用塗布
液によれば、高粘度で抵抗値が小さいため、平板,凸
版,スクリーンなどの印刷法はもとより、必要により希
釈してスピンコートなどにより膜特性に優れた透明導電
膜を成膜でき、特に、パターン印刷,乾燥,焼成という
簡単な工程で基板上に任意の形状の透明導電膜微細パタ
ーンを形成することができる。
【0082】また、低い焼成温度での焼成が可能であ
り、得られた導電膜は、導電性が良好で、機械的強度,
光学性に優れ、面内バラツキが小さいため、タッチパネ
ルや表示装置の透明電極や帯電防止膜などに広く利用で
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】[AcAcIn+AcAcSn]量と、焼成膜
のシート抵抗値との関係を示す図である。
【図2】印刷焼成膜の(AcAcSn)/(AcAcI
n)×100%と膜特性との関係を示す図である。
【図3】塗布膜の焼成温度の膜特性に及ぼす影響を示す
図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 折田 桂一 東京都品川区西五反田7丁目9番4号 東 北化工株式会社内 (72)発明者 小泉 啓寿 東京都品川区西五反田7丁目9番4号 東 北化工株式会社内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アセチルアセトンインジウムと、有機錫
    とを溶剤中に溶解させ、粘性剤を添加した透明導電膜形
    成用塗布液であって、 溶剤は、アルキルフェノール及び/又はアルケニルフェ
    ノールと、二塩基性酸エステル及び/又は酢酸ベンジル
    であり、 粘性剤は、ヒドロキシプロピルセルロースであり、その
    添加量は、5重量%以下であることを特徴とする透明導
    電膜形成用塗布液。
  2. 【請求項2】 アセチルアセトンインジウムと、有機錫
    との含有量は、7重量%〜40重量%である請求項1に
    記載の透明導電膜形成用塗布液。
  3. 【請求項3】 有機錫は、アセチルアセトン錫である請
    求項1又は2に記載の透明導電膜形成用塗布液。
  4. 【請求項4】 アルキルフェノール及び/又はアルケニ
    ルフェノールの添加量は、40重量%以下であることを
    特徴とする請求項1,2又は3に記載の透明導電膜形成
    用塗布液。
  5. 【請求項5】 請求項1,2,3又は4に記載の透明導
    電膜形成用塗布液であって、さらに希釈剤を含み、希釈
    剤は、塗布液の粘度を低下させる有機溶剤であることを
    特徴とする透明導電膜形成用塗布液。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000133065A (ja) * 1998-10-20 2000-05-12 Tdk Corp 内部電極用ペーストの製造方法
JP2005125305A (ja) * 2003-09-30 2005-05-19 Mitsuboshi Belting Ltd 透明導電膜形成用処理剤および透明導電膜形成方法
JP2006028431A (ja) * 2004-07-20 2006-02-02 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電膜とその製造方法、及び透明導電膜形成用塗布液
JP2006049019A (ja) * 2004-08-02 2006-02-16 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電膜とその製造方法、及び透明導電膜形成用ペースト
JP2006128098A (ja) * 2004-09-30 2006-05-18 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電膜形成用塗布液及び透明導電膜並びにその製造方法
WO2011055856A1 (ja) * 2009-11-05 2011-05-12 住友金属鉱山株式会社 透明導電膜の製造方法及び透明導電膜、それを用いた素子、透明導電基板並びにそれを用いたデバイス
WO2014034439A1 (ja) * 2012-08-29 2014-03-06 住友金属鉱山株式会社 透明導電膜形成用塗布液の製造方法
US8753987B2 (en) 2010-06-08 2014-06-17 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Method of manufacturing metal oxide film
US9040119B2 (en) 2008-12-01 2015-05-26 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Method for producing transparent conductive film, transparent conductive film, transparent conductive substrate and device comprising the same
US9701849B2 (en) 2010-02-17 2017-07-11 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Method of manufacturing transparent conductive film, the transparent conductive film, element and transparent conductive substrate using the film, as well as device using the substrate

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000133065A (ja) * 1998-10-20 2000-05-12 Tdk Corp 内部電極用ペーストの製造方法
JP2005125305A (ja) * 2003-09-30 2005-05-19 Mitsuboshi Belting Ltd 透明導電膜形成用処理剤および透明導電膜形成方法
JP2006028431A (ja) * 2004-07-20 2006-02-02 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電膜とその製造方法、及び透明導電膜形成用塗布液
JP4655529B2 (ja) * 2004-07-20 2011-03-23 住友金属鉱山株式会社 透明導電膜とその製造方法、及び透明導電膜形成用塗布液
JP2006049019A (ja) * 2004-08-02 2006-02-16 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電膜とその製造方法、及び透明導電膜形成用ペースト
JP2006128098A (ja) * 2004-09-30 2006-05-18 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電膜形成用塗布液及び透明導電膜並びにその製造方法
US9040119B2 (en) 2008-12-01 2015-05-26 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Method for producing transparent conductive film, transparent conductive film, transparent conductive substrate and device comprising the same
WO2011055856A1 (ja) * 2009-11-05 2011-05-12 住友金属鉱山株式会社 透明導電膜の製造方法及び透明導電膜、それを用いた素子、透明導電基板並びにそれを用いたデバイス
US8963146B2 (en) 2009-11-05 2015-02-24 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Method of manufacturing transparent conductive film, the transparent conductive substrate using the film, as well as device using the substrate
JP5403293B2 (ja) * 2009-11-05 2014-01-29 住友金属鉱山株式会社 透明導電膜の製造方法及び透明導電膜、それを用いた素子、透明導電基板並びにそれを用いたデバイス
US9701849B2 (en) 2010-02-17 2017-07-11 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Method of manufacturing transparent conductive film, the transparent conductive film, element and transparent conductive substrate using the film, as well as device using the substrate
US8753987B2 (en) 2010-06-08 2014-06-17 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Method of manufacturing metal oxide film
WO2014034439A1 (ja) * 2012-08-29 2014-03-06 住友金属鉱山株式会社 透明導電膜形成用塗布液の製造方法
CN104025208A (zh) * 2012-08-29 2014-09-03 住友金属矿山株式会社 透明导电膜形成用涂布液的制造方法
US10283230B2 (en) 2012-08-29 2019-05-07 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Production method for coating liquid for formation of transparent conductive film

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