JPH06119257A - 内部状態退避構造を内蔵した大規模集積回路 - Google Patents
内部状態退避構造を内蔵した大規模集積回路Info
- Publication number
- JPH06119257A JPH06119257A JP4268373A JP26837392A JPH06119257A JP H06119257 A JPH06119257 A JP H06119257A JP 4268373 A JP4268373 A JP 4268373A JP 26837392 A JP26837392 A JP 26837392A JP H06119257 A JPH06119257 A JP H06119257A
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- Japan
- Prior art keywords
- internal state
- lsi
- power source
- turned
- external memory
- Prior art date
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- Pending
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management
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- Microcomputers (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 システム構成が簡単で、電源切断時及び電源
投入時のLSIの操作時間を短縮でき、システム全体の
立ち上げ及び立ち下げをスム−ズに行うことができるL
SIを提供する。 【構成】 内部状態を退避するためのフラッシュメモリ
12と、内部状態を記憶手段へ読み書きするためのデータ
コピ−回路13とを備えており、データコピ−回路13によ
り内部状態の退避が指示されたときに内部状態をフラッ
シュメモリ12に退避し、内部状態の復帰が指示されたと
きにフラッシュメモリ12から内部状態を復帰する内部状
態退避構造を内蔵した。
投入時のLSIの操作時間を短縮でき、システム全体の
立ち上げ及び立ち下げをスム−ズに行うことができるL
SIを提供する。 【構成】 内部状態を退避するためのフラッシュメモリ
12と、内部状態を記憶手段へ読み書きするためのデータ
コピ−回路13とを備えており、データコピ−回路13によ
り内部状態の退避が指示されたときに内部状態をフラッ
シュメモリ12に退避し、内部状態の復帰が指示されたと
きにフラッシュメモリ12から内部状態を復帰する内部状
態退避構造を内蔵した。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、内部状態退避構造を内
蔵した大規模集積回路に関する。
蔵した大規模集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の大規模集積回路(以下、LSIと
称する)では、電源切断時にレジスタやランダム・アク
セス・メモリ(RAM)などに格納されていた内部状態
が失われてしまう。従って、LSIを用いて電源投入時
に電源切断時の状態から動作を再開するシステムを構築
するには、電源切断時にLSI40の内部状態41をチップ
外部に読み出して外部メモリ42に格納し、電源投入時に
LSI40の内部状態41を外部メモリ42から取り出してチ
ップ内部に再び書き込むという操作が必要であった。そ
こで従来のLSIを用いて電源投入時に電源切断時の状
態から動作を再開するシステムを構築するには、図7に
示すように、LSI40の電源43以外に、LSI40の内部
状態41を格納するための外部メモリ42及び外部メモリ42
がデータを保持するための外部メモリ用電源44を設ける
必要がある。
称する)では、電源切断時にレジスタやランダム・アク
セス・メモリ(RAM)などに格納されていた内部状態
が失われてしまう。従って、LSIを用いて電源投入時
に電源切断時の状態から動作を再開するシステムを構築
するには、電源切断時にLSI40の内部状態41をチップ
外部に読み出して外部メモリ42に格納し、電源投入時に
LSI40の内部状態41を外部メモリ42から取り出してチ
ップ内部に再び書き込むという操作が必要であった。そ
こで従来のLSIを用いて電源投入時に電源切断時の状
態から動作を再開するシステムを構築するには、図7に
示すように、LSI40の電源43以外に、LSI40の内部
状態41を格納するための外部メモリ42及び外部メモリ42
がデータを保持するための外部メモリ用電源44を設ける
必要がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のLSI
を用いた電源投入時に電源切断時の状態から動作を再開
するシステムでは、LSIの内部状態を格納するための
外部メモリ及び外部メモリがデータを保持するための外
部メモリ用電源を設ける必要があり、システム構成が複
雑になるという問題点があった。また、電源切断、電源
投入時にLSIの内部状態をチップ外部に転送する操作
に長い時間がかかり、システム全体の立ち上げ、立ち下
げ時の遅延時間が大きくなるという問題点があった。
を用いた電源投入時に電源切断時の状態から動作を再開
するシステムでは、LSIの内部状態を格納するための
外部メモリ及び外部メモリがデータを保持するための外
部メモリ用電源を設ける必要があり、システム構成が複
雑になるという問題点があった。また、電源切断、電源
投入時にLSIの内部状態をチップ外部に転送する操作
に長い時間がかかり、システム全体の立ち上げ、立ち下
げ時の遅延時間が大きくなるという問題点があった。
【0004】本発明は、上述した従来のLSIを用いた
システムにおける問題点に鑑み、システム構成が簡単
で、電源切断時及び電源投入時のLSIの操作時間を短
縮でき、システム全体の立ち上げ及び立ち下げをスム−
ズに行うことができるLSIを提供する。
システムにおける問題点に鑑み、システム構成が簡単
で、電源切断時及び電源投入時のLSIの操作時間を短
縮でき、システム全体の立ち上げ及び立ち下げをスム−
ズに行うことができるLSIを提供する。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、内部状態を退
避するための記憶手段と、内部状態を記憶手段へ読み書
きするためのデータ移動手段とを備えており、データ移
動手段により内部状態の退避が指示されたときに内部状
態を記憶手段に退避し、内部状態の復帰が指示されたと
きに記憶手段から内部状態を復帰する内部状態退避構造
を内蔵した大規模集積回路によって達成される。
避するための記憶手段と、内部状態を記憶手段へ読み書
きするためのデータ移動手段とを備えており、データ移
動手段により内部状態の退避が指示されたときに内部状
態を記憶手段に退避し、内部状態の復帰が指示されたと
きに記憶手段から内部状態を復帰する内部状態退避構造
を内蔵した大規模集積回路によって達成される。
【0006】
【作用】本発明の大規模集積回路では、記憶手段は内部
状態を退避し、データ移動手段は内部状態を記憶手段へ
読み書きして、データ移動手段により内部状態の退避が
指示されたときに内部状態を記憶手段に退避し、内部状
態の復帰が指示されたときに記憶手段から内部状態を復
帰する。
状態を退避し、データ移動手段は内部状態を記憶手段へ
読み書きして、データ移動手段により内部状態の退避が
指示されたときに内部状態を記憶手段に退避し、内部状
態の復帰が指示されたときに記憶手段から内部状態を復
帰する。
【0007】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の大規模集積
回路(以下、LSIと称する)の実施例を詳細に説明す
る。
回路(以下、LSIと称する)の実施例を詳細に説明す
る。
【0008】図1は、本発明のLSIの一実施例の構成
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【0009】図1のLSI10は、LSI10の内部状態11
を退避するための記憶手段であるフラッシュメモリ12、
内部状態11をフラッシュメモリ12に読み書きするための
デ−タ移動手段であるデータコピー回路13、及び内部状
態を含まない回路14を備えている。
を退避するための記憶手段であるフラッシュメモリ12、
内部状態11をフラッシュメモリ12に読み書きするための
デ−タ移動手段であるデータコピー回路13、及び内部状
態を含まない回路14を備えている。
【0010】次に、図2を参照して、図1のLSI10の
動作を説明する。
動作を説明する。
【0011】図1のLSI10では、データコピー回路13
は、内部状態退避が指示されたとき内部状態11をフラッ
シュメモリ12に退避し(図2(a)参照)、内部状態復
帰が指示されたとき内部状態11をフラッシュメモリ12か
ら復帰する(図2(b)参照)。
は、内部状態退避が指示されたとき内部状態11をフラッ
シュメモリ12に退避し(図2(a)参照)、内部状態復
帰が指示されたとき内部状態11をフラッシュメモリ12か
ら復帰する(図2(b)参照)。
【0012】図3は、図1のLSIを適用した電卓用1
チップマイクロコンピュ−タ(以下、マイコンと称す
る)の一構成例を示すブロック図である。
チップマイクロコンピュ−タ(以下、マイコンと称す
る)の一構成例を示すブロック図である。
【0013】図3のマイコンは、レジスタ群15、演算器
(ALU)16、データ用ランダム・アクセス・メモリ
(RAM)17、フレームメモリ18、各部分回路用のデー
タコピー回路19〜22、各部分回路の内部状態を格納する
ためのフラッシュメモリ23〜26、命令デコ−ダ27、リ−
ド・オンリ−・メモリ(ROM)28、キ−入力制御回路
29、及び液晶ドライバ30によって構成されている。
(ALU)16、データ用ランダム・アクセス・メモリ
(RAM)17、フレームメモリ18、各部分回路用のデー
タコピー回路19〜22、各部分回路の内部状態を格納する
ためのフラッシュメモリ23〜26、命令デコ−ダ27、リ−
ド・オンリ−・メモリ(ROM)28、キ−入力制御回路
29、及び液晶ドライバ30によって構成されている。
【0014】上記レジスタ群15には、プログラムカウン
タ、制御レジスタ、演算レジスタ、汎用レジスタが含ま
れる(図示省略)。
タ、制御レジスタ、演算レジスタ、汎用レジスタが含ま
れる(図示省略)。
【0015】マイコンを構成する部分回路のうち、レジ
スタ群15、ALU16、データ用RAM17、フレームメモ
リ18については、図に示すように、それぞれの部分回路
の内部状態を格納するためのデータコピー回路19〜22及
びフラッシュメモリ23〜26を設ける。
スタ群15、ALU16、データ用RAM17、フレームメモ
リ18については、図に示すように、それぞれの部分回路
の内部状態を格納するためのデータコピー回路19〜22及
びフラッシュメモリ23〜26を設ける。
【0016】図4を参照して、図3のマイコンの内部状
態の退避動作を説明する。
態の退避動作を説明する。
【0017】まず、マイコンの命令セットに内部状態の
退避、復帰を指示する命令を用意する。
退避、復帰を指示する命令を用意する。
【0018】これらの命令は、命令デコーダ27でデコー
ドされると、図4に示す制御信号31を変化させる。
ドされると、図4に示す制御信号31を変化させる。
【0019】データコピー回路19〜22は、制御信号31を
入力して、図2の動作原理に基づいて動作する。即ち、
制御信号31が内部状態退避のとき各部分回路の内部状態
を各部分回路用のフラッシュメモリ23〜26に退避し、制
御信号31が内部状態復帰のとき各部分回路用の内部状態
を各部分回路用のフラッシュメモリ23〜26から復帰す
る。
入力して、図2の動作原理に基づいて動作する。即ち、
制御信号31が内部状態退避のとき各部分回路の内部状態
を各部分回路用のフラッシュメモリ23〜26に退避し、制
御信号31が内部状態復帰のとき各部分回路用の内部状態
を各部分回路用のフラッシュメモリ23〜26から復帰す
る。
【0020】次に、図5のフロ−チャ−トを参照して、
図3のマイコンにおける内部状態の退避、復帰の動作タ
イミングを説明する。
図3のマイコンにおける内部状態の退避、復帰の動作タ
イミングを説明する。
【0021】まず、表示ル−チンを実行し(ステップS
1)、電卓の特定キーが押されたか否かを判定し(ステ
ップS2)、上記ステップS2で特定キーが押された
(YES)と判定されたときは、内部状態の退避、復帰
を実行し(ステップS3)、後述するステップS4へ進
む。他方、上記ステップS2で特定キーが押されていな
い(NO)と判定されたときは、演算ル−チンを実行し
(ステップS4)、電卓の特定キーが押されたか否かを
判定し(ステップS5)、上記ステップS5で特定キー
が押された(YES)と判定されたときは、内部状態の
退避、復帰を実行し(ステップS6)、後述するステッ
プS7へ進む。他方、上記ステップS5で特定キーが押
されていない(NO)と判定されたときは、演算ル−チ
ンが終了したか否かを判定し(ステップS7)、上記ス
テップS7で演算ル−チンが終了している(YES)と
判定されたときは上記ステップS1に戻り、上記ステッ
プS7で演算ル−チンが終了していない(NO)と判定
されたときは上記ステップS4に戻る。
1)、電卓の特定キーが押されたか否かを判定し(ステ
ップS2)、上記ステップS2で特定キーが押された
(YES)と判定されたときは、内部状態の退避、復帰
を実行し(ステップS3)、後述するステップS4へ進
む。他方、上記ステップS2で特定キーが押されていな
い(NO)と判定されたときは、演算ル−チンを実行し
(ステップS4)、電卓の特定キーが押されたか否かを
判定し(ステップS5)、上記ステップS5で特定キー
が押された(YES)と判定されたときは、内部状態の
退避、復帰を実行し(ステップS6)、後述するステッ
プS7へ進む。他方、上記ステップS5で特定キーが押
されていない(NO)と判定されたときは、演算ル−チ
ンが終了したか否かを判定し(ステップS7)、上記ス
テップS7で演算ル−チンが終了している(YES)と
判定されたときは上記ステップS1に戻り、上記ステッ
プS7で演算ル−チンが終了していない(NO)と判定
されたときは上記ステップS4に戻る。
【0022】上記ステップをまとめると、電源切断前の
終了処理時に内部状態を退避し、電源投入後の初期化時
に内部状態を待避する。そして、電卓の特定のキーが押
されたときに内部状態の退避、復帰を行う。
終了処理時に内部状態を退避し、電源投入後の初期化時
に内部状態を待避する。そして、電卓の特定のキーが押
されたときに内部状態の退避、復帰を行う。
【0023】図6に示すように、本発明のLSI10を用
いて電源投入時に電源切断時の状態から動作を再開する
システムを構築すると、本発明のLSI10が内部状態11
の退避構造を内蔵しているのでLSI10本体の電源32以
外の、外部メモリと外部メモリ用電源が不要になる。ま
た、電源切断、電源投入時にLSI10の内部状態をチッ
プ外部に転送しないので、システム全体の立ちあげ、立
ち下げ時の遅延時間が小さくなる。
いて電源投入時に電源切断時の状態から動作を再開する
システムを構築すると、本発明のLSI10が内部状態11
の退避構造を内蔵しているのでLSI10本体の電源32以
外の、外部メモリと外部メモリ用電源が不要になる。ま
た、電源切断、電源投入時にLSI10の内部状態をチッ
プ外部に転送しないので、システム全体の立ちあげ、立
ち下げ時の遅延時間が小さくなる。
【0024】これらの特徴は、本発明のLSIが電源制
御をきめ細かく行い省消費電力を図る携帯型機器の構成
要素をとして使用されたときに特に有効となる。
御をきめ細かく行い省消費電力を図る携帯型機器の構成
要素をとして使用されたときに特に有効となる。
【0025】
【発明の効果】本発明の大規模集積回路は、内部状態を
退避するための記憶手段と、内部状態を記憶手段へ読み
書きするためのデータ移動手段とを備えており、データ
移動手段により内部状態の退避が指示されたときに内部
状態を記憶手段に退避し、内部状態の復帰が指示された
ときに記憶手段から内部状態を復帰する内部状態退避構
造を内蔵しているので、外部メモリと外部メモリ用電源
が不要になる。また、電源切断、電源投入時にLSIの
内部状態をチップ外部に転送しないので、システム全体
の立ちあげ、立ち下げ時の遅延時間が小さくなる。
退避するための記憶手段と、内部状態を記憶手段へ読み
書きするためのデータ移動手段とを備えており、データ
移動手段により内部状態の退避が指示されたときに内部
状態を記憶手段に退避し、内部状態の復帰が指示された
ときに記憶手段から内部状態を復帰する内部状態退避構
造を内蔵しているので、外部メモリと外部メモリ用電源
が不要になる。また、電源切断、電源投入時にLSIの
内部状態をチップ外部に転送しないので、システム全体
の立ちあげ、立ち下げ時の遅延時間が小さくなる。
【図1】本発明の大規模集積回路の一実施例の構成を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図2】図1のデータコピー回路の動作説明図である。
【図3】図1の大規模集積回路を適用した電卓用1チッ
プマイコンの一構成例を示すブロック図である。
プマイコンの一構成例を示すブロック図である。
【図4】図3のデータコピー回路の制御方法の説明図で
ある。
ある。
【図5】図3の電卓用1チップマイコンの動作を説明す
るためのフローチャートである。
るためのフローチャートである。
【図6】図1のLSIを用いたシステムの一構成例を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図7】従来のLSIを用いたシステムの一構成例を示
すブロック図である。
すブロック図である。
10 大規模集積回路(LSI) 11 内部状態 12 フラッシュメモリ 13 デ−タコピ−回路 14 内部状態を含まない回路
Claims (1)
- 【請求項1】 内部状態を退避するための記憶手段と、
前記内部状態を前記記憶手段へ読み書きするためのデー
タ移動手段とを備えており、前記データ移動手段により
前記内部状態の退避が指示されたときに該内部状態を前
記記憶手段に退避し、前記内部状態の復帰が指示された
ときに前記記憶手段から該内部状態を復帰することを特
徴とする内部状態退避構造を内蔵した大規模集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4268373A JPH06119257A (ja) | 1992-10-07 | 1992-10-07 | 内部状態退避構造を内蔵した大規模集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4268373A JPH06119257A (ja) | 1992-10-07 | 1992-10-07 | 内部状態退避構造を内蔵した大規模集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06119257A true JPH06119257A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17457599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4268373A Pending JPH06119257A (ja) | 1992-10-07 | 1992-10-07 | 内部状態退避構造を内蔵した大規模集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06119257A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010217941A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Rohm Co Ltd | データ処理装置 |
JP2010267136A (ja) * | 2009-05-15 | 2010-11-25 | Rohm Co Ltd | データ処理装置 |
JP2012256404A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶素子、信号処理回路 |
-
1992
- 1992-10-07 JP JP4268373A patent/JPH06119257A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010217941A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Rohm Co Ltd | データ処理装置 |
JP2010267136A (ja) * | 2009-05-15 | 2010-11-25 | Rohm Co Ltd | データ処理装置 |
JP2012256404A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶素子、信号処理回路 |
US9508448B2 (en) | 2011-03-08 | 2016-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory element and signal processing circuit |
US9767862B2 (en) | 2011-03-08 | 2017-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory element and signal processing circuit |
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