JPH0590872A - 表面弾性波素子 - Google Patents
表面弾性波素子Info
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 信頼性が十分に保証され、かつ表面実装の場
合パッケージが不要な表面弾性波素子を提供する。 【構成】 対向する１対のくし型電極２ａ，２ｂと、く
し型電極２ａ，２ｂに密着し、１対のくし型電極２ａ，
２ｂの間に表面弾性波が伝播される部分を少なくとも有
する圧電体４とを備え、圧電体４において表面弾性波が
伝播される部分および１対のくし型電極２ａ，２ｂを少
なくとも覆うエアブリッジ１３をさらに備える表面弾性
波素子２０（図２（ｅ）参照）。
合パッケージが不要な表面弾性波素子を提供する。 【構成】 対向する１対のくし型電極２ａ，２ｂと、く
し型電極２ａ，２ｂに密着し、１対のくし型電極２ａ，
２ｂの間に表面弾性波が伝播される部分を少なくとも有
する圧電体４とを備え、圧電体４において表面弾性波が
伝播される部分および１対のくし型電極２ａ，２ｂを少
なくとも覆うエアブリッジ１３をさらに備える表面弾性
波素子２０（図２（ｅ）参照）。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、高周波フィルタなど
に用いられる表面弾性波素子に関する。
に用いられる表面弾性波素子に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】表面
弾性波素子は、弾性体表面を伝播する表面波を利用した
電気−機械変換素子であり、たとえば、図３に示すよう
な一般的構造を有する。表面弾性波素子３０において、
表面波の励振には圧電体３１による圧電現象が利用され
る。圧電体３１に設けられた一方のくし型電極３２に電
気信号を印加すると、圧電体３１に歪が生じ、これが表
面弾性波となって圧電体３１を伝播し、もう一方のくし
型電極３３で電気信号として取出される。この素子の周
波数特性は、図に示すように、くし型電極における電極
の周期をλ0 、表面弾性波の速度をνとすれば、ｆ0 ＝
ν／λ0 で定められる周波数ｆ0 を中心とした帯域通過
特性となる。
弾性波素子は、弾性体表面を伝播する表面波を利用した
電気−機械変換素子であり、たとえば、図３に示すよう
な一般的構造を有する。表面弾性波素子３０において、
表面波の励振には圧電体３１による圧電現象が利用され
る。圧電体３１に設けられた一方のくし型電極３２に電
気信号を印加すると、圧電体３１に歪が生じ、これが表
面弾性波となって圧電体３１を伝播し、もう一方のくし
型電極３３で電気信号として取出される。この素子の周
波数特性は、図に示すように、くし型電極における電極
の周期をλ0 、表面弾性波の速度をνとすれば、ｆ0 ＝
ν／λ0 で定められる周波数ｆ0 を中心とした帯域通過
特性となる。
【０００３】表面弾性波素子は部品点数が少なく、小型
にすることができ、しかも表面波の伝播経よ上において
信号の出入れが容易である。この素子は、フィルタ、遅
延線、発振器、共振器、コンボルバおよび相関器等に応
用することができる。特に、表面弾性波フィルタは、早
くからテレビの中間周波数フィルタとして実用化され、
さらにＶＴＲおよび各種の通信機器用フィルタに応用さ
れてきている。
にすることができ、しかも表面波の伝播経よ上において
信号の出入れが容易である。この素子は、フィルタ、遅
延線、発振器、共振器、コンボルバおよび相関器等に応
用することができる。特に、表面弾性波フィルタは、早
くからテレビの中間周波数フィルタとして実用化され、
さらにＶＴＲおよび各種の通信機器用フィルタに応用さ
れてきている。
【０００４】上記表面弾性波素子に関して、たとえば移
動通信等の分野に用いられる表面弾性波フィルタなどは
より高い周波数域で使用できる素子が望まれている。上
式で示されるように、電極の周期λ0 がより小さくなる
か、または表面波の速度νがより大きくなれば、素子の
周波数特性はより高い中心周波数ｆ0 を有するようにな
る。
動通信等の分野に用いられる表面弾性波フィルタなどは
より高い周波数域で使用できる素子が望まれている。上
式で示されるように、電極の周期λ0 がより小さくなる
か、または表面波の速度νがより大きくなれば、素子の
周波数特性はより高い中心周波数ｆ0 を有するようにな
る。
【０００５】そこで、特開昭５４−３８８７４は、基板
と圧電体薄膜の間に、表面弾性波の伝播速度が圧電体薄
膜中におけるよりも大きい材料（たとえばサファイア）
からなる絶縁層を有する表面弾性波素子を開示してい
る。また、本出願人による特開昭６４−６２９１１は、
表面弾性波の速度νを大きくするため、ダイヤモンド層
上に圧電体を積層した表面弾性波素子を開示している。
ダイヤモンド中の音速は最も大きく、しかもダイヤモン
ドは物理的および化学的に安定である。
と圧電体薄膜の間に、表面弾性波の伝播速度が圧電体薄
膜中におけるよりも大きい材料（たとえばサファイア）
からなる絶縁層を有する表面弾性波素子を開示してい
る。また、本出願人による特開昭６４−６２９１１は、
表面弾性波の速度νを大きくするため、ダイヤモンド層
上に圧電体を積層した表面弾性波素子を開示している。
ダイヤモンド中の音速は最も大きく、しかもダイヤモン
ドは物理的および化学的に安定である。
【０００６】以上に示したきた表面弾性波素子は、従
来、１対のくし型電極と圧電体で構成される素子中枢部
のパッシベーションを行なわずにパッケージ内に収納さ
れてきた。これは、パッシベーションのため表面弾性波
が伝播する圧電体上に絶縁膜を設けると、素子の特性
（特に周波数特性）が変わってしまうためであった。こ
のようにパッシペーションを行なわずにパッケージング
された素子の信頼性は、十分に保証されていると言えな
かった。また、表面弾性波素子を表面実装して増幅回路
等の周辺回路に接続する場合、圧電体およびくし型電極
に損傷を与えないようパッケージングしなければならな
かった。
来、１対のくし型電極と圧電体で構成される素子中枢部
のパッシベーションを行なわずにパッケージ内に収納さ
れてきた。これは、パッシベーションのため表面弾性波
が伝播する圧電体上に絶縁膜を設けると、素子の特性
（特に周波数特性）が変わってしまうためであった。こ
のようにパッシペーションを行なわずにパッケージング
された素子の信頼性は、十分に保証されていると言えな
かった。また、表面弾性波素子を表面実装して増幅回路
等の周辺回路に接続する場合、圧電体およびくし型電極
に損傷を与えないようパッケージングしなければならな
かった。
【０００７】この発明の目的は、上記問題点を解決し、
信頼性が十分に保証され、かつ表面実装においてもパッ
ケージングが不要な表面弾性波素子を提供することにあ
る。
信頼性が十分に保証され、かつ表面実装においてもパッ
ケージングが不要な表面弾性波素子を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に従う表面弾性
波素子は、１対のくし型電極と、くし型電極に密着し、
１対のくし型電極の間に表面弾性波が伝播される部分を
少なくとも有する圧電体とを備える素子において、１対
のくし型電極および圧電体において表面弾性波が伝播さ
れる部分を少なくとも覆うエアブリッジを備える。
波素子は、１対のくし型電極と、くし型電極に密着し、
１対のくし型電極の間に表面弾性波が伝播される部分を
少なくとも有する圧電体とを備える素子において、１対
のくし型電極および圧電体において表面弾性波が伝播さ
れる部分を少なくとも覆うエアブリッジを備える。
【０００９】この発明において圧電体は、ＺｎＯ、Ａｌ
Ｎ、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 、（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，
Ｔｉ）Ｏ3 、ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 、ＳｉＯ2 、
Ｔａ 2 Ｏ5 、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＢｅＯ、Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ7 、Ｋ
ＮｂＯ3 、ＺｎＳ、ＺｎＳｅおよびＣｄＳからなる群か
ら選択された１つまたは２つ以上の化合物を主成分とす
ることができる。圧電体は、単結晶および多結晶のいず
れであってもよいが、素子をより高周波域で使用するた
にめには、表面波の散乱が少ない単結晶がより好まし
い。また、これらの材料の中で、ＺｎＯ、ＡｌＮおよび
Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 等の圧電体はＣＶＤ法またはス
パッタリング法によって形成することができる。
Ｎ、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 、（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，
Ｔｉ）Ｏ3 、ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 、ＳｉＯ2 、
Ｔａ 2 Ｏ5 、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＢｅＯ、Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ7 、Ｋ
ＮｂＯ3 、ＺｎＳ、ＺｎＳｅおよびＣｄＳからなる群か
ら選択された１つまたは２つ以上の化合物を主成分とす
ることができる。圧電体は、単結晶および多結晶のいず
れであってもよいが、素子をより高周波域で使用するた
にめには、表面波の散乱が少ない単結晶がより好まし
い。また、これらの材料の中で、ＺｎＯ、ＡｌＮおよび
Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 等の圧電体はＣＶＤ法またはス
パッタリング法によって形成することができる。
【００１０】また、この発明に従う素子は、より高い周
波数域で作動させるため、圧電体よりも弾性波の伝播速
度が大きい材料（たとえば、ダイヤモンド、ダイヤモン
ド状炭素、窒化ホウ素およびサファイア等）を圧電体に
密着させてもよい。
波数域で作動させるため、圧電体よりも弾性波の伝播速
度が大きい材料（たとえば、ダイヤモンド、ダイヤモン
ド状炭素、窒化ホウ素およびサファイア等）を圧電体に
密着させてもよい。
【００１１】さらに、この発明に従う素子において信頼
性向上のため、エアブリッジ上に絶縁膜を設けてもよ
い。この絶縁膜は、たとえば、ＳｉＯ2 膜、ＰＳＧ膜、
Ｓｉ3 Ｎ4 膜またはポリイミド等の合成樹脂膜とするこ
とができる。また、上記膜において、ＳｉＯ2 膜および
ＰＳＧ膜は、たとえば低温ＣＶＤ法により成長させるこ
とができ、Ｓｉ3 Ｎ4 膜は、たとえばプラズマ堆積によ
り形成することができる。
性向上のため、エアブリッジ上に絶縁膜を設けてもよ
い。この絶縁膜は、たとえば、ＳｉＯ2 膜、ＰＳＧ膜、
Ｓｉ3 Ｎ4 膜またはポリイミド等の合成樹脂膜とするこ
とができる。また、上記膜において、ＳｉＯ2 膜および
ＰＳＧ膜は、たとえば低温ＣＶＤ法により成長させるこ
とができ、Ｓｉ3 Ｎ4 膜は、たとえばプラズマ堆積によ
り形成することができる。
【００１２】
【作用】この発明に従う表面弾性波素子において、圧電
体において表面弾性波を伝播する部分および１対のくし
型電極は、エアブリッジで覆われている。すなわち、こ
の発明の素子では、１対のくし型電極および圧電体で構
成され電極−機械変換を行なう素子の中枢部がエアブリ
ッジにより保護されている。しかも、１対のくし型電極
およびその間の表面弾性波が伝播される部分には、パッ
シベーションに必要な材料が接触することはない。この
ように、素子の中枢部分をそのまま残してパッシベーシ
ョンを行なう構造を採用したため、素子の特性を変える
ことなくパッシベーションを行なうことができた。
体において表面弾性波を伝播する部分および１対のくし
型電極は、エアブリッジで覆われている。すなわち、こ
の発明の素子では、１対のくし型電極および圧電体で構
成され電極−機械変換を行なう素子の中枢部がエアブリ
ッジにより保護されている。しかも、１対のくし型電極
およびその間の表面弾性波が伝播される部分には、パッ
シベーションに必要な材料が接触することはない。この
ように、素子の中枢部分をそのまま残してパッシベーシ
ョンを行なう構造を採用したため、素子の特性を変える
ことなくパッシベーションを行なうことができた。
【００１３】
【実施例】この発明に従う高周波フィルタを以下のとお
り作製した。その製造方法を図について説明する。な
お、図において向かって左側は断面図、右側は平面図を
示す。
り作製した。その製造方法を図について説明する。な
お、図において向かって左側は断面図、右側は平面図を
示す。
【００１４】図１（ａ）を参照して、まず、単結晶ダイ
ヤモンドの基板１を準備した。基板１上に抵抗加熱法を
用いて５００Åの厚さでＡｌを蒸着させた後、フォトリ
ソグラフィを用いてパターニングし、１対のくし型電極
２ａおよび２ｂならびに引出電極３ａおよび３ｂを形成
した（図１（ｂ））。
ヤモンドの基板１を準備した。基板１上に抵抗加熱法を
用いて５００Åの厚さでＡｌを蒸着させた後、フォトリ
ソグラフィを用いてパターニングし、１対のくし型電極
２ａおよび２ｂならびに引出電極３ａおよび３ｂを形成
した（図１（ｂ））。
【００１５】次に、基板１をマグネトロンスパッタ装置
に載置し、くし型電極２ａおよび２ｂが設けられる領域
以外をマスクして、スパッタ出力１００Ｗ、基板温度３
８０℃の条件下、ＺｎＯ多結晶体をＡｒ：Ｏ2 ＝１：１
の混合ガスでスパッタするマグネトロンスパッタリング
により、ＺｎＯの圧電体層４を基板１上に堆積させた
（図１（ｃ））。
に載置し、くし型電極２ａおよび２ｂが設けられる領域
以外をマスクして、スパッタ出力１００Ｗ、基板温度３
８０℃の条件下、ＺｎＯ多結晶体をＡｒ：Ｏ2 ＝１：１
の混合ガスでスパッタするマグネトロンスパッタリング
により、ＺｎＯの圧電体層４を基板１上に堆積させた
（図１（ｃ））。
【００１６】次に、圧電体層をマスクして、ＳｉＨ4 −
Ｎ2 Ｏ系のプラズマＣＶＤによりＳｉＯ2 からなる絶縁
膜５を堆積させ、引出電極３ａおよび３ｂを保護した
（図１（ｄ））。
Ｎ2 Ｏ系のプラズマＣＶＤによりＳｉＯ2 からなる絶縁
膜５を堆積させ、引出電極３ａおよび３ｂを保護した
（図１（ｄ））。
【００１７】基板上にレジスト膜を堆積させた後、フォ
トリソグラフィを用いて圧電体層４の周囲に環状の溝部
６ａを有する第１のレジストパターン６を形成させた
（図１（ｅ））。次に、マグネトロンスパッタによりＡ
ｕ層７を形成した（図２（ａ））。その後、フォトリソ
グラフィを用いて圧電体層４および溝部６ａの上方にあ
たるＡｕ層７の部分を被覆し、かつ溝部６ａ上において
複数の孔８を有する第２のレジストパターン９を形成し
た（図２（ｂ））。続いて、Ａｕ層７をイオンミリング
によりエッチングして、圧電体層４上方を全面的に覆い
かつ溝部６ａの部分から立上がる複数の橋脚部１１を有
するＡｕ層パターン１２を形成した（図２（ｃ））。そ
の後、第１および第２のレジストパターン６および９を
有機溶剤により除去して、複数の橋脚部１１により支持
されたエアブリッジ１３を得た（図２（ｄ））。
トリソグラフィを用いて圧電体層４の周囲に環状の溝部
６ａを有する第１のレジストパターン６を形成させた
（図１（ｅ））。次に、マグネトロンスパッタによりＡ
ｕ層７を形成した（図２（ａ））。その後、フォトリソ
グラフィを用いて圧電体層４および溝部６ａの上方にあ
たるＡｕ層７の部分を被覆し、かつ溝部６ａ上において
複数の孔８を有する第２のレジストパターン９を形成し
た（図２（ｂ））。続いて、Ａｕ層７をイオンミリング
によりエッチングして、圧電体層４上方を全面的に覆い
かつ溝部６ａの部分から立上がる複数の橋脚部１１を有
するＡｕ層パターン１２を形成した（図２（ｃ））。そ
の後、第１および第２のレジストパターン６および９を
有機溶剤により除去して、複数の橋脚部１１により支持
されたエアブリッジ１３を得た（図２（ｄ））。
【００１８】次に、ＳｉＨ4 −Ｎ2 Ｏ系のプラズマＣＶ
ＤによりＳｉＯ2 からなる絶縁膜１４を堆積させてパッ
シベーションを行なった。その結果、図２（ｅ）に示す
ように、ダイヤモンドの基板１上にくし型電極２ａおよ
び２ｂならびに圧電体層４を堆積し、その上からエアブ
リッジ１３を介して絶縁膜１４で覆った表面弾性波フィ
ルタ２０が得られた。また、絶縁膜１４は減圧下で堆積
されるため、エアブリッジ１３の内部は真空に近い状態
に保持されている。表面弾性波フィルタ２０において、
エアブリッジ橋脚部１１の隙間は絶縁膜１４によって塞
がれている。このとき、橋脚部１１の隙間からエアブリ
ッジ１３の内部に絶縁膜１４が侵入するが、圧電体層４
までの距離が十分にとられているため、表面弾性波が伝
播する部分にまで絶縁膜１４は至っていない。このよう
な構造により、表面弾性波が伝播する部分に絶縁膜を接
触させずに、すなわち素子の特性を変えることなく、パ
ッシベーションを施した表面弾性波フィルタが得られ
た。なお、さらに指向性のよい成膜方法たとえば電子サ
イクロトロン共鳴（ＥＣＲ）−ＣＶＤを用いることによ
って、エアブリッジ橋脚部の隙間から侵入する絶縁膜の
量をより低減することができる。
ＤによりＳｉＯ2 からなる絶縁膜１４を堆積させてパッ
シベーションを行なった。その結果、図２（ｅ）に示す
ように、ダイヤモンドの基板１上にくし型電極２ａおよ
び２ｂならびに圧電体層４を堆積し、その上からエアブ
リッジ１３を介して絶縁膜１４で覆った表面弾性波フィ
ルタ２０が得られた。また、絶縁膜１４は減圧下で堆積
されるため、エアブリッジ１３の内部は真空に近い状態
に保持されている。表面弾性波フィルタ２０において、
エアブリッジ橋脚部１１の隙間は絶縁膜１４によって塞
がれている。このとき、橋脚部１１の隙間からエアブリ
ッジ１３の内部に絶縁膜１４が侵入するが、圧電体層４
までの距離が十分にとられているため、表面弾性波が伝
播する部分にまで絶縁膜１４は至っていない。このよう
な構造により、表面弾性波が伝播する部分に絶縁膜を接
触させずに、すなわち素子の特性を変えることなく、パ
ッシベーションを施した表面弾性波フィルタが得られ
た。なお、さらに指向性のよい成膜方法たとえば電子サ
イクロトロン共鳴（ＥＣＲ）−ＣＶＤを用いることによ
って、エアブリッジ橋脚部の隙間から侵入する絶縁膜の
量をより低減することができる。
【００１９】以上のようにして得られた表面弾性波フィ
ルタを温度８０℃、湿度８５％の環境下で２４時間保持
したが、特性の劣化は認められなかった。一方、上記プ
ロセスにおいてＺｎＯの圧電体層を堆積した後得られた
従来の表面弾性波フィルタについて同様の環境下に保持
した結果、１時間で特性が劣化した。この結果より、こ
の発明に従う表面弾性波素子が厳しい環境下においても
信頼性を保持できるものであることがわかった。
ルタを温度８０℃、湿度８５％の環境下で２４時間保持
したが、特性の劣化は認められなかった。一方、上記プ
ロセスにおいてＺｎＯの圧電体層を堆積した後得られた
従来の表面弾性波フィルタについて同様の環境下に保持
した結果、１時間で特性が劣化した。この結果より、こ
の発明に従う表面弾性波素子が厳しい環境下においても
信頼性を保持できるものであることがわかった。
【００２０】なお、上記実施例ではダイヤモンド基板を
用いたが、適当な材料（たとえばＳｉ）の基板上にダイ
ヤモンド層を形成したものを用い、その上にくし型電極
および圧電体層を堆積させていってもよい。
用いたが、適当な材料（たとえばＳｉ）の基板上にダイ
ヤモンド層を形成したものを用い、その上にくし型電極
および圧電体層を堆積させていってもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上説明してきたように、この発明の素
子は、その特性を代えることなくパッシベーションが施
されているため、高い信頼性を有するものである。ま
た、パッシベーションのため、この発明の素子は表面実
装においてパッケージングが不要になっている。
子は、その特性を代えることなくパッシベーションが施
されているため、高い信頼性を有するものである。ま
た、パッシベーションのため、この発明の素子は表面実
装においてパッケージングが不要になっている。
【図１】この発明に従う実施例の表面弾性波素子を製造
していく工程を模式的に示す図である。
していく工程を模式的に示す図である。
【図２】この発明に従う実施例の表面弾性波素子を製造
していく工程を模式的に示す図である。
していく工程を模式的に示す図である。
【図３】表面弾性波素子の一般的構造を説明するための
斜視図である。
斜視図である。
１ 基板 ２ａ、２ｂ くし型電極 ４ 圧電体層 １３ エアブリッジ １４ 絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤森 直治 兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住友 電気工業株式会社伊丹製作所内
Claims (1)
- 【請求項１】 対向する１対のくし型電極と、前記くし
型電極に密着し、前記１対のくし型電極の間に表面弾性
波が伝播される部分を少なくとも有する圧電体とを備え
る表面弾性波素子において、 前記１対のくし型電極および前記圧電体において前記表
面弾性波素子が伝播される部分を少なくとも覆うエアブ
リッジを備える、表面弾性波素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3249747A JPH0590872A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 表面弾性波素子 |
| DE69217309T DE69217309T2 (de) | 1991-09-27 | 1992-09-11 | Akustische Oberflächenwellenanordnung |
| EP92115608A EP0534251B1 (en) | 1991-09-27 | 1992-09-11 | Surface acoustic wave device |
| US08/103,729 US5390401A (en) | 1991-09-27 | 1993-08-06 | Method for producing a surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3249747A JPH0590872A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 表面弾性波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590872A true JPH0590872A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17197618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3249747A Pending JPH0590872A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 表面弾性波素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5390401A (ja) |
| EP (1) | EP0534251B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0590872A (ja) |
| DE (1) | DE69217309T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6528924B1 (en) | 1996-05-24 | 2003-03-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Electronic component, in particular a component operating with surface acoustic waves |
| KR100658230B1 (ko) * | 1996-05-24 | 2007-05-14 | 지멘스 마츠시타 컴포넌츠 게엠베하 운트 콤파니 카게 | 표면탄성파를사용하는전자부품 |
| JP2017055381A (ja) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | ウィン セミコンダクターズ コーポレーション | 音響波装置の保護カバーおよびその製造方法 |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5459368A (en) * | 1993-08-06 | 1995-10-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device mounted module |
| JP3295921B2 (ja) * | 1994-06-20 | 2002-06-24 | 住友電気工業株式会社 | 表面弾性波素子用ダイヤモンド基材及び素子 |
| DE19548046C2 (de) * | 1995-12-21 | 1998-01-15 | Siemens Matsushita Components | Verfahren zur Herstellung von für eine Flip-Chip-Montage geeigneten Kontakten von elektrischen Bauelementen |
| US6242842B1 (en) * | 1996-12-16 | 2001-06-05 | Siemens Matsushita Components Gmbh & Co. Kg | Electrical component, in particular saw component operating with surface acoustic waves, and a method for its production |
| DE19548048C2 (de) * | 1995-12-21 | 1998-01-15 | Siemens Matsushita Components | Elektronisches Bauelement, insbesondere mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement (OFW-Bauelement) |
| DE69718693T2 (de) * | 1996-03-08 | 2003-11-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Elektronisches Bauteil und Herstellungsverfahren |
| US5907768A (en) * | 1996-08-16 | 1999-05-25 | Kobe Steel Usa Inc. | Methods for fabricating microelectronic structures including semiconductor islands |
| US5969461A (en) * | 1998-04-08 | 1999-10-19 | Cts Corporation | Surface acoustic wave device package and method |
| DE19818824B4 (de) * | 1998-04-27 | 2008-07-31 | Epcos Ag | Elektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US6329739B1 (en) * | 1998-06-16 | 2001-12-11 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Surface-acoustic-wave device package and method for fabricating the same |
| JP3317274B2 (ja) * | 1999-05-26 | 2002-08-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法 |
| JP3432472B2 (ja) * | 1999-12-09 | 2003-08-04 | 沖電気工業株式会社 | 弾性表面波装置の製造方法 |
| JP3435639B2 (ja) * | 2000-04-13 | 2003-08-11 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置 |
| JP3376994B2 (ja) * | 2000-06-27 | 2003-02-17 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| US7132309B2 (en) | 2003-04-22 | 2006-11-07 | Chien-Min Sung | Semiconductor-on-diamond devices and methods of forming |
| US6659161B1 (en) | 2000-10-13 | 2003-12-09 | Chien-Min Sung | Molding process for making diamond tools |
| US6814130B2 (en) * | 2000-10-13 | 2004-11-09 | Chien-Min Sung | Methods of making diamond tools using reverse casting of chemical vapor deposition |
| US7011134B2 (en) * | 2000-10-13 | 2006-03-14 | Chien-Min Sung | Casting method for producing surface acoustic wave devices |
| US7434305B2 (en) | 2000-11-28 | 2008-10-14 | Knowles Electronics, Llc. | Method of manufacturing a microphone |
| US8623710B1 (en) | 2000-11-28 | 2014-01-07 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of bottom port multi-part surface mount silicon condenser microphone packages |
| JP3925366B2 (ja) * | 2001-10-17 | 2007-06-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
| JP3841053B2 (ja) * | 2002-07-24 | 2006-11-01 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| US7299528B2 (en) * | 2002-11-05 | 2007-11-27 | Lee David M | Method for forming a multi-frequency surface acoustic wave device |
| JP2006287881A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-19 | Alps Electric Co Ltd | 表面弾性波ディバイスの製造方法 |
| CN101501989B (zh) * | 2006-08-07 | 2012-06-27 | 京瓷株式会社 | 弹性表面波装置的制造方法 |
| US7846767B1 (en) | 2007-09-06 | 2010-12-07 | Chien-Min Sung | Semiconductor-on-diamond devices and associated methods |
| JP5626451B2 (ja) * | 2011-03-22 | 2014-11-19 | 株式会社村田製作所 | 電子部品モジュールの製造方法及び電子部品モジュール |
| EP2774390A4 (en) | 2011-11-04 | 2015-07-22 | Knowles Electronics Llc | EMBEDDED DIELEKTRIKUM AS A BARRIER IN AN ACOUSTIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING |
| KR101641986B1 (ko) | 2012-08-01 | 2016-07-22 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전자 부품 및 전자 부품 모듈 |
| US9078063B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-07-07 | Knowles Electronics, Llc | Microphone assembly with barrier to prevent contaminant infiltration |
| US9794661B2 (en) | 2015-08-07 | 2017-10-17 | Knowles Electronics, Llc | Ingress protection for reducing particle infiltration into acoustic chamber of a MEMS microphone package |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1512593A (en) * | 1975-03-13 | 1978-06-01 | Murata Manufacturing Co | Elastic surface wave filter |
| JPS5438874A (en) * | 1977-08-30 | 1979-03-24 | Jirou Miyai | Ornament made by processing white of egg |
| JPS55112019A (en) * | 1979-02-22 | 1980-08-29 | Murata Mfg Co Ltd | Elastic surface wave device |
| GB2100521B (en) * | 1981-05-13 | 1984-09-12 | Plessey Co Plc | Electrical device package |
| EP0157938A3 (de) * | 1984-03-23 | 1987-05-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Gehäuse für elektrische Bauelemente |
| US4845397A (en) * | 1984-12-19 | 1989-07-04 | Tektronix, Inc. | Constraining mount system for surface acoustic wave devices |
| JPS6297418A (ja) * | 1985-10-23 | 1987-05-06 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波装置のパツケ−ジ方法 |
| JPS6462911A (en) * | 1987-09-03 | 1989-03-09 | Sumitomo Electric Industries | Surface acoustic wave element |
| EP0367181B1 (en) * | 1988-10-31 | 1994-04-20 | Hitachi, Ltd. | Surface acoustic wave filter device |
| US4952832A (en) * | 1989-10-24 | 1990-08-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Surface acoustic wave device |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP3249747A patent/JPH0590872A/ja active Pending
-
1992
- 1992-09-11 EP EP92115608A patent/EP0534251B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-09-11 DE DE69217309T patent/DE69217309T2/de not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-08-06 US US08/103,729 patent/US5390401A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6528924B1 (en) | 1996-05-24 | 2003-03-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Electronic component, in particular a component operating with surface acoustic waves |
| KR100658230B1 (ko) * | 1996-05-24 | 2007-05-14 | 지멘스 마츠시타 컴포넌츠 게엠베하 운트 콤파니 카게 | 표면탄성파를사용하는전자부품 |
| JP2017055381A (ja) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | ウィン セミコンダクターズ コーポレーション | 音響波装置の保護カバーおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0534251B1 (en) | 1997-02-05 |
| DE69217309T2 (de) | 1997-05-22 |
| US5390401A (en) | 1995-02-21 |
| EP0534251A1 (en) | 1993-03-31 |
| DE69217309D1 (de) | 1997-03-20 |
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